JP2000111951A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板の電
極を透明金属で形成し、透過率を向上させることができ
ると共に、横電界方式の液晶表示装置と同一の動作をす
ることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 薄膜トランジスタ側基板７と、この薄膜
トランジスタ側基板７に対向する対向側基板９と、前記
対向側基板９及び薄膜トランジスタ側基板７との間に挟
持される液晶１７と、を有し、前記対向側基板９の薄膜
トランジスタ側基板７との対向面９ａには、透明な導電
体電極が形成され、前記薄膜トランジスタ側基板７の対
向側基板９との対向面７ａには、画素電極６とこの画素
電極６部分に整合する位置にスリットが設けられた層間
絶縁膜８とが形成されており、前記液晶１７は、負の誘
電率異方性を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス型液晶表示装置に関し、特に、液晶を制御する電
極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置には、横電界方式
（以下 ＩＰＳ；In-Plate Switchingという）型液晶
表示装置が提案されている。図１２は、従来の液晶表示
装置の平面図であり、図１３は、図１２のＤ−Ｄ線断面
図である。
【０００３】従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置１００に
おいては、対向側ガラス基板１０５と薄膜トランジスタ
（以下 ＴＦＴという。）側ガラス基板１０４とからな
る１対の透明ガラス基板の間に、液晶層１０７が挟持さ
れて配設されている。
【０００４】ＴＦＴ側ガラス基板１０４には、下層配線
１０１及び下層櫛歯電極１１０がＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ等の
非透明金属で形成されており、層間絶縁膜１０８と半導
体層がプラズマＣＶＤ法（以下 Ｐ−ＣＶＤ法とい
う。）により成膜されている。そして、フォトレジスト
（以下 ＰＲという。）工程で半導体パターン１０２を
形成し、上層配線１０３及び上層櫛歯電極１１０を下層
配線１０１と同様の材料で形成し、チャネルエッチング
した後、トランジスタ（以下 Ｔｒという。）保護膜１
１４を形成する。
【０００５】また、対向側ガラス基板１０５には、色層
１０６が塗布され、色層１０６からの不純物の影響を阻
止するため、アクリル系樹脂を対向側ガラス基板１０５
の全面に塗布してオーバーコート層１１１が形成されて
いる。これらの基板には配向膜１１２が塗布され、この
配向膜１１２に配向処理がなされ、ＴＦＴ側ガラス基板
１０４と対向側ガラス１０５基板との間に液晶を注入し
て液晶層１０７が形成されている。
【０００６】上述の構成のＩＰＳ方式の液晶表示装置１
００においては、上層櫛歯電極１０９及び下層櫛歯電極
１１０との間に電界をかけて横電界を発生させることに
より、液晶を制御して表示させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＩＰＳ
型液晶表示装置では、横電界を発生させる電極が非透明
であるため、透過率が低い。また、液晶層内に発生する
横電界を乱さないために対向電極の液晶層に接する部分
にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明金属で形成
された透明電極を成膜することができない。このため、
色層からの不純物の侵入を阻止するために、オーバーコ
ート層を塗布しなければならないという問題点があっ
た。
【０００８】更に、対向側ガラス基板には、電界をシー
ルドする導電体が存在しないため、内部電界に影響を与
えない基板裏面側に透明導電膜を成膜したり、導電性を
持つ偏光板を使用する等の外部電界に対する電界シール
ドが必要となる問題点があった。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板の
電極を透明金属で形成し、透過率を向上させることがで
きると共に、横電界方式の液晶表示装置と同一の動作を
することができる液晶表示装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１発明に係るアク
ティブマトリックス液晶表示装置は、薄膜トランジスタ
側基板と、この薄膜トランジスタ側基板に対向する対向
側基板と、前記対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板
との間に挟持される液晶と、を有し、前記対向側基板の
薄膜トランジスタ側基板との対向面には、透明な導電体
電極が形成され、前記薄膜トランジスタ側基板の対向側
基板との対向面には、画素電極とこの画素電極部分に整
合する位置にスリットが設けられた層間絶縁膜とが形成
