JP2000114241A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JP2000114241A JP2000114241A JP27734498A JP27734498A JP2000114241A JP 2000114241 A JP2000114241 A JP 2000114241A JP 27734498 A JP27734498 A JP 27734498A JP 27734498 A JP27734498 A JP 27734498A JP 2000114241 A JP2000114241 A JP 2000114241A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマエッチングによるレジスト除去方法に
おいて、腐食成分の除去およびレジスト除去の両方が十
分に行われる方法を提供する。 【解決手段】レジスト除去のためのプラズマエッチング
を、酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いて、
２段階以上に分けて行う。各段階で使用する混合ガスの
酸素に対するアルコールの比率を前段階よりも後段階で
低く設定する。
おいて、腐食成分の除去およびレジスト除去の両方が十
分に行われる方法を提供する。 【解決手段】レジスト除去のためのプラズマエッチング
を、酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いて、
２段階以上に分けて行う。各段階で使用する混合ガスの
酸素に対するアルコールの比率を前段階よりも後段階で
低く設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハに形成され
たアルミニウム系薄膜に対してレジストパターンをマス
クとしたエッチングを行った後に、酸素とアルコールの
混合ガスを用いたプラズマエッチングを行うことによ
り、このウエハに付着しているレジストおよび腐食成分
を除去する方法に関する。
たアルミニウム系薄膜に対してレジストパターンをマス
クとしたエッチングを行った後に、酸素とアルコールの
混合ガスを用いたプラズマエッチングを行うことによ
り、このウエハに付着しているレジストおよび腐食成分
を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ウエハ上にアルミニウム配線
層を形成する際には、先ず、ウエハ上にアルミニウムま
たはアルミニウム合金でアルミニウム系薄膜を形成し、
この薄膜の上にレジスト膜を形成する。次に、このレジ
スト膜に、フォトリソグラフィ工程により配線パターン
に対応させたパターンを形成する。次に、このレジスト
パターンをマスクとして、塩素や三塩化ホウ素等の塩素
系ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、
前記薄膜に配線パターンを転写する。
層を形成する際には、先ず、ウエハ上にアルミニウムま
たはアルミニウム合金でアルミニウム系薄膜を形成し、
この薄膜の上にレジスト膜を形成する。次に、このレジ
スト膜に、フォトリソグラフィ工程により配線パターン
に対応させたパターンを形成する。次に、このレジスト
パターンをマスクとして、塩素や三塩化ホウ素等の塩素
系ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、
前記薄膜に配線パターンを転写する。
【０００３】その後、酸素ガスを用いたプラズマエッチ
ングを行うことにより、このウエハに付着しているレジ
ストを酸化して灰化することにより除去する。なお、酸
素ガスを用いたプラズマエッチングによりレジストを灰
化して除去することは、一般に「アッシング（ａｓｈｉ
ｎｇ＝灰化）」と称されている。
ングを行うことにより、このウエハに付着しているレジ
ストを酸化して灰化することにより除去する。なお、酸
素ガスを用いたプラズマエッチングによりレジストを灰
化して除去することは、一般に「アッシング（ａｓｈｉ
ｎｇ＝灰化）」と称されている。
【０００４】このようなアルミニウム配線層の形成工程
においては、アルミニウム系薄膜のプラズマエッチング
の際に塩素系ガスを用いるために、アルミニウム配線層
の表面に塩素系ガスが残留する恐れがある。そして、こ
のような塩素系ガスの残留があると、空気中の水分との
反応により塩化水素が生じ、この塩化水素に起因してア
ルミニウム配線層に腐食が生じるという問題がある。
においては、アルミニウム系薄膜のプラズマエッチング
の際に塩素系ガスを用いるために、アルミニウム配線層
の表面に塩素系ガスが残留する恐れがある。そして、こ
のような塩素系ガスの残留があると、空気中の水分との
反応により塩化水素が生じ、この塩化水素に起因してア
ルミニウム配線層に腐食が生じるという問題がある。
