JP2000098426A - Active matrix substrate and liquid crystal display device using this substrate - Google Patents

Active matrix substrate and liquid crystal display device using this substrate

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JP2000098426A
JP2000098426A JP10268427A JP26842798A JP2000098426A JP 2000098426 A JP2000098426 A JP 2000098426A JP 10268427 A JP10268427 A JP 10268427A JP 26842798 A JP26842798 A JP 26842798A JP 2000098426 A JP2000098426 A JP 2000098426A
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JP
Japan
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substrate
bar
active matrix
signal line
short
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JP10268427A
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Inventor
Minoru Hiroshima
實 廣島
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress discharge of static electricity caused between an active matrix side substrate and a short-bar side substrate piece at the time of cutting a short-bar. SOLUTION: This device is provided with at least many switching elements for selecting a display pixel formed in a display region, and many scanning signal lines Gi for applying a drive signal to the switching elements and many video signal line Dj, also provided with a scanning signal line short-bar GSB coupling commonly to scanning signal lines Gi formed on an active element substrate with coupling lines GCN, and a video signal line short-bar DSB coupling commonly to video signal lines Dj with coupling lines DCN, and provided with a conduction type thin film pattern GDMY or DDMY for forming capacity with the short-bar and its coupling line at an eliminated side with a short-bar of a coupling line of at least either of a scanning signal line short-bar GSB cut and eliminated after lamination of color filter substrates CFSUB and a video signal line short-bar DSB.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置を構
成するアクティブ基板に形成されたアクティブ素子等を
静電気から保護するための構成を備えたアクティブマト
リクス基板およびこの基板を用いた液晶表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix substrate having a structure for protecting active elements and the like formed on an active substrate constituting a liquid crystal display device from static electricity, and a liquid crystal display device using this substrate. .

【0002】[0002]

【従来の技術】静止画や動画を含めた各種の画像を表示
するデバイスとして液晶表示装置が広く用いられてい
る。
2. Description of the Related Art Liquid crystal displays are widely used as devices for displaying various images including still images and moving images.

【0003】液晶表示装置は、基本的には少なくとも一
方が透明なガラス等からなる二枚の絶縁基板の間に液晶
組成物の層(液晶層)を挟持し、上記絶縁基板に形成し
た画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加して所定
画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画素選択
用の薄膜トランジスタ(TFT)等のスイッチング素子
からなるアクティブ素子を形成してこのアクティブ素子
を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形式
とに分類される。
In a liquid crystal display device, a layer of a liquid crystal composition (liquid crystal layer) is sandwiched between two insulating substrates, at least one of which is made of transparent glass or the like, and a pixel formed on the insulating substrate is formed. A type in which a predetermined pixel is turned on and off by selectively applying a voltage to various electrodes for use in the active element, and an active element composed of the various electrodes and a switching element such as a thin film transistor (TFT) for pixel selection is formed. Is selected, a predetermined pixel is turned on and off.

【0004】特に、後者の形式の液晶表示装置はアクテ
ィブマトリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示
性能等から液晶表示装置の主流となっている。
[0004] In particular, the latter type of liquid crystal display device is called an active matrix type, and has become the mainstream of the liquid crystal display device because of its contrast performance, high-speed display performance and the like.

【0005】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
一方の絶縁基板(アクティブマトリクス基板)に形成し
た電極と他方の基板(カラーフィルタ基板)に形成した
電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界を印
加する、所謂縦電界方式が知られている。
An active matrix type liquid crystal display device is
There is known a so-called vertical electric field method in which an electric field for changing the orientation of a liquid crystal layer is applied between an electrode formed on one insulating substrate (active matrix substrate) and an electrode formed on the other substrate (color filter substrate). Have been.

【0006】一方、液晶層に印加する電界の方向を基板
面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式(面内スイ
ッチング方式:IPS方式とも称する)の液晶表示装置
も実用化されている。この横電界方式の液晶表示装置と
しては、二枚の絶縁基板の一方(アクティブマトリクス
基板)に液晶に電界を与えるための櫛歯電極を形成して
非常に広い視野角を得るようにしたものが知られている
(特公昭63−21907号公報、米国特許第4345
249号明細書参照)。
On the other hand, a so-called lateral electric field type (in-plane switching type: also referred to as IPS type) liquid crystal display device in which the direction of an electric field applied to the liquid crystal layer is made substantially parallel to the substrate surface has been put to practical use. As the lateral electric field type liquid crystal display device, there is a device in which a comb electrode for applying an electric field to the liquid crystal is formed on one of two insulating substrates (active matrix substrate) to obtain a very wide viewing angle. Known (JP-B-63-21907, U.S. Pat.
249).

