JPH06151389A - ドライエッチングの後処理方法 - Google Patents

ドライエッチングの後処理方法

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Publication number
JPH06151389A
JPH06151389A JP32612792A JP32612792A JPH06151389A JP H06151389 A JPH06151389 A JP H06151389A JP 32612792 A JP32612792 A JP 32612792A JP 32612792 A JP32612792 A JP 32612792A JP H06151389 A JPH06151389 A JP H06151389A
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JP
Japan
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gas
discharge
oxygen
chamber
hydrogen
Prior art date
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Application number
JP32612792A
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English (en)
Inventor
Keiji Shinohara
啓二 篠原
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、塩素を含むエッチングガスによる
ドライエッチング後に、ウエハ処理雰囲気を清浄に保っ
た状態でアフターコロージョンを防止することを可能に
する。 【構成】 塩素を含むエッチングガスを用いてAlまた
はAl合金をドライエッチングした後、チェンバー内に
NH3 を含まないガスの供給期間Ten中に放電を発生さ
せ、その後放電期間Td1中に、チェンバー内にNH3
スを供給する。そして放電期間Td1中に、NH3 ガスの
供給を停止する方法である。あるいはNH3 を含まない
ガスのかわりにOとHとより組成されるガスを含まない
ガスを用い、NH3 のかわりにOとHとより組成される
ガスを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチングの後
処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】LSI等の半導体装置の配線材料とし
て、例えばシリコン(Si)や銅(Cu)等を含むアル
ミニウム系合金膜が多く用いられている。このようなア
ルミニウム系合金膜で微細パターンを形成するには、塩
素系のエッチングガスを用いたドライエッチングが行わ
れる。塩素を含むエッチングガスを用いてドライエッチ
ングを行った場合には、塩素がアルミニウム系合金膜の
表面等に残留して、アルミニウム系合金膜を腐食する
(いわゆる、コロージョンまたは虫食い)。このため、
通常、塩素系のエッチングガスによるドライエッチング
後には、フッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行って、
残留している塩素をフッ素で置換することにより、アル
ミニウム系合金膜の腐食を防いでいる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フッ素系ガスによる後処理だけでは、コロージョンを十
分に防止することができない。またレジスト剥離とフッ
素系ガスによる後処理とを併用してもまだ不十分であ
る。さらに上記方法に熱処理を併用した場合には、下地
の絶縁膜とのエッチング選択比が取れなくなる。
【0004】そこでドライエッチング終了後に、H2
を添加したガス系で後処理を行う方法が提案されてい
る。この方法では、塩素系のエッチングガスを用いてド
ライエッチングした後、酸素(O2 )とH2 Oとの混合
ガスを用いてダウンフローを行うことにより、残留塩素
を低減してアフターコロージョンを抑制しようとしてい
る。ところが、アフターコロージョンは残留塩素とH2
