JPH11125840A - Liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacture

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Publication number
JPH11125840A
JPH11125840A JP29283697A JP29283697A JPH11125840A JP H11125840 A JPH11125840 A JP H11125840A JP 29283697 A JP29283697 A JP 29283697A JP 29283697 A JP29283697 A JP 29283697A JP H11125840 A JPH11125840 A JP H11125840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
pixel
liquid crystal
signal line
pixel electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP29283697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoyuki Shimada
尚幸 島田
Masumi Kubo
真澄 久保
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP29283697A priority Critical patent/JPH11125840A/en
Publication of JPH11125840A publication Critical patent/JPH11125840A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correct its fault and to minimize a loss of display quality when a fault such as a short circuit, etc., occurs between a pixel electrode and a common electrode by making one side between the pixel electrode and a counter electrode shape and cutting off a branched part related to a short circuit fault when the short circuit fault occurs between both electrodes. SOLUTION: One side between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19a is formed into the branched shape, and when the short circuit fault occurs between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19a, the branched part related to the short circuit fault is cut off. In such a case, the pixel electrode 18a is cut off on a cut-off point 21 placed to an additive capacity 3 side than the short circuit fault part by a laser. Thus, since a voltage isn't applied no an area between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19b, and the area between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19a, though these areas are a dark display as it is, since an original signal voltage is applied to the pixel electrodes 18b-18d excepting them, a display becomes possible in the area excepting the area becoming the dark display.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばモニターな
どの表示装置として用いられる液晶表示装置の製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device used as a display device such as a monitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置における表示モードとし
て、例えば、TN(Twisted Nematic )モード、STN
(Super-Twisted Nematic )モード、GH(Guest-Hos
t)モードなどが知られている。これらの表示モード
は、2枚の透明電極基板の間に液晶を封入し、両透明電
極基板の面に垂直な方向に電界を印加することによって
表示動作を行っている。
2. Description of the Related Art As display modes in a liquid crystal display device, for example, TN (Twisted Nematic) mode, STN
(Super-Twisted Nematic) mode, GH (Guest-Hos
t) modes are known. In these display modes, liquid crystal is sealed between two transparent electrode substrates, and a display operation is performed by applying an electric field in a direction perpendicular to the surfaces of both transparent electrode substrates.

【0003】一方、液晶層を挟持する2枚の基板のう
ち、片方の基板に櫛形に電極を配置し、基板に平行な横
方向の電界を印加することにより表示動作をおこなうI
PS(In-Plane-Switching)モードと呼ばれる表示モー
ドが提案されている。このIPSモードによれば、例え
ばTNモードによる場合と比較して、視野角特性が特に
優れたものとなる。
On the other hand, electrodes are arranged in a comb shape on one of two substrates sandwiching a liquid crystal layer, and a display operation is performed by applying a horizontal electric field parallel to the substrates.
A display mode called a PS (In-Plane-Switching) mode has been proposed. According to the IPS mode, the viewing angle characteristics are particularly excellent as compared with the case of the TN mode, for example.

【0004】このIPSモードによる液晶表示装置とし
て、例えば特開平8−286176号公報には、以下に
示すような液晶表示装置が開示されている。
As a liquid crystal display device in the IPS mode, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-286176 discloses the following liquid crystal display device.

【0005】図7は、上記の従来の液晶表示装置におけ
る単位画素内の電極構造を示す平面図である。薄膜トラ
ンジスタ素子31は画素電極37、信号電極32、走査
電極33、及びアモルファスシリコン34から構成され
ている。共通電極35・35・35は、蓄積容量36の
一方の電極から分岐する形で形成されており、画素電極
37・37は、蓄積容量36のもう一方の端子に接続す
るとともに、上記共通電極35・35・35の間に配置
されている。この共通電極35・35・35と画素電極
37・37との間で、液晶に対して横方向の電界を印加
する。以上の構成によれば、画素は共通電極35によっ
て2か所の領域に略分割されることになる。
FIG. 7 is a plan view showing an electrode structure in a unit pixel in the above-mentioned conventional liquid crystal display device. The thin film transistor element 31 includes a pixel electrode 37, a signal electrode 32, a scanning electrode 33, and amorphous silicon. The common electrodes 35 are formed so as to be branched from one electrode of the storage capacitor 36. The pixel electrodes 37 are connected to the other terminal of the storage capacitor 36, and the common electrodes 35・ It is arranged between 35 and 35. A horizontal electric field is applied to the liquid crystal between the common electrodes 35, 35 and the pixel electrodes 37, 37. According to the above configuration, the pixel is substantially divided into two regions by the common electrode 35.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のような液晶表示
装置においては、薄膜トランジスタ素子31(TFT:
Thin Film Transistor、以下、TFTと称する)を形成
した基板上に画素電極37と共通電極35とを形成する
が、その製造工程において生ずる欠陥によって、画素電
極37と共通電極35とが短絡してしまうことがある。
その場合には液晶に電界が印加されなくなるので、液晶
に電界が印加されない場合に暗表示を行うように設定さ
れている場合には、該欠陥部分が黒点欠陥となり、表示
品位を損なってしまう。
In the above liquid crystal display device, the thin film transistor element 31 (TFT:
The pixel electrode 37 and the common electrode 35 are formed on a substrate on which a Thin Film Transistor (hereinafter, referred to as TFT) is formed, but the pixel electrode 37 and the common electrode 35 are short-circuited due to a defect generated in the manufacturing process. Sometimes.
In that case, no electric field is applied to the liquid crystal. Therefore, when dark display is set to be performed when no electric field is applied to the liquid crystal, the defective portion becomes a black spot defect, deteriorating the display quality.

【0007】本発明の目的は、IPSモードの液晶表示
装置の製造方法において、画素電極と共通電極との間で
短絡等の欠陥が生じた場合に、該欠陥を修正し、かつ、
表示品位の損失を最低限にすることにある。
An object of the present invention is to correct a defect such as a short circuit between a pixel electrode and a common electrode in a method for manufacturing an IPS mode liquid crystal display device, and to correct the defect.
It is to minimize the loss of display quality.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1記載の液晶表示装置の製造方法は、互い
に対向して配される2枚の絶縁性基板と、上記2枚の絶
縁性基板の間に挟持される液晶と、上記絶縁性基板の一
方に互いに直交して設けられるゲート信号線およびソー
ス信号線と、ゲート電極にゲート信号線、ソース電極に
ソース信号線が接続された複数のスイッチング素子と、
上記スイッチング素子のドレイン電極に接続される画素
電極と、上記画素電極と同一の絶縁性基板上に形成さ
れ、上記画素電極との間で、上記液晶に対して絶縁性基
板の面に平行な方向に電界を印加する対向電極とを備え
た液晶表示装置の製造方法であって、上記画素電極およ
び対向電極の少なくとも一方が分岐した形状をなしてお
り、画素電極と対向電極との間で短絡欠陥が生じた場合
に、上記短絡欠陥に関わる分岐部分を切断することを特
徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: two insulating substrates disposed opposite to each other; A liquid crystal sandwiched between insulating substrates, a gate signal line and a source signal line provided at right angles to one of the insulating substrates, a gate signal line connected to the gate electrode, and a source signal line connected to the source electrode. A plurality of switching elements,
A pixel electrode connected to the drain electrode of the switching element, and a pixel electrode formed on the same insulating substrate as the pixel electrode, between the pixel electrode and a direction parallel to a surface of the insulating substrate with respect to the liquid crystal. And a counter electrode for applying an electric field to the liquid crystal display device, wherein at least one of the pixel electrode and the counter electrode has a branched shape, and a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode. When the occurrence of a short circuit occurs, a branch portion relating to the short-circuit defect is cut off.

【0009】上記の方法によれば、画素電極と対向電極
との間で短絡欠陥が生じた場合に、該短絡欠陥に関わる
画素電極あるいは対向電極の分岐部分を切断するので、
切断した画素電極あるいは対向電極に関わる表示領域以
外の領域では、表示動作を行うことができる。よって、
表示品位の損失を最小限にすることができ、また、歩留
りを改善することができる。
According to the above-described method, when a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode, the branch portion of the pixel electrode or the counter electrode related to the short-circuit defect is cut.
A display operation can be performed in a region other than the display region relating to the cut pixel electrode or the counter electrode. Therefore,
The loss of display quality can be minimized, and the yield can be improved.

【0010】請求項2記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項1記載の方法において、上記液晶が電界を印
加されない場合に暗表示になるように設定されているこ
とを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect, wherein the liquid crystal is set to display a dark image when no electric field is applied.

【0011】上記の方法によれば、切断した画素電極あ
るいは対向電極に関わる表示領域には電界は印加されず
に暗表示となるので、明表示となるよりも、この電界が
印加されない表示領域がはるかに目立たなくなり、さら
に表示品位の損失を少なくすることができる。
According to the above-described method, a dark area is displayed without applying an electric field to the display area related to the cut pixel electrode or the counter electrode. Therefore, a display area to which the electric field is not applied is more than a bright area. It is much less noticeable, and the loss of display quality can be further reduced.

【0012】請求項3記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項1記載の方法において、上記対向電極に接続
された付加容量配線が、上記ゲート信号線および上記ソ
ース信号線によってマトリクス状に形成された各画素の
中央付近に配置され、上記複数の対向電極が上記付加容
量配線から垂直に分岐して該付加容量配線の両側に形成
されていることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect, the additional capacitance line connected to the counter electrode is formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line. The plurality of opposed electrodes are arranged near the center of each of the pixels, and the plurality of opposed electrodes are vertically branched from the additional capacitance wiring and formed on both sides of the additional capacitance wiring.

【0013】上記の方法によれば、画素の中央付近に配
置された付加容量配線から対向電極が垂直に分岐してい
るので、この画素は、付加容量配線を境としてまず2分
割され、2分割された領域の各々が、付加容量配線の両
側に設けられた対向電極によって、さらに分割されるこ
ととなる。これにより、マトリクス状に形成された画素
の辺の長さが比較的小さい場合でも、画素電極および対
向電極の幅を極端に狭くすることなく、画素を複数の領
域に略分割することができる。よって、良品率を高くす
ることができる。
According to the above method, since the counter electrode is vertically branched from the additional capacitance wiring arranged near the center of the pixel, this pixel is first divided into two parts by the additional capacitance wiring and divided into two parts. Each of the divided regions is further divided by opposing electrodes provided on both sides of the additional capacitance wiring. Accordingly, even when the length of the side of the pixel formed in a matrix is relatively small, the pixel can be substantially divided into a plurality of regions without extremely reducing the width of the pixel electrode and the counter electrode. Therefore, the non-defective rate can be increased.

【0014】請求項4記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項1記載の方法において、上記ゲート信号線お
よび上記ソース信号線によってマトリクス状に形成され
た各画素が、上記画素電極あるいは上記対向電極によっ
て4つ以上の領域に略分割されていることを特徴として
いる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of the first aspect, each of the pixels formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line is connected to the pixel electrode or the opposite electrode. It is characterized by being substantially divided into four or more regions by electrodes.

【0015】上記の方法によれば、上記短絡欠陥が分割
領域の1か所で生じたならば、上記短絡欠陥に関わる画
素電極あるいは対向電極の分岐部分を切断した場合、該
短絡欠陥が生じた分割領域以外の領域の割合が75%以
上となるので、実際の表示画面上で、該短絡欠陥が生じ
た画素をほとんど目立たなくすることができる。よっ
て、表示品位の損失を最小限にすることができ、また、
歩留りを改善することができる。
According to the above-described method, if the short-circuit defect occurs at one location in the divided region, the short-circuit defect occurs when the branch portion of the pixel electrode or the counter electrode related to the short-circuit defect is cut. Since the ratio of the region other than the divided region is 75% or more, the pixel on which the short-circuit defect has occurred can be made almost inconspicuous on the actual display screen. Therefore, loss of display quality can be minimized,
Yield can be improved.

【0016】請求項5記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項1記載の方法において、上記ゲート信号線お
よび上記ソース信号線によってマトリクス状に形成され
た各画素の周縁に近接した対向電極あるいは画素電極
と、その内側に配置されている画素電極あるいは対向電
極との間で短絡欠陥が生じた場合、上記画素の周縁に近
接している方の対向電極あるいは画素電極を切断するこ
とを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect, wherein a counter electrode or a counter electrode close to the periphery of each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line. When a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the pixel electrode or the counter electrode disposed inside the pixel electrode, the counter electrode or the pixel electrode closer to the periphery of the pixel is cut off. I have.

【0017】上記の方法によれば、上記画素の周縁に近
接した対向電極あるいは画素電極と、その内側に配置さ
れている画素電極あるいは対向電極との間で短絡欠陥が
生じた場合、上記画素の周縁に近接している方の対向電
極あるいは画素電極を切断するので、表示不能となる領
域は、該短絡欠陥が生じた対向電極と画素電極の間の領
域のみとなる。上記の内側に配置されている画素電極あ
るいは対向電極を切断した場合には、該画素電極あるい
は対向電極の両側の対向電極あるいは画素電極との間の
領域が表示不能となるので、この場合よりも、上記の画
素の周縁に近接している方の対向電極あるいは画素電極
を切断する方が、さらに表示可能な領域の面積を大きく
することができる。従って、表示品位の損失をさらに低
減することができ、また、歩留りをさらに改善すること
ができる。
According to the above method, when a short-circuit defect occurs between a counter electrode or a pixel electrode located close to the periphery of the pixel and a pixel electrode or a counter electrode disposed inside the pixel, Since the counter electrode or the pixel electrode closer to the periphery is cut off, the region where display is impossible is only the region between the counter electrode where the short-circuit defect has occurred and the pixel electrode. When the pixel electrode or the counter electrode disposed inside the above is cut, the area between the pixel electrode or the counter electrode or the pixel electrode on both sides of the counter electrode cannot be displayed. By cutting the counter electrode or the pixel electrode closer to the periphery of the pixel, the area of the displayable region can be further increased. Therefore, the loss of display quality can be further reduced, and the yield can be further improved.

【0018】請求項6記載の液晶表示装置は、互いに対
向して配される2枚の絶縁性基板と、上記2枚の絶縁性
基板の間に挟持される液晶と、上記絶縁性基板の一方に
互いに直交して形成されたゲート信号線およびソース信
号線と、ゲート電極にゲート信号線、ソース電極にソー
ス信号線が接続された複数のスイッチング素子と、上記
スイッチング素子のドレイン電極に接続される複数の画
素電極と、上記画素電極と同一の絶縁性基板上に形成さ
れ、上記画素電極との間で、上記液晶に対して絶縁性基
板の面に平行な方向に電界を印加する複数の対向電極と
を備え、上記のゲート信号線と上記のソース信号線とに
よってマトリクス状に形成された各画素が、上記画素電
極あるいは上記対向電極によって4つ以上の領域に略分
割されていることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: two insulating substrates arranged to face each other; a liquid crystal sandwiched between the two insulating substrates; and one of the insulating substrates. A gate signal line and a source signal line formed orthogonal to each other, a plurality of switching elements having a gate electrode connected to the gate signal line and a source electrode connected to the source signal line, and a drain electrode of the switching element. A plurality of pixel electrodes and a plurality of opposed electrodes formed on the same insulating substrate as the pixel electrodes and applying an electric field to the liquid crystal in a direction parallel to a surface of the insulating substrate between the pixel electrodes. An electrode, and each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line is substantially divided into four or more regions by the pixel electrode or the counter electrode. It is characterized.

【0019】上記の構成によれば、画素電極と対向電極
の間で短絡欠陥が生じ、該短絡欠陥に関わる画素電極あ
るいは対向電極を切断することによって、該短絡欠陥を
修正する場合に、画素は画素電極あるいは対向電極によ
って4つ以上の領域に略分割されているので、上記短絡
欠陥が生じた分割領域以外の領域では、表示動作を行う
ことができる。よって、上記のような短絡欠陥が生じて
も、上記のような修正により、表示品位の損失を最小限
にすることができる。
According to the above configuration, a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode, and when the short-circuit defect is corrected by cutting the pixel electrode or the counter electrode related to the short-circuit defect, Since the area is roughly divided into four or more areas by the pixel electrode or the counter electrode, a display operation can be performed in an area other than the divided area where the short-circuit defect has occurred. Therefore, even if the short-circuit defect as described above occurs, loss of display quality can be minimized by the above-described correction.

【0020】請求項7記載の液晶表示装置は、請求項6
記載の構成において、上記対向電極に接続された付加容
量配線が、各画素の中央付近に配置され、上記複数の対
向電極が上記付加容量配線から分岐して該付加容量配線
の両側に形成されていることを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device.
In the configuration described above, an additional capacitance line connected to the opposite electrode is disposed near the center of each pixel, and the plurality of opposite electrodes branch off from the additional capacitance line and are formed on both sides of the additional capacitance line. It is characterized by having.

【0021】上記の構成によれば、画素の中央付近に配
置された付加容量配線から対向電極が垂直に分岐してい
るので、この画素は、付加容量配線を境としてまず2分
割され、2分割された領域の各々が、付加容量配線の両
側に設けられた対向電極によって、さらに分割されるこ
ととなる。これにより、マトリクス状に形成された画素
の辺の長さが比較的小さい場合でも、画素電極および対
向電極の幅を極端に狭くすることなく、画素を複数の領
域に略分割することができる。よって、良品率を高くす
ることができる。
According to the above arrangement, since the counter electrode is vertically branched from the additional capacitance wiring disposed near the center of the pixel, this pixel is first divided into two parts by the additional capacitance wiring, and is divided into two parts. Each of the divided regions is further divided by opposing electrodes provided on both sides of the additional capacitance wiring. Accordingly, even when the length of the side of the pixel formed in a matrix is relatively small, the pixel can be substantially divided into a plurality of regions without extremely reducing the width of the pixel electrode and the counter electrode. Therefore, the non-defective rate can be increased.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

〔実施の形態1〕本発明の実施の一形態について図1な
いし図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0023】図3は、本発明の実施の形態に係る液晶表
示装置におけるアクティブマトリクス基板の概略を示す
回路図である。ゲート信号線4…とソース信号線5…と
が互いに直交することにより、画素がマトリクス状に形
成され、各画素はTFT(スイッチング素子)1、液晶
容量2、および付加容量3を備えている。各TFT1…
のゲート電極にはゲート信号線4…が接続され、走査信
号生成回路7からの走査信号によって各TFT1…が駆
動される。各TFT1…のソース電極にはソース信号線
5…が接続され、データ信号生成回路8からのデータ信
号が各TFT1…に入力される。上記液晶容量2と付加
容量3とは、TFT1のドレイン電極と付加容量配線6
との間に、並列に接続されている。
FIG. 3 is a circuit diagram schematically showing an active matrix substrate in the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. Since the gate signal lines 4 and the source signal lines 5 are orthogonal to each other, pixels are formed in a matrix, and each pixel includes a TFT (switching element) 1, a liquid crystal capacitor 2, and an additional capacitor 3. Each TFT1 ...
Are connected to the gate electrodes of the TFTs, and each of the TFTs 1 is driven by a scanning signal from the scanning signal generating circuit 7. Source signal lines 5 are connected to the source electrodes of the TFTs 1, and data signals from the data signal generation circuit 8 are input to the TFTs 1. The liquid crystal capacitor 2 and the additional capacitor 3 are connected to the drain electrode of the TFT 1 and the additional capacitor
And are connected in parallel.

【0024】図4は、上記液晶表示装置において、TF
T1が形成されている部分の概略構成を示す断面図であ
る。第1の基板24と、TFT1が形成されている第2
の基板25とが、間に液晶23を挟持して、互いに対向
して配置されている。
FIG. 4 is a view showing the TF in the liquid crystal display device.
It is sectional drawing which shows schematic structure of the part in which T1 was formed. A first substrate 24 and a second substrate 24 on which the TFT 1 is formed;
And the substrate 25 are arranged to face each other with the liquid crystal 23 interposed therebetween.

【0025】第1の基板24は、透明絶縁性基板9と、
該透明絶縁性基板9の液晶23側の面に形成された配向
膜16とを備えている。
The first substrate 24 includes a transparent insulating substrate 9 and
An alignment film 16 formed on the surface of the transparent insulating substrate 9 on the liquid crystal 23 side.

【0026】第2の基板25は、以下に示すような構成
となっている。透明絶縁性基板9の液晶23側の面上
に、金属層からなるゲート電極10が形成されている。
このゲート電極10および透明絶縁性基板9を被覆する
ように、ゲート絶縁膜11が形成されている。該ゲート
絶縁膜11のさらに上層には、上記ゲート電極10の上
方において、半導体層12が形成され、該半導体層12
の上面から側面にわたる領域に、n+ 型Si 層からなる
ソース電極13およびドレイン電極14が、互いに接触
しないように対をなして形成されている。また、ソース
電極13に接触して、金属層からなるソース信号線5が
形成され、ドレイン電極14に接触して、金属層からな
る画素電極18が形成されている。上記のソース信号
線、ソース電極13、半導体層12、ドレイン電極1
4、および画素電極18を覆うように層間絶縁膜17が
形成され、該層間絶縁膜17の上層に、配向膜16が形
成されている。なお、層間絶縁膜17と配向膜16との
間に平坦化層を設けてもよい。
The second substrate 25 has the following configuration. A gate electrode 10 made of a metal layer is formed on the surface of the transparent insulating substrate 9 on the liquid crystal 23 side.
A gate insulating film 11 is formed so as to cover the gate electrode 10 and the transparent insulating substrate 9. A semiconductor layer 12 is formed further above the gate insulating film 11 above the gate electrode 10.
In the region extending from the upper surface to the side surface, a source electrode 13 and a drain electrode 14 made of an n + -type Si layer are formed in pairs so as not to contact each other. The source signal line 5 made of a metal layer is formed in contact with the source electrode 13, and the pixel electrode 18 made of a metal layer is formed in contact with the drain electrode 14. The above-mentioned source signal line, source electrode 13, semiconductor layer 12, drain electrode 1
4, and an interlayer insulating film 17 is formed so as to cover the pixel electrode 18, and an alignment film 16 is formed on the interlayer insulating film 17. Note that a planarization layer may be provided between the interlayer insulating film 17 and the alignment film 16.

【0027】上記のゲート電極10、ゲート絶縁膜1
1、半導体層12、ソース電極13、およびドレイン電
極14によって、TFT1が形成されている。
The above-mentioned gate electrode 10 and gate insulating film 1
1, the semiconductor layer 12, the source electrode 13, and the drain electrode 14 form the TFT1.

【0028】図2は、上記アクティブマトリクス基板に
おける単位画素の平面図である。TFT1のゲート電極
にはゲート信号線4が接続されている。なお、単位画素
は、隣合うゲート信号線4・4と、隣合うソース信号線
5・5とに囲まれる領域に対応する。また、この単位画
素は長方形をなし、ソース信号線5・5からなる辺の方
が、ゲート信号線4・4からなる辺よりも長くなってい
る。
FIG. 2 is a plan view of a unit pixel on the active matrix substrate. A gate signal line 4 is connected to a gate electrode of the TFT 1. The unit pixel corresponds to a region surrounded by adjacent gate signal lines 4.4 and adjacent source signal lines 5.5. Further, this unit pixel has a rectangular shape, and the side composed of the source signal lines 5.5 is longer than the side composed of the gate signal lines 4.4.

【0029】TFT1のドレイン電極からは、画素電極
18・18が単位画素の長手方向に伸展した状態で形成
され、長手方向に対する中央付近において、該画素電極
18・18同士を接続するように、長手方向に対して垂
直な方向に伸展した形で付加容量3の一方の電極が形成
されている。また、この付加容量3のもう一方の電極
が、絶縁体を介して、図1において重なるように、付加
容量配線6上に形成されている。付加容量配線6は、単
位画素の長手方向に対する中央付近において、長手方向
に垂直な方向に伸展した形で形成されている。また、画
素電極18・18の間、およびソース電極5と画素電極
18との間には、付加容量配線6から分岐して、対向電
極19…が単位画素の長手方向に伸展した形で形成され
ている。以上のような構成によれば、単位画素は、対向
電極19…によって4つの領域に略分割される。
From the drain electrode of the TFT 1, pixel electrodes 18 are formed in a state of extending in the longitudinal direction of the unit pixel, and in the vicinity of the center with respect to the longitudinal direction, the pixel electrodes 18 are connected so that the pixel electrodes 18 are connected to each other. One electrode of the additional capacitor 3 is formed so as to extend in a direction perpendicular to the direction. The other electrode of the additional capacitance 3 is formed on the additional capacitance wiring 6 via an insulator so as to overlap in FIG. The additional capacitance wiring 6 is formed near the center of the unit pixel in the longitudinal direction so as to extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction. Further, between the pixel electrodes 18 and between the source electrode 5 and the pixel electrode 18, the counter electrodes 19 are formed so as to extend in the longitudinal direction of the unit pixel, branching from the additional capacitance wiring 6. ing. According to the above configuration, the unit pixel is substantially divided into four regions by the counter electrodes 19.

【0030】上記の画素電極18と対向電極19との間
に電位差が生じることにより、液晶に対して基板面に平
行な方向に電界が印加され、表示動作が行われる。な
お、図3における液晶容量2とは、上記の画素電極18
と対向電極19と液晶とからなるものである。
When a potential difference occurs between the pixel electrode 18 and the counter electrode 19, an electric field is applied to the liquid crystal in a direction parallel to the substrate surface, and a display operation is performed. Note that the liquid crystal capacitance 2 in FIG.
And a counter electrode 19 and liquid crystal.

【0031】次に、本実施の形態における画素欠陥の修
正方法について、図1を参照しながら以下に説明する。
付加容量3に対してTFT1とは反対側に配置されてい
る2本の画素電極18を、図1において右から画素電極
18a、18bとし、付加容量3に対してTFT1側に
配置されている2本の画素電極18を、図1において左
から画素電極18c、18dとする。また、付加容量3
に対してTFT1とは反対側に配置されている3本の対
向電極19を、図1において右から対向電極19a、1
9b、19cとし、付加容量3に対してTFT1側に配
置されている3本の対向電極19を、左から対向電極1
9d、19e、19fとする。
Next, a method of correcting a pixel defect in the present embodiment will be described below with reference to FIG.
The two pixel electrodes 18 arranged on the side opposite to the TFT 1 with respect to the additional capacitance 3 are referred to as pixel electrodes 18a and 18b from the right in FIG. The pixel electrodes 18 are referred to as pixel electrodes 18c and 18d from the left in FIG. In addition, additional capacity 3
In FIG. 1, three opposing electrodes 19a, 1a are arranged from the right side in FIG.
9b and 19c, and the three opposing electrodes 19 arranged on the TFT1 side with respect to the additional capacitor 3
9d, 19e, and 19f.

【0032】上記のアクティブマトリクス基板の製造中
に、異物20が混入し、画素電極18aと対向電極19
bとの間に短絡欠陥が発生した場合、この画素において
は、液晶に対して電界が印加されなくなる。したがっ
て、液晶に電界が印加されないときに暗表示を行う表示
方式の場合、上記のような短絡欠陥が発生した画素は、
その画素全域で表示不能になり、黒点欠陥となる。
During the manufacture of the active matrix substrate described above, foreign matter 20 is mixed into the pixel electrode 18a and the counter electrode 19.
When a short-circuit defect occurs with the pixel b, no electric field is applied to the liquid crystal in this pixel. Therefore, in the case of a display method in which dark display is performed when no electric field is applied to the liquid crystal, the pixel in which the short-circuit defect as described above has occurred is
Display becomes impossible in the whole area of the pixel, resulting in a black spot defect.

【0033】上記の欠陥を修正するために、該短絡欠陥
部よりも付加容量3側に位置する切断点21において、
画素電極18aをレーザーを用いて切断する。これによ
り、画素電極18aと対向電極19bとの間の領域、お
よび画素電極18aと対向電極19aとの間の領域には
電圧が加わらないために暗表示のままであるが、それ以
外の画素電極18b・18c・18dに対しては本来の
信号電圧の印加が可能であるので、上記の暗表示となる
領域以外では表示可能になる。
In order to correct the above-mentioned defect, at the cutting point 21 located on the side of the additional capacitor 3 from the short-circuit defect portion,
The pixel electrode 18a is cut using a laser. As a result, while no voltage is applied to the region between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19b and the region between the pixel electrode 18a and the counter electrode 19a, the dark display is maintained. Since the original signal voltage can be applied to 18b, 18c, and 18d, display is possible in areas other than the dark display area.

【0034】つまり、修正前では、欠陥が生じた画素
は、その全域で表示不能、すなわち完全黒点となってい
たが、上記のような修正により、欠陥が生じた画素は、
その一部分が表示不能、すなわち部分黒点となる。図1
に示すような構成の画素の場合、上記のような修正によ
れば、欠陥が生じた画素の面積の約4分の3の面積に相
当する領域で、正常な表示動作が可能となる。画素の輝
度に関する実験では、ある特定の画素の輝度が、正常な
画素の75%程度である場合、通常の画面ではほとんど
黒点欠陥とは認識できない、という結果がでており、こ
の実験結果から鑑みて、上記の修正を施した欠陥画素
は、実際の表示画面上ではほとんど目立たないものであ
るといえる。
In other words, before the correction, the defective pixel was not able to be displayed in the entire area, that is, it was a complete black spot.
A part thereof cannot be displayed, that is, becomes a partial black spot. FIG.
In the case of a pixel having a configuration as shown in FIG. 1, according to the above-described correction, a normal display operation can be performed in a region corresponding to an area of about three quarters of the area of the defective pixel. In an experiment on the luminance of a pixel, if the luminance of a specific pixel is about 75% of that of a normal pixel, a result that the black spot defect cannot be recognized on a normal screen is obtained. Thus, it can be said that the defective pixel corrected above is almost inconspicuous on an actual display screen.

【0035】したがって、画素の複数の分割領域にまた
がる程の大きい欠陥では修正の度合いに限界があるもの
の、図1に示したような、画素の一部分の分割領域内で
の欠陥に対しては、上記のような修正によって十分な効
果が得られる。
Therefore, although the degree of repair is limited for a defect large enough to extend over a plurality of divided regions of a pixel, a defect in a partial region of a pixel as shown in FIG. A sufficient effect can be obtained by the above modification.

【0036】また、本実施形態における単位画素におい
て、付加容量3よりもTFT1側にある画素電極18c
・18dは、それぞれTFT1のドレイン電極に接続さ
れている。この構成により、画素電極18cあるいは1
8dに関わる短絡欠陥が生じた場合に、短絡欠陥が生じ
た方の画素電極18cあるいは18dを切断しても、も
う一方の画素電極18dあるいは18cが、付加容量
3、および画素電極18aあるいは18bに電荷を供給
することができる。よってこのような場合でも、画素電
極18cあるいは18dの切断による修正を行うことに
よって、表示不能領域を最小限にすることができる。
In the unit pixel according to the present embodiment, the pixel electrode 18c on the TFT 1 side with respect to the additional capacitor 3
18d is connected to the drain electrode of TFT1. With this configuration, the pixel electrode 18c or 1
When the short-circuit defect relating to 8d occurs, even if the pixel electrode 18c or 18d on which the short-circuit defect occurs is cut, the other pixel electrode 18d or 18c is connected to the additional capacitor 3 and the pixel electrode 18a or 18b. An electric charge can be supplied. Therefore, even in such a case, the non-displayable area can be minimized by performing the correction by cutting the pixel electrode 18c or 18d.

【0037】上記のような修正による効果は、単位画素
における対向電極19…によって略分割される分割領域
の数に依存する。例えば、従来の技術で図7に示したよ
うな単位画素の構成では、分割領域は2つであり、この
ような画素に対して上記のような修正を行った場合、修
正後の表示可能な領域は、無欠陥画素の表示面積の約2
分の1の面積となる。この場合、上記した、修正後の表
示可能な領域が無欠陥画素の表示面積の約4分の3の面
積になる本実施形態の場合と比べて、修正の効果は不十
分である。すなわち、単位画素における分割領域の数が
多いほど、上記のような修正による効果が高いといえ
る。
The effect of the above-described correction depends on the number of divided regions substantially divided by the counter electrodes 19 in the unit pixel. For example, in the configuration of the unit pixel as shown in FIG. 7 in the related art, there are two divided areas, and when such a pixel is corrected as described above, the display after the correction is possible. The area is about 2 of the display area of the non-defective pixel.
This is one-half the area. In this case, the effect of the correction is insufficient compared with the case of the present embodiment in which the displayable area after the correction has an area of about three quarters of the display area of the non-defective pixel. That is, it can be said that the greater the number of divided regions in a unit pixel, the higher the effect of the above-described correction.

【0038】また、上記の修正は、画素電極18を切断
することによる修正であったが、対向電極19を切断す
る修正を行っても構わない。この場合は、図1におい
て、画素電極18aの切断点21の代わりに、切断点2
2において対向電極19bをレーザーを用いて切断す
る。これにより、対向電極19bと画素電極18aとの
間の領域、および対向電極19bと画素電極18bとの
間の領域には電圧が加わらないために暗表示のままであ
るが、それ以外の対向電極19a・19c・19d・1
9e・19fに対しては本来の信号電圧の印加が可能で
あるので、上記の暗表示となる領域以外では表示可能に
なる。すなわち、このような修正によれば、上記した、
画素電極18aを切断する場合と同様に、欠陥が生じた
画素の面積の約4分の3の面積に相当する領域で、正常
な表示動作が可能となる。
Although the above-described correction has been made by cutting the pixel electrode 18, the correction may be made by cutting the counter electrode 19. In this case, in FIG. 1, instead of the cutting point 21 of the pixel electrode 18a, a cutting point 2
At 2, the opposing electrode 19b is cut using a laser. As a result, no voltage is applied to a region between the counter electrode 19b and the pixel electrode 18a and a region between the counter electrode 19b and the pixel electrode 18b, so that dark display is maintained. 19a ・ 19c ・ 19d ・ 1
Since the original signal voltage can be applied to 9e and 19f, display is possible in areas other than the dark display area. That is, according to such a modification,
As in the case of cutting the pixel electrode 18a, a normal display operation can be performed in a region corresponding to an area of about three quarters of the area of the defective pixel.

【0039】また、例えば、図5に示すように、画素電
極18bと対向電極19cとにまたがるように異物20
が混入し、短絡欠陥となった場合には、画素電極18b
を切断するよりも、対向電極19cを切断した方が表示
可能領域が広くなる。これは、画素電極18bを切断し
た場合、表示不能領域は、画素電極18bと対向電極1
9bとの間の領域、および画素電極18bと対向電極1
9cとの間の領域となるが、対向電極19cを切断した
場合、表示不能領域は、対向電極19cと画素電極18
bとの間の領域のみとなるからである。つまり、画素電
極18bを切断した場合、表示可能な領域は、無欠陥画
素の表示面積の約4分の3の面積となり、対向電極19
cを切断した場合、表示可能な領域は、無欠陥画素の表
示面積の約8分の7の面積となる。
For example, as shown in FIG. 5, the foreign matter 20 extends over the pixel electrode 18b and the counter electrode 19c.
Is mixed, resulting in a short circuit defect, the pixel electrode 18b
The displayable area is larger when the opposing electrode 19c is cut than when the counter electrode 19c is cut. This is because, when the pixel electrode 18b is cut, the non-displayable area is formed between the pixel electrode 18b and the counter electrode 1b.
9b, the pixel electrode 18b and the counter electrode 1
9c, the non-displayable area when the opposing electrode 19c is cut off is the opposing electrode 19c and the pixel electrode 18c.
This is because there is only the area between b. That is, when the pixel electrode 18b is cut, the displayable area is about three-quarters of the display area of the non-defective pixel.
When c is cut, the displayable area is about 7/8 of the display area of the non-defective pixel.

【0040】すなわち、単位画素において、画素電極1
8…および対向電極19…の伸展している方向に対して
最も外側にある電極、上記の場合は対向電極19a、1
9c、19d、19fと、それぞれに隣接している画素
電極18…との間で短絡欠陥が生じている場合、対向電
極側を切断する方が、表示可能領域をより広くすること
ができる。
That is, in the unit pixel, the pixel electrode 1
8 and the outermost electrode with respect to the direction in which the opposing electrodes 19 extend, in this case the opposing electrodes 19a, 1
If a short-circuit defect occurs between 9c, 19d, 19f and the pixel electrode 18 adjacent to each other, cutting the opposing electrode side can make the displayable area wider.

【0041】以上のように、単位画素において、付加容
量3を長手方向の中央付近に配置し、該付加容量3から
両側に分岐した形で対向電極19…および画素電極18
…を形成することにより、対向電極19…によって略分
割される分割領域の数が4つとなる。このような画素に
おいて対向電極19と画素電極18との間で短絡欠陥が
生じた場合、該対向電極19あるいは該画素電極18を
切断することによって、表示不能となる領域を最小限に
することができる。よって、表示品位を向上させるとと
もに、歩留りを改善することができる。
As described above, in the unit pixel, the additional capacitance 3 is arranged near the center in the longitudinal direction, and the opposing electrodes 19 and the pixel electrodes 18 are branched from the additional capacitance 3 on both sides.
Are formed, the number of divided regions substantially divided by the opposing electrodes 19 becomes four. When a short-circuit defect occurs between the counter electrode 19 and the pixel electrode 18 in such a pixel, by cutting the counter electrode 19 or the pixel electrode 18, it is possible to minimize a region where display is impossible. it can. Therefore, the display quality can be improved, and the yield can be improved.

【0042】なお、修正を行った分割領域が黒表示にな
る方が、該分割領域が輝表示になるよりもはるかに目立
たなくなるので、液晶に対して電界が印加されないとき
に暗表示になる表示方式の方が、上記のような修正によ
る効果がより高くなる。
It is to be noted that, when the corrected divided area becomes a black display, the divided area becomes much less noticeable than the bright display, so that the display becomes dark when no electric field is applied to the liquid crystal. In the method, the effect of the above-described correction is higher.

【0043】〔実施の形態2〕本発明の実施の他の形態
について図6に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。なお、前記した実施の形態1で説明した構成と同様
の機能を有する構成には、同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
Embodiment 2 Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The components having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0044】図6は、前記アクティブマトリクス基板に
おける単位画素の平面図である。付加容量配線6および
付加容量3は、その単位画素におけるTFT1が形成さ
れているゲート信号線4ではない方のゲート信号線4に
近接した位置に、長手方向に垂直な方向に伸展してい
る。5つの対向電極19…は、付加容量配線6から分岐
して、画素の長手方向に伸展した形で形成されている。
また、隣合う対向電極19…の間に、4つの画素電極1
8…がTFT1のドレイン電極と付加容量3の電極とに
接続するように形成されている。上記のような構成によ
れば、単位画素は対向電極19…によって4つの分割領
域に略分割されることになる。
FIG. 6 is a plan view of a unit pixel on the active matrix substrate. The additional capacitance line 6 and the additional capacitance 3 extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction at a position close to the gate signal line 4 other than the gate signal line 4 where the TFT 1 is formed in the unit pixel. The five opposing electrodes 19 are formed so as to branch off from the additional capacitance line 6 and extend in the longitudinal direction of the pixel.
Further, the four pixel electrodes 1 are located between the adjacent opposing electrodes 19.
8 are formed so as to be connected to the drain electrode of the TFT 1 and the electrode of the additional capacitor 3. According to the above configuration, the unit pixel is substantially divided into four divided regions by the counter electrodes 19.

【0045】以上のような構成の単位画素に、画素電極
18と対向電極19との間で短絡欠陥が発生した場合、
実施の形態1での修正方法と同様に、該画素電極18あ
るいは該対向電極19のどちらかを切断することによ
り、表示不能領域を最小限にすることができる。
When a short circuit defect occurs between the pixel electrode 18 and the counter electrode 19 in the unit pixel having the above structure,
Similarly to the correction method in the first embodiment, by cutting either the pixel electrode 18 or the counter electrode 19, the non-displayable area can be minimized.

【0046】また、単位画素において、画素の周縁に最
も近い位置にある電極、すなわち、上記の場合は、ソー
ス信号線5・5に最も近い2つの対向電極19・19
と、それぞれに隣接している画素電極18・18との間
で短絡欠陥が生じている場合、対向電極側を切断する方
が、表示可能領域をより広くすることができる。上記の
場合に、対向電極側を切断すれば、表示可能な領域は、
無欠陥画素の表示面積の約8分の7の面積となる。な
お、同じ上記の場合に画素電極側を切断した場合、およ
び上記の場合以外の箇所で短絡欠陥が発生した場合、表
示可能な領域は、無欠陥画素の表示面積の約4分の3の
面積となる。
Further, in the unit pixel, the electrode located closest to the periphery of the pixel, that is, in the above case, the two opposing electrodes 19, 19 which are closest to the source signal lines 5.5.
In this case, when a short-circuit defect occurs between the pixel electrodes 18 adjacent to each other, cutting the opposing electrode side can make the displayable area wider. In the above case, if the opposing electrode side is cut, the displayable area is
The area is about 7/8 of the display area of the non-defective pixel. When the pixel electrode side is cut in the same case as above, and when a short-circuit defect occurs in a place other than the above case, the displayable area is about three-quarters of the display area of the non-defective pixel. Becomes

【0047】なお、本実施形態における単位画素の構成
のように、単位画素の長手方向に対する幅の間の画素電
極18…および対向電極19…の数を多くする場合、こ
の長手方向に対する幅(単位画素の短辺の長さ)が小さ
いとき、例えば、長手方向に対する幅が100μm程度
であるときには、各画素電極18…および対向電極19
…自身の幅や、画素電極18…と対向電極19…との間
隔が小さくなりすぎてしまう。この場合、製造上での工
作精度の限界より、逆に短絡欠陥等が増大するなどの問
題が生じる。上記の短辺の長さが200μm以上である
ならば、本実施形態のように、単位画素を短辺方向に4
分割した構成でも問題は生じない。
When the number of the pixel electrodes 18 and the counter electrodes 19 between the widths in the longitudinal direction of the unit pixel is increased as in the configuration of the unit pixel in the present embodiment, the width in the longitudinal direction (unit) When the width of the short side of the pixel is small, for example, when the width in the longitudinal direction is about 100 μm, each pixel electrode 18.
... the width of itself or the distance between the pixel electrode 18 and the counter electrode 19 becomes too small. In this case, problems such as an increase in short-circuit defects and the like occur due to the limit of machining accuracy in manufacturing. If the length of the short side is 200 μm or more, the unit pixel is moved in the short side direction by 4 as in the present embodiment.
There is no problem with the divided configuration.

【0048】以上のように、付加容量3を、その単位画
素におけるTFT1が形成されているゲート信号線4で
はない方のゲート信号線4に近接して配置し、該付加容
量3から片側に分岐した形で対向電極19…および画素
電極18…を形成することにより、対向電極19…によ
って略分割される分割領域の数が4つとなる。このよう
な画素において対向電極19と画素電極18との間で短
絡欠陥が生じた場合、該対向電極19あるいは該画素電
極18を切断することによって、表示不能となる領域を
最小限にすることができる。よって、表示品位を向上さ
せるとともに、歩留りを改善することができる。
As described above, the additional capacitance 3 is arranged close to the gate signal line 4 other than the gate signal line 4 on which the TFT 1 in the unit pixel is formed, and branched from the additional capacitance 3 to one side. By forming the counter electrodes 19 and the pixel electrodes 18 in this manner, the number of divided regions substantially divided by the counter electrodes 19 becomes four. When a short-circuit defect occurs between the counter electrode 19 and the pixel electrode 18 in such a pixel, by cutting the counter electrode 19 or the pixel electrode 18, it is possible to minimize a region where display is impossible. it can. Therefore, the display quality can be improved, and the yield can be improved.

【0049】なお、液晶表示装置の製造方法としては、
上記対向電極に接続された付加容量配線が、上記ゲート
信号線および上記ソース信号線によってマトリクス状に
形成された各画素の周縁付近に配置され、前記複数の対
向電極が上記付加容量配線から分岐して該付加容量配線
の片側に形成されていてもよい。
The manufacturing method of the liquid crystal display device is as follows.
An additional capacitance line connected to the counter electrode is arranged near the periphery of each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line, and the plurality of counter electrodes branch off from the additional capacitance line. Thus, it may be formed on one side of the additional capacitance wiring.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明に係る液
晶表示装置の製造方法は、互いに対向して配される2枚
の絶縁性基板と、上記2枚の絶縁性基板の間に挟持され
る液晶と、上記絶縁性基板の一方に互いに直交して設け
られるゲート信号線およびソース信号線と、ゲート電極
にゲート信号線、ソース電極にソース信号線が接続され
た複数のスイッチング素子と、上記スイッチング素子の
ドレイン電極に接続される画素電極と、上記画素電極と
同一の絶縁性基板上に形成され、上記画素電極との間
で、上記液晶に対して絶縁性基板の面に平行な方向に電
界を印加する対向電極とを備えた液晶表示装置の製造方
法であって、上記画素電極および対向電極の少なくとも
一方が分岐した形状をなしており、画素電極と対向電極
との間で短絡欠陥が生じた場合に、上記短絡欠陥に関わ
る分岐部分を切断する。
As described above, the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising the steps of: A liquid crystal to be sandwiched, a gate signal line and a source signal line provided orthogonal to each other on one of the insulating substrates, a plurality of switching elements in which a gate signal line is connected to a gate electrode, and a source signal line is connected to a source electrode. A pixel electrode connected to the drain electrode of the switching element, and formed on the same insulating substrate as the pixel electrode, between the pixel electrode and the liquid crystal parallel to the surface of the insulating substrate. A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising: a counter electrode for applying an electric field in a direction, wherein at least one of the pixel electrode and the counter electrode has a branched shape, and a short circuit occurs between the pixel electrode and the counter electrode. Defects When the Flip to cut the branch portion related to the short-circuit defect.

【0051】これにより、画素電極と対向電極との間で
短絡欠陥が生じた場合に、該短絡欠陥が生じた画素電極
あるいは対向電極に関わる表示領域以外の領域では、表
示動作を行うことができるという効果を奏する。よっ
て、表示品位の損失を最小限にすることができ、また、
歩留りを改善することができるという効果を奏する。
Thus, when a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode, a display operation can be performed in a region other than the display region related to the pixel electrode or the counter electrode in which the short-circuit defect has occurred. This has the effect. Therefore, loss of display quality can be minimized,
This has the effect of improving the yield.

【0052】請求項2の発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記液晶が電界を印加されない場合に暗表示に
なるように設定されている。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the second aspect of the present invention, the liquid crystal is set so as to display a dark image when no electric field is applied.

【0053】これにより、請求項1の方法による効果に
加えて、切断した画素電極あるいは対向電極に関わる表
示領域には電界は印加されずに暗表示となるので、明表
示となるよりも、この切断した画素電極あるいは対向電
極に関わる表示領域がはるかに目立たなくなり、表示品
位の損失をさらに小さくすることができるという効果を
奏する。
Thus, in addition to the effect of the method of the first aspect, since a dark area is displayed without applying an electric field to the display area relating to the cut pixel electrode or the counter electrode, the display area is not a bright display area. The display area relating to the cut pixel electrode or the counter electrode is much less noticeable, and the effect of further reducing the loss of display quality can be achieved.

【0054】請求項3の発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記対向電極に接続された付加容量配線が、上
記ゲート信号線および上記ソース信号線によってマトリ
クス状に形成された各画素の中央付近に配置され、上記
複数の対向電極が上記付加容量配線から垂直に分岐して
該付加容量配線の両側に形成されている。
According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, the additional capacitance line connected to the counter electrode is formed at the center of each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line. The plurality of opposing electrodes are disposed in the vicinity, and are formed on both sides of the additional capacitance wiring by branching vertically from the additional capacitance wiring.

【0055】これにより、請求項1の方法による効果に
加えて、マトリクス状に形成された画素の辺の長さが比
較的小さい場合でも、画素電極および対向電極の幅を極
端に狭くすることなしに、画素を複数の領域に略分割す
ることができ、良品率を高くすることができるという効
果を奏する。
Thus, in addition to the effect of the method of the first aspect, the width of the pixel electrode and the counter electrode is not extremely reduced even when the length of the side of the pixel formed in a matrix is relatively small. In addition, it is possible to substantially divide the pixel into a plurality of regions, and it is possible to increase the yield rate.

【0056】請求項4の発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記ゲート信号線および上記ソース信号線によ
ってマトリクス状に形成された各画素が、上記画素電極
あるいは上記対向電極によって4つ以上の領域に略分割
されている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, four or more pixels formed in a matrix by the gate signal lines and the source signal lines are formed by the pixel electrodes or the counter electrodes. It is roughly divided into regions.

【0057】これにより、請求項1の方法による効果に
加えて、上記短絡欠陥に関わる画素電極あるいは対向電
極の分岐部分を切断した場合、該短絡欠陥が1か所で生
じたならば、該短絡欠陥が生じた分割領域以外の領域の
割合が75%以上となるので、実際の表示画面上で、該
短絡欠陥が生じた画素をほとんど目立たなくすることが
でき、表示品位の損失を最小限にすることができるとい
う効果を奏する。
According to this, in addition to the effect of the method according to the first aspect, when the branch portion of the pixel electrode or the counter electrode related to the short-circuit defect is cut, if the short-circuit defect occurs in one place, the short-circuit is prevented. Since the ratio of the region other than the divided region where the defect has occurred is 75% or more, the pixel on which the short-circuit defect has occurred can be made almost inconspicuous on the actual display screen, and loss of display quality can be minimized. It has the effect that it can be done.

【0058】請求項5の発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、上記ゲート信号線および上記ソース信号線によ
ってマトリクス状に形成された各画素の周縁に近接した
対向電極あるいは画素電極と、その内側に配置されてい
る画素電極あるいは対向電極との間で短絡欠陥が生じた
場合、上記画素の周縁に近接している方の対向電極ある
いは画素電極を切断する。
According to a fifth aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a counter electrode or a pixel electrode which is formed in a matrix by the gate signal lines and the source signal lines; If a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode arranged in the pixel, the counter electrode or the pixel electrode that is closer to the periphery of the pixel is cut off.

【0059】これにより、請求項1の方法による効果に
加えて、前記画素の周縁に近接した対向電極あるいは画
素電極と、その内側に配置されている画素電極あるいは
対向電極との間で短絡欠陥が生じた場合、表示不能とな
る領域は、該短絡欠陥が生じた対向電極と画素電極の間
の領域のみとなるので、表示可能な領域の面積を大きく
することができ、表示品位の損失をさらに低減すること
ができるという効果を奏する。
Thus, in addition to the effect of the method according to the first aspect, a short-circuit defect occurs between the counter electrode or the pixel electrode close to the periphery of the pixel and the pixel electrode or the counter electrode disposed inside the pixel. If this occurs, the area that cannot be displayed is only the area between the counter electrode and the pixel electrode where the short-circuit defect has occurred, so that the area of the displayable area can be increased and the loss of display quality can be further reduced. This has the effect of being able to reduce.

【0060】請求項6の発明に係る液晶表示装置は、互
いに対向して配される2枚の絶縁性基板と、上記2枚の
絶縁性基板の間に挟持される液晶と、上記絶縁性基板の
一方に互いに直交して形成されたゲート信号線およびソ
ース信号線と、ゲート電極にゲート信号線、ソース電極
にソース信号線が接続された複数のスイッチング素子
と、上記スイッチング素子のドレイン電極に接続される
複数の画素電極と、上記画素電極と同一の絶縁性基板上
に形成され、上記画素電極との間で、上記液晶に対して
絶縁性基板の面に平行な方向に電界を印加する複数の対
向電極とを備え、上記のゲート信号線と上記のソース信
号線とによってマトリクス状に形成された各画素が、上
記画素電極あるいは上記対向電極によって4つ以上の領
域に略分割されている構成である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device, comprising: two insulating substrates disposed to face each other; a liquid crystal sandwiched between the two insulating substrates; A gate signal line and a source signal line formed orthogonal to each other, a plurality of switching elements having a gate electrode connected to the gate signal line and a source electrode connected to the source signal line, and a drain connected to the switching element. And a plurality of pixel electrodes formed on the same insulating substrate as the pixel electrodes and applying an electric field to the liquid crystal in a direction parallel to a surface of the insulating substrate between the pixel electrodes. Each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line is substantially divided into four or more regions by the pixel electrode or the counter electrode. It is a configuration.

【0061】これにより、画素電極と対向電極の間で短
絡欠陥が生じ、該短絡欠陥に関わる画素電極あるいは対
向電極を切断することによって、該短絡欠陥を修正する
場合に、上記短絡欠陥が生じた分割領域以外の領域で
は、表示動作を行うことができるという効果を奏する。
よって、上記のような短絡欠陥が生じても、上記のよう
な修正により、表示品位の損失を最小限にすることがで
きるという効果を奏する。
As a result, a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode. When the short-circuit defect is corrected by cutting the pixel electrode or the counter electrode involved in the short-circuit defect, the short-circuit defect occurs. In regions other than the divided regions, an effect that a display operation can be performed is achieved.
Therefore, even if the short-circuit defect as described above occurs, there is an effect that loss of display quality can be minimized by the above-described correction.

【0062】請求項7の発明に係る液晶表示装置は、上
記対向電極に接続された付加容量配線が、各画素の中央
付近に配置され、上記複数の対向電極が上記付加容量配
線から分岐して該付加容量配線の両側に形成されている
構成である。
According to a seventh aspect of the present invention, in the liquid crystal display device, the additional capacitance line connected to the opposite electrode is disposed near the center of each pixel, and the plurality of opposite electrodes branch off from the additional capacitance line. This is a configuration formed on both sides of the additional capacitance wiring.

【0063】これにより、請求項6の構成による効果に
加えて、マトリクス状に形成された画素の辺の長さが比
較的小さい場合でも、画素電極および対向電極の幅を極
端に狭くすることなしに、画素を複数の領域に略分割す
ることができ、良品率を高くすることができるという効
果を奏する。
Thus, in addition to the effect of the structure of claim 6, even when the length of the side of the pixel formed in a matrix is relatively small, the width of the pixel electrode and the counter electrode is not extremely reduced. In addition, it is possible to substantially divide the pixel into a plurality of regions, and it is possible to increase the yield rate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態に係る液晶表示装置にお
ける単位画素に短絡欠陥が生じた場合の概略構成を示す
平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration when a short-circuit defect occurs in a unit pixel in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記単位画素の概略構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the unit pixel.

【図3】上記液晶表示装置の概略構成を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a schematic configuration of the liquid crystal display device.

【図4】上記単位画素におけるTFTの構成を示す断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a TFT in the unit pixel.

【図5】上記単位画素に短絡欠陥が生じた場合の他の概
略構成を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing another schematic configuration when a short-circuit defect occurs in the unit pixel.

【図6】本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置に
おける単位画素の概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating a schematic configuration of a unit pixel in a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図7】従来の液晶表示装置における単位画素の概略構
成を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic configuration of a unit pixel in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFT(スイッチング素子) 3 付加容量 4 ゲート信号線 5 ソース信号線 6 付加容量配線 18 画素電極 19 対向電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT (switching element) 3 Additional capacitance 4 Gate signal line 5 Source signal line 6 Additional capacitance wiring 18 Pixel electrode 19 Counter electrode

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いに対向して配される2枚の絶縁性基板
と、上記2枚の絶縁性基板の間に挟持される液晶と、上
記絶縁性基板の一方に互いに直交して設けられるゲート
信号線およびソース信号線と、ゲート電極にゲート信号
線、ソース電極にソース信号線が接続された複数のスイ
ッチング素子と、上記スイッチング素子のドレイン電極
に接続される画素電極と、上記画素電極と同一の絶縁性
基板上に形成され、上記画素電極との間で、上記液晶に
対して絶縁性基板の面に平行な方向に電界を印加する対
向電極とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、上
記画素電極および対向電極の少なくとも一方が分岐した
形状をなしており、画素電極と対向電極との間で短絡欠
陥が生じた場合に、上記短絡欠陥に関わる分岐部分を切
断することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
1. An insulating substrate disposed opposite to each other, a liquid crystal interposed between the two insulating substrates, and a gate provided on one of the insulating substrates at right angles to each other. A plurality of switching elements each having a signal line and a source signal line, a gate signal line connected to a gate electrode, and a source signal line connected to a source electrode; a pixel electrode connected to a drain electrode of the switching element; And a counter electrode for applying an electric field to the liquid crystal in a direction parallel to the surface of the insulating substrate between the pixel electrode and the pixel electrode. Wherein at least one of the pixel electrode and the counter electrode has a branched shape, and when a short-circuit defect occurs between the pixel electrode and the counter electrode, a branch portion related to the short-circuit defect is cut. Method of manufacturing a liquid crystal display device which.
【請求項2】上記液晶が電界を印加されない場合に暗表
示になるように設定されていることを特徴とする請求項
1記載の液晶表示装置の製造方法。
2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal is set so as to display a dark image when no electric field is applied.
【請求項3】上記対向電極に接続された付加容量配線
が、上記ゲート信号線および上記ソース信号線によって
マトリクス状に形成された各画素の中央付近に配置さ
れ、上記複数の対向電極が上記付加容量配線から垂直に
分岐して該付加容量配線の両側に形成されていることを
特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。
3. An additional capacitance line connected to the counter electrode is arranged near the center of each pixel formed in a matrix by the gate signal line and the source signal line, and the plurality of counter electrodes are connected to the additional electrode. 2. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed on both sides of the additional capacitance line by vertically branching off from the capacitance line.
【請求項4】上記ゲート信号線および上記ソース信号線
によってマトリクス状に形成された各画素が、上記画素
電極あるいは上記対向電極によって4つ以上の領域に略
分割されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表
示装置の製造方法。
4. Each pixel formed in a matrix by said gate signal line and said source signal line is substantially divided into four or more regions by said pixel electrode or said counter electrode. Item 2. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to Item 1.
【請求項5】上記ゲート信号線および上記ソース信号線
によってマトリクス状に形成された各画素の周縁に近接
した対向電極あるいは画素電極と、その内側に配置され
ている画素電極あるいは対向電極との間で短絡欠陥が生
じた場合、上記画素の周縁に近接している方の対向電極
あるいは画素電極を切断することを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置の製造方法。
5. A method according to claim 1, wherein said gate signal line and said source signal line are arranged in a matrix between a counter electrode or a pixel electrode close to the periphery of each pixel and a pixel electrode or a counter electrode disposed inside said counter electrode or pixel electrode. 2. If a short-circuit defect occurs in the step (b), a counter electrode or a pixel electrode closer to the periphery of the pixel is cut off.
The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the above.
【請求項6】互いに対向して配される2枚の絶縁性基板
と、 上記2枚の絶縁性基板の間に挟持される液晶と、 上記絶縁性基板の一方に互いに直交して形成されたゲー
ト信号線およびソース信号線と、 ゲート電極にゲート信号線、ソース電極にソース信号線
が接続された複数のスイッチング素子と、 上記スイッチング素子のドレイン電極に接続される複数
の画素電極と、 上記画素電極と同一の絶縁性基板上に形成され、上記画
素電極との間で、上記液晶に対して絶縁性基板の面に平
行な方向に電界を印加する複数の対向電極とを備え、 上記のゲート信号線と上記のソース信号線とによってマ
トリクス状に形成された各画素が、上記画素電極あるい
は上記対向電極によって4つ以上の領域に略分割されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
6. An insulating substrate, comprising: two insulating substrates disposed opposite to each other; a liquid crystal sandwiched between the two insulating substrates; and one formed on one of the insulating substrates so as to be orthogonal to each other. A gate signal line and a source signal line; a plurality of switching elements having a gate electrode connected to the gate signal line and a source electrode having a source signal line connected thereto; a plurality of pixel electrodes connected to a drain electrode of the switching element; A plurality of opposing electrodes formed on the same insulating substrate as the electrodes and applying an electric field to the liquid crystal in a direction parallel to a surface of the insulating substrate, between the pixel electrodes; A liquid crystal display device wherein each pixel formed in a matrix by a signal line and the source signal line is substantially divided into four or more regions by the pixel electrode or the counter electrode.
【請求項7】上記対向電極に接続された付加容量配線
が、各画素の中央付近に配置され、上記複数の対向電極
が上記付加容量配線から分岐して該付加容量配線の両側
に形成されていることを特徴とする請求項6記載の液晶
表示装置。
7. An additional capacitance line connected to the counter electrode is arranged near the center of each pixel, and the plurality of counter electrodes branch off from the additional capacitance line and are formed on both sides of the additional capacitance line. 7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein:
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