【0007】このように、液晶表示装置は、一対の絶縁
基板の間に液晶を挟持した液晶パネルと、この液晶パネ
ルを駆動する外部駆動回路、照明光を効率よく液晶パネ
ルに照射するための各種光学素子、その他で構成され
る。
As described above, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel having liquid crystal sandwiched between a pair of insulating substrates, an external driving circuit for driving the liquid crystal panel, and various types of devices for efficiently irradiating the liquid crystal panel with illumination light. It is composed of optical elements and others.

【0008】また、アクティブマトリクス型液晶表示装
置では、そのアクティブマトリクス基板上には、アクテ
ィブ素子である薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
を駆動するための走査信号線と映像信号線に上記スイッ
チング素子、あるいはその他の電極を外部から侵入する
静電気から保護するための保護回路が形成されている。
In an active matrix type liquid crystal display device, a scanning signal line for driving a switching element such as a thin film transistor as an active element and a video signal line are provided on the active matrix substrate. A protection circuit is formed to protect the electrodes from static electricity that enters from the outside.

【0009】図4は従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を構成するアクティブ素子基板を形成した母基
板(液晶パネルを形成するアクティブマトリクス基板に
切断する前の基板)にカラーフィルタ基板CFSUBを
積層した状態の構成例を説明する平面図であって、Gi
は走査信号線(ゲートラインGLとも言う)、Djは映
像信号線(データラインDLとも言う)である。これら
の信号線の交差部の近傍には図示してないアクティブ素
子であるスイッチング素子(一般には、薄膜トランジス
タ(TFT))が設けられ、スイッチング素子の出力電
極は液晶に電界を加えるための画素電極に接続されて、
2次元状に配列した表示画素を形成している。
FIG. 4 shows a state in which a color filter substrate CFSUB is laminated on a mother substrate (a substrate before cutting into an active matrix substrate forming a liquid crystal panel) on which an active element substrate constituting a conventional active matrix type liquid crystal display device is formed. FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration example of
Is a scanning signal line (also called a gate line GL), and Dj is a video signal line (also called a data line DL). A switching element (generally, a thin film transistor (TFT)), which is an active element, not shown, is provided near the intersection of these signal lines, and the output electrode of the switching element is a pixel electrode for applying an electric field to the liquid crystal. Connected,
Display pixels arranged two-dimensionally are formed.

【0010】また、この表示領域の外側に形成されたG
PADは走査信号線Giに外部駆動回路を接続するため
の端子、DPADは映像信号線Djに外部駆動回路を接
続するための端子である。
[0010] Further, the G formed outside the display area.
PAD is a terminal for connecting an external drive circuit to the scanning signal line Gi, and DPAD is a terminal for connecting an external drive circuit to the video signal line Dj.

【0011】ガラス板を好適とする母基板MSUBの外
周部に設けられたGSBとDSBはショートバーと呼ば
れる静電気保護回路を構成する。GSBは多数の走査信
号線Giの終点または始点を電気的に結合する走査信号
線ショートバー、DSBは多数の映像信号線Djの終点
または始点を電気的に結合する映像信号線ショートバー
であり、静電気を吸収するための線である。これらのシ
ョートバーGSBとDSBは、それぞれ結合線GCN、
DCNでGPAD、DPADを介して走査信号線Gi、
映像信号線Djに接続されている。CTLNは母基板M
SUBから最終的に液晶パネルを組み立てるためのアク
ティブマトリクス基板を分離するための切断線を示し、
特にCTLN1は走査信号線ショートバーGSB側を切
断する切断線を示す。なお、映像信号線Djについても
同様に切断される。
The GSB and DSB provided on the outer periphery of the mother substrate MSUB, which is preferably a glass plate, constitute an electrostatic protection circuit called a short bar. GSB is a scanning signal line short bar that electrically connects the end points or the starting points of the many scanning signal lines Gi, DSB is a video signal line short bar that electrically connects the end points or the starting points of the many video signal lines Dj, This is a line for absorbing static electricity. These short bars GSB and DSB are respectively connected to a connection line GCN,
The scanning signal lines Gi, via GPAD and DPAD in DCN,
It is connected to the video signal line Dj. CTLN is mother board M
A cutting line for separating an active matrix substrate for finally assembling a liquid crystal panel from the SUB;
In particular, CTLN1 indicates a cutting line that cuts the scanning signal line short bar GSB side. Note that the video signal line Dj is similarly disconnected.

【0012】これらのショートバーGSB、DSBによ
り、走査信号線Giあるいは映像信号線Djに侵入した
静電気による薄膜トランジスタTFT等のスイッチング
素子やその他の電極のダメージを回避するようにしてい
る。
The short bars GSB and DSB prevent damage to switching elements such as thin film transistors TFT and other electrodes due to static electricity that has entered the scanning signal lines Gi or the video signal lines Dj.

【0013】なお、走査信号線Giと映像信号線Djと
各ショートバーGSB、DSBの結合は、図示したよう
に、端子GPAD、DPADの側に限らず、端子GPA
D、DPADの反対側、あるいは両側で行う場合、もし
くは端子GPAD、DPADの側とその反対側で交互に
行う場合等がある。
The connection between the scanning signal line Gi, the video signal line Dj, and the short bars GSB and DSB is not limited to the terminals GPAD and DPAD as shown in FIG.
D and DPAD may be performed on the opposite side or both sides, or may be alternately performed on the terminals GPAD and DPAD and on the opposite side.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】図5は図4のショート
バーGSB側の切断線CTLN1で切断してショートバ
ーを切り落とした状態のアクティブマトリクス基板SU
B側の基板CELLと切断除去したショートバーGSB
側の基板FHEN平面図である。
FIG. 5 shows an active matrix substrate SU in a state where the short bar is cut off by cutting along the cutting line CTLN1 on the short bar GSB side in FIG.
B side substrate CELL and short bar GSB cut and removed
FIG. 7 is a plan view of a substrate FHEN on the side.

【0015】図6は図4のショートバーGSB側の切断
線CTLN1で切断してショートバーを切り落とした状
態のアクティブマトリクス基板SUBを切断線CTLN
1側から見た側面図である。ショートバーGSBを切断
除去した後は、走査信号線Giに繋がるその端子GPA
D側の結合線GCNがアクティブマトリクス基板の切断
縁に露出している。また、切断後のショートバーGSB
側の側面も同様である。
FIG. 6 shows the active matrix substrate SUB with the short bar cut off by cutting along the cutting line CTLN1 on the short bar GSB side in FIG.
It is the side view seen from one side. After cutting and removing the short bar GSB, the terminal GPA connected to the scanning signal line Gi
The coupling line GCN on the D side is exposed at the cutting edge of the active matrix substrate. In addition, short bar GSB after cutting
The same applies to the side surface.

【0016】切断線CTLN1に沿って母基板MSUB
を切断する際、切断工具との摩擦や基板剥離により多く
の静電気が発生する。この切断時に発生する静電気はア
クティブマトリクス側基板CELLとショートバー側基
板片FHENの両方に帯電する。アクティブマトリクス
側基板CELLには走査信号線Giや映像信号線Djが
形成されており、さらにカラーフィルタ基板CFSUB
が積層されている。このカラーフィルタ基板CFSUB
側には共通電極が形成されている。そのため、対地容量
は大きい。
Along mother line MSUB along cutting line CTLN1
When cutting, a lot of static electricity is generated due to friction with a cutting tool and peeling of the substrate. The static electricity generated during this cutting is charged on both the active matrix side substrate CELL and the short bar side substrate piece FHEN. A scanning signal line Gi and a video signal line Dj are formed on the active matrix side substrate CELL, and a color filter substrate CFSUB is further formed.
Are laminated. This color filter substrate CFSUB
A common electrode is formed on the side. Therefore, the ground capacity is large.

【0017】これに対し、ショートバー側基板片FHE
NにはショートバーGSBと残留した結合線GCNがあ
るのみで、金属層が少なく、対地容量が小さい。
On the other hand, the short bar side substrate piece FHE
N has only the short bar GSB and the remaining coupling line GCN, and has a small number of metal layers and a small ground capacity.

