JP3326673B2 - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP3326673B2
JP3326673B2 JP29981295A JP29981295A JP3326673B2 JP 3326673 B2 JP3326673 B2 JP 3326673B2 JP 29981295 A JP29981295 A JP 29981295A JP 29981295 A JP29981295 A JP 29981295A JP 3326673 B2 JP3326673 B2 JP 3326673B2
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liquid crystal
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哲也 松浦
賢司 寺本
徹 爰河
宏憲 青木
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株式会社アドバンスト・ディスプレイ
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関す
る。さらに詳しくは、電極端子部に発生する静電気放電
による表示不良を防止することが可能な液晶表示素子に
関する。
[0001] The present invention relates to a liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a liquid crystal display device capable of preventing display defects due to electrostatic discharge generated in electrode terminal portions.

【0002】[0002]

【従来の技術】高度情報化社会の発展に伴い液晶表示素
子の分野の進歩はめざましいものがある。しかしながら
液晶表示素子、なかでもアクティブマトリクス方式の液
晶表示素子は生産性が低く、それによる製品価格の上昇
が普及の大きな妨げとなっている。液晶表示素子の歩留
まりを低下させる大きな要因の1つとして静電気障害が
ある。静電気障害は液晶表示素子のほとんどすべての製
造工程で発生するが、とくに液晶表示素子を構成する第
2の透明絶縁性基板から電極端子への放電によって発生
する割合が高く、大きな問題となっている。
2. Description of the Related Art With the development of a highly information-oriented society, the field of liquid crystal display devices has made remarkable progress. However, liquid crystal display elements, especially liquid crystal display elements of the active matrix type, have low productivity, and the resulting increase in product price has hindered widespread use. One of the major factors that reduce the yield of liquid crystal display devices is an electrostatic disturbance. Electrostatic damage occurs in almost all manufacturing steps of a liquid crystal display element. In particular, the rate of occurrence due to discharge from the second transparent insulating substrate constituting the liquid crystal display element to the electrode terminals is high, which is a major problem. .

【0003】液晶表示素子の第2の透明絶縁性基板から
電極端子への放電によって発生する静電気障害の代表的
なモードは2つある。1つは、アクティブマトリクス駆
動型の液晶表示素子特有の障害であるが、静電気がソー
ス電極端子またはゲート電極端子から侵入することによ
り液晶表示素子内のトランジスタのソース、ゲート間に
急激に電位差が生じ、トランジスタを動作させるスレシ
ョルド電圧Vthがずれ、線状欠陥として視認されるもの
である。また、他の1つは、特定の電極端子より静電気
が入り、該静電気による電荷で一部の液晶が周囲と異な
る配向状態を示し、線状欠陥として視認されるものであ
る。
[0003] There are two typical modes of electrostatic damage caused by discharge from the second transparent insulating substrate of the liquid crystal display element to the electrode terminals. One is an obstacle peculiar to an active matrix drive type liquid crystal display element. When static electricity enters from a source electrode terminal or a gate electrode terminal, a potential difference is suddenly generated between a source and a gate of a transistor in the liquid crystal display element. The threshold voltage Vth for operating the transistor shifts and is visually recognized as a linear defect. The other one is one in which static electricity enters from a specific electrode terminal, a part of the liquid crystal shows an alignment state different from that of the surroundings due to the electric charge, and is visually recognized as a linear defect.

【0004】前述の静電気障害を防ぐための最も有効な
方法として、特開平3−290624号公報には、液晶
表示素子のゲート電極端子とソース電極端子とを、ショ
ートリングとよばれる低抵抗接続体により相互に短絡さ
せ、ゲート電極とソース電極の電位を同電位にすること
により、静電気によるトランジスタ特性のシフトや特定
の電極端子のみに侵入する静電気を防ぐということが記
載されている。しかし、かかる方法では、短絡を切断し
た以降の工程においては、ゲート電極とソース電極を同
電位に保つことができなくなるので決定的な方法とはな
りえない。
As the most effective method for preventing the above-mentioned electrostatic damage, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-290624 discloses a method in which a gate electrode terminal and a source electrode terminal of a liquid crystal display element are connected to a low-resistance connector called a short ring. It is described that short-circuiting between the transistors causes the gate electrode and the source electrode to have the same potential, thereby preventing a shift in transistor characteristics due to static electricity and static electricity entering only a specific electrode terminal. However, this method cannot be a definitive method since the gate electrode and the source electrode cannot be kept at the same potential in the steps after the short circuit is cut.

【0005】また、液晶表示素子の製造中にイオンブロ
アーを照射し、静電気による急激な電荷の移動を中和す
る方法が提案されてはいるが、静電気による急激な電荷
の移動を短時間に中和することは不可能であり、また、
長時間イオンブロアーを照射したばあい、液晶表示素子
が逆に帯電することもあり、有効な方法とはなりえな
い。
Although a method of irradiating an ion blower during the manufacture of a liquid crystal display element to neutralize the rapid transfer of electric charges due to static electricity has been proposed, the rapid transfer of electric charges due to static electricity can be prevented in a short time. It is impossible to reconcile, and
If the ion blower is irradiated for a long period of time, the liquid crystal display element may be charged in reverse, which is not an effective method.

