JP3752824B2 - Method for manufacturing active matrix substrate device, active matrix substrate device, and electro-optical panel including the same - Google Patents

Method for manufacturing active matrix substrate device, active matrix substrate device, and electro-optical panel including the same Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基板等の基板上に各種配線、駆動素子、ドライバ回路等を形成することにより、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学パネル用のアクティブマトリクス基板装置を製造する方法の技術分野に属し、特に、製造中や製造後にこれらの各種配線、駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊を防止可能に製造する方法の技術分野に属する。本発明は更に、このように製造されたアクティブマトリクス基板装置及びこれを備えたドライバ内蔵型の電気光学パネルの技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アクティブマトリクス駆動型の液晶パネル、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）アクティブマトリクス駆動型の液晶パネル、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルなどの電気光学パネルを構成するアクティブマトリクス基板装置は、ガラス基板や石英基板上に、各種配線、駆動素子、絶縁膜等が形成されてなる。この場合、アクティブマトリクス基板装置の製造中には、静電気が発生する。高電圧の静電気が発生すると、例えば液晶パネル用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置の場合であれば、ゲート配線（走査線）、ソース配線（データ線）、ＴＦＴ、配線や素子間の層間絶縁膜等が静電破壊される場合がある。ここで、ある配線に電荷Ｑの帯電があった場合には、その電圧はＶ＝Ｑ／Ｃ（但し、Ｃ：容量）であるので、その配線の容量Ｃを増加すれば電圧は低下する。また相互に電気的に短絡された配線間では、このような静電気が発生しても電圧は当然にかからない。
【０００３】
そこで従来は、ドライバ内蔵型でないＴＦＴアクティブマトリクス基板装置の場合には、このような製造中等における静電破壊を防止するために、俗にショートリング或いはガードリングと称される高電圧がかかる可能性のある配線間を短絡（ショート）或いは適当な抵抗で接続すると共に該配線の容量を増加させるために、静電破壊防止用の導電性の保護パターン配線（本願明細書では、単に“保護パターン”と呼ぶことにする）が設けられる。
【０００４】
このような保護パターンの基本的な構成は、特開昭５８−１１６５７３号公報、特開昭６３−１０６７８８号公報等に開示されているように、画像表示領域の周囲に沿って、全てのデータ線及び走査線を短絡する配線である。この保護パターンによれば、データ線及び走査線は全て短絡されており、且つ配線容量も増加しているので、静電破壊を防止できる。
【０００５】
しかしながら、実際の製造中に静電破壊を防ぐためには、なるべく早い製造段階で、このような保護パターンを設けねばならないという基本的要請があり、更に、製造途中の電気的検査の段階や、一般には遅くとも製造後には液晶パネルが正常に動作するように、このような保護パターンを切断除去せねばならないという基本的要請もある。例えば、逆スタガ型のＴＦＴを各画素に備えたＴＦＴアクティブマトリクス基板装置の場合には、保護パターンは、製造初期に形成される比較的下層に位置する走査線（ゲート配線）を構成する金属又は半導体からなる膜から形成され、当該ＴＦＴアクティブマトリクス基板装置を駆動用回路に接続する前までに、好ましくは駆動素子及び各種配線の電気的検査を行う前に切断除去される。
【０００６】
ここで、このような二つの基本的要請に沿うように提案された３つの形式の保護パターンについて説明する。
【０００７】
先ず、第１の形式の保護パターンは、特開平２−２４２２９号公報、特開平７−１８１５１６号公報、特開平７−１７５０８６号公報等に開示されているように、実装端子よりも外側の基板の縁に沿って、全てのデータ線及び走査線を実装端子を介して短絡するように構成されている。そして、基板上より個別のアクティブマトリクス基板装置を、スクライブラインと称される切り離し線に沿って切り離す（本願明細書では、単に“基板切断”と呼ぶことにする）時、或いは切り離した後におけるパネル端面の研磨処理（本願明細書では、単に“パネル面取り”と呼ぶことにする）時に、各配線は、この保護パターンから切り離される。このように保護パターンの切断除去を各配線が保護パターンより切り離される時まで遅らせることができるので、後半の組立工程における静電破壊を防止できる。更に、第１の形式の応用として、特開平４−３０１６１９号公報、特開平８−１０１３９７号公報等に開示されているように、大基板上に設けられた相隣接するＴＦＴアクティブマトリクス基板装置間の一本の基板切断ライン（即ち、スクライブライン）によりカットすることで、保護パターンの短絡が無くなるように基板切断ラインを跨いでジグザグに配線された保護パターンもある。
【０００８】
第２の形式の保護パターンは、特開昭６３−０８５５８６号公報、特開平２−０６１６１８号公報、特開平６−２７３７８３号公報、特開平８−１７９３６０号公報等に開示されているように、データ線及び走査線を介して電圧を掛けた際に、画素の点灯が可能である程度若しくは当該データ線、走査線、ＴＦＴ等の電気的検査が可能である程度に高抵抗の材料、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）など高抵抗材料から構成されていたり、主に低抵抗材料から構成されていてもデータ線、走査線等との間に別途高抵抗材料が挟まれた形で構成されている。この第２の形式の保護パターンによれば、製造途中の電気的検査工程の前に保護パターンを切断除去しないで済むため静電破壊が電気的検査工程以降で起こることを防止できたり、更に、最終的に製品にまで保護パターンを残すことにより、その切断除去工程を省略することが可能となると共に製品段階における静電破壊を防止することが可能となる。
【０００９】
最後に、第３の形式の保護パターンは、特開平８−１７９３６０号公報、特開平８−１７９３５９号公報、特開平７−０９２４４８号公報等に開示されているように、データ線及び走査線を介して電圧を掛けた際に、画素の点灯が可能である程度若しくは当該データ線、走査線、ＴＦＴ等の電気的検査が可能である程度に高抵抗の非線形素子、例えば、ダイオードやＴＦＴを組み合わせたものが、データ線、走査線等と保護パターンとの間に挟まれた形で構成されている。この第３の形式の保護パターンによれば、製造途中の電気的検査工程の前に保護パターンを除去しないで済むため静電破壊が製造工程の後半で起こることを防止しできたり、更に、最終的に製品にまで保護パターンを残すことにより、その切断除去工程を省略することが可能となると共に製品段階における静電破壊を防止することが可能となる。
【００１０】
以上説明したように、ドライバ内蔵型でない液晶パネル用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置であれば、各種形式の保護パターンにより、静電破壊を防止できる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ドライバ内蔵型の液晶パネル等用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置について考えると、この場合には、ドライバ部分を構成する多数のＴＦＴや配線等が、走査線（ゲート配線）と同じ金属又は半導体からなる膜等、データ線（ソース配線）と同じＡｌ（アルミニウム）などの金属膜等、層間絶縁膜などから、画像表示領域の周囲に形成される。このため、例えば、走査線と同じ金属又は半導体からなる膜等や、データ線と同じ金属膜等から、前述したような第１の保護パターンを基板のドライバ部分より縁側にかけて形成することは事実上不可能である。即ち、前述の第１の形式のいずれによっても、２次元的に見て基板の中央側にある画像表示領域に設けられた走査線やデータ線に接続されており、しかも走査線駆動回路やデータ線駆動回路などの周辺領域に設けられたドライバ部分を越えて基板の縁に至るような保護パターン用の配線を引き回すことは出来ないのである。
【００１２】
また、前述の第２の形式の保護パターンでは、十分な静電対策を行おうとすれば、配線間の抵抗を下げざるを得ず、電気的検査の信頼性の低下や画質の劣化を招いてしまう。即ち、保護パターンの静電破壊防止機能を高めれば高めるほど、このような電気的検査の信頼性が低下したり、画質の劣化も顕著になってしまうという問題点がある。
【００１３】
更に、第３の形式の保護パターンでは、限度以上の大電流の静電気が流れた場合には静電防止機能が不十分であることや、非線形素子を形成する分だけ回路構成が複雑化し、更に非線形素子自体に製造上の不良があった場合に装置全体として欠陥品となってしまう可能性があるという問題点がある。
【００１４】
以上の結果、特にドライバ内蔵型の液晶パネル等用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置においては、ドライバ内蔵型でない液晶パネル等用のＴＦＴアクティブマトリクス基板装置における第１の形式の保護パターンを採用することは基本的に不可能であり、十分な能力を備えた静電破壊防止方法がないという大きな問題点がある。
【００１５】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学パネル用のアクティブマトリクス基板装置を、各種配線、駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊を防止しつつ製造可能なアクティブマトリクス基板装置の製造方法、及び該製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板装置、並びにこれを備えた電気光学パネルを提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板の中央側に位置する画像表示領域に、複数の画素部をマトリクス状に形成する画素部形成工程と、該複数の画素部に夫々接続された複数の配線を形成する配線形成工程と、前記画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路を形成するドライバ形成工程と、前記画像表示領域から前記ドライバ回路の上方を経由して前記基板の縁側に至る連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する静電破壊防止用の導電性の保護パターンを形成する保護パターン形成工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項１に記載の製造方法によれば、画素部形成工程により、基板の中央側に位置する画像表示領域に、複数の画素部がマトリクス状に形成される。この工程と並行して或いは相前後して、配線形成工程により、複数の画素部に夫々接続された複数の配線が形成される。他方、これらの工程と並行して或いは相前後して、ドライバ形成工程により、画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路が形成される。ここで特に、保護パターン形成工程により、複数の配線を相互に接続すると共に画像表示領域からドライバ回路の上方を経由して基板の縁側に至る連絡部分を含む導電性の保護パターンが形成される。従って、この連絡部分を除く、複数の配線を相互に接続する保護パターン部分については、画素部形成工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の開始前や途中に、基板上におけるドライバ回路よりも中央側或いは縁側に形成可能である。そして、この保護パターン部分を形成した以降は、静電荷に対する容量が増加し且つ複数の配線間が短絡或いは所定抵抗で接続されるので、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊を防止できる。よって、このような連絡部分を除く保護パターン部分を形成する時点に応じて、配線、画素部及びドライバ回路が静電破壊の危険に曝される期間を短く出来る。
【００１８】
他方で、保護パターンの連絡部分については、ドライバ形成工程の後に、ドライバ回路上に形成される。従って、この連絡部分を介して、基板上におけるドライバ回路よりも縁側にまで、保護パターンを引き出すことが可能となる。この結果、連絡部分の形成以前又は以後に、ドライバ回路よりも縁側に、連絡部分を介して複数の配線を相互に接続する保護パターン部分を形成し且つ連絡部分を形成した以降は、このドライバ回路よりも縁側にある保護パターン部分により静電荷に対する容量が増加し且つ複数の配線間が短絡或いは所定抵抗で接続されるので、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊を防止できる。
【００１９】
請求項２に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１に記載の製造方法において、前記画素部形成工程では、前記複数の画素部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極を前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を形成し、前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分を、前記画素電極を形成するのと同じ層から形成し、前記ドライバ形成工程では、前記ドライバ回路を少なくとも部分的に前記駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成することを特徴とする。
【００２０】
請求項２に記載の製造方法によれば、積層構造を持つ画素電極及び駆動素子が複数の画素部の夫々に形成されるが、連絡部分が画素電極を形成するのと同じ層から形成され、ドライバ回路は少なくとも部分的に駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成される。従って、画素部形成工程における画素電極の形成と、保護パターン形成工程における連絡部分の形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。更に、画素部形成工程における駆動素子の形成と、ドライバ形成工程におけるドライバ回路の少なくとも部分的な形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。これらの結果、製造工程の簡略化及び低コスト化が図られる。
【００２１】
請求項３に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項２に記載の製造方法において、前記画素部形成工程では、前記画素電極をＩＴＯ膜から形成し、前記駆動素子を薄膜トランジスタから形成することを特徴とする。
【００２２】
上述の製造方法によれば、画素電極及び連絡部分はＩＴＯ膜から形成され、駆動素子及びドライバ回路の少なくとも一部は、薄膜トランジスタから形成される。従って、比較的簡単な構成を有するアクティブマトリクス基板装置の製造工程の簡略化及び低コスト化が図られる。
【００２３】
請求項３に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から２のいずれか一項に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分を前記画素部形成工程以前に形成し、前記画素部形成工程の途中で或いは完了後に該第1保護パターン部分を切断除去することを特徴とする。
【００２４】
請求項３に記載の製造方法によれば、画素部形成工程以前に、保護パターン形成工程により、ドライバ回路よりも中央側において画像表示領域の周囲に沿って複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分が形成される。その後、この第1保護パターンは、画素部形成工程の途中で或いは完了後に切断除去される。従って、第1保護パターン部分により、画素部形成工程以前から、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊を防止できる。このため、一般には、このような連絡部分を除く保護パターン部分は、製造初期に形成する程有効である。そして、ドライバ回路よりも縁側にある保護パターン部分よりも切断除去が困難であり、より早い段階での切断除去が望まれる第1保護パターン部分を、画素部形成工程途中に切断除去するので、余分な工程数の増加を避けつつ第1保護パターン部分が完成後における当該アクティブマトリクス基板装置の本来の機能の障害となる事態を防げる。
【００２５】
上述した請求項３に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記第１保護パターン部分を、前記複数の配線のうち最も前記基板に近い層から形成された配線と同じ層から形成してもよい。
【００２６】
上述の製造方法によれば、第１保護パターン部分は、例えば、ポリシリコン膜からなり最下層に位置するゲート配線（走査線）など、最も基板に近い層から形成された配線と同じ層から形成される。従って、配線形成工程の比較的初期から、第１保護パターンにより配線における静電破壊を防止できる。しかも、配線形成工程における最下層の形成と、保護パターン形成工程における第１保護パターン部分の形成とを同時に行うことが可能となる。これらの結果、静電破壊防止を有効に行いつつ製造工程の簡略化及び低コスト化が図られる。
【００２７】
請求項４に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項３に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記第1保護パターン部分を切断除去する前に、前記連絡部分を形成し且つ前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成することを特徴とする。
【００２８】
請求項４に記載の製造方法によれば、第1保護パターン部分を切断除去する前に、連絡部分が形成され、且つ、該連絡部分の形成の以前又は以後に、ドライバ回路よりも縁側において連絡部分を介して複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分が更に形成される。従って、第２保護パターン部分及び連絡部分を形成した以降は、静電荷に対する容量が増加し且つ複数の配線間が短絡或いは所定抵抗で接続されるので、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊を防止できる。よって、このように第２保護パターン部分により複数の配線を相互に接続した後には、第１保護パターン部分を切断除去しても、配線等における静電破壊を防止できる。このため、静電破壊が起こり得る期間を安易に発生させることなく、第１保護パターン部分を、画素部形成工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の途中に切断除去することも可能となる。このように切断除去すれば、第１保護パターン部分が、完成後における当該アクティブマトリクス基板装置の本来の機能の障害となる事態を防げる。
【００２９】
請求項５に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から２に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分を前記画素部形成工程以前に形成した後に前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成する。さらに該第１保護パターンは該前記アクティブマトリクス基板装置が前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に高抵抗な部分を有し、該前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする。
【００３０】
請求項５に記載の製造方法によれば、画素部形成工程以前に、保護パターン形成工程により、ドライバ回路よりも中央側において画像表示領域の周囲に沿って複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分が形成される。この第１保護パターンは少なくとも部分的に高抵抗な部分を有しているため、切断除去せずとも電気的検査あるいは正常な駆動表示が可能である。この第1保護パターン部分により、画素部形成工程以前から当該アクティブマトリクス基板装置完成後まで、配線、画素部、ドライバ回路における静電破壊による不良品率をある程度低減できる。一方、画素部形成工程においてより低抵抗のドライバ部上方を経由する第２保護パターンが形成される。この第２保護パターンにより画素部形成工程以降では静電気による破壊はより完全に防止できる。
【００３１】
請求項６に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項４又は５に記載の製造方法において、前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更に備えており、前記保護パターン形成工程では、前記複数の実装端子にも接続されるように前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とする。