されており、前記液晶は、負の誘電率異方性を有するこ
とを特徴とする。
【００１１】本願第２発明に係るアクティブマトリック
ス液晶表示装置は、薄膜トランジスタ側基板と、この薄
膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対
向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持され
る液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ
側基板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、
前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面に
は、画素電極と前記画素電極部分が電極幅と電極スペー
スを有するスリットとが形成され、前記液晶は、負の誘
電率異方性を有することを特徴とする。
【００１２】本発明においては、前記画素電極の電極幅
がＷ、前記対向側基板と薄膜トランジスタ側基板とのパ
ネルギャップがｄであるとき、Ｗ＜ｄであることが好ま
しく、前記画素電極の電極スペースがＳであるとき、前
記パネルギャップのｄに対して、ｄ＜Ｓ＜３ｄであるこ
とが好ましい。また、前記画素電極は、光を透過するこ
とが可能な透明金属で形成することもできる。
【００１３】本願第３発明に係るアクティブマトリック
ス液晶表示装置は、薄膜トランジスタ側基板と、この薄
膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対
向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持され
る液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ
側基板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、
前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面に
は、スリットが設けられた層間絶縁膜と、前記スリット
に埋設可能に形成された画素電極とが設けられ、前記液
晶は、負の誘電率異方性を有する液晶を挟み込むことを
特徴とする。
【００１４】本願第４発明に係るアクティブマトリック
ス液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ側基板
と、この薄膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板
と、前記対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間
に挟持される液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜ト
ランジスタ側基板との対向面には、透明な導電体電極が
形成され、前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板と
の対向面には、画素電極と前記画素電極部分に整合する
位置に段差スリットを設けた層間絶縁膜とを前記薄膜ト
ランジスタ側基板に形成し、前記液晶は、負の誘電率異
方性を有することを特徴とする。
【００１５】本願第５発明に係るアクティブマトリック
ス液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ側基板
と、この薄膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板
と、前記対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間
に挟持される液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜ト
ランジスタ側基板との対向面には、透明な導電体電極が
形成され、前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板と
の対向面には、画素電極と前記画素電極部分が電極幅と
電極スペースを有するスリットとが形成されると共に、
前記液晶は、負の誘電率異方性を有することを特徴とす
る。
【００１６】本願第６発明に係るアクティブマトリック
ス液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ側基板
と、この薄膜トランジスタ側基板に対向する対向側基板
と、前記対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板との間
に挟持される液晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜ト
ランジスタ側基板との対向面には、透明な導電体電極が
形成され、前記薄膜トランジスタ側基板の対向側基板と
