JP2000117091A - 真空マニホルド隔離を備えた処理装置 - Google Patents

真空マニホルド隔離を備えた処理装置

Info

Publication number
JP2000117091A
JP2000117091A JP11235639A JP23563999A JP2000117091A JP 2000117091 A JP2000117091 A JP 2000117091A JP 11235639 A JP11235639 A JP 11235639A JP 23563999 A JP23563999 A JP 23563999A JP 2000117091 A JP2000117091 A JP 2000117091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
processing apparatus
isolation
isolation valve
vacuum manifold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11235639A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3363408B2 (ja
Inventor
R Gartin Ronald
ロナルド・アール・ガーティン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fairchild Semiconductor Corp
Original Assignee
Fairchild Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Semiconductor Corp filed Critical Fairchild Semiconductor Corp
Publication of JP2000117091A publication Critical patent/JP2000117091A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3363408B2 publication Critical patent/JP3363408B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00Control of fluid pressure
    • G05D16/20Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • G05D16/2006Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
    • G05D16/208Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using a combination of controlling means as defined in G05D16/2013 and G05D16/2066
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/85978With pump
    • Y10T137/86083Vacuum pump
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/87917Flow path with serial valves and/or closures
    • Y10T137/87925Separable flow path section, valve or closure in each

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な真空処理装置を提供する。 【解決手段】 付加的な隔離弁(24)が真空処理装置
(10)内に組み込まれて、装置の機械的なポンプ(2
8)の寿命を増大させ、メンテナンスコスト及び中断時
間を減少させ、粒子の逆流を阻止し、メンテナンスを行
う者への危険性を減少させる。装置は少なくとも1つの
ポート(14)を備えた処理室(12)と、ポートに接
続された予備ライン弁(16)と、予備ライン弁に流体
連通する真空マニホルド(26)とを有する。機械的な
ポンプ(28)が真空マニホルドに接続され、処理室の
内容物を真空排気する。隔離弁は予備ライン弁と真空マ
ニホルドとの間で接続され、予備ライン弁と一体的に又
は主として一体的に作動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に真空処理装置
に関し、特にそのような装置における真空マニホルドの
隔離に関する。
【0002】
【従来の技術】数ある中でも、半導体デバイスは普通、
大気圧以下に維持された気密室の内部で一連の処理工程
を遂行することにより製造される。半導体製造のための
装置は典型的には真空マニホルドを介して処理室を真空
排気するための機械的なポンプを有する。製造処理にお
ける残留粒子や副産物を含む処理室の内容物は燃焼箱へ
吸い上げられ、分解される。処理室は予備ライン弁によ
り機械的なポンプ及び真空マニホルドから隔離される。
予備ライン弁は処理中は開いた状態にあり、装置のメン
テナンス作業中は閉じた状態にある。
【0003】スロットル弁が予備ライン弁のすぐ下流側
に位置し、処理室内の圧力を制御する。スロットル弁は
普通予備ライン可撓ホースと呼ばれる可撓性のホースに
