JP2000100896A - Method and device for carrying wafer - Google Patents
Method and device for carrying waferInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体ウェハ
(以下、単に「ウェハ」という)を浮上させた状態で搬
送する非接触方式のウェハ搬送装置、およびウェハ搬送
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-contact type wafer transfer apparatus for transferring a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") in a floating state, and a wafer transfer method.
【0002】[0002]
【従来の技術】IC、LSIなどといった半導体集積回
路の形成においては、レジスト塗布、露光、現像といっ
た各種のプロセス処理が行われ、その際、各処理工程間
では、ウェハ単位で受け渡しが行われている。そのよう
な受け渡しを必要とするウェハの搬送工程においては、
従来よりアーム方式やベルトコンベア方式などが採用さ
れているが、ウェハが直接アームやベルトに接触するた
め、ゴミなどの付着の原因になるとともに、熱したウェ
ハを搬送することによって次に搬送されるウェハに熱の
影響を及ぼすという問題があった。2. Description of the Related Art In the formation of semiconductor integrated circuits such as ICs and LSIs, various process processes such as resist coating, exposure, and development are performed. I have. In the wafer transfer process that requires such delivery,
Conventionally, an arm system or a belt conveyor system has been adopted, but since the wafer directly contacts the arm or belt, it causes adhesion of dust and the like, and is transported next by transporting the heated wafer. There is a problem that heat is exerted on the wafer.
【0003】上記欠点を解消するため、最近において
は、ウェハを浮上させた状態で搬送する非接触方式のウ
ェハ搬送装置が考えられている。この非接触方式による
ウェハ搬送装置の概要としては、ウェハの裏面に対して
多数の吐出孔から噴出したガスを垂直に吹き当てつつ、
それにより生じた風圧で吐出面上に載置されたウェハを
ほんの少し上方に浮上させつつ所定の方向に搬送するこ
とを特徴としている。具体的な搬送手段として、ウェハ
を目的とするステージへと送り出すためには、可動アー
ム上にウェハの浮上保持部を設け、その可動アームを動
かして上記浮上保持部を目的のステージ付近へと移動さ
せた後、その浮上保持部から別のアームでウェハを掴み
取ってステージ上に載せ置くといった方法がある。ま
た、搬送経路に沿って平面ラインを敷設するとともに、
その平面ライン上に上記多数の吐出孔を形成し、各吐出
孔から噴出するガスの流量を搬送方向に沿って順繰りに
制御することで、平面ライン上にウェハを浮上させた状
態で搬送するといった方法もある。いずれの方法によっ
ても、ウェハは、搬送区間内において風圧により浮上し
て他の部材と接触しない状態とされることから、先述し
たようなゴミなどの付着、熱の影響などといった問題が
効果的に解消されている。In order to solve the above-mentioned drawbacks, recently, a non-contact type wafer transfer device for transferring a wafer in a floating state has been considered. As an outline of this non-contact type wafer transfer device, the gas ejected from a large number of ejection holes is blown vertically to the back surface of the wafer,
It is characterized in that the wafer placed on the discharge surface is conveyed in a predetermined direction while floating slightly upward by the wind pressure generated thereby. As a specific transport means, in order to send the wafer to the target stage, a floating holding part for the wafer is provided on the movable arm, and the floating arm is moved near the target stage by moving the movable arm. After that, there is a method in which another arm is used to grab the wafer from the floating holder and place it on the stage. In addition, while laying a plane line along the transport route,
By forming the large number of discharge holes on the plane line and controlling the flow rate of the gas ejected from each discharge hole sequentially along the transfer direction, the wafer is transferred while floating on the plane line. There are ways. With either method, the wafer floats by the wind pressure in the transfer section and is brought into a state where it does not come into contact with other members, so that the problems such as the attachment of dust and the influence of heat as described above can be effectively prevented. Has been resolved.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の非
接触方式のウェハ搬送装置によれば、吐出孔から噴出す
るガスによってウェハを浮上させるといった技術的工夫
を施すことで、ゴミなどの付着、熱の影響などといった
問題が効果的に解消されるとしても、それに伴ってウェ
ハを送り出すための仕組みが複雑な構成となっていた。However, according to the above-mentioned conventional non-contact type wafer transfer device, the adhesion of dust and the like can be reduced by applying technical measures such as floating the wafer by gas ejected from the ejection holes. Even if the problem such as the influence of heat is effectively solved, the mechanism for sending out the wafer has a complicated configuration.
【0005】つまり、上記アーム式のウェハ搬送装置で
は、ウェハを掴み取る別のアームが必要であり、その
分、複雑なアーム機構を構築する必要があった。一方、
上記平面ライン式のウェハ搬送装置では、平面ライン上
に形成された各吐出孔から噴出するガスの流量を個別に
制御する必要があり、その分、複雑な制御機構を構築す
る必要があった。That is, in the above-mentioned arm type wafer transfer device, another arm for grasping the wafer is required, and accordingly, a complicated arm mechanism has to be constructed. on the other hand,
In the above-mentioned flat line type wafer transfer device, it is necessary to individually control the flow rate of gas ejected from each discharge hole formed on the flat line, and it is necessary to construct a complicated control mechanism accordingly.
【0006】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ウェハを浮上させた状態で搬送す
る非接触方式を採用しつつも、ウェハを送り出すために
必要な仕組みを簡易に構築することができるウェハ搬送
装置、およびウェハ搬送方法を提供することをその課題
としている。The present invention has been conceived in view of the above circumstances, and employs a non-contact method of transporting a wafer in a floating state, while providing a mechanism necessary for sending out the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer transfer device and a wafer transfer method that can be easily constructed.
