JP2000100772A - 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥処理に用いる溶剤の使用量を削減すると
ともに、乾燥処理のタクトタイムを短縮化することがで
きる基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提
供する。 【解決手段】 仕切部材４２４ａは密閉チャンバ４２１
の内部、つまり処理室内で２つの仕切片４２４ａ1を連
結されたものであり、略直方体状の乾燥処理空間ＳＰを
形成している。この仕切部材４２４ａの上端周縁部に
は、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂが配置されており、乾
燥処理空間ＳＰに向けてＩＰＡペーバーを窒素ガスとと
もに直接吐出して乾燥処理空間ＳＰ内にＩＰＡベーパー
を含む雰囲気を形成する。そして、ハンドリング機構４
２５が基板Ｗを乾燥処理空間ＳＰに移動させて乾燥処理
が実行される。このようにＩＰＡベーパーを供給すべき
空間が規定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の基板処理が
施された半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液
晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光デ
ィスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」とい
う）を、溶剤を含む雰囲気内で乾燥させる基板乾燥装置
およびそれを備えた基板処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板乾燥装置としては、例えば
特開平１０−１６３１６４号公報に記載されたものがあ
る。この基板乾燥装置は、処理室を形成する密閉チャン
バ内に配置された処理槽に貯留されている処理液内に基
板を浸漬することにより洗浄処理された基板を、同一処
理室内で乾燥させる装置であり、具体的には、次のよう
にして基板を乾燥させている。すなわち、この基板乾燥
装置では、処理室全体にＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）の蒸気（以下「ＩＰＡベーパー」という）を含んだ
雰囲気を形成しておき、基板に対する洗浄処理が完了す
ると、基板を処理槽から上方に引き上げ、基板表面に対
してＩＰＡを凝集させることにより水分を除去し、基板
に対する乾燥処理を行っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にして基板乾燥処理を行う場合、処理室内に導入された
ＩＰＡベーパーのうち実際の乾燥処理に寄与するのは、
処理槽の上方空間、つまり処理槽から引き上げられる基
板の移動経路空間に存在するものに限られ、それ以外の
空間に存在するＩＰＡベーパーは実質上乾燥処理に寄与
しない。それにもかかわらず、従来の基板乾燥装置で
は、処理室全体にＩＰＡベーパーを供給しなければなら
ず、乾燥処理に多量のＩＰＡベーパーが必要となり、こ
のことが基板乾燥処理のランニングコスト増大の主要因
のひとつとなっていた。

【０００４】また、乾燥処理を行うためにＩＰＡベーパ
ーを所定濃度まで処理室全体に充満させるためには、比
較的長い時間を要し、タクトタイム（単位枚数、例えば
５０枚の基板を一度に乾燥させるための処理時間）の短
縮化にとって大きな障害のひとつとなっていた。

【０００５】この発明は、上記のような問題に鑑みてな
されたものであり、乾燥処理に用いる溶剤の使用量を削
減するとともに、乾燥処理のタクトタイムを短縮化する
ことができる基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理
装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するため、処理室内で乾燥処理空間を規定す
る乾燥空間規定手段を備え、この乾燥空間規定手段によ
って規定される乾燥処理空間に溶剤の蒸気を供給して該
溶剤を含む雰囲気を形成し、所定の基板処理が施された
基板を前記乾燥処理空間に移動させて乾燥処理するよう
にしている。

【０００７】この発明では、乾燥空間規定手段が処理室
内の一部を乾燥処理空間として規定するとともに、この
乾燥処理空間に溶剤の蒸気が供給されて該溶剤を含む雰
囲気が形成される。そして、乾燥処理空間に基板が移動
されて乾燥処理が実行される。このように、乾燥処理の
ために溶剤の蒸気を供給すべき領域が乾燥空間規定手段
に制限されており、これによって乾燥処理において実質
的に関与しない領域に溶剤の蒸気が流れ込むのを抑制す
る。

【０００８】ここで、乾燥空間規定手段としては、例え
ば乾燥処理空間を取り囲むように配置された仕切部材に
より構成してもよい（請求項２）。

【０００９】また、溶剤の蒸気を乾燥処理空間に供給す
るために溶剤吐出手段を設け、この溶剤吐出手段から溶
剤の蒸気を乾燥処理空間に直接吐出したり（請求項
３）、あるいは溶剤吐出手段から溶剤の蒸気をまず処理
室内に吐出し、蒸気案内手段によって乾燥処理空間に案
内するようにしてもよい（請求項４）。

