JP2000111578A - クランプ式電流センサ - Google Patents
クランプ式電流センサInfo
- Publication number
- JP2000111578A JP2000111578A JP10277817A JP27781798A JP2000111578A JP 2000111578 A JP2000111578 A JP 2000111578A JP 10277817 A JP10277817 A JP 10277817A JP 27781798 A JP27781798 A JP 27781798A JP 2000111578 A JP2000111578 A JP 2000111578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- current sensor
- type current
- clamp
- core portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁電変換部部分の総厚みを薄くして磁束検出感
度を高め電流検出感度の向上とノイズの低下とを図る。 【解決手段】下辺コア部２６や一側縦辺コア部２４など
からなる磁気コアと、下辺コア部２６と一側縦辺コア部
２４の当接面２４ｂとの間に配置される磁電変換部３１
と、該磁電変換部３１との電気的な接続を自在に下辺コ
ア部２６上に配置されるフレキシブル基板１２とでを少
なくとも備えてなるクランプ式電流センサであって、磁
電変換部３１は、下辺コア部２６における一側縦辺コア
部２４の当接面２４ｂとの対向面側に設けられた絶縁層
３２と、該絶縁層３２上に配設された磁電変換素子３１
と、該磁電変換素子３１から引き出された電極３４と、
磁電変換素子３１及びその周辺部分に覆設された保護膜
３５とで形成され、フレキシブル基板１２は、一側縦辺
コア部２４の当接面２４ｂが保護膜３５と直に当接する
ようにその対応部位に切欠部４６を設けて配設した。
度を高め電流検出感度の向上とノイズの低下とを図る。 【解決手段】下辺コア部２６や一側縦辺コア部２４など
からなる磁気コアと、下辺コア部２６と一側縦辺コア部
２４の当接面２４ｂとの間に配置される磁電変換部３１
と、該磁電変換部３１との電気的な接続を自在に下辺コ
ア部２６上に配置されるフレキシブル基板１２とでを少
なくとも備えてなるクランプ式電流センサであって、磁
電変換部３１は、下辺コア部２６における一側縦辺コア
部２４の当接面２４ｂとの対向面側に設けられた絶縁層
３２と、該絶縁層３２上に配設された磁電変換素子３１
と、該磁電変換素子３１から引き出された電極３４と、
磁電変換素子３１及びその周辺部分に覆設された保護膜
３５とで形成され、フレキシブル基板１２は、一側縦辺
コア部２４の当接面２４ｂが保護膜３５と直に当接する
ようにその対応部位に切欠部４６を設けて配設した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気コアからなる
磁気回路内に磁電変換素子（例えばホール素子）を介在
させた際に形成される空隙をできるだけ小さくして磁束
検出感度を高めたクランプ式電流センサに関する。
磁気回路内に磁電変換素子（例えばホール素子）を介在
させた際に形成される空隙をできるだけ小さくして磁束
検出感度を高めたクランプ式電流センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】クランプ式電流センサは、活線状態にあ
る電線等の被測定導線を外包して測定するクランプ式電
流計の重要な構成部材であり、このうち、交直両用のク
ランプ式電流センサに関しては、巻線が施されて開閉自
在に組み合わされる磁気コアと、該磁気コアにより形成
される閉磁路中に介在配置されるホール素子とを少なく
とも備えて形成されている。
る電線等の被測定導線を外包して測定するクランプ式電
流計の重要な構成部材であり、このうち、交直両用のク
ランプ式電流センサに関しては、巻線が施されて開閉自
在に組み合わされる磁気コアと、該磁気コアにより形成
される閉磁路中に介在配置されるホール素子とを少なく
とも備えて形成されている。
【０００３】図３は、上記した交直両用のクランプ式電
流センサ（巻線部を除く）の従来例についての正面図
を、図４は、図３における一点鎖線による囲繞部分を拡
大した要部説明図をそれぞれ示す。
流センサ（巻線部を除く）の従来例についての正面図
を、図４は、図３における一点鎖線による囲繞部分を拡
