JP2000100767A - 洗浄液中のキレート剤の濃度管理方法 - Google Patents

洗浄液中のキレート剤の濃度管理方法

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JP2000100767A
JP2000100767A JP10264167A JP26416798A JP2000100767A JP 2000100767 A JP2000100767 A JP 2000100767A JP 10264167 A JP10264167 A JP 10264167A JP 26416798 A JP26416798 A JP 26416798A JP 2000100767 A JP2000100767 A JP 2000100767A
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Norio Hayashi
則夫 林
Toshio Kaneko
敏男 金子
Hitoshi Morinaga
均 森永
Takahiro Omura
恭弘 大村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 過酸化水素、アンモニア及びキレート剤を含
む洗浄液でシリコンウェハーなどを洗浄するに際し、長
時間にわたり安定した洗浄を行う。 【解決手段】 過酸化水素、アンモニア及びキレート剤
を含む洗浄液が収容されている洗浄装置に被洗浄物を順
次装入して洗浄するに際し、装置内の洗浄液のキレート
剤濃度を連続的又は間欠的に測定し、その測定結果に基
づいて洗浄液中のキレート剤濃度が所定の範囲に入るよ
うに洗浄液にキレート剤を補給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は過酸化水素、アンモ
ニア及びキレート剤を含む洗浄液を用いてシリコンウェ
ハー等を洗浄する際の、洗浄液中のキレート剤濃度を適
正に管理する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工場などでは、シリコンウェ
ハーの洗浄は製品の品質安定化のために極めて重要であ
り、各種の洗浄が行われている。純水にアンモニアと過
酸化水素とを溶解させた水溶液による洗浄(APM洗
浄、又はSC−1洗浄ともいう)(RCA Revie
w,P.187−206,June(1970)等参
照)は、優れたパーティクル除去能力と有機物除去能力
を持つ為、シリコンウェハ製造工程及びLSI製造工程
において広く用いられている。しかし、従来のAPM洗
浄は金属汚染の除去能力をほとんど持たず、逆に洗浄に
用いる水溶液中にFeやAl、Zn、Ni等の金属が極
微量でも存在すると、シリコンウェハー等の基板表面に
付着して逆汚染してしまうという問題があった。近年、
この問題点を改良した洗浄液として、キレート剤を含む
APM洗浄液が用いられている。キレート剤は、洗浄液
中の金属イオンがシリコンウェハー等に吸着されるのを
防止するために添加されている。この洗浄液を用いる洗
浄は、最も一般的には、洗浄装置内に洗浄液を収容して
おき、この洗浄液にシリコンウェハーを順次浸漬して引
上げることにより行われている。洗浄液には洗浄力を担
う成分である過酸化水素とアンモニアを、それぞれ水溶
液として補給する。一方、洗浄液中のキレート剤も過酸
化水素による酸化分解などにより徐々に失われるので、
本発明者らは先に、洗浄効果を長時間に亘って安定化さ
せるために、キレート剤を含むアンモニア水を補うこと
を提案した。(特開平10−12584号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、キレー
ト剤を含むアンモニア水を補給しても、洗浄成績がとき
として不安定になることがあることが判明した。従って
本発明は、安定した洗浄成績を与える洗浄液の管理方法
を提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、過酸化
水素、アンモニア及びキレート剤を含む洗浄液が収容さ
れている洗浄装置に被洗浄物を順次装入して洗浄するに
際し、装置内の洗浄液のキレート剤濃度を連続的又は間
欠的に測定し、その測定結果に基づいて洗浄液中のキレ