Oとにより生成される塩酸によってアルミニウムが溶け
出す反応であるため、残留塩素が多く存在しているウエ
ハをH2 Oを含む雰囲気にさらすことは、アフターコロ
ージョンを抑制する観点から好ましくない。このように
残留塩素が存在するウエハをH2 Oを含む雰囲気にさら
すとアフターコロージョンは発生し、アルミニウム系金
属で形成されている配線の信頼性は著しく低下する。ま
た後処理を行った後にも、H2 Oがウエハ上に残留する
ので、アフターコロージョンを誘発する可能性が大き
い。
【0005】またドライエッチング終了後に、アンモニ
ア(NH3 )を添加したガス系で後処理を行う方法が提
案されている。ところが、後処理を行おうとするウエハ
には残留塩素が多く存在しているために、アンモニアと
残留塩素(Cl)とが反応して、塩化アンモニウム(N
4 Cl)を生成する。塩化アンモニウムは常温常圧で
は固体であり、それがウエハ上に形成されると塵埃の原
因になる。
【0006】またアンモニアガスによる処理を行ってい
るチェンバー内の内壁にアンモニアが吸着している場合
には、残留塩素を多く吸着しているウエハを当該チェン
バー内に搬送したときに、残留塩素がチェンバー内に拡
散して、その内壁面で塩化アンモニウムが生成される。
さらに拡散した残留塩素が後処理のチェンバーの内壁や
ガス導入口に吸着すると、アンモニアガスを導入したと
同時に、チェンバー内やガス導入口で塩化アンモニウム
が生成され、処理チェンバー内に塩化アンモニウムの塵
埃が拡散する。この結果、清浄な状態でのウエハ処理が
できなくなり、歩留りが著しく低下する。
【0007】さらにまた、塩化アンモニウムが付着した
ウエハを大気にさらした場合には、大気中の水分と付着
した塩化アンモニウムとが反応して、電解質の液滴を生
成する。このため、アフターコロージョンが発生する。
【0008】本発明は、コロージョンの発生を抑えるの
に優れたドライエッチングの後処理方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたドライエッチングの後処理方法で
ある。すなわち、塩素を含むエッチングガスを用いてア
ルミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッチング
した後、チェンバー内にアンモニアを含まないガスを供
給して放電を発生させ、その後放電中に、このチェンバ
ー内にアンモニアガスを供給する後処理方法である。あ
るいは放電中に、チェンバー内に供給されるアンモニア
ガスの供給を停止する方法である。
【0010】また上記アンモニアを含まないガスには、
酸素ガスまたは酸化窒素ガスあるいは酸化炭素ガスが用
いられる。または希ガスが用いられる。
【0011】または塩素を含むエッチングガスを用いて
アルミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッチン
グした後、チェンバー内に酸素と水素とより組成される
ガスを含まないガスを供給して放電を発生させ、その後
放電中に、このチェンバー内に酸素と水素とより組成さ
れるガスを供給する後処理方法である。あるいは放電中
に、チェンバー内に供給される酸素と水素とより組成さ
れるガスの供給を停止する方法である。
【0012】また上記酸素と水素とより組成されるガス
を含まないガスには、酸素ガスまたは酸化窒素ガスある
いは酸化炭素ガスが用いられる。または希ガスが用いら
れる。
【0013】
【作用】上記方法では、塩素系ガスでアルミニウムまた
はアルミニウム合金をドライエッチングした後、アンモ
ニアを含まないガスを供給して放電を発生させ、その後
放電中に、アンモニアガスを供給することにより、供給
されたアンモニアガスはただちに放電分解する。このと
きに発生する水素ラジカルと残留塩素とが反応して塩化
水素(HCl)になる。この塩化水素は蒸気圧が高いの
で蒸発する。したがって、ウエハ上の残留塩素は除去さ
れる。
【0014】また放電中に、アンモニアガスの供給を停
止することにより、その後もアンモニアを含まないガス
の放電は継続される。このため、チェンバー内に吸着し
たアンモニアガスは除去される。したがって、次のウエ
ハ処理時には、チェンバー内にアンモニアガスが残留し
ていないので、ウエハ上に付着している残留塩素との反
応によって、塩化アンモニウムが生成されることがな