【0007】[0007]
【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.
【0008】すなわち、本願発明により提供されるウェ
ハ搬送装置は、ウェハの裏面に対して多数の吐出孔から
噴出したガスを吹き当てつつ、これら吐出孔が形成され
た吐出面上に上記ウェハを浮上させた状態で搬送するウ
ェハ搬送装置であって、上記吐出孔のうちの少なくとも
一つは、そこから噴出するガスの噴射方向が上記ウェハ
の送り方向側に偏向されていることを特徴としている。That is, the wafer transfer device provided by the present invention floats the wafer on the discharge surface where these discharge holes are formed while blowing the gas discharged from the many discharge holes against the back surface of the wafer. In a wafer transfer apparatus for transferring a wafer in a state where the discharge is performed, at least one of the discharge holes is deflected in a direction in which a gas ejected from the discharge hole is directed to a wafer sending direction.
【0009】また、本願発明により提供されるウェハ搬
送方法は、ウェハの裏面に対して多数の吐出孔から噴出
したガスを吹き当てつつ、これら吐出孔が形成された吐
出面上に上記ウェハを浮上させた状態で搬送するウェハ
搬送方法であって、上記吐出孔のうちの少なくとも一つ
から噴出するガスを、上記ウェハの送り方向側に偏向し
た方向に噴出させ、そのウェハと上記吐出面との狭隙に
生じた層流によって、その吐出面上に上記ウェハを浮上
させた状態で送り方向に沿って搬送することを特徴とし
ている。Further, according to the wafer transfer method provided by the present invention, a gas ejected from a large number of ejection holes is blown against the back surface of the wafer, and the wafer is floated on the ejection surface formed with these ejection holes. A method of transporting wafers in a state where the wafer is transported in a state where the gas is ejected from at least one of the ejection holes in a direction deflected to the wafer sending direction, and the wafer is ejected from the ejection surface. The method is characterized in that the wafer is conveyed along the feed direction in a state of being floated on the discharge surface by the laminar flow generated in the narrow gap.
【0010】つまり、上記ウェハ搬送装置およびウェハ
搬送方法は、実質的に同一の技術的手段が講じられたも
のであり、そのような技術的手段が講じられた本願発明
では、吐出面上にウェハが配置された状態とされ、多数
の吐出孔から噴出したガスがウェハの裏面に吹き当たる
状態となる。そうすると、吐出面上のウェハは、ウェハ
面に対して垂直に作用する風圧力により、その吐出面よ
りほんの少し上方に狭隙を空けて浮上した状態となる。
一方、ウェハと吐出面との狭隙においては、そのウェハ
の送り方向側に噴射方向が偏向されたガスの噴出によ
り、ウェハ面に平行して送り方向側に向かう流れの層流
が生じる。この層流によってウェハの裏面には、送り方
向側に向けて搬送力が作用することとなり、吐出面上に
浮上した状態のウェハは、層流による搬送力を受けるこ
とで送り方向に沿って水平移動することとなる。つま
り、吐出面上のウェハは、その面上にて浮上した状態で
送り方向に沿って流動的な挙動を示すこととなる。That is, the above-described wafer transfer device and the wafer transfer method employ substantially the same technical means, and in the present invention in which such technical means are employed, the wafer is disposed on the discharge surface. Are arranged, and the gas ejected from the large number of ejection holes blows against the back surface of the wafer. Then, the wafer on the discharge surface floats with a narrow gap slightly above the discharge surface due to the wind pressure acting perpendicular to the wafer surface.
On the other hand, in the narrow gap between the wafer and the discharge surface, a laminar flow of a flow toward the feed direction parallel to the wafer surface is generated due to the ejection of the gas whose injection direction is deflected toward the feed direction of the wafer. Due to the laminar flow, a transfer force acts on the back surface of the wafer in the feed direction, and the wafer floating on the discharge surface receives the transfer force due to the laminar flow and moves horizontally along the transfer direction. Will move. That is, the wafer on the discharge surface exhibits a fluid behavior along the feed direction while floating on the surface.
【0011】したがって、本願発明により提供されるウ
ェハ搬送装置、ウェハ搬送方法によれば、ウェハを吐出
面上に浮上させた状態で搬送するといった非接触方式が
採用されているので、ゴミなどの付着、熱の影響などと
いった問題が効果的に解消される。しかも、非接触方式
で搬送するために必要な構成としては、ウェハの裏面に
対して多数の吐出孔からガスを噴出して吹き当てる際、
一部または全部の吐出孔についてガスの噴射方向をウェ
ハの送り方向側に偏向させるだけでよく、そうしてウェ
ハを浮上させた状態で流動的に搬送することができ、ウ
ェハを送り出すために必要な仕組みを吐出孔からガスを
噴出させるだけで簡易に構築することができる。Therefore, according to the wafer transfer apparatus and the wafer transfer method provided by the present invention, a non-contact method is adopted in which the wafer is transferred while being floated on the discharge surface, so that dust or the like adheres. Problems such as heat and heat are effectively solved. In addition, as a configuration necessary for non-contact transfer, when gas is blown out from a large number of discharge holes against the back surface of the wafer,
It is only necessary to deflect the gas injection direction for some or all of the discharge holes to the wafer feed direction, so that the wafer can be transported in a floating state, and it is necessary to send the wafer A simple mechanism can be easily constructed simply by ejecting gas from the discharge holes.
【0012】なお、ガスの噴射方向が送り方向側に偏向
された吐出孔については、吐出孔全体の総数に応じて適
当な数が必要とされるが、一般的には、多数形成されて
いることが望ましい。The number of ejection holes whose gas injection direction is deflected toward the feed direction needs an appropriate number according to the total number of ejection holes, but generally a large number are formed. It is desirable.
【0013】好ましい実施の形態としては、上記ウェハ
の平面視形状に相似して上記吐出孔が多数形成された吐
出面を有し、その吐出面上にて上記ウェハを浮上させた
状態で保持しつつ、ユニット自体が移動可能とされたユ
ニット本体と、上記ユニット本体の吐出面外周に沿って
環壁状に組み付けられ、その吐出面上にて浮上した上記
ウェハの外周全長を包囲する一方、少なくとも上記ウェ
ハの略半周を包囲する部分が、そのウェハの送り方向側
に面した状態から上記吐出面下に引き下げられた状態に
変化するように上下動可能とされたガード部材とを備え
ている構成とすることができる。In a preferred embodiment, the apparatus has a discharge surface in which a large number of the discharge holes are formed in a manner similar to the shape of the wafer in plan view, and holds the wafer in a floating state on the discharge surface. While the unit itself is movable, the unit body is assembled in an annular wall shape along the outer periphery of the ejection surface of the unit body, and surrounds the entire outer periphery of the wafer floating on the ejection surface, at least. A structure including a guard member which is vertically movable so that a portion surrounding substantially the half circumference of the wafer changes from a state facing the feed direction side of the wafer to a state pulled down below the discharge surface. It can be.
【0014】このような構成によれば、ウェハは、ユニ
ット本体の吐出面上にて外周全長をガード部材によって
取り囲まれた状態となり、吐出孔から噴出するガスによ
って浮上した状態で安定的に静止保持される。そして、
ユニット本体自体が移動することによってウェハが目的
地点へと運ばれ、その目的地点においてユニット本体が
停止すると、ウェハの送り方向側に面した上記ガード部
材の一部分が、ユニット本体の吐出面よりも下方に引き
下げられる。この際、ユニット本体は、ウェハを載せ置
くためのステージなどに近接して横付け状態とされる。
すると、吐出面上のウェハは、送り方向側に流れる層流
に乗ってユニット本体の側方へと送り出される状態とな
り、そのユニット本体に横付けされたステージなどにウ
ェハが流動的に移動することによってウェハの搬送が完
了することとなる。したがって、ウェハを搬送する際に
は、ユニット本体の吐出面上にウェハを浮上させた状態
で保持しつつ、そのユニット本体自体を目的地点まで移
動させ、その目的地点において送り方向側に面したガー
ド部材の一部分を吐出面下に引き下げるだけでユニット
本体外にウェハを送り出すことができるので、ユニット
本体からウェハを取り出すための特別な外部手段を必要
とせず、ユニット本体とステージなどとの間においてウ
ェハを簡単に受け渡しすることができる。According to such a configuration, the wafer is in a state in which the entire length of the outer periphery is surrounded by the guard member on the discharge surface of the unit main body, and is stably held stationary in a state of being floated by the gas ejected from the ejection holes. Is done. And
When the unit body itself moves, the wafer is carried to the destination, and when the unit body stops at the destination, a part of the guard member facing the feed direction of the wafer is lower than the discharge surface of the unit body. To be reduced to At this time, the unit body is placed sideways close to a stage or the like on which a wafer is placed.
Then, the wafer on the discharge surface is sent out to the side of the unit main body on the laminar flow flowing in the feed direction side, and the wafer moves fluidly to a stage or the like laid laterally on the unit main body. The transfer of the wafer is completed. Therefore, when transporting the wafer, the unit body itself is moved to the destination while holding the wafer floating above the discharge surface of the unit body, and the guard facing the feed direction side at the destination point is used. Since the wafer can be sent out of the unit body only by pulling a part of the member below the discharge surface, there is no need for special external means for taking out the wafer from the unit body. Can be easily delivered.
【0015】他の好ましい実施の形態としては、上記多
数の吐出孔のうち、ガスの噴射方向が上記ウェハの送り
方向側に偏向された吐出孔は、上記ユニット本体の吐出
面において上記ウェハの送り方向側に近い部位に設けら
れている構成とすることができる。In another preferred embodiment, among the plurality of ejection holes, the ejection hole whose gas ejection direction is deflected to the wafer sending direction side is provided on the ejection surface of the unit main body. A configuration provided at a portion close to the direction side can be adopted.
【0016】このような構成によれば、ウェハと吐出面
との狭隙において層流を生ぜしめるガス噴出用の吐出孔
は、その吐出面におけるウェハの送り方向側に近い部位
に設けられているので、ユニット本体の吐出面上からウ
ェハが送り出される際、層流が弱まることなくウェハの
下面において送り方向側に流れ、ウェハを送り出すだけ
の十分な搬送力がウェハに対して作用することから、ウ
ェハを吐出面上から速やかに水平移動させるようにして
送り出すことができる。According to such a configuration, the discharge hole for gas ejection which generates a laminar flow in the narrow gap between the wafer and the discharge surface is provided at a position on the discharge surface close to the wafer feeding direction. Therefore, when the wafer is sent out from the discharge surface of the unit body, the laminar flow flows in the feed direction side on the lower surface of the wafer without weakening, and a sufficient transfer force to send out the wafer acts on the wafer. The wafer can be sent out such that it is quickly moved horizontally from the discharge surface.