大した要部説明図をそれぞれ示す。
【０００４】これらの図によれば、従来からあるクラン
プ式電流センサ１を構成する磁気コア２は、活線状態に
ある被測定導線の出入が可能に矢印方向での開閉が自在
に配設される略コ字形を呈する上辺コア部３と、該上辺
コア部３を右端側にて略Ｉ字形を呈し、かつ、下側部を
次第に縮径させるための切削面４ａを有して下支えする
一側縦辺コア部４と、上辺コア部３を左端側にて下支え
する略Ｌ字形を呈する他側縦辺コア部５と、これら一側
縦辺コア部４と他側縦辺コア部５とを下支えして閉磁路
を形成する水平状の下辺コア部６とで形成されている。
なお、この場合、上記磁気コア２の全体は、抵抗率が低
く透磁率の高いＮｉ−Ｚｎ系のフェライトにより形成さ
れている。
プ式電流センサ１を構成する磁気コア２は、活線状態に
ある被測定導線の出入が可能に矢印方向での開閉が自在
に配設される略コ字形を呈する上辺コア部３と、該上辺
コア部３を右端側にて略Ｉ字形を呈し、かつ、下側部を
次第に縮径させるための切削面４ａを有して下支えする
一側縦辺コア部４と、上辺コア部３を左端側にて下支え
する略Ｌ字形を呈する他側縦辺コア部５と、これら一側
縦辺コア部４と他側縦辺コア部５とを下支えして閉磁路
を形成する水平状の下辺コア部６とで形成されている。
なお、この場合、上記磁気コア２の全体は、抵抗率が低
く透磁率の高いＮｉ−Ｚｎ系のフェライトにより形成さ
れている。
【０００５】また、上記磁気コア２により形成される磁
気回路中に介在配置される従来例としての磁電変換部７
は、厚さが２５μｍ程度のマイカ基板８と、該マイカ基
板８上に製膜された厚さが０．８μｍ程度のホール素子
（ＩｎＳｂ薄膜）９と、該ホール素子９から引き出され
た厚さが１μｍ程度の電極１０と、該電極１０を覆う厚
さが０．８μｍ程度の保護膜１１と、該保護膜１１上に
配置される厚さが３０μｍ程度のフレキシブル基板１２
とで形成されている。
気回路中に介在配置される従来例としての磁電変換部７
は、厚さが２５μｍ程度のマイカ基板８と、該マイカ基
板８上に製膜された厚さが０．８μｍ程度のホール素子
（ＩｎＳｂ薄膜）９と、該ホール素子９から引き出され
た厚さが１μｍ程度の電極１０と、該電極１０を覆う厚
さが０．８μｍ程度の保護膜１１と、該保護膜１１上に
配置される厚さが３０μｍ程度のフレキシブル基板１２
とで形成されている。
【０００６】このため、上記構成からなるクランプ式電
流センサ１によれば、磁気コア２の上辺コア部３を開方
向に摺動させて活線状態にある被測定導線を導入してか
ら閉方向に再度摺動（図３中の矢印方向）させた後に、
該被測定導線の電流を検出することができることにな
る。
流センサ１によれば、磁気コア２の上辺コア部３を開方
向に摺動させて活線状態にある被測定導線を導入してか
ら閉方向に再度摺動（図３中の矢印方向）させた後に、
該被測定導線の電流を検出することができることにな
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記クラン
プ式電流センサ１によっても、一側縦辺コア部４と下辺
コア部６との間に介在させた磁電変換部７により、磁気
コア２に生ずる磁界を検知して電流を測定することはで
きる。
プ式電流センサ１によっても、一側縦辺コア部４と下辺
コア部６との間に介在させた磁電変換部７により、磁気
コア２に生ずる磁界を検知して電流を測定することはで
きる。
【０００８】しかし、磁電変換部７自体は、その総厚み
が２７．６μｍ程度になってしまうことから、一側縦辺
コア部４と下辺コア部６との間に形成される空隙長はフ
レキシブル基板１２の厚みも加わって５７．６μｍ程度
に達してしまい、空隙長に反比例して磁束密度が増大す
る関係を考慮すると、磁束検出感度の低下は不可避的で
あり、結果的に電流検出感度の低下を招くばかりでな
く、ノイズ（低Ｓ／Ｎ比）も大きなものになってしまう
という不都合があった。また、下辺コア部に高透磁率磁
性材料を使用する場合、その抵抗率が絶縁層上に形成さ
れる磁電変換素子としてのホール素子の抵抗率に比較し
て十分大きくないと、絶縁層が製造工程において生じる
欠陥などによってホール素子が下辺コア部により短絡さ
れてしまい、その動作に影響を受けるという不都合があ
った。
が２７．６μｍ程度になってしまうことから、一側縦辺
コア部４と下辺コア部６との間に形成される空隙長はフ
レキシブル基板１２の厚みも加わって５７．６μｍ程度
に達してしまい、空隙長に反比例して磁束密度が増大す
る関係を考慮すると、磁束検出感度の低下は不可避的で