【０００５】このような問題を解決するために特開平８
−２９３４８５号公報には、レジスト除去のための酸素
ガスを用いたプラズマエッチングを行う前に、水、水
素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ルのうちの少なくとも１種のガスを用いたプラズマエッ
チングを行うことにより、アルミニウム配線層の腐食防
止効果を得る方法が開示されている。また、特開平８−
３０６６６８号公報には、アッシングのためのプラズマ
エッチング用導入ガスとして、酸素とアルコールの混合
ガスを用いることにより、レジストの除去と腐食成分の
除去を同時に行う方法が開示されている。
−２９３４８５号公報には、レジスト除去のための酸素
ガスを用いたプラズマエッチングを行う前に、水、水
素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ルのうちの少なくとも１種のガスを用いたプラズマエッ
チングを行うことにより、アルミニウム配線層の腐食防
止効果を得る方法が開示されている。また、特開平８−
３０６６６８号公報には、アッシングのためのプラズマ
エッチング用導入ガスとして、酸素とアルコールの混合
ガスを用いることにより、レジストの除去と腐食成分の
除去を同時に行う方法が開示されている。
【０００６】特開平８−３０６６６８号公報には具体的
に、混合ガスの圧力が１．５torr以上であれば、混合
ガスの酸素に対するアルコールの比率を０．２以上０．
５以下とする方法、混合ガスの圧力が１．５torr以下
であれば前記比率を０．５以上とする方法、混合ガス
の圧力１．５torr以下且つ前記比率０．１以上０．４以
下の条件で第１次アッシングを施した後、混合ガスの圧
力１．５torr以上且つ前記比率０．５以上の条件で第２
次アッシングを施す方法が開示されている。すなわち、
の方法では、混合ガスの酸素に対するアルコールの比
率を、前段階よりも後段階で高く設定している。
に、混合ガスの圧力が１．５torr以上であれば、混合
ガスの酸素に対するアルコールの比率を０．２以上０．
５以下とする方法、混合ガスの圧力が１．５torr以下
であれば前記比率を０．５以上とする方法、混合ガス
の圧力１．５torr以下且つ前記比率０．１以上０．４以
下の条件で第１次アッシングを施した後、混合ガスの圧
力１．５torr以上且つ前記比率０．５以上の条件で第２
次アッシングを施す方法が開示されている。すなわち、
の方法では、混合ガスの酸素に対するアルコールの比
率を、前段階よりも後段階で高く設定している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術のうち、アルコール等による腐食防止処理を行っ
た後に酸素によるレジストの除去を行う方法では、腐食
成分の除去が最表面部分でしか行われず、レジスト内部
やアルミニウム配線の側壁部分に存在する腐食成分が十
分に除去されないという問題点がある。
来技術のうち、アルコール等による腐食防止処理を行っ
た後に酸素によるレジストの除去を行う方法では、腐食
成分の除去が最表面部分でしか行われず、レジスト内部
やアルミニウム配線の側壁部分に存在する腐食成分が十
分に除去されないという問題点がある。
【０００８】また、酸素とアルコールの混合ガスを用い
る方法では、上記〜のいずれの方法によっても、腐
食防止効果は十分であるがレジスト除去能力が十分では
ないという問題点がある。特にボンディングパッド部分
にレジスト残りが生じ易く、ボンディングパッド部分に
レジストが残っていると、ボンディング特性が悪化する
可能性もある。
る方法では、上記〜のいずれの方法によっても、腐
食防止効果は十分であるがレジスト除去能力が十分では
ないという問題点がある。特にボンディングパッド部分
にレジスト残りが生じ易く、ボンディングパッド部分に
レジストが残っていると、ボンディング特性が悪化する
可能性もある。
【０００９】本発明はこのような従来技術の問題点に着
目してなされたものであり、プラズマエッチングによる
レジスト除去方法において、腐食成分の除去およびレジ
スト除去の両方が十分に行われる方法を提供することを
課題とする。
目してなされたものであり、プラズマエッチングによる
レジスト除去方法において、腐食成分の除去およびレジ
スト除去の両方が十分に行われる方法を提供することを
課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ウエハに形成されたアルミニウム系薄膜
に対してレジストパターンをマスクとしたエッチングを
行った後に、酸素ガスを用いたプラズマエッチングを行
うことにより、このウエハに付着しているレジストを除
去するレジスト除去方法において、前記プラズマエッチ
ングを２段階以上に分け、少なくとも最終段階以外の段