【0006】さらに、特開平4−198922号公報お
よび特開平1−237523号公報には、ソース配線ブ
ロック、ゲート(コモン)配線ブロック間に発生しやす
い静電気障害を防止するための方法が記載されている。
液晶表示素子の表示目的に用いられる端子ブロックの外
側にダミー端子を設け、該ダミー端子とスイッチング素
子とを駆動するためのLSI(large scale integrated
circuit)が搭載されているフイルムキャリアーの出力
電極端子列の両側に形成されたダミー配線を介して、外
側プリント基板回路に設けられているアース端子にダミ
ー端子を接続し、静電気障害を防止している。しかし、
かかる方法では、ブロック間に発生しやすい静電気しか
防止することしかできず、第2の透明絶縁性基板の端面
付近に帯電した電荷からの放電による静電気障害を防止
することができない。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 4-198922 and 1-237523 describe a method for preventing an electrostatic failure which easily occurs between a source wiring block and a gate (common) wiring block. I have.
A dummy terminal is provided outside a terminal block used for a display purpose of the liquid crystal display element, and an LSI (large scale integrated) for driving the dummy terminal and the switching element is provided.
circuit) is connected to the ground terminal provided on the outer printed circuit board via dummy wiring formed on both sides of the output electrode terminal row of the film carrier on which the film carrier is mounted to prevent static electricity damage. I have. But,
In this method, only the static electricity easily generated between the blocks can be prevented, and the static electricity failure due to the discharge from the charge near the end face of the second transparent insulating substrate cannot be prevented.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
液晶表示素子の静電気障害対策では、液晶表示素子のシ
ョートリング(低抵抗接続体)を切断してのち、駆動用
LSIおよび外部プリント基板回路に液晶表示素子を接
続し、液晶表示素子のソース電極端子とゲート電極端子
間とを同電位にしている状態、すなわちソース電極端子
とゲート電極端子とが短絡されていない状態での静電気
障害に対する手段としては、有効なものではない。
As described above, in a conventional countermeasure against static electricity damage of a liquid crystal display element, a drive LSI and an external printed circuit board are cut after cutting a short ring (low resistance connection body) of the liquid crystal display element. A state in which a liquid crystal display element is connected to the circuit and the potential between the source electrode terminal and the gate electrode terminal of the liquid crystal display element is set to the same potential, that is, in the state where the source electrode terminal and the gate electrode terminal are not short-circuited. As a means, it is not effective.

【0008】本発明はこのような問題を解決し、信頼性
が高く、かつ、生産性が高い液晶表示素子を提供するこ
とを目的とする。
An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a liquid crystal display device having high reliability and high productivity.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、透明絶縁性基板、画像表示領域に相当する大きさで
ある第2の透明絶縁性基板、および前記透明絶縁性基板
と前記第2の透明絶縁性基板とのあいだに挟持される液
晶材料からなり、前記透明絶縁性基板上に、平行かつ等
間隔に配設される複数本のゲート電極端子と、前記ゲー
ト電極端子に直交し、かつ、それぞれ平行かつ等間隔に
配設される複数本のソース電極端子と、前記ゲート電極
端子と前記ソース電極端子とにそれぞれ接続されて形成
されるゲート配線およびソース配線と、前記ゲート配線
と前記ソース配線との交差部にそれぞれ形成されるスイ
ッチング素子と、前記ゲート配線と前記ソース配線とに
区切られた各領域に形成された表示電極とが形成されて
おり、前記透明絶縁性基板と前記第2の透明絶縁性基板
とが、相似形となるように重ねて配置されてなる液晶表
示素子であって、前記透明絶縁性基板の端部から該透明
絶縁性基板と前記第2の透明絶縁性基板が重なった前記
第2の透明絶縁性基板の端部までの透明絶縁性基板上の
端部領域上において、前記ゲート配線および前記ソース
配線にそれぞれ接続されてなる、外部からの駆動信号を
入力するための前記ゲート電極端子および前記ソース電
極端子が、LSIが載置されている1枚のフィルムキャ
リアに含まれる電極端子の個数でそれぞれ1個のゲート
電極端子ブロックおよび1個のソース電極端子ブロック
をなしており、前記ゲート電極端子ブロックおよび前記
ソース電極端子ブロックのそれぞれの上層に絶縁膜を積
層し、さらにその上層で、かつ、前記ソース電極端子ブ
ロックに垂直に、かつ前記ソース電極端子ブロックにま
たがってソース導電膜を形成し、前記ゲート電極端子ブ
ロックに垂直に、かつ前記ゲート電極端子ブロックにま
たがってゲート導電膜を形成し、前記ソース導電膜およ
びゲート導電膜は、前記ソース端子ブロックとゲート端
子ブロックに接続されるそれぞれのフィルムキャリアの
端部と前記第2の透明絶縁性基板の端部とのあいだの領
域に設けられ、フィルムキャリアの接続後も前記透 明絶
縁性基板上に露出している
According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a transparent insulating substrate; a second transparent insulating substrate having a size corresponding to an image display area; Consisting of a liquid crystal material sandwiched between the transparent insulating substrate, on the transparent insulating substrate, a plurality of gate electrode terminals disposed in parallel and at equal intervals, orthogonal to the gate electrode terminal, And, a plurality of source electrode terminals respectively disposed in parallel and at equal intervals, a gate wiring and a source wiring formed respectively connected to the gate electrode terminal and the source electrode terminal, the gate wiring and the Switches formed at the intersections with the source wiring
A switching element, and a display electrode formed in each region divided by the gate wiring and the source wiring, wherein the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate have similar shapes. A liquid crystal display element which is disposed so as to be overlapped with the second transparent insulating substrate, wherein the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate are overlapped from an end of the transparent insulating substrate. The gate electrode terminal and the source electrode connected to the gate line and the source line, respectively, for inputting a driving signal from the outside on an end region on the transparent insulating substrate up to an end of the substrate; The terminals form one gate electrode terminal block and one source electrode terminal block respectively with the number of electrode terminals included in one film carrier on which the LSI is mounted. An insulating film is stacked on each of the upper layers of the gate electrode terminal block and the source electrode terminal block, and a source conductive film is further formed on the insulating film in the upper layer and perpendicularly to the source electrode terminal block and across the source electrode terminal block. formed, perpendicular to the gate electrode terminal block, and forming a gate conductive layer over the gate electrode terminal block, Oyo the source conductive layer
And the gate conductive film, the source terminal block and the gate end.
Of each film carrier connected to the child block
Area between the end and the end of the second transparent insulating substrate
Provided range, the permeability Akiraze' after the film carrier connection
It is exposed on the edge substrate .

