JP2000121615A - 電子部品の製造方法及びその製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板割れの検出が、割れ発生と同時に検出で
きないため、早期に基板割れに対する対応処置が実施で
きず、後続ロットのガラス基板の巻き添えの割れ防止が
不十分であり、また、基板割れが一旦発生すると、装置
やラインの復帰のために時間ロスが生じ、生産性の低下
を免れなかった。 【解決手段】 ガラス基板の割れ発生時に発するＡＥ波
を検出するＡＥセンサ９を処理槽６に取り付けておき、
該ＡＥセンサ９が検出した検出信号であるＡＥ信号よ
り、基板割れの信号を検出すると、制御部は、対応処置
を行うように制御シーケンスを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ガラス基
板のような脆性を有する脆性部品を用いる、液晶表示素
子，ＰＤＰ（Plasma Display Panel），ＰＡＬＣ（Plas
ma Addressing Liquid Crystal Display），ラインセン
サ等の電子部品、或いは、シリコンやセラミックス等の
脆性部品を用いる半導体装置等の電子部品の製造方法、
及びその製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば液晶表示素子の製造工
程における、バッチ式の薬液処理工程や洗浄処理工程で
は、ガラス基板の割れが発生し易い。ガラス基板の割れ
は、処理槽から処理槽へとガラス基板を搬送するとき、
処理槽へとガラス基板を搬入するとき、処理槽からガラ
ス基板を搬出するとき、処理槽内で基板を処理している
ときなど、あらゆる動作時に発生する可能性がある。

【０００３】特に、最近においては、ガラス基板の大型
化・薄型化が進み、基板サイズは１ｍ角に近くに、基板
厚は１．１ｍｍから０．７ｍｍ、さらには０．５ｍｍと
薄型化されている。そのため、基板処理時の静的あるい
は動的なタワミの影響も大きく、バッチ式の薬液処理工
程・洗浄処理工程で、基板搬送時や各種処理中に発生す
るガラス基板の割れは、益々、増加傾向にある。

【０００４】バッチ式の薬液処理工程・洗浄処理工程で
用いる処理装置内でのガラス基板の搬送は、例えば、以
下のようにして行われることが知られている。ガラス基
板は、前工程から複数枚単位で１つのカセットに収納さ
れた状態で搬送されてくる。搬送されて来たガラス基板
は、受け取り位置にある位置決め機構にてカセットから
１枚ずつ取り出され、搬送アームに対して位置決めされ
る。

【０００５】位置決めされたこれらガラス基板は、第１
の搬送アームにて同時に直接チャッキングされ、最初の
処理槽へと搬送される。そして、処理槽内へ搬入され、
ここで一旦チャッキングが解除される。そして、処理が
終了すると、第１の搬送アームにて再度チャッキングさ
れ、当該処理槽から搬出され次の処理槽へと搬送され
る。第１の搬送アームは、担当する最終の処理槽まで同
じ操作を繰り返した後、これらガラス基板を、第２の搬
送アームに引き渡す。以降、最終の搬送アームに至るま
で同じ操作が繰り返される。

【０００６】最終の搬送アームにて最終の処理槽から搬
出された複数枚のガラス基板は、送り出し位置にある収
納機構にて１枚ずつカセットへ収納され、次工程へと送
られる。これが、１ロットのガラス基板の流れであり、
各アームの担当域で、異なるロット毎のガラス基板が搬
送され、連続して処理される。

【０００７】そして、従来、このようなバッチ式の薬液
処理工程・洗浄処理工程で用いる処理装置内におけるガ
ラス基板の割れの検出は、１ロットにおいて前工程から
きた基板枚数と次工程へと移るときの基板枚数との間に
差があるとき、あるいは、処理槽からガラス基板を搬出
するチャッキング時、一定時間を過ぎてもチャッキング
できないガラス基板がある場合などで行っていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の基板割れ検出方法はいずれも、基板割れ
が発生したと同時に割れを検出できるものでない。その
ため、割れたガラス基板による悪影響を最小限に止める
ための対応処置を迅速に行えず、対応が後手に回り、損
害が大きくなるといった問題がある。