【0018】その結果、アクティブマトリクス側基板C
ELLとショートバー側基板FHENとに同じ密度で静
電気が帯電しても、ショートバー側基板片FHENの電
位がアクティブマトリクス側基板CELLに比べて大き
な値となり、両者間に大きな電位差が生じる。このた
め、ショートバー側基板FHENからアクティブマトリ
クス側基板CELLに向けて放電が発生する。
As a result, the active matrix side substrate C
Even if static electricity is charged to the ELL and the short bar side substrate FHEN at the same density, the potential of the short bar side substrate piece FHEN becomes a larger value than that of the active matrix side substrate CELL, and a large potential difference occurs between the two. For this reason, a discharge is generated from the short bar side substrate FHEN toward the active matrix side substrate CELL.

【0019】図6に示した結合線GCNの露出端は尖っ
ているため、静電気による電界が結合線GCNの露出端
に集中し、この露出端間で放電が起き易くなる。ここで
放電が発生すると、走査信号線Giや映像信号線Djに
大電流が流入し、薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子やその他の電極を破壊させてしまうという問題があっ
た。
Since the exposed end of the coupling line GCN shown in FIG. 6 is sharp, an electric field due to static electricity is concentrated on the exposed end of the coupling line GCN, and discharge easily occurs between the exposed ends. Here, when the discharge occurs, a large current flows into the scanning signal line Gi or the video signal line Dj, and there is a problem that a switching element such as a thin film transistor and other electrodes are broken.

【0020】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消して、ショートバーの切断時のアクティブマトリクス
側基板CELLとショートバー側基板片FHENとの間
で発生する静電気の放電をも抑制した静電気保護回路を
備えたアクティブマトリクス基板とこの基板を用いた液
晶表示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to suppress the discharge of static electricity generated between the active matrix side substrate CELL and the short bar side substrate piece FHEN when the short bar is cut. An object of the present invention is to provide an active matrix substrate having an electrostatic protection circuit and a liquid crystal display device using the substrate.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、アクティブマトリクス基板に形成された
走査信号線や映像信号線への静電気の侵入を防止するた
めのショートバーを形成し、液晶パネルとして切断除去
される側のショートバー側基板片に、アクティブマトリ
クス基板となる基板側と同等の静電容量を形成するダミ
ーの電極を形成して切断されるアクティブマトリクス基
板とショートバー側基板片の間で生じる放電を回避する
ように構成したことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a short bar for preventing static electricity from entering a scanning signal line or a video signal line formed on an active matrix substrate. An active matrix substrate and a short bar side substrate which are cut by forming dummy electrodes on the short bar side substrate piece on the side to be cut and removed as the liquid crystal panel to form the same capacitance as the active matrix substrate side It is characterized in that it is configured to avoid discharge occurring between the pieces.

【0022】すなわち、本発明の代表的な構成は下記の
(1)〜(3)に記載のとおりである。
That is, a typical configuration of the present invention is as described in the following (1) to (3).

【0023】(1)表示領域に形成された表示画素を選
択するための多数のスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子に駆動信号を印加するための多数の走査信号線
および多数の映像信号線とを少なくとも具備し、前記ア
クティブ素子基板に形成した前記多数の走査信号線を結
合線で共通に結合した走査信号線ショートバーと、前記
多数の映像信号線を結合線で共通に結合した映像信号線
ショートバーとを備え、カラーフィルタ基板を積層後に
切断除去される前記走査信号線ショートバーと前記映像
信号線ショートバーの少なくとも一方の前記結合線の前
記ショートバーと共に除去される側に、前記ショートバ
ーおよびその結合線と共に容量を形成するための導電性
薄膜パターン(ダミーの電極)を備えた。
(1) A large number of switching elements for selecting display pixels formed in a display area, and a large number of scanning signal lines and a large number of video signal lines for applying a drive signal to the switching elements. A scanning signal line short bar in which the plurality of scanning signal lines formed on the active element substrate are commonly coupled by a coupling line; and a video signal line short bar in which the multiple video signal lines are commonly coupled by a coupling line. The short bar and the short bar on the side of at least one of the scanning signal line short bar and the video signal line short bar that is cut and removed after laminating the color filter substrate together with the short bar. A conductive thin film pattern (dummy electrode) for forming a capacitance together with the coupling line was provided.

【0024】この構成により、切断除去されるショート
バー側の静電容量が大きくなってアクティブマトリクス
基板側との間の電位差が小さくなる。したがって、切断
除去される際に両者間に放電が発生するのが防止され
る。
With this configuration, the capacitance on the short bar side to be cut and removed increases, and the potential difference between the short bar side and the active matrix substrate side decreases. Therefore, it is possible to prevent a discharge from being generated between the two when they are cut and removed.

【0025】(2)(1)における前記導電性薄膜パタ
ーンを前記ショートバーおよびその結合線を被覆する絶
縁膜の上層に形成したことを特徴とする。
(2) The conductive thin film pattern according to (1) is formed on an upper layer of an insulating film covering the short bar and its connection line.

【0026】このようにしたことにより、例えばアクテ
ィブマトリクス基板の画素電極形成と同時に導電性薄膜
パターンを形成することができ、導電性薄膜パターンを
形成するための工程を設ける必要がない。
By doing so, for example, the conductive thin film pattern can be formed simultaneously with the formation of the pixel electrodes of the active matrix substrate, and there is no need to provide a step for forming the conductive thin film pattern.

【0027】(3)(1)または(2)に記載のアクテ
ィブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板
に液晶層を介して積層したカラーフィルタ基板とを重ね
合わせ、両者の間隙に液晶組成物を封入して液晶パネル
を構成し、この液晶パネルに外部駆動回路、照明光源、
その他の光学素子あるいは電気素子を組み込んで液晶表
示装置を組み立てる。
(3) The active matrix substrate according to (1) or (2) and a color filter substrate laminated on the active matrix substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a liquid crystal composition is sealed in a gap between the two. To form a liquid crystal panel, and an external drive circuit, an illumination light source,
A liquid crystal display device is assembled by incorporating other optical elements or electric elements.

【0028】このようにして得られた本発明による液晶
表示装置は、その製造工程でのスイッチング素子あるい
はその他の電極の静電気破壊が低減し、歩留りが向上す
る。
In the liquid crystal display device according to the present invention obtained as described above, the electrostatic breakdown of the switching element or other electrodes in the manufacturing process is reduced, and the yield is improved.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明によるアクティブマ
トリクス基板とこの基板を用いた液晶表示装置の実施の
形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of an active matrix substrate according to the present invention and a liquid crystal display device using the substrate will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0030】図1は本発明によるアクティブマトリクス
基板の第1実施例を説明する平面図である。図4と同一
部分には同一符号を付してあり、Giは走査信号線(G
L)、Djは映像信号線(DL)、GPADは走査信号
線に外部駆動回路を接続するための端子、DPADは映
像信号線に外部駆動回路を接続するための端子、GSB
は走査信号線側に形成したショートバー、DSBは映像
信号線側に形成したショートバー、GCNは走査信号線
Giを端子GPADを介してショートバーGSBに接続
する結合線、DCNは映像信号線Djを端子DPADを
介してショートバーDSBに接続する結合線、GDMY
はショートバー側基板片FHENに形成したダミー電極
(導電性薄膜パターン)、MSUBは母基板(母ガラス
基板)、CTLNは最終的にアクティブマトリクス基板
とするための切断線、CTLN1はアクティブマトリク
ス側基板CELLとショートバーGSB側基板片FHE
Nを切断する切断線を示す。
FIG. 1 is a plan view for explaining a first embodiment of the active matrix substrate according to the present invention. 4 are given the same reference numerals, and Gi is a scanning signal line (G
L), Dj are video signal lines (DL), GPAD is a terminal for connecting an external drive circuit to the scanning signal line, DPAD is a terminal for connecting the external drive circuit to the video signal line, GSB
Is a short bar formed on the scanning signal line side, DSB is a short bar formed on the video signal line side, GCN is a coupling line connecting the scanning signal line Gi to the short bar GSB via the terminal GPAD, and DCN is a video signal line Dj. , Connecting GDMY to the short bar DSB via the terminal DPAD
Is a dummy electrode (conductive thin film pattern) formed on the short bar side substrate piece FHEN, MSUB is a mother substrate (mother glass substrate), CTLN is a cutting line for finally forming an active matrix substrate, and CTLN1 is an active matrix side substrate CELL and short bar GSB side substrate piece FHE
A cutting line for cutting N is shown.

【0031】本実施例のアクティブマトリクス基板で
は、走査信号線Giを結合線GCNを介して走査信号線
ショートバーGSBを接続すると共に、映像信号線Dj
を結合線DCNを介して走査信号線ショートバーDSB
に接続する。そして、切断線CTLN1の外側にダミー
電極GDMYを設けた。
In the active matrix substrate of this embodiment, the scanning signal line Gi is connected to the scanning signal line short bar GSB via the coupling line GCN, and the video signal line Dj is connected.
Is connected to the scanning signal line short bar DSB via the coupling line DCN.
Connect to Then, a dummy electrode GDMY was provided outside the cutting line CTLN1.