【００１０】請求項５の発明は、上記目的を達成するた
め、基板に対して所定の基板処理を施す基板処理部と、
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板乾燥装置によ
り構成された基板乾燥部と、を備えている。

【００１１】この発明では、基板乾燥部が請求項１ない
し４のいずれかに記載の基板乾燥装置により構成されて
おり、乾燥処理のために溶剤の蒸気を供給すべき領域が
乾燥空間規定手段に制限されており、これによって乾燥
処理において実質的に関与しない領域に溶剤の蒸気が流
れ込むのを抑制する。

【００１２】請求項６の発明は、上記目的を達成するた
め、処理液を貯留する処理槽を備え、前記処理槽の上部
に設けられた開口を介して基板を前記処理槽内に浸漬さ
せて基板処理を施す基板処理部と、請求項２ないし４の
いずれかに記載の基板乾燥装置により構成された基板乾
燥部とを備え、前記仕切部材は前記処理槽の上方に配置
されており、しかも、前記仕切部材に、乾燥処理に伴い
前記仕切部材の内壁に付着する液滴を前記処理槽の外部
に案内する液滴案内部を設けている。

【００１３】この発明では、基板乾燥部が請求項２ない
し４のいずれかに記載の基板乾燥装置により構成されて
おり、請求項５の発明と同様に、乾燥処理のために溶剤
の蒸気を供給すべき領域が乾燥空間規定手段に制限され
ており、これによって乾燥処理において実質的に関与し
ない領域に溶剤の蒸気が流れ込むのを抑制する。

【００１４】また、乾燥処理を行った際、乾燥処理空間
を規定する仕切部材の内壁に液滴が付着するが、この液
滴は液滴案内部によって処理槽の外部に案内され、液滴
が処理槽内に入るのを防止する。

【００１５】請求項７の発明は、上記目的を達成するた
め、処理液を貯留する処理槽を備え、前記処理槽の上部
に設けられた開口を介して基板を前記処理槽内に浸漬さ
せて基板処理を施す基板処理部と、請求項２ないし４の
いずれかに記載の基板乾燥装置により構成された基板乾
燥部とを備え、前記仕切部材は、乾燥処理空間の断面が
前記処理槽の開口よりも大きく、しかも当該開口を覆う
ように、前記処理槽の上方に配置されている。

【００１６】この発明では、基板乾燥部が請求項２ない
し４のいずれかに記載の基板乾燥装置により構成されて
おり、請求項５および６の発明と同様に、乾燥処理のた
めに溶剤の蒸気を供給すべき領域が乾燥空間規定手段に
制限されており、これによって乾燥処理において実質的
に関与しない領域に溶剤の蒸気が流れ込むのを抑制す
る。

【００１７】また、乾燥処理を行った際、乾燥処理空間
を規定する仕切部材の内壁に液滴が付着し、さらに内壁
を伝って下方に落下する。特に、この発明では、乾燥処
理空間の断面が前記処理槽の開口よりも大きく、しかも
当該開口を覆うように、仕切部材が処理槽の上方に配置
されているので、上記のようにして落下してくる液滴が
処理槽内に入るのを防止することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる基板乾燥
装置の一実施形態が装備された基板処理システムを示す
斜視図である。この基板処理システム１は基板Ｗに洗浄
処理を施す装置であり、大きく分けてカセット載置ユニ
ット２、基板Ｗに洗浄処理を施す洗浄処理ユニット４、
洗浄処理ユニット４との間で基板Ｗの搬送を行う基板搬
送ロボット３および基板移載装置たる基板移載ユニット
５を有している。

【００１９】カセット載置ユニット２は、システム外部
からカセットＣが搬入され載置される搬出入カセット載
置部２１と、カセットＣの移載を行うカセット移載ロボ
ット２２と、カセットＣを洗浄するカセット洗浄部２３
とを有している。そして、未処理基板Ｗが収納されたカ
セットＣがシステム外部から搬出入カセット載置部２１
に搬入された後、適当なタイミングでカセット移載ロボ
ット２２が基板移載ユニット５にカセットＣを搬送する
一方、このカセット移載ロボット２２は、基板移載ユニ
ット５に載置されている処理済み基板Ｗが収納されたカ
セットＣを搬出入カセット載置部２１に移載する。な
お、こうして搬出入カセット載置部２１に戻されたカセ
ットＣは、その後、次の基板処理システムに搬出され
る。

