JPH0439055B2 - - Google Patents
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- JPH0439055B2 JPH0439055B2 JP57211940A JP21194082A JPH0439055B2 JP H0439055 B2 JPH0439055 B2 JP H0439055B2 JP 57211940 A JP57211940 A JP 57211940A JP 21194082 A JP21194082 A JP 21194082A JP H0439055 B2 JPH0439055 B2 JP H0439055B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アクテイブマトリツクス基板に関す
るものである。さらに本発明は、アクテイブマト
リツクス基板の修正方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an active matrix substrate. Furthermore, the present invention relates to a method of repairing an active matrix substrate.
近年、CRTに代りうる平面型デイスプレイの
開発研究が盛んに行なわれており、情報機器の大
衆化に伴なつて、小型、薄型で低電力なデイスプ
レイへの要求が増々大きくなつて来ているのが現
状である。この様な中で液晶デイスプレイは、小
型、薄型が可能であり、低電力で見やすいデイス
プレイとして注目され、腕時計、電卓はもとより
今後は自動車用、家庭用へと大きな需要が期待さ
れている。 In recent years, much research has been conducted to develop flat displays that can replace CRTs, and as information devices become more popular, the demand for smaller, thinner, and lower power displays is increasing. is the current situation. Under these circumstances, liquid crystal displays are attracting attention as displays that can be made small and thin, and are low-power and easy to read, and are expected to be in great demand not only for wristwatches and calculators, but also for automobiles and home use.
液晶デイスプレイには、大別すると、時分割駆
動方式のものと、アクテイブマトリツクス方式の
ものに分類出来る。時分割駆動方式のものは、ス
トライプ状にパターニングされた透明電極をもつ
２枚のガラス基板の間に液晶材料をはさみ、上下
の基板上のストライプパターンの電極が直交した
部分が一画素となるパネル構造をとる。この種の
液晶パネルにおいては、パネル上に表示する情報
量（画素数あるいは走査ライン数に対応する）
は、液晶材料の特性に大きく依存し、現在では30
分の１デユーテー程度が実用化の限界とされてい
る。液晶デイスプレイにおいて画像表示を行なう
場合には少なくとも走査線の数にして120本以上
は必要である。この点を解決するためにパネル構
造を工夫して四重マトリツクスパネル構造として
走査線の数を30×４＝120本としている報告があ
る。 Liquid crystal displays can be broadly classified into time-division drive type and active matrix type. In the time-division drive type, a liquid crystal material is sandwiched between two glass substrates with transparent electrodes patterned in stripes, and one pixel is formed by the area where the stripe-patterned electrodes on the upper and lower substrates intersect at right angles. Take structure. In this type of LCD panel, the amount of information displayed on the panel (corresponding to the number of pixels or scanning lines)
depends largely on the properties of the liquid crystal material and is currently 30
Approximately 1/1 duty is said to be the limit for practical use. When displaying an image on a liquid crystal display, at least 120 or more scanning lines are required. In order to solve this problem, there is a report that the panel structure has been devised to have a quadruple matrix panel structure with the number of scanning lines being 30×4=120.