【０００９】詳しく言うと、前工程からきた基板枚数と
次工程へと移るときの基板枚数との差よりガラス基板の
割れを検出する方法では、ロット単位のガラス基板すべ
てが処理工程を終了した段階でしか基板割れ発生を検知
できないため、ロット単位の基板すべてが処理工程を終
了するまでは、割れた基板はそのまま割れた場所に放置
されることとなり、放置された割れ基板により、後続ロ
ットのガラス基板で巻き添えの割れが発生する可能性が
ある。

【００１０】また、チャッキング時に一定時間が経過し
てもチャッキングしない場合に、処理槽内での基板割れ
を確認する方法においては、ガラス基板のチャッキング
と関係のない部分が割れた場合、割れた状態でチャッキ
ングされてそのまま次の処理槽へと搬送されてしまう。
そのため、検出信頼性が低く、また、上述同様割れた基
板はそのまま割れた場所に放置されることとなり、放置
された割れ基板により、後続ロットのガラス基板で巻き
添えの割れが発生する可能性がある。

【００１１】したがって、従来の基板割れ検出方法にお
いては、基板割れの発生と同時に検出できないため、早
期に基板割れに対する対応処置が実施できず、後続ロッ
トのガラス基板の巻き添えの割れ防止が不十分となって
しまう。

【００１２】そしてまた、基板割れが一旦発生すると、
装置やラインの復帰のために時間ロスが生じ、生産性の
低下は免れない。特に、真空加熱炉を用いた真空オーブ
ン装置、成膜装置、ドライエッチング装置などの処理装
置や、バッチ式の薬液処理装置・洗浄処理装置内におい
て、破損物を除去するためなどに、ヒートダウン、薬液
の交換、複数の搬送カセット点検処理など煩雑な作業を
必要とするため、時間ロスによる生産性の低下は大き
い。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
電子部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、
ガラス基板等の脆性を有する脆性部品を用いる電子部品
の製造方法において、脆性部品が割れた際に発する特有
の周波数帯域の音波を検出することで脆性部品の割れを
検出し、検出後瞬時に対応処置を行うことを特徴として
いる。

【００１４】また、本発明の請求項４記載の電子部品の
製造装置は、上記の課題を解決するために、ガラス基板
等の脆性を有する脆性部品を用いる電子部品の製造装置
において、脆性部品が割れた際に発する特有の周波数帯
域の音波を検出する検出手段と、該検出手段にて上記音
波が検出されると、対応処置を行うように当該製造装置
の制御シーケンスを制御する制御手段とを備えることを
特徴としている。

【００１５】請求項１、４に記載の発明によれば、脆性
部品が割れた際に発する特有の周波数帯域の音波を検出
して、脆性部品の割れ発生を検出する。このような脆性
部品の割れ検出には、例えばアコースティックエミッシ
ョン（ＡＥ）技術を用いることができる。

【００１６】ＡＥ技術とは、現在、非破壊検査の分野で
広く用いられている技術であり、ＡＥ波を用いる。ＡＥ
波とは、材料に極部的な変形や割れの進展が生じた際に
放出される弾性波のことである。ＡＥ波は、通常、数キ
ロヘルツから数キロメガヘルツの微弱な振動であるた
め、音として直接耳で聞くことはできない。したがっ
て、ＡＥ波の計測は、固体や液体を伝播するＡＥ波を専
用のセンサ（ＡＥセンサと称される）で検出して電気信
号（ＡＥ信号）に変換し、このＡＥ信号を解析に必要な
レベルまで増幅し、フィルタで不要信号の除去を行って
成される。ＡＥ技術においては、ＡＥ信号より、ＡＥ波
を発するＡＥ源の起因や発生位置を特定することができ
る。ＡＥセンサは、例えばモータ音や話し声など各種の
騒音や雑音が聞こえる環境下であっても、僅かな物性の
変化を非接触で検出できる。

【００１７】このように、ガラス基板等の脆性部品の割
れを、割れ発生と同時に、かつ、発生源の近くで検出
し、割れに対する対応処置を瞬時に行うので、さらなる
割れの拡大や、後続の脆性部品の２次、３次の割れを抑
制でき、仕損や不良発生を低減し、製造装置の復旧が短
時間で容易に行える。