より真空マニホルドに接続される。可撓ホースの可撓性
特性がスロットル弁と真空マニホルドとの間の接続を容
易にする。また、可撓ホースは機械的なポンプの作動中
に収縮することができ、装置の他の素子上の応力を減少
させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような処理装置は
計画された及び計画されていない多数のメンテナンス作
業を必要とする。例えば、スロットル弁及び可撓ホース
はクリーニングのために周期的に取り外す必要がある。
処理室内での作動が典型的には室温より遥かに高い温度
で実行されるため、処理室内に存在する副産物は高い温
度を有し、ほぼ室温にあるスロットル弁及び可撓ホース
の内表面上で凝縮する傾向がある。このような凝縮物の
形成は絞り部を生じさせることがあり、予備ライン内の
絞り部は背圧を生じさせ、すべての残留粒子の吸い上げ
を失敗させることがある。
【0005】スロットル弁に(及び、必要なら可撓ホー
スにも)嵌合するように作られたあつらえの加熱ジャケ
ットを利用することができる。処理室の一層高い温度に
囲い込んだ素子を加熱することにより、このようなジャ
ケットは使用場所での凝縮を阻止するのに実質上有効と
なる。しかし、これは、形成された凝縮物がジャケット
の下流へ単に移動することを意味する。更に、このよう
なジャケットの使用はエネルギコストを増大させ、ジャ
ケットの取り外しのためにメンテナンス時間を増大させ
る。
【0006】クリーニング又は他のメンテナンスのため
に可撓ホース及びスロットル弁を取り外すためには、機
械的なポンプを停止させ、可撓ホースを取り外し、真空
マニホルドの入口に覆いキャップを設置し、次いで機械
的なポンプを再始動させねばならない。この処理は多数
の欠点を有する。第1に、処理時間が比較的長くなり、
過剰の中断時間及び高いメンテナンスコストをもたらす
こととなる。第2に、乾式機械ポンプの場合、この処理
はポンプの焼付きの危険性を増大させる。その理由は、
このようなポンプがオフされるときに一層焼付き易くな
るからである。焼付いたポンプは交換又は再生しなけれ
ばならない。最後に、可撓ホースの接続を解除したとき
に、予備ライン内の予期せぬ高圧が副産物を可撓ホース
から吹き出させることがあるので、メンテナンスを行う
者にとっては、可撓ホースの取り外しの際に有害な副産
物に晒される可能性が最も高い。
【0007】燃焼箱の頻繁なサービスはこのような処理
装置に必要な別のメンテナンス作業の必要性を生じさせ
る。機械的なポンプは燃焼箱のメンテナンス中停止さ
れ、装置は機械的なポンプが作動していないときに窒素
でパージされる。乾式の機械的ポンプに関連するポンプ
の焼付きの危険性のほかに、この処置は、窒素によるパ
ージ中に予備ライン内の絞り部が残留粒子を処理室へ戻
し移動させる傾向を有するため、残留粒子を完全に除去
できないという付加的な問題を生じさせる。
【0008】従って、装置のメンテナンス中に機械的な
ポンプを停止させる必要性を最小化して機械的なポンプ
の寿命を増大させ、粒子の逆流を阻止し、装置の利用可
能時間を増大させるためにメンテナンスコスト及び中断
時間を減少させ、メンテナンスを行う技術者の安全に対
する危険性を減少させる真空処理装置の要求がある。
【0009】
【課題を解決するための手段並びに作用効果】上述の要
求は、少なくとも1つのポートを備えた処理室と、ポー
トに接続された予備ライン弁と、予備ライン弁に流体連
通する真空マニホルドとを有する真空処理装置を提供す
る本発明により満たされる。ポンプは真空マニホルドに
接続され、処理室の内容物を真空排気し、隔離弁は予備
ライン弁と上記真空マニホルドとの間を接続する。隔離
弁は予備ライン弁と一体的に又は主として一体的に作動
し、好ましくはポンプの方向に設置された弁座を有す
る。
【0010】予備ライン弁に加えて隔離弁を設けること
により、本発明は従来の処理装置の上述の欠点を克服す
る。すなわち、メンテナンスのために可撓性のホースを
取り外す前に隔離弁を閉じることにより、機械的なポン
プの停止の必要性を排除する。これにより、機械的なポ
ンプの寿命が増大し、メンテナンスコスト及び中断時間
が減少する。また、メンテナンス中に隔離弁を閉じるこ
とにより、真空マニホルドから可撓性のホースを隔離
し、粒子の逆流を阻止すると共にメンテナンスを行う技
術者の安全に対する危険性を減少させる。
【0011】本発明の他の利点は添付図面を参照しての
以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【0012】
【発明の実施の形態】全体を通して同じ素子を同一の符
号にて示す図面を参照すると、図1は本発明に係る真空
処理装置10を示す。装置10は半導体デバイスの如き
加工片を処理する処理室12を有する。(本発明は半導
体処理装置に限定されない;本発明は真空処理室を使用
する任意の種類の処理装置に適用できる。)処理室12
は閉じられた気密の構造体で、大気圧以下に維持するこ
とができ、真空ポート14を備え、このポートを通して
室12の内容物が真空排気される。
【0013】予備ライン弁16が真空ポート14の出口
に接続されている。予備ライン弁16は処理室12を装
置10の残りのものから隔離し、好ましくは通常閉じた
空気作動式の弁である。スロットル弁18は予備ライン
弁16に接続され、処理室の圧力を規制する。処理室1
2はまた、処理室の圧力を監視するためのコンデンサ形
マノメータの如き圧力センサ20を有する。
【0014】スロットル弁18はまたアコーディオン型