あり、結果的に電流検出感度の低下を招くばかりでな
く、ノイズ（低Ｓ／Ｎ比）も大きなものになってしまう
という不都合があった。また、下辺コア部に高透磁率磁
性材料を使用する場合、その抵抗率が絶縁層上に形成さ
れる磁電変換素子としてのホール素子の抵抗率に比較し
て十分大きくないと、絶縁層が製造工程において生じる
欠陥などによってホール素子が下辺コア部により短絡さ
れてしまい、その動作に影響を受けるという不都合があ
った。
【０００９】本発明は従来技術にみられた上記課題に鑑
み、磁電変換部部分の総厚みを極力薄くして磁束検出感
度を高めることにより、電流検出感度の向上とノイズ
（低Ｓ／Ｎ比）の低下とを実現したクランプ式電流セン
サを提供することにその目的がある。
み、磁電変換部部分の総厚みを極力薄くして磁束検出感
度を高めることにより、電流検出感度の向上とノイズ
（低Ｓ／Ｎ比）の低下とを実現したクランプ式電流セン
サを提供することにその目的がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
すべくなされたものであり、その構成上の特徴は、上辺
コア部と、該上辺コア部をその一側端部にて下支えする
一側縦辺コア部と、前記上辺コア部をその他端部にて下
支えする他側縦辺コア部と、これら一側縦辺コア部と他
側縦辺コア部とを下支えする下辺コア部とからなる磁気
コアと、下辺コア部と前記一側縦辺コア部の当接面との
間に介在配置される磁電変換素子を含む磁電変換部と、
該磁電変換部との電気的な接続を自在に下辺コア部の上
面に沿わせて配置されるフレキシブル基板とで、前記上
辺コア部を摺動操作して導入された活線状態にある被測
定導線の電流の検出を自在に形成されたクランプ式電流
センサにおいて、前記磁電変換部は、下辺コア部におけ
る一側縦辺コア部の当接面との対向面側に設けられた絶
縁層と、該絶縁層上に配設された磁電変換素子と、該磁
電変換素子から各別に引き出された電極と、磁電変換素
子及びその周辺部分に覆設された保護膜とで形成され、
前記フレキシブル基板は、一側縦辺コア部の当接面が保
護膜と直に当接するようにその対応部位に切欠部を設け
て配設したことにある。
すべくなされたものであり、その構成上の特徴は、上辺
コア部と、該上辺コア部をその一側端部にて下支えする
一側縦辺コア部と、前記上辺コア部をその他端部にて下
支えする他側縦辺コア部と、これら一側縦辺コア部と他
側縦辺コア部とを下支えする下辺コア部とからなる磁気
コアと、下辺コア部と前記一側縦辺コア部の当接面との
間に介在配置される磁電変換素子を含む磁電変換部と、
該磁電変換部との電気的な接続を自在に下辺コア部の上
面に沿わせて配置されるフレキシブル基板とで、前記上
辺コア部を摺動操作して導入された活線状態にある被測
定導線の電流の検出を自在に形成されたクランプ式電流
センサにおいて、前記磁電変換部は、下辺コア部におけ
る一側縦辺コア部の当接面との対向面側に設けられた絶
縁層と、該絶縁層上に配設された磁電変換素子と、該磁
電変換素子から各別に引き出された電極と、磁電変換素
子及びその周辺部分に覆設された保護膜とで形成され、
前記フレキシブル基板は、一側縦辺コア部の当接面が保
護膜と直に当接するようにその対応部位に切欠部を設け
て配設したことにある。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るクランプ式
電流センサ（巻線部を除く）の一例を示すものであり、
そのうち、（イ）は正面図を、（ロ）は、図１の平面図
をそれぞれ示す。
電流センサ（巻線部を除く）の一例を示すものであり、
そのうち、（イ）は正面図を、（ロ）は、図１の平面図
をそれぞれ示す。
【００１２】これらの図によれば、クランプ式電流セン
サ２１の全体は、磁気回路を形成する磁気コア２２と、
磁気回路内に介在配置される磁電変換部３１と、該磁電
変換部３１との電気的な接続を自在に配置されるフレキ
シブル基板４１とで、導入された活線状態にある被測定
導線の電流の検出を自在にして形成されている。
サ２１の全体は、磁気回路を形成する磁気コア２２と、
磁気回路内に介在配置される磁電変換部３１と、該磁電
変換部３１との電気的な接続を自在に配置されるフレキ
シブル基板４１とで、導入された活線状態にある被測定
導線の電流の検出を自在にして形成されている。
【００１３】このうち、磁気コア２２は、活線状態にあ
る被測定導線の出入が可能に矢印方向での開閉が自在に
配設される略コ字形を呈する上辺コア部２３と、該上辺
