JPH0572536A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子Info
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- JPH0572536A JPH0572536A JP26135391A JP26135391A JPH0572536A JP H0572536 A JPH0572536 A JP H0572536A JP 26135391 A JP26135391 A JP 26135391A JP 26135391 A JP26135391 A JP 26135391A JP H0572536 A JPH0572536 A JP H0572536A
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電性液晶素子において、白または黒の定
型パターンを書き込み駆動し続けたときに生じる表示不
良を防止する。 【構成】 強誘電性液晶素子を構成する一対の基板の少
なくとも一方の基板３上の透明電極１の表面に該電極の
長手方向に平行なストライプ状の凹凸を形成する。
型パターンを書き込み駆動し続けたときに生じる表示不
良を防止する。 【構成】 強誘電性液晶素子を構成する一対の基板の少
なくとも一方の基板３上の透明電極１の表面に該電極の
長手方向に平行なストライプ状の凹凸を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカイラルスメクチック液
晶を用いた液晶素子に関し、特にマルチプレックシング
駆動中に起こる液晶分子の移動による、セルギャップの
増大や空隙の発生を抑制した強誘電性液晶素子に関す
る。
晶を用いた液晶素子に関し、特にマルチプレックシング
駆動中に起こる液晶分子の移動による、セルギャップの
増大や空隙の発生を抑制した強誘電性液晶素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチック
相（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光学的安
定状態（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状
態）のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双方安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答も速やかである。このため、
高速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用が期
待され、特にその機能から大画面で高精細なディスプレ
イへの応用が期待されている。
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウ
ォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチック
相（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光学的安
定状態（配向状態）と第２の光学的安定状態（配向状
態）のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双方安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答も速やかである。このため、
高速ならびに記憶型の表示素子用としての広い利用が期
待され、特にその機能から大画面で高精細なディスプレ
イへの応用が期待されている。
【０００３】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こ
るような分子配列状態にあることが必要である。
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こ
るような分子配列状態にあることが必要である。
【０００４】また、液晶の複屈折を利用した液晶素子の
場合、直交ニコル下での透過率は、
場合、直交ニコル下での透過率は、
【０００５】
【数１】 で表わされる。前述の非らせん構造におけるチルト角θ
は、第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子
の平均分子軸方向の角度として現れることになる。上式
によれば、かかるチルト角θが２２．５°の角度の時最
大の透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角θが２２．５°にできる限り近いことが好ま
しい。
は、第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子
の平均分子軸方向の角度として現れることになる。上式
によれば、かかるチルト角θが２２．５°の角度の時最
大の透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角θが２２．５°にできる限り近いことが好ま
しい。
【０００６】ところで、強誘電性液晶の配向方法として
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層を、その法線に沿って一
軸方向に配向させることができ、しかも製造プロセス
も、簡便なラビング処理により実現できるものが望まし
い。
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層を、その法線に沿って一
軸方向に配向させることができ、しかも製造プロセス
も、簡便なラビング処理により実現できるものが望まし
い。