一方アクテイブマトリツクスパネルの場合にお
いては、液晶パネルを構成する一方の基板として
アクテイブマトリツクス基板を用いる。アクテイ
ブマトリツクス基板は、複数本のＸ信号線、及び
これと直交する複数本のＹ信号線を有し、これら
の直交する各交点にアクテイブ素子を接続したも
のである。アクテイブ素子としては通常トランジ
スタが用いられる。例えばアクテイブマトリツク
ス基板としてシリコンウエハを用いる場合におい
ては、シリコンMOSトランジスタがアクテイブ
素子となり、また基板として透明基板を用いた場
合においてはTFT（薄膜トランジスタ）がアクテ
イブ素子となる。この様なアクテイブマトリツク
ス基板とガラス基板との間に液晶材料をはさんで
液晶パネルを構成する。この様な液晶パネルの違
いは、それぞれ一長一短がある。例えば時分割駆
動方式の液晶パネルにおいては、ガラス基板上に
ストライプ状の透明電極パターンを形成するだけ
でよいため、液晶パネル製造時の歩留は比較的高
く、したがつてパネルコストは低く出来る。しか
し、前述した如く、液晶材料特性の制約から、走
査線の数を増やすことは難しい。一方アクテイブ
マトリツクス方式の液晶パネルにおいては、各画
素にスイツチングトランジスタを有しており、液
晶層の容量等により書き込み信号が保持されるの
で、走査線の数の制限はなくなる。この反面、一
枚の基板上に数万個のトランジスタを無欠陥にて
製造しなければならず、したがつてこの製造歩留
が非常に大きな課題となる。例えば液晶パネル構
成として、画像表示用を考えた場合、少なくとも
走査線の数は120〜240本必要となる。したがつて
対角線２インチのパネルにおいては、30×40mm2の
面積に約５万個のトランジスタを無欠陥にて作り
込まなければならない。高い歩留りにてアクテイ
ブマトリツクス基板を製造するには、クリーン度
の高い、IC製造ライン並のラインにて製造する
必要があるが、万一１〜２個の欠陥が入つた場合
には、これを修正する方法も確立しておかなけれ
ばならない。例えば、１パネル当に１〜２ケ所の
欠陥部分の修正によつて無欠陥パネルとなりうる
のであれば、この欠陥修正技術は非常に重要なも
のとなる。 On the other hand, in the case of an active matrix panel, an active matrix substrate is used as one of the substrates constituting the liquid crystal panel. The active matrix substrate has a plurality of X signal lines and a plurality of Y signal lines orthogonal thereto, and active elements are connected to each of these orthogonal intersections. A transistor is usually used as the active element. For example, when a silicon wafer is used as an active matrix substrate, a silicon MOS transistor becomes an active element, and when a transparent substrate is used as a substrate, a TFT (thin film transistor) becomes an active element. A liquid crystal panel is constructed by sandwiching a liquid crystal material between such an active matrix substrate and a glass substrate. Each of these differences in LCD panels has advantages and disadvantages. For example, in a time-division drive type liquid crystal panel, it is only necessary to form a striped transparent electrode pattern on a glass substrate, so the yield during manufacturing the liquid crystal panel is relatively high, and the panel cost can therefore be reduced. However, as described above, it is difficult to increase the number of scanning lines due to restrictions on the characteristics of the liquid crystal material. On the other hand, in an active matrix liquid crystal panel, each pixel has a switching transistor, and the write signal is held by the capacitance of the liquid crystal layer, so there is no limit to the number of scanning lines. On the other hand, tens of thousands of transistors must be manufactured without defects on a single substrate, and therefore manufacturing yield becomes a very important issue. For example, when considering a liquid crystal panel configuration for displaying images, at least 120 to 240 scanning lines are required. Therefore, in a panel with a diagonal of 2 inches, approximately 50,000 transistors must be fabricated without defects in an area of 30 x 40 mm 2 . In order to manufacture active matrix substrates with a high yield, it is necessary to manufacture them on a line with a high level of cleanliness comparable to an IC manufacturing line, but in the unlikely event that one or two defects occur, this A method for correcting this must also be established. For example, if a defect-free panel can be obtained by correcting one or two defective parts per panel, this defect correction technique becomes extremely important.
本発明は、アクテイブマトリツクス方式の液晶
パネルに用いるアクテイブマトリツクス基板の欠
陥修正方法に関するものであり以下実施例を示し
ながら説明する。 The present invention relates to a method for correcting defects in an active matrix substrate used in an active matrix type liquid crystal panel, and will be described below with reference to embodiments.
