JP2000104022A - 半導体パッケージ用接着フィルム - Google Patents

半導体パッケージ用接着フィルム

Info

Publication number
JP2000104022A
JP2000104022A JP10277704A JP27770498A JP2000104022A JP 2000104022 A JP2000104022 A JP 2000104022A JP 10277704 A JP10277704 A JP 10277704A JP 27770498 A JP27770498 A JP 27770498A JP 2000104022 A JP2000104022 A JP 2000104022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
weight
adhesive film
epoxy resin
semiconductor package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10277704A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Imashiro
靖雄 今城
Takahiko Ito
貴彦 伊藤
Hideji Tomita
秀司 冨田
Norimasa Nakamura
典雅 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nisshinbo Holdings Inc
Original Assignee
Nisshinbo Industries Inc
Nisshin Spinning Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nisshinbo Industries Inc, Nisshin Spinning Co Ltd filed Critical Nisshinbo Industries Inc
Priority to JP10277704A priority Critical patent/JP2000104022A/ja
Priority to US09/400,970 priority patent/US6440258B1/en
Priority to DE69913075T priority patent/DE69913075T2/de
Priority to EP99119386A priority patent/EP0990686B1/en
Publication of JP2000104022A publication Critical patent/JP2000104022A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/20—Macromolecular compounds having nitrogen in the main chain according to C08L75/00 - C08L79/00; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2813—Heat or solvent activated or sealable
    • Y10T428/2817—Heat sealable
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2839—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer with release or antistick coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/287—Adhesive compositions including epoxy group or epoxy polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2896—Adhesive compositions including nitrogen containing condensation polymer [e.g., polyurethane, polyisocyanate, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来技術の難点であった耐熱性、接着性、は
んだ耐熱性及び繰り返し耐熱性に劣る点を解消して、信
頼性に優れた半導体パッケージ用接着フィルムを提供す
る。 【解決手段】 本発明の半導体パッケージ用接着フィル
ムの構成は、ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂と
からなり、前記ポリカルボジイミド樹脂は、そのゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算
による数平均分子量が３０００から５００００のもので
あると共に、前記エポキシ樹脂をポリカルボジイミド樹
脂１００重量部に対し２０〜１５０重量部含有する組成
物に、無機充填剤を全樹脂分の３０〜７０重量％添加し
てなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージ用
接着フィルムに関するものであり、更に詳しくは、耐熱
性及び信頼性に優れた半導体パッケージ用接着フィルム
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置を構成するリードフ
レーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半導体チッ
プ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接着に
は、従来より、例えばエポキシ基を末端に有する変性ポ
リアミド樹脂を接着剤として使用したり（特開平５−５
１４４７号公報参照）、ポリシロキサンユニットを有す
るポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とからなる接着剤を使
用したり（特開平６−２００２１６号公報参照）、或い
は、イミド系の樹脂を使用したりして（特開平１０−１
３５２４８号公報参照）、行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記エ
ポキシ基を末端に有する変性ポリアミド樹脂を接着剤と
して使用した場合は、変性ポリアミド樹脂のガラス転移
点が低いため、耐熱性が不十分で、特に銅箔の光沢面に
対する接着性が十分ではないという難点があり、又、上
記ポリシロキサンユニットを有するポリイミド樹脂とエ
ポキシ樹脂とからなる接着剤を使用した場合は、ポリイ
ミド樹脂の接着性やはんだ耐熱性が十分ではないという
難点があり、更に、上記イミド系の樹脂を使用した場合
は、半導体パッケージ後のヒートショック試験時に、ク
ラックが入りやすいという難点がある。
【０００４】本発明は、上記従来技術の難点であった耐
熱性、接着性、はんだ耐熱性及び繰り返し耐熱性に劣る
点を解消して、信頼性に優れた半導体パッケージ用接着
フィルムを提供することを目的としてなされた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用した半導体パッケージ用接着フィルムの
構成は、ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂とから
なり、前記ポリカルボジイミド樹脂は、そのゲルパーミ
エーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算によ
る数平均分子量が３０００から５００００のものである
と共に、前記エポキシ樹脂をポリカルボジイミド樹脂１
００重量部に対し２０〜１５０重量部含有する組成物
に、無機充填剤を全樹脂分の３０〜７０重量％添加して
なることを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の態様】以下に本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明で使用する組成物は、基本的にはポ
リカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂とからなるもので
あって、このポリカルボジイミド化合物としては、種々
の方法で製造したものを使用することができ、基本的に
は従来のポリカルボジイミドの製造方法（米国特許第２
９４１９５６号明細書や特公昭４７−３３２７９号公
報、Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ， ２８， ２０６９−
２０７５（１９６３）、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ １９８１， Ｖｏｌ．８１ Ｎｏ．４ ｐ６１９−
６２１）により、具体的には有機ポリイソシアネートの
脱二酸化炭素を伴う縮合反応により製造した、イソシア
ネート末端ポリカルボジイミドを使用することができ
る。
【０００８】上記方法において、ポリカルボジイミド化
合物の合成原料である有機ポリイソシアネートとして
は、例えば、芳香族ポリソシアネート、脂肪族ポリソシ
アネート、脂環族ポリソシアネートやこれらの混合物を
使用することができ、具体的には、１，５−ナフタレン
ジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、４，４'−ジフェニルジメチルメタンジイ
ソシアネート、１，３−フェニレンジイソシアネート、
１，４−フェニレンジイソシアネート、２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネー
ト、２，４−トリレンジイソシアネートと２，６−トリ
レンジイソシアネートの混合物、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネー
ト、キシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４'−ジイソ
シアネート、メチルシクロヘキサンジイソシアネート、
テトラメチルキシリレンジイソシアネート、２，６−ジ
イソプロピルフェニルイソシアネート、１，３，５−ト
リイソプロピルペンゼン−２，４−ジイソシアネート等
を例示することができる。
【０００９】中でも、本発明で使用するポリカルボジイ
ミド樹脂としては、少なくとも１種の芳香族ポリイソシ
アネートから得られたものであることが好ましい（尚、
芳香族ポリイソシアネートとは、芳香環に直結している
イソシアネート基が一分子中に２個以上存在するイソシ
アネートのことをいう。）。
【００１０】又、上記有機ジイソシアネートは、モノイ
ソシアネート等のカルボジイミド化合物の末端イソシア
ネートと反応する化合物を用いて、適当な重合度に制御
したものを使用することもできる。
【００１１】このようにポリカルボジイミドの末端を封
止してその重合度を制御するためのモノイソシアネート
