JP2000122072A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JP2000122072A JP2000122072A JP29076798A JP29076798A JP2000122072A JP 2000122072 A JP2000122072 A JP 2000122072A JP 29076798 A JP29076798 A JP 29076798A JP 29076798 A JP29076798 A JP 29076798A JP 2000122072 A JP2000122072 A JP 2000122072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルターの形成および均一な高さの
柱状スペーサの形成が容易で、高開口率で、表示性能の
高い液晶表示素子および製造方法を得る。 【解決手段】 スイッチング素子１６および画素電極１
７を有するアクティブマトリクス基板１１と対向基板１
２の間に液晶層１３を挟み、前記アクティブマトリクス
基板側にカラーフィルター層１８を形成する液晶表示素
子において、カラーフィルター層１８を遮光層２１と遮
光層の画素開口部２０に設けられた着色層２２Ｒ、２２
Ｇ、２２Ｂで形成する。遮光層にスルーホール２３を形
成し、画素電極１７とスイッチング素子１６との接続を
このスルーホールを介して行う。さらに基板間の間隙を
きめる柱状スペーサ２４を遮光層上に設ける。インクジ
ェット法で着色層および柱状スペーサを同時に形成す
る。
柱状スペーサの形成が容易で、高開口率で、表示性能の
高い液晶表示素子および製造方法を得る。 【解決手段】 スイッチング素子１６および画素電極１
７を有するアクティブマトリクス基板１１と対向基板１
２の間に液晶層１３を挟み、前記アクティブマトリクス
基板側にカラーフィルター層１８を形成する液晶表示素
子において、カラーフィルター層１８を遮光層２１と遮
光層の画素開口部２０に設けられた着色層２２Ｒ、２２
Ｇ、２２Ｂで形成する。遮光層にスルーホール２３を形
成し、画素電極１７とスイッチング素子１６との接続を
このスルーホールを介して行う。さらに基板間の間隙を
きめる柱状スペーサ２４を遮光層上に設ける。インクジ
ェット法で着色層および柱状スペーサを同時に形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を扶
持し、両基板の周囲をシール接着剤で固定した構成をし
ている。この２枚の基板間の距離を一定に保っためのス
ペーサとして粒径の均一なプラスティックビーズ等を基
板間に散在させる。さらにカラー表示用の液晶表示素子
は２枚のガラス基板のうちの一方に赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの
着色層からなるＲＧＢカラーフィルターを形成してい
る。
素子は、電極を有する２枚のガラス基板の間に液晶を扶
持し、両基板の周囲をシール接着剤で固定した構成をし
ている。この２枚の基板間の距離を一定に保っためのス
ペーサとして粒径の均一なプラスティックビーズ等を基
板間に散在させる。さらにカラー表示用の液晶表示素子
は２枚のガラス基板のうちの一方に赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの
着色層からなるＲＧＢカラーフィルターを形成してい
る。
【０００３】例えば、カラー型アクティブマトリクス駆
動液晶表示素子は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
やポリシリコンを半導体層とした薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）と、それに接続された画素電極、信号線、走査線
とが形成されたアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ
アレイ基板と、この基板に対向設置された対向電極を有
しカラーフィルタを形成した対向基板をもつ。この素子
の両側に偏光板を配置することによりカラー画像表示を
することができるものである。液晶表示素子の表示方式
としそは、例えばＴＮ形、ＳＴ形、ＧＨ形、あるいはＥ
ＣＢ形や強誘電性液晶などが用いられるが、いずれも、
電極構成が簡単な対向基板側にカラーフィルター層を設
けるのが製造の点で有利である。しかしアレイ基板との
位置合わせのズレを考慮するために、カラーフィルター
層の遮光層をアレイ基板の画素開口より小さくする必要
があり、そのために開口率の低下を引きおこす。