階では酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いた
プラズマエッチングを行い、最終段階では酸素ガスとア
ルコールガスとの混合ガスまたは酸素ガスのみを用いた
プラズマエッチングを行うとともに、各段階で使用する
混合ガスの酸素に対するアルコールの比率を（１／１
５）以上（１／２）以下とし、さらに前記比率を前段階
よりも後段階で低く設定することを特徴とするレジスト
除去方法を提供する。
に、本発明は、ウエハに形成されたアルミニウム系薄膜
に対してレジストパターンをマスクとしたエッチングを
行った後に、酸素ガスを用いたプラズマエッチングを行
うことにより、このウエハに付着しているレジストを除
去するレジスト除去方法において、前記プラズマエッチ
ングを２段階以上に分け、少なくとも最終段階以外の段
階では酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いた
プラズマエッチングを行い、最終段階では酸素ガスとア
ルコールガスとの混合ガスまたは酸素ガスのみを用いた
プラズマエッチングを行うとともに、各段階で使用する
混合ガスの酸素に対するアルコールの比率を（１／１
５）以上（１／２）以下とし、さらに前記比率を前段階
よりも後段階で低く設定することを特徴とするレジスト
除去方法を提供する。
【００１１】本発明のレジスト除去方法の実施態様とし
ては、前記プラズマエッチングを２段階に分けて行い、
第１段階では前記比率を（１／５）以上（１／３）以下
とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以下とする
方法が挙げられる。
ては、前記プラズマエッチングを２段階に分けて行い、
第１段階では前記比率を（１／５）以上（１／３）以下
とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以下とする
方法が挙げられる。
【００１２】本発明のレジスト除去方法の実施態様とし
ては、前記プラズマエッチングを３段階に分けて行い、
第１段階では前記比率を（１／３）以上（１／２）以下
とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以上（１／
５）以下とし、第３段階では前記比率を（１／１１）以
下とする方法が挙げられる。
ては、前記プラズマエッチングを３段階に分けて行い、
第１段階では前記比率を（１／３）以上（１／２）以下
とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以上（１／
５）以下とし、第３段階では前記比率を（１／１１）以
下とする方法が挙げられる。
【００１３】本発明の方法によれば、初期の段階でアル
コールガスの含有率が比較的高い混合ガスを用いたプラ
ズマエッチングを行い、段階が進むに従ってアルコール
ガスの含有率が低い混合ガス（最終段階では酸素ガスの
みの場合もあり）を用いたプラズマエッチングを行うた
め、全段階において酸素によるレジストの除去が行われ
るとともに、アルコールによる腐食成分の除去作用は初
期の段階で最も高く、後の段階になるに従って低くな
る。すなわち、腐食成分が多く存在する最表面部分がエ
ッチング対象となる初期の段階では、アルコールによる
腐食成分の除去が効果的に行われ、後の段階では主にレ
ジストの除去が行われる。その結果、腐食成分の除去お
よびレジスト除去の両方が十分に行われる。
コールガスの含有率が比較的高い混合ガスを用いたプラ
ズマエッチングを行い、段階が進むに従ってアルコール
ガスの含有率が低い混合ガス（最終段階では酸素ガスの
みの場合もあり）を用いたプラズマエッチングを行うた
め、全段階において酸素によるレジストの除去が行われ
るとともに、アルコールによる腐食成分の除去作用は初
期の段階で最も高く、後の段階になるに従って低くな
る。すなわち、腐食成分が多く存在する最表面部分がエ
ッチング対象となる初期の段階では、アルコールによる
腐食成分の除去が効果的に行われ、後の段階では主にレ
ジストの除去が行われる。その結果、腐食成分の除去お
よびレジスト除去の両方が十分に行われる。
【００１４】本発明の方法で使用するアルコールガスと
しては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
ｉ−プロパノール等のガスが挙げられるが、メタノール
ガスを用いることが好ましい。また、２段階以上に分け
て行う前記プラズマエッチングを、全ての段階で、混合
ガスの圧力１．０torr以上２．０torr以下の条件で行う
ことが好ましい。また、前記プラズマエッチングの際の
ウエハ温度は、全ての段階で、２００℃以上３００℃以
下とすることが好ましい。混合ガスの合計流量は２００
ｓｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter Minute、１分間