ート剤濃度が所定の範囲に入るように洗浄液にキレート
剤を補給することにより、安定した洗浄成績を達成する
ことができる。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明について詳細に説明する
と、本発明で対象とする洗浄液は、過酸化水素、アンモ
ニア及びキレート剤を水に溶解したものである。この洗
浄液で洗浄力を発揮するのは過酸化水素及びアンモニア
であり、洗浄液中のアンモニア濃度及び過酸化水素濃度
はそれぞれ通常0.01〜30重量%の範囲である。キ
レート剤は洗浄液中の金属イオンが被洗浄物に吸着され
るのを防止するためのものであり、洗浄液中のその濃度
は通常1ppm〜1重量%である。キレート剤として
は、APM洗浄工程における金属付着防止を目的とし
て、従来より提案されているキレート剤(例えば特開平
10−12584号、特開平9−111224号、特開
平9−40997号、特開昭62−115833号、特
開平3−219000号、特開平5−275405号、
特開平6−41773号の各公報、及び特願平10−0
14501号参照)をいずれも用いることが出来るが、
好ましくは、アミン、アミノ酸、ポリアミノポリカルボ
ン酸、フェノール誘導体、ポリアミノホスホン酸、1,
3−ジケトンなどが用いられる。そのいくつかを例示す
ると、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、8−
キノリノール、o−フェナントロリン、グリシン、イミ
ノ2酢酸、エチレンジアミン4酢酸[EDTA]、トラ
ンス−1,2−ジアミノシクロヘキサン4酢酸[CyD
TA]、ジエチレントリアミン5酢酸[DTPA]、ト
リエチレンテトラミン6酢酸[TTHA]、カテコー
ル、タイロン、エチレンジアミンジオルトヒドロキシフ
ェニル酢酸[EDDHA]、エチレンジアミン−N,
N′−ビス〔(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)
酢酸〕[EDDHMA]、N,N′−ビス(2−ヒドロ
キシベンジル)エチレンジアミン−N,N′−2酢酸
[HBED]、N,N′−ビス(2−ヒドロキシ−5−
メチルベンジル)エチレンジアミン−N,N′−2酢酸
[HMBED]、エチレンジアミンテトラキス(メチレ
ンホスホン酸)[EDTPO]、ニトリロトリス(メチ
レンホスホン酸)[NTPO]、プロピレンジアミンテ
トラ(メチレンホスホン酸)[PDTMP]、アセチル
アセトンなどが挙げられる。
【0006】従来、このキレート剤添加APM洗浄液の
管理は経験的に行われていた。洗浄液中のアンモニア濃
度及び過酸化水素濃度は、例えばクラボウ(株)のケミ
カライザーなどを用いる近赤外線による透過分光測定
法、又は三菱化学(株)のGT−06などを用いる滴定
法により測定可能である。したがって、アンモニア及び
過酸化水素の濃度は、測定によってその過不足分を知
り、比較的適正に管理することが出来た。キレート剤も
過酸化水素による酸化分解などにより徐々に失われるの
で、キレート剤を含むアンモニア水を補給するのが好ま
しいことが明らかにされている(特開平10−1258
4号公報参照)。しかし、この方法によりキレート剤を
含むアンモニア水を補給しても、なおかつ洗浄が不調と
なることがある。本発明者らはその原因について検討し
た結果、洗浄液中のキレート剤の含有量が不足している
ことによることを見出した。前述の如くキレート剤は補
助的な成分であり、かつ高価なので、通常は洗浄液中に
極く少量しか添加されていない。しかも、キレート剤
は共存する過酸化水素により酸化分解されるが、その分
解速度は洗浄液の過酸化水素濃度や温度等によって変わ
ること、キレート剤は洗浄に供されるウェハー等から
洗浄液中に混入する金属量に見合って消費される(金属
キレート化合物を形成し、金属捕捉能力を失う)が、洗
浄工程に持ち込まれるウェハーの汚染の程度はときとし
て大きく変動していること、等の理由からキレート剤の
損失量を正確に予測することは困難である。したがっ
て、上述のようなアンモニアと共にキレート剤を補給す
る方法によっても、ときとしてキレート剤の濃度が異常
に低下することがある。
【0007】本発明では洗浄液中のキレート剤の濃度を
測定し、その測定結果に基づいて洗浄液にキレート剤を