動液晶表示素子は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
やポリシリコンを半導体層とした薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）と、それに接続された画素電極、信号線、走査線
とが形成されたアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ
アレイ基板と、この基板に対向設置された対向電極を有
しカラーフィルタを形成した対向基板をもつ。この素子
の両側に偏光板を配置することによりカラー画像表示を
することができるものである。液晶表示素子の表示方式
としそは、例えばＴＮ形、ＳＴ形、ＧＨ形、あるいはＥ
ＣＢ形や強誘電性液晶などが用いられるが、いずれも、
電極構成が簡単な対向基板側にカラーフィルター層を設
けるのが製造の点で有利である。しかしアレイ基板との
位置合わせのズレを考慮するために、カラーフィルター
層の遮光層をアレイ基板の画素開口より小さくする必要
があり、そのために開口率の低下を引きおこす。
【０００４】この開口率の向上を重視するためには、ア
レイ基板側にカラーフィルター層を設けるのがよいが、
例えば着色層を一般的な顔料分散法で形成する場合、
赤、緑、青各色間のパターン変換差の違いなどのため、
着色層にスルーホールを設けることが困難であるなど製
造上複雑になり、製品歩留まりや信頼性の点で不利であ
る。 また、着色層をインクジェット法で形成する場
合、着色層にスルーホールを開けることが困難であり、
さらに、柱状スペーサを形成する時、着色層上に形成す
ると、各層の膜厚差により均一高さのスペーサを形成す
ることが難しい。
レイ基板側にカラーフィルター層を設けるのがよいが、
例えば着色層を一般的な顔料分散法で形成する場合、
赤、緑、青各色間のパターン変換差の違いなどのため、
着色層にスルーホールを設けることが困難であるなど製
造上複雑になり、製品歩留まりや信頼性の点で不利であ
る。 また、着色層をインクジェット法で形成する場
合、着色層にスルーホールを開けることが困難であり、
さらに、柱状スペーサを形成する時、着色層上に形成す
ると、各層の膜厚差により均一高さのスペーサを形成す
ることが難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決しようとするものであり、表示性能が良く、歩留り
が高いカラー表示型液晶表示素子を製造容易に得ること
を目的とする。
解決しようとするものであり、表示性能が良く、歩留り
が高いカラー表示型液晶表示素子を製造容易に得ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、一主面上にマ
トリクス状にスイッチング素子、画素電極およびカラー
フィルター層を形成したアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板の一主面との間で液晶層
を挟持する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板
と前記対向基板との間隙を保持する柱状スペーサとから
なる液晶表示素子において、前記カラーフィルター層
は、画素開口部を形成し少なくとも前記スイッチング素
子上に被着された遮光層と前記画素開口部に形成された
着色層とからなり、前記遮光層は前記スイッチング素子
上の領域にスルーホールが形成され、前記画素電極は前
記着色層上に形成されて前記スルーホールを介して前記
スイッチング素子に接続され、かつ前記柱状スペーサが
遮光層直上に形成されていることを特徴とする液晶表示
素子を得るものである。
トリクス状にスイッチング素子、画素電極およびカラー
フィルター層を形成したアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板の一主面との間で液晶層
を挟持する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板
と前記対向基板との間隙を保持する柱状スペーサとから
なる液晶表示素子において、前記カラーフィルター層
は、画素開口部を形成し少なくとも前記スイッチング素
子上に被着された遮光層と前記画素開口部に形成された
着色層とからなり、前記遮光層は前記スイッチング素子
上の領域にスルーホールが形成され、前記画素電極は前
記着色層上に形成されて前記スルーホールを介して前記
スイッチング素子に接続され、かつ前記柱状スペーサが
遮光層直上に形成されていることを特徴とする液晶表示
素子を得るものである。