としては、例えば、フェニルイソシアネート、トリルイ
ソシアネート、ジメチルフェニルイソシアネート、シク
ロヘキシルイソシアネート、ブチルイソシアネート、ナ
フチルイソシアネート等を例示することができる。
【００１２】又、この他にも、封止剤として末端イソシ
アネートと反応し得る化合物として、脂肪族化合物、芳
香族化合物、脂環族化合物であって、例えば、−ＯＨ基
を持つメタノール、エタノール、フェノール、シクロヘ
キサノール、Ｎ−メチルエタノールアミン、ポリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリ
コールモノメチルエーテル等；＝ＮＨ基を持つジエチル
アミン、ジシクロヘキシルアミン等；−ＮＨ2基を持つ
ブチルアミン、シクロヘキシルアミン等；−ＣＯＯＨ基
を持つプロピオン酸、安息香酸、シクロヘキサンカルボ
ン酸等；−ＳＨ基を持つエチルメルカプタン、アリルメ
ルカプタン、チオフェノール等やエポキシ基等を有する
化合物を使用することができる。
【００１３】上記有機ジイソシアネートの脱炭酸縮合反
応は、カルボジイミド化触媒の存在下に進行するもので
あり、このカルボジイミド化触媒としては、例えば、１
−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチ
ル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、１
−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル
−２−ホスホレン−１−オキシド及びこれらの３−ホス
ホレン異性体等のホスホレンオキシド等を使用すること
ができ、これらの内、反応性の面からは３−メチル−１
−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシドが好適であ
る。
【００１４】又、本発明で使用するポリカルボジイミド
樹脂は、上記末端封止剤の使用の有無にかかわらず、そ
のゲルパーミエーショングロマトグラフィー（ＧＰＣ）
のポリスチレン換算による数平均分子量が、３０００〜
５００００、好ましくは１００００〜３００００、更に
好ましくは１５０００〜２５０００のものであり、数平
均分子量が３０００以上で、十分な成膜性、耐熱性を得
ることができ、５００００を超えると、その合成に時間
がかかるだけでなく、得られたポリカルボジイミド樹脂
のワニスのポットライフ(可使時間)が極端に短くなり、
実用的ではない。
【００１５】又、本発明で使用する組成物におけるエポ
キシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂等に代表されるグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂や、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、液状ゴム変性エ
ポキシ樹脂等の、一分子中に２以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂の１種又はそれらの混合物を挙げること
ができ、好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂を挙げることができるが、本発明で使用するエポ
キシ樹脂はこれらに限定されるものではなく、一般に知
られているエポキシ樹脂であればよい。
【００１６】本発明で使用する組成物における上記ポリ
カルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂との混合割合として
は、ポリカルボジイミド樹脂１００重量部に対し、エポ
キシ樹脂を２０〜１５０重量部、好ましくは４０〜１３
０重量部、更に好ましくは５０〜１００重量部という範
囲を挙げることができ、この混合割合が２０重量部以上
で耐熱性が向上し、２００重量部を超えると混合した樹
脂の成膜性が悪くなり好ましくない。
【００１７】一方、本発明の半導体パッケージ用接着フ
ィルムは、上記のように構成される組成物に無機充填剤
を添加してなるものであり、この無機充填剤としては、
例えば、シリカ、石英粉、アルミナ、炭酸カルシウム、
酸化マグネシウム、ダイヤモンド粉、マイカ、フッ素樹
脂やジルコン粉等を挙げることができる。
【００１８】本発明において、上記無機充填剤は、上記
組成物における全樹脂分、即ちポリカルボジイミド樹脂
とエポキシ樹脂の合計重量に対して３０〜７０重量％添
加するものであり、無機充填剤の量が３０重量％未満で
あると、フィルムの熱膨張率が大きくなるために、パッ
ケージ後の信頼性が低下してしまい、逆に７０重量％を
超えると、フィルムの接着性が低下してしまい、いずれ
も本発明の目的を達成することができない。
【００１９】上記ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹
脂とからなる組成物と無機充填剤とから本発明の半導体
パッケージ用接着フィルムを得るには、まず、これらの
成分を混合するのであり、この工程は、例えば、室温に
て上記成分を混合したり、加温して混合したり、或い
は、エポキシ樹脂を適当な溶媒に溶解させた後、混合し
てもよいが、特に限定はされない。
【００２０】上記ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹
脂とからなる組成物と無機充填剤の混合物をフィルム状
とするには、この混合物を、公知の方法に従い、例えば