の対向面には、スリットが設けられた層間絶縁膜と、前
記スリットに埋設可能に形成された画素電極とが形成さ
れ、前記液晶は、負の誘電率異方性を有することを特徴
とする。
【００１７】本発明においては、前記画素電極は、光を
透過することが可能な透明金属で形成されていることが
好ましい。
【００１８】本発明においては、対向側基板及びＴＦＴ
側基板の夫々の電極を透明金属で形成することにより、
従来、光を透過させることができなかった画素電極部分
も光を透過させることができるために、透過率を上げる
ことができると共に、横電界により、液晶を制御するこ
とができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明
の第１実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図
である。
【００２０】本発明の第１実施例に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置１は、色層１０、対向電極１１及
び配向膜１６が形成されている対向側基板９と、画素電
極６に整合する位置にスリットとして絶縁膜スリット５
が形成された層間絶縁膜１３を有するＴＦＴ側基板７と
が夫々対向させられている。この間に負の誘電率異方性
を持った液晶を含む液晶層１２を挟み込む構成になって
いる。
【００２１】対向側基板９には、ＴＦＴ側基板７に対向
する対向面７ａ側に全面に亘り、色層１０、透明な導電
体金属で形成された対向電極１１及び配向膜１６が順次
形成されている。ＴＦＴ側基板７には、対向側基板９に
対向する対向面９ａ側に全面に亘り、層間絶縁膜１３に
絶縁膜スリット５が形成される。この層間絶縁膜１３
は、間隔を有する段差スリットが島状にＴＦＴ側基板７
に形成されている。この層間絶縁膜１３及びＴＦＴ側基
板７の上には、画素電極６が均一な厚さで段差を持って
形成される。また、Ｔｒ保護膜として絶縁膜８が形成さ
れる。更に、絶縁膜８の上には配向膜１６が形成されて
いる。なお、画素電極６は、全て同一電位になるように
下層配線２により接続されている。また、上述の配向膜
１６は、配向処理されている。
【００２２】次に、本発明の第１実施例に係るアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法について説明す
る。対向側基板９には、ＴＦＴ側基板７に対向する対向
面９ａの全面に亘り、色層１０の上にＩＴＯ等の透明金
属で対向電極１１を形成し、対向電極９の上に液晶の配
向方向を制御する配向膜１６を塗布する。
【００２３】ＴＦＴ側基板７には、対向側基板９に対向
する対向面７ａに、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ等の金属
膜で下層電極２を形成する。次にＰ−ＣＶＤ法で層間絶
縁膜１３及び半導体層を形成し、ＰＲ工程で半導体パタ
ーン３と絶縁膜スリット５を形成した後に例えば、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｍｏ等の金属膜で上層配線４を形成し、例え
ば、ＩＴＯ等の透明金属で画素電極６を形成して、最後
にＴｒ保護膜としての絶縁膜８を形成する。この絶縁層
の上に配向膜１６を塗布して対向側基板９との間に負の
誘電率異方性をもった液晶１７を狭持することにより、
本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置１は完成
する。なお、上述のいずれの配向膜１６においても、こ
の配向膜１６を塗布した後に配向処理をする。その他の
製造工程及び構成は、従来のＴＮ型液晶表示装置技術と
同一である。
【００２４】次に、本発明の第１実施例の動作を図３、
図７及び図８を参照して説明する。図７は、本発明の係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置における電界ベ
クトルと液晶の動作方向を示す断面図である。図８は、
本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の電
界ベクトルの方向と液晶の動作説明図である。なお、図
８において、説明のために配向膜１６は省略している。
【００２５】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置１は、対向側基板９の対向電極１１とＴＦＴ側基
板７の画素電極６との間に電圧を印加すると電界Ｅは図
３に示す電界ベクトル１４の方向に発生する。本実施例
においては、負の誘電率異方性をもつ液晶１７を使用し
基板に並行する方向に配向を行うので縦方向の電界Ｅは
液晶を寝かせる方向のトルクしか発生しない。即ち、液
晶１７はプレチルトがなくなる方向にしか変化しないた
めに表示は変化しない。
【００２６】しかし、ＴＦＴ側基板７の絶縁膜スリット
５を形成した部分の画素電極６のエッジ部分６ａでは、
縦電界Ｅｙと横電界Ｅｘの合成電界Ｅｃである斜め方向
に電界が発生する。このために、合成電界Ｅｃの横電界
Ｅｘ成分により液晶が動作する。この横電界Ｅｘが図８
に示すように液晶１７をプレチルト位置１７ａから表示
可能な配向位置１７ｂまで、液晶１７を横方向に回転さ
せてＩＰＳ動作を起こすことになる。
【００２７】本実施例においては、対向側基板９及びＴ
ＦＴ側基板７に、夫々、透明金属であるＩＴＯ等で形成
された対向電極１１及びが画素電極６が全面に亘り、設
けられている。即ち、導電性の金属膜が液晶を動作させ
る部分を覆っていることにより、従来のＩＰＳ方式の液
晶表示装置で不可欠であった外部電界からのシールド構
造、例えば、カラーフィルター裏面側へのＩＴＯ電極の
形成又は導電性偏光板の採用等を省略することができ
る。
【００２８】また、本実施例においては、対向側基板９
は、画面内の色層及びブラックマトリクス（以下 ＢＭ
という。）層（図示せず）を全て対向電極１１で覆う構
成であることから、従来のＩＰＳ方式の対向側基板にお
いて、色層及び樹脂等で形成されたＢＭ層からの不純物
をブロックする目的で塗布していたアクリル樹脂等のオ
ーバーコート層を不要とすることができる。
【００２９】更に、本実施例においては、対向側基板９
側は画面部分を全て、ＩＴＯ等の透明金属で形成した対
向電極１１で覆われるために電界的には対向電極１１で
制御することができる。このことにより、従来提案され
ているＩＰＳ方式及びハイブリッド方式のように画素内
の電界を乱さないために非金属である樹脂製ＢＭを使用
する必要がない。従って、金属を用いてＢＭを形成する
ことができる。
【００３０】更にまた、本実施例においては、対向側基
板９側をパターニングする必要がないため、ＴＦＴ基板
７側との重ね合せは、従来のねじれ液晶（以下 ＴＮと
いう。）型アクティブマトリクス型表示装置と同様な精
度を実現すればよく、ＴＦＴ側基板７及び対向側基板９
は、従来のＴＮ型アクティブマトリクス表示装置の製造
方法で製造可能であり、本実施例のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置１は、従来の横電界方式の製造方法を
用いて製造することができる。よって、新たな製造方法
及び設備を導入する必要がなく、従来の製造方法及び装
置を用いることができるためにアクティブマトリクス型
液晶表示装置１はコストダウンが可能になる。
【００３１】次に、本発明に係る第２実施例について、
添付した図面を参照して説明する。なお、図１乃至図４
に示す第１実施例と同一構成には、同一符号を付しその
詳細な説明は省略する。図４は、本発明の実施例２に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の平面図を示
す。図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図を示す。図６は、本
発明の第２実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表
示装置における電界ベクトルの方向を示す断面図であ
る。
【００３２】本発明の第２実施例は、第１実施例と比較
して、ＴＦＴ側基板７の上に厚さの均一な層間絶縁膜１
３を形成し、その層間絶縁膜１３に電極幅Ｗの画素電極
６を電極スペースＳの画素電極スリット１５が設けられ
ている。即ち、画素電極６と画素電極６部分が電極幅Ｗ
と電極スペースＳをもったスリットが形成されている。
画素電極６の上には、絶縁膜８が形成されると共に、こ
の絶縁膜８は、ＴＦＴ側基板７の対向面７ａ側で平坦に
成形されている。また、画素電極６は全て同一電位にな
るように周辺で接続する。ここで、電極幅Ｗは、対向側
基板９とＴＦＴ側基板７との間隔、即ち、液晶層１２の
厚さであるパネルギャップをｄとした場合に、パネルギ
ャップｄに対して下記数式１の関係を保つように設定さ
れる。
【００３３】
【数１】Ｗ＜ｄ
【００３４】更に、画素電極スリット１５の電極スペー
スＳは、パネルギャップｄに対して、下記数式２の関係
を保つように設定される。その他の構成は本発明の第１
実施例と同じである。
【００３５】
【数２】３ｄ＞Ｓ＞ｄ
【００３６】第２実施例の動作について、図６、図７及
び図８を参照して説明する。図６に示すように画素電極
６のエッジ部分６ａにおいて横電界Ｅｘが発生する。但
し、図８に示すように画素電極６の幅Ｗをパネルギャッ
プｄに対して小さくしていくと液晶１７の弾性ばねによ
り画素電極６のエッジ部分６ａで回転した液晶１７につ
られて画素電極６上の液晶１７も同様の方向へ回転す
る。この画素電極６は、第１実施例と同様に透明金属で
形成されているために光を透過させることができる。こ
れは、従来のＩＰＳ型液晶表示装置において、電極部分
では光が透過しないことと比較して透過率が向上する要
因となる。
【００３７】本実施例においては、画素電極６の電極ス
ペースＳは第１実施例と比較して横電界を効率よく発生
させる目的で形成されている。即ち、第１実施例では、
絶縁膜スリット５の間にも画素電極６が存在するため、