【０００７】また、前記着色層および柱状スペーサがイ
ンクジェット法で形成されていることを特徴とする液晶
表示素子の製造方法を得るものである。
ンクジェット法で形成されていることを特徴とする液晶
表示素子の製造方法を得るものである。
【０００８】本発明によればスルーホールを遮光層とい
う単一層に形成するため、均一なスルーホール形成が可
能でありカラーフィルター層の製造が容易で、さらにこ
の層に柱状スペーサを形成することにより均一な柱上ス
ペーサの形成が容易になる。
う単一層に形成するため、均一なスルーホール形成が可
能でありカラーフィルター層の製造が容易で、さらにこ
の層に柱状スペーサを形成することにより均一な柱上ス
ペーサの形成が容易になる。
【発明の実施の形態】以下実施の形態について詳しく述
べる。図１は本発明による実施の形態のアクティブマト
リクス液晶表示素子を示す。 （実施の形態１）図において、液晶表示素子１０はＴＮ
型のアクティブマトリクス駆動素子であり、一対の基板
１１，１２の間に液晶層１３を扶持している。一方の基
板であるアクティブマトリクス基板（アレイ基板）１１
は一主面上にマトリクス状に信号線１４、ゲート電極が
延在する走査線１５、ＴＦＴスイッチング素子１６、画
素電極１７およびカラーフィルター層１８を形成してい
る。他方の基板である対向基板１２は一主面上に共通電
極１９を形成しており、アクティブマトリクス基板１１
の一主面との間で液晶層１３を挟持する。
べる。図１は本発明による実施の形態のアクティブマト
リクス液晶表示素子を示す。 （実施の形態１）図において、液晶表示素子１０はＴＮ
型のアクティブマトリクス駆動素子であり、一対の基板
１１，１２の間に液晶層１３を扶持している。一方の基
板であるアクティブマトリクス基板（アレイ基板）１１
は一主面上にマトリクス状に信号線１４、ゲート電極が
延在する走査線１５、ＴＦＴスイッチング素子１６、画
素電極１７およびカラーフィルター層１８を形成してい
る。他方の基板である対向基板１２は一主面上に共通電
極１９を形成しており、アクティブマトリクス基板１１
の一主面との間で液晶層１３を挟持する。
【０００９】カラーフィルター層１８は、画素開口部２
０を形成しその周囲に形成した信号線１４、走査線１５
およびスイッチング素子１６上を覆う遮光層２１と、画
素開口部に形成された着色層２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂと
からなる。遮光層２１は前記スイッチング素子領域にス
ルーホール２３が形成され、画素電極１７は着色層上に
形成されてスルーホール２３を介してスイッチング素子
１６のソース電極２６に接続されている。さらに、この
遮光層２１土に柱状スペーサ２４が形成されている。こ
の素子は以下の工程で製造される。
０を形成しその周囲に形成した信号線１４、走査線１５
およびスイッチング素子１６上を覆う遮光層２１と、画
素開口部に形成された着色層２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂと
からなる。遮光層２１は前記スイッチング素子領域にス
ルーホール２３が形成され、画素電極１７は着色層上に
形成されてスルーホール２３を介してスイッチング素子
１６のソース電極２６に接続されている。さらに、この
遮光層２１土に柱状スペーサ２４が形成されている。こ
の素子は以下の工程で製造される。
【００１０】（工程１） 通常ＴＦＴ（薄膜電界効果ト
ランジスタ）のスイッチング素子を形成するプロセスと
同様に厚さ、０．７ｍｍのガラス基板（コーニング社
製、＃１７３７）１１上に成膜とパターンニングを繰り
返し、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ
１６と信号線１４、ゲート線１５および保護絶縁膜３１
のパッシベーションパターンを形成したアレイ基板を形
成する。保護絶縁膜３１にスルーホールを形成しソース
電極２６を露出しておく。
ランジスタ）のスイッチング素子を形成するプロセスと
同様に厚さ、０．７ｍｍのガラス基板（コーニング社
製、＃１７３７）１１上に成膜とパターンニングを繰り
返し、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ
１６と信号線１４、ゲート線１５および保護絶縁膜３１
のパッシベーションパターンを形成したアレイ基板を形
成する。保護絶縁膜３１にスルーホールを形成しソース
電極２６を露出しておく。
【００１１】（工程２） この基板１１に感光性でカー
ボンを含まない絶縁性黒色樹脂（富士ハントテクノロジ