【0032】これらの結合線GCNとDCN、各ショー
トバーGSBとDSBは、各信号線Gi、Djおよび各
端子GPAD、DPADの形成時に同時に形成すること
ができる。また、ダミー電極GDMYはアクティブマト
リクス側基板CELLに形成するITO膜による画素電
極(図示せず)と同時に形成できる。
The coupling lines GCN and DCN and the short bars GSB and DSB can be formed simultaneously when the signal lines Gi and Dj and the terminals GPAD and DPAD are formed. The dummy electrode GDMY can be formed simultaneously with a pixel electrode (not shown) made of an ITO film formed on the active matrix side substrate CELL.

【0033】図2は図1のa−a線に沿った断面図であ
り、PASは透明導電膜である。アクティブマトリクス
基板となる母基板MSUBにカラーフィルタ基板CFS
UBを積層し、両者の間隙に液晶組成物を封止した後、
まず切断線CTLN1に沿って切断し、アクティブマト
リクス側基板CELLとショートバーGSB側基板片F
HENに分離する。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line aa of FIG. 1. PAS is a transparent conductive film. Color filter substrate CFS on mother substrate MSUB to be an active matrix substrate
After laminating UB and sealing the liquid crystal composition in the gap between them,
First, the substrate is cut along the cutting line CTLN1, and the active matrix side substrate CELL and the short bar GSB side substrate piece F are cut.
Separate into HEN.

【0034】このとき、ショートバーGSB側基板片F
HENにはダミー電極GDMYが形成されているため、
アクティブマトリクス側基板CELLとショートバーG
SB側基板片FHENの各静電容量は同等のものとなっ
ている。
At this time, the short bar GSB side substrate piece F
Since a dummy electrode GDMY is formed in HEN,
Active matrix substrate CELL and short bar G
Each capacitance of the SB-side substrate piece FHEN is equivalent.

【0035】アクティブマトリクス基板SUBは、図1
の母基板MSUBを切断線CTLNで切断して形成され
る。この切断時にショートバーGSBとDSBは切断分
離して除去される。
FIG. 1 shows an active matrix substrate SUB.
Is cut along the cutting line CTLN. During this cutting, the short bars GSB and DSB are cut and separated and removed.

【0036】この切断の際には切断工具との摩擦や基板
の剥離により静電気が発生してアクティブマトリクス側
基板CELLとショートバーGSB側基板片FHENに
帯電する。そして、両者の帯電した静電気は略々同等の
電位となっているため、アクティブマトリクス側基板C
ELLとショートバーGSB側基板片FHENを分離す
るときに切断された結合線GCN間で放電が発生するこ
とはない。
At the time of this cutting, static electricity is generated due to friction with the cutting tool and peeling of the substrate, and the active matrix substrate CELL and the short bar GSB side substrate piece FHEN are charged. Since the charged static electricity is substantially the same potential, the active matrix side substrate C
When the ELL and the short bar GSB-side substrate piece FHEN are separated, no discharge occurs between the cut connection lines GCN.

【0037】この実施例の構成により、走査信号線G
i、映像信号線Djに静電気が入り込むことはなく、静
電気による薄膜トランジスタTFTやその他の電極等の
破壊が防止され、表示不良が防止される。
With the configuration of this embodiment, the scanning signal line G
i, static electricity does not enter the video signal line Dj, and damage to the thin film transistor TFT and other electrodes due to static electricity is prevented, and display defects are prevented.

【0038】図3は本発明によるアクティブマトリクス
基板の第2実施例を説明する平面図である。なお、b−
b線に沿った断面は前記図2と同様である。
FIG. 3 is a plan view illustrating a second embodiment of the active matrix substrate according to the present invention. In addition, b-
The cross section along the line b is the same as in FIG.

【0039】この実施例では、図1に示したダミー電極
を映像信号線のショートバーDSB側にも同様に形成し
たものであり、CTLN2はアクティブマトリクス側基
板CELLとショートバーDSB側基板片HHENとの
切断線、図1と同一符号は同一部分に対応する。
In this embodiment, the dummy electrodes shown in FIG. 1 are similarly formed on the short bar DSB side of the video signal line, and CTLN2 is composed of the active matrix side substrate CELL and the short bar DSB side substrate piece HHEN. And the same reference numerals as those in FIG. 1 correspond to the same parts.