コア部２３を右端側にて略Ｉ字形を呈し、かつ、下側部
を次第に縮径させるための切削面２４ａを有して下支え
する一側縦辺コア部２４と、上辺コア部２３を左端側に
て下支えする略Ｌ字形を呈する他側縦辺コア部２５と、
これら一側縦辺コア部２４と他側縦辺コア部２５とを下
支えして閉磁路を形成する水平状の下辺コア部２６とで
形成されている。
る被測定導線の出入が可能に矢印方向での開閉が自在に
配設される略コ字形を呈する上辺コア部２３と、該上辺
コア部２３を右端側にて略Ｉ字形を呈し、かつ、下側部
を次第に縮径させるための切削面２４ａを有して下支え
する一側縦辺コア部２４と、上辺コア部２３を左端側に
て下支えする略Ｌ字形を呈する他側縦辺コア部２５と、
これら一側縦辺コア部２４と他側縦辺コア部２５とを下
支えして閉磁路を形成する水平状の下辺コア部２６とで
形成されている。
【００１４】この場合、上辺コア部２３と一側縦辺コア
部２４と他側縦辺コア部２５とは、高透磁率磁性材料で
あるＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料もしくはＮｉ−Ｚｎ
系高透磁率磁性材料により、下辺コア部２６は、高透磁
率磁性材料であるＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料もしく
はＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料によりそれぞれ形成す
るのが好ましい。
部２４と他側縦辺コア部２５とは、高透磁率磁性材料で
あるＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料もしくはＮｉ−Ｚｎ
系高透磁率磁性材料により、下辺コア部２６は、高透磁
率磁性材料であるＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料もしく
はＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性材料によりそれぞれ形成す
るのが好ましい。
【００１５】また、下辺コア部２６と一側縦辺コア部２
４との間に介在配置される磁電変換部３１は、図１
（ロ）におけるＡ−Ａ線矢視方向での断面を拡大した図
２に示されるように、下辺コア部２６における一側縦辺
コア部２４の当接面２４ｂとの対向面側に設けられた絶
縁層３２と、該絶縁層３２上に配設された例えば素子ホ
ール素子などの磁電変換素子３３と、該磁電変換素子
（ホール素子）３３から各別に引き出された例えば計４
本の電極３４と、磁電変換素子（ホール素子）３３及び
その周辺部分に覆設された保護膜３５とで形成されてい
る。
４との間に介在配置される磁電変換部３１は、図１
（ロ）におけるＡ−Ａ線矢視方向での断面を拡大した図
２に示されるように、下辺コア部２６における一側縦辺
コア部２４の当接面２４ｂとの対向面側に設けられた絶
縁層３２と、該絶縁層３２上に配設された例えば素子ホ
ール素子などの磁電変換素子３３と、該磁電変換素子
（ホール素子）３３から各別に引き出された例えば計４
本の電極３４と、磁電変換素子（ホール素子）３３及び
その周辺部分に覆設された保護膜３５とで形成されてい
る。
【００１６】この場合における磁電変換部３１は、例え
ば膜厚が０．７〜０．９μｍ、好ましくは約０．８μｍ
のＳｉＯ2 膜からなる絶縁層３２と、該絶縁層３２上に
製膜された例えば膜厚が０．７〜０．９μｍ、好ましく
は約０．８μｍのＩｎＳｂ薄膜からなる磁電変換素子
（ホール素子）３３と、該磁電変換素子（ホール素子）
３３から引き出された例えば厚さが０．２〜０．４μ
ｍ、好ましくは約０．３μｍのＡｌ薄膜からなる例えば
計４本の電極３４と、磁電変換素子（ホール素子）３３
を含む周辺部位を覆う例えば膜厚が１．２〜１．７μ
ｍ、好ましくは約１．５μｍのＳｉＯ2 膜からなる保護
膜３５とで形成するのが望ましい。なお、絶縁層３２
は、下辺コア部２６の上面２７に位置する対応部位を鏡
面研磨してなる清浄平滑面２７ａに対し形成するのが付
着力、製造工程での膜特性の面からは好ましい。また、
ＳｉＯ2 膜からなる絶縁層３２と保護膜３５とは、真空
蒸着法、高周波スパッタリング法、化学的気相成長法な
どの薄膜作製法により作製してもよい。さらに、絶縁層
３２は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 、あるいは塗布法によ
るポリイミドなどの有機系材料であってもよい。