縦電界Ｅｙのほうが横電界Ｅｘよりも強くなるために液
晶１７が基板に押さえつけられる状態になり液晶１７の
横回転が弱くなる。
【００３８】ここで、数式２に示すように、パネルギャ
ップｄをＳ＞ｄとすることで横電界Ｅｘが効率よく発生
させることができるが、横電界Ｅｘは画素電極６のエッ
ジ部分６ａにのみ発生するために、画素電極６の電極ス
ペースＳを開けすぎると液晶１７の弾性ばねによる回転
トルクが画素電極スリット１５の電極スペースＳ領域全
体をカバー出来なくなる。このために液晶１７が回転し
なくなる領域が発生する。
【００３９】もともと、透明金属で形成された画素電極
６の中央部分は電界Ｅが基板に対して垂直にしか発生し
ないために、液晶１７の弾性により、画素電極６部の液
晶１７を動作させるしかない。しかし、画素電極６間の
電極スペースＳを広くすることで横電界Ｅｘが効率よく
発生するために液晶層１２の透過率が最大になる電圧Ｖ
ｔmaxが低下する。このことにより、電極スペースＳ
は、好ましくは下記数式３を保つように設定する。
【００４０】
【数３】３ｄ＞Ｓ
【００４１】また、本実施例においては、従来のＩＰＳ
方式では、櫛歯電極が非透明金属で形成され光が透過し
ないために開口率が低下し、透過率を低くしていたが、
本実施例においては、画素電極６及び対向電極１１を透
明金属からなる透明電極とし、画素電極６上の液晶１７
も液晶１７の弾性の影響で回転させることにより、従
来、光を透過させることができなった画素電極６部分に
おいても光を透過させることができる。
【００４２】更に、本実施例においては、画素電極６と
画素電極６部分が電極幅Ｗと電極スペースＳをもったス
リットを形成する。画素電極６の上には、絶縁膜８が形
成されると共に、この絶縁膜８は、ＴＦＴ側基板７の対
向面７ａ側で平坦に形成されているために、ＴＦＴ側基
板７がフラットになり液晶１７の配向制御を容易にする
ことができる。
【００４３】本発明に係る第３実施例について、添付し
た図面を参照して説明する。なお、図１乃至図３に示す
第１実施例と同一構成には、同一符号を付しその詳細な
説明は省略する。図９は、本発明の第３実施例に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の平面図であり、図
１０は、図９のＣ−Ｃ線断面図を示す。図１１は、本発
明の第３実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置の動作状態を示す。
【００４４】本実施例は、第１実施例と比較して、ＴＦ
Ｔ側基板７の層間絶縁膜１３にスリットとして絶縁膜ス
リット５を設け、この絶縁膜スリット５部分に画素電極
６を埋設可能に形成し、この絶縁膜スリット５部分に画
素電極６を配置し、そして、層間絶縁膜１３及び画素電
極６の上に、絶縁膜８をＴＦＴ側基板７の対向面７ａ側
で平坦に形成する点が異なるだけで、その他の構成は本
発明の第１実施例と同一構成である。
【００４５】本実施例においては、上述の実施例と同様
に、ＴＦＴ側基板７の画素電極６のエッジ部分６ａで横
電界Ｅｘを発生させ、この横電界Ｅｘで図８に示すよう
に液晶１７をプレチルト位置１７ａから表示可能な配向
位置１７ｂまで、液晶１７を横方向に回転させてＩＰＳ
動作を発生させるものである。
【００４６】また、本実施例においては、層間絶縁膜１
３に絶縁膜スリット５を形成して画素電極６を埋め込む
ことにより、電極幅を小さくすることができるために、
画素電極６上の液晶１７が少なくなる。よって、第２実
施例と比較して確実に画素電極６上の液晶１７を回転さ
せることができる。
【００４７】更に、本実施例においては、第２実施例に
示したように、画素電極６と画素電極６部分が電極幅Ｗ
と電極スペースＳをもったスリット構造を有する構成と
することもできる。
【００４８】更にまた、本実施例においては、ＴＦＴ側
基板７の対向面７ａに層間絶縁膜１３が均一な厚さで平
坦に形成され、層間絶縁膜１３に設けられた絶縁膜スリ
ット５に画素電極６を配置する構成にすることにより、
ＴＦＴ側基板７がフラットになり液晶１７の配向制御を
容易にすることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明においては、
対向側及びＴＦＴ側基板の夫々の電極を透明金属で形成
することにより、従来、光を透過させることができなか
った画素電極部分も光を透過させることができるため
に、透過率を上げることができると共に、横電界によ
り、液晶を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置における電界ベクトルの方向を示す図
である。
【図４】本発明の第２実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】本発明の第２実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置における電界ベクトルの方向を示す断
面図である。