【0040】走査信号線側のショートバーGSB側基板
片FHENの切断後、あるいはその前にアクティブマト
リクス側基板CELLとショートバーDSB側基板片H
HENに分離する。
After or before cutting the short bar GSB side substrate piece FHEN on the scanning signal line side, the active matrix side substrate CELL and the short bar DSB side substrate piece H
Separate into HEN.

【0041】このとき、ショートバーDSB側基板片H
HENにはダミー電極DDMYが形成されているため、
アクティブマトリクス側基板CELLとショートバーD
SB側基板片HHENの各静電容量は同等のものとなっ
ている。
At this time, the short bar DSB side substrate piece H
Since a dummy electrode DDMY is formed in HEN,
Active matrix side substrate CELL and short bar D
Each capacitance of the SB-side substrate piece HHEN is equivalent.

【0042】アクティブマトリクス基板SUBは、図1
の母基板MSUBを切断線CTLNで切断して形成され
る。この切断時にショートバーGSB側基板片HHEN
は切断分離して除去される。
FIG. 1 shows an active matrix substrate SUB.
Is cut along the cutting line CTLN. At the time of this cutting, the short bar GSB side substrate piece HHEN
Is cut off and removed.

【0043】この切断の際には切断工具との摩擦や基板
の剥離により静電気が発生してアクティブマトリクス側
基板CELLとショートバーDSB側基板片HHENに
帯電する。そして、両者の帯電した静電気は略々同等の
電位となっているため、アクティブマトリクス側基板C
ELLとショートバーDSB側基板片HHENを分離す
るときに切断された結合線DCN間で放電が発生するこ
とはない。
At the time of this cutting, static electricity is generated due to friction with the cutting tool and peeling of the substrate, and the active matrix substrate CELL and the short bar DSB side substrate piece HHEN are charged. Since the charged static electricity is substantially the same potential, the active matrix side substrate C
When the ELL and the short bar DSB side substrate piece HHEN are separated, no discharge is generated between the cut connection lines DCN.

【0044】この実施例の構成により、走査信号線G
i、映像信号線Djに静電気が入り込むことはなく、静
電気による薄膜トランジスタTFTやその他の電極等の
破壊が防止され、表示不良が防止される。
With the configuration of this embodiment, the scanning signal line G
i, static electricity does not enter the video signal line Dj, and damage to the thin film transistor TFT and other electrodes due to static electricity is prevented, and display defects are prevented.

【0045】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the technical idea of the present invention.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表示領域の周辺が全てショートバーで囲まれているた
め、製造工程中にその方向から静電気が侵入しても、こ
れを効果的に吸収でき、スイッチング素子やその他の電
極等のダメージが抑制される。したがって、本発明によ
れば、歩留りが向上し、信頼性の高い液晶表示装置を提
供できる。
As described above, according to the present invention,
Since the entire periphery of the display area is surrounded by the short bar, even if static electricity enters from the direction during the manufacturing process, it can be effectively absorbed, and damage to the switching element and other electrodes is suppressed. . Therefore, according to the present invention, a liquid crystal display device with improved yield and high reliability can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるアクティブマトリクス基板の第1
実施例を説明する平面図である。
FIG. 1 shows a first active matrix substrate according to the present invention.
It is a top view explaining an Example.

【図2】図1のa−a線に沿った断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line aa of FIG.

【図3】本発明によるアクティブマトリクス基板の第2
実施例を説明する平面図である。
FIG. 3 shows a second embodiment of the active matrix substrate according to the present invention.
It is a top view explaining an Example.

【図4】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
構成するアクティブ素子基板を形成した母基板(液晶パ
ネルを形成するアクティブマトリクス基板に切断する前
の基板)にカラーフィルタ基板CFSUBを積層した状
態の構成例を説明する平面図である。
FIG. 4 shows a configuration in which a color filter substrate CFSUB is stacked on a mother substrate on which an active element substrate constituting a conventional active matrix type liquid crystal display device is formed (a substrate before cutting into an active matrix substrate forming a liquid crystal panel). It is a top view explaining an example.