当たりの流量（ｃｍ3 ））以上３００ｓｃｃｍ以下とす
ることが好ましい。
しては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
ｉ−プロパノール等のガスが挙げられるが、メタノール
ガスを用いることが好ましい。また、２段階以上に分け
て行う前記プラズマエッチングを、全ての段階で、混合
ガスの圧力１．０torr以上２．０torr以下の条件で行う
ことが好ましい。また、前記プラズマエッチングの際の
ウエハ温度は、全ての段階で、２００℃以上３００℃以
下とすることが好ましい。混合ガスの合計流量は２００
ｓｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter Minute、１分間
当たりの流量（ｃｍ3 ））以上３００ｓｃｃｍ以下とす
ることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本発明の方法を実施できるプラズマエッチン
グ装置は特に限定されず、例えば図１に示すような装置
を用いることができる。この装置はダウンフロー方式の
プラズマエッチング装置であって、パンチング板１によ
り、上部のプラズマ発生室２と下部のエッチング室３と
が分離されている。
説明する。本発明の方法を実施できるプラズマエッチン
グ装置は特に限定されず、例えば図１に示すような装置
を用いることができる。この装置はダウンフロー方式の
プラズマエッチング装置であって、パンチング板１によ
り、上部のプラズマ発生室２と下部のエッチング室３と
が分離されている。
【００１６】エッチング室３にはウエハ導入口３１が設
けてあり、前工程であるアルミニウム系薄膜のエッチン
グ工程が終了した後のウエハＷは、真空中を搬送され
て、ここからエッチング室３内に導入されるようになっ
ている。エッチング室３内にはウエハＷを載せるウエハ
ステージ３２が設置され、ウエハ加熱用のヒータ３３も
設けてある。また、エッチング室３の下部に設けた排気
口は所定の排気系に接続されている。
けてあり、前工程であるアルミニウム系薄膜のエッチン
グ工程が終了した後のウエハＷは、真空中を搬送され
て、ここからエッチング室３内に導入されるようになっ
ている。エッチング室３内にはウエハＷを載せるウエハ
ステージ３２が設置され、ウエハ加熱用のヒータ３３も
設けてある。また、エッチング室３の下部に設けた排気
口は所定の排気系に接続されている。
【００１７】プラズマ発生室２の側壁には、エッチング
ガスを導入するガス導入口２１が設けてある。また、マ
イクロ波発振器４で発生したマイクロ波が、導波管５を
通って天井側からプラズマ発生室２内に導入されるよう
になっている。導波管５とプラズマ発生室２との間に
は、石英板６が介装されている。これにより、プラズマ
発生室２内でエッチングガスにマイクロ波が作用してプ
ラズマ状態が発生し、ラジカル等の活性種がエッチング
室３内に供給されて、ウエハステージ３２に載せられた
ウエハＷに対するプラズマエッチングが行われる。 （実施例１）先ず、ウエハ上に形成されたアルミニウム
合金薄膜（Ｓｉ含有率：０．１ｗｔ％、Ｃｕ含有率：
０．１ｗｔ％、膜厚：７０００Å）の上に、ノボラック
系樹脂からなるポジ型レジストを２３０００Åの厚さで
塗布し、ホトリソグラフィ工程を行うことにより所定の
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
マスクとして、アルミニウム合金薄膜に対する塩素系ガ
スを用いたプラズマエッチングを以下の条件で行った。 ＜アルミニウム合金薄膜に対するエッチング条件＞エッ
チングガスとして塩素と三塩化ホウ素との混合ガスを用
い、塩素の流量を７０ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量を
３０ｓｃｃｍとした。ウエハステージの温度は４０℃、
混合ガスの圧力は８ｍtorrとした。
ガスを導入するガス導入口２１が設けてある。また、マ
イクロ波発振器４で発生したマイクロ波が、導波管５を
通って天井側からプラズマ発生室２内に導入されるよう
になっている。導波管５とプラズマ発生室２との間に
は、石英板６が介装されている。これにより、プラズマ
発生室２内でエッチングガスにマイクロ波が作用してプ
ラズマ状態が発生し、ラジカル等の活性種がエッチング
室３内に供給されて、ウエハステージ３２に載せられた
ウエハＷに対するプラズマエッチングが行われる。 （実施例１）先ず、ウエハ上に形成されたアルミニウム
合金薄膜（Ｓｉ含有率：０．１ｗｔ％、Ｃｕ含有率：
０．１ｗｔ％、膜厚：７０００Å）の上に、ノボラック
系樹脂からなるポジ型レジストを２３０００Åの厚さで
塗布し、ホトリソグラフィ工程を行うことにより所定の
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