コーターを用いて離型処理されたポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルム上にキャストし、溶剤を加熱
除去すればよいが、特に限定はされない。
【００２１】尚、ここでいう「フィルム状」とは、おお
むね１０〜５００μｍのものを意味している。
【００２２】以上のようにして得られた本発明の半導体
パッケージ用接着フィルムによりリードフレーム周辺の
部材間、例えば、リードピン、半導体チップ搭載用基
板、放熱板、半導体チップ自身等を接着するには、本発
明の半導体パッケージ用接着フィルムを所定の大きさに
切断した後、例えばこれを半導体素子とリードフレーム
との間、又は、セラミック基板とリードフレームとの間
に挟み、１５０〜３００℃、０．１〜５Ｋｇ／ｃｍ2、
５秒〜１０分間処理すればよい。
【００２３】本発明の半導体パッケージ用接着フィルム
は、室温で柔らかく、軽く加熱すると更に柔らかくなる
と共に粘着性を発現し、そして更に強く加熱すると硬化
して接着力を発揮するのであるが、無機充填材の効果に
より、熱膨張率を低く抑えることができるものである。
【００２４】
【実施例】以下に本発明を実施例により更に詳しく説明
する。
【００２５】実施例１ 撹拌器とコンデンサーを取り付けた反応装置に、４，
４'−ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩ
と記す）１７２ｇ、フェニルイソシアネート（以下ＰＩ
と記す）１．６４ｇ、溶媒としてテトラヒドロフラン
（以下ＴＨＦと記す）１２９０ｇ、触媒として３−メチ
ル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド０．
３４ｇを仕込み、７０℃で１５時間反応を行ったとこ
ろ、ＧＰＣによる数平均分子量（以下Ｍｎと記す）が
２．０×１０4（ポリスチレン換算値）のポリカルボジ
イミドのワニスを得た。このワニスの樹脂分１００重量
部に対し、エポキシ樹脂（エピコート８２８［油化シェ
ルエポキシ社製、商品名］）７０重量部、無機充填剤と
してアルミナを全樹脂分に対し５０重量％になる量を加
え、撹拌、混合した。このワニスを離型処理を施したＰ
ＥＴフィルムにキャストし、乾燥させた後にひき剥が
し、厚さ１００μｍの半導体パッケージ用接着フィルム
を得た。
【００２６】実施例２ ＰＩの量を６．５６ｇとしたこと以外は、全て実施例１
と同様に行い（尚、得られたポリカルボジイミドのＭｎ
は６．２×１０3であった。）、厚さ１００μｍの半導
体パッケージ用接着フィルムを得た。
【００２７】実施例３ 撹拌器とコンデンサーを取り付けた反応装置に、２，
４'−トリレンジイソシアネートと２，６'−トリレンジ
イソシアネートの８０：２０の混合物（重量比）１７４
ｇ、ＰＩ１．７９ｇ、溶媒としてトルエン１２００ｇ、
触媒として３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン
−１−オキシド０．３４ｇを仕込み、１００℃で１４時
間反応を行ったところ、ＧＰＣによる数平均分子量（Ｍ
ｎ）が１．６×１０4（ポリスチレン換算値）のポリカ
ルボジイミドのワニスを得た。このワニスの樹脂分１０
０重量部に対し、エポキシ樹脂（エピコート８２８油化
［シェルエポキシ社製、商品名］）５０重量部、無機充
填剤として溶融シリカを全樹脂分に対し６０重量％にな
る量を加え、撹拌、混合した。このワニスを離型処理を
施したＰＥＴフィルムにキャストし、乾燥させた後ひき
剥がし、厚さ１００μｍのフィルム状封止剤を得た。
【００２８】実施例４ 無機充填剤として炭酸カルシウムを全樹脂分に対し４０
重量％加えたこと以外は、全て実施例１と同様に行い、
厚さ１００μｍのフィルム状封止剤を得た。
【００２９】実施例５ 撹拌器とコンデンサーを取り付けた反応装置に、ＭＤＩ
１７２ｇ、ＰＩ３．２８ｇ、溶媒としてＴＨＦ１２９０
ｇ、触媒として３−メチル−１−フェニル−２−ホスホ
レン−１−オキシド０．３４ｇを仕込み、７０℃で１３
時間反応を行ったところ、ＧＰＣによる数平均分子量
（以下Ｍｎと記す）が１．０×１０4（ポリスチレン換
算値）のポリカルボジイミドのワニスを得た。このワニ
スの樹脂分１００重量部に対し、エポキシ樹脂（エピコ
ート８２８［油化シェルエポキシ社製、商品名］５０重
量部、ＹＤＣＮ−７０３［東都化成製、商品名］２０重
量部）、無機充填剤としてアルミナを全樹脂分に対し７
０重量％になる量を加え、撹拌、混合した。このワニス
を離型処理を施したＰＥＴフィルムにキャストし、乾燥
させた後にひき剥がし、厚さ１００μｍの半導体パッケ
ージ用接着フィルムを得た。
【００３０】比較例１ エポキシ樹脂（エピコート８２８［油化シェルエポキシ
社製、商品名］）１００重量部に、ジシアンジアミド１
０重量部、メチルエチルケトン３０重量部、ジメチルホ
ルムアミド２０重量部を加え、更に、アルミナを全樹脂
分に対し４０重量％になる量を加え、撹拌・混合した。
このワニスを離型処理を施したＰＥＴフィルムにキャス
トし、乾燥させた後にひき剥がし、厚さ１００μｍの半
導体パッケージ用接着フィルムを得た。
【００３１】比較例２ 実施例３において、エポキシ樹脂（エピコート８２８
［油化シェルエポキシ社製、商品名］）の添加量を、ポ
リカルボジイミド樹脂１００重量部に対し２００重量部
としたこと以外は、全て実施例３と同様に行い、厚さ１
００μｍの半導体パッケージ用接着フィルムを得た。
【００３２】以上のようにして得られた実施例及び比較
例の接着フィルムにつき、以下のような評価方法により
評価した。
【００３３】（１）フィルム外観及び強度 作成した接着フィルムの外観を目視で観察し、又、接着
フィルムを１８０°折り曲げたときの状態を観察した。 （２）線膨張係数 ＪＩＳ Ｋ ７１９７に準じ、作成した接着フィルムを
２００℃で２０分間熱処理したサンプルの線膨張係数
を、ＴＭＡ／ＳＳ６１００（セイコーインスツルメンツ
社製）を用いて、昇温速度５℃／分で測定した。 （３）ヒートサイクル試験 加熱したプレス機上にセラミック板を置き、所定の大き
さに切断した接着フィルムを、１７０℃、１分、５ｋｇ
／ｃｍ2の条件でこのセラミック板に仮接着した。次
に、接着フィルムを仮接着したセラミック板と、リード
フレーム（４２アロイ）とを、接着フィルムを介して貼
り合わせた（条件：１８０℃、１分、１０ｋｇ／ｃ
ｍ2）。こうして作成したサンプルについて、−２５℃
〜１２５℃でのヒートサイクル試験を５００回行い、剥
離状態を超音波探査装置（キャノン製Ｍ−７００ＩＩ）
を用いて測定し、剥離の生じたサンプル数／総数（１０
個）を求めた。 （４）剥離強度 作成した接着フィルムを３５μｍの電解銅箔（日鉱グー
ルド・フォイル製）の光沢面に、１８０℃、３０ｋｇ／
ｋｍ2、３０分のプレス条件で積層して評価用サンプル
を作成し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に準拠して剥離強度の
測定を行った。
【００３４】以上の測定結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】以上の実施例及び比較例から明らかなよ
うに、本発明の半導体パッケージ用接着フィルムは、タ
ックフリーで取扱い性が良いばかりか、耐熱性に優れた
ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂とを組み合せる
ことで、熱膨張率が低いことを示す十分なはんだ耐熱性
及び十分な繰り返し耐熱性、更には十分な接着性を有し
ており、半導体装置を構成するリードフレーム周辺の部
材間、例えば、リードピン、半導体チップ搭載用基板、
放熱板、半導体チップ自身等の接着に好適に使用するこ
とができ、信頼性も高いものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月１４日（１９９９．１２．
１４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置を構成する部材、例
えば、リードピン、半導体チップ搭載用基板、放熱板、
半導体チップ等の接着には、従来より、例えばエポキシ
基を末端に有する変性ポリアミド樹脂を接着剤として使
用したり（特開平５−５１４４７号公報参照）、ポリシ
ロキサンユニットを有するポリイミド樹脂とエポキシ樹
脂とからなる接着剤を使用したり（特開平６−２００２
１６号公報参照）、或いは、イミド系の樹脂を使用した
りして（特開平１０−１３５２４８号公報参照）、行わ
れてきた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】上記方法において、ポリカルボジイミド化
合物の合成原料である有機ポリイソシアネートとして
は、例えば、芳香族ポリソシアネート、脂肪族ポリソシ
アネート、脂環族ポリソシアネートやこれらの混合物を
使用することができ、具体的には、１，５−ナフタレン
ジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、４，４'−ジフェニルジメチルメタンジイ
ソシアネート、１，３−フェニレンジイソシアネート、
１，４−フェニレンジイソシアネート、２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネー
ト、２，４−トリレンジイソシアネートと２，６−トリ
レンジイソシアネートの混合物、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネー
ト、キシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４'−ジイソ
シアネート、メチルシクロヘキサンジイソシアネート、
テトラメチルキシリレンジイソシアネート、２，６−ジ
イソプロピルフェニルジイソシアネート、１，３，５−
トリイソプロピルベンゼン−２，４−ジイソシアネート
等を例示することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】又、上記ポリカルボジイミド樹脂は、モノ
イソシアネート等のカルボジイミド化合物の末端イソシ
アネートと反応する化合物を用いて、適当な重合度に制
御したものを使用することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】上記有機ポリイソシアネートの脱炭酸縮合
反応は、カルボジイミド化触媒の存在下に進行するもの
であり、このカルボジイミド化触媒としては、例えば、
１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メ
チル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、
１−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチ
ル−２−ホスホレン−１−オキシド及びこれらの３−ホ
スホレン異性体等のホスホレンオキシド等を使用するこ
とができ、これらの内、反応性の面からは３−メチル−
１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシドが好適で
ある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】又、本発明で使用するポリカルボジイミド
樹脂は、上記末端封止剤の使用の有無にかかわらず、そ
のゲルパーミエーショングロマトグラフィー（ＧＰＣ）
のポリスチレン換算による数平均分子量が、３０００〜
５００００、好ましくは１００００〜３００００、更に
好ましくは１５０００〜２５０００のものであり、数平
均分子量が３０００未満では、十分な成膜性、耐熱性を
得ることができず、５００００を超えると、その合成に
時間がかかるだけでなく、得られたポリカルボジイミド
樹脂のワニスのポットライフ(可使時間)が極端に短くな
り、実用的ではない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】本発明で使用する組成物における上記ポリ
カルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂との混合割合として
は、ポリカルボジイミド樹脂１００重量部に対し、エポ
キシ樹脂を２０〜１５０重量部、好ましくは４０〜１３
０重量部、更に好ましくは５０〜１００重量部という範
囲を挙げることができ、この混合割合が２０重量部未満
だと耐熱性が向上せず、２００重量部を超えると混合し
た樹脂の成膜性が悪くなり好ましくない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】以上のようにして得られた本発明の半導体
パッケージ用接着フィルムにより半導体装置を構成する
部材、例えば、リードピン、半導体チップ搭載用基板、
放熱板、半導体チップ等を接着するには、本発明の半導
体パッケージ用接着フィルムを所定の大きさに切断した
後、例えばこれを半導体素子とリードフレームとの間、
又は、セラミック基板とリードフレームとの間に挟み、
１５０〜３００℃、０．１〜５Ｋｇ／ｃｍ2、５秒〜１
０分間処理すればよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】実施例３ 撹拌器とコンデンサーを取り付けた反応装置に、２，
４'−トリレンジイソシアネートと２，６'−トリレンジ
イソシアネートの８０：２０の混合物（重量比）１７４
ｇ、ＰＩ１．７９ｇ、溶媒としてトルエン１２００ｇ、
触媒として３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン
−１−オキシド０．３４ｇを仕込み、１００℃で１４時
間反応を行ったところ、ＧＰＣによる数平均分子量（Ｍ
ｎ）が１．６×１０4（ポリスチレン換算値）のポリカ
ルボジイミドのワニスを得た。このワニスの樹脂分１０
０重量部に対し、エポキシ樹脂（エピコート８２８油化
［シェルエポキシ社製、商品名］）５０重量部、無機充
填剤として溶融シリカを全樹脂分に対し６０重量％にな
る量を加え、撹拌、混合した。このワニスを離型処理を
施したＰＥＴフィルムにキャストし、乾燥させた後ひき
剥がし、厚さ１００μｍの半導体用接着フィルムを得
た。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】実施例４ 無機充填剤として炭酸カルシウムを全樹脂分に対し４０
重量％加えたこと以外は、全て実施例１と同様に行い、
厚さ１００μｍの半導体用接着フィルムを得た。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】（１）フィルム外観及び強度 作成した接着フィルムの外観を目視で観察し、又、接着
フィルムを１８０°折り曲げたときの状態を観察した。 （２）線膨張係数 ＪＩＳ Ｋ ７１９７に準じ、作成した接着フィルムを
２００℃で２０分間熱処理したサンプルの線膨張係数
を、ＴＭＡ／ＳＳ６１００（セイコーインスツルメンツ
社製）を用いて、昇温速度５℃／分で測定した。 （３）ヒートサイクル試験 加熱したプレス機上にセラミック板を置き、所定の大き
さに切断した接着フィルムを、１７０℃、１分、５ｋｇ
／ｃｍ2の条件でこのセラミック板に仮接着した。次
に、接着フィルムを仮接着したセラミック板と、リード
フレーム（４２アロイ）とを、接着フィルムを介して貼
り合わせた（条件：１８０℃、１分、１０ｋｇ／ｃ
ｍ2）。こうして作成したサンプルについて、−２５℃
〜１２５℃でのヒートサイクル試験を５００回行い、剥
離状態を超音波深傷装置（キャノン製Ｍ−７００ＩＩ）
を用いて測定し、剥離の生じたサンプル数／総数（１０
個）を求めた。 （４）剥離強度 作成した接着フィルムを３５μｍの電解銅箔（日鉱グー
ルド・フォイル製）の光沢面に、１８０℃、３０ｋｇ／
ｃｍ2、３０分のプレス条件で積層して評価用サンプル
を作成し、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に準拠して剥離強度の
測定を行った。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】
【発明の効果】以上の実施例及び比較例から明らかなよ
うに、本発明の半導体パッケージ用接着フィルムは、タ
ックフリーで取扱い性が良いばかりか、熱膨張率が低く
耐熱性に優れたポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂
を組み合せることで十分なはんだ耐熱性及び十分な繰り
返し耐熱性、更には十分な接着性を有しており、半導体
装置を構成する部材、例えば、リードピン、半導体チッ
プ搭載用基板、放熱板、半導体チップ等の接着に好適に