【００３２】
請求項６に記載の製造方法によれば、実装端子形成工程により、ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子が形成される。そして、保護パターン形成工程により、複数の実装端子にも接続されるように、第２保護パターン部分が形成される。従って、実装端子に接続された配線や素子を含むドライバ回路内における静電破壊を、第２保護パターン部分により防止できる。
【００３３】
請求項７に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から２のいずれか一項に記載の製造方法において、前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更に備えており、前記保護パターン形成工程では、前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続すると共に前記複数の実装端子を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成することを特徴とする。
【００３４】
請求項７に記載の製造方法によれば、実装端子形成工程により、ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子が形成される。そして、保護パターン形成工程により、基板上のドライバ回路よりも縁側において連絡部分を介して複数の配線を相互に接続すると共に複数の実装端子を相互に接続する第２保護パターン部分が更に形成される。従って、連絡部分を介して実装端子に接続された配線や素子を含むドライバ回路内における静電破壊を、第２保護パターン部分により防止できる。
【００３５】
請求項８に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項６又は７に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又はパネル面取り時に切り離されると前記第２保護パターン部分による前記複数の配線及び前記複数の実装端子の相互接続状態が解消されるように、前記第２保護パターン部分を、該基板切断時又はパネル面取り時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成することを特徴とする。
【００３６】
請求項８に記載の製造方法によれば、保護パターン形成工程により、第２保護パターン部分は、該基板切断時又はパネル面取り時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成される。その後、基板切断時又はパネル面取り時に、当該アクティブマトリクス基板装置が切り離されると、第２保護パターン部分による複数の配線及び複数の実装端子の相互接続状態が解消される。従って、基板切断工程やパネル面取り工程により、工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターンの切断除去を行うことが出来る。
【００３７】
請求項９に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項８に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、前記基板切断時に当該アクティブマトリクス基板装置から切り離される当該アクティブマトリクス基板装置に隣接する他のアクティブマトリクス基板装置との間の一本の基板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むように前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とする。
【００３８】
請求項９に記載の製造方法によれば、保護パターン形成工程により、一本の基板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むように、第２保護パターン部分は、形成される。その後、基板切断時に、当該アクティブマトリクス基板装置が切り離されると、第２保護パターンによる複数の配線及び複数の実装端子の相互接続状態が解消される。従って、相互に隣接するアクティブマトリクス基板装置間に対しては、一本の基板切断ラインに沿った基板切断処理のみで足りるようにしながら、基板切断工程により工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターンの切断除去を行うことが出来る。
【００３９】
請求項１０に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から９のいずれか一項に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成することを特徴とする。
【００４０】
請求項１０の製造方法によれば、保護パターン形成工程により、保護パターンは少なくとも部分的に高抵抗に（例えば、線幅の狭いＩＴＯ配線などから）形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められている。この結果、複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査が可能とされる。
【００４１】
請求項１１に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から９のいずれか一項に記載の製造方法において、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素子形成工程を更に備えたことを特徴とする。
【００４２】
請求項１１に記載の製造方法によれば、素子形成工程により、高抵抗の非線形素子が保護パターンの一部に形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められている。この結果、複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査が可能とされる。
【００４３】
請求項１２に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から９のいずれか一項に記載の製造方法において、前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成し、前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする。
【００４４】
請求項１２の製造方法によれば、保護パターン形成工程により、保護パターンは少なくとも部分的に高抵抗に（例えば、線幅の狭いＩＴＯ配線などから）形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められている。この結果、保護パターンを切断除去せずとも、当該アクティブマトリクス基板装置の完成後に、複数の配線を介して供給される駆動信号により画素部は駆動され、通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における静電破壊を防止することもできる。
【００４５】
請求項１３に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法は、上述した請求項１から９のいずれか一項に記載の製造方法において、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素子形成工程を更に備えており、前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする。
【００４６】
請求項１３の製造方法によれば、素子形成工程により、高抵抗の非線形素子が保護パターンの一部に形成され、複数の配線間における電気抵抗が高められている。この結果、保護パターンを切断除去せずとも、当該アクティブマトリクス基板装置の完成後に、複数の配線を介して供給される駆動信号により画素部は駆動され、通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における静電破壊を防止することもできる。
【００４７】
上述した請求項１から１３のいずれか一項に記載の製造方法において、前記ドライバ形成工程では、積層構造を持つように前記ドライバ回路を形成し、前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分を前記ドライバ回路内にある上層の配線に完全に重ならないように形成してもよい。
【００４８】
上述の製造方法によれば、ドライバ回路は、積層構造を持つように形成される。そして、ドライバ回路上に形成される連絡部分は、ドライバ回路内にある上層の配線に完全に重ならないように形成される。従って、仮に連絡部分がドライバ回路内にある上層の配線に完全に重なってしまった場合と比較して、ドライバ回路内にある上層の配線と連絡部分との間に形成される容量を低減できる。この結果、保護パターンがドライバ回路の動作に及ぼす悪影響を低減できる。
【００４９】
本発明のアクティブマトリクス基板装置は、基板の中央側に、複数の画素部をマトリクス状に設けられた画像表示領域を備えたアクティブマトリクス基板装置において、該複数の画素部に夫々接続された複数の配線と、前記画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路と、前記画像表示領域から前記ドライバ回路の上方を経由して前記基板の縁側に至る連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する静電破壊防止用の導電性の保護パターンと、を有していることを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記複数の画素部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極を前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を備え、前記連絡部分は、少なくとも部分的に前記画素電極を形成するのと同じ層から形成されてなり、前記ドライバ回路は、少なくとも部分的に前記駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成されてなることを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周囲に沿って、前記画素部形成以前に形成され、かつ、前記画素部形成工程の途中で切断除去される、前記複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分を備えることを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を備えることを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記ドライバ回路よりも中央側に、前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第１保護パターン部分を備え、当該第１保護パターン部分は、前記複数の配線を通して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に少なくとも部分的に高抵抗とし、前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分備え、前記第１保護パターン部分は前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を備えており、前記第２保護パターン部分は、前記複数の実装端子にも接続されることを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を更に備えており、前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側に、前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続すると共に、前記複数の実装端子を相互に接続する第２保護パターン部分を備えたことを特徴とする。
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置は、前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離されると、前記第２保護パターン部分による前記複数の配線及び前記複数の実装端子の相互接続状態が解消されるように、前記第２保護パターン部分を、該基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離される位置に少なくとも部分的に設けたことを特徴とする。
【００５０】
請求項１４〜２１に記載のアクティブマトリクス基板装置は、上述した本発明の製造方法により製造されているので、静電破壊による不良品率が格段に低い。しかも、電気的検査を精度良く行うことも可能であり、保護パターンの存在によりアクティブマトリクス基板装置の本来の機能が害されていることも殆ど又は全く無く、しかも低コスト化が図られている。
【００５１】
請求項２２及び２３に記載の電気光学パネルは、上述した請求項１４〜に記載のアクティブマトリクス基板装置と、該アクティブマトリクス基板装置に対向配置された対向基板とを備えたことを特徴とする。
【００５２】
請求項２２に記載の電気光学パネルは、アクティブマトリクス基板装置と対向基板とを備えているので、静電破壊による不良品率が格段に低い。しかも、電気的検査が精度良く行われており信頼性も高い。また、保護パターンの存在により電子光学パネルの本来の機能が害されていることも殆ど又は全く無く、しかも低コスト化が図られている。
【００５３】
また、上述した請求項２３に記載の電気光学パネルにおいて、前記アクティブマトリクス基板装置と前記対向基板とを前記画像表示領域の輪郭に沿って相接着するシール材と、該シール材により前記アクティブマトリクス基板装置と前記対向基板との間に封入された液晶とを更に備えており、前記保護パターンは、前記画像表示領域から見て前記シール材よりも外側又はシール材の下に形成してもよい。
【００５４】
上述の電気光学パネルによれば、アクティブマトリクス基板装置と対向基板とは、画像表示領域の輪郭に沿ってシール材により相接着されている。このシール材によりアクティブマトリクス基板装置と対向基板との間には、液晶が封入されており、当該電気光学パネルは、液晶パネルとして構成されている。そして、保護パターンは、画像表示領域から見てシール材よりも外側に形成されているので、保護パターンは、液晶に面することはない。従って、ドライバ回路上の連絡部分とドライバ回路内の上層の配線等との間に形成される容量の増大を防ぐことが出来る。加えて、ドライバ回路上の連絡部分を含む保護パターンの直流電圧が液晶に印加されることにより液晶が劣化する事態を未然に防ぐことが出来る。このため、当該電気光学パネルは、高精度の動作を長期に亘って行うことが可能である。
【００５５】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされよう。
【００５６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００５７】
（アクティブマトリクス基板装置の実施の形態）
先ず、本発明のアクティブマトリクス基板装置の一実施の形態として、液晶パネル用のアクティブマトリクス基板装置の構成及び製造方法について説明する。
【００５８】
先ず、図１を参照して、アクティブマトリクス基板装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態のアクティブマトリクス基板装置１が、一枚の大型ガラス基板上にマトリクス状に複数形成された状態を示している。この状態にあるアクティブマトリクス基板装置１に対して、図中点線で示された基板切断ラインに沿って切り離す基板切断工程が施され、更に必要に応じてパネル面取り工程が施されて、個々のアクティブマトリクス基板装置とされる。
【００５９】
図１において、アクティブマトリクス基板装置１は、ガラス基板、石英基板等からなる基板１０を備えており、基板１０上において中央側に位置する画像表示領域１１に、液晶駆動用の画素電極及びＴＦＴを夫々含む複数の画素部がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス基板装置１は、複数の画素部におけるＴＦＴのゲートに接続された複数の走査線（ゲート配線）１２と各ＴＦＴのソースに接続された複数のデータ線（ソース配線）１３とを備える。アクティブマトリクス基板装置１は更に、画像表示領域１１の周囲に、走査線１２に駆動信号の一例たる走査信号を供給するドライバ回路の一例を構成する走査線駆動回路１４と、データ線１３に駆動信号の一例たるデータ信号を供給するドライバ回路の一例を構成するデータ線駆動回路１５とを備える。走査線駆動回路１４は、画像表示領域１１の両側に設けられている。尚、ここでは、アクティブマトリクス基板装置１を組み込んで完成させた液晶パネルの通常動作時にデータ信号を直接供給する回路の他に、データ線１３をデータ信号供給前に所定電位まで昇圧させるためのプリチャージ信号を供給するプリチャージ回路、アナログ画像信号をサンプリングしてデータ線１３に供給するサンプリング回路、回路や配線の電気的検査の際にデータ線１３に所定の電気信号を供給するための検査回路など、データ線に電気信号を供給する動作に関連する回路をデータ線駆動回路１５として総称することにする。
【００６０】
本実施の形態では、アクティブマトリクス基板装置１は更に、製造工程の所定期間に亘って複数の走査線１２及びデータ線１３を相互に接続すると共に画像表示領域１１から走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の上方を経由して基板１０の縁側に至る連絡部分を含む保護パターンの一部である第２保護パターン部１６ｂを備えている。第２保護パターン部１６ｂは、アクティブマトリクス基板装置１の完成前（画素部のＴＦＴの形成中）に切断除去された第１保護パターン部１６ａ（図中点線で示す）と共に、走査線１２及びデータ線１３を短絡或いは所低抵抗で相互に接続して、アクティブマトリクス基板装置１の製造中における保護パターンとして機能する。
【００６１】
以下、図２から図５を参照して、保護パターンの構成及び製造方法をアクティブマトリクス基板装置１の製造方法と共に説明する。
【００６２】
図２において、保護パターンは、第１保護パターン部１６ａ、第２保護パターン部１６ｂ及び画像表示領域１１から走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の上方を経由して基板１０の縁側に至る連絡部１６ｃを含んで構成されている。これらのうち、第１保護パターン部１６ａは、例えば、アクティブマトリクス基板装置１の製造初期に走査線１２と同じポリシリコン膜から形成されるものであり、各アクティブマトリクス基板装置１における走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５よりも中央側（即ち、画像表示領域に近い側）において、画像表示領域の周囲に沿って配線されて、走査線１２及びデータ線１３を相互に短絡或いは所低抵抗で接続するように構成されている。第２保護パターン部１６ｂは、例えば、アクティブマトリクス基板装置１の製造の比較的初期に走査線１２と同じポリシリコン膜から形成されるか或いは製造の比較的後期に画素電極と同じＩＴＯ膜から形成されるものであり、各アクティブマトリクス基板装置１における走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５よりも縁側（即ち、画像表示領域から遠い側）において、基板１０の縁に沿って配線されて、連絡部１６ｃを介して走査線１２及びデータ線１３を相互に短絡或いは低抵抗で接続するように構成されている。連絡部１６Ｃは、例えば、製造の比較的後期に画素電極と同じＩＴＯ膜から形成されるものであり、走査線１２及びデータ線１３と第２保護パターン部１６ｂとを走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の上方を経由して接続（連絡）するように構成されている。
【００６３】
ここで、図３の断面図を参照して、この連絡部１６ｃが走査線駆動回路１３の上方を経由して接続する部分の詳細な構成を説明する。
【００６４】
図３において、画像表示領域１１（図１参照）内にある各画素部に設けられたＴＦＴ３０は、正スタガ型のＴＦＴとして構成されており、基板１０上には、チャネルが形成される半導体膜３１及びゲート絶縁膜３３が積層されており、ゲート絶縁膜３３上には、例えば、ポリシリコン膜等からなる走査線１２（ゲート配線）が配置されている。半導体膜３１のソース領域には、例えば、Ａｌなどの金属膜等からなるデータ線１３（ソース配線）がコンタクトホールを介して接続されており、半導体膜３１のドレイン領域には、例えば、Ａｌなどの金属膜等からなる中継膜２５を中継して、例えばＩＴＯ膜等からなる画素電極２６がコンタクトホールを介して接続されている。そして、各膜は、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３により、相互に電気的に絶縁されている。
【００６５】
データ線駆動回路１５内に設けられたＴＦＴ３０’は、画素部のＴＦＴ３０と同様に構成されており、同じ工程で同時に形成されるものである。即ち、ＴＦＴ３０’は、正スタガ型のＴＦＴとして構成されており、基板１０上には、チャネルが形成される半導体膜３１’及びゲート絶縁膜３３’が積層されており、ゲート絶縁膜３３’上には、例えば、ポリシリコン膜等からなるゲート配線１２’が配置されている。半導体膜３１’のソース領域には、例えば、Ａｌなどの金属膜等からなる配線１３’がコンタクトホールを介して接続されており、半導体膜３１’のドレイン領域には、データ線１３がコンタクトホールを介して接続されている。
【００６６】
本実施の形態では特に、画素部のＴＦＴ３０における走査線１２及びデータ線１３には、画素電極２６と同じＩＴＯ膜から形成された保護パターンの連絡部１６ｃがコンタクトホールを介して接続されており、連絡部分は１６ｃは、データ線駆動回路１５の上方を経由して基板１０の縁側（図２における上下の縁側）に引き出されている。
【００６７】
尚、走査線駆動回路内に設けられるＴＦＴについても、データ線駆動回路１５内に設けられたＴＦＴ３０’と同様に構成されており、即ち、画素部のＴＦＴ３０と同時に形成されるものである。また、連絡部分は１６ｃについても、走査線駆動回路１４の上方を経由して基板１０の縁側（図２における左右の縁側）に引き出されている。
【００６８】
次に、図２及び図３を参照して、アクティブマトリクス基板装置１の製造方法において主に保護パターンの形成と関連する工程について説明する。
【００６９】
図２及び図３において、画素部形成工程により、画像表示領域１１に、ＴＦＴ３０及び画素電極２６を含む画素部がマトリクス状に形成される。この工程と並行して或いは相前後して、配線形成工程により、ＴＦＴ３０のゲートに夫々接続された複数の走査線１２及びＴＦＴ３０のソースにそれぞれ接続された複数のデータ線１３が形成される。他方、これらの工程と並行して或いは相前後して、ドライバ形成工程により、画像表示領域の周囲に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５が形成される。ここで特に、保護パターン形成工程により、複数の走査線１２及びデータ線１３を相互に接続すると共に画像表示領域１１から走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の上方を経由して基板１０の縁側に至る連絡部１６ｃを含む保護パターンが形成される。
【００７０】
従って、この製造方法によれば、連絡部１６ｃを除く、走査線１２及びデータ線１３を相互に接続する第１保護パターン部１６ａについては、画素部形成工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の開始前や途中に形成可能である。そして、この第１保護パターン部１６ａを形成した以降は、静電荷に対する容量が増加し（従って、前述のように電圧Ｖ＝Ｑ／Ｃが低下し）且つ複数の走査線１２及びデータ線１３間が短絡或いは所定抵抗で接続されるので、走査線１２、データ線１３、画素部のＴＦＴ３０や画素電極２６、走査線駆動回路１４内のＴＦＴ３０’や各種配線、データ線駆動回路１５内のＴＦＴや各種配線、層間絶縁膜４１〜４３等における静電破壊を防止できる。
【００７１】
よって、この第１保護パターン部１６ａを形成する時点に応じて、これらの配線やＴＦＴ等が静電破壊の危険に曝される期間を短く出来る。このため、好ましくは、第１保護パターン部１６ａは、比較的製造初期であり、静電破壊されるような素子や配線が形成される以前に形成するのが好ましい。従って、本実施の形態では、走査線１２（ゲート配線）と同じ膜から同時に構成するので、この走査線１２の形成後に形成される配線や素子についての静電破壊を防止できる。この意味では、画素部に逆スタガ型のＴＦＴを夫々設けた液晶パネル用のアクティブマトリクス基板装置の場合に、走査線１２（ゲート配線）と同じ膜から第１保護パターン部を形成するようにすれば、走査線１２がより基板近くに成膜される分だけより効果的である。
【００７２】
尚、第２保護パターン部１６ｂについては、第１保護パターン部１６ａと同じ膜から同時に形成してもよい。このように形成し、図２に示したように、第１保護パターン部１６ａと第２保護パターン部１６ｂとを連絡部１６ｃを介することなく接続する配線１６ｄを更に同じ膜から形成しておけば、連絡部１６ｃを形成する前にも、第２保護パターン部を保護パターンの一部として機能させることができる。但し、第２保護パターン部１６ｂについては、第１保護パターン部１６ａよりも後に形成してもよい。このように形成しても、連絡部１６ｃを介して接続した後に、保護パターンの一部として機能させることができる。更に、第１保護パターン部１６ａを、例えば前述したＩＴＯ膜などの連絡部分と同じ層から形成することも可能である。
【００７３】
他方で、連絡部１６ｃについては、ドライバ形成工程の後に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５の層間絶縁膜４３上に形成される。従って、この連絡部１６ｃを介して、基板１０上の縁にまで、保護パターンを引き出すことが可能となる。この結果、連絡部１６ｃの形成以前又は以後に、基板１０の縁側に、連絡部１６ｃを介して走査線１２及びデータ線１３を相互に接続する第２保護パターン部１６ｂを形成し且つ連絡部１６ｃを形成した以降は、第２保護パターン部１６ｂにより静電荷に対する容量が増加し且つ走査線１２及びデータ線１３間が短絡或いは所定抵抗で接続される。
【００７４】
これらの結果、走査線１２、データ線１３、画素部のＴＦＴ３０や画素電極２６、走査線駆動回路１４内のＴＦＴ３０’や各種配線、データ線駆動回路１５内のＴＦＴや各種配線、層間絶縁膜４１〜４３等における静電破壊を防止できる。
【００７５】
従って、連絡部１６ｃを介して第２の保護パターン部１６ｂにより走査線１２及びデータ線１３を相互に接続した後には、第１保護パターン部１６ａを切断除去しても、このような静電破壊を防止できることになる。このため、静電破壊が起こり得る期間を安易に発生させることなく、基板１０の縁側にある第１保護パターン部１６ｂよりも切断除去が困難であり、より早い段階での切断除去が望まれる中央側にある第１保護パターン部１６ａを、画素部形成工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の途中に、より具体的にはＴＦＴ３０の薄膜形成工程のエッチング工程を利用して（余分な工程数の増加を避けつつ）切断除去する。これにより、中央側にある第１保護パターン部分が、完成後及び電気的検査時におけるアクティブマトリクス基板装置１の本来の機能の障害となる事態を防げる。そして、基板１０の縁側にある第２保護パターン部分については、画素部形成工程、配線形成工程及びドライバ形成工程の終盤や完了後に、例えば基板切断時やパネル面取り時に、切断除去することも可能となる。この場合の切断除去は、第２保護パターン部１６ｂが基板１０の縁側にあるが故に容易である。
【００７６】
本実施の形態では特に、画素部形成工程では、複数の画素部の夫々に、積層構造を持つＩＴＯ膜からなる画素電極２６及びＴＦＴ３０を形成し、保護パターン形成工程では、連絡部１６ｃを、画素電極２６を形成するのと同じ膜から形成し、ドライバ形成工程では、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５のＴＦＴ３０’を画素部のＴＦＴ３０を形成するのと同じ複数の膜から形成する。従って、画素部形成工程における画素電極の形成と、保護パターン形成工程における連絡部分の形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。更に、画素部形成工程における駆動素子の形成と、ドライバ形成工程におけるドライバ回路の少なくとも部分的な形成とを同一工程で同時に行うことが可能となる。これらの結果、製造工程の簡略化及び低コスト化が図られる。
【００７７】
本実施の形態では特に、基板１０の縁側に、走査線駆動回路１４及びデータ線駆動回路１５に電気信号を供給するための複数の実装端子１９が形成されており、保護パターン形成工程では、これらの実装端子１９にも接続されるように第２保護パターン部１６ｂを形成する。ここに“実装端子”とは、例えば、基板上の縁に沿って設けられるＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）用のパッドなどであり、実装端子を介して、外部ＩＣ回路等から各種のデータ信号、制御信号、クロック信号、電源信号等がアクティブマトリクス基板装置１に入力される。従って、実装端子１９に接続された配線や素子を含む走査線駆動回路１４やデータ線駆動回路１５内における静電破壊を、第２保護パターン部１６ｂにより防止できる。
【００７８】
本実施の形態では特に、図２に示すように、保護パターン形成工程では、アクティブマトリクス基板装置１の基板切断時又はパネル面取り時に切り離されると第２保護パターン部による走査線１２、データ線１３及び実装端子の相互接続状態が解消されるように、第２保護パターン部１６ｂを、基板切断時又はパネル面取り時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成する。従って、基板切断工程やパネル面取り工程により、工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターンの切断除去を行うことが出来る。更に、本実施の形態では、保護パターン形成工程では、基板切断時にアクティブマトリクス基板装置１から切り離されるアクティブマトリクス基板装置１に隣接する他のアクティブマトリクス基板装置１との間の一本の基板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むように（図１及び図２参照）、第２保護パターン部１６ｂを形成する。従って、相互に隣接するアクティブマトリクス基板装置１間に対しては、一本の基板切断ラインに沿った基板切断処理のみで足りるようにしながら、基板切断工程により工程数を増加させることなく比較的容易に保護パターンの切断除去を行うことが出来る。
【００７９】
このように本発明のアクティブマトリクス基板装置１は、大基板上に複数形成されるのが一般的であり、製造工程の終了間際に、このような大基板を基板切断して切り離すようにする。そして、連絡部１６ｃの形状や線幅を調整することにより、電気的検査を可能にすることもできる。
【００８０】
また本実施の形態では特に、保護パターン形成工程では、基板１０に垂直な方向から見て、連絡部１６ｃを走査線駆動回路１４やデータ線駆動回路１５内にある上層の配線に完全に重ならないように形成する。このように形成すると、仮に連絡部１６ｃが走査線駆動回路１４等内にある上層の配線に完全に重なってしまった場合と比較して、この上層の配線と連絡部１６ｃとの間に形成される容量を低減できる。この結果、保護パターンがドライバ回路の動作に及ぼす悪影響を低減できる。
【００８１】
（変形形態）
次に、アクティブマトリクス基板装置１の変形形態について図４を参照して、説明する。
【００８２】
本変形形態におけるアクティブマトリクス基板装置１の製造方法は、走査線１２及びでデータ線１３を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、第１保護パターン部１６ａ、第２保護パターン部１６ｂ及び連絡部１６ｃからなる保護パターンにより接続された走査線１２及びデータ線１３間の電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子の一例としての静電破壊防止回路１８を、図４に示すように保護パターンの一部に形成する素子形成工程を更に備える。
【００８３】
図４において、静電破壊防止回路１８は、二つのダイオード接続されたＴＦＴからなり、高電圧である降伏電圧がかかった場合にのみ電流を長すように構成されている。このように保護パターンを介して相互に接続された走査線１２やデータ線１３間における電気抵抗が高められているので、複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査が可能とされる。更に、アクティブマトリクス基板装置１における走査線１２やデータ線１３を介して供給される走査信号やデータ信号による通常動作を可能とする程度に、この静電破壊防止回路１８を高抵抗に構成すれば、アクティブマトリクス基板装置１の完成時に保護パターンが切断除去されていなくても、アクティブマトリクス基板装置１の完成後に、通常動作が可能とされる。従って、保護パターンの切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における静電破壊を防止することもできる。
【００８４】
尚、このように静電破壊防止回路１８を挿入するに、この保護パターン部分を高抵抗に形成してもよい。例えば、ＩＴＯ膜からなる連絡部１６ｃにおける線幅を狭くすることにより、抵抗を高めることができる。そして、アクティブマトリクス基板装置１における走査線１２及びデータ線１３を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、この連絡部１６ｃを高抵抗に形成すれば、第１保護パターン１６ａを切断除去した後には、複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査が可能とされる。更に、アクティブマトリクス基板装置１における走査線１２及びデータ線１３を介して供給される走査信号やデータ信号による通常動作を可能とする程度に、この連絡部１６ｃを高抵抗に形成すれば、アクティブマトリクス基板装置１の完成時に保護パターンが切断除去されていなくても、アクティブマトリクス基板装置１の完成後に、通常動作が可能とされる。従って、第２保護パターン１６ｂや連絡部１６ｃの切断除去工程を省くことができ、しかも完成後における静電破壊を防止することもできる。
【００８５】
（液晶パネルの実施の形態）
次に、本発明の電気光学パネルの一例としての液晶パネルの実施の形態について図５及び図６を参照して説明する。尚、図５は、液晶パネルの対向基板の側から見た平面図であり、図６は、そのＨ−Ｈ’断面図である。
【００８６】
図５及び図６に示すように、液晶パネルは、基板１０上に各種配線や素子等が形成されてなる上述のアクティブマトリクス基板装置１と、基板１０に対向配置されたガラス基板等からなる対向基板２０と、基板１０と対向基板２０とを画像表示領域１１の輪郭に沿って相接着するシール材５２と、シール材５２により基板１０と対向基板２０との間に封入された液晶５０と備えて構成されている。
【００８７】
シール材５２の外側の領域には、走査線駆動回路１４、データ線駆動回路１５及び実装端子１９並びにこれらを接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一個所において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材（銀点）１０６が設けられている。
【００８８】
図６において、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材５２は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入されている。
【００８９】
このように構成された液晶パネルは、上述したアクティブマトリクス基板装置１を備えているので、静電破壊による不良品率が格段に低い。しかも、電気的検査が精度良く行われており信頼性も高い。
【００９０】
本実施の形態では特に図中破線で示す保護パターン１６（第１保護パターン部１６ａ、第２保護パターン部１６ｂ及び連絡部１６ｃ）は、画像表示領域１１から見てシール材５２よりも外側に又はシール材５２の直下に形成されている。前述のように、第１保護パターン１６ａについては、画素部におけるＴＦＴ工程中に切断除去されるが、液晶パネルにアクティブマトリクス基板装置１が組み込まれた状態においても、部分的に残る場合もある。また、変形形態で説明したように完成後にも積極的に保護パターンを静電破壊防止用に残す場合もある。更に、第２保護パターン１６ｂ或いは連絡部１６ｃについては、基板切断時まで切断除去されなかったり、液晶パネルにアクティブマトリクス基板装置１が組み込まれた状態においても、全部又は部分的に残る場合もある。ここで、本実施の形態の場合、保護パターン１６が画像表示領域１１から見てシール材５２よりも外側又はシール材５２の直下に形成されているので、保護パターン１６は、液晶５０に面することはない。従って、走査線駆動回路１４やデータ線駆動回路１５上の連絡部１６ｃと、これらの回路内の上層の配線等との間に形成される容量の増大を防ぐことが出来る。加えて、連絡部１６ｃを含む保護パターン１６の直流電圧が液晶に印加されることにより液晶５０が劣化する事態を未然に防ぐことが出来る。
【００９１】
以上の結果、本実施の形態の液晶パネルは、高精度の動作を長期に亘って行うことが可能である。
【００９２】
【発明の効果】
本発明のアクティブマトリクス基板装置の製造方法によれば、画像表示領域からドライバ回路の上方を経由して基板の縁側にいたる連絡部分を含むように保護パターンを形成するので、配線、画素部及びドライバ回路が静電破壊の危険に曝される期間を短く出来る。従って、ドライバ内蔵型の液晶パネル等の電気光学パネル用のアクティブマトリクス基板装置を、各種配線、駆動素子、ドライバ回路等における静電破壊を防止しつつ製造できる。
【００９３】
また、本発明のアクティブマトリクス基板装置や電気光学パネルは、静電破壊による不良品率が格段に低く、電気的検査を精度良く行うことも可能であり、保護パターンの存在によりアクティブマトリクス基板装置の本来の機能が害されていることも殆ど又は全く無く、しかも低コスト化が図られている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置の構成を示す平面図である。
【図２】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置における保護パターンの構成を示す平面図である。
【図３】本実施の形態のアクティブマトリクス基板装置における保護パターンの構成を画素部のＴＦＴ及びデータ線駆動回路のＴＦＴと共に示す断面図である。
【図４】変形形態のアクティブマトリクス基板装置における静電破壊防止回路の回路図である。
【図５】本実施の形態の液晶パネルの平面図である。
【図６】図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【符号の説明】
１…アクティブマトリクス基板装置
１０…基板
１１…画像表示領域
１２…走査線
１３…データ線
１４…走査線駆動回路
１５…データ線駆動回路
１６…保護パターン
１８…静電破壊防止回路
１９…実装端子
２０…対向基板
２６…画素電極
３０…画素部のＴＦＴ
３０’…データ線駆動回路のＴＦＴ
３１…半導体膜
５０…液晶
５２…シール材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technical field of a method of manufacturing an active matrix substrate device for an electro-optical panel such as a liquid crystal panel with a built-in driver by forming various wirings, driving elements, driver circuits, etc. on a substrate such as a glass substrate. In particular, the present invention belongs to a technical field of a method for manufacturing such various wirings, drive elements, driver circuits and the like so as to prevent electrostatic breakdown during and after manufacture. The present invention further belongs to the technical field of the active matrix substrate device manufactured as described above and a driver-embedded electro-optical panel including the active matrix substrate device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, active matrix substrate devices constituting electro-optical panels such as TFT (thin film transistor) active matrix driving type liquid crystal panels, TFD (thin film diode) active matrix driving type liquid crystal panels, and EL (electroluminescence) panels are glass substrates, Various wirings, driving elements, insulating films and the like are formed on a quartz substrate. In this case, static electricity is generated during the manufacture of the active matrix substrate device. When high-voltage static electricity occurs, for example, in the case of a TFT active matrix substrate device for a liquid crystal panel, gate wiring (scanning lines), source wiring (data lines), TFTs, interlayer insulation films between wirings and elements, etc. There is a possibility of electrostatic breakdown. Here, when the charge Q is charged in a certain wiring, the voltage is V = Q / C (where C is a capacity). Therefore, if the capacity C of the wiring is increased, the voltage decreases. In addition, between the wirings that are electrically short-circuited with each other, no voltage is applied even if such static electricity is generated.