【0017】また、他の好ましい実施の形態としては、
上記ガード部材には、上記ユニット本体の吐出面上に浮
上した上記ウェハの外周に向けて水平状にガスを噴出す
る吹き出し孔が設けられている構成とすることができ
る。Further, as another preferred embodiment,
The guard member may be provided with a blowout hole for horizontally blowing out a gas toward the outer periphery of the wafer floating on the discharge surface of the unit body.
【0018】このような構成によれば、ユニット本体の
吐出面上に浮上した状態で静止保持されたウェハは、そ
の周りをガード部材によって取り囲まれた状態とされる
が、ガード部材とウェハの外周とは、そのガード部材に
設けられた吹き出し孔から水平状に噴出するガスによっ
て互いに接触しないように工夫されているので、ガード
部材との接触によるウェハに対しての衝撃を緩和するこ
とができ、できる限り吐出面上の定位置においてウェハ
を静止保持することができる。According to such a configuration, the wafer held stationary in a state of floating above the discharge surface of the unit body is surrounded by the guard member. Since it is devised not to come into contact with each other by gas ejected horizontally from the blowing hole provided in the guard member, it is possible to reduce the impact on the wafer due to contact with the guard member, The wafer can be held stationary at a fixed position on the ejection surface as much as possible.
【0019】さらに、他の好ましい実施の形態として
は、上記吐出孔または上記吹き出し孔から噴出するガス
は、上記ウェハとの反応性に乏しい不活性ガスである構
成とすることができる。Further, as another preferred embodiment, the gas ejected from the ejection hole or the ejection hole may be an inert gas having low reactivity with the wafer.
【0020】このような構成によれば、ウェハに対して
吹き当てられるガスがウェハとの反応性に乏しい不活性
ガスとされることから、ウェハ表面がガスによって汚染
されることなく、クリーンな雰囲気環境下でウェハの搬
送を行うことができる。According to this structure, the gas blown to the wafer is an inert gas having low reactivity with the wafer, so that the wafer surface is not contaminated by the gas and the atmosphere is clean. The wafer can be transferred under the environment.
【0021】なお、不活性ガスとしては、たとえば不純
物濃度が所定レベルまで引き下げられた窒素ガスなどの
いわゆるクリーン・ドライ・エアーが好ましい。The inert gas is preferably a so-called clean dry air such as a nitrogen gas whose impurity concentration has been reduced to a predetermined level.
【0022】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
【0024】図1は、本願発明にかかるウェハ搬送装置
の一実施形態を示した概略斜視図、図2は、図1に示す
ウェハ搬送装置のX−X断面を示した断面図、図3は、
ウェハ搬送装置を上面から示した平面図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of the wafer transfer device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing the wafer transfer device shown in FIG. ,
It is the top view which showed the wafer conveyance apparatus from the upper surface.
【0025】図1ないし図3に示すウェハ搬送装置A
は、ウェハWの裏面WBに対して多数の吐出孔1…から
噴出したガスGを吹き当てつつ、これら吐出孔1…が形
成された吐出面2上に上記ウェハWを浮上させた状態で
搬送する、いわゆる気流搬送を部分的に用いて非接触方
式の搬送方法を採用したものである。このウェハ搬送装
置Aは、吐出孔1…が多数形成された吐出面2を上部に
有し、ユニット全体が水平移動可能とされたユニット本
体10と、そのユニット本体10の吐出面2外周に沿っ
て環壁状に組み付けられ、その吐出面10上にて浮上し
たウェハWの外周全長を包囲する一方、ウェハWの略半
周を包囲する部分20Aが、そのウェハWの送り方向F
側に面した状態から吐出面2下に引き下げられた状態に
変化するように上下動可能とされたガード部材20とを
具備して概略構成されている。The wafer transfer device A shown in FIGS. 1 to 3
Transports the wafer W in a state where the wafer W is floated on the discharge surface 2 on which the discharge holes 1 are formed, while the gas G discharged from the large number of discharge holes 1 is blown against the back surface WB of the wafer W. That is, a non-contact type transfer method is partially adopted using a so-called air flow transfer. The wafer transfer apparatus A has a discharge surface 2 in which a large number of discharge holes 1 are formed, and a unit main body 10 in which the entire unit can be moved horizontally, and an outer periphery of the discharge surface 2 of the unit main body 10. A portion 20A surrounding the entire outer circumference of the wafer W, which is assembled in a ring wall shape and floated on the discharge surface 10, has a portion 20A surrounding substantially a half circumference of the wafer W in a feed direction F of the wafer W.
A guard member 20 that can move up and down so as to change from a state facing the side to a state pulled down below the discharge surface 2 is schematically configured.
【0026】ユニット本体10は、図示しない駆動機構
などによってフラットな平面ライン上を移動可能に構成
されたものであって、ウェハWの円盤形状よりもやや大
きい吐出面2を有しており、この吐出面2上にウェハW
が配置される。吐出面2全体にわたっては、ガスGを噴
出するための吐出孔1…が多数設けられている。ガスG
としては、ウェハWとの反応性に乏しい不活性ガスであ
る、たとえば不純物濃度が所定レベルまで引き下げられ
た窒素ガスなどが用いられる。多数の吐出孔1…のう
ち、ウェハWの送り方向F側に近い部位に設けられた所
定数の第1の吐出孔1aは、図2によく示されるよう
に、そこから噴出するガスGの噴射方向G1が送り方向
F側に偏向されている。一方、その他の第2の吐出孔1
bは、ガスGの噴射方向G2が吐出面2に対してほぼ垂
直とされている。これら第1および第2の吐出孔1a,
1bには、それぞれユニット本体10内に設けられたト
ンネル状のガス流入経路1aa,1baを経由してユニ
ット本体10外からガスGが導かれる。つまり、第1お
よび第2の吐出孔1a,1bから噴出するガスG1,G
2によっては、ウェハWの裏面WBに対して垂直に風圧
力が作用し、ウェハWは、吐出面2との間に狭隙を空け
て浮上した状態となる。ここで、第2の吐出孔1aから
噴出するガスG1によっては、吐出面2に平行して送り
方向F側に向かう流れの層流が生じる。この層流によっ
てウェハWの裏面WBには、送り方向F側に向けて搬送
力が作用することから、ウェハWは、吐出面2上に浮上
した状態で送り方向Fに向けて移動することとなる。The unit body 10 is configured to be movable on a flat plane line by a drive mechanism (not shown), and has a discharge surface 2 slightly larger than the disk shape of the wafer W. Wafer W on discharge surface 2
Is arranged. A large number of discharge holes 1 for discharging gas G are provided over the entire discharge surface 2. Gas G
As the inert gas, an inert gas having a low reactivity with the wafer W, for example, a nitrogen gas whose impurity concentration is reduced to a predetermined level is used. Out of the large number of discharge holes 1, a predetermined number of first discharge holes 1 a provided in a portion near the wafer W in the feed direction F are, as shown well in FIG. The ejection direction G1 is deflected to the feed direction F side. On the other hand, the other second discharge holes 1
b, the gas G injection direction G2 is substantially perpendicular to the discharge surface 2. These first and second discharge holes 1a,
The gas G is guided to 1b from outside the unit main body 10 via tunnel-like gas inflow paths 1aa and 1ba provided in the unit main body 10, respectively. That is, the gas G1, G ejected from the first and second discharge holes 1a, 1b
In some cases, wind pressure acts on the back surface WB of the wafer W perpendicularly, and the wafer W floats with a narrow gap between it and the ejection surface 2. Here, depending on the gas G1 ejected from the second ejection holes 1a, a laminar flow is generated parallel to the ejection surface 2 toward the feed direction F. Since the transport force acts on the back surface WB of the wafer W toward the feed direction F by the laminar flow, the wafer W moves in the feed direction F while floating on the discharge surface 2. Become.
【0027】ガード部材20は、吐出面2に対して上下
動可能とされた第1のガード部材20Aと、吐出面2に
対して固定された状態の第2のガード部材20Bとを具
備して構成されている。第1のガード部材20Aは、吐
出面2の外周部分となるウェハWの送り方向F側略半周
に沿って設けられ、図示しない駆動機構などによって上
下動することで開閉可能とされている。一方、第2のガ
ード部材20Bは、第1のガード部材20Aに対して対
称的に位置し、吐出面2の外周部分となるウェハWの送
り方向F反対側略半周に沿って設けられている。つま
り、第1のガード部材20Aが吐出面2上に立ち上げら
れた状態では、第1および第2のガード部材20A,2
0Bによって吐出面2上のウェハWが外周全体を包囲さ
れた状態とされる。その一方、第1のガード部材20A
が吐出面2下に引き下げられた状態では、吐出面2上の
ウェハWは、その第1のガード部材20Aによって閉じ
られていた部分から送り方向Fに沿ってユニット本体1
0外に進出可能となる。これら第1および第2のガード
部材20A,20Bには、ユニット本体10の吐出面2
上に浮上したウェハWの外周に向けて水平状にガスGを
噴出する多数の吹き出し孔20aが設けられている。こ
れら吹き出し孔20aにおいても、上記吐出孔1と同様
にユニット本体10外から窒素ガスなどが導かれて噴出
可能とされている。The guard member 20 includes a first guard member 20A movable up and down with respect to the discharge surface 2 and a second guard member 20B fixed to the discharge surface 2. It is configured. The first guard member 20A is provided along substantially half the circumference in the feed direction F of the wafer W, which is the outer peripheral portion of the ejection surface 2, and can be opened and closed by moving up and down by a drive mechanism (not shown). On the other hand, the second guard member 20B is located symmetrically with respect to the first guard member 20A, and is provided along substantially half the circumference opposite to the feed direction F of the wafer W, which is the outer peripheral portion of the ejection surface 2. . In other words, in a state where the first guard member 20A is raised on the discharge surface 2, the first and second guard members 20A, 20A
The state where the wafer W on the ejection surface 2 is surrounded by the entire outer periphery by OB. On the other hand, the first guard member 20A
Is pulled down below the discharge surface 2, the wafer W on the discharge surface 2 moves from the portion closed by the first guard member 20 </ b> A along the feed direction F to the unit body 1.
It is possible to advance outside zero. The first and second guard members 20A and 20B are attached to the discharge surface 2 of the unit body 10.
A large number of blowing holes 20a are provided for horizontally blowing out the gas G toward the outer periphery of the wafer W floating above. Also in these blowout holes 20a, nitrogen gas or the like is guided from outside the unit body 10 and can be blown out similarly to the discharge holes 1.
