KR100437532B1 - 반도체 제조장비의 배기 구조 - Google Patents

반도체 제조장비의 배기 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 배기 구조를 개시한다. 이에 의하면, 공정 로의 배기구에 배기관을 거쳐 펌프가 연결되고, 펌프의 후단에 배기관이 분기되고, 상기 분기된 배기관에 각각의 트랩부가 설치되고, 상기 트랩부의 후단에 배기관을 거쳐 스크러버가 설치되고, 상기 스크러버의 후단에 배기관을 거쳐 덕트가 설치된다. 또한, 상기 트랩부 각각이 트랩과, 상기 트랩을 사이에 두고 각각 배치된 에어밸브와 같은 밸브들로 구성된다. 상기 펌프와 상기 공정 로의 사이 및 상기 펌프와 상기 트랩부 사이의 배기관에 각각의 압력센서가 설치된다. 또한, 제어부가 상기 압력센서들과 상기 밸브들을 제어한다.
따라서, 상기 제어부가 상기 압력센서들로부터 센싱된 배기관 내의 압력 차이를 정상 값보다 큰지 작은 지를 판단하고 정상 값보다 큰 것으로 판단되면, 즉, 현재 트랩중인 트랩부의 트랩에 공정 부산물인 이물질이 많이 부착되었으면, 현재 트랩중인 트랩부의 개방된 밸브들을 폐쇄시켜 이물질의 트랩을 중단한다. 아울러, 사용하지 않던 다른 트랩부의 폐쇄된 밸브들을 개방시켜 공정 부산물인 이물질을 트랩시킨다.

Description

반도체 제조장비의 배기 구조{Ventilation Structure For Semiconductor Manufacturing Equipment}
본 발명은 반도체 제조장비의 배기 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조장비의 분기된 배기관에 각각의 트랩을 설치하고 트랩의 사용을 선택적으로 제어함으로써 트랩의 과다 오염으로 인한 공정 사고를 방지하도록 한 반도체 제조장비의 배기 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착등의 공정을 반복 수행함으로써 반도체소자로 제작되고, 이들 반도체소자의 제조공정 중 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정 챔버 내부에 필요한 공정 가스를 공급하여 이들 공정 가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응하도록 한다.
상기 공정 가스는 통상 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 독성이 매우 강한 것으로, 이들 공정 가스가 별도의 정화 과정을 거치지 않고 외부로 배기되는 경우, 심각한 환경 오염과 안전 사고를 가져온다. 따라서, 각 반도체 제조장비에서 배기 덕트로 연결되는 배기관에는 배기 가스를 안전한 상태로 분해 또는 정화시키기 위한 트랩이나 스크러버와 같은 시스템이 추가로 설치되어 왔다.
도 1은 일반적인 반도체 제조장비의 배기 구조를 나타낸 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 저압 화학기상증착장치와 같은 공정 로(10)의 배기구(도시 안됨)에 연통된 배기관(20)으로부터 멀어짐에 따라 펌프(30), 트랩(40), 스크러버(50) 및 덕트(60)가 설치된다. 여기서, 상기 펌프(30)가 상기 공정 로(10) 내의 진공을 유지하여 주고, 상기 트랩(40)이 상기 펌프(30)를 거쳐 배출되는 파우더 형태의 반응 부산물인 이물질을 잡고(trap), 상기 스크러버(50)가 상기 트랩(40)에 의해 완전히 제거되지 못한 이물질을 정화시키고 덕트(60)를 거쳐 배기 가스를 외부로 배출한다.
이러한 배기 구조를 갖는 종래의 반도체 제조장비의 경우, 공정 로(10)에서 질화막이나 TEOS 등의 공정이 진행되는 동안에 상기 공정 로(10) 내에서 반응하지 못한 공정 가스나, 반응 부산물인 이물질이 배기 가스와 함께 펌프(30)의 펌핑에 의해 배기관(20)을 거쳐 배기된다.