【００１８】本発明の請求項２記載の電子部品の製造方
法は、請求項１の構成において、上記音波を検出する
際、検出した信号の信号振幅で上記の音波とノイズとを
区別することを特徴としている。

【００１９】本発明の請求項５記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、検出手段は、検出した
信号の信号振幅で上記音波とノイズとを区別することを
特徴としている。

【００２０】請求項２、５に記載の発明によれば、高精
度でノイズ（雑音も含む）と区別することができるの
で、割れの検出精度が９０％以上と高く、請求項１、４
に記載した発明による効果をより確実に得ることができ
る。

【００２１】本発明の請求項３記載の電子部品の製造方
法は、請求項１の構成において、上記音波を検出する
際、検出した信号の信号振幅と信号発生時間とで上記音
波とノイズと区別することを特徴としている。

【００２２】本発明の請求項６記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、検出手段は、検出信号
の信号振幅と信号発生時間とで上記音波とノイズとを区
別することを特徴としている。

【００２３】請求項３、６に記載の発明によれば、請求
項２、５に記載の発明よりもさらに高精度でノイズと区
別することができるので、割れの検出精度がさらに高く
なり、請求項１、４に記載した発明による効果をより確
実に得ることができる。

【００２４】本発明の請求項７記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、検出手段における音波
を電気信号（検出信号）に変換するセンサ部が、脆性部
品に所定の処理を施す処理部の外面に取り付けられてい
ることを特徴としている。

【００２５】請求項７に記載の発明によれば、センサ部
が処理部の外面に取り付けられているので、処理部で用
いる薬液等からセンサ部を保護するための保護部材を設
ける必要がなく、メンテナンスも簡単にできる。また、
センサ部を処理部の内部に取り付けると、処理部におけ
る脆性部品のチャックと脆性部品の位置関係を考慮して
製造装置自体及び脆性部品を収納するカセット等の治具
を大幅に改造する必要があるが、処理部の外面に取り付
けることで改造の必要もない。さらに、処理部の外面に
設けたので、処理液や処理ガスの対流変化が変わらない
ので、成膜特性や洗浄性といった処理特性を該センサ部
にて低下させることがない。

【００２６】本発明の請求項８記載の電子部品の製造装
置は、請求項４乃至７の何れかに記載の構成において、
液体が貯留された処理槽を複数備えると共に、各処理槽
において複数の脆性部品が一括して処理され、かつ、各
処理槽毎に上記検出手段が設けられていることを特徴と
している。

【００２７】請求項８の構成は、請求項４乃至７の何れ
かに記載の発明を、バッチ式の、洗浄処理装置や薬液処
置装置に適用したものである。液体は脆性部品の割れに
て発生する音波を広範囲の方向に伝播させやすいので、
割れ信号の検出が容易であり、かつ、これら装置は複数
の処理槽を有すると共に、かつバッチ式で複数枚が一括
して処理されるので、２次、３次の割れによる損益は大
きく、本発明の製造装置の構成を採用することで、特に
効果的である。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明に係る一実施の形態を、図
１〜図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。こ
こでは、本発明に係る電子部品の製造方法及び電子部品
の製造装置の構成を、液晶表示素子の製造に用いるバッ
チ式の薬液処理装置に適用したものを例示する。

【００２９】図２に示すように、薬液処理装置１は、取
り出し機構３、第１〜第１０の処理槽６（６ａ〜６
ｊ）、第１〜第３の搬送アーム４（４ａ〜４ｃ）、及び
収納機構７を備えている。

【００３０】取り出し機構３は、前工程より１つのカセ
ット２ａに複数枚単位で収納された状態で搬送されて来
るガラス基板５をカセット２ａ内より１枚ずつ取り出
し、第１の搬送アーム４ａに対して位置決めするもので
ある。

【００３１】各搬送アーム４は何れも、複数枚のガラス
基板５を同時に直接チャッキングして搬送するもので、
第１の搬送アーム４ａは、第１〜第３の処理槽６ａ〜６
ｃ間における搬送を担当し、第２の搬送アーム４ｂは、
第４〜第７の処理槽６ｄ〜６ｇ間、第３の搬送アーム４
ｃは、第８〜第１０の処理槽６ｈ〜６ｊ間を担当する。