又は蛇腹型のホースの如き可撓性のホース22の一端に
接続される。従来の装置に関連して既述したように、可
撓性のホース22は装置10の残りのものに対する室1
2、予備ライン弁16及びスロットル弁18の接続を容
易にし、他の装置の素子上の応力を減少させる。可撓性
ホース22の他端は隔離弁24に接続される。予備ライ
ン弁16と同様、隔離弁24は好ましくは通常閉じた空
気作動式の弁である。後に一層詳細に説明するが、隔離
弁24は予備ライン弁16と一体的に作動される;すな
わち、隔離弁24は、予備ライン弁16が開いたときに
開き、予備ライン弁16が閉じたときに閉じる。
【0015】真空マニホルド26は一端で隔離弁24に
接続し、他端で機械的なポンプ28に接続する。ポンプ
28は乾式又は湿式の機械的なポンプとすることができ
る。従って、予備ライン及び隔離弁16、24が開き、
機械的なポンプ28が作動しているとき、処理室12の
内容物は可撓性ホース22及び真空マニホルド26を介
して真空排気され、室12内に真空を生じさせる。機械
的なポンプ28は普通の方法で分解を行うための燃焼箱
(図示せず)へ内容物を吸い上げる。代わりに、安全な
場合は、室の内容物を周囲へ排出することができる。真
空マニホルド26はバラスト弁34を介して窒素ガス源
32に接続された入口ポート30を有する。必要なとき
に装置10が窒素でパージされるように、バラスト弁3
4が制御される。
【0016】装置10の制御はコントローラ36により
達成され、コントローラはオペレータの入力を受け取る
ことのできるマイクロプロセッサの如き任意の型式の制
御ユニットとすることができる。特に、コントローラ3
6は予備ライン弁16及び隔離弁24の開閉を制御する
と共に、機械的なポンプ28の作動をも制御する。好ま
しい実施の形態においては、予備ライン弁16及び隔離
弁24は同期し、その結果、コントローラのソフトウエ
アが一方の弁を開いたとき又は閉じたとき(すなわち、
オペレータがいずれかの弁の開弁又は閉弁の指令をコン
トローラ36へ入力したとき)、他方の弁はそれぞれ自
動的に開弁又は閉弁する。弁16、24は処理中は開い
ており、大半のメンテナンス作業中は閉じている。処理
サイクル間、即ち、仕上がった加工片を処理室12から
取り出して新たな加工片を挿入するまでの時間期間、弁
16、24は、行われている処理の型式に応じて、開弁
又は閉弁できる。コントローラ36はまた、処理室12
内の圧力を制御するように、圧力センサ20に応答して
スロットル弁18を規制する。
【0017】別の好ましい実施の形態においては、弁1
6、24は処理サイクル間で独立に作動される。この時
間中、両方の弁16、24が閉じるのではなく、予備ラ
イン弁16は閉じ、隔離弁24は開く。他のすべてのと
きは、弁16、24は一体的に作動される。この実施の
形態は特に「汚い」処理、即ち、多量の副産物を発生す
る材料を使用し、大きな流量で作動する処理に有用であ
る。
【0018】作動においては、加工片を処理室12内に
置き、機械的なポンプ28を作動させて、室12内に真
空状態を生じさせる。予備ライン及び隔離弁16、24
を開き、処理が行われている限り開いた状態を維持す
る。半導体製造の場合、半導体デバイスから取り除かれ
た処理副産物及び粒子は処理室12から吸い出される。
上述のように、副産物は比較的高温で処理室12から出
て、スロットル弁18及び可撓性ホース22の外表面上
で凝縮する傾向を有する。これらの凝縮物は蓄積し、す
べての残留粒子の吸い出しを失敗させると共に処理室の
性能に悪影響を与えることとなる絞り部を形成すること
がある。
【0019】スロットル弁18及び可撓性ホース22は
周期的にクリーニングする必要がある。これを行うた
め、技術者はコントローラ36への適当な入力を介して
隔離弁24及び予備ライン弁16の双方を閉じ、次い
で、普通の方法でクリーニングのために可撓性ホース2
2を取り外せばよい。取り外し前に可撓性ホース22を
ガス抜きする目的で手動N2 パージ弁を隔離弁24の処
理室側に付加することができる。機械的なポンプ28を
停止させる必要はなく、従って、ポンプの焼付きを起こ
すような危険性もない。隔離弁24の使用は消費時間を
少なくし、工具の利用可能時間を増大させると共にメン
テナンスコストを減少させる。更に、隔離弁24がホー
ス取り外し前に加圧窒素源32から可撓性ホース22を
分離するので、取り外し時には、ホース22は加圧され
ていない。これにより、ホースのメンテナンス中技術者
が副産物に晒される可能性が大幅に減少する。
【0020】隔離弁24はまた燃焼箱のメンテナンス中
閉じられる。閉じた隔離弁24は、窒素によるパージ中
に従来の真空処理装置において生じていたような処理室
12の方への残留粒子の戻り移動を阻止する。
【0021】好ましくは、隔離弁24が通常閉じた状態
にあるときに、機械的なポンプ28により生じた真空が
弁24を開かせる傾向を有しないように、隔離弁が設置
される。この特性を示すため、図2は隔離弁24の1つ
の可能な実施の形態を略示する。この図示は単なる例示
であって、本発明をこの型式の弁に何等限定する意図の
ものではない;任意の多くの適当な弁を隔離弁24とし
て使用できる。
【0022】図2に示すように、隔離弁24は内部に形
成された内部空洞42を備えたハウジング40を有す
る。第1のポート44はハウジング40の側部に位置
し、第2のポート46はハウジング40の底部の中央に
形成される。両方のポート44、46は内部空洞42に
流体連通する。弁ステム48はハウジング40の内側に
位置し、コントローラ36に応答して作動手段(図示せ