第１図は、ガラス基板あるいは石英基板を用い
その上にアクテイブマトリツクス素子として
TFT（薄膜トランジスタ）を形成したアクテイブ
マトリツクス方式の液晶パネルの断面図である。
図中の１はガラスあるいは石英板等の透明基板で
ある。２及び３はシリコン薄膜であり、TFTの
チヤンネル領域及びソース・ドレイン領域を形成
している。４はゲート電極、５はシリコン酸化
膜、６は金属層であり通常AlあるいはAl−Si合
金薄膜が用いられる。７は液晶駆動電極であり、
透明度の高いITO膜（インジウム酸化物とスズ酸
化物の混合薄膜）あるいはSnO2膜（酸化スズ薄
膜）が用いられる。第１図のTFTデバイス構造
はほんの一例にすぎず、本発明はこの構造に限定
されるものではない。第１図のTFTはおいて６
にて示された金属薄膜層を用いず直接ITO薄膜
と、シリコン薄膜と接続してもよいことは言うま
でもない。図中の８は液晶層であり９は上側ガラ
ス基板、１０は上側ガラス基板全面に形成された
透明電極である。１１及び１２は液晶パネルの上
下に配置された偏光板、１３は反射板である。第
１図中のＰで示された領域が一画素である。第２
図は、アクテイブマトリツクス基板上の一画素の
回路を示す。図中の１４はビデオ信号線、１５は
タイミング信号線である。１６がTFTであり１
７がTFTのドレイン側に接続された液晶駆動電
極である。１８は液晶層、１９は上側ガラス基板
上の透明電極である。ビデオ信号ラインから入力
されたTV信号はTFTがオン状態の時に液晶層等
の容量に書き込まれ、次の信号が入力されるまで
の間、液晶層に一定の電圧を印加する。２０にて
示された領域が一画素の回路を示す。第３図はさ
らに詳しく駆動回路まで含めた回路図である。図
中の１４，１５，２０は第２図の番号と対応して
いる。２１はビデオ信号であり、シフトレジスタ
２２の信号によつてON−OFFするトランスミツ
シヨンゲート２３により、マトリツクス回路を構
成するビデオ信号ラインへ入力する。ビデオライ
ン１４へ書き込まれたビデオ信号は次に各画素へ
と書き込まれる。 Figure 1 shows an active matrix element mounted on a glass or quartz substrate.
1 is a cross-sectional view of an active matrix type liquid crystal panel in which TFTs (thin film transistors) are formed.
1 in the figure is a transparent substrate such as glass or quartz plate. 2 and 3 are silicon thin films forming the channel region and source/drain region of the TFT. 4 is a gate electrode, 5 is a silicon oxide film, and 6 is a metal layer, which is usually an Al or Al-Si alloy thin film. 7 is a liquid crystal drive electrode;
A highly transparent ITO film (mixed thin film of indium oxide and tin oxide) or SnO 2 film (tin oxide thin film) is used. The TFT device structure of FIG. 1 is just one example, and the invention is not limited to this structure. The TFT in Figure 1 is 6
It goes without saying that the ITO thin film and the silicon thin film may be directly connected without using the metal thin film layer shown in . In the figure, 8 is a liquid crystal layer, 9 is an upper glass substrate, and 10 is a transparent electrode formed on the entire surface of the upper glass substrate. 11 and 12 are polarizing plates arranged above and below the liquid crystal panel, and 13 is a reflecting plate. The area indicated by P in FIG. 1 is one pixel. Second
The figure shows the circuit of one pixel on an active matrix substrate. In the figure, 14 is a video signal line, and 15 is a timing signal line. 16 is TFT and 1
7 is a liquid crystal driving electrode connected to the drain side of the TFT. 18 is a liquid crystal layer, and 19 is a transparent electrode on the upper glass substrate. A TV signal input from a video signal line is written into a capacitor such as a liquid crystal layer when the TFT is in an on state, and a constant voltage is applied to the liquid crystal layer until the next signal is input. The area indicated by 20 represents a circuit of one pixel. FIG. 3 is a more detailed circuit diagram including the drive circuit. 14, 15, and 20 in the figure correspond to the numbers in FIG. Reference numeral 21 denotes a video signal, which is input to the video signal line forming the matrix circuit by a transmission gate 23 which is turned on and off by a signal from a shift register 22. The video signal written to video line 14 is then written to each pixel.
前述した如く、アクテイブマトリツクス基板上
に作り込まれたアクテイブ素子はすべてが良品で
ある必要がある。例えば画素構成として240×240
＝57600個のトランジスタの場合にはこのすべて
が正常に動作しなければならない。しかし、
57600個すべてが良品となる確立は比較的低い。
例えばこの57600個のうちの１〜２個は不良品と
なる。不良となる原因は種々あるが、例えばパタ
ーン不良による断線やゲート膜耐圧不良等があげ
られよう。第４図は１個のトランジスタが不良で
あるアクテイブマトリツクス基板の回路図の一部
分を示している。第４図中の２０にて示した画素
回路はすべて良品で正常に動作する。一方２４に
て示した画素回路は不良である。不良のモード
は、トランジスタのゲート酸化膜リークであつて
もよいし、またコンタクト不良であつてもよい。
ゲート酸化膜がリークしている場合には、第４図
中のタイミング信号ライン１５−２と、ビデオ信
号ライン１４−２がシヨート状態となり、お互い
の電位に引つ張り合うためタイミング信号ライン
１５−２とビデオ信号ライン１４−２は共にライ
ン欠陥となり、常に黒表示もしくは白表示とな
る。この様な場合には第５図にて示す如く不良の
トランジスタは、タイミング信号ライン及びビデ
オ信号ラインから切り離す必要がある。この切り
離しの方法を第６図に示す。第６図はTFTマト
リツクス基板の平面図の一例である。図中の１４
はビデオ信号ライン、１５はタイミング信号ライ
ンである。また１６はTFT素子、１７は透明導
電膜から成る液晶駆動電極である。本実施例にお
いてはTFTはゲート電極が直列に配置されたダ
ブルゲートTFTマトリツクスにおいて説明する
が本発明はこれに限るものではない。今、第５図
にて示したごとくTFTをタイミング信号ライン
及びビデオ信号ラインから切り離す場合には、図
中の及びにて示す部分をレーザーにて溶断す
ればよい。例えばにて示した部分は、シリコン
薄膜から成るTFTのソース領域であり、シリコ
ンは赤外領域に吸収をもつため容易に溶断出来
る。シリコン薄膜の膜厚は500〜10000Åの範囲で
もかまわない。また図中のにて示した部分は、
タイミング信号ラインと、TFTのゲート電極部
分との接続部であり、今、タイミング信号ライン
及びゲート電極をシリコン薄膜にて構成すると、
部分と同様にレーザーにて容易に溶断可能であ
る。この様に溶断すると、この液晶駆動電極は、
どの信号レベルからも切り離された状態となる。
この様な状態で用いることも可能であるが、実際
に隣り合つた液晶駆動電極へ接続する方法が望ま
しい。第７図は左右の液晶駆動電極へ接続した場
合、第８図は上下の液晶駆動電極へ接続した場合
を示す。第９図は、左右の液晶駆動電極を具体的
に接続する方法及びその時に用いる接続パターン
の一例を示す。第９図の１４〜１７までの番号
は、第９図以前に用いた番号と同じである。図中
の２５は、隣り合う液晶駆動電極を電気的に接続
するためのパターンであり、不純物がドープされ
たシリコン薄膜にて形成されている。このシリコ
ン薄膜は、TFTのソース・ドレイン及びチヤン
ネル部分を構成するシリコン薄膜と同一工程にて
形成してもよいし、またゲート電極あるいはタイ
ミング信号ラインを構成するシリコン薄膜の形成
工程と同一工程にて形成してもよい。図中の２６
は、金属層パターンである。この金属層パターン
は、レーザー光線にて液晶駆動電極１７と下側の
シリコン薄膜パターン２５を溶かして溶接する
際、お互いに電気的に接続しやすい様に金属層を
上層として配置し、金属層の溶融により、液晶駆
動電極と、下側シリコン薄膜パターンがより接続
しやすい様にするものであり、金属層はあつた方
が容易に接続出来る。しかし、レーザーの照射条
件によつては金属層を用いない場合においても液
晶駆動電極とシリコン薄膜パターンが接続するこ
とも可能である。この金属層はAlあるいはAl合
金薄膜でもよいし、Cr，Ni等の金属でもよいし、
それらの多層構造薄膜でも構わない。さらにこの
金属層はアクテイブマトリツクス基板の周辺に形
成される外部接続用取り出し電極用金属パターン
と同一工程にて形成してもよい。またデータ信号
ラインが金属配線の場合にはこの金属配線と同一
工程にて形成してもよい。第９図中の２７は、ス
ルーホールである。例えば第９図の実施例におい
ては、左側の液晶駆動電極はこのスルーホールを
介して、接続用シリコン薄膜パターン２５とあら
かじめ接続している。したがつて、例えばこの左
右隣り合う液晶駆動電極を電気的に接続するため
には、図中のにて示した部分をレーザーにて溶
融、接続すればよい。第９図の実施例において
は、右側の画素のTFTが不良であるため、この
TFTのソース領域及びゲート電極領域をレ
ーザーにて溶断後、にて示した部分をレーザー
にて溶融し接続すれば、左側の画素のTFTにて、
２画素分の液晶駆動電極を駆動することになるた
め、実質的には画素欠陥が修正されたことにな
る。量産レベルにおいては、この様な修正が必要
な画素欠陥は、パネル当り0.1〜0.3箇所程度であ
るため、10パネル当り、１〜３箇所この様なレー
ザー照射による修正を行なうだけで画素欠陥が無
いパネルの製造が可能となる。第１０図は第９図
のＡ−A′断面図を示したものである。図中の１
７は液晶駆動電極である透明導電膜である。２５
は接続用シリコン薄膜、２６は金属層パターン、
２７はスルーホール、２６は透明基板、２９は酸
化膜層である。第１０図ａ中の金属層２６はあつ
てもよいし、なくてもよい。また第１０図ｂにて
示す如く片画は無くてもよい。第１０図ｃは、ス
ルーホールの無い側の金属層パターン上をレーザ
ーにて溶融したところである。例えば金属として
Al層を用いた場合、図の如く、透明導電膜１７
及びシリコン薄膜パターン２５が溶融し互いに電
気的に接続する。第１１図は、液晶駆動電極１７