【００２０】基板移載ユニット５は、２つのカセットＣ
を載置可能に構成されたカセット載置部６を備えてお
り、カセット移載ロボット２２からカセットＣを２つ受
取ることができるようになっている。そして、各カセッ
トＣから未処理の基板Ｗを上方に突上げて２つのカセッ
トＣ内の未処理基板Ｗすべてを基板搬送ロボット３に移
載する。また、基板搬送ロボット３に保持されている処
理済み基板Ｗを２つのカセットＣに分けて移載する。

【００２１】基板移載ユニット５を介してカセットＣか
ら未処理基板Ｗを受取った基板搬送ロボット３は、洗浄
処理ユニット４を構成する薬液処理部４１ａ、水洗処理
部４１ｂおよび多機能処理部４２に順次搬送して一連の
バッチ処理を基板に施す。なお、この実施形態では、薬
液処理部４１ａ、水洗処理部４１ｂおよび両処理部４１
ａ，４１ｂに選択的に基板Ｗを浸漬させる基板浸漬機構
４１ｃを１組とする洗浄処理部４１を２組設けて並列処
理を可能にならしめている。また、多機能処理部４２に
は、本発明にかかる基板乾燥装置により構成された基板
乾燥部が設けられており、多機能処理部４２の内部に設
けられた処理槽で処理された基板Ｗを乾燥処理するよう
に構成されている。このように多機能処理部４２が本発
明にかかる基板乾燥装置を備えた基板処理装置に相当し
ており、その詳細については後で詳述する。

【００２２】多機能処理部４２による洗浄・乾燥処理が
完了すると、処理済み基板Ｗを上記のように基板移載ユ
ニット５によってカセットＣに移載する。なお、このカ
セットＣについては、カセット移載ロボット２２によっ
てカセット載置ユニット２に戻される。

【００２３】次に、図２ないし図５を参照しつつ多機能
処理部４２の構成および動作について説明する。

【００２４】図２は、この発明にかかる基板乾燥装置を
装備する基板処理装置の一の実施形態たる多機能処理部
の正面断面図であり、図３は、図２の多機能処理部の側
面断面図である。この多機能処理部４２では、これらの
図に示すように、ケーシング４２１ａの上面が基板の搬
出入口となっており、この搬出入口を介して単位枚数
（例えば５０枚）の基板Ｗをケーシング４２１ａの内部
に搬入したり、逆にケーシング４２１ａから搬出可能と
なっている。また、この搬出入口には、シャッター４２
１ｂが設けられており、シャッター４２１ｂを閉じるこ
とでケーシング４２１ａの内部を気密状態にすることが
でき、ケーシング４２１ａとシャッター４２１ｂとで密
閉チャンバ４２１が構成されている。そして、この密閉
チャンバ４２１が処理室として機能し、その内部で後述
する基板処理および乾燥処理が実行される。

【００２５】また、ケーシング４２１ａの下方側部に
は、図３に示すように、排気用の配管４２６ｅが接続さ
れており、この排気用配管４２６ｅを介して処理室内を
排気可能となっている。

【００２６】処理室の内部では、下方側に基板処理部４
２３が配置されるとともに、この基板処理部４２３の上
方位置に基板乾燥部４２４が配置されている。さらに、
この多機能処理部４２には、これら基板処理部４２３お
よび基板乾燥部４２４の間で基板Ｗを一括して搬送する
ためのハンドリング機構４２５が設けられている。以
下、各部の構成について順次説明する。

【００２７】＜基板処理部４２３＞基板処理部４２３
は、フッ酸（ＨＦ）および洗浄液である純水ＤＩＷ（以
下、これらを併せて「処理液」という）を貯留可能な処
理槽４２３ａを備えている。この処理槽４２３ａは略直
方体の容器であって、その上部に基板Ｗの出し入れを許
容する開口４２３ｂを備えている。また、処理槽４２３
ａの底部両側には、処理槽４２３ａ内に処理液を供給す
る処理液供給管４２３ｃが配設されている。また、底部
中央部に急速排液用のバルブＶ0が連結されている。さ
らに、処理槽４２３ａの上部周囲には、基板Ｗの処理中
に処理槽４２３ａから溢れ出た処理液を回収するオーバ
ーフロー槽４２３ｄが設けられており、オーバーフロー
槽４２３ｄで回収した処理液を後述する配管系を介して
循環使用している。