い。
【0015】また上記アンモニアを含まないガスに、酸
素ガスまたは酸化窒素ガスあるいは酸化炭素ガスを用い
たことにより、レジストの除去とともに、残留塩素の除
去が行える。また希ガスを用いた場合には、残留塩素の
除去のみが行われる。
【0016】また塩素系ガスでアルミニウムまたはアル
ミニウム合金をドライエッチングした後、酸素と水素と
より組成されるガスを含まないガスを供給して放電を発
生させ、その後放電中に、酸素と水素とより組成される
ガスを供給することにより、供給された酸素と水素とよ
り組成されるガスはただちに放電分解する。このときに
発生する水素ラジカルと残留塩素とが反応して塩化水素
(HCl)になる。この塩化水素は蒸気圧が高いので蒸
発する。したがって、ウエハ上の残留塩素は除去され
る。
【0017】また放電中に、酸素と水素とより組成され
るガスの供給を停止することにより、その後も酸素と水
素とより組成されるガスを含まないガスの放電は継続さ
れる。このため、チェンバー内に吸着した酸素と水素と
より組成されるガスは除去される。したがって、次のウ
エハ処理時には、チェンバー内に酸素と水素とより組成
されるガスが残留していないので、ウエハ上に付着して
いる残留塩素との反応によって、塩酸が生成されること
がない。
【0018】また上記酸素と水素とより組成されるガス
を含まないガスに、酸素ガスまたは酸化窒素ガスあるい
は酸化炭素ガスを用いたことにより、レジストの除去と
ともに、残留塩素の除去が行える。あるいは希ガスを用
いた場合には、残留塩素の除去のみが行われる。
【0019】
【実施例】本発明の第1の実施例を図1に示すガス導入
と放電とのタイミング図により説明する。図に示すよう
に、後処理では、まず塩素を含むエッチングガスを導入
してアルミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッ
チングした後、チェンバー(図示せず)内にアンモニア
を含まないガスを供給する。アンモニアを含まないガス
の供給期間Ten中に放電を発生させる。この放電期間T
d1中に、当該チェンバー内にアンモニアガスを供給す
る。このアンモニアガスの供給期間はTn は上記放電期
間Td1内に終了する。
【0020】上記方法では、アンモニアを含まないガス
を供給して放電を発生させ、その放電中に、アンモニア
ガスを供給することにより、供給されたアンモニアガス
はただちに放電分解する。このときに発生する水素ラジ
カルと残留塩素とが反応して塩化水素(HCl)にな
る。この塩化水素は蒸気圧が高いので蒸発する。したが
って、ウエハ上の残留塩素は除去される。
【0021】また放電中に、アンモニアガスの供給を停
止することにより、その後もアンモニアを含まないガス
の放電は継続される。このため、チェンバー内に吸着し
たアンモニアガスは除去される。したがって、次のウエ
ハ処理時には、チェンバー内にアンモニアガスが残留し
ていないので、ウエハ上に付着している残留塩素との反
応によって、塩化アンモニウムは生成されない。
【0022】次に第1の実施例の後処理の具体的な事例
を説明する。図2の(1)に示すように、ウエハ(例え
ばシリコン(Si)基板)11の上面に酸化シリコン
(SiO2 )膜12が形成されている。この酸化シリコ
ン膜12の上面には、チタン(Ti)膜13,窒化酸化
チタン(TiON)膜14,シリコンを含むアルミニウ
ム(Al−Si)合金膜15,窒化酸化チタン膜16が
順に積層されている。
【0023】このような多層構造膜をエッチングするに
は、図2の(2)に示すように、ホトリソグラフィー技
術によって、窒化酸化チタン膜16の上面にレジストパ
ターン17を形成する。その後、塩素を含むエッチング
ガスを用いてドライエッチングを行う。ドライエッチン
グでは、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング装
置を用いる。塩素を含むエッチングガスには、例えば流
量が40sccmの三塩化ホウ素(BCl3 )と流量が
60sccmの塩素(Cl2 )とよりなる混合ガスを用
いる。エッチング条件は、例えば、マイクロ波電力を3
00mA、RFパワーを40Wに設定する。
【0024】そして図2の(2)に示すように、上記条
件下で、窒化酸化チタン膜16,Al−Si合金膜1