の下側に金属層２６を形成した場合である。この
様な構造においても第１０図の場合と同様にレー
ザー光線を照射することによりこれらの配線層を
溶融・接続することが出来る。 As mentioned above, all active elements fabricated on the active matrix substrate must be of good quality. For example, the pixel configuration is 240×240
= 57,600 transistors, all of which must work properly. but,
The probability that all 57,600 pieces are good is relatively low.
For example, one or two of these 57,600 items will be defective. There are various causes of failure, such as disconnection due to pattern failure and failure of gate film breakdown voltage. FIG. 4 shows a portion of the circuit diagram of an active matrix board in which one transistor is defective. All of the pixel circuits indicated by 20 in FIG. 4 are of good quality and operate normally. On the other hand, the pixel circuit indicated by 24 is defective. The mode of failure may be gate oxide film leakage of a transistor, or may be a contact failure.
If the gate oxide film is leaking, the timing signal line 15-2 and the video signal line 14-2 in FIG. Both the video signal line 14-2 and the video signal line 14-2 have line defects, and the display is always black or white. In such a case, it is necessary to disconnect the defective transistor from the timing signal line and video signal line as shown in FIG. This separation method is shown in FIG. FIG. 6 is an example of a plan view of a TFT matrix substrate. 14 in the diagram
15 is a video signal line, and 15 is a timing signal line. Further, 16 is a TFT element, and 17 is a liquid crystal drive electrode made of a transparent conductive film. In this embodiment, the TFT is explained as a double-gate TFT matrix in which gate electrodes are arranged in series, but the present invention is not limited to this. If the TFT is to be separated from the timing signal line and the video signal line as shown in FIG. 5, the portions indicated by and in the figure may be fused with a laser. For example, the part shown in is the source region of a TFT made of a silicon thin film, and since silicon absorbs in the infrared region, it can be easily blown out. The thickness of the silicon thin film may be in the range of 500 to 10,000 Å. Also, the part indicated by in the figure is
This is the connection between the timing signal line and the gate electrode part of the TFT, and if the timing signal line and gate electrode are made of silicon thin film,
Like the other parts, it can be easily cut by laser. When fused in this way, this liquid crystal drive electrode becomes
It becomes isolated from any signal level.