여기서, 상기 펌프(30)로부터 배기되는 반응 부산물이 고온의 파우더 형태를 이루므로 상기 반응 부산물은 펌프(30)와 스크러버(50) 사이의 배기관(20)의 내벽에 점차 두껍게 부착되고 결국에는 상기 배기관(20)을 막는 경우가 발생하기 쉽다. 이로써, 공정 로(10) 내의 압력 변화로 인하여 제조공정에 막대한 악영향을 주며 상기 배기관(20)을 세정하기 위해 소요되는 시간만큼 제조공정의 진행시간이 연장되므로 경제적 손실이 크다. 그래서, 상기 펌프(30)의 후단에 상기 파우더를 잡아주기 위한 트랩(40)을 설치하는 것이 통상적이다.
상기 트랩(40)의 내부 공간에 냉각수 공급관(도시 안됨)이 설치되어 있으므로 상기 배기 가스와 함께 이물질이 상기 트랩(40)의 내부 공간을 통과할 때 상기 냉각수 공급관 내의 냉각수에 의해 냉각됨으로써 상기 이물질이 상기 냉각수 공급관의 표면에 부착, 제거된다. 따라서, 상기 트랩(40)이 상기 이물질을 상당히 제거한 상태의 배기 가스를 상기 스크러버(50)로 보내는 역할을 한다.
그런데, 제조공정이 장기간 진행됨에 따라 상기 트랩(40)의 내부에 부착된 파우더가 점차 커지므로 상기 배기가스가 통과할 수 있는 상기 트랩(40) 내의 빈 공간이 점차 좁아진다. 더욱이, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정 로(10)는 고도의 청정도를 필요로 하는 상층의 클린 제조라인에 배치되고, 펌프(30)와 트랩(40)이 클린 제조라인보다 조금 낮은 청정도를 갖는 중간층의 서브 제조라인에 배치되고, 스크러버(50)가 클린 제조라인보다 상당히 낮은 청정도를 갖는 하층의 제조라인에 배치되는 것이 통상적이다.
따라서, 작업자가 직접 트랩(40)의 내부를 눈으로 확인할 수 없기 때문에 일정 시간이 경과에 따라 트랩 교체 주기가 되었을 것이라는 판단이 되면, 상기 펌프(30)와 스크러버(50)의 가동을 중단한 후 상기 오염된 트랩(40)을 새로운 트랩으로 교체하여 왔다. 상기 교체된 트랩(40)은 내부 세척 및 부품 교환 후에 다음 교체 주기 때에 재 사용할 수 있도록 정해진 장소에 보관하고 있다.
그러나, 종래에는 트랩(40)의 내부에 누적된 파우더의 양이 트랩 교체 주기 이전에 상당히 많아진 경우가 발생하더라도 작업자가 이러한 상태를 제대로 인식하기가 어렵다. 이러한 상태에서 제조공정이 계속 진행되면, 공정 로(10)의 압력이 급격히 상승하고 그 결과 공정 로(10)의 가동 중단과 같은 공정사고가 갑자기 발생하기 쉽다. 심한 경우, 공정 로(10)에서 공정 처리중이던 웨이퍼들을 전부 폐기하는 등의 큰 경제적 손실을 가져올 수도 있다. 또한, 계획하지 않았던 공정 로(10)의 가동 중단이 발생할 가능성이 높으므로 공정의 시간 손실(Time Loss)이 발생하기 쉽다.
또한, 하나의 공정 로(10)에 하나의 트랩(40)만이 설치되어 있기 때문에 트랩(40)의 교체를 진행하는 시간 동안에는 펌프(30)와 스크러버(50)의 가동 중단은 물론 제조공정이 중단되고, 새로운 트랩의 교체가 완료되고 난 후에 펌프(30)와 스크러버(50)의 가동이 시작되고 상기 제조공정이 재개될 수 밖에 없다. 이로써, 제조공정의 시간이 트랩의 교체 시간만큼 연장되므로 제조장비의 가동율이 떨어지고 생산성이 저하된다.