【0028】なお、上記構成においては、ガスGをガス
流入経路1aa,1baや吹き出し孔20aへと供給す
るポンプなどのガス供給機構について図示説明を省略し
たが、このようなガス供給機構は、従来のものと同様の
ものが用いられ、ユニット本体10内外のいずれに設け
られていてもよい。In the above configuration, a gas supply mechanism such as a pump for supplying the gas G to the gas inflow paths 1aa, 1ba and the outlet 20a is omitted from the drawings. The same components as those described above are used, and may be provided inside or outside the unit main body 10.
【0029】次に、上記ウェハ搬送装置Aを用いてウェ
ハWを搬送する方法について、図2および図4を参照し
て簡単に説明する。Next, a method of transferring the wafer W using the wafer transfer apparatus A will be briefly described with reference to FIGS.
【0030】まず、図2に示すように、レジスト塗布、
露光、現像などといったプロセス処理が施された後のウ
ェハWは、次のプロセス処理へと搬送されるために、図
示しないアーム機構などによってユニット本体10の吐
出面2上に配置される。この際、吐出面2上の各吐出孔
1…およびガード部材20の吹き出し孔20aからは、
所定の噴射方向に向けてガスGが噴出されている。つま
り、多数の吐出孔1…から噴出したガスGがウェハWの
裏面WBに吹き当たる状態となる。そうすると、吐出面
2上のウェハWは、その裏面WBに対して垂直に作用す
る風圧力により、その吐出面2よりほんの少し上方に狭
隙を空けて浮上した状態となる。また、吐出面2上に浮
上した状態のウェハWは、その周りをガード部材20に
よって取り囲まれた状態とされ、ガード部材20とウェ
ハWの外周とは、そのガード部材20に設けられた吹き
出し孔20aから水平状に噴出するガスGによって互い
に接触しない状態とされる。これにより、ウェハWは、
できる限り吐出面2上の中央付近において浮上した状態
で静止保持され、そうしてウェハWを保持したユニット
本体10は、次のプロセス処理が行われる箇所に設けら
れた後述するステージへと水平に移動していく。First, as shown in FIG.
The wafer W that has been subjected to the process processing such as exposure and development is placed on the ejection surface 2 of the unit main body 10 by an arm mechanism or the like (not shown) in order to be transferred to the next process processing. At this time, from each of the discharge holes 1 on the discharge surface 2 and the blowout hole 20a of the guard member 20,
Gas G is ejected toward a predetermined ejection direction. That is, the gas G ejected from the large number of ejection holes 1 blows against the back surface WB of the wafer W. Then, the wafer W on the discharge surface 2 floats slightly above the discharge surface 2 by a wind pressure acting perpendicular to the rear surface WB with a small gap. The wafer W floating above the discharge surface 2 is surrounded by the guard member 20, and the guard member 20 and the outer periphery of the wafer W are connected to the blowing holes provided in the guard member 20. The gas G ejected horizontally from 20a does not come into contact with each other. Thereby, the wafer W is
The unit main body 10 that is held stationary in a state of floating near the center on the ejection surface 2 as much as possible, and horizontally holds the wafer W, which is to be described later, is provided at a location where the next process is performed. Move.
【0031】続いて、図4は、ウェハ搬送装置Aを用い
てウェハWを目的とするステージSへと送り出す状態を
説明するために示した断面図であって、この図に示すよ
うに、ウェハWを保持した状態のユニット本体10は、
水平移動しつつ目的とするステージSに近接した状態で
横付けされる。この際、ステージSの表面と吐出面2と
の高さは、ほぼ一致した状態とされる。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a state in which the wafer W is sent out to the target stage S using the wafer transfer device A. As shown in FIG. The unit body 10 holding W is
It is laid sideways in the state of being close to the target stage S while moving horizontally. At this time, the height of the surface of the stage S and the height of the ejection surface 2 are almost equal.
【0032】その後、第1のガード部材20Aが吐出面
2下に引き下げられた状態とされる。この際、第1の吐
出孔1aからガスGが噴出していない状態であれば、そ
の第1の吐出孔1aに続くガス流入経路1aaを通じて
ガスGが供給され、第1の吐出孔1aから噴出するガス
Gによっても、ウェハWに対して所要の搬送力が得られ
ない場合、ガス流入経路1aaを通じてガスGの供給量
が増量される。Thereafter, the first guard member 20A is pulled down below the discharge surface 2. At this time, if the gas G is not ejected from the first ejection hole 1a, the gas G is supplied through the gas inflow path 1aa following the first ejection hole 1a and ejected from the first ejection hole 1a. When the required transfer force cannot be obtained for the wafer W even by the gas G, the supply amount of the gas G is increased through the gas inflow path 1aa.
【0033】そうすると、ウェハWと吐出面2との狭隙
においては、そのウェハWの送り方向F側に噴射方向が
偏向された第1の吐出孔1aから噴出するガスGによっ
て、ウェハWの裏面WBに平行して送り方向F側に向か
う流れの層流Lが生じる。この層流LによってウェハW
に対しては、送り方向F側に向けて搬送力が作用するこ
ととなり、吐出面2上に浮上した状態のウェハWは、層
流Lによる搬送力を受けることで送り方向Fに沿って水
平移動することとなる。Then, in the narrow gap between the wafer W and the discharge surface 2, the gas G ejected from the first ejection hole 1 a whose ejection direction is deflected toward the feed direction F of the wafer W causes the back surface of the wafer W to be exposed. A laminar flow L of a flow toward the feed direction F occurs in parallel with WB. This laminar flow L causes the wafer W
, A transfer force acts in the feed direction F, and the wafer W floating on the discharge surface 2 receives the transfer force due to the laminar flow L to move horizontally along the feed direction F. Will move.