使用することができ、信頼性も高いものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 冨田 秀司 東京都足立区西新井栄町１−18−１ 日清 紡績株式会社東京研究センター内 (72)発明者 中村 典雅 東京都足立区西新井栄町１−18−１ 日清 紡績株式会社東京研究センター内 Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA06 AA11 AA13 AA18 AB05 BA02 FA05 4J040 DC092 EC041 EC042 EC061 EC062 EC071 EC072 EC081 EC082 EC091 EC092 EC351 EC352 EH031 EH032 HA026 HA136 HA156 HA196 HA306 HA356 KA03 KA42 LA01 LA06 LA08 MA02 MA04 MA10 NA20 5F047 BA34 BB03

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ポリカルボジイミド樹脂とエポキシ樹脂
    とからなり、前記ポリカルボジイミド樹脂は、そのゲル
    パーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換
    算による数平均分子量が３０００から５００００のもの
    であると共に、前記エポキシ樹脂をポリカルボジイミド
    樹脂１００重量部に対し２０〜１５０重量部含有する組
    成物に、無機充填剤を全樹脂分の３０〜７０重量％添加
    してなることを特徴とする半導体パッケージ用接着フィ
    ルム。
  2. 【請求項２】 ポリカルボジイミド樹脂が、少なくとも
    １種の芳香族ポリイソシアネートから得られたものであ
    る請求項１に記載の半導体パッケージ用接着フィルム。
JP10277704A 1998-09-30 1998-09-30 半導体パッケージ用接着フィルム Pending JP2000104022A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10277704A JP2000104022A (ja) 1998-09-30 1998-09-30 半導体パッケージ用接着フィルム
US09/400,970 US6440258B1 (en) 1998-09-30 1999-09-22 Adhesive film for semiconductor package
DE69913075T DE69913075T2 (de) 1998-09-30 1999-09-29 Klebefilm für Halbleitergehäuse
EP99119386A EP0990686B1 (en) 1998-09-30 1999-09-29 Adhesive film for semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10277704A JP2000104022A (ja) 1998-09-30 1998-09-30 半導体パッケージ用接着フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000104022A true JP2000104022A (ja) 2000-04-11

Family

ID=17587160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10277704A Pending JP2000104022A (ja) 1998-09-30 1998-09-30 半導体パッケージ用接着フィルム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6440258B1 (ja)
EP (1) EP0990686B1 (ja)
JP (1) JP2000104022A (ja)
DE (1) DE69913075T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111393808A (zh) * 2020-03-23 2020-07-10 浙江恒澜科技有限公司 一种改性聚磷酸铵-黑磷阻燃pet聚酯的制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005097344A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Nisshinbo Ind Inc ラミネート用接着剤組成物及びそれを用いた接着性フィルム
ATE477932T1 (de) * 2005-01-10 2010-09-15 Silverbrook Res Pty Ltd Tintenstrahldruckkopfherstellungsverfahren
CA3039640C (en) * 2016-11-07 2021-06-15 Shikoku Research Institute Incorporated Coating composition, coating film, and coating method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69110088T2 (de) * 1990-06-01 1995-10-19 Nisshin Spinning Hitzebeständiger Klebstoff und diesen anwendendes Klebeverfahren.