【００３２】上記の各処理槽６は、槽内に貯留された処
理液や洗浄液等の所定の薬液によって、薬液に浸漬され
た複数枚のガラス基板５を処理するものである。特に図
示してはいないが、各処理槽６には、搬送アーム４より
チャッキングが解除された複数枚のガラス基板５を担持
する担持部材が設けられている。収納機構７は、第３の
搬送アーム４ｃにチャッキングされている複数枚のガラ
ス基板５を一枚ずつ外し、カセット２ｂに収納するもの
である。

【００３３】このような構成の薬液処理装置１において
は、前工程からカセット２ａ内に収納されて搬送されて
来た複数枚のガラス基板５は、取り出し機構３にてカセ
ット２ａ内から１枚ずつ取り出されて位置決めされる。

【００３４】位置決めされた複数枚のガラス基板５は、
第１の搬送アーム４ａにて同時に直接チャッキングさ
れ、第１の処理槽６ａへと搬送され、一旦チャッキング
が解除されて第１の処理槽６ａ内へ搬入される。その
後、第１の処理槽６ａによる処理が終了すると、第１の
搬送アーム４ａにて再度、同時にチャッキングされ、第
１の処理槽６ａから搬出され、次の第２の処理槽６ｂへ
と搬送される。そして、該第２の処理槽６ｂでの処理が
終了すると、同様にして第３の処理槽６ｃに搬入され
る。

【００３５】複数枚のガラス基板５は、第３の処理槽６
ｃからは、第２のアーム４ｂで搬出され、第４の処理槽
６ｄ、第５の処理槽６ｅ、第６の処理槽６ｆ、第７の処
理槽６ｇの順で処理が施された後、第７の処理槽６ｇか
らは、第３のアーム４ｃで搬出され、第８の処理槽６
ｈ、第９の処理槽６ｉ、第１０の処理槽６ｊの順で処理
が施される。その後、収納機構７にて１枚ずつ第３の搬
送アーム４ｃから外され、カセット２ｂへ収納され、次
工程へと送られる。

【００３６】これが、１ロットのガラス基板５の流れで
あり、第１〜第３の搬送アーム４ａ〜４ｃの担当域で、
異なるロット毎のガラス基板５が搬送され、連続して処
理される。

【００３７】そして、図１に示すように、上記の第１〜
第１０の処理槽６ａ〜６ｊにはそれぞれ、第１〜第１０
のＡＥセンサ９（９ａ〜９ｊ）が取り付けられている。
ＡＥセンサ９は、各処理槽６内でのガラス基板５の割れ
を検出するもので、処理槽６における外面６Ａに取り付
けられている。

【００３８】図４（ａ）に、水中において、ガラスで金
属を叩いた時に発する音の周波数強度を示す。一方、図
４（ｂ）に、水中においてガラス基板５を割ったときに
発する音の周波数強度を示す。図４（ａ)(ｂ）より、ガ
ラスが割れる際には、おおよそ１００ｋＨｚ以上の周波
数で強い信号が出ていることがわかる。これが、ガラス
基板５が割れる際に発したＡＥ波であり、このＡＥ波の
振動が、液体や固体等の媒体を介して伝わり、電気信号
として検出されたＡＥ信号である。上記のＡＥセンサ９
は、このＡＥ信号を検出するものである。

【００３９】そこで、本実施の形態の薬液処理装置１に
おいては、この結果より、ＡＥセンサ９として、１００
ｋＨｚのハイパスフィルタを有したＡＥテスタ（（株）
エヌエフ回路設計ブロック製の型番９５０１）を用いて
いる。

【００４０】なお、特に図示してはいないが、薬液処理
装置１のモータ音や、話し声、ワークや治具などの移送
中の音など各種の音を検波したが、このように１００ｋ
Ｈｚ以上の領域で高強度の信号は得られなかった。

【００４１】図５に、ＡＥセンサ９にてガラス基板５を
割った際の音を検波した結果を示す。ＣＨ１がＡＥセン
サにて検出したＡＥ信号の原信号の波形であり、ＣＨ２
がこのＡＥ信号の原信号を平均値検波処理した後の波形
である。