補給することにより、洗浄液中のキレート剤の濃度を所
定の範囲に維持する。洗浄液中のキレート剤の定量は種
々の方法で行い得るが、フローインジェクション滴定方
式により比色定量するのが好ましい。この方式によるキ
レート滴定は、J.Flow Injection A
nal.Vol.12,No.2(1995)p145
〜166、及びFresenius Z Anal.C
hem.(1996)323;p244〜248に説明
されているように、一定の流速の試薬の流れとキャリア
の流れとを合体させて検出器を通過させるようになって
いる分析装置に、試薬とキャリアとを流しておき、キャ
リア中に試料を注入して試薬と反応させ、反応により生
ずる変化を検出器(吸光光度計)で測定する。本発明で
は試料中のキレート剤を定量するので、試薬としてはキ
レート剤と反応してキレート化合物を形成する金属イオ
ンを含むものを用いる。本発明者らの検討によれば、過
酸化水素及びアンモニアと共存するキレート剤の定量で
は、試薬に含有させる金属イオンとしては、共存するア
ンモニア及び過酸化水素の影響を受け難い点からして亜
鉛イオンが好ましい。
【0008】亜鉛イオンを発生させる亜鉛化合物として
は、硫酸亜鉛を用いるのが好ましい。試薬中には金属イ
オンの他に、錯化剤、指示薬、緩衝剤などを含有させる
が、錯化剤としてはニトリロトリ酢酸、指示薬としては
カルマガイト、緩衝剤としてはNH4 Cl−NH3 がそ
れぞれ好ましい。試薬中に含有させる金属イオンとして
亜鉛イオンを用いた場合と他の金属イオンを用いた場合
との、キレート剤の測定結果に及ぼす影響の1例を示す
と、純水に金属イオン0.5mM、ニトリロトリ酢酸1
mM、カルマガイト0.2mM、塩化アンモニウム1
M、及びアンモニア1Mとなるように溶解させて調製し
た試薬と純水とを1:1(容量比)で混合したものの6
30nmにおける吸光度と、この試薬と純水と過酸化水
素水(30%)とを10:9:1(容量比)で混合した
ものの630nmにおける吸光度とは、表−1に示す通
りであった。
【0009】
【表1】
【0010】このように亜鉛イオンを用いて調製した試
薬は、試料中の過酸化水素の有無にかかわらず一定の測
定値を与えるが、他の金属イオンを用いて調製した試薬
は試料中の過酸化水素により大きく影響された測定値を
与える。試薬中の亜鉛イオンや錯化剤などの濃度は、測
定しようとする洗浄液中のキレート剤の濃度によって適
宜調整する。例えば洗浄液中のキレート剤の濃度が20
0ppmの場合には、吸光光度計を通過する液中の濃度
が、硫酸亜鉛は0.05〜0.25mM、ニトリロトリ
酢酸は0.05〜0.5mM、カルマガイトは0.05
〜0.25mM、塩化アンモニウムは0.05〜1M、
そしてアンモニアは0.05〜1M(pH8.5〜1
0.5)となるようにするのが好ましい。洗浄液中のキ
レート剤濃度が低い場合には、亜鉛イオン、ニトリロト
リ酢酸及びカルマガイトの濃度を下げる。例えば洗浄液
中のキレート剤の濃度が50ppmの場合には、吸光光
度計を通過する液中の濃度が、硫酸亜鉛は0.01〜
0.05mM、ニトリロトリ酢酸は0.01〜0.1m
M、カルマガイトは0.005〜0.05mM、塩化ア
ンモニウムは0.025〜1M、そしてアンモニアは
0.025〜1M(pH8.5〜10.5)となるよう
にするのが好ましい。
【0011】試薬は硫酸亜鉛、ニトリロトリ酢酸、カル
マガイト及びNH4 Cl−NH3 を水に溶解させて調製
するが、カルマガイトはアルカリ性水溶液中では分解す
るので、カルマガイトとNH4 Cl−NH3 とは使用す
る直前に混合するのが好ましい。例えばカルマガイト水
溶液と、硫酸亜鉛、ニトリロトリ酢酸及びNH4 Cl−
NH3 の混合水溶液とを別々の容器に収容しておき、使
用する直前に両者を混合して試薬を形成させる。
【0012】洗浄液中のキレート剤の定量は、キレート
剤を既知濃度で含む溶液を用いて作成した検量線を用い
て行う。本発明を実施するに際しては、洗浄液中のキレ
ート剤の定量、及びその結果に基づく洗浄液へのキレー
ト剤の補給は、自動的にも手動的にも行うことが出来る
が、自動的に行うことが望ましい。図1はこのような測
定−補給を自動的に行うための装置のフローシートの一
例である。図中、1はキャリアである純水の導管、2は