JPH05320611A (ja) * 1992-05-18 1993-12-03 Nisshinbo Ind Inc フィルム状接着剤組成物
JPH0616907A (ja) * 1992-06-29 1994-01-25 Nisshinbo Ind Inc 導電性組成物及び該導電性組成物による接着剤又は塗料
EP0747434B1 (en) * 1995-06-06 2000-08-16 Nisshinbo Industries, Inc. Epoxy resin composition and adhesive based thereon
US5576398A (en) * 1995-07-07 1996-11-19 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Thermosetting resin composition
US6143409A (en) * 1996-06-14 2000-11-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polycarbodiimide resin-containing adhesive and flexible printed circuit board

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111393808A (zh) * 2020-03-23 2020-07-10 浙江恒澜科技有限公司 一种改性聚磷酸铵-黑磷阻燃pet聚酯的制备方法
CN111393808B (zh) * 2020-03-23 2022-05-27 浙江恒逸石化研究院有限公司 一种改性聚磷酸铵-黑磷阻燃pet聚酯的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69913075T2 (de) 2004-09-09
EP0990686A2 (en) 2000-04-05
EP0990686A3 (en) 2000-05-31
EP0990686B1 (en) 2003-11-26
US6440258B1 (en) 2002-08-27
DE69913075D1 (de) 2004-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI332521B (en) Adhesive films for semiconductor
JP2000017246A (ja) 粘接着剤組成物および粘接着シート
EP2287262A1 (en) Connecting material
JPH08333552A (ja) 電子部品用接着テープ
JP2002327165A (ja) 熱硬化性の接着剤フィルム及びそれを用いた接着構造
JP2003301148A (ja) 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
EP1026217B1 (en) Method of producing adhesive tape for electronic parts
JP3851749B2 (ja) 樹脂付き金属箔
JP2000104022A (ja) 半導体パッケージ用接着フィルム
JP2001302998A (ja) 接着フィルムおよびその用途
KR100456348B1 (ko) 에폭시수지용 페놀계 경화제 및 그것을 사용한에폭시수지조성물
JP2013147522A (ja) 電子機器用接着剤組成物
JP4044349B2 (ja) 薄型フィルム状接着剤
JP2000104025A (ja) フレキシブルプリント配線板用フィルム
JP2002088221A (ja) 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いた樹脂付き金属箔、プリプレグ並びにフィルム状接着剤
JPH111675A (ja) 熱伝導性感圧接着剤とその接着シ―ト類
JP2002277185A (ja) 放熱複層構造体
JP3472156B2 (ja) 電子部品用フィルム状封止剤
JP2005097344A (ja) ラミネート用接着剤組成物及びそれを用いた接着性フィルム
JP2002146325A (ja) 接着剤組成物とそれを用いた接着部材と半導体搭載用基板と半導体装置
JP2008094865A (ja) フィルム状接着剤組成物及びフィルム状接着剤並びにこのフィルム状接着剤を用いた半導体パッケージの製造方法
JP2004182804A (ja) 樹脂組成物及びそれよりなるフィルム状接着剤
JP2002305212A (ja) 半導体用マウントペースト
JPH11140392A (ja) 熱硬化性接着シート
JPH0797555A (ja) 耐熱性接着剤組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050613

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080606

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081021