JP2000114176A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000114176A5
JP2000114176A5 JP1998299079A JP29907998A JP2000114176A5 JP 2000114176 A5 JP2000114176 A5 JP 2000114176A5 JP 1998299079 A JP1998299079 A JP 1998299079A JP 29907998 A JP29907998 A JP 29907998A JP 2000114176 A5 JP2000114176 A5 JP 2000114176A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hours
epitaxial
atoms
wafer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1998299079A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2000114176A (ja
JP4647732B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP29907998A priority Critical patent/JP4647732B2/ja
Priority claimed from JP29907998A external-priority patent/JP4647732B2/ja
Publication of JP2000114176A publication Critical patent/JP2000114176A/ja
Publication of JP2000114176A5 publication Critical patent/JP2000114176A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4647732B2 publication Critical patent/JP4647732B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP29907998A 1998-10-06 1998-10-06 Ｐ／ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法 Expired - Lifetime JP4647732B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29907998A JP4647732B2 (ja) 1998-10-06 1998-10-06 Ｐ／ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29907998A JP4647732B2 (ja) 1998-10-06 1998-10-06 Ｐ／ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000114176A JP2000114176A (ja) 2000-04-21
JP2000114176A5 true JP2000114176A5 (https=) 2005-11-17
JP4647732B2 JP4647732B2 (ja) 2011-03-09

Family

ID=17867924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29907998A Expired - Lifetime JP4647732B2 (ja) 1998-10-06 1998-10-06 Ｐ／ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4647732B2 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4465141B2 (ja) * 2002-01-25 2010-05-19 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
KR101184380B1 (ko) * 2008-08-28 2012-09-20 매그나칩 반도체 유한회사 에피택셜 웨이퍼 제조 방법, 이를 적용한 에피택셜 웨이퍼,및 반도체 소자
US7977216B2 (en) * 2008-09-29 2011-07-12 Magnachip Semiconductor, Ltd. Silicon wafer and fabrication method thereof
CN116759325B (zh) * 2023-08-23 2023-11-03 江苏卓胜微电子股份有限公司 用于监控离子注入剂量的阻值监控方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03166733A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0897220A (ja) * 1994-09-26 1996-04-12 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
JPH10223641A (ja) * 1996-12-03 1998-08-21 Sumitomo Sitix Corp 半導体シリコンエピタキシャルウェーハ及び半導体デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI397619B (zh) 經砷及磷掺雜之具內部去疵之矽晶圓基材
JP2010532585A5 (https=)
CN100442442C (zh) 硅外延晶片的制造方法
JP2010532584A (ja) 高ドープ単結晶シリコン基板の酸素析出物の抑制
JP3381816B2 (ja) 半導体基板の製造方法
TW425641B (en) Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices
TW530325B (en) Semiconductor wafer manufacturing process
JP2004503086A (ja) 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置
JPH10208987A5 (ja) 熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法
JP2000114176A5 (https=)
JP2002184779A (ja) アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
JPH09283529A (ja) 半導体基板の製造方法およびその検査方法
JPH0891993A (ja) シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
JP4270713B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JPS60247935A (ja) 半導体ウエハの製造方法
JP3578396B2 (ja) 結晶格子欠陥を有する半導体ディスク及びその製造法
JP4511378B2 (ja) ＳＯＩ基板を用いた単結晶ＳｉＣ層を形成する方法
JPH10144698A (ja) シリコンウエーハ及びその製造方法
JP4647732B2 (ja) Ｐ／ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法
JPS5821829A (ja) 半導体装置の製造方法
CN100430531C (zh) 丘克拉斯基提拉器
CN103094316B (zh) 一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片及其制备方法
JPS63123893A (ja) シリコン単結晶製造方法
JPS6326541B2 (https=)
JPH0247836A (ja) 半導体装置の製造方法