【０００７】強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラ
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例えば
米国特許第４５６１７２６号公報に記載されたものなど
が知られている。
【０００８】スメクチック層のシェブロン構造を含む配
向状態は、図４に示すようなＣ１およびＣ２の２種類の
配向モデルで説明できる。図４において、３１はスメク
チック層、３２はＣ１配向の領域、３３はＣ２配向の領
域を表わす。スメクチック液晶は一般に層構造をもつ
が、ＳｍＡ相からＳｍＣ相またはＳｍＣ* 相に転移する
と層間隔が縮むので図４のように層が上下基板１４ａ，
１４ｂの中央で折れ曲った構造（シェブロン構造）をと
る。折れ曲る方向は図に示すようにＣ１とＣ２の２つ有
り得るが、よく知られているようにラビングによって基
板界面の液晶分子は基板に対して角度をなし（プレチル
ト）、その方向はラビング方向Ａに向かって液晶分子が
頭をもたげる（先端が浮いた格好になる）向きである。
このプレチルトのためにＣ１配向とＣ２配向は弾性エネ
ルギー的に等価でなく、上述のようにある温度で転移が
起こる。また、機械的な歪みで転移が起こることもあ
る。図４の層構造を平面的にみると、ラビング方向Ａに
向ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境界３４はジ
グザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２から
Ｃ１に移るときの境界３５は幅の広い、ゆるやかな曲線
状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
向状態は、図４に示すようなＣ１およびＣ２の２種類の
配向モデルで説明できる。図４において、３１はスメク
チック層、３２はＣ１配向の領域、３３はＣ２配向の領
域を表わす。スメクチック液晶は一般に層構造をもつ
が、ＳｍＡ相からＳｍＣ相またはＳｍＣ* 相に転移する
と層間隔が縮むので図４のように層が上下基板１４ａ，
１４ｂの中央で折れ曲った構造（シェブロン構造）をと
る。折れ曲る方向は図に示すようにＣ１とＣ２の２つ有
り得るが、よく知られているようにラビングによって基
板界面の液晶分子は基板に対して角度をなし（プレチル
ト）、その方向はラビング方向Ａに向かって液晶分子が
頭をもたげる（先端が浮いた格好になる）向きである。
このプレチルトのためにＣ１配向とＣ２配向は弾性エネ
ルギー的に等価でなく、上述のようにある温度で転移が
起こる。また、機械的な歪みで転移が起こることもあ
る。図４の層構造を平面的にみると、ラビング方向Ａに
向ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境界３４はジ
グザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２から
Ｃ１に移るときの境界３５は幅の広い、ゆるやかな曲線
状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
【０００９】強誘電性液晶を配向するための相互にほぼ
平行で同一方向の一軸性配向処理が施された一対の基板
を備え、強誘電性液晶のプレチルト角をα、チルト角
（コーン角の１／２）をΘ、ＳｍＣ* 層の傾斜角をδと
し、強誘電性液晶が
平行で同一方向の一軸性配向処理が施された一対の基板
を備え、強誘電性液晶のプレチルト角をα、チルト角
（コーン角の１／２）をΘ、ＳｍＣ* 層の傾斜角をδと
し、強誘電性液晶が
【００１０】
【数２】 で表わされる配向状態を有するようにすると、Ｃ１配向
状態においてさらにシェブロン構造を有する４つの状態
が存在する。
状態においてさらにシェブロン構造を有する４つの状態
が存在する。
【００１１】この４つのＣ１配向状態は、従来のＣ１配
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここで、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態における４つの状態
のうち、
向状態とは異なっており、なかでも４つのＣ１配向状態
のうちの２つの状態は、双安定状態（ユニフォーム状
態）を形成している。ここで、無電界時のみかけのチル
ト角をθａとすれば、Ｃ１配向状態における４つの状態
のうち、
【００１２】
【数３】 の関係を示す状態をユニフォーム状態という。
【００１３】ユニフォーム状態においては、その光学的
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図５はＣ１配向の各状態における基板間
の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。図
中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコーンの底
面に投影し、これを底面方向から見た様子を示してお
り、５１および５２がスプレイ状態、５３および５４が
ユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置であ
る。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５３
と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子
の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図５
（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界面のスイッチングは
なく内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。こ
のＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ２
配向における双安定状態よりも大きなチルト角θａを生
じ、輝度が高く、しかもコントラストが高い。
性質からみてダイレクタが上下基板間でねじれていない
と考えられる。図５はＣ１配向の各状態における基板間
の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。図
中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコーンの底
面に投影し、これを底面方向から見た様子を示してお
り、５１および５２がスプレイ状態、５３および５４が
ユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置であ
る。同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５３
と５４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子
の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図５
（Ｂ）はＣ２配向を示しており、界面のスイッチングは
なく内部のスイッチングで２状態５５と５６がある。こ
のＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ２
配向における双安定状態よりも大きなチルト角θａを生
じ、輝度が高く、しかもコントラストが高い。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここで
用いられている配向方法、つまり、Θ＞θａ＞Θ／２の
構成で成り立つ強誘電性液晶セルにおいては、下述の如
き問題点を有していた。
用いられている配向方法、つまり、Θ＞θａ＞Θ／２の
構成で成り立つ強誘電性液晶セルにおいては、下述の如
き問題点を有していた。
【００１５】すなわち、発明者等の実験によれば、従来
のラビング処理したポリイミド膜によって、ハイプレチ
ルト配向構造を有する非らせん構造の強誘電性液晶セル
において、白または黒の定型パターンを書き込み駆動し
続けたとき、図６に示すように白黒に対応した分子位置
に応じた方向で、カイラルスメクチックＣ状態の層方向
に液晶分子が移動する。移動の進行方向へは液晶が蓄積
し、セルギャップを押し拡げて液晶層の厚さを拡大する
ことにより黄色く着色（黄変）する。また、移動の反対
側には、液晶分子が無くなって空隙を形成することにな
る。この現象はセルのシール近傍が最も顕著であり、セ
ルの内側へと拡大する。図６において、６０は液晶セ
ル、６１は白表示部、６２は黒表示部、６３，６４は液
晶分子移動方向、６５は黄変部、６６は空隙部、６７は
ラビング方向、６８は走査電極駆動回路、６９は情報電
極駆動回路、７０はシールである。
のラビング処理したポリイミド膜によって、ハイプレチ
ルト配向構造を有する非らせん構造の強誘電性液晶セル
において、白または黒の定型パターンを書き込み駆動し
続けたとき、図６に示すように白黒に対応した分子位置
に応じた方向で、カイラルスメクチックＣ状態の層方向
に液晶分子が移動する。移動の進行方向へは液晶が蓄積
し、セルギャップを押し拡げて液晶層の厚さを拡大する
ことにより黄色く着色（黄変）する。また、移動の反対
側には、液晶分子が無くなって空隙を形成することにな
る。この現象はセルのシール近傍が最も顕著であり、セ
ルの内側へと拡大する。図６において、６０は液晶セ
ル、６１は白表示部、６２は黒表示部、６３，６４は液
晶分子移動方向、６５は黄変部、６６は空隙部、６７は
ラビング方向、６８は走査電極駆動回路、６９は情報電
極駆動回路、７０はシールである。
【００１６】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、選択電極と共通電極をそれぞれ
有する一組の基板間に強誘電性液晶を保持してなる強誘
電性液晶素子において、白または黒の定型パターンを書
き込み駆動し続けたときに生じる表示不良を防止するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたもので、選択電極と共通電極をそれぞれ
有する一組の基板間に強誘電性液晶を保持してなる強誘
電性液晶素子において、白または黒の定型パターンを書
き込み駆動し続けたときに生じる表示不良を防止するこ
とを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、少なくとも一方の基板の選択電極また
は共通電極である透明電極の表面に該電極の長手方向に
平行なストライプ状の凹凸を形成することを特徴とす
る。
め、本発明では、少なくとも一方の基板の選択電極また
は共通電極である透明電極の表面に該電極の長手方向に
平行なストライプ状の凹凸を形成することを特徴とす
る。
【００１８】具体例としては、前記透明電極の上または
下に金属電極または透明電極の細線（ストライプ）を複
数設けることにより数百オングストロームの凹凸を形成
する。
下に金属電極または透明電極の細線（ストライプ）を複
数設けることにより数百オングストロームの凹凸を形成
する。
【００１９】
【作用】本発明者等の研究によれば、上述したセル端部
でのセル厚の増加は、駆動により液晶自身が液晶セル間
の特定の方向へ移動することによってセル端部での圧力
が増加する結果生じることが認められた。液晶分子が液
晶セルの中を移動する力の発生原因は不明だが、おそら
く駆動パルスによる交流的な電界で、液晶分子の双極子
モーメントが揺らぐことにより発生する電気力学的効果
であろうと推測される。また、本発明者等の実験によれ
ば、移動の方向６３，６４は図７（Ａ）に示すようにラ
ビング方向６７と液晶分子の平均分子軸方向７１，７２
により決まっている。液晶分子の移動方向がこのように
ラビングの方向に依存することから、その現象は基板界
面でのプレチルトの状態に依存していることが推測され
る。平均分子軸方向７１，７２は強誘電性液晶分子の双
安定状態における平均的な分子位置を示している。ここ
で、例えば、平均分子軸方向が７１で示した状態で液晶
がスイッチングしない程度の適当な交流電界を印加する
と、矢印６３方向に液晶分子が移動する。但し、ここで
は自発分極の向きが負である液晶材料を用いた場合につ
いて述べている。さらに、この液晶移動現象はセルの配
向状態に依存している。
でのセル厚の増加は、駆動により液晶自身が液晶セル間
の特定の方向へ移動することによってセル端部での圧力
が増加する結果生じることが認められた。液晶分子が液
晶セルの中を移動する力の発生原因は不明だが、おそら
く駆動パルスによる交流的な電界で、液晶分子の双極子
モーメントが揺らぐことにより発生する電気力学的効果
であろうと推測される。また、本発明者等の実験によれ
ば、移動の方向６３，６４は図７（Ａ）に示すようにラ
ビング方向６７と液晶分子の平均分子軸方向７１，７２
により決まっている。液晶分子の移動方向がこのように
ラビングの方向に依存することから、その現象は基板界
面でのプレチルトの状態に依存していることが推測され
る。平均分子軸方向７１，７２は強誘電性液晶分子の双
安定状態における平均的な分子位置を示している。ここ
で、例えば、平均分子軸方向が７１で示した状態で液晶
がスイッチングしない程度の適当な交流電界を印加する
と、矢印６３方向に液晶分子が移動する。但し、ここで
は自発分極の向きが負である液晶材料を用いた場合につ
いて述べている。さらに、この液晶移動現象はセルの配
向状態に依存している。
【００２０】本発明によれば、透明電極の表面にストラ
イプ状凹凸を形成し、ＳｍＣ層の連続一様性を画素内に
おいて崩す。これは配向の一様性を損なわない範囲で可
能であり、これにより、液晶分子の移動トルクの中心に
なる部位が液晶層の厚さ方向に不連続となり、液晶分子
の移動速度を著しく低下させることができる。
イプ状凹凸を形成し、ＳｍＣ層の連続一様性を画素内に
おいて崩す。これは配向の一様性を損なわない範囲で可
能であり、これにより、液晶分子の移動トルクの中心に
なる部位が液晶層の厚さ方向に不連続となり、液晶分子
の移動速度を著しく低下させることができる。
【００２１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００２２】図１は本発明の一実施例に係る液晶表示素
子の断面図である。同図において、１は選択電極または
共通電極である透明電極、２はストライプ電極、３はガ
ラス基板である。透明電極は１５００Åの膜厚のＩＴＯ
であり、電極巾は２００μｍである。ストライプ電極は
Ｍｏ薄膜であり、膜厚５００Å巾２０μｍのストライプ
を５０μｍピッチで配してある。図１に示すような透明
電極１およびストライプ電極を有する選択電極基板と共
通電極基板を用意し、各基板上に絶縁層および配向膜を
形成し、両基板間に液晶を挟持させてなる液晶表示素子
を作製した。この素子の通電耐久試験を行なったとこ
ろ、金属ストライプ電極１を有しない従来例では２４Ｈ
でセル厚に５０％以上の変化をみたが、本実施例におい
ては５００Ｈ連続通電においてもセル厚変化は１０％以
内に抑制されていた。
子の断面図である。同図において、１は選択電極または
共通電極である透明電極、２はストライプ電極、３はガ
ラス基板である。透明電極は１５００Åの膜厚のＩＴＯ
であり、電極巾は２００μｍである。ストライプ電極は
Ｍｏ薄膜であり、膜厚５００Å巾２０μｍのストライプ
を５０μｍピッチで配してある。図１に示すような透明
電極１およびストライプ電極を有する選択電極基板と共
通電極基板を用意し、各基板上に絶縁層および配向膜を
形成し、両基板間に液晶を挟持させてなる液晶表示素子
を作製した。この素子の通電耐久試験を行なったとこ
ろ、金属ストライプ電極１を有しない従来例では２４Ｈ
でセル厚に５０％以上の変化をみたが、本実施例におい
ては５００Ｈ連続通電においてもセル厚変化は１０％以
内に抑制されていた。
【００２３】前記ＭｏストライプをＩＴＯのストライプ
に代えた例においても同様の効果が得られた。
に代えた例においても同様の効果が得られた。
【００２４】透明電極上の細線（ストライプ電極）の高
さ（膜厚）とピッチを変化させて液晶分子の移動速度を
確認したところ、図３のような関係を示した。ストライ
プ電極が、分子の移動阻止に寄与していることがわか
る。
さ（膜厚）とピッチを変化させて液晶分子の移動速度を
確認したところ、図３のような関係を示した。ストライ
プ電極が、分子の移動阻止に寄与していることがわか
る。
【００２５】
【他の実施例】他の実施例を図２に示す。
【００２６】まず最初にＩＴＯのストライプを膜厚５０
０Åで２０μｍの巾、５０μｍのピッチで駆動電極に当
る部分に形成し、その上に透明電極を膜厚１５００Å、
巾２００μｍのサイズに形成した。このようにして形成
した選択電極基板と共通電極基板を用意し、この上に絶
縁層と配向膜を形成し、上記実施例と同様に液晶素子と
した。
０Åで２０μｍの巾、５０μｍのピッチで駆動電極に当
る部分に形成し、その上に透明電極を膜厚１５００Å、
巾２００μｍのサイズに形成した。このようにして形成
した選択電極基板と共通電極基板を用意し、この上に絶
縁層と配向膜を形成し、上記実施例と同様に液晶素子と
した。
【００２７】この素子を通電耐久試験にかけたところ、
従来例では２４Ｈでセル厚に５０％以上の変化をみた
が、本実施例においては、５００Ｈ連続通電において
も、セル厚変化は１０％以内に抑制されていた。
従来例では２４Ｈでセル厚に５０％以上の変化をみた
が、本実施例においては、５００Ｈ連続通電において
も、セル厚変化は１０％以内に抑制されていた。
【００２８】前記ＩＴＯの代わりにＭｏやＣｒ等の金属
薄膜でストライプを形成したが、その場合も同様の効果
が得られた。また、液晶分子の移動速度に対する透明電
極下の細線の膜厚とピッチの影響も図３と同様の傾向を
示した。
薄膜でストライプを形成したが、その場合も同様の効果
が得られた。また、液晶分子の移動速度に対する透明電
極下の細線の膜厚とピッチの影響も図３と同様の傾向を
示した。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
明電極表面にストライプ状の凹凸を形成することによっ
て、黒または白の定型パターン表示時の液晶の移動速度
を著しく低下させ、表示品質の悪化を防止することがで
きる。
明電極表面にストライプ状の凹凸を形成することによっ
て、黒または白の定型パターン表示時の液晶の移動速度
を著しく低下させ、表示品質の悪化を防止することがで
きる。
【図１】 本発明の一実施例に係る液晶表示素子の部分
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の他の実施例に係る図１と同様の部分
断面図である。
断面図である。
【図３】 透明電極上のストライプ電極の膜厚およびピ
ッチと液晶分子の移動速度との関係を示すグラフであ
る。
ッチと液晶分子の移動速度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】 Ｃ１配向とＣ２配向の層構造を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】 Ｃ１および配向の各状態における基板間の各
位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。
位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。
【図６】 従来の液晶表示素子を定型パターンで長時間
駆動した場合の状態を示す平面図である。
駆動した場合の状態を示す平面図である。
【図７】 液晶の移動方向を説明するための説明図であ
る。
る。
１：透明電極（選択電極または共通電極）、２：ストラ
イプ電極（細線）、３：ガラス基板。
イプ電極（細線）、３：ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 勝利 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 三原 正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 選択電極となる透明電極を有する第１の
基板と共通電極となる透明電極を有する第２の基板との
間に強誘電液晶を保持してなる強誘電液晶表示素子にお
いて、前記少なくとも一方の基板の透明電極の表面に該
電極の長手方向と平行なストライプ状の凹凸を形成した
ことを特徴とする強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記透明電極上に薄膜ストライプ電極を
複数設けることにより前記凹凸を形成した請求項１記載
の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記透明電極下に薄膜ストライプ電極を
複数設けることにより前記凹凸を形成した請求項１記載
の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記薄膜ストライプ電極が透明導電材料
からなる請求項２または３記載の強誘電性液晶表示素
子。 - 【請求項５】 前記薄膜ストライプ電極が透明導電材料
以外の金属薄膜ストライプ電極である請求項２または３
記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記強誘電性液晶素子のコーン角Θ、プ
レチルト角α、ＳｍＣ* 層の傾斜角δ、みかけのチルト
角θａが Θ＞θａ＞Θ／２ の関係を有するユニフォーム配向である請求項１記載の
強誘電性液晶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26135391A JPH0572536A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP26135391A JPH0572536A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572536A true JPH0572536A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17360670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26135391A Pending JPH0572536A (ja) | 1991-04-16 | 1991-09-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572536A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26135391A patent/JPH0572536A/ja active Pending
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