【００４２】図５より、ガラス基板５の割れにて発生し
たガラス割れの信号とノイズとには、ＡＥ信号を平均値
検波した後の波形における信号振幅と信号発生時間に大
きな違いがあることがわかる。したがって、これより、
予め定める信号振幅以上、或いは予め定める信号振幅か
つ信号発生時間以上の波形をガラス割れの信号として検
出することで、ノイズと区別してガラス基板５の割れを
高精度に検出できることがわかる。

【００４３】そして、信号振幅を用いてノイズと区別す
ることで、割れの検出精度を９０％以上とでき、また、
信号振幅と信号発生時間とを用いてノイズと区別するこ
とで、割れの検出精度をこれより更に高くできることを
実験的に確認している。

【００４４】また、図６（ａ)(ｂ)(ｃ）に、０．５ｍ
ｍ、０．７ｍｍ、１．１ｍｍと厚みの異なるガラス基板
５を、処理槽６（ＷＥＴ槽）内で割り、割った時のＡＥ
信号をＡＥセンサ９にて検出したＡＥ信号（原信号）の
波形を示す。

【００４５】また、図７（ａ)(ｂ)(ｃ）に、０．５ｍ
ｍ、０．７ｍｍ、１．１ｍｍの厚みのガラス基板５にお
ける、ガラス割れ信号の信号振幅と信号発生時間との関
係を調べた結果を示す。また、図７（ａ)(ｂ)(ｃ）にお
いては、ＡＥセンサ９を処理槽６内に取り付けた場合と
処理槽６外に取り付けた場合とでも、ガラス割れ信号の
信号振幅と信号発生時間との関係の違いも調べた。

【００４６】これより、ガラス基板５の厚みの違いや、
槽内と槽外のセンサ取り付け位置の違いにより、ガラス
割れの信号の信号振幅と信号発生時間の分布に少し違い
があるものの、何れも、ある信号振幅と信号発生時間の
領域内にガラス割れの信号が分布していることがわか
る。

【００４７】また、図８（ａ)(ｂ）に、処理槽６外面に
２つのＡＥセンサ９を取り付け、各ＡＥセンサ９でＡＥ
信号を検出し、各ＡＥセンサ９のノイズの検知レベルを
測定した結果を示す。

【００４８】これより、出力値にＡＥセンサ９毎に電圧
誤差はあるが、出力数は一致しており、この実験例で
は、１００％の検出率でノイズを検知していることがわ
かる。なお、電圧誤差は、ＡＥセンサ９の取り付け位置
に違いによるものと考えられる。

【００４９】図３に、薬液処理装置１の制御部の構成を
示す。制御部は、ＣＰＵ（CentralProcessing Unit)２
０と、これに接続されたＲＯＭ（Read Only Memory) ２
１，ＲＡＭ（Random Access Memory) ２２により構成さ
れる。ＲＯＭ２１には、薬液処理装置１の各部をシーケ
ンス制御するための制御プログラムが格納されており、
ＣＰＵ２０は、該プログラムに基づいて各部を制御す
る。ＲＡＭ２２は、シーケンス制御に用いる各種データ
等、必要な情報を格納する記憶部である。

【００５０】ＣＰＵ２０には、上記の第１〜第１０の処
理槽６ａ〜６ｊに各々取り付けられた第１〜第１０のＡ
Ｅセンサ９ａ〜９ｊの各検出出力、つまりＡＥ信号が、
平均値検波処理を施す平均値検出器２３ａ〜２３ｊを介
して入力される。ＣＰＵ２０は、平均値検出器２３ａ〜
２３ｊを介して入力されるＡＥ信号を監視しておき、後
述するガラス割れの信号を検出すると、該信号を検出し
たＡＥセンサ９が取り付けられている処理槽６を特定
し、該処理槽６における基板割れ発生に応じた対応処置
を行うべく、シーケンス制御を変更する。