5,窒化酸化チタン膜14,チタン膜13をエッチング
して、配線パターン18を形成する。この状態では、レ
ジストパターン17の表面,配線パターン18の表面,
酸化シリコン膜12の表面には残留塩素19が付着す
る。
【0025】次いで、上記処理を行ったウエハ11をア
ッシング装置のチェンバー(図示せず)に移す。そして
チェンバー内に、アンモニアを含まないガスとして、例
えば酸素(O2 )ガスを供給し、放電を開始する。上記
酸素ガスは、例えば500sccmの流量で供給する。
また放電条件としては、例えば、チェンバー内圧力を1
33Paに設定し、マイクロ波電力を400mAに設定
する。この状態では、図3の(1)に示すように、酸素
プラズマによって、レジストパターン17の表層(2点
鎖線で示す部分)が徐々に除去される。
【0026】その後、放電が安定してから、酸素ガスに
よる放電を継続した状態で、チェンバー内にアンモニア
(NH3 )ガスを供給する。このときの条件としては、
例えば、酸素の流量を500sccm、アンモニアの流
量を50sccmに設定し、チェンバー内圧力を133
Pa、マイクロ波電力を400mAに設定する。この状
態では、図3の(2)に示すように、酸素プラズマによ
って、レジストパターン17の表層(2点鎖線で示す部
分)が徐々に除去されるとともに、アンモニアガスの放
電分解によって、水素ラジカル20が発生する。そして
水素ラジカル20と残留塩素19とが反応して塩化水素
(HCl)21を生成する。塩化水素21は、蒸気圧が
高いので蒸発する。したがって、ウエハ11上より残留
塩素19が除去される。
【0027】さらに放電は継続される。この状態でアン
モニアガスの供給を停止する。その後のガス供給条件と
しては、例えば流量が500sccmの酸素(O2 )ガ
スを供給し、放電条件としては、例えば、チェンバー内
圧力を133Paに設定し、マイクロ波電力を400m
Aに設定する。このため、酸素プラズマによって、チェ
ンバー内に吸着しているアンモニアガスは離脱されるの
で、チェンバー内よりアンモニアガスは完全に除去され
る。また図3の(3)に示すように、酸素プラズマによ
って、レジストパターン17(2点鎖線で示す部分)は
完全に除去される。その後放電を停止する。
【0028】放電を停止した状態では、チェンバー内に
アンモニアの残留がないので、次にウエハを処理する場
合に、たとえ残留塩素を多く付着したウエハが搬送され
てきても、チェンバー内で残留塩素が反応して塩化アン
モニウムを生成することはない。したがって、塵埃は発
生しない。
【0029】上記説明では、アンモニアを含まないガス
に酸素(O2 )ガスを用いたが、例えば酸化窒素ガス
〔一酸化窒素(NO),一酸化二窒素(N2 O),二酸
化窒素(NO2 )等〕あるいは酸化炭素ガス〔一酸化炭
素(CO),二酸化炭素(CO2 )等〕を用いることも
可能である。
【0030】次に第1の実施例の別の具体例として、ア
ンモニアを含まないガスに希ガスのアルゴン(Ar)ガ
スを用いた事例を説明する。前記図2で説明したと同様
にして、塩素を含むエッチングガスを用いて、Al−S
i合金膜をエッチングして、例えば配線パターン(1
8)を形成する。
【0031】次いで、上記処理を行ったウエハ(11)
をアッシング装置(図示せず)のチェンバーに移す。そ
してチェンバー内に、アンモニアを含まないガスとし
て、例えばアルゴン(Ar)ガスを供給し、放電を開始
する。上記アルゴンガスは、例えば200sccmの流
量で供給する。また放電条件としては、例えば、チェン
バー内圧力を133Paに設定し、マイクロ波電力を4
00mAに設定する。アルゴンガスの放電ではレジスト
パターン(17)はエッチングされない。
【0032】その後、放電が安定してから、アルゴンガ
スによる放電を継続した状態で、チェンバー内にアンモ
ニアガスと酸素ガスとを供給する。このときの条件とし
ては、例えば、酸素の流量を500sccm、アルゴン
の流量を200sccm、アンモニアの流量を50sc
cmに設定し、チェンバー内圧力を133Pa、マイク
ロ波電力を400mAに設定する。この状態では、図4
の(1)に示すように、酸素プラズマによって、レジス
トパターン17が徐々にアッシングされるとともに、ア
ンモニアガスの放電分解によって、水素ラジカル20が