또한, 펌프(30)와 스크러버(50)의 가동 중단 상태에서 트랩(40)의 교체시 공정 로(10)와 펌프(30) 사이의 배기관(20)의 내벽이 대기에 노출되므로 공정 로(10)와 펌프(30) 사이의 배기관(20)을 자주 세척하여야 하는 제조장비의 가동율이 떨어진다.
또한, 펌프(30)의 잦은 가동 중단과 대기 접촉으로 인하여 펌프(30)의 내부에 부산물이 증가함으로써 펌프(30)의 진공 성능이 저하되고 펌프(30)의 수명이 단축된다.
따라서, 본 발명의 목적은 트랩을 교체하더라도 반도체 제조장비의 가동 중단 없이 반도체 제조장비를 계속하여 가동시키도록 한 반도체 제조장비의 배기 구조를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 트랩의 상태를 감지하여 트랩의 교체 시기를 결정함으로써 반도체 제조장비의 갑작스런 가동 중단을 방지하도록 한 반도체 제조장비의 배기 구조를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 반도체 제조장비의 배기 구조를 나타낸 구성도.
도 2는 일반적인 반도체 제조장비의 배기 구조의 층별 배치도.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조를 나타낸 구성도.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조의 동작을 설명하기 위한 플로우차트.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조는
소정의 반도체 제조공정을 위한 공정 로; 상기 공정 로에 배기관을 거쳐 연결되며, 상기 공정 로 내의 반응 부산물인 이물질을 펌핑하는 펌프; 상기 펌프의 분기된 배기관을 거쳐 각각 연결되며, 상기 이물질을 트랩하는 제 1, 2 트랩부; 상기 제 1, 2 트랩부에 배기관을 거쳐 공동으로 연결되며, 상기 제 1, 2 트랩부에 의해 제거되지 못한 이물질을 정화시키는 스크러버; 상기 공정 로와 상기 펌프 사이의 배기관에 설치된 제 1 압력 센서; 상기 펌프와 상기 제 1, 2 트랩부 사이의 배기관에 설치된 제 2 압력 센서; 및 상기 제 1, 2 압력센서에 의해 센싱된 압력의 차이를 산출하여 상기 압력의 차이가 정상값보다 크면, 상기 제 1 트랩부의 제 1 배기관을 개방 상태에서 폐쇄 상태로 전환시키고 상기 제 2 트랩부의 제 2 배기관을 폐쇄 상태에서 개방 상태로 전환시키도록 상기 제 1, 2 트랩부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제 1, 2 트랩부가 상기 이물질을 트랩하는 제 1, 2 트랩과, 상기 제 1, 2 트랩을 사이에 두고 각각 설치되며 상기 제어부의 제어에 의해 상기 제 1, 2 배기관을 개방/폐쇄시키는 밸브들을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 밸브들이 에어 밸브로 구성될 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조를 나타낸 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 반도체 제조장비의 배기 구조에서는 저압 화학기상증착장치와 같은 공정 로(10)의 배기관(20)으로부터 멀어짐에 따라 펌프(30), 제 1, 2 트랩부(70),(80), 스크러버(50), 덕트(60) 및 제어부(90)가 설치된다. 또한, 상기 공정 로(10)와 상기 펌프(30) 사이의 배기관(20)에 제 1 압력 센서(S1)가 설치되고, 상기 펌프(30)와 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80) 사이의 배기관(20)에 제2 압력 센서(S2)가 설치된다.
여기서, 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80)는 상기 배기관(20)의 분기된 제 1, 2 배기관(21),(22)에 설치되며 동일 구조를 갖는다. 상기 제 1 트랩부(70)는 제 1 트랩(71)과, 에어 밸브와 같은 제 1, 2 밸브(V1),(V2)로 구성된다. 상기 제 2 트랩부(80)는 제 2 트랩(81)과, 에어 밸브와 같은 제 3, 4 밸브(V3),(V4)로 구성된다. 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)이 서로 동일하고, 상기 제 1, 2 밸브(V1),(V2)와 상기 제 3, 4 밸브(V3),(V4)가 서로 동일한 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 3 밸브(V1),(V3)가 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 전단에 각각 설치되고, 상기 제 2, 4 밸브(V2),(V4)가 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 후단에 각각 설치된다. 물론, 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80)의 경우, 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 전단에만 상기 제 1, 3 밸브(V1),(V3)가 설치되고 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 후단에 상기 제 2, 4 밸브(V2),(V4)가 설치되는 것도 가능하다. 또한, 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 전단에 상기 제 1, 3 밸브(V1),(V3)가 설치되지 않고 상기 제 1, 2 트랩(71),(81)의 후단에만 상기 제 2, 4 밸브(V2),(V4)가 설치되는 것도 가능하다.
또한, 상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2)가 상기 펌프(30)의 전, 후단의 배기관(20)의 내부 압력을 센싱한다. 즉, 상기 제 1 압력 센서(S1)는 상기 공정 로(10)의 내부 압력에 해당하는 배기관(20)의 내부 압력을 센싱하고, 상기 제 2 압력 센서(S2)는 상기 펌프(30)와 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80) 사이의 배기관(20)의 내부 압력을 센싱한다.
그리고, 상기 제어부(90)는 상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2)가 압력을 센싱하면, 상기 제 1, 2 밸브(V1),(V2) 및 상기 제 3, 4 밸브(V3),(V4)의 개방/폐쇄를 제어한다.
또한, 상기 펌프(30)가 상기 공정 로(10) 내의 낮은 진공도를 유지하도록 펌핑하고, 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80)가 상기 펌프(30)를 거쳐 배출되는 반응 부산물인 이물질을 잡고(trap), 상기 스크러버(50)가 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80)에 공동으로 연결되며 상기 제 1, 2 트랩부(70),(80)에 의해 완전히 제거되지 못한 이물질을 정화시키고 배기 가스를 덕트(60)를 거쳐 외부로 배출한다.
이와 같이 구성되는 반도체 제조장비의 배기 구조의 작용을 제 4 도를 참조하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 설명의 편의상 설명의 이해를 돕기 위하여 공정 로(10), 예를 들어 저압 화학기상증착장치가 저압화학기상증착공정이 진행 중이고, 또한 공정 부산물인 이물질과 배기가스가 제 1 트랩부(70)를 통하여 배기된다고 가정한다. 단계(S10)에서는 공정 로(10)의 배기가스 및 공정 부산물인 이물질을 펌프(30)의 펌핑에 의해 배기관(20)으로 배기한다.
상기 펌핑이 진행되면, 단계(S20)에서는 상기 제 1 압력 센서(S1)가 상기 공정 로(10)의 내부 압력에 해당하는, 상기 펌프(30) 전단의 배기관(20)의 내부 압력을 센싱하고, 상기 제 2 압력 센서(S2)가 상기 펌프(30) 후단의 배기관(20)의 내부 압력을 센싱한다.
상기 압력이 센싱되면, 단계(S30)에서는 제어부(90)가 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2)에 의해 센싱되는 배기관(20)의 내부 압력의 차이가 소정의 정상 값보다 작은 지 아니면 정상 값을 초과하였는 지를 판단한다.
이때, 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1 트랩(71)에 부착되는 파우더의 양이 적으면, 상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2)에 의해 센싱된 배기관(20)의 내부 압력 차이가 소정의 정상 값보다 작다. 그러나, 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1 트랩(71)에 부착되는 파우더의 양이 많으면, 상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2)에 의해 센싱된 배기관(20)의 내부 압력 차이가 소정의 정상 값보다 크게 된다.
상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2) 사이의 압력 차이가 상기 정상 값보다 작은 것으로 판단되면, 단계(S40)에서는 상기 제어부(90)가 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1, 2 밸브(V1),(V2)를 연동하여 개방상태로 제어하고, 상기 제 2 트랩부(80)의 제 3, 4 밸브(V3),(V4)를 연동하여 폐쇄상태로 제어한다.
이에 따라, 단계(S50)에서는 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1 트랩(71)이 상기 펌프(30)로부터 상기 개방된 제 1 밸브(V1)를 거쳐 유입되는 이물질을 트랩하고, 상기 배기가스 및 상기 제 1 트랩(71)에 의해 트랩되지 않은 이물질을 상기 개방된 제 2 밸브(V2)를 거쳐 스크러버(50)로 배기한다.
이후, 단계(S60)에서는 상기 제 1 트랩부(70)를 거쳐 유입되는, 상기 제 1 트랩(71)에 의해 트랩되지 않은 이물질을 정화한 후 상기 배기 가스를 덕트(60)를 거쳐 외부로 배출한다. 그런 다음, 단계(S20)의 단계로 되돌아간다.
한편, 상기 제 1, 2 압력 센서(S1),(S2) 사이의 압력 차이가 상기 정상 값보다 큰 것으로 판단되면, 단계(S70)에서는 상기 제어부(90)가 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1, 2 밸브(V1),(V2)를 연동하여 폐쇄상태로 제어하고, 상기 제 2 트랩부(80)의 제 3, 4 밸브(V3),(V4)를 연동하여 개방상태로 제어한다.
따라서, 본 발명은 상기 제 1 트랩부(70)의 제 1 트랩(71)에 파우더가 많이 부착되면, 상기 제 1 트랩부(70)에 의한 트랩이 더 이상이 진행되지 않고 상기 제 2 트랩부(80)에 의한 트랩이 진행되므로 펌프(30)와 스크러버(50)의 가동을 중단하지 않고도 상기 공정 부산물인 이물질의 트랩을 계속 진행할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 트랩(71)에 파우더가 상당히 많이 부착되더라도 상기 공정 로(10)의 압력이 급격히 상승하지 않고 공정 로(10)의 가동 중단과 같은 공정사고가 발생하지 않게 된다. 또한, 계획하지 않았던 공정 로(10)의 가동 중단이 발생할 가능성이 낮으므로 제조공정의 시간 손실(Time Loss)이 거의 발생하지 않는다. 또한, 상기 제 2 트랩부(80)에 의한 트랩이 진행되는 동안에 상기 제 1 트랩(71)을 새로운 트랩으로 교체할 수 있으므로 상기 제 1 트랩(71)의 교체에 따른 펌프(30) 및 스크러버(50)의 가동 중단이 방지되고 제조공정의 중단이 방지될 수 있다. 그 결과, 상기 제 1 트랩(71)의 교체에 따른 제조장비의 가동율 저하가 방지될 수 있고 제조장비의 생산성도 향상된다. 또한, 트랩의 교체시 펌프(30)의 가동 중단이 방지되므로 트랩의 교체에 따른 펌프(30)의 잦은 가동 중단으로 인하여 발생하던 펌프(30)의 진공 성능 저하와 수명 단축이 방지될 수 있다.
상기 제 3, 4 밸브(V3),(V4)가 개방상태로 제어되고 나면, 단계(S80)에서는 상기 제 2 트랩부(80)의 제 2 트랩(81)이 상기 펌프(30)로부터 상기 개방된 제 3밸브(V3)를 거쳐 유입되는 이물질을 트랩하고, 상기 제 2 트랩(81)에 의해 트랩되지 않은 이물질은 상기 배기 가스와 함께 상기 개방된 제 4 밸브(V4)를 거쳐 스크러버(50)로 배기한다.
한편, 상기 제 1 트랩(71)이 새로운 트랩으로 교체되고 난 후 상기 제 2 트랩(81)에 이물질이 많이 부착되는 경우에도 상기 설명한 바와 같은 과정으로 진행된다. 설명의 편의상 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 배기 구조는 공정 로의 배기구에 배기관을 거쳐 펌프가 연결되고, 펌프의 후단에 배기관이 분기되고, 상기 분기된 배기관에 각각의 트랩부가 설치되고, 상기 트랩부의 후단에 배기관을 거쳐 스크러버가 설치되고, 상기 스크러버의 후단에 배기관을 거쳐 덕트가 설치된다. 또한, 상기 트랩부 각각이 트랩과, 상기 트랩을 사이에 두고 각각 배치된 에어밸브와 같은 밸브들로 구성된다. 상기 펌프와 상기 공정 로의 사이 및 상기 펌프와 상기 트랩부 사이의 배기관에 각각의 압력센서가 설치된다. 또한, 제어부가 상기 압력센서들과 상기 밸브들을 제어한다.
따라서, 상기 제어부가 상기 압력센서들로부터 센싱된 배기관 내의 압력 차이를 정상 값보다 큰지 작은 지를 판단하고 정상 값보다 큰 것으로 판단되면, 즉, 현재 트랩중인 트랩부의 트랩에 공정 부산물인 이물질이 많이 부착되었으면, 현재 트랩중인 트랩부의 개방된 밸브들을 폐쇄시켜 이물질의 트랩을 중단한다. 아울러,사용하지 않던 다른 트랩부의 폐쇄된 밸브들을 개방시켜 공정 부산물인 이물질을 트랩시킨다.
따라서, 본 발명은 현재 트랩중인 트랩에 이물질이 많이 부착되면, 현재 트랩중인 트랩의 사용을 중단하고 나머지 사용하지 않던 트랩을 사용하여 이물질을 트랩할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 현재 트랩중인 트랩에 이물질이 많이 부착되더라도 제조장비의 갑작스런 가동 중단과 같은 공정사고를 방지할 수 있다. 또한, 이물질로 많이 오염된 트랩을 새로운 트랩으로 교체하는 동안에도 펌프와 스크러버의 가동 중단을 방지할 수 있으므로 트랩의 교체에 따른 제조장비의 가동율 저하와 생산성 저하를 방지할 수 있다.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (3)

  1. 소정의 반도체 제조공정을 위한 공정 로;
    상기 공정 로에 배기관을 거쳐 연결되며, 상기 공정 로 내의 반응 부산물인 이물질을 펌핑하는 펌프;
    상기 펌프의 분기된 제 1, 2 배기관을 거쳐 각각 연결되며, 상기 이물질을 트랩하는 제 1, 2 트랩부;
    상기 제 1, 2 트랩부에 상기 제 1, 2 배기관을 거쳐 공동으로 연결되며, 상기 제 1, 2 트랩부에 의해 제거되지 못한 이물질을 정화시키는 스크러버;
    상기 공정 로와 상기 펌프 사이의 배기관에 설치된 제 1 압력 센서;
    상기 펌프와 상기 제 1, 2 트랩부 사이의 배기관에 설치된 제 2 압력 센서; 및
    상기 제 1, 2 압력센서에 의해 센싱된 압력의 차이를 산출하여 상기 압력의 차이가 정상값보다 크면, 상기 제 1 트랩부의 제 1 배기관을 개방 상태에서 폐쇄 상태로 전환시키고 상기 제 2 트랩부의 제 2 배기관을 폐쇄 상태에서 개방 상태로 전환시키도록 상기 제 1, 2 트랩부를 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 제조장비의 배기 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 트랩부가 상기 이물질을 트랩하는 제 1, 2트랩과, 상기 제 1, 2 트랩을 사이에 두고 각각 설치되며 상기 제어부의 제어에 의해 상기 제 1, 2 배기관을 개방/폐쇄시키는 밸브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 배기 구조.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 밸브들이 에어 밸브로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 배기 구조.
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