【0010】前記導電膜が前記スイッチング素子を形成
するためのソース電極またはドレイン電極と同一の製造
条件による膜からなることが、液晶表示素子を安価に製
造するためにも好ましい。
It is preferable that the conductive film is formed of a film under the same manufacturing conditions as a source electrode or a drain electrode for forming the switching element, in order to manufacture a liquid crystal display element at low cost.

【0011】前記ゲート電極端子列と垂直に形成された
導電膜が前記表示電極と同一の製造条件による膜からな
ることもできる。
[0011] The conductive film formed perpendicular to the gate electrode terminal row may be formed of a film under the same manufacturing conditions as the display electrode.

【0012】前記導電膜が画像表示領域に存在する補助
容量と同一の製造条件による膜からなっていることが、
液晶表示素子を安価に製造するため好ましい。
The conductive film is made of a film under the same manufacturing conditions as the storage capacitor present in the image display area;
This is preferable because a liquid crystal display element can be manufactured at low cost.

【0013】前記導電膜が前記ソース電極端子ブロック
およびゲート電極端子ブロックのそれぞれの両端に形成
されたダミー端子および前記スイッチング素子を駆動す
るためのLSIが載置されている前記フィルムキャリア
の出力電極端子列の両側に形成されたダミー配線を介し
て外部プリント基板回路のアース端子に接続されてなる
ことが、前記導電膜とゲート−ソース電極端子間の2次
放電防止のため好ましい。
A dummy terminal formed with the conductive film at both ends of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block, and an output electrode terminal of the film carrier on which an LSI for driving the switching element is mounted. It is preferable to connect to the ground terminal of the external printed circuit board via dummy wirings formed on both sides of the column in order to prevent a secondary discharge between the conductive film and the gate-source electrode terminal.

【0014】前記ソース電極端子ブロックおよびゲート
電極端子ブロックのそれぞれの両端に電極層を形成し、
該電極層をコンデンサの下層電極とし、前記スイッチン
グ素子を形成するための絶縁膜を誘電体層とし、前記導
電膜がコンデンサの上層電極と電気的に導通してなって
いることが、前記導電膜とゲート−ソース電極端子間の
2次放電防止のため好ましい。
An electrode layer is formed on both ends of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block,
The electrode layer may be a lower electrode of a capacitor, the insulating film for forming the switching element may be a dielectric layer, and the conductive film may be electrically connected to an upper electrode of the capacitor. To prevent secondary discharge between the gate and the source electrode terminal.

【0015】前記コンデンサの上層電極が前記導電膜と
同一の製造条件による膜からなっていることが、液晶表
示素子を安価に製造するため好ましい。
It is preferable that the upper electrode of the capacitor is formed of a film under the same manufacturing conditions as the conductive film in order to manufacture a liquid crystal display element at low cost.

【0016】前記コンデンサの下層電極が前記ソース電
極端子ブロックおよびゲート電極端子ブロックと同一の
製造条件による膜からなっていることが、液晶表示素子
を安価に製造するため好ましい。
It is preferable that the lower electrode of the capacitor is formed of a film having the same manufacturing conditions as the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block in order to manufacture a liquid crystal display element at low cost.

【0017】ここで用いられるコンデンサとは、第2の
透明性絶縁基板から前記導電層に対し放電した電荷をた
くわえるために用いられるコンデンサをいう。また、ゲ
ート導電膜とソース導電膜とは、それぞれ、ゲート電極
端子ブロックとソース電極端子ブロックとにまたがって
形成される導電膜をいう。
The capacitor used here is a capacitor used to store the electric charge discharged from the second transparent insulating substrate to the conductive layer. Further, a gate conductive film and a source conductive film refer to conductive films formed over a gate electrode terminal block and a source electrode terminal block, respectively.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明はたとえばアクティブマト
リクス型液晶表示素子の静電気障害対策に有効である。
なぜなら、TFT(thin film transistor、薄膜トラン
ジスタ)のばあいにおいてもMIM(metal-insulator-
metal)型ダイオードのばあいにおいても、スイッチン
グ素子を形成する際には絶縁膜が必要であり、前記絶縁
層の下層および上層に電極材料が設けてあるので、従来
の製造工程を利用して、静電気吸収用の導体層を設ける
ことができるからである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is effective for, for example, measures against static electricity in an active matrix type liquid crystal display device.
This is because even in the case of a thin film transistor (TFT), the MIM (metal-insulator-
In the case of a metal) type diode, an insulating film is necessary when forming a switching element, and an electrode material is provided in a lower layer and an upper layer of the insulating layer. This is because a conductor layer for absorbing static electricity can be provided.