発生する。そして水素ラジカル20と残留塩素19とが
反応して塩化水素(HCl)21を生成する。塩化水素
21は蒸気圧が高いので蒸発する。したがって、ウエハ
11上より残留塩素19が除去される。
【0033】さらに放電は継続される。この状態でアン
モニアガスの供給を停止する。その後のガス供給条件と
しては、例えば流量が500sccmの酸素(O2 )ガ
スと流量が200sccmのアルゴンガスとを供給し、
放電条件としては、例えば、チェンバー内圧力を133
Paに設定し、マイクロ波電力を400mAに設定す
る。このため、アンモニアガスの供給を停止した後も酸
素プラズマが発生しているので、チェンバー内に吸着し
ているアンモニアガスは離脱し、チェンバー内より完全
に除去される。また図4の(2)に示すように、レジス
トパターン17(2点鎖線で示す部分)は、酸素プラズ
マによってアッシングされて除去される。その後放電を
停止する。
【0034】放電を停止した状態では、チェンバー内に
アンモニアの残留がないので、次にウエハを処理する場
合に、たとえ残留塩素が多いウエハが搬送されてきて
も、チェンバー内で残留塩素が反応して塩化アンモニウ
ムを生成することがない。したがって、塵埃は発生しな
い。またアルゴンガスを導入したことにより、放電が安
定する。さらに、アンモニアガスを供給する前の放電で
は、アルゴンガスしか供給していないので、レジスト層
は除去されない。したがって、レジスト層が薄い場合で
も、アンモニアガスを供給するまでレジスト層は残って
いる。またレジスト層が除去されて残留塩素が拡散する
ということもなく、レジスト層に吸着している残留塩素
をアンモニアガスによって完全に除去することが可能に
なる。
【0035】上記説明では、アンモニアを含まないガス
にアルゴンガスを用いたが、例えば、他の希ガスとし
て、例えばヘリウム(He)やネオン(Ne)等を用い
ることも可能である。また2種以上の希ガスを混合して
用いることも可能である。
【0036】次にドライエッチングの後処理方法の第2
の実施例を、図5のガス導入と放電とのタイミング図に
より説明する。図に示すように、塩素を含むエッチング
ガスを導入してアルミニウムまたはアルミニウム合金を
ドライエッチングした後、チェンバー(図示せず)内に
酸素と水素とより組成されるガスを含まないガスを供給
する。酸素と水素とより組成されるガスを含まないガス
の供給期間TeOH 中に放電を発生させる。この放電期間
Td2中に、当該チェンバー内に酸素と水素とより組成さ
れるガスを供給する。この酸素と水素とより組成される
ガスの供給期間はTOHは上記放電期間Td2内に終了す
る。
【0037】上記方法では、酸素と水素とより組成され
るガスを含まないガスを供給して放電を発生させ、その
放電中に、酸素と水素とより組成されるガスを含まない
ガスとにより、供給された酸素と水素とより組成される
ガスはただちに放電分解する。このときに発生する水素
ラジカルまたはOHラジカルの効果で、残留塩素が塩化
水素(HCl)になる。この塩化水素は蒸気圧が高いの
で蒸発する。したがって、ウエハ上の残留塩素は除去さ
れる。
【0038】また放電中に、酸素と水素とより組成され
るガスの供給を停止することにより、その後も酸素と水
素とより組成されるガスを含まないガスの放電は継続さ
れる。このため、チェンバー内に吸着した酸素と水素と
より組成されるガスは除去される。したがって、次のウ
エハ処理時には、チェンバー内に酸素と水素とより組成
されるガスが残留していないので、ウエハ上に付着して
いる残留塩素との反応によって、コロージョンは発生し
ない。
【0039】次に上記第2の実施例の具体的な後処理の
事例を説明する。前記第1の実施例の図2で説明したと
同様にして、塩素を含むエッチングガスを用いて、Al
−Si合金膜等をエッチングして、例えばウエハ(1
1)上に成膜した酸化シリコン膜(12)上に配線パタ
ーン(18)を形成する。
【0040】次いで、上記処理を行ったウエハ(11)
をアッシング装置のチェンバーに移す。そしてチェンバ
ー内に、酸素と水素とより組成されるガスを含まないガ
スとして、例えば酸素(O2 )ガスを供給し、放電を開
始する。上記酸素ガスは、例えば500sccmの流量
で供給する。また放電条件としては、例えば、チェンバ
ー内圧力を133Paに設定し、マイクロ波電力を30