【００２８】＜ハンドリング機構４２５＞このハンドリ
ング機構４２５は、図３に示しように、リフター本体４
２５ａの下方端から基板Ｗの配列方向（同図の左右方
向）と略平行に延びる３本のアーム部材４２５ｂで複数
の基板Ｗを保持可能となっている。また、リフター本体
４２５ａはリフター上下機構部４２５ｃによって上下駆
動されるように構成されており、リフター本体４２５ａ
の上下移動に応じてアーム部材４２５ｂにより保持され
ている基板Ｗを一括して上下方向に移動可能となってい
る。このリフター上下機構部４２５ｃは、具体的には、
上下方向に離隔配置された２つのプーリ４２５ｄ，４２
５ｅに掛け渡されたタイミングベルト４２５ｆをモータ
４２５ｇによって駆動し、当該タイミングベルト４２５
ｆの一部に固着されたロッド４２５ｈを上下移動させる
ように構成されており、モータ４２５ｇの回転駆動力を
ロッド４２５ｈの上下直線運動に変換している。そし
て、そのロッド４２５ｈの先端部には、リフター本体４
２５ａの上端部が固着されており、モータ４２５ｇの回
転方向に応じてリフター本体４２５ａが上下移動する。

【００２９】このリフター本体４２５ａが最も低い位置
（図３の実線位置）に移動してくると、アーム部材４２
５ｂに保持された基板Ｗ全体が一括して基板処理部４２
３の処理槽４２３ａに浸漬されて基板処理される。

【００３０】＜基板乾燥部４２４＞基板乾燥部４２４
は、処理槽４２３ａの上方位置に配置されて乾燥処理を
行うための乾燥処理空間ＳＰを規定する仕切部材４２４
ａと、仕切部材４２４ａの上端周縁部に配置されて仕切
部材４２４ａで取り囲まれた乾燥処理空間ＳＰに向けて
ＩＰＡペーバーを窒素ガスとともに直接吐出するＩＰＡ
・Ｎ2供給管４２４ｂとを備えている。

【００３１】図４は仕切部材の構成を示す斜視図であ
り、同図に示すように、仕切部材４２４ａは、板状部材
の一方端を折り曲げるとともに、他方端を同じ方向に比
較的長く折り曲げてなる仕切片４２４ａ1を２つ準備
し、一方端が相互に向き合う状態で仕切片４２４ａ1の
他方端側を相互に連結したものであり、仕切片４２４ａ
1に囲まれた略直方体状の空間が乾燥処理空間ＳＰとし
て機能する。このように、本実施形態では、仕切部材４
２４ａが処理室内で乾燥処理空間ＳＰを規定する乾燥空
間規定手段として機能している。なお、仕切片４２４ａ
1の一方端が相互に離隔してスリット状の隙間４２４ａ2
が形成されているが、これはハンドリング機構４２５と
の干渉を防止するためのものである。

【００３２】また、こうして形成された仕切部材４２４
ａは、図２および図３から明らかなように、乾燥処理空
間ＳＰの断面が処理槽４２３ａの開口４２３ｂよりも大
きく、しかも当該開口４２３ｂを覆うように、処理槽４
２３ａの上方に配置されている。このため、次のような
効果が得られる。すなわち、ＩＰＡベーパーを用いて乾
燥処理を行った際には、乾燥処理空間ＳＰを規定する仕
切部材４２４ａの内壁に液滴が付着し、さらに内壁を伝
って下方に落下する。特に、この実施形態では、上記し
た構成を採用しているため、液滴は処理槽４２３ａ内で
はなく、オーバーフロー槽４２３ｄに落下することとな
り、処理槽４２３ａ内の処理液が該液滴によって汚染さ
れるのを防止することができる。

【００３３】処理液の汚染を防止する観点から、この実
施形態では、さらに次のような工夫がなされている。す
なわち、図２、図３および図５(a)に示すように、各仕
切片４２４ａ1の下方端では、下方に向かうに従って端
面が内壁側から外壁側に傾斜するように、傾斜部４２４
ａ3が形成されており、仕切部材４２４ａの内壁に付着
し、さらに内壁を伝って下方に落下してくる液滴Ｄは、
傾斜部４２４ａ3によって処理槽４２３ａの外部（この
実施形態ではオーバーフロー槽４２３ｄ）に案内され、
該液滴Ｄが処理槽４２３ａ内の処理液に落下するのを防
止している。これにより、各仕切片４２４ａ1の内壁面
を処理槽４２３ａの開口４２３ｂに近づけることがで
き、乾燥処理空間ＳＰを小さく規定することができる。
このように、この実施形態では、仕切部材４２４ａの下
端部に設けられた傾斜部４２４ａ3が、乾燥処理に伴い
仕切部材４２４ａの内壁に付着する液滴Ｄを処理槽４２
３ａの外部に案内する液滴案内部として機能している
が、この傾斜部４２４ａ3を設ける代わりに、各仕切片
４２４ａ1の下端部４２４ａ4を外側に広がるように折り
曲げたり（図５(b)）、下端部に外側に広がるスカート
状の案内片を取り付けてもよい。