Although it is possible to use it in such a state, it is preferable to actually connect it to adjacent liquid crystal drive electrodes. FIG. 7 shows the case where it is connected to the left and right liquid crystal drive electrodes, and FIG. 8 shows the case where it is connected to the upper and lower liquid crystal drive electrodes. FIG. 9 shows an example of a method of specifically connecting the left and right liquid crystal drive electrodes and a connection pattern used at that time. The numbers 14 to 17 in FIG. 9 are the same as those used before FIG. 25 in the figure is a pattern for electrically connecting adjacent liquid crystal drive electrodes, and is formed of a silicon thin film doped with impurities. This silicon thin film may be formed in the same process as the silicon thin film forming the source/drain and channel portions of the TFT, or may be formed in the same process as the silicon thin film forming the gate electrode or timing signal line. may be formed. 26 in the diagram
is the metal layer pattern. When this metal layer pattern is melted and welded with the liquid crystal drive electrode 17 and the lower silicon thin film pattern 25 using a laser beam, the metal layer is placed as an upper layer so that they can be easily electrically connected to each other. This makes it easier to connect the liquid crystal drive electrode and the lower silicon thin film pattern, and the hotter the metal layer, the easier the connection. However, depending on the laser irradiation conditions, it is also possible to connect the liquid crystal drive electrode and the silicon thin film pattern even when no metal layer is used. This metal layer may be an Al or Al alloy thin film, or may be a metal such as Cr, Ni, etc.
A multilayer structure thin film thereof may also be used. Furthermore, this metal layer may be formed in the same process as the metal pattern for external connection extraction electrodes formed around the active matrix substrate. Further, when the data signal line is a metal wiring, it may be formed in the same process as the metal wiring. 27 in FIG. 9 is a through hole. For example, in the embodiment shown in FIG. 9, the liquid crystal drive electrode on the left side is connected in advance to the connecting silicon thin film pattern 25 via this through hole. Therefore, for example, in order to electrically connect the left and right adjacent liquid crystal drive electrodes, the portions indicated by the dots in the figure may be melted and connected using a laser. In the example of FIG. 9, the TFT of the right pixel is defective, so this
After cutting the source region and gate electrode region of the TFT with a laser and then melting and connecting the parts shown with a laser, the TFT of the pixel on the left will be connected.
Since the liquid crystal drive electrodes for two pixels are driven, the pixel defect is essentially corrected. At the mass production level, the number of pixel defects that require such correction is approximately 0.1 to 0.3 per panel, so just 1 to 3 such corrections with laser irradiation per 10 panels will eliminate pixel defects. It becomes possible to manufacture panels. FIG. 10 shows a sectional view taken along line A-A' in FIG. 1 in the diagram
7 is a transparent conductive film which is a liquid crystal driving electrode. 25
26 is a silicon thin film for connection, 26 is a metal layer pattern,
27 is a through hole, 26 is a transparent substrate, and 29 is an oxide film layer. The metal layer 26 in FIG. 10a may or may not be present. Further, as shown in FIG. 10b, the single image may be omitted. FIG. 10c shows a state where the metal layer pattern on the side without through holes is melted with a laser. For example, as a metal
When using an Al layer, as shown in the figure, the transparent conductive film 17
and the silicon thin film pattern 25 are melted and electrically connected to each other. FIG. 11 shows the liquid crystal drive electrode 17.
This is a case in which a metal layer 26 is formed below. Even in such a structure, these wiring layers can be melted and connected by irradiation with a laser beam as in the case of FIG. 10.
第１２図は、第８図に示した回路図の如く、上
下の液晶駆動電極を接続する場合である。第９図
〜第１１図の実施例にて説明したと同様に、第１
２図にて明らかな如く、上下の液晶駆動電極同士
を接続し、画素欠陥を修正することが出来る。第
１３図ａ，ｂは第１２図のＢ−B′断面図である。
本実施例においても図中のにて示した部分をレ
ーザー溶融することにより上下の隣り合う液晶駆
動電極同士を接続することが出来る。 FIG. 12 shows a case where the upper and lower liquid crystal drive electrodes are connected as in the circuit diagram shown in FIG. 8. Similarly to the embodiment shown in FIGS. 9 to 11, the first
As is clear from FIG. 2, pixel defects can be corrected by connecting the upper and lower liquid crystal drive electrodes. 13a and 13b are sectional views taken along the line BB' in FIG. 12.