試薬の導管であり、両者は合体してミキシング管3とな
り検出器4に接続している。5は導管1に設けられてい
る4方バルブであり、洗浄槽6の洗浄液が、循環ポンプ
12により導管7、4方バルブ5及びフィルター13を
経て循環するようになっている。また洗浄槽6の下部に
は、被洗浄物に付着したパーティクルの除去を促進する
ためのメガソニック14が設けられている。導管1,2
及び7にそれぞれの液を流しておき、制御手段(図示せ
ず)からの信号によりバルブ5を回転させて、バルブ内
の流路の洗浄液を、導管1を流れる純水により押し出し
てミキシング管3に流入させ、導管2の試薬と反応させ
る。反応により生成した液は検出器4に流入し、洗浄液
中のキレート剤の濃度が測定される。測定結果は演算手
段8に送られ、ここで洗浄槽6に補給すべきキレート剤
溶液の量が算出される。この演算結果はキレート剤供給
手段9に送られ、定量ポンプ10が作動して、所定量の
キレート剤水溶液が貯槽11から洗浄槽6に供給され
る。
【0013】比較例−1 図1のフローシートに従ってシリコンウェハーの洗浄を
行った。洗浄槽6に、アンモニア水(30重量%)、過
酸化水素水(31重量%)、及び水を1:1:50の容
量比で混合し、得られた水溶液にキレート剤としてED
TAを25ppmとなるように添加して調製した洗浄液
を装入した。洗浄液の容量は20.8リットルであり、
液は加温して常に60℃に保持した。保持中に蒸発した
アンモニア分は、キレート剤を含まないアンモニア水を
用いて補給した。補給したアンモニア水溶液量は120
ml/時間であった。洗浄液には1時間当たり5ロット
(ウェハー25枚/ロット)のシリコンウェハー(6イ
ンチ、p型、CZ、面方位(100))を投入して洗浄
した。洗浄時間は10分間/ロットとした。シリコンウ
ェハー浸漬時はメガソニック14を作動させた。浸漬後
のシリコンウェハーは、超純水で10分間オーバーフロ
ーリンスした後、窒素ブローにより乾燥した。このシリ
コンウェハーについて表面に付着したFeを定量した。
Feの定量は、フッ酸0.1重量%と過酸化水素1重量
%を含む水溶液でシリコンウェハーを洗浄し、洗浄水中
のFeをフレームレス原子吸光法により測定し、シリコ
ンウェハー表面濃度(atoms/cm2 )に換算し
た。結果を表−2に示す。また洗浄液中のEDTAの分
析は、導管1に純水を0.5ml/min、導管2に試
薬を0.5ml/minで流しておき、導管1に試料を
0.05ml注入することにより行った。試薬としては
硫酸亜鉛0.5mM、ニトリロトリ酢酸1mM、金属指
示薬であるカルマガイト0.1mM及び酢酸緩衝液(p
H10)1Mから成るものを用いた。検出器としては吸
光光度計を用い、630nmでの吸光度を測定し、予め
濃度既知の試料について作成した検量線と対比して、試
料中のEDTAの濃度を決定した。結果を表−2に示
す。
【0014】
【表2】
【0015】洗浄液の使用時間が長くなると、シリコン
ウェハー表面にFe汚染が見られるが、これは洗浄液中
のEDTA濃度の変化からして、キレート剤の濃度が減
少したためである。
【0016】実施例−1 洗浄槽6に、アンモニア水(30重量%)、過酸化水素
水(31重量%)、及び水を1:1:50の容量比で混
合し、得られた水溶液にキレート剤としてEDTAを2
5ppmとなるように添加して調製した洗浄液を装入し
た。洗浄液の容量は20.8リットルであり、液は加温
して常に60℃に保持した。保持の間に減少したアンモ
ニア分とEDTA分をEDTA添加アンモニア水を用い
て補給した。補給したアンモニア水溶液量は120ml
/時間であった。アンモニア水に添加して補給したED
TA量は、洗浄液中のEDTA濃度を測定して消失分を
求め、洗浄液中のEDTA濃度が25ppmで維持でき
るように不足分を追加した。この洗浄液に比較例−1と
全く同様の方法でシリコンウェハーを投入して洗浄し、
シリコンウェハー表面に付着したFeを定量した。シリ
コンウェハー上に付着したFe及び洗浄液中のEDTA
の分析は比較例−1と全く同様の方法で行った。結果を
表−3に示す。
【0017】
【表3】
【0018】表−2及び3から明らかなように、本発明
方法でシリコンウェハーの洗浄を行うと、長時間にわた