【００５１】具体的には、ＡＥ信号におけるガラス割れ
の信号とノイズとの区別を行う信号処理として、得られ
るＡＥ信号レベルを５ｍｓ以下のサンプリング期間で規
定し、ガラス割れの信号とノイズとの振幅レベルでの比
較を行い、そして、このようにして得られた信号を、制
御シーケンスにフィードバックしている。

【００５２】例えば、エッチングや剥離の処理を実施し
ているときに、処理槽６内でのガラス基板５の割れが検
出されると、当該処理槽６における処理終了後に、薬液
処理装置１全体を停止させるように制御する。

【００５３】これにより、割れが発生したガラス基板５
を含む同じロットの他の正常なガラス基板５にエッチン
グ不良や剥離不良等の悪影響をもたらすことなく割れに
対応でき、しかも、基板割れが発生した処理槽６が判明
しているので、その処理槽６のみ割れ対応を行えばよ
い。その結果、後続ロットのガラス基板５の２次、３次
の割れを抑制して仕損及び割れ基板除去作業に伴う生産
能力の低下を無くすることができる。

【００５４】基板割れが発生した処理槽６を作業者に認
識させる方法としては、種々考えられるが、各処理槽６
に警告ランプ等の警告手段を設けておき、基板割れの発
生を検知したＡＥセンサ９が取り付けられている処理槽
６の警告ランプを点灯させればよい。

【００５５】また、本薬液処理装置１の場合、ＡＥセン
サ９が処理槽６の外面６Ａに取り付けられているので、
処理槽６で用いる薬液等からＡＥセンサ９を保護するた
めの保護部材を設ける必要がなく、メンテナンスも簡単
にできる。また、ＡＥセンサ９を処理槽６の内部に取り
付けると、処理槽６におけるガラス基板５とチャックの
位置関係を考慮して装置自体及びガラス基板５を収納す
るカセット等の治具を大幅に改造する必要があるが、処
理槽６の外面に取り付けることで改造の必要もなく、従
来構成でそのまま対応できる。さらに、処理液の対流変
化が変わらないので、洗浄性といった処理特性を低下さ
せることもない。

【００５６】また、本薬液処理装置のように、ＡＥ波が
伝播する媒体が液体であると広範囲の方向に伝播し易い
ので、ＡＥ波の検出が容易である。したがって、特に割
れが発生した処理槽を特定する必要がないのであれば、
処理槽内での割れを１つのＡＥセンサで検出する構成と
することもできる。或いは、ＡＥ波の強度によっては、
近接する複数個の製造装置を機械的に結合してＡＥ波の
振動が伝播するようにしておくことで、複数個の製造装
置における割れ検知を、１つのＡＥセンサで実施するこ
とが可能となり、取り付けるＡＥセンサの個数を低減で
きる。

【００５７】また、シーケンス制御の別の例として、本
発明が適用されている装置や製造条件によっては、装置
の前後を停止させ、作業者に対して警告を発するだけで
もよい。この場合、警告を受けた作業者は、基板割れの
箇所や大きさに応じて、そのまま装置を自動復帰させた
り、マニュアルで復帰作業を行ったりする。

【００５８】なお、ここでは、液晶表示素子等の製造部
品であるガラス基板の薬液処理を例に説明したが、材料
としてＡＥ波を発するものであればよく、シリコンやセ
ラミックスなどの脆性部品の割れ検出も容易である。つ
まり、ＩＣ(integrated circuit)、ラインセンサ、イメ
ージセンサ、ハイブリット基板などの製造工程、製造装
置に、本発明を適用できる。そして、用いるＡＥセンサ
も、割れを生じる材質や割れ方などによるＡＥ信号波形
に応じて、周波数特性や信号処理方法などを決定すれば
よい。

【００５９】また、工程もこのような薬液を用いた工程
に限らず、例えば真空装置内であっても、処理中の段階
の真空度に応じては、或いは高真空度であっても、割れ
箇所から、ホルダーや装置本体などを伝播するＡＥ波を
ＡＥセンサにて検出することができるので、真空処理装
置においても、内部における脆性部品の割れを発生と同
時に検出できる。真空装置としては、真空加熱炉を用い
た真空オーブン装置、成膜装置、ドライエッチング装置
など多数のものがあるが、何れにおいても、破損物を除
去するためなどに、ヒートダウンし、真空を一旦解除
し、除去作業終了後に再度真空引きする等の煩雑な作業
を必要とするため、時間ロスによる生産性の低下は大き
いので、本発明を導入することにより、その改善効果は
大である。