【図７】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置における電界ベクトルと液晶の動作方向を示す断面
図である。
【図８】本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示
装置の電界ベクトルの方向と液晶の動作説明図である。
【図９】本発明の第３実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１１】本発明の第３実施例に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における電界ベクトルの方向を示す
断面図である。
【図１２】従来の横電界方式型液晶表示装置の平面図で
ある。
【図１３】図１２のＤ−Ｄ線断面図である。
【符号の説明】
１；アクティブマトリクス型液晶表示装置 ２、１０１；下層配線 ３、１０２；半導体パターン ４、１０３；上層配線 ５；絶縁膜スリット ６；画素電極 ６ａ；エッジ部分 ７；ＴＦＴ側基板 ７ａ、９ａ；対向面 ８；絶縁膜 ９；対向側基板 １０、１０６；色層 １１；対向電極 １２、１０７；液晶層 １３、１０８；層間絶縁膜 １４、１１３；電界ベクトル １５；画素電極スリット １６、１１２；配向膜 １７；液晶 １７ａ；初期配向 １７ｂ；配向位置 １００；液晶表示装置 １０４；ＴＦＴ側ガラス基板 １０５；対向側ガラス基板 １０９；上層櫛歯電極 １１０；下層櫛歯電極 １１１；オーバーコート層 １１４；トランジスタ保護膜 Ｅ；電界 Ｅｃ；合成電界 Ｅｘ；横電界 Ｅｙ；縦電界 ｄ；パネルギャップ Ｓ；電極スペース Ｗ；電極幅

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    画素電極とこの画素電極部分に整合する位置にスリット
    が設けられた層間絶縁膜とが形成されており、前記液晶
    は、負の誘電率異方性を有することを特徴とするアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    画素電極と前記画素電極部分が電極幅と電極スペースを
    有するスリットとが形成され、前記液晶は、負の誘電率
    異方性を有することを特徴とするアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記画素電極の電極幅がＷ、前記対向側
    基板と薄膜トランジスタ側基板とのパネルギャップがｄ
    であるとき、Ｗ＜ｄであることを特徴とする請求項２に
    記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記画素電極の電極スペースがＳである
    とき、前記パネルギャップのｄに対して、ｄ＜Ｓ＜３ｄ
    であることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    スリットが設けられた層間絶縁膜と、前記スリットに埋
    設可能に形成された画素電極とが設けられ、前記液晶
    は、負の誘電率異方性を有する液晶を挟み込むことを特
    徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    画素電極と前記画素電極部分に整合する位置に段差スリ
    ットを設けた層間絶縁膜とを前記薄膜トランジスタ側基
    板に形成し、前記液晶は、負の誘電率異方性を有するこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    画素電極と前記画素電極部分が電極幅と電極スペースを
    有するスリットとが形成されると共に、前記液晶は、負
    の誘電率異方性を有することを特徴とするアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 薄膜トランジスタ側基板と、この薄膜ト
    ランジスタ側基板に対向する対向側基板と、前記対向側
    基板及び薄膜トランジスタ側基板との間に挟持される液
    晶と、を有し、前記対向側基板の薄膜トランジスタ側基
    板との対向面には、透明な導電体電極が形成され、前記
    薄膜トランジスタ側基板の対向側基板との対向面には、
    スリットが設けられた層間絶縁膜と、前記スリットに埋
    設可能に形成された画素電極とが形成され、前記液晶
    は、負の誘電率異方性を有することを特徴とするアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記画素電極は、光を透過することが可
    能な透明金属で形成されていることを特徴とする請求項
    １乃至８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
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