【0019】つぎに図面を参照しながら本発明の液晶表
示素子を実施例に基づいて説明する。
Next, the liquid crystal display device of the present invention will be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0020】実施例1 以下、半導体層としてアモルファスシリコン(以下、単
にa−Siという)を用いた逆スタガ型構造のトランジ
スタを採用した液晶表示素子について、図1〜図4を用
いて説明する。図1は本発明の液晶表示素子の平面説明
図である。図2は、本発明の液晶表示素子のトランジス
タ部を示す断面図であり、図3は図1のA−A線断面図
であり、図4は図1のB−B線断面図であり、図5は本
発明の液晶表示素子と外部回路とを接続した説明図であ
る。
Embodiment 1 Hereinafter, a liquid crystal display device employing an inverted staggered transistor using amorphous silicon (hereinafter simply referred to as a-Si) as a semiconductor layer will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an explanatory plan view of a liquid crystal display device of the present invention. 2 is a sectional view showing a transistor portion of the liquid crystal display element of the present invention, FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram in which the liquid crystal display element of the present invention and an external circuit are connected.

【0021】図1において、1は透明絶縁性基板である
ガラス基板であり、2はガラス基板1上に形成されたソ
ース配線であり、3aは前記ソース配線2の先端部に設
けられるソース電極端子であり、3はソース電極端子3
aがTCP(tape carrier package、LSIが載置され
たフィルムキャリア)に含まれる電極端子の個数分で一
群となっているソース電極端子ブロックであり、4はゲ
ート配線であり、5aは前記ゲート配線の先端部に設け
られるゲート電極端子であり、5はゲート電極端子5a
がTCPに含まれる電極端子の個数分で一群となってい
るゲート電極端子ブロックであり、7は導電膜であり、
8はダミー端子である。図2において、9はゲート電極
であり、10はゲート絶縁膜であり、11は表示電極で
あり、12はチャネル層、13はエッチングストッパ層
であり、14はコンタクト層であり、15はドレイン電
極であり、16はソース電極である。図3において、6
はガラス基板1に対向する第2のガラス基板(第2の透
明絶縁性基板)である。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a glass substrate which is a transparent insulating substrate, 2 denotes a source wiring formed on the glass substrate 1, and 3a denotes a source electrode terminal provided at the tip of the source wiring 2. 3 is a source electrode terminal 3
Reference symbol a denotes a source electrode terminal block which is grouped by the number of electrode terminals included in a TCP (tape carrier package, a film carrier on which an LSI is mounted), 4 denotes a gate wiring, and 5a denotes the gate wiring. 5 is a gate electrode terminal provided at the tip of
Is a gate electrode terminal block grouped by the number of electrode terminals included in the TCP, 7 is a conductive film,
8 is a dummy terminal. In FIG. 2, 9 is a gate electrode, 10 is a gate insulating film, 11 is a display electrode, 12 is a channel layer, 13 is an etching stopper layer, 14 is a contact layer, and 15 is a drain electrode. And 16 is a source electrode. In FIG.
Is a second glass substrate (second transparent insulating substrate) facing the glass substrate 1.

【0022】つぎに本発明の液晶表示素子について、そ
の製法を説明する。
Next, the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【0023】まず、図1に示されるようにたとえばガラ
ス、プラスチックなどからなる透明な絶縁性基板にゲー
ト電極端子5aがTCPに含まれる電極端子の個数分で
一群となっているゲート電極端子ブロック5、ゲート電
極端子5aと一体に形成されているゲート配線4、ソー
ス電極端子3aがTCPに含まれる電極端子の個数分で
一群となっているソース電極端子ブロック3およびダミ
ー端子8を、同一工程で、たとえばスパッタリングによ
り成膜する。電極材料としては、たとえばCr、Al、
Ta、Mo、Tiなどが用いられる。
First, as shown in FIG. 1, on a transparent insulating substrate made of, for example, glass, plastic, or the like, gate electrode terminals 5a are grouped by the number of electrode terminals included in the TCP. The gate wiring 4 formed integrally with the gate electrode terminal 5a, the source electrode terminal block 3 in which the source electrode terminals 3a are grouped by the number of electrode terminals included in the TCP, and the dummy terminal 8 are formed in the same process. For example, a film is formed by sputtering. As an electrode material, for example, Cr, Al,
Ta, Mo, Ti or the like is used.

【0024】つぎに、図1のゲート電極端子ブロック
5、ゲート配線4およびゲート電極端子間とソース電極
端子間を覆うための、たとえばSiN膜などからなるゲ
ート絶縁膜10を、たとえばプラズマCVDなどで図3
に示されるように形成する。ゲート絶縁膜10を形成す
る際に、ソース配線2とソース電極端子3とを導通させ
るために、図3のxの位置にスルーホールを形成する。
さらに、たとえばITO膜、酸化スズ膜などからなる表
示電極11を、たとえばスパッタリングなどで形成す
る。さらに、第2のガラス基板6と、ゲート絶縁膜10
などが形成されたガラス基板1とのあいだの領域27に
液晶材料を挟持し、シール剤28で第2のガラス基板6
とゲート絶縁膜10のあいだを封じることによって、液
晶材料を封入する。
Next, a gate insulating film 10 made of, for example, an SiN film or the like for covering between the gate electrode terminal block 5, the gate wiring 4 and the gate electrode terminal and between the source electrode terminals in FIG. FIG.
Is formed as shown in FIG. When the gate insulating film 10 is formed, a through hole is formed at a position x in FIG. 3 to make the source wiring 2 and the source electrode terminal 3 conductive.
Further, a display electrode 11 made of, for example, an ITO film or a tin oxide film is formed by, for example, sputtering. Further, the second glass substrate 6 and the gate insulating film 10
A liquid crystal material is sandwiched in a region 27 between the second glass substrate 6 and the glass substrate 1 on which the second glass substrate 6 is formed.
The liquid crystal material is sealed by sealing the space between the gate insulating film 10 and the gate insulating film 10.

【0025】つぎに、図2に示されるトランジスタを形
成するために、図1のゲート電極端子ブロック5および
ゲート配線4と同時に形成されたゲート電極9およびゲ
ート電極9上に積層されたゲート絶縁膜10の表面に、
さらにa−Si層からなるチャネル層12、エッチング
ストッパ層13、およびオーミックコンタクトをうるた
めのN+ 型のa−Si層からなるコンタクト層14をそ
れぞれプラズマCVDで連続成膜する。ついで、たとえ
ばAl、Moなどからなるドレイン電極15、ソース電
極16、ソース配線2、および静電気吸収用の導電膜7
(図1参照)を、たとえばスパッタリングなどにより同
時に形成する。そののち、図示はしていないが、これら
の膜のさらに上層に液晶層にDC成分が入るのを防ぐた
め、SiN膜などのパッシベーション膜を設けることも
できる。そのばあいには、前記導電膜7上のパッシベー
ション膜の少なくとも一部を除去し、導電膜7表面を露
出させておく。また、ゲート絶縁膜10に図4のyで示
される位置、すなわちダミー端子8の上層部に、ダミー
端子8と導電膜7とが導通するためのスルーホール(図
示せず)を形成する。
Next, in order to form the transistor shown in FIG. 2, a gate electrode 9 formed simultaneously with the gate electrode terminal block 5 and the gate wiring 4 in FIG. 1 and a gate insulating film laminated on the gate electrode 9 are formed. On the surface of 10,
Further, a channel layer 12 made of an a-Si layer, an etching stopper layer 13, and a contact layer 14 made of an N + -type a-Si layer for obtaining an ohmic contact are successively formed by plasma CVD. Next, a drain electrode 15, a source electrode 16, a source line 2, and a conductive film 7 for absorbing static electricity, which are made of, for example, Al, Mo, or the like.
(See FIG. 1) are simultaneously formed by, for example, sputtering. Thereafter, though not shown, a passivation film such as a SiN film may be provided further above these films in order to prevent a DC component from entering the liquid crystal layer. In that case, at least a part of the passivation film on the conductive film 7 is removed to expose the surface of the conductive film 7. Further, a through hole (not shown) for conducting the dummy terminal 8 and the conductive film 7 is formed in the gate insulating film 10 at a position indicated by y in FIG.

【0026】つぎに、図5に示すように、図1に示され
る液晶表示素子と、駆動回路であるたとえば外部プリン
ト基板回路23とをフィルムキャリア19を介して接続
する。フィルムキャリア19は、たとえばポリイミドや
ポリエステルなどの有機絶縁性フィルム部と、銅箔また
は銅合金箔などからなる導電性金属箔をフォトリソグラ
フィー技術を用いて形成した導体パターン部であるソー
ス側の出力側の端子列21aと、ゲート側の出力側の端
子列21bおよび入力側の端子列22と、液晶駆動用の
LSI20とから構成されている。ここで、液晶駆動用
のLSI20に接続されたソース側の出力側の端子列2
1aおよびゲート側の出力側の端子列21bは、それぞ
れ、液晶表示素子18のソース電極端子ブロック3とゲ
ート電極端子ブロック5のピッチに合わせた形に形成さ
れている。また、前記LSIに接続された入力側の端子
列22は、外部プリント基板回路の出力側の端子列ピッ
チに合わせた形に形成されている。フィルムキャリア1
9と外部プリント基板回路23との接続には、はんだ、
または異方性導電膜が用いられる。フィルムキャリアに
は、ダミー端子8に対応してダミーパターン24が液晶
駆動用LSI20とは接続されずに、直接外部プリント
基板回路23のアース端子29に接続されるように形成
されている。
Next, as shown in FIG. 5, the liquid crystal display element shown in FIG. 1 is connected to a drive circuit, for example, an external printed circuit board 23 via a film carrier 19. The film carrier 19 is, for example, an organic insulating film portion such as polyimide or polyester, and a conductive pattern portion formed by using a photolithography technique on a conductive metal foil such as a copper foil or a copper alloy foil. , A terminal row 21b on the output side on the gate side, a terminal row 22 on the input side, and an LSI 20 for driving a liquid crystal. Here, the source-side output terminal row 2 connected to the liquid crystal driving LSI 20
The terminal row 1a and the output-side terminal row 21b on the gate side are formed so as to match the pitch between the source electrode terminal block 3 and the gate electrode terminal block 5 of the liquid crystal display element 18, respectively. The input terminal rows 22 connected to the LSI are formed so as to match the output terminal pitch of the external printed circuit board. Film carrier 1
9 and the external printed circuit board 23 are connected with solder,
Alternatively, an anisotropic conductive film is used. A dummy pattern 24 corresponding to the dummy terminal 8 is formed on the film carrier so as to be directly connected to the ground terminal 29 of the external printed circuit board circuit 23 without being connected to the liquid crystal driving LSI 20.

【0027】前述のようにして形成された液晶表示素子
の端子部においては、第2の透明絶縁性基板である第2
のガラス基板の表面に帯電した電荷は、最も近い導体で
ある静電気吸収用の導電膜7に向かって放電する。した
がって、ゲート電極端子ブロック5、ソース電極端子ブ
ロック3に対し、放電が起きることにより発生する静電
気障害を招くことがない。さらに、前記放電された電荷
は、ダミー端子8、フィルムキャリアのダミーパターン
24を介して外部プリント基板回路23のアース端子2
9に流れこむので、2次放電もない。
In the terminal portion of the liquid crystal display element formed as described above, the second transparent insulating substrate, ie, the second
The electric charge charged on the surface of the glass substrate is discharged toward the conductive film 7 for electrostatic absorption which is the closest conductor. Accordingly, the gate electrode terminal block 5 and the source electrode terminal block 3 do not suffer from electrostatic damage caused by discharge. Further, the discharged electric charge is supplied to the ground terminal 2 of the external printed circuit board 23 via the dummy terminal 8 and the dummy pattern 24 of the film carrier.
Since it flows into 9, there is no secondary discharge.

【0028】本実施例では、静電気吸収用の導電膜材料
として、ドレイン、ソース電極材料を用いたが図6に示
されるように、導電膜材料として、表示電極11を形成
する材料を図6のように用いても、前述と同様の効果を
うることができる。
In this embodiment, the drain and source electrode materials are used as the conductive film material for absorbing static electricity. However, as shown in FIG. 6, the material for forming the display electrode 11 is shown in FIG. The same effect as described above can be obtained by using the above method.

【0029】実施例2 本実施例においては、ソース電極端子およびゲート電極
端子の外側にコンデンサを形成することを特徴としてい
る。このようにコンデンサを形成することで、第2の透
明絶縁性基板の端部からの放電により静電気吸収層(導
電膜)に帯電した電荷がこのコンデンサに蓄えられる。
Embodiment 2 This embodiment is characterized in that a capacitor is formed outside the source electrode terminal and the gate electrode terminal. By forming the capacitor in this manner, the electric charge charged in the electrostatic absorption layer (conductive film) by the discharge from the end of the second transparent insulating substrate is stored in the capacitor.

【0030】図7は実施例2を示す平面図であり、図8
は図7のC−C線断面図である。図1と同じものには、
同じ符号を付しており、その形成方法はコンデンサの上
層電極26およびコンデンサの下層電極25を形成する
こと以外は実施例1と同様である。コンデンサの下層電
極25は、ソース電極端子ブロック3およびゲート電極
端子ブロック5と同様、ゲート配線4の成膜時に形成さ
れる。ゲート絶縁膜10は、このコンデンサの誘電体で
あり、コンデンサの下層電極25とコンデンサの上層電
極26に挟まれるように、コンデンサの下層電極25の
形成ののちに成膜される。つぎに、静電気吸収用の導電
膜7を引き延ばし、コンデンサの上層電極26を形成す
る。コンデンサの上層電極26は、表示電極の形成時に
用いられる、たとえばITO膜、酸化スズ膜からなる導
電膜であってもソース電極形成時に用いられるたとえば
Al、Moからなる導電膜であってもよい。
FIG. 7 is a plan view showing the second embodiment, and FIG.
FIG. 8 is a sectional view taken along line CC of FIG. 7. In the same thing as FIG.
The same reference numerals are used, and the forming method is the same as that of the first embodiment except that the upper electrode 26 of the capacitor and the lower electrode 25 of the capacitor are formed. The lower electrode 25 of the capacitor is formed at the time of forming the gate wiring 4 similarly to the source electrode terminal block 3 and the gate electrode terminal block 5. The gate insulating film 10 is a dielectric of the capacitor, and is formed after forming the lower electrode 25 of the capacitor so as to be sandwiched between the lower electrode 25 of the capacitor and the upper electrode 26 of the capacitor. Next, the conductive film 7 for absorbing static electricity is stretched to form the upper electrode 26 of the capacitor. The upper electrode 26 of the capacitor may be a conductive film made of, for example, an ITO film or a tin oxide film used for forming a display electrode, or may be a conductive film made of, for example, Al or Mo used for forming a source electrode.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明によれば、液晶表示素子の表面が
帯電しても、電荷は静電気吸収用の導電膜に対して放電
するので、表示不良などの静電気障害がない。
According to the present invention, even if the surface of the liquid crystal display element is charged, the charge is discharged to the conductive film for absorbing static electricity, so that there is no static electricity trouble such as display failure.

【0032】さらに、静電気吸収用の導電膜は液晶表示
素子の電極端子群の両端に設けられたダミー端子、フィ
ルムキャリアのダミーパターンを介して外部のアース端
子に接続しているので、放電した電荷は、液晶表示素子
の表面に帯電することなく、アース端子に流れる。
Further, since the conductive film for electrostatic absorption is connected to an external ground terminal through dummy terminals provided at both ends of the electrode terminal group of the liquid crystal display element and a dummy pattern of the film carrier, discharged electric charges are generated. Flows to the ground terminal without being charged on the surface of the liquid crystal display element.

【0033】また、液晶表示素子の端子部に形成した静
電気吸収用の導電膜と電極端子の両端部の外側領域に形
成した電極とでコンデンサを形成することにより、第2
の透明絶縁性基板の端部からの放電により静電気吸収層
に帯電した電荷がコンデンサ部に蓄えられるので、電荷
吸収用の導電膜と電極端子間での2次放電を防止するこ
とができる。したがって、特定の電極端子のみに静電気
が侵入することにより生じる線状欠陥などの表示不良を
防ぐことができ、欠陥のない高品質の液晶表示素子を高
歩留まりで製造することができる。
Further, by forming a capacitor by the conductive film for absorbing static electricity formed at the terminal of the liquid crystal display element and the electrodes formed at the outer regions at both ends of the electrode terminal, a second capacitor is formed.
Since the electric charge charged in the electrostatic absorption layer by the discharge from the end of the transparent insulating substrate is stored in the capacitor portion, the secondary discharge between the charge absorbing conductive film and the electrode terminal can be prevented. Therefore, display defects such as linear defects caused by static electricity entering only specific electrode terminals can be prevented, and a high-quality liquid crystal display device without defects can be manufactured at a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示素子の一実施例を示す平面図
である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】逆スタガ型の薄膜トランジスタを示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an inverted staggered thin film transistor.

【図3】図1の液晶表示素子のA−A線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 1 taken along line AA.

【図4】図1の液晶表示素子のB−B線断面図である。FIG. 4 is a sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 1 taken along line BB.

【図5】本発明の液晶表示素子の一実施例および外部プ
リント基板回路を接続した図である。
FIG. 5 is a diagram in which an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention and an external printed circuit board are connected.

【図6】本発明の液晶表示素子の他の実施例を示す断面
図である。
FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図7】本発明の液晶表示素子のその他の実施例を示す
平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図8】図7の液晶表示素子のC−C線断面図である。8 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 7, taken along line CC.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 ソース配線 3 ソース電極端子ブロック 3a ソース電極端子 4 ゲート配線 5 ゲート電極端子ブロック 5a ゲート電極端子 6 第2のガラス基板 7 導電膜 8 ダミー端子 9 ゲート電極 10 ゲート絶縁膜 11 表示電極 18 液晶表示素子 19 フィルムキャリア 21a ソース側の出力側の端子列 21b ゲート側の出力側の端子列 22 入力側の端子列 25 コンデンサの下層電極 26 コンデンサの上層電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Source wiring 3 Source electrode terminal block 3a Source electrode terminal 4 Gate wiring 5 Gate electrode terminal block 5a Gate electrode terminal 6 Second glass substrate 7 Conductive film 8 Dummy terminal 9 Gate electrode 10 Gate insulating film 11 Display electrode 18 Liquid crystal display device 19 Film carrier 21a Output-side terminal row on source side 21b Output-side terminal row on gate side 22 Terminal row on input side 25 Lower electrode of capacitor 26 Upper electrode of capacitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 爰河 徹 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 青木 宏憲 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (56)参考文献 特開 平7−175075(JP,A) 特開 平3−85525(JP,A) 特開 平5−303115(JP,A) 特開 平4−130417(JP,A) 特開 平6−258660(JP,A) 特開 平6−11684(JP,A) 特開 平3−170916(JP,A) 特開 平7−225387(JP,A) 特開 昭63−133124(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1345 G02F 1/1362 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tohru Koshikawa 997 Miyoshi, Nishi-Koshi-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Inside Advanced Display Co., Ltd. (72) Inventor Hironori Aoki 997 Miyoshi, Nishi-Koshi-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto In the display (56) References JP-A-7-175075 (JP, A) JP-A-3-85525 (JP, A) JP-A-5-303115 (JP, A) JP-A-4-130417 (JP, A) JP-A-6-258660 (JP, A) JP-A-6-11684 (JP, A) JP-A-3-170916 (JP, A) JP-A-7-225387 (JP, A) JP-A-63-1988 133124 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1345 G02F 1/1362