【００６０】

【発明の効果】本発明の請求項１記載の電子部品の製造
方法は、以上のように、ガラス基板等の脆性を有する脆
性部品を用いる電子部品の製造方法において、脆性部品
が割れた際に発する特有の周波数帯域の音波を検出する
ことで脆性部品の割れを検出し、検出後瞬時に対応処置
を行う構成である。

【００６１】また、本発明の請求項４記載の電子部品の
製造装置は、以上のように、ガラス基板等の脆性を有す
る脆性部品を用いる電子部品の製造装置において、脆性
部品が割れた際に発する特有の周波数帯域の音波を検出
する検出手段と、該検出手段にて上記音波が検出される
と、対応処置を行うように当該製造装置の制御シーケン
スを制御する制御手段とを備える構成である。

【００６２】これにより、ガラス基板等の脆性部品の割
れを、割れ発生と同時に、かつ、発生源の近くで検出し
て、割れに対する対応処置を瞬時に行うので、さらなる
割れの拡大や、後続の脆性部品の２次、３次の割れを抑
制でき、仕損や不良発生を低減し、製造装置の復旧が短
時間で容易に行えるという効果を奏する。

【００６３】本発明の請求項２記載の電子部品の製造方
法は、請求項１の構成において、上記の音波を検出する
際、検出した信号の信号振幅で上記音波とノイズとを区
別する構成である。

【００６４】本発明の請求項５記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、上記検出手段は、検出
した信号の信号振幅で上記音波とノイズとを区別する構
成である。

【００６５】これにより、高精度でノイズ（雑音も含
む）と区別することができるので、割れの検出精度が９
０％以上と高く、請求項１、４に記載した発明による効
果をより確実に得ることができるという効果を奏する。

【００６６】本発明の請求項３記載の電子部品の製造方
法は、請求項１の構成において、上記の音波を検出する
際、検出した信号の信号振幅と信号発生時間とで上記音
波とノイズとを区別する構成である。

【００６７】本発明の請求項６記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、上記検出手段は、検出
した信号の信号振幅と信号発生時間とで上記音波とノイ
ズとを区別する構成である。

【００６８】これにより、請求項２、５に記載の発明よ
りもさらに高精度でノイズと区別することができるの
で、割れの検出精度がさらに高くなり、請求項１、４に
記載した発明による効果をより確実に得ることができる
という効果を奏する。

【００６９】本発明の請求項７記載の電子部品の製造装
置は、請求項４の構成において、上記検出手段における
音波を電気信号に変換するセンサ部が、脆性部品に所定
の処理を施す処理部の外面に取り付けられている構成で
ある。

【００７０】これにより、センサ部が処理部の外面に取
り付けられているので、処理部で用いる薬液等からセン
サ部を保護するための保護部材を設ける必要がなく、メ
ンテナンスも簡単にできる。また、センサ部を処理部の
内部に取り付けると、処理部における脆性部品のチャッ
クと脆性部品の位置関係を考慮して製造装置自体及び脆
性部品を収納するカセット等の治具を大幅に改造する必
要があるが、処理部の外面に取り付けることで改造の必
要もない。さらに、処理部の外面に設けたので、処理液
や処理ガスの対流変化が変わらないので、成膜特性や洗
浄性といった処理特性を該センサ部にて低下させること
がない等の効果を奏する。

【００７１】本発明の請求項８記載の電子部品の製造装
置は、請求項４乃至７の何れかに記載の構成において、
液体が貯留された処理槽を複数備えると共に、各処理槽
において複数の脆性部品が一括して処理され、かつ、各
処理槽毎に上記検出手段が設けられている構成である。

【００７２】バッチ式の洗浄処理装置や薬液処置装置
は、複数枚の脆性部品が一括して処理されるので、２
次、３次の割れによる損益は大きく、復旧動作に長時間
を要するが、これにより、生産能率の高いバッチ式の洗
浄処理装置や薬液処理装置が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態を示すもので、薬液処理
装置における処理槽と、該処理槽に対してガラス基板を
搬入・搬出する搬送アームを示す模式図である。