【図5】図4のショートバーGSB側の切断線CTLN
1で切断してショートバーを切り落とした状態のアクテ
ィブマトリクス基板SUB側の基板CELLと切断除去
したショートバーGSB側の基板FHEN平面図であ
る。
FIG. 5 is a cutting line CTLN on the short bar GSB side of FIG. 4;
1 is a plan view of a substrate CELL on the active matrix substrate SUB side in a state where the short bar is cut off by cutting at 1 and a substrate FHEN on the short bar GSB side cut and removed.

【図6】図4のショートバーGSB側の切断線CTLN
1で切断してショートバーを切り落とした状態のアクテ
ィブマトリクス基板SUBを切断線CTLN1側から見
た側面図である。
6 is a cutting line CTLN on the short bar GSB side of FIG. 4;
1 is a side view of the active matrix substrate SUB in a state where the short bar is cut off by cutting at 1 in a cut line CTLN1 side.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Gi 走査信号線(GL) Dj 映像信号線(DL) GPAD 走査信号線に外部駆動回路を接続するための
端子 DPAD 映像信号線に外部駆動回路を接続するための
端子 GSB 走査信号線側のショートバー DSB 映像信号線側のショートバー MSUB 母基板 GCN 走査信号線とショートバーを接続する結合線 DCN 映像信号線とショートバーを接続する結合線 GDMY 走査信号線側ダミー電極 DDMY 映像信号線側ダミー電極 CTLN,CTLN1,CTLN2 最終的にアクティ
ブマトリクス基板とするための切断線。
Gi scanning signal line (GL) Dj video signal line (DL) GPAD Terminal for connecting external driving circuit to scanning signal line DPAD Terminal for connecting external driving circuit to video signal line GSB Short bar on scanning signal line side DSB Short bar on video signal line side MSUB mother board GCN Coupling line connecting scan signal line and short bar DCN Coupling line connecting short signal bar with video signal line GDMY Scan signal line side dummy electrode DDMY Video signal line side dummy electrode CTLN , CTLN1, CTLN2 Cutting lines for finally forming an active matrix substrate.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表示領域に形成された表示画素を選択する
ための多数のスイッチング素子と、このスイッチング素
子に駆動信号を印加するための多数の走査信号線および
多数の映像信号線とを少なくとも具備したアクティブマ
トリクス基板において、 前記アクティブ素子基板に形成した前記多数の走査信号
線を結合線で共通に結合した走査信号線ショートバー
と、前記多数の映像信号線を結合線で共通に結合した映
像信号線ショートバーとを備え、カラーフィルタ基板を
積層後に切断除去される前記走査信号線ショートバーと
前記映像信号線ショートバーの少なくとも一方の前記結
合線の前記ショートバーと共に除去される側に、前記シ
ョートバーおよびその結合線と共に容量を形成するため
の導電性薄膜パターンを備えたことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス基板。
A plurality of switching elements for selecting display pixels formed in a display area; a plurality of scanning signal lines for applying a drive signal to the switching elements; and a plurality of video signal lines. A scanning signal line short bar in which the plurality of scanning signal lines formed on the active element substrate are commonly connected by a coupling line, and a video signal in which the plurality of video signal lines are commonly coupled by a coupling line. A short-circuit bar on at least one of the coupling lines of the scanning signal line short bar and the video signal line short bar which is cut and removed after laminating the color filter substrate. A conductive thin film pattern for forming a capacitance together with the bar and its connection line. Active matrix substrate.
【請求項2】前記導電性薄膜パターンを前記ショートバ
ーおよびその結合線を被覆する絶縁膜の上層に形成した
ことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリク
ス基板。
2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein said conductive thin film pattern is formed on an upper layer of an insulating film covering said short bar and its connection line.
【請求項3】請求項1または2に記載のアクティブマト
リクス基板と、このアクティブマトリクス基板に液晶層
を介して積層したカラーフィルタ基板とから構成した液
晶表示装置。
3. A liquid crystal display device comprising: the active matrix substrate according to claim 1; and a color filter substrate laminated on the active matrix substrate via a liquid crystal layer.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447459B1 (en) * 2000-09-28 2004-09-07 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Lcd device having scanning lines and common lines
KR100939221B1 (en) * 2006-06-05 2010-01-28 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display and fabricating method thereof
US9921443B2 (en) 2014-10-20 2018-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device including shorting bar
CN110379796A (en) * 2019-07-31 2019-10-25 昆山国显光电有限公司 Display panel and display device

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