In this embodiment as well, the upper and lower adjacent liquid crystal drive electrodes can be connected to each other by laser melting the portions indicated by .
以上の如く、一対の基板間に液晶が挟まれ、該
一対の一方の基板上には、共通電極が形成され、
他方の基板上には、マトリクス状に配列された複
数本の走査線と複数本の信号線、該複数本の走査
電極と複数本の信号線の交点には、スイツチング
素子と駆動電極が形成されてなるアクテイブマト
リクス液晶表示装置において、該他方の基板上に
形成された駆動電極と隣合う駆動電極間には導電
性材料からなる配線パターンを有し、該配線パタ
ーンの一端は駆動電極と接続されてなり、該配線
パターンの他端は駆動電極と絶縁膜により絶縁さ
れてなり、前記スイツチング素子が動作不良の場
合には、該動作不良のスイツチング素子に接続さ
れている走査電極と信号線の入力部を切断し、か
つ、該動作不良のスイツチング素子と接続されて
なる絶縁膜にレーザー光を照射し、前記隣合う一
方の駆動電極と電気的に接続したことにより、ア
クテイブマトリクス液晶表示装置のスイツチング
素子に不良があつても、簡単に修正することが可
能となり、無欠陥パネルの提供が可能となる。ア
クテイブマトリクス液晶表示装置には数10万個の
スイツチング素子が形成されてなり、この全ての
スイツチング素子を良品で製造することは非常に
困難であるので、この点において本発明の効果は
非常に大である。 As described above, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a common electrode is formed on one of the pair of substrates,
On the other substrate, a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines are arranged in a matrix, and switching elements and drive electrodes are formed at the intersections of the plurality of scanning electrodes and the plurality of signal lines. In the active matrix liquid crystal display device, a wiring pattern made of a conductive material is provided between the drive electrode formed on the other substrate and the adjacent drive electrodes, and one end of the wiring pattern is connected to the drive electrode. The other end of the wiring pattern is insulated from the drive electrode by an insulating film, and when the switching element is malfunctioning, the scanning electrode connected to the malfunctioning switching element and the input of the signal line are connected to each other. The switching element of the active matrix liquid crystal display device is cut off, and the insulating film connected to the malfunctioning switching element is irradiated with a laser beam and electrically connected to one of the adjacent drive electrodes. Even if there is a defect in the element, it can be easily corrected and a defect-free panel can be provided. An active matrix liquid crystal display device has hundreds of thousands of switching elements, and it is extremely difficult to manufacture all of these switching elements with good quality.The present invention has a very large effect in this respect. It is.
第１図〜第３図は、アクテイブマトリツクス基
板を用いた液晶デイスプレイの、パネルの断面構
造図、画素回路構成図及び駆動回路を説明する説
明図。第４図は、アクテイブマトリツクス基板を
構成するTFTの内の１個が不良となる場合の不
良モードの説明図。第５図及び第６図は本発明に
よるところのTFTをＸ信号線及びＹ信号線から
切り離す方法を説明する図。第７図〜第１３図
は、本発明によるところのＸ信号ライン及びＹ信
号ラインから切り離されたTFT及び液晶駆動電
極を、隣り合う液晶駆動電極へ電気的に接続する
手段及び方法を説明する図。
１……透明基板、２……TFTのチヤンネル部、
３……TFTのソース・ドレイン領域、４……ゲ
ート電極、５……絶縁膜、６……金属配線、７…
…透明導電極（液晶駆動電極）、８……液晶層、
９……上側ガラス、１０……対向電極、１１……
偏光板、１２……偏光板、１３……反射板、１４
……データ信号線（Ｙ信号線）、１５……タイミ
ング信号線（Ｘ信号線）、１６……TFT、１７…
…液晶駆動電極、１８……液晶層、１９……対向
電極、２０……画素回路、２１……ビデオ信号入
力、２２……シフト・レジスタ、２３……トラン
スミツシヨンゲート、２４……不良TFT、２５
……接続用シリコン薄膜パターン、２６……金属
層、２７……スルーホール、２８……透明基板、
２９……絶縁膜。
1 to 3 are explanatory diagrams illustrating a panel cross-sectional structure, a pixel circuit configuration diagram, and a drive circuit of a liquid crystal display using an active matrix substrate. FIG. 4 is an explanatory diagram of a failure mode when one of the TFTs constituting the active matrix substrate becomes defective. FIGS. 5 and 6 are diagrams for explaining a method of separating a TFT from an X signal line and a Y signal line according to the present invention. FIGS. 7 to 13 are diagrams illustrating the means and method for electrically connecting the TFT and liquid crystal drive electrodes separated from the X signal line and Y signal line to adjacent liquid crystal drive electrodes according to the present invention. . 1...Transparent substrate, 2...TFT channel section,
3... Source/drain region of TFT, 4... Gate electrode, 5... Insulating film, 6... Metal wiring, 7...