【００３４】仕切部材４２４ａの上端近傍に基板Ｗの配
列方向（図３の左右方向）に延びる２本のＩＰＡ・Ｎ2
供給管４２４ｂが基板Ｗの直径よりも若干大きな間隔だ
け相互に離隔して平行配置されている。ＩＰＡ・Ｎ2供
給管４２４ｂのそれぞれには、ＩＰＡベーパーを窒素ガ
スとともに吐出するための複数の吐出口４２４ｂ1が乾
燥処理空間ＳＰに臨んで設けられている。このため、次
に説明する配管系を介してＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂ
に窒素ガスとともにＩＰＡベーパーが圧送されると、複
数の吐出口４２４ｂ1からＩＰＡベーパーが乾燥処理空
間ＳＰに直接供給されて乾燥処理空間ＳＰにＩＰＡベー
パー雰囲気を形成することができるようになっている。

【００３５】図６は、上記のように構成された多機能処
理部４２の配管系を示す模式図である。この多機能処理
部４２では、オーバーフロー槽４２３ｄと処理液供給管
４２３ｃとが配管４２６ａによって接続されるととも
に、この配管４２６ａに三方弁Ｖ1、ポンプＰおよびフ
ィルタＦが介挿されている。また、三方弁Ｖ1の３つの
ポートのうち配管４２６ａが接続されていない残りのポ
ートは、配管４２６ｂを通じて処理槽４２３ａおよび施
設内の排液ラインを連通する配管４２６ｃに連結されて
いる。なお、配管４２６ｃには排液ライン側にバルブＶ
2が介挿されている。そして、多機能処理部全体を制御
する制御部（図示省略）からの制御指令にしたがって所
定のタイミングで三方弁Ｖ1の開閉を制御することによ
って、処理槽４２３ａからオーバーフロー槽４２３ｄに
溢れ出た処理液をフィルタＦでろ過した後、処理槽４２
３ａに帰還させたり、排液ラインに排出するように切換
制御することができるように構成されている。

【００３６】また、処理液供給管４２３ｃに接続された
配管４２６ｄは二股に分けて、その一方はバルブＶ3を
介してＨＦ供給源４２７ａに連結され、他方はバルブＶ
4を介して純水供給源４２７ｂに連結されている。そし
て、制御部からの制御指令にしたがって所定のタイミン
グでバルブＶ3，Ｖ4を開閉制御することによって、処理
槽４２３ａ内にＨＦと純水ＤＩＷのいずれかを所定タイ
ミングで供給可能となっている。

【００３７】ケーシング４２１ａに取り付けられた排気
用配管４２６ｅは、バルブＶ5およびエアポンプＡＰを
介して施設内の排気ラインに連通されており、制御部に
よるバルブＶ5の開閉制御により密閉チャンバ４２１の
内部、つまり処理室内を所定タイミングで排気すること
ができるように構成されている。

【００３８】また、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂには、
配管４２６ｆによってＮ2供給源４２７ｃおよびＩＰＡ
供給源４２７ｄが連結されており、配管４２６ｆに介挿
された三方弁Ｖ6の開閉制御によってＩＰＡベーパーを
Ｎ2ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４
ｂに向けて送給可能となっている。また、三方弁Ｖ6の
３つのポートのうち配管４２６ｆが接続されていない残
りのポートは、配管４２６ｇを通じてＮ2供給源４２７
ｃに連結されており、三方弁Ｖ6の開閉制御によりＩＰ
Ａ・Ｎ2供給管４２４ｂにＮ2ガスのみを圧送することも
可能となっている。このように三方弁Ｖ6を制御するこ
とでＮ2ガスのみ、またはＮ2ガスをキャリアガスとして
ＩＰＡガスを選択的にＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂに供
給することができるようになっている。