【図２】図１の薬液処理装置の模式平面図である。

【図３】図１の薬液処理装置に備えられた制御部の構成
を示すブロック図である。

【図４】（ａ）は、水中においてガラスで金属を叩いた
時に発する音の周波数強度を示す波形図であり、（ｂ）
は水中においてガラス基板を割ったときに発する音の周
波数強度を示す波形図である。

【図５】処理槽内でガラス基板を割った際の音を検波し
た結果を示す波形図で、ＣＨ１がＡＥ信号の原信号の波
形図、ＣＨ２が該原信号を平均値検波処理した後の波形
図である。

【図６】厚みの異なるガラス基板を割った際のＡＥ信号
の原信号の波形図であり、（ａ）は０．５ｍｍ厚のガラ
ス基板のＡＥ信号、（ｂ）は０．７ｍｍ厚のガラス基板
のＡＥ信号、（ｃ）は１．１ｍｍ厚のガラス基板のＡＥ
信号のものである。

【図７】ガラス割れの信号の振幅と信号発生時間との分
布を示すグラフで、（ａ）は０．５ｍｍ厚のガラス基板
のガラス割れの信号、（ｂ）は０．７ｍｍ厚のガラス基
板のガラス割れの信号、（ｃ）は１．１ｍｍ厚のガラス
基板のガラス割れの信号のものである。

【図８】（ａ)(ｂ）共に、ＡＥセンサのノイズ検知レベ
ルを測定した結果を示す説明図である。

【符号の説明】

２ａ・２ｂ カセット ３ 受け取り機構 ４ａ〜４ｃ 搬送アーム ６ａ〜６ｊ 処理槽 ７ 収納機構 ９ａ〜９ｊ ＡＥセンサ（検出手段） ２０ ＣＰＵ（制御部） ２１ ＲＯＭ（制御部） ２２ ＲＡＭ（制御部） ２３ａ〜２３ｊ 平均値検出器（検出手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田草 康伸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 谷川 徹 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G047 AA09 AC10 BA05 BC03 BC04 EA09 GF11 GJ28 2H088 FA11 FA17 FA21 HA01 HA06 MA20 5F043 AA40 DD23 EE02 EE35 EE36 EE40 GG10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラス基板等の脆性を有する脆性部品を用
   いる電子部品の製造方法において、 脆性部品が割れた際に発する特有の周波数帯域の音波を
   検出することで脆性部品の割れを検出し、検出後瞬時に
   対応処置を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】上記の音波を検出する際、検出した信号の
   信号振幅で上記音波とノイズとを区別することを特徴と
   する請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】上記の音波を検出する際、検出した信号の
   信号振幅と信号発生時間とで上記音波とノイズとを区別
   することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造
   方法。
4. 【請求項４】ガラス基板等の脆性を有する脆性部品を用
   いる電子部品の製造装置において、 脆性部品が割れた際に発する特有の周波数帯域の音波を
   検出する検出手段と、 該検出手段にて上記音波が検出されると、対応処置を行
   うように当該製造装置の制御シーケンスを制御する制御
   手段とを備えることを特徴とする電子部品の製造装置。
5. 【請求項５】上記検出手段は、検出した信号の信号振幅
   で上記音波とノイズとを区別することを特徴とする請求
   項４に記載の電子部品の製造装置。
6. 【請求項６】上記検出手段は、検出した信号の信号振幅
   と信号発生時間とで上記音波とノイズとを区別すること
   を特徴とする請求項４に記載の電子部品の製造装置。
7. 【請求項７】上記検出手段における音波を電気信号に変
   換するセンサ部が、脆性部品に所定の処理を施す処理部
   の外面に取り付けられていることを特徴とする請求項４
   に記載の電子部品の製造装置。
8. 【請求項８】液体が貯留された処理槽を複数備えると共
   に、各処理槽において複数の脆性部品が一括して処理さ
   れ、かつ、各処理槽毎に上記検出手段が設けられている
   ことを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の電子
   部品の製造装置。