[0003]
Therefore, conventionally, in the case of a TFT active matrix substrate device that is not a driver built-in type, there is a possibility that a high voltage commonly called a short ring or a guard ring may be applied in order to prevent electrostatic breakdown during such manufacturing. In order to increase the capacity of the wiring while short-circuiting (short-circuiting) or appropriate resistance between the wirings having a certain length, the conductive protection pattern wiring for preventing electrostatic breakdown (in this specification, simply referred to as “protection pattern”) Will be called).
[0004]
The basic structure of such a protection pattern is that all data along the periphery of the image display area is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 58-116573 and 63-106788. This is a wiring for short-circuiting the line and the scanning line. According to this protective pattern, the data lines and the scanning lines are all short-circuited and the wiring capacity is increased, so that electrostatic breakdown can be prevented.
[0005]
However, in order to prevent electrostatic breakdown during actual manufacturing, there is a basic requirement that such a protective pattern must be provided at the earliest possible manufacturing stage. At the latest, there is a basic requirement that such a protective pattern must be cut and removed so that the liquid crystal panel operates normally after manufacture. For example, in the case of a TFT active matrix substrate device having an inverted stagger type TFT in each pixel, the protective pattern is a metal that forms a scan line (gate wiring) located in a relatively lower layer formed in the initial stage of manufacture. It is formed from a film made of a semiconductor, and is preferably cut off and removed before the TFT active matrix substrate device is connected to a driving circuit, and before electrical inspection of driving elements and various wirings is performed.
[0006]
Here, three types of protection patterns proposed to meet these two basic requirements will be described.
[0007]
First, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-24229, Japanese Patent Laid-Open No. 7-181516, Japanese Patent Laid-Open No. 7-175086, etc., the first type of protection pattern is a substrate outside the mounting terminals. All the data lines and the scanning lines are configured to be short-circuited through the mounting terminals along the edge of the. Then, the individual active matrix substrate device is separated from the substrate along a separation line called a scribe line (in this specification, simply referred to as “substrate cutting”), or a panel after separation. During polishing of the end face (hereinafter simply referred to as “panel chamfering”), each wiring is separated from this protective pattern. In this way, the removal and removal of the protective pattern can be delayed until the time when each wiring is separated from the protective pattern, so that electrostatic breakdown in the latter assembly process can be prevented. Further, as an application of the first type, as disclosed in JP-A-4-301619, JP-A-8-101397, etc., between adjacent TFT active matrix substrate devices provided on a large substrate. There is also a protection pattern that is zigzag across the substrate cutting line so as to eliminate short-circuiting of the protection pattern by cutting with one substrate cutting line (that is, a scribe line).
[0008]
The second type of protection pattern is disclosed in JP-A-63-085586, JP-A-2-06618, JP-A-6-273783, JP-A-8-179360, etc. When a voltage is applied through the data line and the scanning line, a material having a high resistance, for example, Si (to the extent that the pixel can be turned on or the electrical inspection of the data line, the scanning line, the TFT, etc. is possible. (Silicon), ITO (Indium Tin Oxide) or other high-resistance materials, or even high-resistance materials are mainly sandwiched between data lines, scanning lines, etc. It is composed of shapes. According to this second type of protection pattern, it is possible to prevent electrostatic breakdown from occurring after the electrical inspection process because it is not necessary to cut and remove the protection pattern before the electrical inspection process during manufacture. By finally leaving the protective pattern on the product, it is possible to omit the cutting and removing process and to prevent electrostatic breakdown at the product stage.
[0009]
Finally, the third type of protection pattern includes data lines and scanning lines as disclosed in JP-A-8-179360, JP-A-8-179359, JP-A-7-09448, and the like. When a voltage is applied, a non-linear element with a high resistance, for example, a combination of a diode or a TFT, to the extent that the pixel can be turned on or the electrical inspection of the data line, scanning line, TFT, etc. is possible Are sandwiched between data lines, scanning lines, and the like and the protection pattern. According to this third type of protection pattern, it is not necessary to remove the protection pattern before the electrical inspection process in the middle of manufacturing, so that electrostatic breakdown can be prevented from occurring in the latter half of the manufacturing process. By leaving the protective pattern on the product, it is possible to omit the cutting and removing process and to prevent electrostatic breakdown at the product stage.
[0010]
As described above, a TFT active matrix substrate device for a liquid crystal panel that is not a driver built-in type can prevent electrostatic breakdown by various types of protective patterns.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, considering a TFT active matrix substrate device for a driver built-in type liquid crystal panel or the like, in this case, a large number of TFTs and wirings constituting the driver portion are made of the same metal or semiconductor as the scanning line (gate wiring). A film such as a metal film such as Al (aluminum) that is the same as the data line (source wiring), an interlayer insulating film, and the like are formed around the image display region. Therefore, for example, the first protective pattern as described above is formed from the same metal or semiconductor film as the scanning line, the same metal film as the data line, or the like from the driver portion of the substrate to the edge side. Impossible. That is, according to any of the above-described first formats, it is connected to the scanning lines and data lines provided in the image display area on the center side of the substrate as viewed two-dimensionally, and the scanning line driving circuit and data are connected. It is impossible to route the wiring for the protective pattern that extends beyond the driver portion provided in the peripheral region of the line driving circuit or the like and reaches the edge of the substrate.
[0012]
Also, with the above-mentioned second type of protection pattern, if sufficient electrostatic countermeasures are taken, the resistance between the wirings must be lowered, leading to a decrease in the reliability of the electrical inspection and deterioration of the image quality. End up. That is, there is a problem that as the electrostatic breakdown preventing function of the protective pattern is increased, the reliability of such electrical inspection is reduced and the deterioration of the image quality becomes remarkable.
[0013]
Furthermore, in the third type of protection pattern, when a static current of a large current exceeding the limit flows, the antistatic function is insufficient, and the circuit configuration becomes complicated by the amount of forming a non-linear element. If the nonlinear element itself has a manufacturing defect, there is a problem that the entire device may become a defective product.
[0014]
As a result of the above, it is fundamental to employ the first type of protection pattern in the TFT active matrix substrate device for a liquid crystal panel or the like that is not a driver built-in type, particularly in a TFT active matrix substrate device for a driver built-in type liquid crystal panel or the like. There is a big problem that there is no electrostatic breakdown prevention method with sufficient capability.
[0015]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an active matrix substrate device for an electro-optical panel such as a liquid crystal panel with a built-in driver prevents electrostatic breakdown in various wirings, drive elements, driver circuits, and the like. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an active matrix substrate device that can be manufactured, an active matrix substrate device manufactured by the manufacturing method, and an electro-optical panel including the same.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 1 includes a pixel portion forming step of forming a plurality of pixel portions in a matrix form in an image display region located on the center side of the substrate; A wiring forming step of forming a plurality of wirings connected to the plurality of pixel portions, a driver forming step of forming a driver circuit for supplying a driving signal to the plurality of wirings around the image display region; Protective pattern formation for forming a conductive protective pattern for preventing electrostatic breakdown that connects the plurality of wirings to each other via a connecting portion from the image display area to the edge side of the substrate via the driver circuit. And a process.
[0017]
According to the manufacturing method of the first aspect, the plurality of pixel portions are formed in a matrix in the image display region located on the center side of the substrate by the pixel portion forming step. In parallel with or in parallel with this step, a plurality of wirings respectively connected to the plurality of pixel portions are formed by the wiring formation step. On the other hand, in parallel with or before or after these steps, a driver circuit that supplies drive signals to the plurality of wirings is formed around the image display region by a driver formation step. Here, in particular, in the protective pattern forming step, a conductive protective pattern including a connecting portion that connects a plurality of wirings to each other and extends from the image display region to the edge side of the substrate via the driver circuit is formed. Therefore, with respect to the protection pattern portion for connecting a plurality of wirings to each other, excluding this connecting portion, before or during the start of the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step, the center side of the driver circuit on the substrate. Alternatively, it can be formed on the edge side. After the formation of the protective pattern portion, the capacitance against electrostatic charge increases and a plurality of wirings are short-circuited or connected with a predetermined resistance, so that electrostatic breakdown in the wirings, the pixel portion, and the driver circuit can be prevented. Therefore, the period during which the wiring, the pixel portion, and the driver circuit are exposed to the risk of electrostatic breakdown can be shortened according to the point in time when the protective pattern portion excluding such a connecting portion is formed.
[0018]
On the other hand, the contact portion of the protection pattern is formed on the driver circuit after the driver formation step. Therefore, it is possible to draw out the protective pattern to the edge side from the driver circuit on the substrate through this connecting portion. As a result, before or after the formation of the connecting portion, a protective pattern portion for connecting a plurality of wirings to each other via the connecting portion is formed on the edge side of the driver circuit, and after the connecting portion is formed, the driver circuit. Since the capacitance against electrostatic charges is increased by the protective pattern portion on the edge side, and a plurality of wirings are short-circuited or connected with a predetermined resistance, electrostatic breakdown in the wirings, the pixel portion, and the driver circuit can be prevented.
[0019]
A method for manufacturing an active matrix substrate device according to claim 2 is the manufacturing method according to claim 1, wherein in the pixel portion forming step, a pixel electrode having a laminated structure and A drive element for driving the pixel electrode according to the drive signal is formed, and in the protection pattern forming step, the connecting portion is formed from the same layer as that for forming the pixel electrode, and in the driver forming step, The driver circuit is formed at least partially from the same plurality of layers as forming the drive element.
[0020]
According to the manufacturing method of claim 2, the pixel electrode and the driving element having a laminated structure are formed in each of the plurality of pixel portions, but the communication portion is formed from the same layer as that for forming the pixel electrode, The driver circuit is formed at least partially from the same layers that form the drive element. Therefore, the formation of the pixel electrode in the pixel portion forming step and the formation of the connecting portion in the protective pattern forming step can be performed simultaneously in the same step. Further, it is possible to simultaneously form the drive element in the pixel portion formation process and at least a partial formation of the driver circuit in the driver formation process in the same process. As a result, the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced.
[0021]
The manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 3 is the manufacturing method according to claim 2, wherein in the pixel portion forming step, the pixel electrode is formed from an ITO film, and the driving element is formed from a thin film transistor. It is characterized by forming.
[0022]
According to the above-described manufacturing method, the pixel electrode and the connecting portion are formed from the ITO film, and at least a part of the driving element and the driver circuit are formed from the thin film transistor. Therefore, the manufacturing process of the active matrix substrate device having a relatively simple structure can be simplified and the cost can be reduced.
[0023]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 3 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 2, wherein, in the protection pattern formation step, the active matrix substrate device is arranged on the center side of the driver circuit. A first protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region is formed before the pixel portion forming step, and the first protective pattern portion is formed during or after the pixel portion forming step. Is cut and removed.
[0024]
According to the manufacturing method of claim 3, the first interconnecting the plurality of wirings along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit by the protective pattern forming step is performed before the pixel portion forming step. A protective pattern portion is formed. Thereafter, the first protective pattern is cut and removed during or after the pixel portion forming process. Therefore, the first protection pattern portion can prevent electrostatic breakdown in the wiring, the pixel portion, and the driver circuit before the pixel portion forming step. For this reason, in general, the protective pattern portion excluding such a connecting portion is more effective as it is formed at the initial stage of manufacture. Further, the first protective pattern portion, which is more difficult to cut and remove than the protective pattern portion on the edge side of the driver circuit and is desired to be cut and removed at an earlier stage, is cut and removed during the pixel portion forming process. This avoids an increase in the number of processes and prevents the first protective pattern portion from obstructing the original function of the active matrix substrate device after completion.
[0025]
4. The manufacturing method according to claim 3, wherein in the protection pattern forming step, the first protection pattern portion is formed from the same layer as a wiring formed from a layer closest to the substrate among the plurality of wirings. May be.
[0026]
According to the manufacturing method described above, the first protective pattern portion is formed from the same layer as the wiring formed from the layer closest to the substrate, such as a gate wiring (scanning line) that is formed of a polysilicon film and is located in the lowermost layer. Is done. Therefore, electrostatic breakdown in the wiring can be prevented from the relatively early stage of the wiring forming process by the first protective pattern. In addition, it is possible to simultaneously perform the formation of the lowermost layer in the wiring formation process and the formation of the first protection pattern portion in the protection pattern formation process. As a result, the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced while effectively preventing electrostatic breakdown.
[0027]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 4 is the manufacturing method according to claim 3, wherein, in the protection pattern forming step, before the first protection pattern portion is cut and removed, the communication portion is formed. And a second protective pattern portion for connecting the plurality of wirings to each other via the connecting portion on the edge side of the driver circuit on the substrate.
[0028]
According to the manufacturing method of claim 4, the connecting portion is formed before cutting and removing the first protective pattern portion, and the contact portion is connected on the edge side of the driver circuit before or after the forming of the connecting portion. A second protection pattern portion that connects the plurality of wirings to each other via the portion is further formed. Therefore, after the second protective pattern portion and the connection portion are formed, the capacitance against electrostatic charge increases and a plurality of wirings are short-circuited or connected with a predetermined resistance. Can be prevented. Therefore, after a plurality of wirings are connected to each other by the second protective pattern portion in this way, even if the first protective pattern portion is cut and removed, electrostatic breakdown in the wiring or the like can be prevented. For this reason, the first protection pattern portion can be cut and removed during the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step without easily generating a period during which electrostatic breakdown can occur. By cutting and removing in this way, it is possible to prevent the first protective pattern portion from hindering the original function of the active matrix substrate device after completion.
[0029]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 5 is the manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein, in the protection pattern forming step, the periphery of the image display region is located closer to the center than the driver circuit. And forming a first protective pattern portion for interconnecting the plurality of wirings along the line before forming the pixel portion, and further forming a second protective pattern portion for interconnecting the plurality of wirings via the connecting portion. Form. Further, the first protection pattern has a portion having a resistance high enough to enable the active matrix substrate device to perform a normal operation by the drive signal, and after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. Are also left without being cut off.
[0030]
According to the manufacturing method of the fifth aspect, before the pixel portion forming step, the protective pattern forming step connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit. A protective pattern portion is formed. Since the first protection pattern has at least a portion having a high resistance, an electrical inspection or normal drive display can be performed without cutting and removing. By this first protection pattern portion, the defective product rate due to electrostatic breakdown in the wiring, the pixel portion, and the driver circuit can be reduced to some extent from before the pixel portion forming step to after completion of the active matrix substrate device. On the other hand, in the pixel portion forming step, a second protection pattern is formed via the lower resistance driver portion. By this second protective pattern, breakdown due to static electricity can be more completely prevented after the pixel portion forming step.
[0031]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 6 is the manufacturing method according to claim 4 or 5, wherein a mounting terminal forming a plurality of mounting terminals for supplying an electric signal to the driver circuit is formed. A step of forming the second protective pattern portion so as to be connected to the plurality of mounting terminals.
[0032]
According to the manufacturing method of the sixth aspect, a plurality of mounting terminals for supplying electric signals to the driver circuit are formed by the mounting terminal forming step. And a 2nd protection pattern part is formed by a protection pattern formation process so that it may connect also to a some mounting terminal. Therefore, electrostatic breakdown in the driver circuit including the wiring and elements connected to the mounting terminals can be prevented by the second protective pattern portion.
[0033]
The manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 7 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 2, wherein a plurality of mounting terminals for supplying an electric signal to the driver circuit are provided. A mounting terminal forming step to be formed; and in the protective pattern forming step, the plurality of wirings are connected to each other via the connecting portion on the edge side of the driver circuit on the substrate. A second protective pattern portion for connecting the terminals to each other is further formed.
[0034]
According to the manufacturing method of the seventh aspect, a plurality of mounting terminals for supplying electric signals to the driver circuit are formed by the mounting terminal forming step. Then, the protective pattern forming step further forms a second protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other via the connecting portion on the edge side of the driver circuit on the substrate and connects the plurality of mounting terminals to each other. . Therefore, electrostatic breakdown in the driver circuit including the wiring and elements connected to the mounting terminals via the connecting portion can be prevented by the second protective pattern portion.
[0035]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 8 is the manufacturing method according to claim 6 or 7 described above, wherein in the protective pattern forming step, the active matrix substrate device is cut off when the active matrix substrate device is cut or when the panel is chamfered. The second protective pattern portion is separated at the time of cutting the substrate or chamfering the panel so that the interconnection state of the plurality of wirings and the plurality of mounting terminals by the second protective pattern portion is eliminated. It is characterized by forming at least partially.
[0036]
According to the manufacturing method of the eighth aspect, the second protective pattern portion is formed at least partially at a position where the second protective pattern portion is cut when the substrate is cut or when the panel is chamfered. After that, when the active matrix substrate device is cut off at the time of substrate cutting or panel chamfering, the interconnection state of the plurality of wirings and the plurality of mounting terminals by the second protection pattern portion is canceled. Accordingly, the protective pattern can be cut and removed relatively easily by the substrate cutting step and the panel chamfering step without increasing the number of steps.
[0037]
The manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 9 is the manufacturing method according to claim 8, wherein in the protective pattern forming step, the active matrix substrate is separated from the active matrix substrate device when the substrate is cut. The second protective pattern portion may be formed to include a portion extending zigzag along one substrate cutting line with another active matrix substrate device adjacent to the device.
[0038]
According to the manufacturing method of the ninth aspect, the second protective pattern portion is formed by the protective pattern forming step so as to include a portion extending zigzag along one substrate cutting line. Thereafter, when the active matrix substrate device is disconnected at the time of cutting the substrate, the interconnection state between the plurality of wirings and the plurality of mounting terminals by the second protection pattern is canceled. Therefore, between the adjacent active matrix substrate devices, it is relatively easy without increasing the number of steps by the substrate cutting process while only the substrate cutting process along one substrate cutting line is sufficient. The protective pattern can be cut and removed.
[0039]
The manufacturing method of the active matrix substrate device according to claim 10 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein in the protection pattern forming step, the plurality of the active matrix substrate devices in the active matrix substrate device. The protection pattern is at least partially formed to have a high resistance so as to increase the electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to an extent that enables an electrical inspection using an electrical signal supplied via the wiring. It is characterized by doing.
[0040]
According to the manufacturing method of claim 10, the protective pattern is formed at least partially with a high resistance (for example, from an ITO wiring with a narrow line width) by the protective pattern forming step, and the electric resistance between the plurality of wirings is increased. It has been. As a result, it is possible to perform electrical inspection using electrical signals supplied via a plurality of wirings.
[0041]
The active matrix substrate device manufacturing method according to claim 11 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein the active matrix substrate device is supplied via the plurality of wirings in the active matrix substrate device. An element forming step of forming a high-resistance non-linear element in a part of the protective pattern for increasing the electric resistance between the plurality of wirings connected by the protective pattern to such an extent that electrical inspection by an electric signal is possible; It is characterized by that.
[0042]
According to the manufacturing method of the eleventh aspect, the high resistance nonlinear element is formed in a part of the protection pattern by the element forming step, and the electric resistance between the plurality of wirings is increased. As a result, it is possible to perform electrical inspection using electrical signals supplied via a plurality of wirings.
[0043]
The manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 12 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein in the protection pattern forming step, the plurality of the active matrix substrate devices in the active matrix substrate device are provided. The protection pattern is at least partially formed to have a high resistance so as to increase the electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to such an extent that normal operation by the drive signal supplied via the wiring is possible. The protective pattern is left without being cut off after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step.
[0044]
According to the manufacturing method of the twelfth aspect, the protective pattern is formed at least partially with high resistance (for example, from ITO wiring with a narrow line width) by the protective pattern forming step, and the electric resistance between the plurality of wirings is increased. It has been. As a result, the pixel portion is driven by a drive signal supplied via a plurality of wirings after the active matrix substrate device is completed without cutting and removing the protective pattern, thereby enabling normal operation. Accordingly, the protective pattern cutting and removing step can be omitted, and electrostatic breakdown after completion can be prevented.
[0045]
The active matrix substrate device manufacturing method according to claim 13 is the manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein the active matrix substrate device is supplied via the plurality of wirings in the active matrix substrate device. An element forming step of forming a high-resistance non-linear element in a part of the protection pattern for increasing the electric resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to such an extent that normal operation by the drive signal is possible; The protective pattern is left without being cut and removed even after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step.
[0046]
According to the manufacturing method of the thirteenth aspect, in the element forming step, a high-resistance nonlinear element is formed in a part of the protective pattern, and the electric resistance between the plurality of wirings is increased. As a result, the pixel portion is driven by a drive signal supplied via a plurality of wirings after the active matrix substrate device is completed without cutting and removing the protective pattern, thereby enabling normal operation. Accordingly, the protective pattern cutting and removing step can be omitted, and electrostatic breakdown after completion can be prevented.
[0047]
14. The manufacturing method according to claim 1, wherein in the driver formation step, the driver circuit is formed so as to have a laminated structure, and in the protection pattern formation step, the connection portion is formed by the connection portion. You may form so that it may not overlap with the upper layer wiring in a driver circuit completely.
[0048]
According to the manufacturing method described above, the driver circuit is formed to have a laminated structure. The connecting portion formed on the driver circuit is formed so as not to completely overlap with the upper layer wiring in the driver circuit. Therefore, it is possible to reduce the capacitance formed between the upper layer wiring in the driver circuit and the communication portion, as compared with a case where the communication portion completely overlaps with the upper layer wiring in the driver circuit. As a result, the adverse effect of the protection pattern on the operation of the driver circuit can be reduced.
[0049]
An active matrix substrate device according to the present invention is an active matrix substrate device having an image display region in which a plurality of pixel portions are provided in a matrix on the center side of the substrate, and a plurality of pixels connected to the plurality of pixel portions, respectively. Via a wiring, a driver circuit for supplying a drive signal to the plurality of wirings around the image display area, and a connecting portion from the image display area to the edge of the substrate via the driver circuit And a conductive protective pattern for preventing electrostatic breakdown that connects the plurality of wirings to each other.
In the active matrix substrate device of the present invention, each of the plurality of pixel portions includes a pixel electrode having a stacked structure and a drive element that drives the pixel electrode in accordance with the drive signal, and the communication portion includes at least The driver circuit is formed from the same plurality of layers as at least partially forming the drive element, and is formed from the same layer as the pixel electrode. .
Further, the active matrix substrate device of the present invention is formed before the pixel portion is formed along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit, and is cut and removed in the middle of the pixel portion forming step. And a first protection pattern portion connecting the plurality of wirings to each other.
Further, the active matrix substrate device of the present invention includes a second protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other via the connecting portion on the edge side of the driver circuit on the substrate.
The active matrix substrate device according to the present invention further includes a first protection pattern portion that connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit. The pattern portion is at least partially high in resistance to allow normal operation by the drive signal supplied through the plurality of wirings, and a second protection that connects the plurality of wirings to each other through the connection portion A pattern portion is provided, and the first protection pattern portion is left without being cut off after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step.
In addition, the active matrix substrate device of the present invention includes a plurality of mounting terminals for supplying electric signals to the driver circuit, and the second protective pattern portion is also connected to the plurality of mounting terminals. It is characterized by.
In addition, the active matrix substrate device of the present invention further includes a plurality of mounting terminals for supplying an electric signal to the driver circuit, and on the edge side of the driver circuit on the substrate via the connecting portion. A second protective pattern portion for connecting the plurality of wirings to each other and connecting the plurality of mounting terminals to each other is provided.
In the active matrix substrate device of the present invention, in the protective pattern forming step, when the active matrix substrate device is cut off at the time of cutting the substrate or at the end surface polishing process after cutting the substrate, the plurality of the plurality of the protective pattern portions are formed by the second protective pattern portion. The second protective pattern portion is provided at least partially at a position where the second protective pattern portion is cut off at the time of cutting the substrate or at the end surface polishing treatment after cutting the substrate so that the interconnection state between the wiring and the plurality of mounting terminals is eliminated. It is characterized by.
[0050]
Since the active matrix substrate device according to any one of claims 14 to 21 is manufactured by the manufacturing method of the present invention described above, the defective product rate due to electrostatic breakdown is remarkably low. In addition, the electrical inspection can be performed with high accuracy, and the existence of the protective pattern hardly impairs the original function of the active matrix substrate device, and the cost is reduced.
[0051]
An electro-optical panel according to claims 22 and 23 includes the active matrix substrate device according to any of claims 14 to 14 described above, and a counter substrate disposed to face the active matrix substrate device.
[0052]
Since the electro-optical panel according to the twenty-second aspect includes the active matrix substrate device and the counter substrate, the defective product rate due to electrostatic breakdown is remarkably low. Moreover, the electrical inspection is performed with high accuracy and the reliability is high. In addition, there is little or no damage to the original function of the electro-optical panel due to the presence of the protective pattern, and the cost is reduced.
[0053]
24. The electro-optical panel according to claim 23, wherein the active matrix substrate device and the counter substrate are bonded together along the outline of the image display area, and the active matrix substrate is formed by the seal material. A liquid crystal sealed between the device and the counter substrate may be further provided, and the protective pattern may be formed outside or under the sealing material as viewed from the image display area.
[0054]
According to the above-described electro-optical panel, the active matrix substrate device and the counter substrate are bonded together by the sealing material along the outline of the image display region. Liquid crystal is sealed between the active matrix substrate device and the counter substrate by this sealing material, and the electro-optical panel is configured as a liquid crystal panel. Since the protective pattern is formed outside the sealing material when viewed from the image display area, the protective pattern does not face the liquid crystal. Therefore, it is possible to prevent an increase in capacitance formed between the connecting portion on the driver circuit and the upper layer wiring in the driver circuit. In addition, it is possible to prevent the liquid crystal from being deteriorated by applying the direct current voltage of the protective pattern including the connecting portion on the driver circuit to the liquid crystal. For this reason, the electro-optical panel can perform highly accurate operation over a long period of time.
[0055]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0056]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0057]
(Embodiment of active matrix substrate device)
First, the configuration and manufacturing method of an active matrix substrate device for a liquid crystal panel will be described as an embodiment of the active matrix substrate device of the present invention.
[0058]
First, the overall configuration of the active matrix substrate device will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a state in which a plurality of active matrix substrate devices 1 according to the embodiment are formed in a matrix on a single large glass substrate. The active matrix substrate device 1 in this state is subjected to a substrate cutting step for cutting along a substrate cutting line indicated by a dotted line in the drawing, and further, a panel chamfering step is performed as necessary, so that individual active A matrix substrate device is used.
[0059]
In FIG. 1, an active matrix substrate device 1 includes a substrate 10 made of a glass substrate, a quartz substrate, or the like, and a pixel electrode and a TFT for driving a liquid crystal are provided in an image display region 11 located on the center side on the substrate 10. A plurality of pixel portions including each are formed in a matrix. The active matrix substrate device 1 includes a plurality of scanning lines (gate wirings) 12 connected to TFT gates in a plurality of pixel portions and a plurality of data lines (source wirings) 13 connected to the sources of the respective TFTs. The active matrix substrate device 1 further includes a scanning line driving circuit 14 that constitutes an example of a driver circuit that supplies a scanning signal as an example of a driving signal to the scanning line 12 around the image display region 11, and a driving signal to the data line 13. And a data line driving circuit 15 that constitutes an example of a driver circuit that supplies a data signal. The scanning line driving circuit 14 is provided on both sides of the image display area 11. Here, in addition to a circuit for directly supplying a data signal during normal operation of a liquid crystal panel completed by incorporating the active matrix substrate device 1, a pre-voltage for boosting the data line 13 to a predetermined potential before supplying the data signal is shown. A precharge circuit for supplying a charge signal, a sampling circuit for sampling an analog image signal and supplying it to the data line 13, and an inspection circuit for supplying a predetermined electrical signal to the data line 13 during electrical inspection of the circuit and wiring A circuit related to an operation of supplying an electric signal to the data line is generically referred to as a data line driving circuit 15.
[0060]
In the present embodiment, the active matrix substrate device 1 further connects the plurality of scanning lines 12 and the data lines 13 to each other over a predetermined period of the manufacturing process, and from the image display area 11 to the scanning line driving circuit 14 and the data lines. A second protective pattern portion 16b that is a part of the protective pattern including a connecting portion that reaches the edge side of the substrate 10 via the drive circuit 15 is provided. The second protective pattern portion 16b is connected to the scanning line 12 and the data together with the first protective pattern portion 16a (shown by a dotted line in the drawing) that is cut and removed before the active matrix substrate device 1 is completed (during formation of the TFT of the pixel portion). The lines 13 are connected to each other by a short circuit or a low resistance, and function as a protective pattern during manufacturing of the active matrix substrate device 1.
[0061]
Hereinafter, with reference to FIGS. 2 to 5, the configuration and manufacturing method of the protection pattern will be described together with the manufacturing method of the active matrix substrate device 1.
[0062]
In FIG. 2, the protection pattern reaches from the first protection pattern portion 16 a, the second protection pattern portion 16 b, and the image display area 11 to the edge side of the substrate 10 via the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15. The communication part 16c is included. Among these, the first protection pattern portion 16a is formed of, for example, the same polysilicon film as the scanning line 12 in the initial manufacturing stage of the active matrix substrate device 1, and the scanning line driving circuit in each active matrix substrate device 1 is used. 14 and the data line driving circuit 15 are arranged along the periphery of the image display area on the center side (that is, the side closer to the image display area), and the scanning lines 12 and the data lines 13 are short-circuited with each other or have low resistance. It is configured to connect with. For example, the second protection pattern portion 16b is formed from the same polysilicon film as the scanning line 12 at a relatively early stage of the manufacturing of the active matrix substrate device 1, or from the same ITO film as the pixel electrode at a relatively later stage of the manufacturing. Are wired along the edge of the substrate 10 on the edge side (that is, the side farther from the image display area) than the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 in each active matrix substrate device 1, The scanning line 12 and the data line 13 are connected to each other with a short circuit or a low resistance via the connecting part 16c. The connecting portion 16C is formed of, for example, the same ITO film as the pixel electrode at a relatively late stage of manufacture, and the scanning line 12 and the data line 13 and the second protective pattern portion 16b are connected to the scanning line driving circuit 14 and the data. It is configured to be connected (connected) via the line drive circuit 15.
[0063]
Here, with reference to a cross-sectional view of FIG. 3, a detailed configuration of a portion where the connecting portion 16c is connected via the scanning line driving circuit 13 will be described.
[0064]
In FIG. 3, the TFT 30 provided in each pixel portion in the image display region 11 (see FIG. 1) is configured as a positive stagger type TFT, and a semiconductor film in which a channel is formed on the substrate 10. 31 and a gate insulating film 33 are stacked, and a scanning line 12 (gate wiring) made of, for example, a polysilicon film is disposed on the gate insulating film 33. For example, a data line 13 (source wiring) made of a metal film such as Al is connected to the source region of the semiconductor film 31 through a contact hole. For example, Al or the like is connected to the drain region of the semiconductor film 31. A pixel electrode 26 made of, for example, an ITO film is connected via a contact hole through the relay film 25 made of a metal film or the like. Each film is electrically insulated from each other by the first interlayer insulating film 41, the second interlayer insulating film 42, and the third interlayer insulating film 43.
[0065]
The TFT 30 ′ provided in the data line driving circuit 15 is configured in the same manner as the TFT 30 in the pixel portion, and is formed at the same time in the same process. That is, the TFT 30 ′ is configured as a positive stagger type TFT, and a semiconductor film 31 ′ on which a channel is formed and a gate insulating film 33 ′ are stacked on the substrate 10, and the TFT 30 ′ is formed on the gate insulating film 33 ′. For example, a gate wiring 12 ′ made of a polysilicon film or the like is disposed. For example, a wiring 13 ′ made of a metal film such as Al is connected to the source region of the semiconductor film 31 ′ through a contact hole, and the data line 13 is connected to the contact region of the drain region of the semiconductor film 31 ′. Connected through.
[0066]
In the present embodiment, in particular, the scanning line 12 and the data line 13 in the TFT 30 of the pixel portion are connected to a contact portion 16c of a protective pattern formed of the same ITO film as the pixel electrode 26 through a contact hole. The connecting portion 16c is drawn to the edge side (upper and lower edge sides in FIG. 2) of the substrate 10 via the upper side of the data line driving circuit 15.
[0067]
Note that the TFTs provided in the scanning line driving circuit are configured in the same manner as the TFTs 30 ′ provided in the data line driving circuit 15, that is, are formed simultaneously with the TFTs 30 in the pixel portion. Further, the connecting portion 16c is also drawn out to the edge side (left and right edge sides in FIG. 2) of the substrate 10 via the scanning line driving circuit 14 above.
[0068]
Next, with reference to FIGS. 2 and 3, processes mainly related to the formation of the protective pattern in the manufacturing method of the active matrix substrate device 1 will be described.
[0069]
2 and 3, pixel portions including the TFTs 30 and the pixel electrodes 26 are formed in a matrix in the image display region 11 by the pixel portion forming step. In parallel with or before or after this step, a plurality of scanning lines 12 respectively connected to the gate of the TFT 30 and a plurality of data lines 13 respectively connected to the source of the TFT 30 are formed by the wiring forming step. On the other hand, in parallel with or before or after these steps, the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 are formed around the image display region by the driver forming step. Here, in particular, a plurality of scanning lines 12 and data lines 13 are connected to each other by the protective pattern forming step, and from the image display region 11 via the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 above the substrate 10. A protective pattern including the connecting portion 16c reaching the edge side is formed.
[0070]
Therefore, according to this manufacturing method, for the first protection pattern portion 16a that connects the scanning line 12 and the data line 13 to each other except the connecting portion 16c, the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step are started. It can be formed before or during the process. After the formation of the first protective pattern portion 16a, the capacitance against the electrostatic charge increases (therefore, the voltage V = Q / C decreases as described above) and between the plurality of scanning lines 12 and the data lines 13 Are connected by a short circuit or a predetermined resistance, so that the scanning line 12, the data line 13, the TFT 30 and the pixel electrode 26 in the pixel portion, the TFT 30 'in the scanning line driving circuit 14, various wirings, the TFT in the data line driving circuit 15, Electrostatic breakdown in various wirings, interlayer insulating films 41 to 43, etc. can be prevented.
[0071]
Therefore, the period during which these wirings, TFTs, etc. are exposed to the risk of electrostatic breakdown can be shortened according to the time when the first protective pattern portion 16a is formed. For this reason, it is preferable that the first protective pattern portion 16a is formed at a relatively early stage of manufacture, and before the elements and wirings that are electrostatically damaged are formed. Therefore, in this embodiment, since the scanning lines 12 (gate wirings) are simultaneously formed from the same film, electrostatic breakdown of wirings and elements formed after the formation of the scanning lines 12 can be prevented. In this sense, in the case of an active matrix substrate device for a liquid crystal panel in which an inverted stagger type TFT is provided in each pixel portion, the first protective pattern portion is formed from the same film as the scanning line 12 (gate wiring). For example, the scanning line 12 is more effective as the film is formed closer to the substrate.
[0072]
The second protective pattern portion 16b may be formed simultaneously from the same film as the first protective pattern portion 16a. As shown in FIG. 2, the wiring 16d that connects the first protection pattern portion 16a and the second protection pattern portion 16b without the connection portion 16c is further formed from the same film as shown in FIG. The second protective pattern portion can function as a part of the protective pattern before forming the connecting portion 16c. However, the second protective pattern portion 16b may be formed after the first protective pattern portion 16a. Even if it forms in this way, after connecting via the connection part 16c, it can be made to function as a part of protection pattern. Furthermore, the first protective pattern portion 16a can be formed from the same layer as the connecting portion such as the ITO film described above.
[0073]
On the other hand, the connecting portion 16c is formed on the interlayer insulating film 43 of the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 after the driver formation step. Therefore, it is possible to draw out the protective pattern to the edge on the substrate 10 through the connecting portion 16c. As a result, before or after the formation of the connecting portion 16c, the second protective pattern portion 16b for connecting the scanning line 12 and the data line 13 to each other via the connecting portion 16c is formed on the edge side of the substrate 10 and the connecting portion 16c. After the formation, the capacitance against electrostatic charges is increased by the second protective pattern portion 16b, and the scanning line 12 and the data line 13 are short-circuited or connected with a predetermined resistance.
[0074]
As a result, the scanning line 12, the data line 13, the TFT 30 and the pixel electrode 26 in the pixel portion, the TFT 30 ′ and various wirings in the scanning line driving circuit 14, the TFT and various wirings in the data line driving circuit 15, and the interlayer insulating film 41. Electrostatic breakdown at ~ 43 etc. can be prevented.
[0075]
Accordingly, after the scanning line 12 and the data line 13 are connected to each other by the second protective pattern part 16b through the connecting part 16c, even if the first protective pattern part 16a is cut and removed, such electrostatic breakdown is caused. Can be prevented. For this reason, it is more difficult to cut and remove than the first protective pattern portion 16b on the edge side of the substrate 10 without easily generating a period during which electrostatic breakdown can occur, and a center where cutting and removal at an earlier stage is desired. The first protective pattern portion 16a on the side is used in the middle of the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step, more specifically, using the etching step of the thin film forming step of the TFT 30 (with an extra number of steps). Cut away while avoiding the increase. As a result, it is possible to prevent the first protective pattern portion on the center side from becoming an obstacle to the original function of the active matrix substrate device 1 after completion and at the time of electrical inspection. Then, the second protective pattern portion on the edge side of the substrate 10 can be cut and removed after, for example, cutting the substrate or chamfering the panel after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. Become. The cutting and removal in this case is easy because the second protective pattern portion 16b is on the edge side of the substrate 10.
[0076]
In the present embodiment, in particular, in the pixel portion forming step, the pixel electrode 26 and the TFT 30 made of an ITO film having a laminated structure are formed in each of the plurality of pixel portions, and in the protection pattern forming step, the connecting portion 16c is replaced with the pixel. In the driver formation process, the TFTs 30 ′ of the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 are formed from the same plurality of films as the TFTs 30 of the pixel portion. Therefore, the formation of the pixel electrode in the pixel portion forming step and the formation of the connecting portion in the protective pattern forming step can be performed simultaneously in the same step. Further, it is possible to simultaneously form the drive element in the pixel portion formation process and at least a partial formation of the driver circuit in the driver formation process in the same process. As a result, the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced.
[0077]
In the present embodiment, in particular, a plurality of mounting terminals 19 for supplying electric signals to the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 are formed on the edge side of the substrate 10. The second protective pattern portion 16b is formed so as to be connected to the mounting terminals 19 of the second protective pattern portion 16b. Here, the “mounting terminal” is, for example, a TAB (tape automated bonding) pad provided along the edge on the substrate, and various data from an external IC circuit or the like via the mounting terminal. Signals, control signals, clock signals, power supply signals, and the like are input to the active matrix substrate device 1. Therefore, electrostatic breakdown in the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 including wirings and elements connected to the mounting terminals 19 can be prevented by the second protective pattern portion 16b.
[0078]
Particularly in the present embodiment, as shown in FIG. 2, in the protection pattern forming process, when the active matrix substrate device 1 is cut at the time of substrate cutting or panel chamfering, the scanning lines 12, the data lines 13 and the second protection pattern portions are separated. The second protective pattern portion 16b is formed at least partially at a position where it is cut off when the substrate is cut or the panel is chamfered so that the interconnection state of the mounting terminals is eliminated. Accordingly, the protective pattern can be cut and removed relatively easily by the substrate cutting step and the panel chamfering step without increasing the number of steps. Furthermore, in the present embodiment, in the protective pattern forming step, one substrate cutting line between another active matrix substrate device 1 adjacent to the active matrix substrate device 1 that is separated from the active matrix substrate device 1 when the substrate is cut. The second protective pattern portion 16b is formed so as to include a portion extending along the zigzag (see FIGS. 1 and 2). Therefore, between the adjacent active matrix substrate devices 1, it is relatively easy without increasing the number of processes by the substrate cutting process while only the substrate cutting process along one substrate cutting line is sufficient. In addition, the protective pattern can be cut and removed.
[0079]
As described above, a plurality of active matrix substrate devices 1 of the present invention are generally formed on a large substrate, and the large substrate is cut and separated at the end of the manufacturing process. The electrical inspection can be made possible by adjusting the shape and line width of the connecting portion 16c.
[0080]
In the present embodiment, in particular, in the protective pattern forming step, the connecting portion 16 c does not completely overlap the upper layer wiring in the scanning line driving circuit 14 or the data line driving circuit 15 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 10. To form. If formed in this way, the connecting portion 16c is formed between the upper layer wiring and the connecting portion 16c as compared with the case where the connecting portion 16c completely overlaps with the upper layer wiring in the scanning line driving circuit 14 and the like. Capacity can be reduced. As a result, the adverse effect of the protection pattern on the operation of the driver circuit can be reduced.
[0081]
(Deformation)
Next, a modification of the active matrix substrate device 1 will be described with reference to FIG.
[0082]
The manufacturing method of the active matrix substrate device 1 according to the present modification is such that the first protection pattern portion 16a and the second protection pattern portion 16a can be electrically inspected by the electrical signals supplied via the scanning lines 12 and the data lines 13 to the second. FIG. 4 shows an electrostatic breakdown prevention circuit 18 as an example of a high-resistance non-linear element that increases the electrical resistance between the scanning line 12 and the data line 13 connected by the protection pattern composed of the protection pattern portion 16b and the connection portion 16c. Thus, an element forming step for forming a part of the protective pattern is further provided.
[0083]
In FIG. 4, the electrostatic breakdown preventing circuit 18 is composed of two diode-connected TFTs, and is configured to increase the current only when a high breakdown voltage is applied. As described above, since the electrical resistance between the scanning lines 12 and the data lines 13 connected to each other via the protective pattern is increased, it is possible to perform electrical inspection using electrical signals supplied through a plurality of wirings. The Furthermore, if the electrostatic breakdown preventing circuit 18 is configured to have a high resistance to such an extent that the normal operation by the scanning signal and the data signal supplied through the scanning line 12 and the data line 13 in the active matrix substrate device 1 is possible. Even if the protective pattern is not cut and removed when the active matrix substrate device 1 is completed, normal operation can be performed after the active matrix substrate device 1 is completed. Accordingly, the protective pattern cutting and removing step can be omitted, and electrostatic breakdown after completion can be prevented.
[0084]
In order to insert the electrostatic breakdown preventing circuit 18 in this way, the protective pattern portion may be formed with high resistance. For example, the resistance can be increased by narrowing the line width in the connecting portion 16c made of an ITO film. Then, if the connecting portion 16c is formed with a high resistance to such an extent that an electrical inspection can be performed by an electric signal supplied via the scanning line 12 and the data line 13 in the active matrix substrate device 1, the first protective pattern can be obtained. After cutting and removing 16a, it is possible to perform an electrical inspection using an electric signal supplied through a plurality of wirings. Further, if the connecting portion 16c is formed with a high resistance to such an extent that a normal operation can be performed by the scanning signal and the data signal supplied via the scanning line 12 and the data line 13 in the active matrix substrate device 1, the active matrix can be obtained. Even if the protective pattern is not cut and removed when the substrate device 1 is completed, normal operation is enabled after the active matrix substrate device 1 is completed. Therefore, the step of cutting and removing the second protective pattern 16b and the connecting portion 16c can be omitted, and electrostatic breakdown after completion can be prevented.
[0085]
(Embodiment of liquid crystal panel)
Next, an embodiment of a liquid crystal panel as an example of the electro-optical panel of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 is a plan view seen from the counter substrate side of the liquid crystal panel, and FIG. 6 is an HH ′ sectional view thereof.
[0086]
As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the liquid crystal panel has an opposing matrix composed of the above-described active matrix substrate device 1 in which various wirings, elements, and the like are formed on the substrate 10, and a glass substrate and the like disposed so as to oppose the substrate 10. A substrate 20, a sealing material 52 for bonding the substrate 10 and the counter substrate 20 along the outline of the image display region 11, and a liquid crystal 50 sealed between the substrate 10 and the counter substrate 20 by the sealing material 52 are provided. Configured.
[0087]
In the region outside the sealing material 52, the scanning line driving circuit 14, the data line driving circuit 15, the mounting terminal 19, and a plurality of wirings 105 for connecting them are provided. Further, at least one corner portion of the counter substrate 20 is provided with a vertical conductive material (silver point) 106 for establishing electrical continuity between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.
[0088]
In FIG. 6, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed. The sealing material 52 is an adhesive made of, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin for bonding the two substrates 10 and 20 around them, and a distance between the two substrates (inter-substrate gap) is predetermined. A gap material (spacer) such as glass fiber or glass bead is mixed for the value.
[0089]
Since the liquid crystal panel configured as described above includes the active matrix substrate device 1 described above, the defect rate due to electrostatic breakdown is remarkably low. Moreover, the electrical inspection is performed with high accuracy and the reliability is high.
[0090]
In the present embodiment, the protection pattern 16 (the first protection pattern portion 16a, the second protection pattern portion 16b, and the connection portion 16c) indicated by a broken line in the drawing is located outside the seal material 52 as viewed from the image display region 11 or It is formed directly under the sealing material 52. As described above, the first protective pattern 16a is cut and removed during the TFT process in the pixel portion, but may remain partially even when the active matrix substrate device 1 is incorporated in the liquid crystal panel. Further, as described in the modification, there is a case where the protective pattern is positively left for preventing electrostatic breakdown even after completion. Further, the second protective pattern 16b or the connecting portion 16c may not be cut and removed until the substrate is cut, or may remain entirely or partially even when the active matrix substrate device 1 is incorporated in the liquid crystal panel. Here, in the case of the present embodiment, the protection pattern 16 faces the liquid crystal 50 because the protection pattern 16 is formed outside the sealing material 52 or directly below the sealing material 52 when viewed from the image display region 11. There is nothing. Accordingly, it is possible to prevent an increase in capacitance formed between the connecting portion 16c on the scanning line driving circuit 14 and the data line driving circuit 15 and the upper layer wiring in these circuits. In addition, it is possible to prevent the liquid crystal 50 from being deteriorated by applying the DC voltage of the protective pattern 16 including the connecting portion 16c to the liquid crystal.
[0091]
As a result, the liquid crystal panel of this embodiment can perform highly accurate operation over a long period of time.
[0092]
【The invention's effect】
According to the manufacturing method of the active matrix substrate device of the present invention, the protective pattern is formed so as to include the connecting portion from the image display region to the edge side of the substrate via the upper side of the driver circuit. The period during which the circuit is exposed to the risk of electrostatic breakdown can be shortened. Therefore, an active matrix substrate device for an electro-optical panel such as a liquid crystal panel with a built-in driver can be manufactured while preventing electrostatic breakdown in various wirings, drive elements, driver circuits, and the like.
[0093]
Further, the active matrix substrate device and the electro-optical panel according to the present invention have a remarkably low defect rate due to electrostatic breakdown, and can perform electrical inspection with high accuracy. The original function is hardly impaired or not at all, and the cost is reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an active matrix substrate device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a protective pattern in the active matrix substrate device of the present embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a protection pattern in the active matrix substrate device of the present embodiment, together with a TFT of a pixel portion and a TFT of a data line driving circuit.
FIG. 4 is a circuit diagram of an electrostatic breakdown preventing circuit in a modified active matrix substrate device.
FIG. 5 is a plan view of a liquid crystal panel of the present embodiment.
6 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
[Explanation of symbols]
1. Active matrix substrate device
10 ... Board
11: Image display area
12 ... Scanning line
13 ... Data line
14 ... Scanning line driving circuit
15: Data line driving circuit
16 ... Protective pattern
18 ... Electrostatic breakdown prevention circuit
19 ... Mounting terminal
20 ... Counter substrate
26: Pixel electrode
30 ... TFT of the pixel part
30 '... TFT of the data line driving circuit
31 ... Semiconductor film
50 ... Liquid crystal
52 ... Sealing material

Claims (23)

基板の中央側に位置する画像表示領域に、複数の画素部をマトリクス状に形成する画素部形成工程と、
該複数の画素部に夫々接続された複数の配線を形成する配線形成工程と、
前記画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路を形成するドライバ形成工程と、
前記画像表示領域から前記ドライバ回路の上方を経由して前記基板の縁側に至る連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する静電破壊防止用の導電性の保護パターンを形成する保護パターン形成工程と、
を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス基板装置の製造方法。A pixel portion forming step of forming a plurality of pixel portions in a matrix in an image display region located on the center side of the substrate;
A wiring forming step of forming a plurality of wirings respectively connected to the plurality of pixel portions;
A driver forming step of forming a driver circuit for supplying a drive signal to the plurality of wirings around the image display area;
Protective pattern for forming a conductive protective pattern for preventing electrostatic breakdown that connects the plurality of wirings to each other via a connecting portion from the image display region to the edge side of the substrate via the driver circuit. Forming process;
A method of manufacturing an active matrix substrate device, comprising: 前記画素部形成工程では、前記複数の画素部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極を前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を形成し、
前記保護パターン形成工程では、前記連絡部分を、少なくとも部分的に前記画素電極を形成するのと同じ層から形成し、
前記ドライバ形成工程では、前記ドライバ回路を少なくとも部分的に前記駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。In the pixel portion forming step, a pixel electrode having a stacked structure and a driving element for driving the pixel electrode in accordance with the driving signal are formed in each of the plurality of pixel portions.
In the protective pattern forming step, the communication portion is formed from the same layer as at least partially forming the pixel electrode,
2. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 1, wherein, in the driver forming step, the driver circuit is formed from the same plurality of layers as at least partially forming the driving element. 前記保護パターン形成工程では、前記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第１保護パターン部分を前記画素部形成工程以前に形成し、前記画素部形成工程の途中で該第１保護パターン部分を切断除去することを特徴とする請求項１から２のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protective pattern forming step, a first protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit is formed before the pixel portion forming step, 3. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 1, wherein the first protective pattern portion is cut and removed during the pixel portion forming step. 前記保護パターン形成工程では、前記第１保護パターン部分を切断除去する前に、前記連絡部分を形成し且つ前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成することを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protection pattern forming step, before cutting and removing the first protection pattern portion, the connection portion is formed, and the plurality of wirings are connected to each other via the connection portion on the edge side of the driver circuit on the substrate. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 3, further comprising forming a second protective pattern portion connected to the substrate. 前記保護パターン形成工程では、前記画素部形成工程以前に前記ドライバ回路よりも中央側において、前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第１保護パターン部分を、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を通して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に少なくとも部分的に高抵抗に形成した後に、前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成し、該第1保護パターン部分は前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする請求項１から２のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protective pattern forming step, a first protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region on the center side of the driver circuit before the pixel portion forming step The plurality of wirings are connected to each other through the connecting portion after being formed at least partially with a high resistance so as to enable normal operation by the drive signals supplied through the plurality of wirings in the matrix substrate device. 3. The second protective pattern portion is further formed, and the first protective pattern portion is left without being cut and removed after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. The manufacturing method of the active-matrix substrate apparatus as described in any one. 前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更に備えており、
前記保護パターン形成工程では、前記複数の実装端子にも接続されるように前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とする請求項４から５に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。A mounting terminal forming step of forming a plurality of mounting terminals for supplying an electrical signal to the driver circuit;
6. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 4, wherein in the protective pattern forming step, the second protective pattern portion is formed so as to be connected to the plurality of mounting terminals. 前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を形成する実装端子形成工程を更に備えており、
前記保護パターン形成工程では、前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続すると共に前記複数の実装端子を相互に接続する第２保護パターン部分を更に形成することを特徴とする請求項１から２のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。A mounting terminal forming step of forming a plurality of mounting terminals for supplying an electrical signal to the driver circuit;
In the protective pattern forming step, a second protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other via the connecting portion on the edge side of the driver circuit on the substrate and connects the plurality of mounting terminals to each other. The method for manufacturing an active matrix substrate device according to claim 1, further comprising forming the active matrix substrate device. 前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離されると、前記第２保護パターン部分による前記複数の配線及び前記複数の実装端子の相互接続状態が解消されるように、前記第２保護パターン部分を、該基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離される位置に少なくとも部分的に形成することを特徴とする請求項６又は７に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protective pattern forming step, when the active matrix substrate device is cut off at the time of substrate cutting or at the time of end face polishing after substrate cutting, the interconnection state of the plurality of wirings and the plurality of mounting terminals by the second protection pattern portion The second protective pattern portion is formed at least partially at a position where the second protective pattern portion is separated at the time of cutting the substrate or at the end surface polishing process after cutting the substrate so as to be resolved. Of manufacturing an active matrix substrate device. 前記保護パターン形成工程では、前記基板切断時に当該アクティブマトリクス基板装置から切り離される当該アクティブマトリクス基板装置に隣接する他のアクティブマトリクス基板装置との間の一本の基板切断ラインに沿ってジグザグに延びる部分を含むように前記第２保護パターン部分を形成することを特徴とする請求項８に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protective pattern forming step, a portion that zigzags along one substrate cutting line with another active matrix substrate device adjacent to the active matrix substrate device that is separated from the active matrix substrate device when the substrate is cut The method for manufacturing an active matrix substrate device according to claim 8, wherein the second protective pattern portion is formed so as to include a portion. 前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  In the protection pattern forming step, the electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to such an extent that an electrical inspection can be performed by an electrical signal supplied via the plurality of wirings in the active matrix substrate device. 10. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 1, wherein the protective pattern is at least partially formed to have a high resistance so as to increase the resistance. 10. 当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される電気信号による電気的検査を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素子形成工程を更に備えたことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。  A high-resistance nonlinear element that increases the electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protective pattern to such an extent that electrical inspection can be performed using the electrical signals supplied through the plurality of wirings in the active matrix substrate device. 10. The method of manufacturing an active matrix substrate device according to claim 1, further comprising an element forming step of forming a part of the protective pattern on the protective pattern. 前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高めるように前記保護パターンを少なくとも部分的に高抵抗に形成し、
前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。In the protection pattern forming step, electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to such an extent that normal operation can be performed by the drive signal supplied via the plurality of wirings in the active matrix substrate device. Forming the protective pattern at least partially high resistance so as to enhance
10. The manufacturing method of an active matrix substrate device according to claim 1, wherein the protective pattern is left without being cut and removed after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. Method. 当該アクティブマトリクス基板装置における前記複数の配線を介して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に、前記保護パターンにより接続された複数の配線間の電気抵抗を高める高抵抗の非線形素子を前記保護パターンの一部に形成する素子形成工程を更に備えており、
前記保護パターンを前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする上述した請求項１から９のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置の製造方法。A high-resistance nonlinear element that increases the electrical resistance between the plurality of wirings connected by the protection pattern to such an extent that the normal operation can be performed by the drive signals supplied via the plurality of wirings in the active matrix substrate device. Further forming an element forming step for forming a part of the protective pattern,
10. The active matrix substrate device according to claim 1, wherein the protective pattern is left without being cut and removed after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. Manufacturing method. 基板の中央側に、複数の画素部をマトリクス状に設けられた画像表示領域を備えたアクティブマトリクス基板装置において、
該複数の画素部に夫々接続された複数の配線と、
前記画像表示領域の周囲に、前記複数の配線に駆動信号を供給するドライバ回路と、
前記画像表示領域から前記ドライバ回路の上方を経由して前記基板の縁側に至る連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する静電破壊防止用の導電性の保護パターンと、を有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板装置。In an active matrix substrate device including an image display area in which a plurality of pixel portions are provided in a matrix on the center side of the substrate,
A plurality of wirings respectively connected to the plurality of pixel portions;
A driver circuit for supplying a drive signal to the plurality of wirings around the image display area;
A conductive protection pattern for preventing electrostatic breakdown that connects the plurality of wirings to each other via a connecting portion from the image display region to the edge side of the substrate via the driver circuit. An active matrix substrate device. 前記複数の画素部の夫々に、積層構造を持つ画素電極及び該画素電極を前記駆動信号に応じて駆動する駆動素子を備え、
前記連絡部分は、少なくとも部分的に前記画素電極を形成するのと同じ層から形成されてなり、
前記ドライバ回路は、少なくとも部分的に前記駆動素子を形成するのと同じ複数の層から形成されてなることを特徴とする請求項１４に記載のアクティブマトリクス基板装置。Each of the plurality of pixel portions includes a pixel electrode having a stacked structure and a drive element that drives the pixel electrode in accordance with the drive signal,
The communication portion is formed at least partially from the same layer that forms the pixel electrode;
15. The active matrix substrate device according to claim 14, wherein the driver circuit is formed of a plurality of layers at least partially forming the driving element. 前記ドライバ回路よりも中央側において前記画像表示領域の周囲に沿って、
前記画素部形成以前に形成され、かつ、前記画素部形成工程の途中で切断除去される、前記複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分を備えることを特徴とする請求項１４から１５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置。Along the periphery of the image display area on the center side of the driver circuit,
16. A first protection pattern portion for interconnecting the plurality of wirings, which is formed before the pixel portion formation and is cut and removed during the pixel portion formation step. The active matrix substrate device according to any one of the above. 前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側において前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分を備えることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板装置。  17. The active matrix substrate device according to claim 16, further comprising a second protective pattern portion that connects the plurality of wirings to each other via the communication portion on an edge side of the driver circuit on the substrate. 前記ドライバ回路よりも中央側に、前記画像表示領域の周囲に沿って前記複数の配線を相互に接続する第1保護パターン部分を備え、当該第1保護パターン部分は、前記複数の配線を通して供給される前記駆動信号による通常動作を可能とする程度に少なくとも部分的に高抵抗とし、
前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続する第２保護パターン部分備え、
前記第1保護パターン部分は前記画素部形成工程、前記配線形成工程及びドライバ形成工程後にも切断除去せずに残すことを特徴とする請求項１４から１５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置。A first protection pattern portion that connects the plurality of wirings to each other along the periphery of the image display region is provided on the center side of the driver circuit, and the first protection pattern portion is supplied through the plurality of wirings. At least partially high resistance to the extent that normal operation by the drive signal is possible,
A second protective pattern portion for connecting the plurality of wirings to each other via the communication portion;
16. The active matrix substrate according to claim 14, wherein the first protection pattern portion is left without being cut and removed after the pixel portion forming step, the wiring forming step, and the driver forming step. apparatus. 前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を備えており、
前記第２保護パターン部分は、前記複数の実装端子にも接続されることを特徴とする請求項１７から１８に記載のアクティブマトリクス基板装置。A plurality of mounting terminals for supplying an electrical signal to the driver circuit;
The active matrix substrate device according to claim 17, wherein the second protective pattern portion is also connected to the plurality of mounting terminals. 前記ドライバ回路に電気信号を供給するための複数の実装端子を更に備えており、
前記基板上の前記ドライバ回路よりも縁側に、前記連絡部分を介して前記複数の配線を相互に接続すると共に、前記複数の実装端子を相互に接続する第２保護パターン部分を備えたことを特徴とする請求項１４から１５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板装置。A plurality of mounting terminals for supplying an electric signal to the driver circuit;
A second protective pattern portion for connecting the plurality of wirings to each other via the connecting portion and connecting the plurality of mounting terminals to each other on the edge side of the driver circuit on the substrate is provided. An active matrix substrate device according to any one of claims 14 to 15. 前記保護パターン形成工程では、当該アクティブマトリクス基板装置の基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離されると、前記第２保護パターン部分による前記複数の配線及び前記複数の実装端子の相互接続状態が解消されるように、前記第２保護パターン部分を、該基板切断時又は基板切断後の端面研磨処理時に切り離される位置に少なくとも部分的に設けたことを特徴とする請求項１９又は２０に記載のアクティブマトリクス基板装置。  In the protective pattern forming step, when the active matrix substrate device is cut off at the time of substrate cutting or at the time of end face polishing after substrate cutting, the interconnection state of the plurality of wirings and the plurality of mounting terminals by the second protection pattern portion 21. The device according to claim 19 or 20, wherein the second protective pattern portion is provided at least partially at a position where the second protective pattern portion is cut off at the time of cutting the substrate or at the end surface polishing process after cutting the substrate. Active matrix substrate device. 請求項１４〜２１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板装置と、該アクティブマトリクス基板装置に対向配置された対向基板とを備えたことを特徴とする電気光学パネル。  An electro-optical panel comprising: the active matrix substrate device according to any one of claims 14 to 21; and a counter substrate disposed to face the active matrix substrate device. 前記アクティブマトリクス基板装置と前記対向基板とを前記画像表示領域の輪郭に沿って相接着するシール材と、
該シール材により前記アクティブマトリクス基板装置と前記対向基板との間に封入された液晶と、
をさらに備えており、
前記画像表示領域から見て前記シール材の外側又は前記シール材の直下に、前記保護パターン部分を備えたことを特徴とする請求項２２に記載の電気光学パネル。A sealant for bonding the active matrix substrate device and the counter substrate along the contour of the image display region;
Liquid crystal sealed between the active matrix substrate device and the counter substrate by the sealing material;
Further comprising
23. The electro-optical panel according to claim 22, wherein the protection pattern portion is provided outside the sealing material or directly below the sealing material when viewed from the image display area.
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