ば膜厚が０．７〜０．９μｍ、好ましくは約０．８μｍ
のＳｉＯ2 膜からなる絶縁層３２と、該絶縁層３２上に
製膜された例えば膜厚が０．７〜０．９μｍ、好ましく
は約０．８μｍのＩｎＳｂ薄膜からなる磁電変換素子
（ホール素子）３３と、該磁電変換素子（ホール素子）
３３から引き出された例えば厚さが０．２〜０．４μ
ｍ、好ましくは約０．３μｍのＡｌ薄膜からなる例えば
計４本の電極３４と、磁電変換素子（ホール素子）３３
を含む周辺部位を覆う例えば膜厚が１．２〜１．７μ
ｍ、好ましくは約１．５μｍのＳｉＯ2 膜からなる保護
膜３５とで形成するのが望ましい。なお、絶縁層３２
は、下辺コア部２６の上面２７に位置する対応部位を鏡
面研磨してなる清浄平滑面２７ａに対し形成するのが付
着力、製造工程での膜特性の面からは好ましい。また、
ＳｉＯ2 膜からなる絶縁層３２と保護膜３５とは、真空
蒸着法、高周波スパッタリング法、化学的気相成長法な
どの薄膜作製法により作製してもよい。さらに、絶縁層
３２は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉ3 Ｎ4 、あるいは塗布法によ
るポリイミドなどの有機系材料であってもよい。
【００１７】一方、フレキシブル基板４１は、ベース薄
片４２上に銅箔パターン層４３とニッケルメッキ層４４
と金箔パターン層４５とを順次積層し、磁電変換部３１
における電極３４と金箔パターン層４５との間をボンデ
ィングワイヤ４８を介して電気的な接続を自在に下辺コ
ア部２６の上面２７に沿わせて配置できる適宜長さを有
して形成されている。
片４２上に銅箔パターン層４３とニッケルメッキ層４４
と金箔パターン層４５とを順次積層し、磁電変換部３１
における電極３４と金箔パターン層４５との間をボンデ
ィングワイヤ４８を介して電気的な接続を自在に下辺コ
ア部２６の上面２７に沿わせて配置できる適宜長さを有
して形成されている。
【００１８】しかも、フレキシブル基板４１には、一側
縦辺コア部２４の当接面２４ｂと保護膜３５とが直接に
接触できる切欠部４６が設けられているほか、例えば計
４本の電極３４に各別にボンディングワイヤ４６を接続
するために必要な４個の透孔４７とが設けられている。
縦辺コア部２４の当接面２４ｂと保護膜３５とが直接に
接触できる切欠部４６が設けられているほか、例えば計
４本の電極３４に各別にボンディングワイヤ４６を接続
するために必要な４個の透孔４７とが設けられている。
【００１９】本発明はこのようにして構成されているの
で、下辺コア部２６の上面２７に設けられている清浄平
滑面２７ａ上に磁電変換部３１を一体的に設けることが
できる。
で、下辺コア部２６の上面２７に設けられている清浄平
滑面２７ａ上に磁電変換部３１を一体的に設けることが
できる。
【００２０】しかも、下辺コア部２６の上面２７に配設
されるフレキシブル基板４１は、一側縦辺コア部２４の
当接面２４ａが位置する対応部位に切欠部４６が設けら
れているので、下辺コア部２６の側に設けられている磁
電変換部３１の保護膜３５に対し当接面２４ａを直接に
接触させることができる。
されるフレキシブル基板４１は、一側縦辺コア部２４の
当接面２４ａが位置する対応部位に切欠部４６が設けら
れているので、下辺コア部２６の側に設けられている磁
電変換部３１の保護膜３５に対し当接面２４ａを直接に
接触させることができる。
【００２１】また、磁電変換部７自体の総厚みは、せい
ぜい３．４μｍ程度であることから、一側縦辺コア部２
４と下辺コア部２６との間に形成される空隙長も３．４
μｍ程度にしかならないことになる。
ぜい３．４μｍ程度であることから、一側縦辺コア部２
４と下辺コア部２６との間に形成される空隙長も３．４
μｍ程度にしかならないことになる。
【００２２】つまり、磁束密度は空隙長に反比例して増
大するとされていることからしても、磁束検出感度を向
上させて電流検出感度を高めることができるはもとよ
り、ノイズ（低Ｓ／Ｎ比）を小さくすることもできるこ
とは明らかである。
大するとされていることからしても、磁束検出感度を向
上させて電流検出感度を高めることができるはもとよ
り、ノイズ（低Ｓ／Ｎ比）を小さくすることもできるこ
とは明らかである。
【００２３】特に、上辺コア部２３と一側縦辺コア部２
４と他側縦辺コア部２５とをＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性
材料により、下辺コア部２６をＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁
性材料によりそれぞれ形成してある場合には、さらに好
ましい磁束検出感度を得ることができる。
４と他側縦辺コア部２５とをＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁性
材料により、下辺コア部２６をＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁
性材料によりそれぞれ形成してある場合には、さらに好
ましい磁束検出感度を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、下辺
コア部の上面に設けられる磁電変換部の総厚みを極力薄
くすることができるほか、下辺コア部の上面に配設され
るフレキシブル基板も一側縦辺コア部の当接面が位置す
る対応部位に切欠部を有しているので、磁電変換部の保
護層に対し前記当接面を直接に接触させることができ
る。
コア部の上面に設けられる磁電変換部の総厚みを極力薄
くすることができるほか、下辺コア部の上面に配設され
るフレキシブル基板も一側縦辺コア部の当接面が位置す
る対応部位に切欠部を有しているので、磁電変換部の保
護層に対し前記当接面を直接に接触させることができ
る。
【００２５】したがって、一側縦辺コア部と下辺コア部
との間に形成される空隙長は、磁電変換部の総厚みと実
質的に同等なものとすることができることになり、磁束
密度は空隙長に反比例して増大するとされていることを
勘案するならば、磁束検出感度を向上させて電流検出感
度を高めることができるはもとより、ノイズ（低Ｓ／Ｎ
比）を小さなものとすることもできる。
との間に形成される空隙長は、磁電変換部の総厚みと実
質的に同等なものとすることができることになり、磁束
密度は空隙長に反比例して増大するとされていることを
勘案するならば、磁束検出感度を向上させて電流検出感
度を高めることができるはもとより、ノイズ（低Ｓ／Ｎ
比）を小さなものとすることもできる。
【００２６】なお、本発明において上辺コア部と一側縦
辺コア部と他側縦辺コア部とをＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁
性材料により、下辺コア部をＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁性
材料によりそれぞれ形成してある場合には、さらに好ま
しい磁束検出感度を得ることができる。また、前記絶縁
層を下辺コア部の清浄平滑面に設けてある場合には、下
辺コア部と磁電変換部とをより一体化させて安定した状
態とすることができる。
辺コア部と他側縦辺コア部とをＭｎ−Ｚｎ系高透磁率磁
性材料により、下辺コア部をＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁性
材料によりそれぞれ形成してある場合には、さらに好ま
しい磁束検出感度を得ることができる。また、前記絶縁
層を下辺コア部の清浄平滑面に設けてある場合には、下
辺コア部と磁電変換部とをより一体化させて安定した状
態とすることができる。
【図１】本発明の一例につき、その正面図を（イ）とし
て、平面図を（ロ）としてそれぞれ示す。
て、平面図を（ロ）としてそれぞれ示す。
【図２】図１（ロ）におけるＡ−Ａ線矢視方向での断面
構造を拡大して示す説明図。
構造を拡大して示す説明図。
【図３】従来からあるクランプ式電流センサの要部構成
例を示す正面図。
例を示す正面図。
【図４】図３における一点鎖線による囲繞部分を拡大し
て示す説明図。
て示す説明図。
１，２１ クランプ式電流センサ ２，２２ 磁気コア ３，２３ 上辺コア部 ４，２４ 一側縦辺コア部 ４ａ，２４ａ 切削面 ４ｂ，２４ｂ 当接面 ５，２５ 他側縦辺コア部 ６，２６ 下辺コア部 ２７ 上面 ２７ａ 清浄平滑面 ７，３１ 磁電変換部 ８ マイカ基板 ９ ホール素子 １０ 電極 １１ 保護膜 １２ フレキシブル基板 ３１ 磁電変換部 ３２ 絶縁層 ３３ 磁電変換素子（ホール素子） ３４ 電極 ３５ 保護膜 ４１ フレキシブル基板 ４２ ベース薄片 ４３ 銅箔パターン層 ４４ ニッケルメッキ層 ４５ 金箔パターン層 ４６ 切欠部 ４７ 透孔 ４８ ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康文 長野県上田市大字小泉字桜町81番地 日置 電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G025 AA03 AA07 AB02 AB14 CA04 DA03