ず)により長手軸線に沿って変位できる。O−リング5
2を担持するプランジャ50が弁ステム48の端部に位
置する。弁座54は、内部空洞42と第2のポート46
との接続部において、弁ステム48と同心的に整合して
形成される。従って、弁ステム48が弁座54の方へ変
位したとき、O−リング52は弁座54と密封係合し、
弁24を閉じる。
【0023】第1のポート44は(可撓性ホース22、
スロットル弁18及び予備ライン弁16を介して)処理
室12に接続され、第2のポート46は(真空マニホル
ド26を介して)機械的なポンプ28に接続される。こ
の構成においては、弁座54は機械的なポンプ28の方
向に設置される。従って、弁24が閉じ、機械的なポン
プ28が作動しているとき、ポンプ28により生じた真
空が弁24を閉じた状態に維持し、その弁を開かせよう
としない。
【0024】以上、装置のメンテナンス及び安全性を改
善するための隔離弁を有する真空処理装置について説明
した。本発明の特定の実施の形態を説明したが、当業者
なら、本発明の要旨を逸脱することなく種々の修正が可
能であること明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空処理装置の概略図である。
【図2】本発明の真空処理装置における隔離弁の簡略断
面図である。
【符号の説明】
10 真空処理装置 12 処理室 14 真空ポート 16 予備ライン弁 18 スロットル弁 22 可撓性のホース 24 隔離弁 26 真空マニホルド 28 ポンプ 36 コントローラ 54 弁座

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理装置において、 少なくとも1つのポートを備えた処理室と;上記少なく
    とも1つのポートに接続された予備ライン弁と;上記予
    備ライン弁に流体連通する真空マニホルドと;上記真空
    マニホルドに接続されたポンプと;上記予備ライン弁と
    上記真空マニホルドとの間に接続された隔離弁と;を有
    することを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 上記予備ライン弁及び上記隔離弁を制御
    するためのコントローラを更に有することを特徴とする
    請求項1に記載の処理装置。
  3. 【請求項3】 上記コントローラが上記予備ライン弁及
    び上記隔離弁を一体的に開閉することを特徴とする請求
    項2に記載の処理装置。
  4. 【請求項4】 上記予備ライン弁と上記隔離弁との間に
    接続されたスロットル弁を更に有することを特徴とする
    請求項1に記載の処理装置。
  5. 【請求項5】 上記スロットル弁を制御するためのコン
    トローラを更に有することを特徴とする請求項4に記載
    の処理装置。
  6. 【請求項6】 処理室圧力センサを更に有し、上記コン
    トローラが上記圧力センサに応答して上記スロットル弁
    を制御することを特徴とする請求項5に記載の処理装
    置。
  7. 【請求項7】 上記スロットル弁と上記隔離弁との間を
    接続する可撓性ホースを更に有することを特徴とする請
    求項4に記載の処理装置。
  8. 【請求項8】 上記予備ライン弁と上記隔離弁との間に
    接続された可撓性ホースを更に有することを特徴とする
    請求項1に記載の処理装置。
  9. 【請求項9】 上記真空マニホルドに接続された窒素源
    を更に有することを特徴とする請求項1に記載の処理装
    置。
  10. 【請求項10】 上記隔離弁が上記ポンプの方向に設置
    された弁座を有することを特徴とする請求項1に記載の
    処理装置。
  11. 【請求項11】 処理装置において、 少なくとも1つのポートを備えた処理室と;上記少なく
    とも1つのポートに接続された予備ライン弁と;上記予
    備ライン弁に接続されたスロットル弁と;上記スロット
    ル弁に接続された隔離弁と;上記隔離弁に接続され、上
    記予備ライン弁、上記スロットル弁及び当該隔離弁を介
    して上記処理室を真空排気するポンプと;上記ポンプ、
    上記予備ライン弁、上記スロットル弁及び当該隔離弁に
    接続されたコントローラと;を有することを特徴とする
    処理装置。
  12. 【請求項12】 上記コントローラが上記予備ライン弁
    及び上記隔離弁を一体的に開閉することを特徴とする請
    求項11に記載の処理装置。
  13. 【請求項13】 処理室圧力センサを更に有し、上記コ
    ントローラが上記圧力センサに応答して上記スロットル
    弁を制御することを特徴とする請求項11に記載の処理
    装置。
  14. 【請求項14】 上記予備ライン弁と上記隔離弁との間
    に接続された可撓性ホースを更に有することを特徴とす
    る請求項11に記載の処理装置。
  15. 【請求項15】 上記隔離弁が上記ポンプの方向に設置
    された弁座を有することを特徴とする請求項11に記載
    の処理装置。
JP23563999A 1998-08-21 1999-08-23 処理装置 Expired - Fee Related JP3363408B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/138174 1998-08-21
US09/138,174 US6041817A (en) 1998-08-21 1998-08-21 Processing system having vacuum manifold isolation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000117091A true JP2000117091A (ja) 2000-04-25
JP3363408B2 JP3363408B2 (ja) 2003-01-08

Family

ID=22480798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23563999A Expired - Fee Related JP3363408B2 (ja) 1998-08-21 1999-08-23 処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6041817A (ja)
JP (1) JP3363408B2 (ja)
DE (1) DE19939613A1 (ja)
TW (1) TW418425B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100962547B1 (ko) 2009-02-05 2010-06-14 최한기 역류 방지 시스템

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010054548A1 (en) * 2000-05-26 2001-12-27 Kress Edward S. Pressure controller for a coke box
KR20030007938A (ko) * 2000-06-14 2003-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 환경적으로 제어된 챔버내에 압력을 유지하는 방법 및 장치
IT1315023B1 (it) * 2000-08-08 2003-01-27 Incoma Srl Dispositivo a valvola per regolare il flusso di un fluido fra un mezzodi aspirazione ed un ambiente chiuso a pressione controllata, quale
US6598615B1 (en) 2000-11-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Compact independent pressure control and vacuum isolation for a turbomolecular pumped plasma reaction chamber
US7163380B2 (en) * 2003-07-29 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid
US7767145B2 (en) * 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
JP5195723B2 (ja) * 2009-11-13 2013-05-15 オムロンヘルスケア株式会社 電子血圧計
DE102012010522A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Hydac Fluidtechnik Gmbh Ventil für Ventilanordnung
US9575494B2 (en) * 2013-11-14 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for processing wafer
CN104746033B (zh) * 2013-12-30 2017-02-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Ito‑pvd设备抽真空控制的方法及系统
CN104746018B (zh) * 2013-12-31 2017-03-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 腔室压力读取方法及设备
TW202113489A (zh) * 2019-05-24 2021-04-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 流體控制裝置及用於在極紫外光源中之流體控制的方法
US11275393B2 (en) * 2019-11-07 2022-03-15 Pittway Sarl Air spring pressure regulating valve
JP7306300B2 (ja) * 2020-03-13 2023-07-11 株式会社島津製作所 推定器および真空バルブ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3759282A (en) * 1972-10-30 1973-09-18 Us Army Ultra high vacuum isolation valve for volatile materials
CH628383A5 (de) * 1977-10-26 1982-02-26 Waletzko Alfred Apparatebau Vorrichtung zum schutz von trinkwasserleitungen gegen rueckfliessendes brauchwasser.
US4396350A (en) * 1980-12-24 1983-08-02 Kinney Calvin L Pump isolation valve
US4563367A (en) * 1984-05-29 1986-01-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for high rate deposition and etching
US4903937A (en) * 1987-09-24 1990-02-27 Varian Associates, Inc. Isolation valve for vacuum and non-vacuum application
JPH01125821A (ja) * 1987-11-10 1989-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
US5090356A (en) * 1991-06-28 1992-02-25 United Solar Systems Corporation Chemically active isolation passageway for deposition chambers
US5131460A (en) * 1991-10-24 1992-07-21 Applied Materials, Inc. Reducing particulates during semiconductor fabrication
ZA941881B (en) * 1993-04-02 1995-09-18 Lilly Co Eli Manifold medication injection apparatus and method
JP3361162B2 (ja) * 1993-10-27 2003-01-07 清原 まさ子 タンク室付ブロックバルブ
US5496409A (en) * 1994-07-18 1996-03-05 United Microelectronics Corporation Particle contamination apparatus for semiconductor wafer processing
US5651868A (en) * 1994-10-26 1997-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coating thin film data storage disks
US5674123A (en) * 1995-07-18 1997-10-07 Semifab Docking and environmental purging system for integrated circuit wafer transport assemblies
US5641455A (en) * 1995-12-22 1997-06-24 Minnesota Mining & Manufacturing Company Sterilizer with gas control
KR100191268B1 (ko) * 1996-06-11 1999-06-15 윤종용 반도체 제조 장치
US5669405A (en) * 1996-09-17 1997-09-23 Ames Company, Inc. Apparatus and method for automatically disabling pressure relief valve of backflow preventer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100962547B1 (ko) 2009-02-05 2010-06-14 최한기 역류 방지 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TW418425B (en) 2001-01-11
JP3363408B2 (ja) 2003-01-08
DE19939613A1 (de) 2000-05-18
US6041817A (en) 2000-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3363408B2 (ja) 処理装置
KR100271758B1 (ko) 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
EP1030089A2 (en) Method and apparatus for removing processing liquid from a processing liquid path
WO2002095788A2 (en) Compact independent pressure control and vacuum isolation for a turbomolecular pumped plasma reaction chamber
EP1367260A2 (en) A vacuum pumping system and method of controlling the same
US20240063031A1 (en) Process stop loss reduction system through rapid replacement of apparatus for trapping of reaction by-product for semiconductor process
KR100437532B1 (ko) 반도체 제조장비의 배기 구조
KR102452714B1 (ko) 고압 및 진공공정 병행 챔버장치
CN100397577C (zh) 阀装置和热处理装置
KR20070037880A (ko) 진공배기장치
US20060191636A1 (en) Valve assembly, semiconductor device manufacturing apparatus comprising the same, and method of cleaning a trap of a semiconductor device manufactuing apparatus
KR102203930B1 (ko) 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법
JPH10185098A (ja) エアチューブ接続状態検知装置
KR102298895B1 (ko) 반도체 제조설비용 배기관 세정을 위한 배기장비의 운영방법
KR20100073338A (ko) 반도체 공정챔버의 진공펌프 시스템
JP4136405B2 (ja) 真空排気システムおよびその運転方法
KR101907525B1 (ko) 잔류가스 배기 장치
JP2781877B2 (ja) ボンベ付ガス供給装置
KR100227830B1 (ko) 반도체 공정챔버용 진공시스템 및 이를 이용한가스공급방법
JP2958382B2 (ja) ボンベ付ガス供給装置
JP2781874B2 (ja) ボンベ付ガス供給装置
KR20030039452A (ko) 반도체 제조 장비의 로드락 챔버
JPH10116790A (ja) 半導体成長装置、緊急ガス処理システム並びに緊急ガス処理方法
KR200303028Y1 (ko) 저압화학기상증착장비
KR100790282B1 (ko) 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees