JPH03212620A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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JPH03212620A
JPH03212620A JP2008025A JP802590A JPH03212620A JP H03212620 A JPH03212620 A JP H03212620A JP 2008025 A JP2008025 A JP 2008025A JP 802590 A JP802590 A JP 802590A JP H03212620 A JPH03212620 A JP H03212620A
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JP
Japan
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display
electrode
display electrode
conductor
liquid crystal
Prior art date
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Application number
JP2008025A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetaka Noriyama
英孝 乗山
Tomio Kashihara
富雄 樫原
Masanaru Abe
阿部 昌匠
Isao Fukui
功 福井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Priority to KR1019910000866A priority patent/KR910014737A/en
Priority to US07/642,666 priority patent/US5132819A/en
Publication of JPH03212620A publication Critical patent/JPH03212620A/en
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Abstract

PURPOSE:To allow nearly the complete repair of the spot defects occurring in the shorting between electrodes by providing conductors which overlap on respective display electrodes respectively via insulating films and are not electrically connected to other picture element constituting elements between the respective display electrodes which are dividedly disposed to plural pieces per picture element. CONSTITUTION:The display electrodes 26 are dividedly disposed by two pieces per picture element and TFTs 13 are respectively provided on the respective display electrodes 26. The conductor 31 insulated by the gate insulating film 22 is provided on the two display electrode 26 so as to partly overlap thereon. The broken line a1 part of an auxiliary capacity line 17 is first cut by a laser when a shorting arises at the point x1 between the display electrode 26 and the auxiliary capacity line 17. The overlap part between the conductor 31 and the two display electrode 26 is then punched by a laser to short the conductor 31 and the two display electrode 26 through the gate insulating film 22 so that the two display electrode 26 are electrically conducted by the conductor 31. Eventually half the initial auxiliary capacity remains in this way and the high display grade is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、薄膜トランジスタ等を画素駆動用のスイッチ
ング素子として用いたアクティブマトリクス型液晶表示
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device using thin film transistors and the like as switching elements for driving pixels.

(従来の技術) 液晶表示装置は、薄型・軽量で低消費電力である等の特
徴を持っており、携帯用機器のデイスプレィ装置として
広く用いられている。このうち、特に、高精細を要求さ
れるパーソナルコンピュータのデイスプレィ装置や、テ
レビ画面用等としては、アクティブマトリクス型が多く
用いられている。このアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、画素毎に設けられた薄膜トランジスタ(以下、
TPTと呼ぶ)等によるスイッチング素子によって、表
示素子アレイに画像信号を選択的に印加するもので、高
コントラストでクロストークのない鮮明な画像を得るこ
とができる。
(Prior Art) Liquid crystal display devices have characteristics such as being thin, lightweight, and low power consumption, and are widely used as display devices for portable devices. Among these, the active matrix type is particularly often used for personal computer display devices that require high definition, television screens, and the like. This active matrix liquid crystal display device uses a thin film transistor (hereinafter referred to as a thin film transistor) provided for each pixel.
Image signals are selectively applied to the display element array using a switching element such as TPT, which makes it possible to obtain a clear image with high contrast and no crosstalk.

以下、第4図によりアクティブマトリクス型液晶表示装
置の動作原理を説明する。第4図において、行選択線で
ある複数の走査線11と、列選択線である複数の信号線
12との各交点部分にはスイッチング素子である前記T
 F T 13を設け、このTFT13を介して液晶層
14と画素容量15とを接続している。そして、走査回
路16は、複数の走査線11に対して順次ゲートパルス
を印加する。また、信号ホールド回路17は、上記ゲー
トパルスに同期して、このゲートパルスが加わった走査
線11の1ライン分の画像信号を複数の信号線12に出
力する。
The operating principle of the active matrix liquid crystal display device will be explained below with reference to FIG. In FIG. 4, at each intersection of a plurality of scanning lines 11, which are row selection lines, and a plurality of signal lines 12, which are column selection lines, a switching element is provided.
A F T 13 is provided, and the liquid crystal layer 14 and the pixel capacitor 15 are connected via this TFT 13 . Then, the scanning circuit 16 sequentially applies gate pulses to the plurality of scanning lines 11. Further, the signal hold circuit 17 outputs the image signal for one line of the scanning line 11 to which the gate pulse is added to the plurality of signal lines 12 in synchronization with the gate pulse.

T P T 13は、対応する走査線11にゲートパル
スが印加されている間、導通状態になっており、そのと
き信号線12に出力されている画像信号に応じて画素容
量15に電荷を蓄積させ、液晶層14を駆動する。ゲー
トパルスが次の走査線11に移ると、上記1ライン分の
T F T 13は非導通状態になり、蓄積された電荷
は次に走査を受けるまで保持される。
T P T 13 is in a conductive state while a gate pulse is applied to the corresponding scanning line 11, and accumulates charge in the pixel capacitor 15 according to the image signal output to the signal line 12 at that time. to drive the liquid crystal layer 14. When the gate pulse moves to the next scanning line 11, the T F T 13 for one line becomes non-conductive, and the accumulated charges are held until the next scanning.

この結果、液晶層14の表示状態は維持される。As a result, the display state of the liquid crystal layer 14 is maintained.

第5図および第6図は、この種のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の1画素分の構成例を示しており、第5
図はアレイ基板上での平面図、第6図は第5図VI−V
1部の断面図である。
5 and 6 show an example of the configuration of one pixel of this type of active matrix liquid crystal display device.
The figure is a plan view on the array substrate, and Figure 6 is Figure 5 VI-V.
It is a sectional view of a part.

上記T F T 13は、図示下方のガラス基板20上
に形成され、走査線11と一体のゲート電極21.ゲー
ト絶縁膜22、半導体層23、信号線12と一体のドレ
イン電極24、ソース電極25からなり、このソース電
極25に表示電極26が接続されている。また、走査線
11とほぼ平行に補助容量線27が形成されている。こ
の補助容量線27は、ゲート絶縁膜22を介して表示電
極26と部分的に対向するように設けられており、表示
電極26との重なり部分で付加的な補助容量を得ている
。この補助容量は、第4図における画素容量15を増加
させ、保持期間でのTFT13の漏れ電流、および、表
示電極26と他の電極との間の容量結合による表示電極
電位の変動を緩和する。
The T F T 13 is formed on a glass substrate 20 shown in the lower part of the figure, and includes a gate electrode 21 . It consists of a gate insulating film 22, a semiconductor layer 23, a drain electrode 24 integral with the signal line 12, and a source electrode 25, and a display electrode 26 is connected to this source electrode 25. Further, an auxiliary capacitance line 27 is formed substantially parallel to the scanning line 11. This auxiliary capacitance line 27 is provided so as to partially face the display electrode 26 with the gate insulating film 22 in between, and provides additional auxiliary capacitance at the overlapped portion with the display electrode 26. This auxiliary capacitance increases the pixel capacitance 15 in FIG. 4 and alleviates leakage current of the TFT 13 during the holding period and fluctuations in display electrode potential due to capacitive coupling between the display electrode 26 and other electrodes.

一方、図示上方のガラス基板28には共通電極29が形
成されており、液晶層14を介して図示下方のガラス基
板20と対向している。そして、この共通電極29と前
記表示電極26との間の電界により、この間に位置する
液晶層14を駆動して所定の表示を行う。
On the other hand, a common electrode 29 is formed on the glass substrate 28 in the upper part of the figure, and faces the glass substrate 20 in the lower part of the figure with the liquid crystal layer 14 interposed therebetween. The electric field between this common electrode 29 and the display electrode 26 drives the liquid crystal layer 14 located between them to perform a predetermined display.

(発明が解決しようとする課題) 上記のような構造のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は電極配置が複雑であり、しかも、多層配線を用いて
いるため、電極間のショートが発生し易い。これらのシ
ョートの多くは、ゲート絶縁膜22を介して配置された
ゲート電極21とソース電極25との間、および、表示
電極26と補助容量線27との間に発生する。このよう
なショートが発生すると、表示電極26の電位が所定値
にならず、表示画面上に点欠陥が生じる。特に、輝点欠
陥は、画質を大きく損なうため、歩留り低下の大きな要
因になっている。
(Problems to be Solved by the Invention) The active matrix liquid crystal display device having the structure described above has a complicated electrode arrangement and uses multilayer wiring, so short circuits between the electrodes are likely to occur. Most of these short circuits occur between the gate electrode 21 and the source electrode 25, which are arranged with the gate insulating film 22 in between, and between the display electrode 26 and the auxiliary capacitor line 27. When such a short circuit occurs, the potential of the display electrode 26 does not reach a predetermined value, causing point defects on the display screen. In particular, bright spot defects greatly impair image quality and are a major factor in reducing yield.

このような点欠陥が生じた場合、ショート部分を取除く
ための補修が必要となる。このような補修法については
従来から種々提案されているが、代表的な例としてレー
ザを用いる補修法がある。
If such a point defect occurs, repair is required to remove the short portion. Various repair methods have been proposed in the past, and a typical example is a repair method using a laser.

この補修法では、例えば、ショートが表示電極26と補
助容量線27との間で生じた場合、第5図で示すように
、補助容量線27をレーザにより破線部分aでカッティ
ングし、ショート部分を取除いている。
In this repair method, for example, when a short circuit occurs between the display electrode 26 and the auxiliary capacitance line 27, the auxiliary capacitance line 27 is cut at the broken line part a with a laser to remove the short part, as shown in FIG. It is being removed.

しかし、上記の補修法によると、補修を施した画素では
補助容量が無くなってしまうので、TFT13のリーク
電流や、表示電極26と他の電極との間の容量結合によ
る影響を受は易くなる。このため、表示電極26の電位
が所定の電位からずれてしまい、点欠陥を完全に目立た
なくすることは困難である。また、このような補修方法
は、補助容量線27が片側からしか給電されていない場
合や、ゲート電極21とソース電極25との間のショー
トには適用できない。
However, according to the above repair method, the repaired pixel loses its auxiliary capacitance, so it becomes more susceptible to leakage current of the TFT 13 and capacitive coupling between the display electrode 26 and other electrodes. For this reason, the potential of the display electrode 26 deviates from a predetermined potential, and it is difficult to make point defects completely inconspicuous. Further, such a repair method cannot be applied to cases where the auxiliary capacitance line 27 is supplied with power only from one side or to a short circuit between the gate electrode 21 and the source electrode 25.

本発明の目的は、電極間等のショートに起因する点欠陥
をレーザ補修法等により、はぼ完全に補修することが可
能で、点欠陥のほとんど無い高い表示品位を有するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある
An object of the present invention is to provide an active matrix liquid crystal display device that can almost completely repair point defects caused by short circuits between electrodes, etc., by a laser repair method, and has high display quality with almost no point defects. Our goal is to provide the following.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明によるアクティブマトリックス型液晶表示装置は
、それぞれ複数の行選択線および列選択線を絶縁膜を介
して互いに交差するごとく配設し、それぞれ1画素とな
るこれらの各交点部分に、それぞれスイッチング素子お
よびこのスイッチング素子を介して表示電極を設け、さ
らにこの表示電極の一部に補助容量を形成すると共に、
この表示電極とこれに対向する共通電極との間に液晶層
を挾持した構成において、前記表示電極を1画素当り複
数個に分割して配置すると共に、この各表示電極に前記
スイッチング素子をそれぞれ設け、前記各表示電極間に
各表示電極とそれぞれ絶縁膜を介して重なり合い且つ他
の画素構成要素と電気的に接続されていない導電体を設
けたものである。
(Means for Solving the Problems) An active matrix liquid crystal display device according to the present invention has a plurality of row selection lines and column selection lines arranged so as to intersect each other with an insulating film interposed therebetween, and each of these lines forming one pixel. A switching element and a display electrode are provided through the switching element at each intersection, and an auxiliary capacitor is formed in a part of the display electrode,
In a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between the display electrode and a common electrode facing the display electrode, the display electrode is divided into a plurality of parts per pixel, and each display electrode is provided with the switching element. , a conductor is provided between each of the display electrodes and overlaps with each display electrode via an insulating film and is not electrically connected to other pixel constituent elements.

(作用) 本発明では、電極間等にショートが生じた場合、このシ
ョート部分をレーザカッティング等により除去し、つい
で、導電体を各表示電極との重なり部分でショートさせ
、各表示電極を導電体により電気的に接続する。
(Function) In the present invention, when a short circuit occurs between electrodes, the short section is removed by laser cutting, etc., and then the conductor is shorted at the overlapped portion with each display electrode, and each display electrode is connected to the conductor. Connect electrically.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図および第2図を参照し
て説明する。なお、前記第4図、第5図および第6図に
示した装置と対応する部分には同一符号を付して説明す
る。
(Example) An example of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. Note that parts corresponding to those of the apparatus shown in FIGS. 4, 5, and 6 will be described with the same reference numerals.

第1図は、アレイ基板上の1画素部分を示す平面図であ
る。第1図において、行選択線である複数の走査線11
と、列選択線である複数の信号線12とが互いに交差す
るごとく配設され、これらの各交点部分にはスイッチン
グ素子であるTFT13が設けられている。このT P
 T +3は、上記走査線11と一体のゲート電極21
、半導体層23、上記信号線12と一体のドレイン電極
24、ソース電極25を有してなり、このソース電極2
5に表示電極26が接続されている。また、上記走査線
11とほぼ平行に補助容量線27が形成されている。
FIG. 1 is a plan view showing one pixel portion on the array substrate. In FIG. 1, a plurality of scanning lines 11 are row selection lines.
and a plurality of signal lines 12, which are column selection lines, are arranged so as to cross each other, and a TFT 13, which is a switching element, is provided at each intersection. This TP
T+3 is a gate electrode 21 integrated with the scanning line 11
, a semiconductor layer 23, a drain electrode 24 integrated with the signal line 12, and a source electrode 25.
A display electrode 26 is connected to 5. Further, an auxiliary capacitance line 27 is formed substantially parallel to the scanning line 11.

そして、上記スイッチング素子としてのTPTI3およ
び表示電極26は、1画素当り2個づつ設けられており
、これらは図示横方向の行選択線としての走査線11の
長さ方向に沿って並置されている。すなわち、表示電極
26は1画素当り2個に分割して配置されていると共に
、この分割した各表示電極26にT F T 13がれ
ぞれ設けられて゛いる。また、上記1画素当り2つの表
示電極26に対しては、これらとそれぞれ一部が重なる
ように導電体31が設けられている。ただし、この導電
体31は、第2図で示すように、ゲート絶縁膜22によ
り、前記2つの表示電極26との間が絶縁されている。
Two TPTIs 3 and display electrodes 26 as the switching elements are provided for each pixel, and these are arranged in parallel along the length direction of the scanning line 11 as a row selection line in the horizontal direction in the figure. . That is, the display electrode 26 is divided into two parts per pixel, and each of the divided display electrodes 26 is provided with a TFT 13. Furthermore, conductors 31 are provided for the two display electrodes 26 per pixel so as to partially overlap with each of them. However, as shown in FIG. 2, this conductor 31 is insulated from the two display electrodes 26 by a gate insulating film 22.

また、これら2つの表示電極26を横切って走査線11
とほぼ平行に上記補助容量線27が形成されている。
Furthermore, the scanning line 11 crosses these two display electrodes 26.
The auxiliary capacitance line 27 is formed substantially parallel to the auxiliary capacitance line 27.

第2図は、上記1画素部分の第1図n−yn部の断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line n-yn in FIG. 1 of the one pixel portion.

以下、この部分の構成を製造工程にしたがって説明する
。始めに、図示下方のアレイ基板A側を説明する。まず
、例えばガラス等からなる絶縁性基板20の一生面(図
示上面)に、例えば遮光性材料であるクロム(Cr)膜
をスパッタ法で被覆させた後、所定の形状にフォトエツ
チングすることによって、ゲート電極21、補助容量線
27および導電体31をそれぞれ形成する。この際、第
1図の行選択線としての走査線11もゲート電極21と
一体に同じ工程で形成する。次に、これらを覆うように
、例えば酸化シリコン(S i Ox)からなるゲート
絶縁膜22をプラズマCVD法により形成する。
The configuration of this part will be explained below according to the manufacturing process. First, the array substrate A side shown in the lower part of the figure will be explained. First, a chromium (Cr) film, which is a light-shielding material, is coated on the entire surface (upper surface in the figure) of an insulating substrate 20 made of, for example, glass by sputtering, and then photo-etched into a predetermined shape. A gate electrode 21, an auxiliary capacitance line 27, and a conductor 31 are respectively formed. At this time, the scanning line 11 as the row selection line in FIG. 1 is also formed integrally with the gate electrode 21 in the same process. Next, a gate insulating film 22 made of silicon oxide (S i Ox), for example, is formed by plasma CVD so as to cover these.

このゲート絶縁膜22が、第1図におけるゲート電極2
1とドレイン電極24、ソース電極25との間に介在す
る絶縁膜である。また、このゲート絶縁膜22の、ゲー
ト電極21と対向する部分には、例えばi型の水素化ア
モルファスシリコン(a−3i : H)からなる半導
体層23を、プラズマCVD法を利用して形成する。こ
の半導体層23上には、電気的に互いに分離されたn型
a−3i:Hからなるドレイン領域24aとソース領域
251とを、同じくプラズマCVD法を利用して設けて
いる。
This gate insulating film 22 is the gate electrode 2 in FIG.
This is an insulating film interposed between the drain electrode 24 and the source electrode 25. Further, in a portion of the gate insulating film 22 facing the gate electrode 21, a semiconductor layer 23 made of, for example, i-type hydrogenated amorphous silicon (a-3i: H) is formed using a plasma CVD method. . On this semiconductor layer 23, a drain region 24a and a source region 251 made of n-type a-3i:H and electrically isolated from each other are provided using the same plasma CVD method.

また、ゲート絶縁膜22上の、ソース領域2Sa側に隣
り合う部分には、表示電極26を設ける。この表示電極
26は、例えばITO(インジウム・チン・オキサイド
)膜をスパッタ法で被覆した後、所定形状にフォトエツ
チングすることにより形成される。また、ソース領域2
5!には、ソース電極25の一端が接続され、このソー
ス電極25の他端は表示電極26上に延在して接続され
ている。
Further, a display electrode 26 is provided on a portion of the gate insulating film 22 adjacent to the source region 2Sa side. The display electrode 26 is formed, for example, by coating an ITO (indium tin oxide) film by sputtering and then photoetching it into a predetermined shape. Also, source area 2
5! One end of a source electrode 25 is connected to the display electrode 26 , and the other end of the source electrode 25 extends over and is connected to the display electrode 26 .

一方、ドレイン領域241には、ドレイン電極24の一
端が接続されている。ここで、ドレイン電極24とソー
ス電極25とは、例えばモリブデン(MO)膜とアルミ
ニウム(A1)膜とをスパッタ法で順次被膜形成した後
、所定形状にフォトエツチングするという同じ工程で形
成する。また、第1図における列選択線としての信号線
12もドレイン電極24と一体に同じ工程で形成する。
On the other hand, one end of the drain electrode 24 is connected to the drain region 241 . Here, the drain electrode 24 and the source electrode 25 are formed in the same process, for example, by sequentially forming a molybdenum (MO) film and an aluminum (A1) film by sputtering and then photoetching them into a predetermined shape. Further, the signal line 12 as a column selection line in FIG. 1 is also formed integrally with the drain electrode 24 in the same process.

これによって、所定のアレイ基板Aが得られる。As a result, a predetermined array substrate A is obtained.

次に、図示上方の対向基板B側は、まず、例えばガラス
等からなる絶縁性基板28の一主面(図示下面)に、例
えばITOからなる共通電極29を形成する。
Next, on the opposing substrate B side shown in the upper part of the figure, first, a common electrode 29 made of, for example, ITO is formed on one main surface (lower surface in the figure) of an insulating substrate 28 made of, for example, glass.

ここで、前記アレイ基板Aの一主面上の全面には、例え
ば低温キュア型のポリイミド(PI)からなる配向膜3
2が形成されているが、上記対向基板Bの一主面全面に
も、同じく、例えば低温キュア型のポリイミドからなる
配向膜33を形成する。
Here, on the entire surface of one main surface of the array substrate A, an alignment film 3 made of, for example, low-temperature cure type polyimide (PI) is formed.
2 is formed, but an alignment film 33 made of, for example, low-temperature cure type polyimide is also formed on the entire main surface of the counter substrate B.

そして、アレイ基板Aおよび対向基板Bの一主面にそれ
ぞれ形成された配向膜32.33を布等により所定の方
向にこすることにより、ラビングによる配向処理をそれ
ぞれ施す。さらに、アレイ基板Aと対向基板Bとを前述
したー主面が互いに対抗し、かつ互いの配向軸がほぼ9
G’を成すように組合わせる。そして、これらによって
得られる間隔内に液晶層14を挾持させる。
Then, by rubbing the alignment films 32 and 33 formed on one main surface of the array substrate A and the counter substrate B in a predetermined direction with a cloth or the like, an alignment treatment by rubbing is performed, respectively. Further, as described above, the array substrate A and the counter substrate B have their main surfaces facing each other, and their orientation axes are approximately 9
Combine to form G'. Then, the liquid crystal layer 14 is sandwiched within the interval obtained by these.

なお、アレイ基板Aおよび対向基板Bの各他生面側には
、それぞれ偏光板34.35が被着されており、これら
アレイ基板Aおよび対向基板Bのどちらか一方の他主面
側から照明が行われる。
Note that polarizing plates 34 and 35 are attached to each of the other surfaces of the array substrate A and the counter substrate B, and illumination is applied from the other main surface side of either the array substrate A or the counter substrate B. will be held.

上記構成において、表示電極26と補助容量線27との
間の、例えば第1図で示すX印のポイントx1でショー
トが生じた場合、まず、レーザにより補助容量線27の
破線11部分、すなわち、図示左方の表示電極26の両
側に相当する部分を切断することにより、ショート部分
を取除く。ついで、導電体31と2つの表示電極26と
の重なり部分をレーザで打ち抜き、ゲート絶縁膜22を
貫いて導電体31と2つの表示電極26との間をショー
トさせ、2つの表示電極26を導電体31により電気的
に接続する。
In the above configuration, if a short circuit occurs between the display electrode 26 and the auxiliary capacitance line 27, for example at the point x1 marked with an X in FIG. The shorted portion is removed by cutting portions corresponding to both sides of the display electrode 26 on the left side in the figure. Next, the overlapping portions of the conductor 31 and the two display electrodes 26 are punched out using a laser, and the gate insulating film 22 is penetrated to short-circuit between the conductor 31 and the two display electrodes 26, thereby making the two display electrodes 26 conductive. It is electrically connected by the body 31.

このようにすると、画素全体では、当初の補助容量の1
/2が残ることになり、第5図の従来の場合に比べて、
TFT13のリーク電流や、表示電極26と周囲の電極
との容量結合による表示電極電位のずれを小さく抑える
ことができ、補修を施した画素をほとんど目立たなくす
ることができる。
In this way, for the entire pixel, the initial auxiliary capacitance is 1
/2 remains, compared to the conventional case shown in Figure 5.
It is possible to suppress leakage current of the TFT 13 and deviation in display electrode potential due to capacitive coupling between the display electrode 26 and surrounding electrodes, and it is possible to make the repaired pixel almost invisible.

また、ゲート電極21とソース電極25とが、例えば第
1図のX印のポイントx2でショートした場合は、レー
ザによりソース電極25を破線a2に沿って切断し、ソ
ース電極25を表示電極26から切り離すことにより、
ショート部分を取除く。この場合も上記と同様にして、
2つの表示電極26を導電体31によって電気的に接続
することにより、TFT13から切り離された表示電極
26にも電荷を供給することができる。
Furthermore, if the gate electrode 21 and the source electrode 25 are short-circuited, for example at point x2 marked with an X in FIG. By separating the
Remove the short part. In this case, do the same as above,
By electrically connecting the two display electrodes 26 with the conductor 31, charge can also be supplied to the display electrode 26 separated from the TFT 13.

実際に上記の点欠陥補修を施した液晶パネルの表示状態
を白ラスタ−、黒ラスター、動画表示でそれぞれ観察し
たが、いずれの場合も、補修画素とその周辺の画素との
輝度差は非常に小さく、実用上問題ないレベルに抑える
ことができた。
We actually observed the display state of an LCD panel with the above point defect repaired in white raster, black raster, and video display, but in all cases, the difference in brightness between the repaired pixel and its surrounding pixels was very large. We were able to keep it small and to a level that poses no practical problems.

第3図は本発明の他の実施例におけるアレイ基板上の1
画素部分を示す平面図である。この実施例は、第1図の
実施例に対し、補助容量線27の位置と2つの表示電極
26の形状が異なっている。
FIG. 3 shows one on the array substrate in another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a pixel portion. This embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 in the position of the auxiliary capacitance line 27 and the shape of the two display electrodes 26.

すなわち、補助容量線27を2つの表示電極26の上端
部に配置し、また、各表示電極26には、補助容量線2
7に沿ったくびれ部36を設けている。
That is, the auxiliary capacitor line 27 is arranged at the upper end of the two display electrodes 26, and each display electrode 26 is provided with the auxiliary capacitor line 27.
A constricted portion 36 along the line 7 is provided.

上記構成において、表示電極26と補助容量線27との
間、すなわち、第3図のX印のポイントx3でショート
が発生した場合は、一方の表示電極26を破線13の部
分で切断することにより、ショート部分を取除く。その
後、導電体31と2つの表示電極26との重なり部分を
レーザで打ち抜き、導電体31を介して2つの表示電極
26を電気的に接続する。
In the above configuration, if a short circuit occurs between the display electrode 26 and the auxiliary capacitance line 27, that is, at point x3 marked with an X in FIG. , remove the short part. Thereafter, the overlapping portions of the conductor 31 and the two display electrodes 26 are punched out using a laser, and the two display electrodes 26 are electrically connected via the conductor 31.

ここで、第1図で示した実施例では、補助容量線27と
一方の表示電極26との間のショートに対して補助容量
線27を切断するため、補助容量線4Gが両側から給電
されていたとしても1ラインで1個所の補修しかできず
、一方、片側からの給電の場合には、補修することがで
きない。これに対し、第3図の実施例では、表示電極2
6を切断するため、補助容量線27が片側からしか給電
されていない場合にも適用することができる。レーザ補
修による効果は、第1図の実施例とまったく同じである
In the embodiment shown in FIG. 1, the auxiliary capacitor line 4G is supplied with power from both sides in order to disconnect the auxiliary capacitor line 27 in the event of a short circuit between the auxiliary capacitor line 27 and one of the display electrodes 26. Even if only one spot can be repaired on one line, on the other hand, if power is supplied from one side, repair cannot be done. On the other hand, in the embodiment shown in FIG.
6, it can be applied even when the auxiliary capacitance line 27 is supplied with power only from one side. The effect of laser repair is exactly the same as the embodiment shown in FIG.