Claims (4)
- 【請求項１】 上辺コア部と、該上辺コア部をその一側
端部にて下支えする一側縦辺コア部と、前記上辺コア部
をその他端部にて下支えする他側縦辺コア部と、これら
一側縦辺コア部と他側縦辺コア部とを下支えする下辺コ
ア部とからなる磁気コアと、下辺コア部と前記一側縦辺
コア部の当接面との間に介在配置される磁電変換素子を
含む磁電変換部と、該磁電変換部との電気的な接続を自
在に下辺コア部の上面に沿わせて配置されるフレキシブ
ル基板とで、前記上辺コア部を摺動操作して導入された
活線状態にある被測定導線の電流の検出を自在に形成さ
れたクランプ式電流センサにおいて、 前記磁電変換部は、下辺コア部における一側縦辺コア部
の当接面との対向面側に設けられた絶縁層と、該絶縁層
上に配設された磁電変換素子と、該磁電変換素子から各
別に引き出された電極と、磁電変換素子及びその周辺部
分に覆設された保護膜とで形成され、前記フレキシブル
基板は、一側縦辺コア部の当接面が保護膜と直に当接す
るようにその対応部位に切欠部を設けて配設したことを
特徴とするクランプ式電流センサ。 - 【請求項２】 上辺コア部と一側縦辺コア部と他側縦辺
コア部とは、高透磁率磁性材料により形成するととも
に、前記絶縁層は、下辺コア部の対応部位を鏡面研磨し
てなる清浄平滑面に設けたことを特徴とする請求項１記
載のクランプ式電流センサ。 - 【請求項３】 前記高透磁率磁性材料は、Ｍｎ−Ｚｎ系
高透磁率磁性材料もしくはＮｉ−Ｚｎ系高透磁率磁性材
料であることを特徴とする請求項２記載のクランプ式電
流センサ。 - 【請求項４】 前記磁電変換部は、ＳｉＯ2 膜からなる
絶縁層と、該絶縁層上に製膜されたＩｎＳｂ薄膜からな
るホール素子と、該ホール素子から引き出されたＡｌ薄
膜からなる電極と、ホール素子を含む周辺部位を覆うＳ
ｉＯ2 膜からなる保護膜とで形成したことを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載のクランプ式電流セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27781798A JP3943263B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | クランプ式電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27781798A JP3943263B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | クランプ式電流センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111578A true JP2000111578A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3943263B2 JP3943263B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=17588686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27781798A Expired - Fee Related JP3943263B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | クランプ式電流センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3943263B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001337112A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Hioki Ee Corp | クランプ式電流センサ |
| JP2002359411A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011033435A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hioki Ee Corp | 電流センサの製造方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27781798A patent/JP3943263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001337112A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Hioki Ee Corp | クランプ式電流センサ |