【００３９】次に、上記のように構成された多機能処理
部４２による処理手順について説明する。

【００４０】まず、基板搬送ロボット３（図１）が未処
理の基板Ｗを多機能処理部４２に搬送してくると、ハン
ドリング機構４２５のアーム部材４２５ｂに未処理基板
Ｗを受け渡す。そして、アーム部材４２５ｂで基板Ｗを
保持したままリフター本体４２５ａが降下し、最も低い
位置（図３の実線位置）まで移動する。これにより、基
板Ｗは基板処理部４２３の処理槽４２３ａ中のＨＦに浸
漬され、エッチング処理が開始される。

【００４１】そして、エッチング処理が完了すると、処
理槽４２３ａのＨＦは純水ＤＩＷに置換され、その純水
ＤＩＷによる洗浄処理が行われる。

【００４２】次に、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂからＮ2
をキャリアガスとしてＩＰＡベーパーの乾燥処理空間Ｓ
Ｐへの吐出を所定時間だけ行い、乾燥処理空間ＳＰにＩ
ＰＡベーパーを含む雰囲気を形成する。特に、この実施
形態では、仕切部材４２４ａによって乾燥処理空間ＳＰ
を規定し、この乾燥処理空間ＳＰ内にＩＰＡベーパーを
含む雰囲気を形成するようにしているので、乾燥処理空
間ＳＰ以外の領域、つまり乾燥処理において実質的に関
与しない領域にＩＰＡベーパーが流れ込むのを抑制する
ことができる。その結果、従来のように処理室全体にＩ
ＰＡベーパーを含む雰囲気を形成する場合に比べて、Ｉ
ＰＡの使用量を削減することができる。また、ＩＰＡペ
ーバーの吐出開始から所定の雰囲気形成までに要する時
間を従来例に比べて大幅に短縮することができ、乾燥処
理のタクトタイムを短縮化することができる。さらに、
乾燥処理空間ＳＰは仕切部材４２４ａとケーシング４２
１ａとによって外気と遮断されるため、ＩＰＡベーパー
への外気温度の影響が低減される。

【００４３】上記のようにして乾燥処理空間ＳＰにおい
て所定濃度のＩＰＡベーパーを含む雰囲気が形成される
と、ＩＰＡベーパーとさらに続けて吐出させながら、あ
るいは吐出停止した状態で、ハンドリング機構４２５に
よって基板Ｗを処理槽４２３ａから乾燥処理空間ＳＰに
向けて引き上げて基板Ｗの表面に付着した純水ＤＩＷを
切る。さらに、この乾燥処理空間ＳＰに基板Ｗを保持し
たまま、ＩＰＡベーパーの吐出し続けて基板Ｗを乾燥さ
せる。

【００４４】そして、ＩＰＡベーパーを含む雰囲気内で
の基板Ｗの乾燥処理が完了すると、ＩＰＡ・Ｎ2供給管
４２４ｂから吐出する気体をＮ２ガスに切り換え、処理
室内の雰囲気をほぼ完全にＮ2ガスで充満させた後、処
理室内の雰囲気を排気して基板Ｗをほぼ完全に乾燥させ
る。

【００４５】こうして一連の処理が完了すると、シャッ
ター４２１ｂを開いてリフター本体４２５ａを上昇さ
せ、基板Ｗを基板搬送ロボット３（図１）との受渡し位
置まで上昇し、基板搬送ロボット３との間で処理済みの
基板Ｗの受渡しを行い、次に未処理基板Ｗの搬入に備え
る。

【００４６】以上のように、この実施形態では、ＩＰＡ
ベーパーの供給範囲を仕切部材４２４ａで規制している
ため、上記したように乾燥処理において実質的に関与し
ない領域へのＩＰＡベーパーの流入を抑制し、ＩＰＡの
使用量を削減することができるとともに、乾燥処理のタ
クトタイムを短縮化することができる。

【００４７】なお、上記実施形態では、処理液の汚染を
防止するために、次の２つの構成(a)、(b)、つまり、
(a)図５(a)に示すように、液滴案内部として機能する傾
斜部４２４ａ3を設けるという構成、(b)仕切部材４２４
ａで規定される乾燥処理空間ＳＰの断面が処理槽４２３
ａの開口４２３ｂよりも大きくなるように仕切部材４２
４ａを構成するとともに、乾燥処理空間ＳＰの断面が当
該開口４２３ｂを覆うように、仕切部材４２４ａを処理
槽４２３ａの上方に配置するという構成、を併用してい
るが、いずれか一方のみを採用しても乾燥処理中に発生
する液滴による処理液の汚染を防止することができる。
なお、該液滴による処理液の汚染が特に問題とならない
場合には、上記構成(a)、(b)を必ずしも設けなければな
らないというものではない。

