JPH05181150A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子Info
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- JPH05181150A JPH05181150A JP4018195A JP1819592A JPH05181150A JP H05181150 A JPH05181150 A JP H05181150A JP 4018195 A JP4018195 A JP 4018195A JP 1819592 A JP1819592 A JP 1819592A JP H05181150 A JPH05181150 A JP H05181150A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電性液晶素子において、白または黒の定
型パターンを書き込み駆動し続けたときに生じる表示不
良を防止する。 【構成】 選択電極となる透明電極を有する第１の基板
と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との間に
強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子におい
て、前記各基板４の透明電極２の下に該電極幅の１／１
０以下の幅を有する薄膜ストライプ電極１を複数本設け
る。
型パターンを書き込み駆動し続けたときに生じる表示不
良を防止する。 【構成】 選択電極となる透明電極を有する第１の基板
と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との間に
強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子におい
て、前記各基板４の透明電極２の下に該電極幅の１／１
０以下の幅を有する薄膜ストライプ電極１を複数本設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカイラルスメクチック液
晶を用いた液晶素子に関し、特にマルチプレックシング
駆動中に起こる液晶分子の移動による、セルギャップの
増大や空隙の発生を抑制した強誘電性液晶素子に関す
る。
晶を用いた液晶素子に関し、特にマルチプレックシング
駆動中に起こる液晶分子の移動による、セルギャップの
増大や空隙の発生を抑制した強誘電性液晶素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチック
相（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光学的安
定状態（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状
態）のいずれかを取り、かつ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかである。このため、高
速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用が期待
され、特にその機能から大画面で高精細なディスプレイ
への応用が期待されている。
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチック
相（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光学的安
定状態（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状
態）のいずれかを取り、かつ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかである。このため、高
速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用が期待
され、特にその機能から大画面で高精細なディスプレイ
への応用が期待されている。
【０００３】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こ
るような分子配列状態にあることが必要である。
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こ
るような分子配列状態にあることが必要である。
【０００４】また、液晶の複屈折を利用した液晶素子の
場合、直交ニコル下での透過率は、
場合、直交ニコル下での透過率は、
【０００５】
【数２】 で表わされる。前述の非らせん構造におけるチルト角θ
は、第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子
の平均分子軸方向の角度として現われることになる。上
式によれば、かかるチルト角θが２２．５°の角度の時
最大の透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造
でのチルト角θが２２．５°にできる限り近いことが好
ましい。
は、第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子
の平均分子軸方向の角度として現われることになる。上
式によれば、かかるチルト角θが２２．５°の角度の時
最大の透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造
でのチルト角θが２２．５°にできる限り近いことが好
ましい。
【０００６】ところで、強誘電性液晶の配向方法として
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層を、その法線に沿って一
軸方向に配向させることができ、しかも製造プロセス
も、簡便なラビング処理により実現できるものが望まし
い。
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層を、その法線に沿って一
軸方向に配向させることができ、しかも製造プロセス
も、簡便なラビング処理により実現できるものが望まし
い。
【０００７】強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラ
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
【０００８】スメクチック層のシェブロン構造を含む配
向状態は、図３に示すようなＣ１およびＣ２の２種類の
配向モデルで説明できる。図３において、３１はスメク
チック層、３２はＣ１配向の領域、３３はＣ２配向の領
域を表わす。スメクチック液晶は、一般に層構造をもつ
が、ＳｍＡ相からＳｍＣ相またはＳｍＣ* 相に転移する
と層間隔が縮むので、図３のように層が上下基板１４ａ
と１４ｂの中央で折れ曲った構造（シェブロン構造）を
とる。折れ曲る方向は図に示すようにＣ１とＣ２の２つ
あり得るが、よく知られているようにラビングによって
基板界面の液晶分子は基板に対して角度をなし（プレチ
ルト）、その方向はラビング方向Ａに向かって液晶分子
が頭をもたげる（先端が浮いた格好になる）向きであ
る。このプレチルトのためにＣ１配向とＣ２配向は弾性
エネルギー的に等価でなく、上述のようにある温度で転
移が起こる。また、機械的な歪みで転移が起こることも
ある。図３の層構造を平面的にみると、ラビング方向Ａ
に向ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境界３４は
ジグザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２か
らＣ１に移るときの境界３５は幅の広い、ゆるやかな曲
線状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
向状態は、図３に示すようなＣ１およびＣ２の２種類の
配向モデルで説明できる。図３において、３１はスメク
チック層、３２はＣ１配向の領域、３３はＣ２配向の領
域を表わす。スメクチック液晶は、一般に層構造をもつ
が、ＳｍＡ相からＳｍＣ相またはＳｍＣ* 相に転移する
と層間隔が縮むので、図３のように層が上下基板１４ａ
と１４ｂの中央で折れ曲った構造（シェブロン構造）を
とる。折れ曲る方向は図に示すようにＣ１とＣ２の２つ
あり得るが、よく知られているようにラビングによって
基板界面の液晶分子は基板に対して角度をなし（プレチ
ルト）、その方向はラビング方向Ａに向かって液晶分子
が頭をもたげる（先端が浮いた格好になる）向きであ
る。このプレチルトのためにＣ１配向とＣ２配向は弾性
エネルギー的に等価でなく、上述のようにある温度で転
移が起こる。また、機械的な歪みで転移が起こることも
ある。図３の層構造を平面的にみると、ラビング方向Ａ
に向ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境界３４は
ジグザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２か
らＣ１に移るときの境界３５は幅の広い、ゆるやかな曲
線状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
【０００９】強誘電性液晶を配向するための相互にほぼ
平行で同一方向の一軸性配向処理が施された一対の基板
を備え、強誘電性液晶のプレチルト角をα、チルト角
（コーン角の１／２）をΘ、ＳｍＣ* 層の傾斜角をδと
し、強誘電性液晶が
平行で同一方向の一軸性配向処理が施された一対の基板
を備え、強誘電性液晶のプレチルト角をα、チルト角
（コーン角の１／２）をΘ、ＳｍＣ* 層の傾斜角をδと
し、強誘電性液晶が
【００１０】
【数３】 で表わされる配向状態を有するようにすると、Ｃ１配向
状態においてさらにシェブロン構造を有する４つの状態
が存在する。
状態においてさらにシェブロン構造を有する４つの状態
が存在する。
【００１１】この４つのＣ１配向状態は、従来のＣ１配
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここで、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態における４つの状態
のうち、
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここで、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態における４つの状態
のうち、
【００１２】
【数４】 の関係を示す状態をユニフォーム状態という。
【００１３】ユニフォーム状態においては、その光学的
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図４（Ａ）はＣ１配向の各状態における
基板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図であ
る。図中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコー
ンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示し
ており、５１および５２がスプレイ状態、５３および５
４がユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置で
ある。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５
３と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分
子の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図
４（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界面のスイッチング
はなく内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。
このＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ
２配向における双安定状態よりも大きなチルト角θａを
生じ、輝度が高く、しかもコントラストが高い。
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図４（Ａ）はＣ１配向の各状態における
基板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図であ
る。図中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコー
ンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示し
ており、５１および５２がスプレイ状態、５３および５
４がユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置で
ある。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５
３と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分
子の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図
４（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界面のスイッチング
はなく内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。
このＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ
２配向における双安定状態よりも大きなチルト角θａを
生じ、輝度が高く、しかもコントラストが高い。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここで
用いられている配向方法、つまり、Θ＞θａ＞Θ／２の
構成で成り立つ強誘電性液晶セルにおいては、下述の如
き問題点を有していた。
用いられている配向方法、つまり、Θ＞θａ＞Θ／２の
構成で成り立つ強誘電性液晶セルにおいては、下述の如
き問題点を有していた。
【００１５】すなわち、発明者等の実験によれば、従来
のラビング処理したポリイミド膜によって、ハイプレチ
ルト配向構造を有する非らせん構造の強誘電性液晶セル
において、白または黒の定型パターンを書き込み駆動し
続けたとき、図５に示すように白黒に対応した分子位置
に応じた方向で、カイラルスメクチックＣ状態の層方向
に液晶分子が移動する。移動の進行方向へは液晶が蓄積
し、セルギャップを押し拡げて液晶層の厚さを拡大する
ことにより黄色く着色（黄変）する。また、移動の反対
側には、液晶分子が無くなって空隙を形成することにな
る。この現象はセルのシール近傍が最も顕著であり、セ
ルの内側へと拡大する。図５において、６０は液晶セ
ル、６１は白表示部、６２は黒表示部、６３，６４は液
晶分子移動方向、６５は黄変部、６６は空隙部、６７は
ラビング方向、６８は走査電極駆動回路、６９は情報電
極駆動回路、７０はシールである。
のラビング処理したポリイミド膜によって、ハイプレチ
ルト配向構造を有する非らせん構造の強誘電性液晶セル
において、白または黒の定型パターンを書き込み駆動し
続けたとき、図５に示すように白黒に対応した分子位置
に応じた方向で、カイラルスメクチックＣ状態の層方向
に液晶分子が移動する。移動の進行方向へは液晶が蓄積
し、セルギャップを押し拡げて液晶層の厚さを拡大する
ことにより黄色く着色（黄変）する。また、移動の反対
側には、液晶分子が無くなって空隙を形成することにな
る。この現象はセルのシール近傍が最も顕著であり、セ
ルの内側へと拡大する。図５において、６０は液晶セ
ル、６１は白表示部、６２は黒表示部、６３，６４は液
晶分子移動方向、６５は黄変部、６６は空隙部、６７は
ラビング方向、６８は走査電極駆動回路、６９は情報電
極駆動回路、７０はシールである。
【００１６】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、選択電極と共通電極をそれぞれ
有する一組の基板間に強誘電性液晶を保持してなる強誘
電性液晶素子において、白または黒の定型パターンを書
き込み駆動し続けたときに生じる表示不良を防止するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたもので、選択電極と共通電極をそれぞれ
有する一組の基板間に強誘電性液晶を保持してなる強誘
電性液晶素子において、白または黒の定型パターンを書
き込み駆動し続けたときに生じる表示不良を防止するこ
とを目的とする。
【００１７】本発明者等は、上記の目的を達成するもの
として先に、選択電極となる透明電極を有する第１の基
板と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との間
に強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子におい
て、前記少なくとも一方の基板の透明電極の表面に該電
極の長手方向と平行なストライプ状の凹凸を形成したこ
とを特徴とする強誘電性液晶表示素子を案出し、特願平
３−２６１３５３号として出願した。この先の出願にお
いては透明電極下に薄膜ストライプ電極を複数設けるこ
とにより前記凹凸を形成する例が記載されている。
として先に、選択電極となる透明電極を有する第１の基
板と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との間
に強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子におい
て、前記少なくとも一方の基板の透明電極の表面に該電
極の長手方向と平行なストライプ状の凹凸を形成したこ
とを特徴とする強誘電性液晶表示素子を案出し、特願平
３−２６１３５３号として出願した。この先の出願にお
いては透明電極下に薄膜ストライプ電極を複数設けるこ
とにより前記凹凸を形成する例が記載されている。
【００１８】本発明者等は、さらに検討を続けた結果、
薄膜ストライプ電極の幅を狭くすることによって前記表
示不良防止効果がさらに顕著になることを見出し本発明
に到達した。
薄膜ストライプ電極の幅を狭くすることによって前記表
示不良防止効果がさらに顕著になることを見出し本発明
に到達した。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明では、選択電極と
なる透明電極を有する第１の基板と共通電極となる透明
電極を有する第２の基板との間に強誘電液晶を保持して
なる強誘電液晶表示素子において、前記各基板の透明電
極の下に該電極幅の１／１０以下の幅を有する薄膜スト
ライプ電極を複数本設けたことを特徴とする。
なる透明電極を有する第１の基板と共通電極となる透明
電極を有する第２の基板との間に強誘電液晶を保持して
なる強誘電液晶表示素子において、前記各基板の透明電
極の下に該電極幅の１／１０以下の幅を有する薄膜スト
ライプ電極を複数本設けたことを特徴とする。
【００２０】前記薄膜ストライプ電極は、透明電極と同
じ透明導電材料またはこの透明導電材料以外の金属材料
のいずれで形成してもよい。
じ透明導電材料またはこの透明導電材料以外の金属材料
のいずれで形成してもよい。
【００２１】
【作用】本発明者等の研究によれば、上述したセル端部
でのセル厚の増加は、駆動により液晶自身が液晶セル間
の特定の方向へ移動することによってセル端部での圧力
が増加する結果生じることが認められた。液晶分子が液
晶セルの中を移動する力の発生原因は不明だが、おそら
く駆動パルスによる交流的な電界で、液晶分子の双極子
モーメントが揺らぐことにより発生する電気力学的効果
であろうと推測される。また、本発明者等の実験によれ
ば、移動の方向６３，６４は図６（Ａ）に示すようにラ
ビング方向６７と液晶分子の平均分子軸方向７１，７２
により決まっている。液晶分子の移動方向がこのように
ラビングの方向に依存することから、その現象は基板界
面でのプレチルトの状態に依存していることが推測され
る。平均分子軸方向７１，７２は強誘電性液晶分子の双
安定状態における平均的な分子位置を示している。ここ
で、例えば、平均分子軸方向が７１で示した状態で液晶
がスイッチングしない程度の適当な交流電界を印加する
と、矢印６３方向に液晶分子が移動する。但し、ここで
は自発分極の向きが負である液晶材料を用いた場合につ
いて述べている。さらに、この液晶移動現象はセルの配
向状態に依存している。
でのセル厚の増加は、駆動により液晶自身が液晶セル間
の特定の方向へ移動することによってセル端部での圧力
が増加する結果生じることが認められた。液晶分子が液
晶セルの中を移動する力の発生原因は不明だが、おそら
く駆動パルスによる交流的な電界で、液晶分子の双極子
モーメントが揺らぐことにより発生する電気力学的効果
であろうと推測される。また、本発明者等の実験によれ
ば、移動の方向６３，６４は図６（Ａ）に示すようにラ
ビング方向６７と液晶分子の平均分子軸方向７１，７２
により決まっている。液晶分子の移動方向がこのように
ラビングの方向に依存することから、その現象は基板界
面でのプレチルトの状態に依存していることが推測され
る。平均分子軸方向７１，７２は強誘電性液晶分子の双
安定状態における平均的な分子位置を示している。ここ
で、例えば、平均分子軸方向が７１で示した状態で液晶
がスイッチングしない程度の適当な交流電界を印加する
と、矢印６３方向に液晶分子が移動する。但し、ここで
は自発分極の向きが負である液晶材料を用いた場合につ
いて述べている。さらに、この液晶移動現象はセルの配
向状態に依存している。
【００２２】本発明によれば、表示用透明電極となる選
択電極と共通電極をそれぞれ有する一組の基板間に強誘
電性液晶を保持してなる強誘電性液晶表示素子におい
て、表示用透明電極下に透明導電材料またはそれ以外の
金属材料で表示用透明電極幅の１／１０以下の細線（ス
トライプ）を設けることにより、表示用透明電極表面に
数百オングストローム凹凸を形成し、ＳｍＣ層の連続一
様性を画素内において崩す。これは配向の一様性を損な
わない範囲で可能であり、これにより、液晶分子の移動
トルクの中心になる部位が液晶層の厚さ方向に不連続と
なり、液晶分子の移動速度を著しく低下させることがで
きる。
択電極と共通電極をそれぞれ有する一組の基板間に強誘
電性液晶を保持してなる強誘電性液晶表示素子におい
て、表示用透明電極下に透明導電材料またはそれ以外の
金属材料で表示用透明電極幅の１／１０以下の細線（ス
トライプ）を設けることにより、表示用透明電極表面に
数百オングストローム凹凸を形成し、ＳｍＣ層の連続一
様性を画素内において崩す。これは配向の一様性を損な
わない範囲で可能であり、これにより、液晶分子の移動
トルクの中心になる部位が液晶層の厚さ方向に不連続と
なり、液晶分子の移動速度を著しく低下させることがで
きる。
【００２３】また、前記凹凸または細線（薄膜ストライ
プ電極）の方向を前記先願のように透明電極の方向に関
連させるのではなく、その薄膜ストライプ電極が形成さ
れる基板の配向方向に関連させることによって、液晶分
子の移動をさらに効果的に抑制し、表示劣化をさらに効
果的に防止することができる。すなわち、上下各基板上
の薄膜ストライプ電極の方向を、それが形成される基板
のラビング方向にそれぞれ平行または垂直、あるいは一
方の基板では平行でかつ他方の基板では垂直となるよう
に設けることによって、前記液晶分子移動の抑制作用を
最適化することができる。
プ電極）の方向を前記先願のように透明電極の方向に関
連させるのではなく、その薄膜ストライプ電極が形成さ
れる基板の配向方向に関連させることによって、液晶分
子の移動をさらに効果的に抑制し、表示劣化をさらに効
果的に防止することができる。すなわち、上下各基板上
の薄膜ストライプ電極の方向を、それが形成される基板
のラビング方向にそれぞれ平行または垂直、あるいは一
方の基板では平行でかつ他方の基板では垂直となるよう
に設けることによって、前記液晶分子移動の抑制作用を
最適化することができる。
【００２４】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００２５】図１は本発明の一実施例に係る液晶表示素
子の構成を示す断面図および平面図である。同図におい
て、１は本発明の特徴とするストライプ電極、２は選択
電極または共通電極となる主透明電極、３は透明電極２
の導電性を高めるため等の目的で設けられる金属補助電
極、４はガラス基板である。ストライプ電極１は膜厚５
００Å幅１０μｍのＩＴＯ薄膜からなり、２０μｍピッ
チで形成されている。主透明電極２は膜厚１５００Åの
ＩＴＯ膜であり、電極幅は１７０μｍ、ピッチは２００
μｍである。金属補助電極３としてはＡｌまたはＭｏが
用いられる。
子の構成を示す断面図および平面図である。同図におい
て、１は本発明の特徴とするストライプ電極、２は選択
電極または共通電極となる主透明電極、３は透明電極２
の導電性を高めるため等の目的で設けられる金属補助電
極、４はガラス基板である。ストライプ電極１は膜厚５
００Å幅１０μｍのＩＴＯ薄膜からなり、２０μｍピッ
チで形成されている。主透明電極２は膜厚１５００Åの
ＩＴＯ膜であり、電極幅は１７０μｍ、ピッチは２００
μｍである。金属補助電極３としてはＡｌまたはＭｏが
用いられる。
【００２６】図１に示すようなストライプ電極１および
透明電極２を有する選択電極基板と共通電極基板を用意
し、各基板上に絶縁層および配向膜を形成した後ラビン
グ処理を施し、両基板間に液晶を挟持させてなる液晶表
示素子を組み立てた。このとき、ラビング方向は、共通
電極基板側を主透明電極２およびその下の細幅電極（ス
トライプ電極）１の長手方向に対して垂直に、選択電極
基板側を平行とした。
透明電極２を有する選択電極基板と共通電極基板を用意
し、各基板上に絶縁層および配向膜を形成した後ラビン
グ処理を施し、両基板間に液晶を挟持させてなる液晶表
示素子を組み立てた。このとき、ラビング方向は、共通
電極基板側を主透明電極２およびその下の細幅電極（ス
トライプ電極）１の長手方向に対して垂直に、選択電極
基板側を平行とした。
【００２７】この素子およびストライプ電極１を有しな
い従来例を２０Ｖで駆動して通電耐久試験を行なったと
ころ、従来例では分子移動により１２時間でセル厚が
０．５μｍ以上の変化をしたのに対し、本実施例の素子
では５００時間を経過してもセル厚変化は０．１μｍ以
下であった。
い従来例を２０Ｖで駆動して通電耐久試験を行なったと
ころ、従来例では分子移動により１２時間でセル厚が
０．５μｍ以上の変化をしたのに対し、本実施例の素子
では５００時間を経過してもセル厚変化は０．１μｍ以
下であった。
【００２８】
【他の実施例】図２は本発明の他の実施例を示す。図２
に示すように各基板のラビング方向５を主透明電極２に
対して４５°とし、主透明電極２下の細幅ストライプ１
をそれぞれの基板のラビング方向に対して平行に形成し
た他は上記実施例と同様にして液晶表示素子を作製し
た。
に示すように各基板のラビング方向５を主透明電極２に
対して４５°とし、主透明電極２下の細幅ストライプ１
をそれぞれの基板のラビング方向に対して平行に形成し
た他は上記実施例と同様にして液晶表示素子を作製し
た。
【００２９】また、このような４５°ラビング基板にお
けるラビング方向と主透明電極２下の細幅ストライプ１
との関係が両基板とも垂直である液晶表示素子、および
一方の基板が垂直で、他方の基板が平行である２種類の
液晶表示素子も作製した。
けるラビング方向と主透明電極２下の細幅ストライプ１
との関係が両基板とも垂直である液晶表示素子、および
一方の基板が垂直で、他方の基板が平行である２種類の
液晶表示素子も作製した。
【００３０】これらの４種類の液晶表示素子について上
記実施例と同様の通電耐久試験を行なった。いずれの液
晶表示素子についても効果的な液晶分子移動抑制作用が
観察された。主透明電極２下の細幅ストライプ１は、主
透明電極２と平行ではなく、ラビング方向との関係で組
み合わせると、液晶分子移動抑制を効果的に行なうこと
ができる。
記実施例と同様の通電耐久試験を行なった。いずれの液
晶表示素子についても効果的な液晶分子移動抑制作用が
観察された。主透明電極２下の細幅ストライプ１は、主
透明電極２と平行ではなく、ラビング方向との関係で組
み合わせると、液晶分子移動抑制を効果的に行なうこと
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、主
電極下に主電極幅の１／１０以下の細幅ストライプ電極
を形成することによって、黒または白の定型パターン表
示時の液晶分子の移動速度を著しく低下させ、表示品質
の悪化を防止することができる。また、これらの細幅ス
トライプ電極をラビング方向と垂直または平行となるよ
うに配置することによって、層内および層間の分子移動
をさらに効果的に抑制することができる。
電極下に主電極幅の１／１０以下の細幅ストライプ電極
を形成することによって、黒または白の定型パターン表
示時の液晶分子の移動速度を著しく低下させ、表示品質
の悪化を防止することができる。また、これらの細幅ス
トライプ電極をラビング方向と垂直または平行となるよ
うに配置することによって、層内および層間の分子移動
をさらに効果的に抑制することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る液晶表示素子の部分
的な断面図および平面図である。
的な断面図および平面図である。
【図２】 本発明の他の実施例に係る図１と同様の部分
図である。
図である。
【図３】 Ｃ１配向とＣ２配向の層構造を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】 Ｃ１および配向の各状態における基板間の各
位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。
位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。
【図５】 従来の液晶表示素子を定型パターンで長時間
駆動した場合の状態を示す平面図である。
駆動した場合の状態を示す平面図である。
【図６】 液晶の移動方向を説明するための説明図であ
る。
る。
１：ストライプ電極（細線）、２：主透明電極（選択電
極または共通電極）、３：金属補助電極、４：ガラス基
板、５：ラビング方向。
極または共通電極）、３：金属補助電極、４：ガラス基
板、５：ラビング方向。
Claims (7)
- 【請求項１】 選択電極となる透明電極を有する第１の
基板と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との
間に強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子にお
いて、前記各基板の透明電極の下に該電極幅の１／１０
以下の幅を有する薄膜ストライプ電極を複数本設けたこ
とを特徴とする強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記薄膜ストライプ電極が各基板上にそ
の基板のラビング方向と平行に設けられていることを特
徴とする請求項１記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記各基板上の薄膜ストライプ電極が一
方の基板上ではその基板のラビング方向と平行に、他方
の基板上ではその基板のラビング方向と垂直に設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の強誘電性液晶表
示素子。 - 【請求項４】 前記薄膜ストライプ電極が各基板上にそ
の基板のラビング方向と垂直に設けられていることを特
徴とする請求項１記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記薄膜ストライプ電極が透明導電材料
からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つ
に記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記薄膜ストライプ電極が透明導電材料
以外の金属材料からなることを特徴とする請求項請求項
１〜４のいずれか１つに記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記強誘電性液晶素子のコーン角Θとみ
かけのチルト角θａが 【数１】 の関係を有するユニフォーム配向であることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれか１つに記載の強誘電性液晶素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018195A JPH05181150A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 強誘電性液晶表示素子 |
| US07/944,076 US5452114A (en) | 1991-09-13 | 1992-09-11 | Ferroelectric liquid crystal device with grooves between electrode on one substrate, ridges on the other |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018195A JPH05181150A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181150A true JPH05181150A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11964853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018195A Pending JPH05181150A (ja) | 1991-09-13 | 1992-01-07 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05181150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0775930A3 (en) * | 1995-11-24 | 1997-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| US6441877B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Active matrix type liquid crystal display device and method of forming the same |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4018195A patent/JPH05181150A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0775930A3 (en) * | 1995-11-24 | 1997-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| US6091472A (en) * | 1995-11-24 | 2000-07-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric LCD with particular rubbing directions |
| US6441877B1 (en) | 1998-10-07 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Active matrix type liquid crystal display device and method of forming the same |
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