なお、上記いずれの実施例においても、表示電極26は
1画素につき2個設けているが、3個以上に分割して並
設してもよい。このように、表示電極26を1画素につ
き複数個に分けることにより、故障部分が確認しやすく
なる。また、補助容量線27は、必要なければ特に設け
なくてもよい。
In each of the above embodiments, two display electrodes 26 are provided for each pixel, but the display electrodes 26 may be divided into three or more and arranged in parallel. By dividing the display electrode 26 into a plurality of parts for each pixel in this manner, it becomes easier to identify a failed part. Further, the auxiliary capacitance line 27 does not need to be particularly provided if it is not necessary.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、電極間等のショートに起
因する点欠陥をレーザ補修法等により、はとんど完全に
補修することが可能となり、このため、点欠陥のほとん
ど無い、高い表示品位を有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置を得ることができる。
As described above, according to the present invention, point defects caused by short circuits between electrodes, etc. can be almost completely repaired by laser repair methods, etc., and therefore, there are almost no point defects and high An active matrix liquid crystal display device with high display quality can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示
装置の一実施例を示すアレイ基板上の1画素部分の平面
図、第2図は第1図における■−■部の断面図、第3図
は本発明の他の実施例を示すアレイ基板上の1画素部分
の平面図、第4図はアクティブマトリクス型液晶表示装
置の動作原理の説明図、第5図は従来のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を示すアレイ基板上の1画素部分
の平面図、第6図は第5図Vl−VI部の断面図である
。 11・・行選択線、12・・列選択線、13・・スイッ
チング素子、14・・液晶層、22・・絶縁膜、26・
・表示電極、29・・共通電極、31・・導電体。
FIG. 1 is a plan view of one pixel portion on an array substrate showing an embodiment of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 1, and FIG. A plan view of one pixel portion on an array substrate showing another embodiment of the present invention, FIG. 4 is an explanatory diagram of the operating principle of an active matrix type liquid crystal display device, and FIG. FIG. 6 is a plan view of one pixel portion on the array substrate shown, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line Vl-VI in FIG. 11.. Row selection line, 12.. Column selection line, 13.. Switching element, 14.. Liquid crystal layer, 22.. Insulating film, 26.
-Display electrode, 29... common electrode, 31... conductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)それぞれ複数の行選択線および列選択線を絶縁膜
を介して互いに交差するごとく配設し、それぞれ1画素
となるこれらの各交点部分に、それぞれスイッチング素
子およびこのスイッチング素子を介して表示電極を設け
、さらにこの表示電極の一部に補助容量を形成すると共
に、この表示電極とこれに対向する共通電極との間に液
晶層を挾持したアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、 前記表示電極を1画素当り複数個に分割して配置すると
共に、この各表示電極に前記スイッチング素子をそれぞ
れ設け、前記各表示電極間に各表示電極とそれぞれ絶縁
膜を介して重なり合い且つ他の画素構成要素と電気的に
接続されていない導電体を設けたことを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。
(1) A plurality of row selection lines and a plurality of column selection lines are arranged so as to intersect with each other via an insulating film, and a switching element is displayed at each intersection of these lines, each forming one pixel, via the switching element. In an active matrix liquid crystal display device in which an electrode is provided, an auxiliary capacitance is formed in a part of the display electrode, and a liquid crystal layer is sandwiched between the display electrode and a common electrode opposite thereto, the display electrode is Each pixel is divided into a plurality of parts and arranged, and each display electrode is provided with the switching element, and each display electrode overlaps with each display electrode via an insulating film and is electrically connected to other pixel constituent elements. An active matrix liquid crystal display device characterized by having a conductor that is not electrically connected.
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