| JP4663062B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2011-03-30 | 日置電機株式会社 | クランプ式電流センサ |
| JP2002359411A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011033435A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hioki Ee Corp | 電流センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3943263B2 (ja) | 2007-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6462531B1 (en) | Current detector having a hall-effect device | |
| US6812687B1 (en) | Semiconductor current detector of improved noise immunity | |
| JP2002026419A (ja) | 磁電変換装置 | |
| US20100045285A1 (en) | Magnetic sensor element and manufacturing method thereof | |
| JP4414545B2 (ja) | 電流センサーの製造方法 | |
| JP2008249406A (ja) | 磁気インピーダンス効果素子及びその製造方法 | |
| KR20120062721A (ko) | 자기장 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100537302B1 (ko) | 전동기 | |
| US20220308128A1 (en) | Magnetic sensor | |
| JP2000111578A (ja) | クランプ式電流センサ | |
| JP2001004726A (ja) | 磁界センサ | |
| TW468168B (en) | Magnetoresistive devices, giant magnetoresistive devices and methods for making same background of the invention | |
| JP5305397B2 (ja) | 電流センサおよび電流センサの製造方法 | |
| JP3473835B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法 | |
| JP5606021B2 (ja) | 電流センサの製造方法 | |
| JP2001228227A (ja) | 磁界測定装置 | |
| JP3023647U (ja) | 電流検出器 | |
| JPH01240867A (ja) | 電流検出器 | |
| JP2018031724A (ja) | 磁界センサとバイアス方法 | |
| JPH0950609A (ja) | スピンバルブ素子 | |
| JP5201895B2 (ja) | 磁気検出素子およびその製造方法 | |
| JP2001159668A (ja) | 薄膜電子部品 | |
| JP3161610B2 (ja) | ホール素子の製造方法 | |
| JPH0450541Y2 (ja) | ||
| JPS6041474B2 (ja) | 信号伝達素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061129 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070307 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070405 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |