JP2001330850A - Liquid crystal display device and its defect rectifying method - Google Patents

Liquid crystal display device and its defect rectifying method

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JP2001330850A
JP2001330850A JP2000147252A JP2000147252A JP2001330850A JP 2001330850 A JP2001330850 A JP 2001330850A JP 2000147252 A JP2000147252 A JP 2000147252A JP 2000147252 A JP2000147252 A JP 2000147252A JP 2001330850 A JP2001330850 A JP 2001330850A
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electrode
region
liquid crystal
storage capacitor
connection
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JP2000147252A
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Isao Nakanishi
Hiroyuki Okazoe
勇夫 中西
博之 岡副
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Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the manufacturing yield of a liquid crystal display device by providing a liquid crystal display device having structure which facilitates rectifying of a display defect due to the defect of an auxiliary capacitance and its defect rectifying method. SOLUTION: An auxiliary capacitance electrode 14 has a first area 14a, a second area 14a and a third area 14c. The first area 14a includes a connection terminal 14t to be connected to a connecting wiring 24 and a contact part 14h to be exposed in a first contact hole 19a and the second area 14b is electrically connected to the first area 14a via the third area 14c whose width is narrower than that of the first area 14a and the second area 14b. Then, the display failure due to the defect of the second area 14b is rectified by disconnecting electrically the first area 14a from the second area 14b each other while disconnecting the third area 14c of the auxiliary capacitance 14.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およびその表示欠陥を修正する方法に関し、特に、補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が可能な液晶表示装置およびその欠陥修正方法に関する。 The present invention relates to relates to a method for correcting the liquid crystal display device and its display defects, in particular, modifications liquid crystal display device capable of display defects due to the defects of the storage capacitor and to a defect correction method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、小型、軽量、薄型または低消費電力などの利点から、OA機器やAV機器などの分野で実用化が進んでいる。 A liquid crystal display device, small size, light weight, the advantages such as thin or low-power, is progressing practiced in fields such as OA equipment and AV equipment. 特に、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と略す。) In particular, the thin film transistor as a switching element (hereinafter, abbreviated as "TFT".)
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置(以下、 Active matrix liquid crystal display device using a (hereinafter,
「TFT型液晶表示装置」と称する。 Referred to as "TFT-type liquid crystal display device". )は、精細な動画表示が可能であり、種々のディスプレイとして使用されている。 ) Is capable of fine motion picture display, it has been used as a variety of displays.

【0003】従来のTFT型液晶表示装置の構成を模式に図3に示す。 [0003] showing a configuration of a conventional TFT type liquid crystal display device in FIG. 3 in a schematic. TFT型液晶表示装置400は、マトリクス状に配置された複数の絵素容量40と、絵素容量4 TFT-type liquid crystal display device 400 includes a plurality of picture element capacitor 40 arranged in a matrix, the pixel capacitor 4
0のそれぞれに電気的に接続された薄膜トランジスタ5 A thin film transistor 5 electrically connected to each of the 0
0とを有する。 0 and a. 絵素容量40のそれぞれは、液晶容量4 Each picture element capacitance 40, the liquid crystal capacitance 4
2と、液晶容量42に電気的に並列に接続された補助容量44とを有する。 A 2, and an auxiliary capacitor 44 which is electrically connected in parallel to the liquid crystal capacitor 42.

【0004】TFT50のゲート電極Gは走査配線52 [0004] The gate electrode G of the TFT50 scanning lines 52
に接続されており、走査電圧が印加される。 Is connected to the scan voltage is applied. TFT50 TFT50
のソース電極Sは信号配線54に接続されおり、信号電圧が印加される。 The source electrode S of which is connected to the signal line 54, the signal voltage is applied. TFT50のドレイン電極Dは絵素容量40の一端に接続されている。 The drain electrode D of the TFT50 is connected to one end of the pixel capacitor 40. 絵素容量40を構成する液晶容量42および補助容量44のそれぞれの一方の電極がTFT50のドレイン電極に接続されており、これらの電極には、TFT50を介して、信号電圧が印加される。 Each one electrode of the liquid crystal capacitance 42 and the auxiliary capacitor 44 constituting a picture element capacitance 40 is connected to the drain electrode of the TFT 50, the these electrodes through the TFT 50, the signal voltage is applied. 液晶容量42および補助容量44の他方の電極には、対向電圧が印加される。 The other electrode of the liquid crystal capacitor 42 and the auxiliary capacitor 44, the counter voltage is applied.

【0005】TFT50のゲート電極Gに、例えば60 [0005] gate electrode G of the TFT 50, for example 60
Hzの周波数で順次、走査電圧を印加することによって、TFT50が順次ON状態とされ、信号電圧が印加される絵素容量40が順次選択される(線順次走査)。 Sequentially in Hz of frequency, by applying a scanning voltage, TFT 50 is sequentially turned ON, the pixel capacitor 40 of the signal voltage is applied are sequentially selected (line sequential scanning).
信号電圧は、この走査に同期しており、それぞれの絵素容量40に対応する階調電圧値を有してる。 Signal voltage is synchronized with the scanning, and a gradation voltage corresponding to each picture element capacitor 40. 絵素容量4 Picture element capacity 4
0は、TFT50がON状態にある期間に印加された電圧を1フィールド期間(または1フレーム期間)に亘って保持する。 0 holds over a voltage TFT50 is applied to the period in the ON state in one field period (or one frame period). 絵素容量40を液晶容量42だけで構成すると、液晶容量42の漏れ電流によって電圧が低下するので、これを抑制・防止するために補助容量44が設けられている。 If the pixel capacitance 40 constitutes only a liquid crystal capacitor 42, since the voltage drops due to the leakage current of the liquid crystal capacitance 42, the auxiliary capacitor 44 is provided in order to suppress and prevent this.

【0006】TFT型液晶表示装置400の絵素領域の具体的な構成を図4を参照しながら説明する。 [0006] The specific configuration of the pixel region of the TFT type liquid crystal display device 400 with reference to FIG. 4 will be described. 図4は、 Figure 4,
TFT型液晶表示装置400の絵素領域の模式的な平面図である(例えば、特開平9−281524号公報参照)。 Is a schematic plan view of a pixel region of the TFT type liquid crystal display device 400 (e.g., see Japanese Patent Laid-Open No. 9-281524). TFT型液晶表示装置400は、TFT基板と、 TFT-type liquid crystal display device 400 includes a TFT substrate,
カラーフィルタ基板(または対向基板)と、これらの間に設けられた液晶層とを有している。 A color filter substrate (or the counter substrate), and a liquid crystal layer provided therebetween. 簡単さのために、 For the sake of simplicity,
図4には、TFT基板の構成だけを示している。 Figure 4 shows only the configuration of the TFT substrate.

【0007】TFT基板400aは、透明基板(例えば、ガラス基板)と、ガラス基板上に形成されたTFT [0007] TFT substrate 400a includes a transparent substrate (e.g., glass substrate) and, formed on a glass substrate TFT
50と、TFT50に接続された、走査配線52、信号配線54および絵素電極42aとを有している。 50, connected to the TFT 50, the scanning lines 52, and a signal line 54 and the pixel electrode 42a. TFT TFT
基板400aは、さらに、補助容量電極44と、補助容量共通配線46とを有している。 Substrate 400a further has an auxiliary capacitance electrode 44, and an auxiliary capacitor common line 46.

【0008】TFT50のゲート電極G、走査配線52 [0008] The gate electrode G of the TFT 50, the scanning lines 52
および補助容量共通配線46を覆うように、典型的には、TFT基板400aのほぼ全面に、ゲート絶縁膜(不図示)が形成されている。 And so as to cover the auxiliary capacitance common line 46, typically over substantially the entire surface of the TFT substrate 400a, a gate insulating film (not shown) is formed. ゲート絶縁膜上に、TF On the gate insulating film, TF
T50を構成する半導体層(ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を含む)と、信号配線54と、補助容量電極44と、接続配線64とが形成されている。 The semiconductor layer constituting the T50 (source region, a channel region, a drain region), and the signal wiring 54, and the storage capacitor electrode 44, and the connection wiring 64 is formed. 接続配線64は、TFT50のドレイン電極Dと補助容量電極44aとを互いに電気的に接続している。 Connection wiring 64 connects the auxiliary capacitance electrode 44a and the drain electrode D of the TFT50 electrically to each other.

【0009】さらに、これらを覆うように、TFT基板のほぼ全面に絶縁層(不図示)が形成されており、この絶縁層上に絵素電極42aが形成されている。 Furthermore, so as to cover substantially the entire surface insulating layer of the TFT substrate (not shown) are formed, the pixel electrode 42a is formed on the insulating layer. 絵素電極42aは、この絶縁層に形成されたコンタクトホール内において、補助容量電極44のコンタクトホール部44 Picture element electrodes 42a, within a contact hole formed in the insulating layer, a contact hole portion 44 of the auxiliary capacitance electrode 44
hと電気的に接続されている。 h and are electrically connected to each other. すなわち、絵素電極42 That is, the picture element electrode 42
aは、補助容量電極44および接続電極64を介して、 a via an auxiliary capacitance electrode 44 and the connection electrodes 64,
TFT50のドレイン電極Dに電気的に接続されている。 It is electrically connected to the drain electrode D of the TFT 50.

【0010】液晶容量42は、絵素電極42aと、絵素電極42aに対向する対向電極(不図示)と、これらの間の液晶層(不図示)によって構成されている。 [0010] The liquid crystal capacitor 42, and the pixel electrode 42a, a counter electrode opposed to the pixel electrode 42a (not shown), and a liquid crystal layer between them (not shown). 補助容量44は、補助容量電極44と補助容量共通配線46 Auxiliary capacitor 44, the auxiliary capacitance electrode 44 auxiliary capacitance common line 46
と、これらの間に位置するゲート絶縁膜(不図示)によって構成されている。 When, and a gate insulating film positioned therebetween (not shown). 絵素電極42aおよび補助容量電極44はTFT50のドレイン電極Dに接続されており、補助容量共通配線46には、対向電極(不図示)と同じ電圧が印加されるように構成されている。 Picture element electrodes 42a and the auxiliary capacitance electrode 44 is connected to the drain electrode D of the TFT 50, the auxiliary capacitance common line 46, the same voltage as the counter electrode (not shown) is configured to be applied. このようにして、液晶容量42と、液晶容量42に並列に接続された補助容量44が絵素容量40を構成している。 In this way, a liquid crystal capacitor 42, the auxiliary capacitor 44 connected in parallel to the liquid crystal capacitance 42 constitutes a picture element capacitance 40. 液晶層が、液晶容量42に印加された電圧に応じた配向状態をとり、その光学特性が変化すること(電気光学特性) The liquid crystal layer, taking the orientation state corresponding to the voltage applied to the liquid crystal capacitor 42, its optical characteristics are changed (electro-optical properties)
を利用して、表示が行われる。 Using, display is performed.

【0011】種々のタイプの液晶層を用いたTFT型液晶表示装置が実用化されている。 [0011] Various types TFT type liquid crystal display device using a liquid crystal layer of has been put to practical use. 特に、90°ツイスト配向のネマティック液晶層を用いたツイステッドネマティック(以下、「TN型」と称する。)の液晶表示装置が最も広く利用されている。 In particular, twisted nematic using a nematic liquid crystal layer of the 90 ° twist orientation (hereinafter, referred to as "TN-type".) The liquid crystal display device is most widely used. TN型液晶表示装置は、電圧無印加時に白表示を行う、ノーマリホワイトモード(以下、「NWモード」と称する。)として一般的に利用されている。 TN-type liquid crystal display device, a white display when no voltage is applied, a normally white mode (hereinafter, referred to as "NW mode".) Are commonly used as.

【0012】 [0012]

【発明が解決しようとする課題】TFT型液晶表示装置は広く利用されるているが、TFT基板の構造が複雑である上、ディスプレイパネルの大型化や高精細化に進展に伴う、絵素数の増加や、微細化のために、表示欠陥となる絵素の発生率が上昇している。 Although the TFT type liquid crystal display device [0005] is being widely used, on the structure of the TFT substrate is complicated, due to progress in size and high definition of the display panel, the number of picture elements growth and, for miniaturization, the incidence of the picture element to be displayed defects are increased. すなわち、TFT型液晶表示装置の製造の歩留まりが低いという問題がある。 That is, the yield of production of TFT type liquid crystal display device is low.

【0013】これまで、TFTの不良や配線(走査配線や信号配線)の起因する表示欠陥を修正するために、一絵素に対して複数のTFTや、複数の配線を設けれるなど、冗長構造を利用する方法が検討されているが、補助容量に起因する表示欠陥を修正するための構造や方法は検討されていない。 [0013] Until now, in order to correct the display defect caused by the failure or wiring TFT (scanning wirings and signal wirings), and a plurality of TFT for one pixel, such as a plurality of lines, the redundant structure has been studied a method of utilizing the structure and method for correcting a display defect caused by the auxiliary capacitor is not considered.

【0014】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置およびその欠陥修正方法を提供することにより、液晶表示装置の製造歩留まりを向上することにある。 [0014] The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a liquid crystal display device and a defect correction method that fixes the display defects caused by the defects of the storage capacitor is provided an easy structure by, it is to improve the manufacturing yield of the liquid crystal display device.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の絵素容量と、前記複数の絵素容量のそれぞれに電気的に接続された薄膜トランジスタとを有し、前記複数の絵素容量のそれぞれは、液晶容量と、前記液晶容量に電気的に並列に接続された補助容量とを有し、前記液晶容量は、第1基板に形成された絵素電極と、第2基板に形成された対向電極と、前記絵素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有し、前記補助容量は、前記第1基板に形成された補助容量共通配線および補助容量電極と、前記補助容量共通配線と前記補助容量電極との間に設けられた第1絶縁層とを有し、前記第1基板は、前記薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続された走査配線と、前記薄膜 Means for Solving the Problems] The liquid crystal display device of the present invention includes a plurality of picture elements capacity arranged in a matrix, and a TFT electrically connected to each of the plurality of picture element capacitance , each of the plurality of picture element capacitance, a liquid crystal capacitor, the an auxiliary capacitor electrically connected in parallel to the liquid crystal capacitor, the liquid crystal capacitance, and the pixel electrode formed on the first substrate a counter electrode formed on the second substrate, and a liquid crystal layer provided between the pixel electrode and the counter electrode, the storage capacitor is an auxiliary capacitor common formed on the first substrate a wiring and the auxiliary capacitance electrode, and a first insulating layer provided between the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance common line, the first substrate is connected to the thin film transistor, the gate electrode of the thin film transistor and scanning lines which are, the thin film ランジスタのソース電極に接続された信号配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記補助容量電極とを電気的に互いに接続する第1接続配線と、少なくとも前記ドレイン電極、前記補助容量電極および前記第1接続配線の上に形成された第2 A signal line connected to the source electrode of the transistor, a first connection wiring electrically connected to one another and said auxiliary capacitance electrode and the drain electrode of the thin film transistor, at least the drain electrode, the storage capacitor electrode and the first connection the second formed on the wiring
絶縁層とをさらに有し、前記絵素電極は、前記第2絶縁層上に形成されており、前記補助容量電極上に位置する前記第2絶縁層に形成された第1コンタクトホール内において、前記補助容量電極に接続されており、前記補助容量電極は、第1、第2および第3領域を有し、前記第1領域は、前記接続配線と接続される接続端と、前記第1コンタクトホール内に露出されるコンタクト部とを含み、前記第2領域は、前記第1領域および前記第2領域よりも幅の狭い前記第3領域を介して、前記第1領域と電気的に接続されており、前記第3領域は、前記補助容量共通配線と重ならない位置に形成されている構成を備え、そのことによって上記目的が達成される。 Further comprising an insulating layer, the picture element electrode, the is formed on the second insulating layer, the first contact hole formed on the second insulating layer disposed on the storage capacitor electrode, wherein is connected to the storage capacitor electrode, the storage capacitor electrode, first, a second and a third region, said first region includes a connection end connected to the connection wiring, the first contact and a contact portion exposed in the hole, the second region, the first through the region and the narrower the third region width than the second region, is connected to the first region and the electrically and, the third region has a configuration which is formed at a position that does not overlap with the storage capacitor common line, the object is met.

【0016】本発明の液晶表示装置の欠陥修正方法は、 The defect correction method of the liquid crystal display device of the present invention,
上述の構成を備える液晶表示装置について、前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容量を特定する工程と、前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第3領域を切断することによって、前記第1領域と前記第2領域とを互いに電気的に切断する工程とを包含し、そのことによって上記目的が達成される。 A liquid crystal display device having the above configuration, identifying a pixel capacitance exhibiting display defects from among the plurality of picture element capacitance, the third region of the storage capacitor electrodes of the pixel capacitance which is the specific by cutting, includes a step of cutting the said first region and the second region electrically to each other, the above-mentioned object can be achieved by it.

【0017】本発明の液晶表示装置は、前記第1基板は、前記第1絶縁層の下部に形成された修正用接続電極をさらに有し、前記絵素電極は、前記修正用接続電極上に位置する前記第1絶縁層に形成された第2コンタクトホール内において、前記修正用接続電極と接続されており、前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第3 The liquid crystal display device of the present invention, the first substrate has the first further modifications connection electrode formed on the lower portion of the insulating layer, the picture element electrode, the modified connector electrodes on in the second contact hole formed on the first insulating layer located, it is connected with the correction connection electrode, the third of the auxiliary capacitor electrode from the drain electrode
領域に至る接続経路の一部および、前記補助容量電極の前記第2領域の一部または前記第2領域から延設された第2接続配線が、前記第1絶縁層を介して前記修正用接続電極に対向するように配置されている構成を備えることが好ましい。 Part of the connection path in the region and a second connection wiring said extended from a part or the second region of the second region of the auxiliary capacitor electrode, connecting the correction through the first insulating layer it is preferable to provide a configuration that is disposed so as to face the electrode.

【0018】前記修正用接続電極は、前記ゲート電極と、前記走査配線と、前記補助容量共通配線と同一の導電層から形成されていることが好ましい。 [0018] The modified connection electrode, said gate electrode, and the scanning lines, it is preferably formed from the auxiliary capacitor common line and same conductive layer.

【0019】本発明の液晶表示装置の欠陥修正方法は、 The defect correction method of the liquid crystal display device of the present invention,
修正用接続電極を備える上述の液晶表示装置について、 For the liquid crystal display device described above with a modified connecting electrode,
前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容量を特定する工程と、前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第3領域を切断することによって、前記第1領域と前記第2領域とを互いに電気的に切断する工程と、前記絵素電極と前記補助容量電極とを互いに電気的に切断する工程と、 前記第1接続電極配線と前記補助容量電極の前記接続端とを互いに電気的に切断する工程と、前記第1絶縁層を介して前記修正用接続電極に対向するように配置されている、前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第3領域に至る接続経路の前記一部および、前記補助容量電極の前記第2領域の前記一部または前記第2領域から延設された前記第2接続配線を、それぞれ前記修正用接続電極に電気的に接続する工程とを包含してもよ Identifying a pixel capacitance exhibiting display defects from among the plurality of picture element capacitance by cutting the third region of the storage capacitor electrodes of the pixel capacitance which is the specific, and the first region said connection end of said a step of the second region to electrically disconnect each other, the picture element electrode and the storage capacitance and a step of electrically disconnecting the electrodes from each other, the storage capacitor electrode and the first connection electrode wirings a step of electrically disconnecting each other bets, the first being disposed so as to face the connecting electrode for the correction through the insulating layer, connecting leads to the third region of the storage capacitor electrode from the drain electrode the portion of the route and the step of connecting the said part or the second connection wiring extending from the second region of the second region of the storage capacitor electrode, in each electrically to said modified connection electrode also encompasses the door い。 There.

【0020】前記ソース電極と前記ドレイン電極とを前記ゲート電極を介して互いに電気的に短絡させる工程と、前記ゲート電極と前記走査配線とを互いに電気的に切断する工程と、前記補助容量電極の前記第2領域の前記一部または前記第2領域から延設された前記第2接続配線と、前記修正用接続電極との電気的な接続を切断する工程とを包含してもよい。 [0020] a step of short-circuiting the said drain electrode and the source electrode electrically to each other via the gate electrode, and a step of cutting the gate electrode and the scanning lines electrically to each other, of the storage capacitor electrode and the second connection wiring extending from the part or the second region of the second region, may include a step of cutting the electrical connection between the correction connection electrode.

【0021】以下に、本発明の作用を説明する。 [0021] In the following, a description will be given of the operation of the present invention.

【0022】本発明の液晶表示装置が備える補助容量電極は、第1、第2および第3の領域を有している。 The auxiliary capacitance electrode included in the liquid crystal display device of the present invention includes a first, second and third regions. 第3 Third
領域は、第1および第2領域よりも狭い幅を有しているので、例えば、レーザ光を照射することによって容易に切断することができる。 Region, since it has a width narrower than the first and second regions, for example, can be easily cut by laser light irradiation. 第2領域は、ドレイン電極に接続されている第1領域に、第3領域を介して接続されているので、第3領域を切断することによって、第2領域はドレイン電極から電気的に切断される。 The second region, the first region being connected to the drain electrode, since it is connected through the third region, by cutting the third region, the second region is electrically disconnected from the drain electrode that. 従って、補助容量電極の第2領域が関与する表示欠陥(例えば、補助容量電極の第2領域と補助容量共通配線との短絡に起因する欠陥)は、上記の操作によって修正される。 Accordingly, display defects second region of the storage capacitor electrode is involved (e.g., defects due to short-circuiting of the second region of the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance common line) is modified by the above procedure.

【0023】第3領域を補助容量共通配線と重ならない位置に形成しておけば、第3領域にレーザ光を照射する工程において、補助容量共通配線にダメージを与えることが防止されるとともに、切断すべき位置を光学的に(例えばルーペを用いて)容易に確認することができる。 [0023] by forming a position that does not overlap with the third region auxiliary capacitance common line, in the step of irradiating the laser beam in the third area, while being prevented from damage to the storage capacitor common wire, cut the should do position (using, for example loupe) optically it can be easily confirmed.

【0024】上述の構成では、補助容量電極の第1領域が関与する表示欠陥(例えば、補助容量電極の第1領域と補助容量共通配線との短絡に起因する欠陥)を修正することができないが、以下の構成を採用することによって、第1領域が関与する表示欠陥を修正することが可能となる。 [0024] In the above configuration, the display defect first region of the storage capacitor electrode is involved (e.g., defects due to short-circuiting of the first region of the storage capacitor electrode and the auxiliary capacitance common wiring) but can not be corrected , by employing the following configuration, it is possible to correct the display defect first region is involved.

【0025】第1絶縁層の下部(すなわち、補助容量共通配線と同じレベル)に修正用接続電極を設け、第1絶縁層に設けた第2コンタクトホールを介して修正用接続電極を絵素電極とを電気的に互いに接続しておく。 The lower portion of the first insulating layer (i.e., the same level as the auxiliary capacitance common wiring) to fix connection electrode provided on the second connecting electrode modified through a contact hole formed in the first insulating layer picture element electrode keep electrically connected to each other and. ドレイン電極から補助容量電極の第3領域に至る接続経路の一部(すなわち、接続電極または補助容量電極の第1領域の一部)および、補助容量電極の第2領域の一部または第2領域から延設された第2接続配線が、第1絶縁層を介して、この修正用接続電極に対向するように配置しておく。 Part of the connection path from the drain electrode to the third region of the auxiliary capacitor electrode (i.e., the first region part of the connecting electrodes or the storage capacitor electrode) and a part or the second region of the second region of the storage capacitor electrode second connection wiring that extends from and through the first insulating layer, should be placed so as to face the fix connection electrode. 製造されたままの状態(欠陥修正されるまで) State of being produced (until defect correction)
では、修正用接続電極は、絵素電極以外の電極や配線とは電気的に接続されていない。 In, for correction connection electrode, the electrode and the wiring other than the picture element electrodes are not electrically connected.

【0026】修正用接続電極は、上述したように、補助容量電極の第2領域をドレイン電極から電気的に切断しても表示欠陥が修正されない場合に、補助容量電極の第1領域をドレイン電極および絵素電極から電気的に切断した状態で、第2領域を再びドレイン電極に電気的に接続するために用いられる。 The modified connection electrodes, as described above, assists the second region of the capacitor electrode if be electrically disconnected from the drain electrode does not fix the display defect, the first region to the drain electrode of the auxiliary capacitor electrode and the picture element electrode in a state in which electrically disconnected was used to electrically connect again the drain electrode of the second region. すなわち、補助容量電極の第1領域が関与する表示欠陥を修正するために用いられる。 That is, the first region of the storage capacitor electrode is used to modify the display defect involved.

【0027】修正用接続電極は以下の様にして、ドレイン電極および補助容量電極の第2領域と電気的に接続される。 The modified connection electrodes in the following manner, is electrically connected to the second region of the drain electrode and the storage capacitor electrode.

【0028】第1絶縁層を介して修正用接続電極に対向するように形成された、ドレイン電極から補助容量電極の第3領域に至る接続経路の一部(導体層)に、例えばレーザ光を照射することによって、第1絶縁層にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって溶融された導体層が、第1絶縁層に形成されたコンタクトホール内に流れ込み、修正用接続電極がドレイン電極に電気的に接続される。 [0028] formed so as to face the modified connection electrode via the first insulating layer, a part of the connection path from the drain electrode to the third region of the auxiliary capacitor electrode (conductive layer), for example, a laser beam by irradiating, with a contact hole is formed in the first insulating layer, a conductor layer which has been melted by the laser beam irradiation, flows into the first contact hole formed in the insulating layer, the drain electrode for correction connection electrode It is electrically connected to. 同様に、第1絶縁層を介して修正用接続電極に対向するように形成された、補助容量電極の第2領域の一部または第2領域から延設された第2接続配線(導体層)に、例えばレーザ光を照射することによって、第1絶縁層にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって溶融された導体層が、第1絶縁層に形成されたコンタクトホール内に流れ込み、修正用接続電極が補助容量電極の第2領域に電気的に接続される。 Similarly, it formed to face the correction connection electrode via the first insulating layer, a second connection wiring extending from a part or the second region of the second region of the auxiliary capacitor electrode (conductive layer) to, for example, by irradiating a laser beam, with a contact hole is formed in the first insulating layer, a conductor layer which has been melted by the laser beam irradiation, it flows into the contact hole formed in the first insulating layer, modified is use connection electrodes are electrically connected to the second region of the storage capacitor electrode. なお、補助容量電極の第1領域をドレイン電極および絵素電極から電気的に切断する工程は、 The step of the first region is electrically disconnected from the drain electrode and the pixel electrode of the storage capacitor electrode,
例えば、レーザ光照射によって実行することができる。 For example, it may be performed by laser beam irradiation.

【0029】上述の操作を行っても表示欠陥が修正されない場合、ソース電極とドレイン電極とをゲート電極を介して互いに電気的に短絡させ、ゲート電極を走査配線から電気的に切断し、且つ、補助容量電極の第2領域と修正用接続電極との電気的な接続を切断することによって、絵素電極の電位をソース電極の電位と常に同じにすることができる。 In the case even after the above operation does not fix the display defects, and a source electrode and a drain electrode through the gate electrode were electrically shorted together, and electrically disconnected gate electrode from the scanning lines, and, by cutting the electrical connection between the second region and for correction connection electrode of the auxiliary capacitor electrode, can be a potential of the picture element electrode is always equal to the potential of the source electrode. 従って、表示欠陥を呈していた絵素は、常に点灯状態となり、視認されにくくなる。 Accordingly, the picture element which has exhibited a display defect, always lit, becomes less visible. 特に、 In particular,
NWモードの液晶表示装置においては、輝点欠陥が暗点欠陥となるので、表示品位の低下が効果的に抑制される。 In the liquid crystal display device of the NW mode, the luminance point defect becomes dark spot defect, deterioration of display quality can be effectively suppressed.

【0030】 [0030]

【発明の実施の形態】図面を参照しながら本発明による実施形態のTFT型液晶表示装置を説明する。 With reference to the DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The drawings illustrating a TFT-type liquid crystal display device of the embodiment of the present invention. 本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、補助容量を備えるTFT型液晶表示装置に広く適用できる。 The present invention is not limited to the following embodiments, it can be widely applied to TFT liquid crystal display device comprising an auxiliary capacitance.

【0031】図1、図2Aおよび図2Bを参照しながら、本発明による実施形態のTFT型液晶表示装置10 [0031] Figure 1, with reference to FIGS. 2A and 2B, TFT type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention 10
0を説明する。 0 will be described. 液晶表示装置100は、図4に示した従来のTFT型液晶表示装置400と同様に、図3に示した等価回路であらわされる。 The liquid crystal display device 100, like the conventional TFT-type liquid crystal display device 400 shown in FIG. 4, represented by an equivalent circuit shown in FIG. 補助容量の欠陥を修正するための構造を有している点で、従来のTFT型液晶表示装置400と異なる。 In that it has a structure to correct defects of the storage capacitor, different from the conventional TFT-type liquid crystal display device 400. 図2Aおよび図2Bは、それぞれ図1中の2A−2A'線および2B−2B'線に沿った断面図である。 2A and 2B are a cross-sectional view taken along line 2A-2A 'and 2B-2B' line respectively in Figure 1.

【0032】液晶表示装置100のTFT基板100a The TFT substrate 100a of the liquid crystal display device 100
は、透明基板(例えば、ガラス基板)11と、ガラス基板上に形成されたTFT50と、TFT50に接続された、走査配線52、信号配線54および絵素電極42a A transparent substrate (e.g., glass substrate) 11, a TFT 50 formed on the glass substrate, which is connected to the TFT 50, the scanning lines 52, signal lines 54 and the pixel electrode 42a
と、を有している。 And, the has. TFT基板100aは、さらに、補助容量電極14と、補助容量共通配線16と、修正用接続電極18と、第1接続配線24と、第2接続配線26 TFT substrate 100a further includes a storage capacitor electrode 14, and the auxiliary capacitance common line 16, and fixes a connection electrode 18, and the first connection wiring 24, the second connection wiring 26
とを有している。 And it has a door.

【0033】TFT50のゲート電極G、走査配線5 The gate electrode G of the TFT 50, the scanning lines 5
2、補助容量共通配線16および修正用接続電極26 2, auxiliary capacitor common line 16 and modified connector electrodes 26
は、同じ金属層(例えば、Ta層)をパターニングすることによって形成されている。 The same metal layer (e.g., Ta layers) are formed by patterning a. このような構成を採用することによって、製造プロセスの増加を抑制できる利点が得られる。 By adopting such a configuration, the advantage of suppressing an increase in manufacturing process is obtained. 勿論、他の導電層(例えばITO層)を含む積層構造としてもよい。 Of course, it may have a stacked structure including another conductive layer (e.g., ITO layer).

【0034】TFT50のゲート電極G、走査配線5 The gate electrode G of the TFT 50, the scanning lines 5
2、補助容量共通配線16および修正用接続電極26を覆うように、典型的には、TFT基板100aのほぼ全面に、ゲート絶縁膜(例えばSiNx層)17が形成されている。 2, so as to cover the auxiliary capacitance common line 16 and modified connecting electrode 26, typically over substantially the entire surface of the TFT substrate 100a, a gate insulating film (e.g., SiNx layer) 17 is formed. ゲート絶縁膜17上に、TFT50を構成する半導体層(チャネル領域(例えばa−Si層)、ソース領域およびドレイン領域(n + −Si層)を含む:不図示)と、ソース電極Sと、ドレイン電極Dと、信号配線54と、補助容量電極14と、第1接続配線24および第2接続配線26とが形成されている。 On the gate insulating film 17, the semiconductor layer constituting the TFT 50 (channel region (e.g., a-Si layer), comprising a source region and a drain region (n + -Si layer): not shown), a source electrode S, a drain the electrode D, and the signal wiring 54, and the storage capacitor electrode 14, a first connection wiring 24 and the second connection wiring 26 is formed. ソース電極S、ドレイン電極D、信号配線54、補助容量電極1 A source electrode S, drain electrode D, the signal line 54, the auxiliary capacitance electrode 1
4、第1接続配線24および第2接続配線26は、同じ金属層(例えばTa層)をパターニングすることによって形成されている。 4, the first connection wiring 24 and the second connection wiring 26 is formed by patterning the same metal layer (e.g., Ta layers). 勿論、他の導電層(例えばITO Of course, other conductive layer (e.g. ITO
層)を含む積層構造としてもよい。 Layer) or a stacked structure including.

【0035】補助容量電極14は、第1領域14aと、 The storage capacitor electrode 14, a first region 14a,
第2領域14bと、第3領域14cとを備えている。 And it includes a second region 14b, and a third region 14c. 補助容量電極14の第1領域14aおよび第2領域14b The first region 14a and second region 14b of the storage capacitor electrode 14
は、補助容量共通配線16よりも幅が広く、第3領域1 Is wider than the auxiliary capacitance common line 16, the third region 1
4cは、第1領域14aおよび第2領域14bよりも幅が狭く形成されている。 4c, the width than the first region 14a and second region 14b is formed narrow. 言い換えると、補助容量電極は、その中央部にくびれた(幅の狭い)領域(第3領域14c)を有している。 In other words, the storage capacitor electrode has constricted at its center a (narrow) region (third region 14c). さらに、第3領域14cは、補助容量共通配線16と重ならない位置に形成されている。 Further, the third region 14c is formed in a position not overlapping the auxiliary capacitance common line 16. 補助容量電極14は、ゲート絶縁膜17を介して補助容量共通配線16と対向し、補助容量44(図3参照)を構成する。 The storage capacitor electrode 14 faces the auxiliary capacitor common line 16 via a gate insulating film 17, constituting the auxiliary capacitance 44 (see FIG. 3).

【0036】第1接続配線24は、TFT50のドレイン電極Dと補助容量電極14とを互いに電気的に接続しており、且つ、その分岐部24aの一部がゲート絶縁膜17を介して修正用接続電極18と対向するように形成されている。 The first connection wiring 24 is connected to the drain electrode D of the TFT50 and the auxiliary capacitor electrode 14 electrically to each other, and, for the fix part of the branch portion 24a via the gate insulating film 17 It is formed so as to face the connecting electrode 18. 第1接続電極24と補助容量電極14とが互いに接続される接続端14tは、補助容量電極14の第1領域14a内にある。 Connection end 14t of the first connection electrode 24 and the auxiliary capacitance electrodes 14 are connected to each other is in the first region 14a of the auxiliary capacitance electrode 14. 第2接続配線26は補助容量電極14の第2領域14bから延設されており、その一部がゲート絶縁膜17を介して修正用接続電極18と対向するように形成されている。 The second connection wiring 26 is formed so as to have extended from the second region 14b of the storage capacitor electrode 14, part of which faces the modified connection electrode 18 via the gate insulating film 17.

【0037】さらに、これらを覆うように、TFT基板100aのほぼ全面に絶縁層(例えば、約2μmの樹脂層)19が形成されており、この絶縁層19上に絵素電極(例えばITO層)42aが形成されている。 Furthermore, these so as to cover substantially the entire surface insulating layer (e.g., about 2μm of the resin layer) 19 is formed, the pixel electrode (e.g. ITO layer) on the insulating layer 19 of the TFT substrate 100a 42a is formed. TFT TFT
基板100aの表面をほぼ平坦にできる比較的厚い絶縁層19を形成すると、絵素電極42aをTFT50、走査配線52や信号配線54の一部と重畳するように形成できるので、開口率を向上することができる。 By forming a relatively thick insulating layer 19 as possible surface of the substrate 100a substantially flat, the picture element electrode 42a TFT 50, can be formed so as to overlap with part of the scanning lines 52 and signal lines 54, thereby improving the aperture ratio be able to. 絶縁層1 Insulating layer 1
9を複数の層(例えば、SiNxなどの無機材料からなる層と樹脂層との積層構造)から形成してもよい。 9 a plurality of layers (e.g., SiNx stacked structure of a layer and a resin layer made of an inorganic material such) may be formed from.

【0038】絵素電極42aは、この絶縁層19に形成されたコンタクトホール19a内において、補助容量電極14のコンタクトホール部14hと電気的に接続されている(図2A参照)。 The picture element electrode 42a, this in the contact hole 19a formed in the insulating layer 19, are contact hole 14h electrically connected to the auxiliary capacitance electrode 14 (see FIG. 2A). 絵素電極42aと補助容量電極14とが電気的に接続されるコンタクトホール部14h Contact holes 14h which the pixel electrode 42a and the storage capacitor electrode 14 are electrically connected
は、補助容量電極14がドレイン電極Dに電気的に接続される接続端14tと同様に、第1領域14a内に形成されている。 The auxiliary capacitance electrode 14 is similar to the connection end 14t electrically connected to the drain electrode D, and is formed in the first region 14a. 絵素電極42aは、また、絶縁層19に形成されたコンタクトホール19aおよびゲート絶縁層1 Picture element electrode 42a is also a contact hole 19a formed in the insulating layer 19 and the gate insulating layer 1
7に形成されたコンタクトホール17aを介して、修正用接続電極18のコンタクト領域18hと電気的に接続されている。 Via a contact hole 17a formed in the 7, it is connected contact areas 18h electrically correction connection electrode 18. TFT基板100aの製造プロセスでは、 In the manufacturing process of the TFT substrate 100a,
修正用接続電極18は、絵素電極42a以外の電極や配線に接続されおらず、絵素電極42aは、補助容量電極14および第1接続電極24を介して、TFT50のドレイン電極Dに電気的に接続されている。 Fixed connection electrode 18 is not connected to an electrode or a wiring other than the picture element electrode 42a, the pixel electrode 42a via a storage capacitor electrode 14 and the first connection electrode 24, electrically to the drain electrode D of the TFT50 It is connected to the.

【0039】上述のような構成を有するTFT基板10 The TFT substrate 10 having the above-described structure
0aは、公知の製造プロセスで製造することができる。 0a can be produced by known production processes.
得られたTFT基板100aと、別途形成されたカラーフィルタ基板(不図示)とを用いて、常法に従って液晶表示装置100を作製することができる。 The TFT substrate 100a obtained by using a color filter substrate which is formed separately (not shown), it is possible to produce a liquid crystal display device 100 according to a conventional method. 本発明に液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ基板(対向基板) A color filter substrate used in a liquid crystal display device of the present invention (counter substrate)
や液晶層に特に制限はない。 There is no particular limitation to, a liquid crystal layer.

【0040】上述した構成を有する液晶表示装置100 The liquid crystal display device having the above-described configuration 100
の表示欠陥は、以下のようにして修正することができる。 Display defects may be modified as follows. 液晶表示装置100は、表示欠陥が補助容量44の欠陥(例えば、補助容量電極14と補助容量共通配線1 The liquid crystal display device 100, a defect of the display defect is an auxiliary capacitor 44 (e.g., a storage capacitor electrode 14 auxiliary capacitance common line 1
6との短絡不良)に起因する表示欠陥を修正することができる。 It is possible to modify the display defect due to short circuit) between 6.

【0041】まず、絵素容量40のなかから表示欠陥を呈する絵素容量40を特定する。 [0041] First of all, to identify the pixel capacity 40 exhibits a display defect from among the pixel capacity 40. 例えば、液晶表示装置100を表示動作し、欠陥絵素を目視で(例えばルーペを用いて)特定する。 For example, the display operation of the liquid crystal display device 100, the defect pixel visually (e.g., using a loupe) identifying. 特定された絵素容量40の補助容量電極14の第3領域14cに、例えばレーザ光を照射し、第1領域14aと第2領域14bとを互いに電気的に切断する(切断箇所:図1中のX1)。 The third region 14c of the storage capacitor electrode 14 of the pixel capacitance 40 is identified, for example, a laser beam is irradiated, electrically disconnecting the first region 14a and the second region 14b from each other (cut portion: in Figure 1 of X1). レーザ光照射による補助容量電極14の第3領域14cの切断は、公知の方法で実施することができる。 Cleavage of the third region 14c of the storage capacitor electrode 14 by the laser beam irradiation can be carried out by a known method.

【0042】第3領域14cは、第1領域14aおよび第2領域14bよりも狭い幅を有しているので、容易に切断することができる。 The third region 14c, so has a width narrower than the first region 14a and second region 14b, it is possible to easily cut. また、第3領域14cは補助容量共通配線16と重ならない位置に形成されているので、第3領域にレーザ光を照射する工程において、補助容量共通配線16にダメージを与えることが防止されるとともに、切断すべき位置を光学的に容易に確認することができる。 Further, since the third region 14c is formed in a position that does not overlap the auxiliary capacitance common line 16, in the step of irradiating the laser beam in the third area, while being prevented from damaging the auxiliary capacitance common line 16 , it is possible to confirm the position to be cut optically easily.

【0043】このようにして、補助容量電極14の第2 [0043] Thus, the second auxiliary capacitance electrodes 14
領域14bを第1領域14aから電気的に切断すると、 When electrically disconnects the area 14b from the first area 14a,
例えば、第2領域14bと補助容量共通配線16との短絡不良に起因する表示欠陥が修正される。 For example, display defects caused short-circuited defect between the auxiliary capacitance common line 16 and the second region 14b is modified.

【0044】この後、上記の表示欠陥が修正されたか否かを確認し、表示欠陥が修正されていなかった場合には、以下の操作を行うことによって、補助容量電極14 [0044] Thereafter, to confirm whether the above-described display defect has been corrected, if that has not been corrected display defects by performing the following operations, the auxiliary capacitance electrode 14
の第1領域14aをTFT50のドレイン電極Dおよび絵素電極42aから電気的に切断した状態で、修正用接続電極18を介して第2領域14bを再びドレイン電極Dに電気的に接続する。 The first region 14a while electrically disconnected from the drain electrode D and the pixel electrode 42a of the TFT50 of electrically connects again the drain electrode D of the second region 14b through modification connecting electrode 18. すなわち、補助容量電極14の第1領域14aが補助容量共通配線16と短絡していることに起因する表示欠陥を修正する。 That is, the first region 14a of the auxiliary capacitance electrode 14 to correct the display defect due to shorting and the storage capacitor common line 16.

【0045】まず、補助容量電極14の第1領域14a [0045] First, a first region 14a of the auxiliary capacitance electrode 14
をドレイン電極Dおよび絵素電極42から電気的に切断する工程を説明する。 The explaining a process to be electrically disconnected from the drain electrode D and the pixel electrode 42. コンタクトホール14hの周辺(図1中の破線で示した箇所X2)に、例えばレーザ光を照射することによって、補助容量電極14の第1領域14aを絵素電極42から電気的に切断する。 Around the contact hole 14h (portion indicated by a broken line in FIG. 1 X2), for example, by irradiating a laser beam to electrically disconnect the first region 14a of the auxiliary capacitance electrode 14 from the pixel electrode 42. また、第1接続配線24の修正用接続電極18と重なるように形成された分岐部24aと接続端14tとの間(図1中のX3)に、例えばレーザ光を照射することによって、第1領域14aをドレイン電極Dから電気的に切断する。 Between the forming branch portions 24a and the connection terminal 14t so as to overlap with the modified connection electrodes 18 of the first connection line 24 (X3 in Fig. 1), by irradiating for example with a laser beam, a first electrically disconnecting the region 14a from the drain electrode D.

【0046】修正用接続電極18は、以下のようにして、補助容量電極14の第2領域14bおよびTFT5 The modified connection electrode 18, as follows, the second region 14b of the storage capacitor electrode 14 and the TFT5
0のドレイン電極Dに電気的に接続される。 It is electrically connected to the drain electrode D of the 0.

【0047】ゲート絶縁膜17を介して修正用接続電極18に対向するように形成された、ドレイン電極Dから補助容量電極14の第3領域14cに至る接続経路の一部(ここでは、第1接続電極24の分岐部24a)に、 [0047] formed so as to face the modified connection electrode 18 via the gate insulating film 17, part of the connection path from the drain electrode D in the third area 14c of the storage capacitor electrode 14 (here, the first the branch portion 24a of the connection electrode 24),
例えばレーザ光を照射することによって、ゲート絶縁膜17にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって溶融された第1接続電極24を構成する金属が、ゲート絶縁膜17に形成されたコンタクトホール内に流れ込み、修正用接続電極18がドレイン電極D By irradiating for example with a laser beam, with a contact hole is formed on the gate insulating film 17, the first metal constituting the connection electrode 24, a contact hole formed in the gate insulating film 17 which has been melted by laser beam irradiation It flows within, the correction connection electrode 18 drain electrode D
に電気的に接続される(図1中の接続点Y1)。 It is electrically connected to a (connection point Y1 in Fig. 1).

【0048】同様に、ゲート絶縁膜17を介して修正用接続電極18に対向するように形成された第2領域14 [0048] Similarly, the second region 14 formed so as to face the modified connection electrode 18 via the gate insulating film 17
bから延設された第2接続配線26に、例えばレーザ光を照射することによって、ゲート絶縁膜17にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって溶融された金属が、ゲート絶縁膜17に形成されたコンタクトホール内に流れ込み、修正用接続電極18が補助容量電極14の第2領域14bに電気的に接続される(図1中の接続点Y2)。 Second connecting wires 26 extended from b, for example, by irradiating a laser beam, with the contact hole in the gate insulating film 17 is formed, a metal that is melted by laser beam irradiation, the gate insulating film 17 flows the formed contact hole, for correction connection electrode 18 is electrically connected to the second region 14b of the storage capacitor electrode 14 (connection point Y2 in FIG. 1). なお、ここでは、第2接続配線26を設けたが、補助容量電極14の第2領域14b Note that, although the second connecting wire 26, the second region 14b of the storage capacitor electrode 14
の一部が修正用接続電極18と重畳する構成を採用することもできる。 It is possible to use a construction which partly overlap with the modified connection electrode 18.

【0049】なお、上述した、補助容量電極14の第1 [0049] Incidentally, the above-described first storage capacitor electrode 14
領域14aをTFT50のドレイン電極Dおよび絵素電極42aから電気的に切断する工程と、修正用接続電極18を介して第2領域14bを再びドレイン電極Dに電気的に接続する工程とは、どちらを先に実行しても良い。 A step of electrically disconnecting the region 14a from the drain electrode D and the pixel electrode 42a of the TFT 50, the step of electrically connecting again the drain electrode D of the second region 14b through modification connecting electrode 18, which it may be executed first. また、それぞれの工程における切断または接続を行う順序に制限はない。 Further, there is no limit to the order in which the cutting or connection in each step.

【0050】この後、上記の表示欠陥が修正されたか否かを確認し、例えば、補助容量値の不足などにより、表示欠陥が修正されていなかった場合には、TFT50のソース電極Sとドレイン電極Dとをゲート電極Gを介して互いに電気的に短絡させ、ゲート電極を走査配線から電気的に切断し、且つ、補助容量電極14の第2領域1 [0050] Thereafter, to confirm whether the above-described display defect has been corrected, for example, due to shortage of the storage capacitor value, if no fixes the display defect, the source electrode S and the drain electrode of the TFT50 and D through the gate electrode G electrically be short-circuited to each other, electrically cutting the gate electrode from the scanning line, and a second region of the storage capacitor electrode 14 1
4bと修正用接続電極18との電気的な接続を切断する。 4b and cutting the electrical connection between the modified connection electrode 18. このようにすると、絵素電極42aの電位をソース電極S(すなわち、信号配線54)の電位と常に同じにすることができる。 In this way, the potential of the picture element electrode 42a source electrode S (i.e., signal lines 54) can always be the same as the potential of. 従って、表示欠陥を呈していた絵素は、常に点灯状態となり、視認されにくくなる。 Accordingly, the picture element which has exhibited a display defect, always lit, becomes less visible. 特に、 In particular,
NWモードの液晶表示装置においては、輝点欠陥が暗点欠陥となるので、表示品位の低下が効果的に抑制される。 In the liquid crystal display device of the NW mode, the luminance point defect becomes dark spot defect, deterioration of display quality can be effectively suppressed.

【0051】TFT50のソース電極Sとドレイン電極Dと電気的に短絡させる工程は、特開平7−10431 [0051] TFT50 source electrode S and the drain electrode D and the electrically step of shorting the JP-7-10431
3号公報に開示されている方法を用いて実行することができる。 Can be performed using the method to 3 JP is disclosed. ソース電極Sおよびドレイン電極Dとゲート電極Gとの重畳部(図1中のY3およびY4)にレーザ光を照射することによって、半導体層(不図示)にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって溶融された金属が、形成されたコンタクトホール内に流れ込み、ソース電極Sおよびドレイン電極Dがゲート電極Gを介して互いに電気的に接続される。 Superimposing section between the source electrode S and the drain electrode D and the gate electrode G by applying a laser beam to (Y3 and Y4 in FIG. 1), the contact hole is formed in the semiconductor layer (not shown), the laser beam metal which has been melted by irradiation, flows into the formed contact hole, the source electrode S and the drain electrode D are electrically connected to each other via the gate electrode G.

【0052】上記の実施形態では、修正用接続電極18 [0052] In the above embodiment, for correction connection electrode 18
を設け、補助容量電極14の第1領域14aにおける不良に起因する表示欠陥をも修正できる構成を説明したが、修正用接続電極18を省略しても、補助容量電極1 The provided has been described can be modified also constitutes a display defect caused by failure in the first region 14a of the auxiliary capacitance electrodes 14, it is omitted for correction connection electrode 18, the auxiliary capacitance electrode 1
4の第2領域14bにおける不良に起因する表示欠陥を修正することができるので、液晶表示装置の製造歩留まりを従来よりも向上することができる。 It is possible to modify the display defects caused by failure in 4 of the second region 14b, it is possible to improve over conventional production yield of liquid crystal display device.

【0053】また、上記に実施形態では、補助容量電極14を2つの領域(第1領域14aと第2領域14b) [0053] In the embodiments above, the auxiliary capacitance electrodes 14 of two regions (first region 14a and the second region 14b)
に分割したが、3以上の領域に分割してもよい。 Was divided into, it may be divided into three or more regions. 但し、 However,
修正後に使用される補助容量電極の面積が小さくなりすぎると、補助容量値が不足するので、例示した2分割構造が好ましい。 If the area of ​​the auxiliary capacitance electrodes to be used after modification becomes too small, because the lack of an auxiliary capacitance, illustrated bisected structures are preferred. また、第1領域14aと第2領域14b The first region 14a and second region 14b
の面積は、それぞれの領域による容量値が略等しくなるように設定することが好ましい。 Area is preferably capacitance value by the respective regions is set to be substantially equal to each other. なお、修正用接続電極18を省略し、第1領域だけを用いる場合には、第1領域による容量値が十分得られるように、第2領域による容量値よりも第1領域による容量値が大きくなるように、補助容量電極14を分割してもよい。 Incidentally, omitted for correction connection electrode 18, in the case of using only the first region, as the capacitance value of the first region is obtained sufficiently, a large capacitance value by the first area than the capacitance value of the second region so that, the storage capacitor electrode 14 may be divided.

【0054】 [0054]

【発明の効果】本発明によれば、補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置およびその欠陥修正方法が提供され、その結果、液晶表示装置の製造歩留まりを向上することができる。 According to the present invention, a liquid crystal display device and a defect correction method that comprises the structure facilitating correction of display defects due to a defect of the storage capacitor is provided, as a result, the production yield of liquid crystal display device it can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明による実施形態のTFT型液晶表示装置100の模式的な平面図である。 1 is a schematic plan view of a TFT-type liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention.

【図2A】液晶表示装置100の模式的な断面図であり、図1中の2A−2A'線に沿った断面を示す。 Figure 2A is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device 100, showing a cross section taken along line 2A-2A 'in FIG.

【図2B】液晶表示装置100の模式的な断面図であり、図1中の2B−2B'線に沿った断面を示す。 Figure 2B is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device 100, shows a section along the 2B-2B 'line in FIG.

【図3】補助容量を備える従来のTFT型液晶表示装置400の等価回路示す模式図である。 3 is a schematic diagram showing an equivalent circuit of a conventional TFT type liquid crystal display device 400 with an auxiliary capacitor.

【図4】従来のTFT型液晶表示装置400の模式的な平面図である。 4 is a schematic plan view of a conventional TFT type liquid crystal display device 400.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 透明基板 14 補助容量電極 14a 補助容量電極の第1領域 14b 補助容量電極の第2領域 14c 補助容量電極の第3領域 14t 補助容量電極の接続端 16 補助容量共通配線 17 ゲート絶縁膜 18 修正用接続電極 24 第1接続配線 24a 第1接続配線の分岐部 26 第2接続配線 40 絵素容量 42 液晶容量 44 補助容量 50 TFT 52 走査配線 54 信号配線 100 液晶表示装置 100a TFT基板 11 transparent substrate 14 auxiliary capacitance electrode 14a auxiliary capacitor for the first region 14b second region 14c third region 14t auxiliary capacitance electrode connecting end 16 auxiliary capacitance common line 17 gate insulating film 18 fixes the auxiliary capacitor electrode of the storage capacitor electrode of the electrode connection electrode 24 first connecting wire 24a first connection line branch 26 second connecting wire 40 pixel capacitance 42 the liquid crystal capacitance 44 auxiliary capacitance 50 TFT 52 scanning lines 54 signal lines 100 liquid crystal display device 100a TFT substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 JA26 JB56 JB69 JB72 JB73 KA12 KB22 MA37 MA47 MA52 NA13 NA29 PA08 5C094 AA42 AA45 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 ED02 HA08 5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 FF03 GG02 GG15 HK09 NN02 NN03 NN24 NN27 NN73 5G435 AA17 AA19 BB12 GG12 KK05 KK10 LL04 LL08 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 2H092 JA26 JB56 JB69 JB72 JB73 KA12 KB22 MA37 MA47 MA52 NA13 NA29 PA08 5C094 AA42 AA45 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 ED02 HA08 5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 FF03 GG02 GG15 HK09 NN02 NN03 NN24 NN27 NN73 5G435 AA17 AA19 BB12 GG12 KK05 KK10 LL04 LL08

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された複数の絵素容量と、前記複数の絵素容量のそれぞれに電気的に接続された薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の絵素容量のそれぞれは、液晶容量と、前記液晶容量に電気的に並列に接続された補助容量とを有し、 A plurality of picture elements capacity 1. A arranged in a matrix, and a TFT electrically connected to each of the plurality of picture element capacitance, each of the plurality of picture element capacitance, LCD a capacity and, and connected to the auxiliary capacitor electrically in parallel with the liquid crystal capacitor,
    前記液晶容量は、第1基板に形成された絵素電極と、第2基板に形成された対向電極と、前記絵素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有し、前記補助容量は、前記第1基板に形成された補助容量共通配線および補助容量電極と、前記補助容量共通配線と前記補助容量電極との間に設けられた第1絶縁層とを有し、 前記第1基板は、前記薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続された走査配線と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続された信号配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記補助容量電極とを電気的に互いに接続する第1接続配線と、少なくとも前記ドレイン電極、前記補助容量電極および前記第1接続配線の上に形成された第2絶縁層とをさらに有し、 前記絵素電極は、 The liquid crystal capacitor includes a pixel electrode formed on the first substrate, a counter electrode formed on the second substrate, a liquid crystal layer provided between the pixel electrode and the counter electrode, the storage capacitor has a first auxiliary capacitor common line and the auxiliary capacitance electrode formed on a substrate, a first insulating layer provided between the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance common line, wherein the first substrate includes: the thin film transistor, a scanning line connected to the gate electrode of the thin film transistor, and the signal line connected to the source electrode of the thin film transistor, electrically the drain electrode and the storage capacitor electrode of the thin film transistor a first connection line which connects to each other, at least the drain electrode, further comprising a said storage capacitor electrode and the second insulating layer formed on a first connecting line, the picture element electrode, 記第2絶縁層上に形成されており、 Serial is formed on the second insulating layer,
    前記補助容量電極上に位置する前記第2絶縁層に形成された第1コンタクトホール内において、前記補助容量電極に接続されており、 前記補助容量電極は、第1、第2および第3領域を有し、前記第1領域は、前記接続配線と接続される接続端と、前記第1コンタクトホール内に露出されるコンタクト部とを含み、前記第2領域は、前記第1領域および前記第2領域よりも幅の狭い前記第3領域を介して、前記第1領域と電気的に接続されており、前記第3領域は、 In the first contact hole formed on the second insulating layer disposed on the storage capacitor electrode, said being connected to the storage capacitor electrode, the storage capacitor electrode, the first, second and third regions a, wherein the first region includes a connecting end connected to the connection wiring, and a contact portion which is exposed to the first contact hole, the second region, the first region and the second through narrow third region width than the regions are electrically connected to the first region, the third region,
    前記補助容量共通配線と重ならない位置に形成されている、液晶表示装置。 The storage capacitor common line and are formed at positions that do not overlap, a liquid crystal display device.
  2. 【請求項2】 前記第1基板は、前記第1絶縁層の下部に形成された修正用接続電極をさらに有し、前記絵素電極は、前記修正用接続電極上に位置する前記第1絶縁層に形成された第2コンタクトホール内において、前記修正用接続電極と接続されており、 前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第3領域に至る接続経路の一部および、前記補助容量電極の前記第2領域の一部または前記第2領域から延設された第2 Wherein said first substrate, the further comprising a first correcting connection electrode formed on a lower portion of the insulating layer, the pixel electrode, the first insulating located at the fix connection electrode on in the second contact hole formed in the layer, which is connected to the correction connection electrode, part of the connection path from the drain electrode to the third region of the storage capacitor electrode and the storage capacitor electrode second extending from a part or the second region of the second region
    接続配線が、前記第1絶縁層を介して前記修正用接続電極に対向するように配置されている、請求項1に記載の液晶表示装置。 Connection wirings are disposed so as to face the connecting electrode for the correction through the first insulating layer, a liquid crystal display device according to claim 1.
  3. 【請求項3】 前記修正用接続電極は、前記ゲート電極と、前記走査配線と、前記補助容量共通配線と同一の導電層から形成されている、請求項2に記載の液晶表示装置。 3. A connecting electrode the modification, as the gate electrode, the scanning lines, the formed from the auxiliary capacitor common line and same conductive layer, the liquid crystal display device according to claim 2.
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の液晶表示装置の欠陥を修正する方法であって、 前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容量を特定する工程と、 前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第3 4. A method of correcting a defect of a liquid crystal display device according to claim 1, identifying a pixel capacitance exhibiting display defects from among the plurality of picture element capacitance was the specific the third of the auxiliary capacitance electrode of the pixel capacitance
    領域を切断することによって、前記第1領域と前記第2 By cutting the region, the said first region second
    領域とを互いに電気的に切断する工程と、を包含する、 Comprising a step of electrically disconnecting from one another and a region, a
    液晶表示装置の欠陥修正方法。 Defect correction method of the liquid crystal display device.
  5. 【請求項5】 請求項2または3に記載の液晶表示装置の欠陥を修正する方法であって、 前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容量を特定する工程と、 前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第3 5. A method of correcting a defect of a liquid crystal display device according to claim 2 or 3, and specifying a pixel capacitance exhibiting display defects from among the plurality of picture element capacitance, the specific the third of the auxiliary capacitance electrode of the pixel capacitance which is
    領域を切断することによって、前記第1領域と前記第2 By cutting the region, the said first region second
    領域とを互いに電気的に切断する工程と、 前記絵素電極と前記補助容量電極とを互いに電気的に切断する工程と、 前記第1接続電極配線と前記補助容量電極の前記接続端とを互いに電気的に切断する工程と、 前記第1絶縁層を介して前記修正用接続電極に対向するように配置されている、前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第3領域に至る接続経路の前記一部および、前記補助容量電極の前記第2領域の前記一部または前記第2領域から延設された前記第2接続配線を、それぞれ前記修正用接続電極に電気的に接続する工程と、 を包含する、液晶表示装置の欠陥修正方法。 A step of electrically disconnecting from one another and a region, a step of cutting and the storage capacitor electrode and the pixel electrode electrically from each other, and the connection end of the storage capacitor electrode and the first connection electrode wirings to each other said that electrically and cutting, the first through the insulating layer is disposed so as to face the connecting electrode for the modification, the connection path from the drain electrode to the third region of the storage capacitor electrode and a portion, the said part or the second connection wiring extending from the second region of the second region of the storage capacitor electrode, and a step of electrically connecting to the modified connection electrodes, respectively, the It encompasses defect correction method for a liquid crystal display device.
  6. 【請求項6】 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを前記ゲート電極を介して互いに電気的に短絡させる工程と、 前記ゲート電極と前記走査配線とを互いに電気的に切断する工程と、 前記補助容量電極の前記第2領域の前記一部または前記第2領域から延設された前記第2接続配線と、前記修正用接続電極との電気的な接続を切断する工程と、をさらに包含する、請求項5に記載の液晶表示装置の欠陥修正方法。 Wherein the source electrode and the step of short-circuiting the drain electrode electrically to each other via the gate electrode, and a step of cutting and the gate electrode and the scanning lines electrically to each other, the storage capacitor includes a second connection wiring extending from the part or the second region of the second region of the electrode, a step of cutting the electrical connection between the correction connection electrode, further, wherein a defect correcting method for a liquid crystal display device according to claim 5.
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