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 透明絶縁性基板、画像表示領域に相当す
る大きさである第2の透明絶縁性基板、および前記透明
絶縁性基板と前記第2の透明絶縁性基板とのあいだに挟
持される液晶材料からなり、 前記透明絶縁性基板上に、平行かつ等間隔に配設される
複数本のゲート電極端子と、前記ゲート電極端子に直交
し、かつ、それぞれ平行かつ等間隔に配設される複数本
のソース電極端子と、前記ゲート電極端子と前記ソース
電極端子とにそれぞれ接続されて形成されるゲート配線
およびソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線
との交差部にそれぞれ形成されるスイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記ソース配線とに区切られた各領域
に形成された表示電極とが形成されており、 前記透明絶縁性基板と前記第2の透明絶縁性基板とが、
相似形となるように重ねて配置されてなる液晶表示素子
であって、 前記透明絶縁性基板の端部から該透明絶縁性基板と前記
第2の透明絶縁性基板が重なった前記第2の透明絶縁性
基板の端部までの透明絶縁性基板上の端部領域上におい
て、前記ゲート配線および前記ソース配線にそれぞれ接
続されてなる、外部からの駆動信号を入力するための前
記ゲート電極端子および前記ソース電極端子が、LSI
が載置されている1枚のフィルムキャリアに含まれる電
極端子の個数でそれぞれ1個のゲート電極端子ブロック
および1個のソース電極端子ブロックをなしており、 前記ゲート電極端子ブロックおよび前記ソース電極端子
ブロックのそれぞれの上層に絶縁膜を積層し、さらにそ
の上層で、かつ、前記ソース電極端子ブロックに垂直
に、かつ前記ソース電極端子ブロックにまたがってソー
ス導電膜を形成し、前記ゲート電極端子ブロックに垂直
に、かつ前記ゲート電極端子ブロックにまたがってゲー
ト導電膜を形成し、前記ソース導電膜およびゲート導電膜は、前記ソース端
子ブロックとゲート端子ブロックに接続されるそれぞれ
のフィルムキャリアの端部と前記第2の透明絶縁性基板
の端部とのあいだの領域に設けられ、フィルムキャリア
の接続後も前記透明絶縁性基板上に露出している ことを
特徴とする液晶表示素子。
1. A transparent insulating substrate, a second transparent insulating substrate having a size corresponding to an image display area, and sandwiched between the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate. A plurality of gate electrode terminals, which are made of a liquid crystal material and are arranged in parallel and at equal intervals on the transparent insulating substrate, and are orthogonal to the gate electrode terminals, and are respectively arranged in parallel and at equal intervals. A plurality of source electrode terminals; a gate line and a source line formed respectively connected to the gate electrode terminal and the source electrode terminal; and a switching formed at an intersection of the gate line and the source line. Element and
A display electrode formed in each region divided by the gate wiring and the source wiring is formed, and the transparent insulating substrate and the second transparent insulating substrate are
What is claimed is: 1. A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal display device which is arranged so as to have a similar shape, wherein said second transparent insulating substrate and said second transparent insulating substrate are overlapped from an end of said transparent insulating substrate. On the end region on the transparent insulating substrate up to the end of the insulating substrate, the gate electrode terminal for inputting a driving signal from the outside, the gate electrode terminal being connected to the gate wiring and the source wiring, respectively, and Source electrode terminal is LSI
The gate electrode terminal block and the source electrode terminal block each comprising one gate electrode terminal block and one source electrode terminal block by the number of electrode terminals included in one film carrier on which the film carrier is mounted. An insulating film is laminated on each upper layer of the block, and a source conductive film is further formed thereon, and perpendicularly to the source electrode terminal block, and over the source electrode terminal block, and formed on the gate electrode terminal block. A gate conductive film is formed vertically and over the gate electrode terminal block, and the source conductive film and the gate conductive film are
Each connected to child block and gate terminal block
End of the film carrier and the second transparent insulating substrate
In the area between the edges of the film carrier
A liquid crystal display element, which is exposed on the transparent insulating substrate even after the connection .
【請求項2】 前記導電膜が前記スイッチング素子を形
成するためのソース電極またはドレイン電極と同一の製
造条件による膜からなる請求項1記載の液晶表示素子。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said conductive film is a film formed under the same manufacturing conditions as a source electrode or a drain electrode for forming said switching element.
【請求項3】 前記導電膜が前記表示電極と同一の製造
条件による膜からなる請求項1記載の液晶表示素子。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive film is a film formed under the same manufacturing conditions as the display electrode.
【請求項4】 前記導電膜が画像表示領域に存在する補
助容量と同一の製造条件による膜からなる請求項1記載
の液晶表示素子。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive film is formed of a film under the same manufacturing conditions as an auxiliary capacitor existing in an image display area.
【請求項5】 前記導電膜が、前記ソース電極端子ブロ
ックおよびゲート電極端子ブロックのそれぞれの両端に
形成されたダミー端子および前記スイッチング素子を駆
動するためのLSIが載置されている前記フィルムキャ
リアの出力電極端子列の両側に形成されたダミー配線を
介して外部プリント基板回路のアース端子に接続されて
なる請求項1記載の液晶表示素子。
5. The film carrier according to claim 1, wherein the conductive film is provided with dummy terminals formed at both ends of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block, and an LSI for driving the switching element. 2. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the liquid crystal display element is connected to a ground terminal of an external printed circuit board via dummy wirings formed on both sides of the output electrode terminal row.
【請求項6】 前記ソース電極端子ブロックおよびゲー
ト電極端子ブロックのそれぞれの両端に電極層を形成
し、該電極層をコンデンサの下層電極とし、前記スイッ
チング素子を形成するための絶縁膜を誘電体層とし、前
記導電膜がコンデンサの上層電極と電気的に導通してな
る請求項1記載の液晶表示素子。
6. An electrode layer is formed at both ends of each of the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block, the electrode layer is used as a lower electrode of a capacitor, and an insulating film for forming the switching element is a dielectric layer. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive film is electrically connected to an upper electrode of the capacitor.
【請求項7】 前記コンデンサの上層電極が前記導電膜
と同一の製造条件による膜からなる請求項6記載の液晶
表示素子。
7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the upper electrode of the capacitor is a film formed under the same manufacturing conditions as the conductive film.
【請求項8】 前記コンデンサの下層電極が前記ソース
電極端子ブロックおよびゲート電極端子ブロックと同一
の製造条件による膜からなる請求項6記載の液晶表示素
子。
8. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the lower electrode of the capacitor is formed of a film having the same manufacturing conditions as the source electrode terminal block and the gate electrode terminal block.
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