【００４８】また、上記実施形態では、ＩＰＡ・Ｎ2供
給管４２４ｂから乾燥処理空間ＳＰにＩＰＡベーパーを
直接吐出しているが、例えば図７に示すように、乾燥処
理空間ＳＰから離れた位置にＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４
ｂを配置するとともに、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂか
ら処理室内に吐出されたＩＰＡベーパーを仕切部材４２
４ａの外周面とガイド板４２４ｃとで乾燥処理空間ＳＰ
に案内するようにしてもよい。この図７に示す装置で
は、仕切部材４２４ａとガイド板４２４ｃとでＩＰＡベ
ーパーを乾燥処理空間ＳＰに案内する蒸気案内手段が構
成されており、次のような特有の効果を有している。す
なわち、図２の基板乾燥部４２４ではＩＰＡベーパーが
乾燥処理空間ＳＰに直接吐出されるため、乾燥処理空間
ＳＰ内でのＩＰＡベーパーの濃度が不均一になりやすい
のに対し、図７の基板乾燥部４２４ではＩＰＡ・Ｎ2供
給管４２４ｂから吐出されたＩＰＡベーパーを乾燥処理
空間ＳＰに案内する間、ＩＰＡベーパーがその案内径路
上で処理室内の雰囲気と混ざり合った後、乾燥処理空間
ＳＰに供給されることになるため、乾燥処理空間ＳＰ内
でのＩＰＡベーパーの濃度を均一化することができる。

【００４９】なお、処理槽４２３ａはオーバーフロー槽
４２３を設けた形態に限られず、図７に示すように処理
槽４２３ａから溢れ出た処理液をケーシング４２１ａに
て直接回収し排液してもよい。

【００５０】また、上記実施形態（図２、図７）では、
２本のＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂからＩＰＡベーパー
を吐出させているが、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂの配
設数および配設位置は任意であり、例えば仕切部材４２
４ａの側壁に複数本ずつ取り付けてＩＰＡベーパーなど
を乾燥処理空間ＳＰに吐出するようにしてもよい。

【００５１】また、上記実施形態では、２枚の仕切片４
２４ａ1を連結して仕切部材４２４ａを乾燥空間規定手
段として構成し、乾燥処理空間ＳＰを規定しているが、
仕切部材４２４ａの構成はこの実施形態に限定されるも
のでない。また、乾燥空間規定手段の構成はこれに限定
されるものではなく、次のように構成してもよい。すな
わち、仕切部材４２４ａを設ける代わりに、図８に示す
ようにケーシング４２１ａの側壁の一部４２１ａ1を処
理室内に向けて突出させて乾燥処理空間ＳＰを規定する
ようにしてもよい。また、図９に示すように、処理槽４
２３ａの側壁を上方に伸ばし、この側壁の上方部４２３
ａ1に囲まれた空間を乾燥処理空間ＳＰとしてもよい。
なお、この場合、処理槽４２３ａの中間部に少なくとも
１つ以上の貫通孔４２３ａ2を設けて、該貫通孔４２３
ａ2を介して処理液をオーバーフローさせるようにして
もよい。

【００５２】さらに、上記実施形態では、溶剤としてＩ
ＰＡを用いているが、本発明における溶剤はこれに限定
されるものではなく、溶剤としてエタノールやメタノー
ルなどのその他の溶剤を用いてもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、乾燥
空間規定手段によって処理室内の一部を乾燥処理空間と
して規定するとともに、この乾燥処理空間に溶剤の蒸気
を供給して該溶剤を含む雰囲気を形成し、この乾燥処理
空間に基板を移動して乾燥処理を実行するように構成し
ているので、乾燥処理のために溶剤の蒸気を供給すべき
領域を乾燥空間規定手段に制限して溶剤の使用量を削減
するとともに、乾燥処理のタクトタイムを短縮化するこ
とができる。