【0034】この際、ウェハWの送り方向F側に面した
状態であった第1のガード部材20Aは、吐出面2下に
引き下げられた状態とされていることから、ウェハW
は、吐出面2上から目的とするステージSの表面上へと
浮上した状態で流動的に送り出され、最終的に受ける風
圧が弱まってステージSの表面に接して停止される。At this time, the first guard member 20A facing the wafer W in the feed direction F is pulled down below the ejection surface 2, so that the wafer W
Is floated from the discharge surface 2 onto the target surface of the stage S in a fluid state, and the wind pressure finally received is weakened and stopped in contact with the surface of the stage S.
【0035】つまり、このウェハ搬送方法の場合、次の
プロセス処理へとウェハWを搬送する搬送区間において
は、風圧によって吐出面2上にウェハWを浮上させつつ
非接触の状態とし、搬送区間から次のプロセス処理にお
ける目的のステージSへと送り出す際には、気流搬送方
式によってウェハWを流動的に非接触とした状態で送り
出す方法が採用されている。That is, in the case of this wafer transfer method, in the transfer section where the wafer W is transferred to the next process, the wafer W is floated on the discharge surface 2 by the wind pressure to be in a non-contact state. When the wafer W is sent out to the target stage S in the next process, a method is used in which the wafer W is sent out in a non-contact state by an air current transfer method.
【0036】したがって、上記構成、動作を有するウェ
ハ搬送装置Aによれば、搬送区間のみならず、搬送区間
から目的のステージSへとウェハWを送り出す際にも、
そのウェハWを吐出面2上に浮上させた状態で送り出す
といった気流搬送による非接触方式が採用されており、
ゴミなどの付着、熱の影響などといった問題が効果的に
解消される。しかも、気流搬送方式でウェハWを搬送す
るために必要な構成としては、ウェハWの裏面WBに対
して多数の吐出孔1…からガスGを噴出して吹き当てる
際、一部の吐出孔(第1の吐出孔1a)についてガスG
の噴射方向をウェハWの送り方向F側に偏向させた構成
とするだけでよく、それによりウェハWを浮上させた状
態で流動的に目的とするステージSなどへと送り出すこ
とができので、ウェハWを送り出すために必要な仕組み
を吐出孔1…からガスGを噴出させるだけの構成として
簡易に構築することができる。Therefore, according to the wafer transfer apparatus A having the above-described configuration and operation, not only when the wafer W is sent out from the transfer section to the target stage S, but also in the transfer section,
A non-contact method by airflow, in which the wafer W is sent out while being floated on the ejection surface 2, is adopted.
Problems such as adhesion of dust and the influence of heat are effectively solved. Moreover, in order to transport the wafer W by the air flow transport method, when the gas G is blown out from a large number of the discharge holes 1 to the back surface WB of the wafer W and blown against the back surface WB, some of the discharge holes ( For the first discharge port 1a), the gas G
It is only necessary to deflect the jetting direction of the wafer W toward the feed direction F of the wafer W, and the wafer W can be sent to the target stage S or the like in a floating state while the wafer W is floating. A mechanism necessary for sending out W can be easily constructed as a configuration for only ejecting the gas G from the discharge holes 1.
【0037】また、ウェハWを搬送する際には、ユニッ
ト本体10の吐出面2上にウェハWを浮上させた状態で
保持しつつ、そのユニット本体10自体を目的とするス
テージS付近まで移動させ、そのステージS付近におい
て送り方向F側に面した第1のガード部材20Aを吐出
面2下に引き下げるだけでユニット本体10外にウェハ
Wを送り出すことができるので、ユニット本体10から
ウェハWを取り出すための特別な外部手段を必要とせ
ず、ユニット本体10とステージSとの間においてウェ
ハWを簡単に受け渡しすることができる。When transporting the wafer W, the unit body 10 itself is moved to the vicinity of the target stage S while holding the wafer W floating above the discharge surface 2 of the unit body 10. The wafer W can be sent out of the unit main body 10 only by pulling the first guard member 20A facing the feed direction F side below the discharge surface 2 near the stage S, so that the wafer W is taken out from the unit main body 10. No special external means is required, and the wafer W can be easily transferred between the unit body 10 and the stage S.
【0038】なお、上記実施形態においては、プロセス
処理の終えたウェハWをユニット本体10の吐出面2上
に配置する場合、アーム機構によってウェハWが吐出面
2上に配置されるとして説明したが、図4に示すよう
に、吐出面2からステージS上にウェハWを送り出す場
合と同様に、気流搬送方式によって吐出面2上にウェハ
Wを送り出す方法を適用してもよい。この場合、第1の
ガード部材20Aと同様に、第2のガード部材20B
は、吐出面2下に引き下がるように上下動可能に構成さ
れ、吐出面2に対してウェハWを送り出す側のステージ
などには、第1の吐出孔1aと同様の断面構造を有する
吐出孔を設ければよい。In the above-described embodiment, when the processed wafer W is arranged on the ejection surface 2 of the unit body 10, the wafer mechanism is described as being arranged on the ejection surface 2 by the arm mechanism. As shown in FIG. 4, a method of sending the wafer W onto the discharge surface 2 by an air current transfer method may be applied as in the case of sending the wafer W from the discharge surface 2 onto the stage S. In this case, similarly to the first guard member 20A, the second guard member 20B
Is configured to be able to move up and down so as to be pulled down below the discharge surface 2, and a discharge hole having a cross-sectional structure similar to that of the first discharge hole 1 a is provided on a stage or the like on the side for sending the wafer W to the discharge surface 2. It may be provided.