0mAに設定する。この状態では、図6の(1)に示す
ように、放電によって発生した酸素プラズマによって、
レジストパターン17の2点鎖線で示す部分は徐々にア
ッシングされる。
【0041】その後、放電が安定してから、酸素ガスに
よる放電を継続した状態で、チェンバー内に酸素と水素
とより組成されるガスとして、例えばH2 Oガスを供給
する。このときの条件としては、例えば、酸素の流量を
500sccm、H2 Oの流量を30sccmに設定
し、チェンバー内圧力を133Pa、マイクロ波電力を
300mAに設定する。この状態では、図6の(2)に
示すように、酸素プラズマによって、レジストパターン
17の2点鎖線で示す部分が徐々にアッシングされると
ともに、H2 Oガスの放電分解によって、水素ラジカル
31とOHラジカル(図示せず)とが発生する。そして
水素ラジカル31(またはOHラジカル)と残留塩素1
9とが反応して塩化水素(HCl)32を生成する。塩
化水素32は蒸気圧が高いので蒸発する。したがって、
付着していた残留塩素19は除去される。
【0042】さらに放電は継続される。この状態でH2
Oガスの供給を停止する。その後のガス供給条件として
は、例えば流量が500sccmの酸素(O2 )ガスを
供給し、放電条件としては、例えば、チェンバー内圧力
を133Paに設定し、マイクロ波電力を300mAに
設定する。この状態では、図6の(3)に示すように、
酸素プラズマによって、レジストパターン17(2点鎖
線で示す部分)は除去される。そしてチェンバー内およ
びウエハ11上よりH2 Oを完全に取り除いた状態で放
電を停止する。このため、チェンバー内やウエハ上に吸
着しているH2 Oガスは、完全に除去されるので、ウエ
ハ11を大気中に取り出しても、アフターコロージョン
は発生しない。
【0043】このように放電を停止した状態では、チェ
ンバー内にH2 Oは残留していないので、次にウエハを
処理する場合に、たとえ残留塩素を多く付着したウエハ
が搬送されてきても、チェンバー内で残留塩素が反応し
て塩酸を生成することはない。したがって、アフターコ
ロージョンは発生しない。
【0044】上記説明では、酸素と水素とより組成され
るガスを含まないガスに酸素(O2)ガスを用いたが、
例えば酸化窒素ガス〔一酸化窒素(NO),一酸化二窒
素(N2 O),二酸化窒素(NO2 )等〕あるいは酸化
炭素ガス〔一酸化炭素(CO),二酸化炭素(CO2
等〕を用いることも可能である。
【0045】次に第2の実施例の別の具体例として、酸
素と水素とより組成されるガスを含まないガスに希ガス
のアルゴン(Ar)ガスを用いた事例を説明する。前記
図2で説明したと同様にして、塩素を含むエッチングガ
スを用いて、Al−Si合金膜等をエッチングして、配
線パターン(18)を形成する。
【0046】次いで、上記処理を行ったウエハ(11)
をアッシング装置のチェンバー(図示せず)に移す。そ
してチェンバー内に、アンモニアを含まないガスとし
て、例えばアルゴン(Ar)ガスを供給し、放電を開始
する。上記アルゴンガスは、例えば200sccmの流
量で供給する。また放電条件としては、例えば、チェン
バー内圧力を133Paに設定し、マイクロ波電力を4
00mAに設定する。アルゴンガスの放電ではレジスト
パターン(17)はエッチングされない。
【0047】その後、放電が安定してから、アルゴンガ
スによる放電を継続した状態で、チェンバー内にH2
ガスと酸素(O2 )ガスとを供給する。このときの条件
としては、例えば、酸素の流量を500sccm、アル
ゴンの流量を200sccm、H2 Oの流量を30sc
cmに設定し、チェンバー内圧力を133Pa、マイク
ロ波電力を400mAに設定する。この状態では、図7
の(1)に示すように、酸素プラズマによって、レジス
トパターン17の2点鎖線で示す部分が徐々にアッシン
グされるとともに、H2 Oの放電分解によって、水素ラ
ジカル31とOHラジカル(図示せず)とが発生する。
そしてこの水素ラジカル31(またはOHラジカル)と
残留塩素19とが反応して塩化水素(HCl)32を生
成する。塩化水素32は蒸気圧が高いので蒸発する。し
たがって、ウエハ11上より残留塩素19は除去され
る。
【0048】さらに放電は継続される。この状態でH2
Oガスの供給を停止する。その後のガス供給条件として
は、例えば流量が500sccmの酸素(O2 )ガスと
流量が200sccmのアルゴンガスとを供給し、放電
条件としては、例えば、チェンバー内圧力を133Pa
に設定し、マイクロ波電力を400mAに設定する。こ
の状態では、図7の(2)に示すように、酸素プラズマ
によって、レジストパターン17(2点鎖線で示す部
分)は除去される。またチェンバー内に吸着しているH
2 Oガスは酸素プラズマによって離脱させられ、チェン
バー内より完全に除去される。その後放電を停止する。
【0049】放電を停止した状態では、チェンバー内に
2 Oは残留していないので、次にウエハを処理する場
合に、たとえ残留塩素を多く付着したウエハが搬送され
てきても、チェンバー内で残留塩素が反応して塩酸を生
成することはない。したがって、アフターコロージョン
は発生しない。またアルゴンガスを導入したことによ
り、安定した放電が行える。さらに、H2 Oガスを供給
する前の放電では、アルゴンガスしか供給していないの
で、レジスト層は除去されない。したがって、レジスト
層が薄い場合でも、アンモニアガスを供給するまでレジ
スト層は残っている。このため、レジスト層が除去され
て残留塩素が拡散することなく、レジスト層に付着して
いる残留塩素をH2 Oガスによって完全に除去すること
が可能になる。
【0050】上記説明では、H2 Oガスを含まないガス
にアルゴンガスを用いたが、例えば、他の希ガスとし
て、例えばヘリウム(He)やネオン(Ne)等を用い
ることも可能である。また2種以上の希ガスを混合して
用いることも可能である。
【0051】また上記各実施例では、予めアンモニアを
含まないガスまたは酸素と水素とより組成されるガスを
含まないガスで放電を発生させるため、ウエハは放電に
よって加熱される。このため、残留塩素の除去反応は促
進される。また残留塩素の除去反応で生成された反応生
成物がウエハ上より蒸発されやすくなる。
【0052】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
塩素系ガスでアルミニウムまたはアルミニウム合金をド
ライエッチングした後、アンモニアを含まないガスを供
給して放電を発生させ、その後放電中に、アンモニアガ
スを供給するので、アンモニアガスはただちに放電分解
して水素ラジカルになる。このため、アンモニアと残留
塩素とが反応することがなくなるので、塩化アンモニウ
ムを発生しない。したがって、塵埃を発生することな
く、残留塩素を塩化水素(HCl)にして、ウエハ上よ
り除去するこができる。
【0053】また放電中に、アンモニアガスの供給を停
止することにより、その後もアンモニアを含まないガス
の放電が継続される。このため、チェンバー内に吸着し
たアンモニアガスを除去することができる。したがっ
て、次のウエハ処理時には、チェンバー内にアンモニア
ガスが残留していないので、残留塩素を付着したウエハ
を搬入しても、塩化アンモニウムは生成されない。よっ
て、塩化アンモニウムよりなる塵埃の発生を防止するこ
とができる。よって、製品の品質の向上が図れる。
【0054】また上記アンモニアを含まないガスに、酸
素ガスまたは酸化窒素ガスあるいは酸化炭素ガスを用い
たことにより、レジストのアッシングが行える。また希
ガスを用いた場合には、レジストをアッシングすること
なく放電を発生することができるので、その後のアンモ
ニアガスまたは酸素と水素とより組成されるガスによっ
て、レジストパターン上の残留塩素の除去が可能にな
る。
【0055】また塩素系ガスでアルミニウムまたはアル
ミニウム合金をドライエッチングした後、酸素と水素と
より組成されるガスを含まないガスを供給して放電を発
生させ、その後放電中に、酸素と水素とより組成される
ガスを供給するので、酸素と水素とより組成されるガス
はただちに放電分解して、水素ラジカルとOHラジカル
とになる。このため、酸素と水素とより組成されるガス
によってアフターコロージョンを発生することなく、水
素ラジカルまたはOHラジカルとの反応によって、ウエ
ハ上の残留塩素を除去することができる。
【0056】また放電中に、酸素と水素とより組成され
るガスの供給を停止することにより、その後も酸素と水
素とより組成されるガスを含まないガスでの放電が継続
される。このため、チェンバー内に付着した酸素と水素