ー（株）製）をスピンナを用いて２．０μｍの厚みに塗
布し、９０℃１０分の乾燥後、所定のパターン形状のフ
ォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で、３００ｍＪ／
ｃｍ２の露光量で露光したあとｐＨ１１．５のアルカリ
水溶液にて現像し、２００℃、６０分の焼成にて膜厚
２．０μｍの遮光層２１を形成する。このとき、ＴＦＴ
のソース電極配線上の遮光層２１にスルーホール２３を
形成しソース電極２６を露出状態にする。
ボンを含まない絶縁性黒色樹脂（富士ハントテクノロジ
ー（株）製）をスピンナを用いて２．０μｍの厚みに塗
布し、９０℃１０分の乾燥後、所定のパターン形状のフ
ォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で、３００ｍＪ／
ｃｍ２の露光量で露光したあとｐＨ１１．５のアルカリ
水溶液にて現像し、２００℃、６０分の焼成にて膜厚
２．０μｍの遮光層２１を形成する。このとき、ＴＦＴ
のソース電極配線上の遮光層２１にスルーホール２３を
形成しソース電極２６を露出状態にする。
【００１２】（工程３） 赤色の顔料を分散させた紫外
線硬化型アクリル樹脂レジスト（富士ハントテクノロジ
ー（株）製）をスピンナーにて全面塗布し、赤を着色し
たい画素開口部部分のみに光が照射されるようなフォト
マスクを介し３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ２照
射し、ＴＭＡＨの水溶液で５０秒間現像し、赤の着色層
２２Ｒを形成する。同様に緑、青の着色層２２Ｇ，２２
Ｂを繰り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成す
る。ここでは緑の着色材料、青の着色材料は富士ハント
テクノロシ（株）製を用いた。このときの赤色層２２
Ｒ、緑色層２２Ｇ、青色層２２Ｂの膜厚はそれぞれ３．
０μｍとした。
線硬化型アクリル樹脂レジスト（富士ハントテクノロジ
ー（株）製）をスピンナーにて全面塗布し、赤を着色し
たい画素開口部部分のみに光が照射されるようなフォト
マスクを介し３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ２照
射し、ＴＭＡＨの水溶液で５０秒間現像し、赤の着色層
２２Ｒを形成する。同様に緑、青の着色層２２Ｇ，２２
Ｂを繰り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成す
る。ここでは緑の着色材料、青の着色材料は富士ハント
テクノロシ（株）製を用いた。このときの赤色層２２
Ｒ、緑色層２２Ｇ、青色層２２Ｂの膜厚はそれぞれ３．
０μｍとした。
【００１３】（工程４） さらに、紫外線硬化型のアク
リル樹脂レジストを用い、遮光層上に柱状スペーサ２４
を形成する。柱状スペーサ２４は基板間の間隙を一定に
保持するためのもので、液晶層厚が５μｍになるように
高さをきめる。
リル樹脂レジストを用い、遮光層上に柱状スペーサ２４
を形成する。柱状スペーサ２４は基板間の間隙を一定に
保持するためのもので、液晶層厚が５μｍになるように
高さをきめる。
【００１４】（工程５） その後、ＩＴＯをスパッタリ
ング法で形成したあと、所定の画素電極１７パターンに
形成する。このときＩＴＯの一部がスルーホール２３を
通してソース電極２６に接続される。
ング法で形成したあと、所定の画素電極１７パターンに
形成する。このときＩＴＯの一部がスルーホール２３を
通してソース電極２６に接続される。
【００１５】（工程６）その後、ポリイミド配向膜材料
（ＡＬ−１０５１，日本合成ゴム（株）製）を全面に５
００Ａ塗布し、ラビング処理を行い、配向膜２７を形成
する。
（ＡＬ−１０５１，日本合成ゴム（株）製）を全面に５
００Ａ塗布し、ラビング処理を行い、配向膜２７を形成
する。
【００１６】（工程７） 次に所定の共通電極２９が形
成してある厚さ０．７ｍｍのガラス基板（コーニング社
製、＃１７３７）からなる対向基板１２の共通電極２９
上に同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行
い、配向膜３０を形成する。
成してある厚さ０．７ｍｍのガラス基板（コーニング社
製、＃１７３７）からなる対向基板１２の共通電極２９
上に同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行
い、配向膜３０を形成する。
【００１７】（工程８） この後、基板１２土の配向膜
３０の周辺に沿って接着剤（図示しない）を液晶注入口
（図示しない）を除いて印刷し、アクティブマトリクス
基板から対向電極に電圧を印加するための銀ペ一スト電
極転移材を接着剤の周辺の電極転移電極上に形成する。
３０の周辺に沿って接着剤（図示しない）を液晶注入口
（図示しない）を除いて印刷し、アクティブマトリクス
基板から対向電極に電圧を印加するための銀ペ一スト電
極転移材を接着剤の周辺の電極転移電極上に形成する。
【００１８】（工程９） 配向膜２７，３０が対向し、
またそれぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１
１、１２を配置し、加熱して接着剤を硬化させ貼り合わ
せる。
またそれぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１
１、１２を配置し、加熱して接着剤を硬化させ貼り合わ
せる。
【００１９】（工程１０） 通常の方法により液晶注入
口より液晶組成物（ＺＬＩ１５６５、Ｅ．メルク社製）
にカイラル剤Ｓ８１１を０．１ｗ％添加したものを注入
して液晶層１３とし、この後注入口を紫外線硬化樹脂で
封止する。
口より液晶組成物（ＺＬＩ１５６５、Ｅ．メルク社製）
にカイラル剤Ｓ８１１を０．１ｗ％添加したものを注入
して液晶層１３とし、この後注入口を紫外線硬化樹脂で
封止する。
【００２０】こうして製造したカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示素子は、面内均一なスルーホールと
柱状スペーサの形成を行なうことが出来、開口率を向上
させ、表示性能の高い、信頼性のある液晶表示素子を得
ることが出来た。 （実施の形態２）本実施の形態は上記実施の形態１の
（工程３）および（工程４）の製造方法が異なるもので
あり、最終的な構造は実施の形態１の図１に示す構造と
なる。
マトリクス液晶表示素子は、面内均一なスルーホールと
柱状スペーサの形成を行なうことが出来、開口率を向上
させ、表示性能の高い、信頼性のある液晶表示素子を得
ることが出来た。 （実施の形態２）本実施の形態は上記実施の形態１の
（工程３）および（工程４）の製造方法が異なるもので
あり、最終的な構造は実施の形態１の図１に示す構造と
なる。
【００２１】上記（工程２）で形成された厚さ２．０μ
ｍの遮光層２１は格子状に形成され、その格子開口が画
素開口部２０となる。行、列状に配列された走査線１５
と信号線１４およびこれらの配線の各交差部に配置され
たＴＦＴスイッチング素子１６土を覆って画素開口部以
外からの光漏れを防いでいる。ＴＦＴ領域上の遮光層に
形成されるスルーホール２３は、ＴＦＴのＡｌやＭｏの
金属膜でなるソース電極２６の直上に形成して光漏れが
生じないようにしている。
ｍの遮光層２１は格子状に形成され、その格子開口が画
素開口部２０となる。行、列状に配列された走査線１５
と信号線１４およびこれらの配線の各交差部に配置され
たＴＦＴスイッチング素子１６土を覆って画素開口部以
外からの光漏れを防いでいる。ＴＦＴ領域上の遮光層に
形成されるスルーホール２３は、ＴＦＴのＡｌやＭｏの
金属膜でなるソース電極２６の直上に形成して光漏れが
生じないようにしている。
【００２２】遮光層２１の開口部に着色層２２Ｒ、２２
Ｇ、２２Ｂをインクジェット法で順に被着する。熱硬化
型アクリル樹脂に赤用インク、緑用インク、青用インク
をインクヘッドから吐出して画素開口部に選択的着色層
を形成し、同時にインクジェット法により遮光層２１上
に熱硬化型アクリル樹脂を含むスペーサ剤を収容したヘ
ッドから吐出して柱状スペーサ２４を形成する。
Ｇ、２２Ｂをインクジェット法で順に被着する。熱硬化
型アクリル樹脂に赤用インク、緑用インク、青用インク
をインクヘッドから吐出して画素開口部に選択的着色層
を形成し、同時にインクジェット法により遮光層２１上
に熱硬化型アクリル樹脂を含むスペーサ剤を収容したヘ
ッドから吐出して柱状スペーサ２４を形成する。
【００２３】柱状スペーサの表示領域上の配置は着色層
ＲＧＢ一組ごとに１個の割合で配置する。塗布する表示
領域上をインクヘッドで走査する場合に、各色着色層を
画素開口部２０に対して、またスペーサを所定の遮光層
直上に正確に位置合わせして形成するために、インクヘ
ッドに遮光膜パターンを認識するセンサーを設置して吐
出タイミングを制御する。
ＲＧＢ一組ごとに１個の割合で配置する。塗布する表示
領域上をインクヘッドで走査する場合に、各色着色層を
画素開口部２０に対して、またスペーサを所定の遮光層
直上に正確に位置合わせして形成するために、インクヘ
ッドに遮光膜パターンを認識するセンサーを設置して吐
出タイミングを制御する。
【００２４】その後、カラーフィルター層上にＩＴＯを
スパッタリング法で被膜形成して、フォトエッチングに
より所定の画素電極１７のパターンを形成する。遮光層
のスルーホール２３内にもＩＴＯが形成され画素電極と
ＴＦＴのソース電極が接続される。その後の工程は実施
の形態１と同様である。得られる液晶表示素子は、面内
均一なスルーホールと柱状スペーサの形成を行なうこと
が出来、開口率をを向上させ、表示性能の高い、信頼性
のある液晶表示素子となる。さらに、本実施の形態によ
れば一工程で着色層とスペーサ層を同時形成することが
できる。
スパッタリング法で被膜形成して、フォトエッチングに
より所定の画素電極１７のパターンを形成する。遮光層
のスルーホール２３内にもＩＴＯが形成され画素電極と
ＴＦＴのソース電極が接続される。その後の工程は実施
の形態１と同様である。得られる液晶表示素子は、面内
均一なスルーホールと柱状スペーサの形成を行なうこと
が出来、開口率をを向上させ、表示性能の高い、信頼性
のある液晶表示素子となる。さらに、本実施の形態によ
れば一工程で着色層とスペーサ層を同時形成することが
できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、スルーホール形成と柱状スペ
ーサを遮光層の単一層上に施す構成により、カラーフィ
ルターの形成および均一な高さの柱状スペーサの形成が
容易になり、高開口率で、表示性能の高い液晶表示素子
および製造方法を得ることができる。
ーサを遮光層の単一層上に施す構成により、カラーフィ
ルターの形成および均一な高さの柱状スペーサの形成が
容易になり、高開口率で、表示性能の高い液晶表示素子
および製造方法を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態のアクティブマトリクス型
液晶表示素子の一部を拡大して示す断面略図。
液晶表示素子の一部を拡大して示す断面略図。
１１：アクティブマトリクス基板（アレイ基板） １２：対向基板 １３：液晶層 １４：信号線 １５：走査線 １６：ＴＦＴスイッチング素子 １７：画素電極 １８：カラーフィルター層 １９：共通電極 ２１：遮光層 ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ：着色層 ２３：スルーホール ２４：柱状スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｂ ５Ｆ０３３ Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H089 LA09 LA16 NA07 QA12 QA16 TA12 TA13 2H091 FA02Y FD02 FD06 GA08 GA11 LA12 LA16 2H092 JA24 JB33 JB52 MA10 NA07 NA29 PA03 PA08 5C094 AA03 AA08 AA10 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB04 EA04 EA07 EC03 ED03 FA01 FA02 FB01 FB15 GB10 5F033 GG04 HH38 JJ01 JJ38 QQ37 RR21 RR27 SS22 XX32
Claims (2)
- 【請求項１】 一主面上にマトリクス状にスイッチング
素子、画素電極およびカラーフィルター層を形成したア
クティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス
基板の一主面との間で液晶層を挟持する対向基板と、前
記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間隙を
保持する柱状スペーサとからなる液晶表示素子におい
て、前記カラーフィルター層は、画素開口部を形成し少
なくとも前記スイッチング素子上に被着された遮光層と
前記画素開口部に形成された着色層とからなり、前記遮
光層は前記スイッチング素子上の領域にスルーホールが
形成され、前記画素電極は前記着色層上に形成されて前
記スルーホールを介して前記スイッチング素子に接続さ
れ、かつ前記柱状スペーサが遮光層直上に形成されてい
ることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記着色層および柱状スペーサがインク
ジェット法で形成されることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示素子の製造方法。
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