【図1】本願発明にかかるウェハ搬送装置の一実施形態
を示した概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of a wafer transfer device according to the present invention.
【図2】図1に示すウェハ搬送装置のX−X断面を示し
た断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section XX of the wafer transfer device shown in FIG.
【図3】ウェハ搬送装置を上面から示した平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view showing the wafer transfer device from above.
【図4】ウェハ搬送装置を用いてウェハを目的とするス
テージへと送り出す状態を説明するために示した断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view shown for explaining a state in which a wafer is sent to a target stage using a wafer transfer device.
1 吐出孔 1a 第1の吐出孔 1b 第2の吐出孔 2 吐出面 10 ユニット本体 20 ガード部材 20A 第1のガード部材 20B 第2のガード部材 20a 吹き出し孔 A ウェハ搬送装置 F 送り方向 G ガス L 層流 S ステージ W ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 discharge hole 1a first discharge hole 1b second discharge hole 2 discharge surface 10 unit body 20 guard member 20A first guard member 20B second guard member 20a blowout hole A wafer transfer device F sending direction G gas L layer Flow S Stage W Wafer
Claims (6)
噴出したガスを吹き当てつつ、これら吐出孔が形成され
た吐出面上に上記ウェハを浮上させた状態で搬送するウ
ェハ搬送装置であって、 上記吐出孔のうちの少なくとも一つは、そこから噴出す
るガスの噴射方向が上記ウェハの送り方向側に偏向され
ていることを特徴とする、ウェハ搬送装置。1. A wafer transfer device for blowing a gas ejected from a large number of discharge holes onto a back surface of a wafer, and transferring the wafer in a state of floating above the discharge surface having the discharge holes. A wafer transfer device, wherein at least one of the discharge holes is deflected in a jetting direction of a gas spouted from the jetting hole toward a wafer feeding direction.
吐出孔が多数形成された吐出面を有し、その吐出面上に
て上記ウェハを浮上させた状態で保持しつつ、ユニット
自体が移動可能とされたユニット本体と、 上記ユニット本体の吐出面外周に沿って環壁状に組み付
けられ、その吐出面上にて浮上した上記ウェハの外周全
長を包囲する一方、少なくとも上記ウェハの略半周を包
囲する部分が、そのウェハの送り方向側に面した状態か
ら上記吐出面下に引き下げられた状態に変化するように
上下動可能とされたガード部材と、 を備えている、請求項1に記載のウェハ搬送装置。2. A unit having a discharge surface in which a large number of the discharge holes are formed in a manner similar to the shape of the wafer in plan view, and while holding the wafer in a floating state on the discharge surface, the unit itself is formed. A movable unit main body, which is assembled in an annular wall shape along the outer periphery of the discharge surface of the unit main body and surrounds the entire outer peripheral length of the wafer floating on the discharge surface, while at least substantially half the circumference of the wafer And a guard member movable up and down so as to change from a state facing the feed direction side of the wafer to a state pulled down below the ejection surface. A wafer transfer device as described in the above.
向が上記ウェハの送り方向側に偏向された吐出孔は、上
記ユニット本体の吐出面において上記ウェハの送り方向
側に近い部位に設けられている、請求項2に記載のウェ
ハ搬送装置。3. The discharge hole, of the plurality of discharge holes, in which the gas injection direction is deflected to the wafer feed direction side, is provided at a position near the wafer feed direction side on the discharge surface of the unit body. The wafer transfer device according to claim 2, wherein:
の吐出面上に浮上した上記ウェハの外周に向けて水平状
にガスを噴出する吹き出し孔が設けられている、請求項
2または請求項3に記載のウェハ搬送装置。4. The guard member is provided with a blowing hole for horizontally blowing a gas toward an outer periphery of the wafer floating on a discharge surface of the unit body. 3. The wafer transfer device according to claim 1.
出するガスは、上記ウェハとの反応性に乏しい不活性ガ
スである、請求項1ないし請求項4に記載のウェハ搬送
装置。5. The wafer transfer device according to claim 1, wherein the gas ejected from the discharge hole or the blowout hole is an inert gas having low reactivity with the wafer.
噴出したガスを吹き当てつつ、これら吐出孔が形成され
た吐出面上に上記ウェハを浮上させた状態で搬送するウ
ェハ搬送方法であって、 上記吐出孔のうちの少なくとも一つから噴出するガス
を、上記ウェハの送り方向側に偏向した方向に噴出さ
せ、そのウェハと上記吐出面との狭隙に生じた層流によ
って、その吐出面上に上記ウェハを浮上させた状態で送
り方向に沿って搬送することを特徴とする、ウェハ搬送
方法。6. A wafer transfer method wherein a gas ejected from a large number of discharge holes is blown against the back surface of a wafer, and the wafer is transferred in a state of being floated on the discharge surface on which the discharge holes are formed. The gas ejected from at least one of the ejection holes is ejected in a direction deflected to the direction of feed of the wafer, and the ejection is caused by a laminar flow generated in a narrow gap between the wafer and the ejection surface. A wafer transfer method, wherein the wafer is transferred along a feed direction while being floated on a surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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