とより組成されるガスを除去することができる。したが
って、次のウエハ処理時には、チェンバー内に酸素と水
素とより組成されるガスが残留していないので、残留塩
素を付着したウエハが搬入されたとしても、アフターコ
ロージョンは発生しない。よって製品の品質の向上が図
れる。
【0057】また上記酸素と水素とより組成されるガス
を含まないガスに、酸素ガスまたは酸化窒素ガスあるい
は酸化炭素ガスを用いたことにより、レジストのアッシ
ングが行える。また希ガスを用いた場合には、レジスト
をアッシングすることなく放電を発生することができる
ので、その後のアンモニアガスまたは酸素と水素とより
組成されるガスによって、レジストパターンに付着した
残留塩素の除去が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例のガス供給と放電とのタイミング
図である。
【図2】配線パターンの形成工程図である。
【図3】第1の実施例の後処理の説明図である。
【図4】第1の実施例における別の後処理の説明図であ
る。
【図5】第2の実施例のガス供給と放電とのタイミング
図である。
【図6】第2の実施例の後処理の説明図である。
【図7】第2の実施例における別の後処理の説明図であ
る。
【符号の説明】
Ten アンモニアを含まないガスの供給期間 Td1 放電期間 Tn アンモニアガスの供給期間 TeOH 酸素と水素とより組成されるガスを含まないガ
スの供給期間 Td2 放電期間 TOH 酸素と水素とより組成されるガスの供給期間

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塩素を含むエッチングガスを用いてアル
    ミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッチングし
    た後、チェンバー内にアンモニアを含まないガスを供給
    して放電を発生させ、その後放電中に、前記チェンバー
    内にアンモニアガスを供給することを特徴とするドライ
    エッチングの後処理方法。
  2. 【請求項2】 前記請求項1記載のドライエッチングの
    後処理方法において、 前記放電中に、チェンバー内に供給されるアンモニアガ
    スの供給を停止することを特徴とするドライエッチング
    の後処理方法。
  3. 【請求項3】 前記請求項1または請求項2記載のドラ
    イエッチングの後処理方法において、 アンモニアを含まないガスが、酸素ガスまたは酸化窒素
    ガスあるいは酸化炭素ガスよりなることを特徴とするド
    ライエッチングの後処理方法。
  4. 【請求項4】 前記請求項1または請求項2記載のドラ
    イエッチングの後処理方法において、 アンモニアを含まないガスが、希ガスよりなることを特
    徴とするドライエッチングの後処理方法。
  5. 【請求項5】 塩素を含むエッチングガスを用いてアル
    ミニウムまたはアルミニウム合金をドライエッチングし
    た後、チェンバー内に酸素と水素とより組成されるガス
    を含まないガスを供給して放電を発生させ、その後放電
    中に、前記チェンバー内に酸素と水素とより組成される
    ガスを供給することを特徴とするドライエッチングの後
    処理方法。
  6. 【請求項6】 前記請求項1記載のドライエッチングの
    後処理方法において、 前記放電中に、チェンバー内に供給される酸素と水素と
    より組成されるガスの供給を停止することを特徴とする
    ドライエッチングの後処理方法。
  7. 【請求項7】 前記請求項1または請求項2記載のドラ
    イエッチングの後処理方法において、 酸素と水素とより組成されるガスを含まないガスが、酸
    素ガスまたは酸化窒素ガスあるいは酸化炭素ガスよりな
    ることを特徴とするドライエッチングの後処理方法。
  8. 【請求項8】 前記請求項1または請求項2記載のドラ
    イエッチングの後処理方法において、 酸素と水素とより組成されるガスを含まないガスが、希
    ガスよりなることを特徴とするドライエッチングの後処
    理方法。
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