【００５４】また、乾燥処理を行った際、乾燥処理空間
を規定する仕切部材の内壁に液滴が付着し、さらに内壁
を伝って下方に落下するが、請求項６の発明によれば、
液滴案内部を設けることによって該液滴を処理槽の外部
に案内することができ、液滴が処理槽内に入ることによ
る処理液の汚染を防止することができる。また、請求項
７の発明によれば、乾燥処理空間の断面が前記処理槽の
開口よりも大きく、しかも当該開口を覆うように、仕切
部材が処理槽の上方に配置されているので、上記のよう
にして落下してくる液滴が処理槽内に入るのを防止し、
処理液の汚染を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板乾燥装置の一実施形態が
装備された基板処理システムを示す斜視図である。

【図２】この発明にかかる基板乾燥装置を装備する基板
処理装置の一の実施形態たる多機能処理部の正面断面図
である。

【図３】図２の多機能処理部の側面断面図である。

【図４】仕切部材の構成を示す斜視図である。

【図５】液滴案内部の構成を示す図である。

【図６】図２の多機能処理部の配管系を示す模式図であ
る。

【図７】この発明にかかる基板乾燥装置を装備する基板
処理装置の他の実施形態を示す正面断面図である。

【図８】この発明にかかる基板乾燥装置を装備する基板
処理装置の別の実施形態を示す正面断面図である。

【図９】この発明にかかる基板乾燥装置を装備する基板
処理装置のさらに別の実施形態を示す正面断面図であ
る。

【符号の説明】

４２…多機能処理部（基板処理装置） ４２１…密閉チャンバ ４２１ａ…ケーシング ４２１ｂ…シャッター ４２３…基板処理部 ４２３ａ…処理槽 ４２３ｂ…開口 ４２４…基板乾燥部（基板乾燥装置） ４２４ａ1…仕切片 ４２４ａ2…隙間 ４２４ａ3…傾斜部（液滴案内部） ４２４ａ4…下端部 ４２４ａ…仕切部材（乾燥空間規定手段） ４２４ｂ1…吐出口 ４２４ｃ…ガイド板（蒸気案内手段） ＳＰ…乾燥処理空間 Ｗ…基板

フロントページの続き (72)発明者 長谷川 公二 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１ 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 Ｆターム(参考） 3L113 AA01 AB02 AC57 AC67 BA01 BA04 BA26 CB28 DA06 DA10 DA30

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内で乾燥処理空間を規定する乾燥
   空間規定手段を備え、 この乾燥空間規定手段によって規定される乾燥処理空間
   に溶剤の蒸気を供給して該溶剤を含む雰囲気を形成し、
   所定の基板処理が施された基板を前記乾燥処理空間に移
   動させて乾燥処理することを特徴とする基板乾燥装置。
2. 【請求項２】 前記乾燥空間規定手段は、前記乾燥処理
   空間を取り囲むように配置された仕切部材により構成さ
   れた請求項１記載の基板乾燥装置。
3. 【請求項３】 前記乾燥処理空間に溶剤の蒸気を直接吐
   出する溶剤吐出手段を備えた請求項１または２記載の基
   板乾燥装置。
4. 【請求項４】 前記処理室内に溶剤の蒸気を吐出する溶
   剤吐出手段と、 前記溶剤吐出手段から吐出された溶剤の蒸気を前記乾燥
   処理空間に案内する蒸気案内手段とを備えた請求項１ま
   たは２記載の基板乾燥装置。
5. 【請求項５】 基板に対して所定の基板処理を施す基板
   処理部と、 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板乾燥装置によ
   り構成された基板乾燥部と、を備えたことを特徴とする
   基板処理装置。
6. 【請求項６】 処理液を貯留する処理槽を備え、前記処
   理槽の上部に設けられた開口を介して基板を前記処理槽
   内に浸漬させて基板処理を施す基板処理部と、 請求項２ないし４のいずれかに記載の基板乾燥装置によ
   り構成された基板乾燥部とを備え、 前記仕切部材は前記処理槽の上方に配置されており、し
   かも、 前記仕切部材には、乾燥処理に伴い前記仕切部材の内壁
   に付着する液滴を前記処理槽の外部に案内する液滴案内
   部が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 処理液を貯留する処理槽を備え、前記処
   理槽の上部に設けられた開口を介して基板を前記処理槽
   内に浸漬させて基板処理を施す基板処理部と、 請求項２ないし４のいずれかに記載の基板乾燥装置によ
   り構成された基板乾燥部とを備え、 前記仕切部材は、乾燥処理空間の断面が前記処理槽の開
   口よりも大きく、しかも当該開口を覆うように、前記処
   理槽の上方に配置されたことを特徴とする基板処理装
   置。