り安定した洗浄成績で洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施する装置のフローシートの一例で
ある。
【符号の説明】
1 キャリア導管 2 試薬導管 3 ミキシング管 4 検出器 5 4方バルブ 6 洗浄槽 7 試料導管 8 演算手段 9 キレート剤溶液供給手段 10 定量ポンプ 11 キレート剤溶液貯槽 12 循環ポンプ 13 フィルター 14 メガソニック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森永 均 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石1番1号 三菱化学株式会社黒崎事業所内 (72)発明者 大村 恭弘 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石1番1号 三菱化学株式会社黒崎事業所内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 BB03 BB82 BB93 BB94 CB12 CC01 CC12 CD22 CD42 CD43 4H003 BA12 DA15 EA23 EB16 ED02 EE04 FA07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 過酸化水素、アンモニア及びキレート剤
    を含む洗浄液が収容されている洗浄装置に被洗浄物を順
    次装入して洗浄するに際し、装置内の洗浄液のキレート
    剤濃度を連続的又は間欠的に測定し、その測定結果に基
    づいて洗浄液中のキレート剤濃度が所定の範囲に入るよ
    うに洗浄液にキレート剤を補給することを特徴とする方
    法。
  2. 【請求項2】 洗浄液中のキレート剤濃度の測定をフロ
    ーインジェクション滴定方式により行うことを特徴とす
    る請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 フローインジェクション滴定を、亜鉛イ
    オンを含む試薬と洗浄液とを反応させることにより行う
    ことを特徴とする請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 被洗浄物がシリコンウェハーであること
    を特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の方
    法。
  5. 【請求項5】 洗浄装置から洗浄液を抜出して測定装置
    に送る移送手段、洗浄液中のキレート剤濃度をフローイ
    ンジェクション滴定方式で測定する測定手段、測定結果
    に基づいて洗浄装置に補給すべきキレート剤溶液量を算
    出する演算手段、及び演算手段からの指示に基づきキレ
    ート剤溶液貯槽から洗浄装置にキレート剤溶液を供給す
    るキレート剤供給手段とを有しているキレート剤補給装
    置を用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれ
    かに記載の方法。
  6. 【請求項6】 過酸化水素、アンモニア及びキレート剤
    を含む水溶液中のキレート剤濃度をフローインジェクシ
    ョン滴定方式により定量するに際し、亜鉛イオンを含む
    試薬と該水溶液とを反応させることを特徴とする方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002270568A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法および金属モニタリング装置
WO2011142362A1 (ja) * 2010-05-11 2011-11-17 日産化学工業株式会社 シリコンウェーハ用研磨組成物及びシリコンウェーハの研磨方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002270568A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法および金属モニタリング装置
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