...transparent conductive electrode (liquid crystal driving electrode), 8...liquid crystal layer,
9... Upper glass, 10... Counter electrode, 11...
Polarizing plate, 12...Polarizing plate, 13...Reflecting plate, 14
...Data signal line (Y signal line), 15...Timing signal line (X signal line), 16...TFT, 17...
...Liquid crystal drive electrode, 18...Liquid crystal layer, 19...Counter electrode, 20...Pixel circuit, 21...Video signal input, 22...Shift register, 23...Transmission gate, 24...Defective TFT , 25
... Silicon thin film pattern for connection, 26 ... Metal layer, 27 ... Through hole, 28 ... Transparent substrate,
29...Insulating film.
Claims (1)
の基板上には、共通電極が形成され、他方の基板
上には、マトリクス状に配列された複数本の走査
線と複数本の信号線、該複数本の走査電極と複数
本の信号線の交点には、スイツチング素子と駆動
電極が形成されてなるアクテイブマトリクス液晶
表示装置において、該他方の基板上に形成された
駆動電極と隣合う駆動電極間には導電性材料から
なる配線パターンを有し、該配線パターンの一端
は駆動電極と接続されてなり、該配線パターンの
他端は駆動電極と絶縁膜により絶縁されてなり、
前記スイツチング素子が動作不良の場合には、該
動作不良のスイツチング素子に接続されている走
査電極と信号線の入力部を切断し、かつ、該動作
不良のスイツチング素子と接続されてなる絶縁膜
にレーザー光を照射し、前記隣合う一方の駆動電
極と電気的に接続したことを特徴とするアクテイ
ブマトリクス液晶表示装置の画像欠陥救済方法。 ２ 前記配線パターンのレーザー光を照射する他
端部には、該絶縁膜と該駆動電極の間、若しくは
駆動電極上に少なくとも１層の金属薄膜層が形成
されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のアクテイブマトリクス液晶表示装置の
画像欠陥救済方法。[Claims] 1. A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, a common electrode is formed on one of the substrates, and a plurality of scanning electrodes arranged in a matrix are formed on the other substrate. In an active matrix liquid crystal display device in which a switching element and a drive electrode are formed at the intersections of the line and the plurality of signal lines, and the plurality of scanning electrodes and the plurality of signal lines, a switching element is formed on the other substrate. A wiring pattern made of a conductive material is provided between the driving electrodes and adjacent driving electrodes, one end of the wiring pattern is connected to the driving electrode, and the other end of the wiring pattern is insulated from the driving electrode by an insulating film. It's been done,
If the switching element is malfunctioning, the scanning electrode and the input part of the signal line connected to the malfunctioning switching element are cut off, and the insulating film connected to the malfunctioning switching element is cut off. A method for relieving image defects in an active matrix liquid crystal display device, comprising irradiating a laser beam and electrically connecting one of the adjacent drive electrodes. 2. A patent claim characterized in that at least one metal thin film layer is formed between the insulating film and the drive electrode or on the drive electrode at the other end of the wiring pattern that is irradiated with the laser beam. range 1
A method for remediating image defects in an active matrix liquid crystal display device as described in 2.
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| JPH0439055B2 true JPH0439055B2 (en) | 1992-06-26 |
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Family Applications (1)
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1982
- 1982-12-02 JP JP57211940A patent/JPS59101693A/en active Granted
Also Published As
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