マスクとして、アルミニウム合金薄膜に対する塩素系ガ
スを用いたプラズマエッチングを以下の条件で行った。 ＜アルミニウム合金薄膜に対するエッチング条件＞エッ
チングガスとして塩素と三塩化ホウ素との混合ガスを用
い、塩素の流量を７０ｓｃｃｍ、三塩化ホウ素の流量を
３０ｓｃｃｍとした。ウエハステージの温度は４０℃、
混合ガスの圧力は８ｍtorrとした。
【００１８】次に、このウエハをウエハ導入口３１から
エッチング室３内に導入してウエハステージ３２に載
せ、以下の条件で、レジスト除去のためのプラズマエッ
チングを３段階に分けて行った。なお、全段階におい
て、ウエハステージの温度は２５０℃、混合ガスの圧力
は１．２torr、マイクロ波電流は４００ｍＡとした。 ＜レジスト除去のためのプラズマエッチング条件＞ 第１段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を６０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
１８０ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／３とした。エッチ
ング時間は４０秒間とした。 第２段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を４０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２００ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／５とした。エッチ
ング時間は４０秒間とした。 第３段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を２０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２２０ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／１１とした。エッ
チング時間は４０秒間とした。
エッチング室３内に導入してウエハステージ３２に載
せ、以下の条件で、レジスト除去のためのプラズマエッ
チングを３段階に分けて行った。なお、全段階におい
て、ウエハステージの温度は２５０℃、混合ガスの圧力
は１．２torr、マイクロ波電流は４００ｍＡとした。 ＜レジスト除去のためのプラズマエッチング条件＞ 第１段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を６０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
１８０ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／３とした。エッチ
ング時間は４０秒間とした。 第２段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を４０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２００ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／５とした。エッチ
ング時間は４０秒間とした。 第３段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を２０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２２０ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／１１とした。エッ
チング時間は４０秒間とした。
【００１９】このようにしてレジスト除去のためのプラ
ズマエッチング処理を終えたウエハに対して、レジスト
残留度合および腐食度合を調べたところ、供試体１０個
中全てについてレジスト残りがなく、腐食も生じていな
かった。なお、レジスト残留度合は、金属顕微鏡による
目視検査にてボンディングパッド部を観察することによ
り調べた。腐食度合については、レジスト除去のための
プラズマエッチング処理が終了した後、クリーンルーム
（温度２３℃、湿度４８〜５０％）内に２４時間放置し
てから、金属顕微鏡による目視検査にて腐食の有無を調
べた。 （実施例２）先ず、ウエハ上に形成されたアルミニウム
合金薄膜（Ｓｉ含有率：０．１ｗｔ％、Ｃｕ含有率：
０．１ｗｔ％、膜厚：７０００Å）の上に、ノボラック
系樹脂からなるポジ型レジストを２３０００Åの厚さで
塗布し、ホトリソグラフィ工程を行うことにより所定の
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
マスクとして、アルミニウム合金薄膜に対する塩素系ガ
スを用いたプラズマエッチングを、上記実施例１と同じ
条件で行った。
ズマエッチング処理を終えたウエハに対して、レジスト
残留度合および腐食度合を調べたところ、供試体１０個
中全てについてレジスト残りがなく、腐食も生じていな
かった。なお、レジスト残留度合は、金属顕微鏡による
目視検査にてボンディングパッド部を観察することによ
り調べた。腐食度合については、レジスト除去のための
プラズマエッチング処理が終了した後、クリーンルーム
（温度２３℃、湿度４８〜５０％）内に２４時間放置し
てから、金属顕微鏡による目視検査にて腐食の有無を調
べた。 （実施例２）先ず、ウエハ上に形成されたアルミニウム
合金薄膜（Ｓｉ含有率：０．１ｗｔ％、Ｃｕ含有率：
０．１ｗｔ％、膜厚：７０００Å）の上に、ノボラック
系樹脂からなるポジ型レジストを２３０００Åの厚さで
塗布し、ホトリソグラフィ工程を行うことにより所定の
レジストパターンを形成した。このレジストパターンを
マスクとして、アルミニウム合金薄膜に対する塩素系ガ
スを用いたプラズマエッチングを、上記実施例１と同じ
条件で行った。
【００２０】次に、このウエハをウエハ導入口３１から
エッチング室３内に導入してウエハステージ３２に載
せ、以下の条件で、レジスト除去のためのプラズマエッ
チングを２段階に分けて行った。なお、全段階におい
て、ウエハステージの温度は２５０℃、混合ガスの圧力
は１．２torr、マイクロ波電流は４００ｍＡとした。 ＜レジスト除去のためのプラズマエッチング条件＞ 第１段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を４０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２００ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／５とした。 第２段階 エッチングガスとして酸素ガスのみを用い、その流量を
２４０ｓｃｃｍとした。エッチング時間は６０秒間とし
た。
エッチング室３内に導入してウエハステージ３２に載
せ、以下の条件で、レジスト除去のためのプラズマエッ
チングを２段階に分けて行った。なお、全段階におい
て、ウエハステージの温度は２５０℃、混合ガスの圧力
は１．２torr、マイクロ波電流は４００ｍＡとした。 ＜レジスト除去のためのプラズマエッチング条件＞ 第１段階 エッチングガスとしてメタノールと酸素との混合ガスを
用い、メタノールの流量を４０ｓｃｃｍ、酸素の流量を
２００ｓｃｃｍとした。すなわち、使用する混合ガスの
酸素に対するメタノールの比率を１／５とした。 第２段階 エッチングガスとして酸素ガスのみを用い、その流量を
２４０ｓｃｃｍとした。エッチング時間は６０秒間とし
た。
【００２１】このようにしてレジスト除去のためのプラ
ズマエッチング処理を終えたウエハに対して、前記実施
例１と同じ方法でレジスト残留度合および腐食度合を調
べたところ、供試体２０個中全てについてレジスト残り
がなく、腐食も生じていなかった。
ズマエッチング処理を終えたウエハに対して、前記実施
例１と同じ方法でレジスト残留度合および腐食度合を調
べたところ、供試体２０個中全てについてレジスト残り
がなく、腐食も生じていなかった。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、２段階以上に分けたプラズマエッチングの全段階
で酸素によるレジストの除去が行われるとともに、アル
コールによる腐食成分の除去作用は初期の段階で最も高
く、後の段階になるに従って低くなるため、腐食成分の
除去およびレジスト除去の両方が十分に行われるという
効果がある。
れば、２段階以上に分けたプラズマエッチングの全段階
で酸素によるレジストの除去が行われるとともに、アル
コールによる腐食成分の除去作用は初期の段階で最も高
く、後の段階になるに従って低くなるため、腐食成分の
除去およびレジスト除去の両方が十分に行われるという
効果がある。
【図１】本発明の方法を実施できるプラズマエッチング
装置の一例を示す概略構成図である。
装置の一例を示す概略構成図である。
１ パンチング板 ２ プラズマ発生室 ３ エッチング室 ４ マイクロ波発振器 ５ 導波管 ６ 石英板 ２１ ガス導入口 ３１ ウエハ導入口 ３２ ウエハステージ ３３ ヒータ Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA27 HA11 HA13 LA07 LA09 4K057 DA20 DB05 DB20 DD01 DE01 DE04 DE20 DG01 DG02 DG06 DG07 DG08 DG11 DG12 DG13 DK03 DM29 DN01 5F004 AA09 AA16 BA11 BA16 BB11 BB18 BB26 BB28 BD01 CA01 CA02 CA04 DA00 DA04 DA11 DA24 DA26 DB09 DB16 DB23 DB26 EB02 5F046 MA12
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハに形成されたアルミニウム系薄膜
に対してレジストパターンをマスクとしたエッチングを
行った後に、酸素ガスを用いたプラズマエッチングを行
うことにより、このウエハに付着しているレジストを除
去するレジスト除去方法において、 前記プラズマエッチングを２段階以上に分け、少なくと
も最終段階以外の段階では酸素ガスとアルコールガスと
の混合ガスを用いたプラズマエッチングを行い、最終段
階では酸素ガスとアルコールガスとの混合ガスまたは酸
素ガスのみを用いたプラズマエッチングを行うととも
に、 各段階で使用する混合ガスの酸素に対するアルコールの
比率を（１／１５）以上（１／２）以下とし、さらに前
記比率を前段階よりも後段階で低く設定することを特徴
とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】 前記プラズマエッチングを２段階に分け
て行い、第１段階では前記比率を（１／５）以上（１／
３）以下とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以
下とすることを特徴とする請求項１記載のレジスト除去
方法。 - 【請求項３】 前記プラズマエッチングを３段階に分け
て行い、第１段階では前記比率を（１／３）以上（１／
２）以下とし、第２段階では前記比率を（１／１０）以
上（１／５）以下とし、第３段階では前記比率を（１／
１１）以下とすることを特徴とする請求項１記載のレジ
スト除去方法。 - 【請求項４】 アルコールガスとしてメタノールガスを
用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに
記載のレジスト除去方法。 - 【請求項５】 ２段階以上に分けて行う前記プラズマエ
ッチングを、全ての段階で、混合ガスの圧力１．０torr
以上２．０torr以下の条件で行うことを特徴とする請求
項１〜４のいずれか一つに記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27734498A JP2000114241A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27734498A JP2000114241A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114241A true JP2000114241A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17582226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27734498A Pending JP2000114241A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004107425A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Kyoto University | イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置 |
| JP2014009944A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | 水蒸気透過率評価用構造体および水蒸気透過率評価方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27734498A patent/JP2000114241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004107425A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Kyoto University | イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置 |
| JP2014009944A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | 水蒸気透過率評価用構造体および水蒸気透過率評価方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A521 | Written amendment |
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