JP3310600B2 - Active matrix type liquid crystal display device and its defect repair method - Google Patents
Active matrix type liquid crystal display device and its defect repair methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用の画素電極
にスイッチング素子を介して駆動信号を印加することに
より、表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device which performs display by applying a drive signal to a display pixel electrode via a switching element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、液晶表示装置では、マトリクス状
に複数の画素電極とこれらの画素電極と対向して配され
る対向電極とを備え、両電極間に液晶が介在されてい
る。上記の液晶表示装置は、画素電極に選択的に電圧を
印加することにより、画面上に表示パターンを形成し、
さらに、選択された画素電極と対向電極との間に印加さ
れる電圧により、液晶が表示データを光学的に変調して
上記の表示パターンを可視化する。2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid crystal display device has a plurality of pixel electrodes and a counter electrode disposed opposite to the pixel electrodes in a matrix, and a liquid crystal is interposed between the two electrodes. The liquid crystal display device described above forms a display pattern on a screen by selectively applying a voltage to a pixel electrode,
Further, the liquid crystal optically modulates the display data by the voltage applied between the selected pixel electrode and the counter electrode to visualize the display pattern.
【０００３】画素電極の駆動方法としては、マトリクス
状に配された画素電極のそれぞれにスイッチング素子を
接続し、画素電極個々をスイッチング素子により駆動す
る、いわゆるアクティブマトリクス駆動方法が知られて
いる。また、スイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子等
が知られている。As a driving method of a pixel electrode, a so-called active matrix driving method in which switching elements are connected to respective pixel electrodes arranged in a matrix and each pixel electrode is driven by the switching element is known. Further, as a switching element, a TFT (thin film transistor), a MIM (metal-insulating film-metal) element, and the like are known.
【０００４】アクティブマトリクス駆動方法で駆動され
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶表示装置
は、基板上に複数の走査配線、その走査配線と直交する
ように形成された複数の信号配線、隣り合う走査配線と
信号配線とで囲まれた領域に配置された画素電極、走査
配線からの走査信号によりＯＮ・ＯＦＦして画素電極へ
信号配線を介して表示信号の入力をスイッチングするス
イッチング素子を有するアクティブマトリクス基板を備
えている。A liquid crystal display device of an active matrix type liquid crystal display device driven by an active matrix driving method has a plurality of scanning wirings on a substrate, a plurality of signal wirings formed so as to be orthogonal to the scanning wirings, and adjacent scanning lines. An active matrix having a pixel electrode disposed in a region surrounded by wiring and signal wiring, and a switching element that switches ON / OFF by a scanning signal from the scanning wiring and switches the input of a display signal to the pixel electrode via the signal wiring. It has a substrate.
【０００５】上記の液晶表示装置は、このアクティブマ
トリクス基板と、対向電極を備えた対向基板とが、数μ
ｍの空間を介して貼り合わされ、その間隙に液晶が封入
された構成である。In the above-mentioned liquid crystal display device, the active matrix substrate and the opposing substrate provided with the opposing electrode have a size of several μm.
In this configuration, the substrates are bonded via a space of m, and a liquid crystal is sealed in the gap.
【０００６】図８に、スイッチング素子としてＴＦＴを
備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回路
図を示す。ＴＦＴ３６の走査電極であるゲート電極は走
査配線３１に、信号電極であるソース電極は信号配線３
２にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ３６のドレイン電
極は、対向基板側の対向電極とその間に狭持された液晶
とで液晶容量３４を構成する画素電極と、付加容量３５
の一方の端子に接続されている。この付加容量３５は、
保持動作を改善し高画質化するために液晶容量３４と並
列に付加されるものであり、付加容量３５のもう一方の
端子は、付加容量配線（以下、Ｃｓ配線と称する）３３
に接続され、対向基板側の対向電極と接続されている。FIG. 8 shows an equivalent circuit diagram of an active matrix liquid crystal display device having a TFT as a switching element. The gate electrode serving as the scanning electrode of the TFT 36 is connected to the scanning wiring 31, and the source electrode serving as the signal electrode is connected to the signal wiring 3
2 respectively. The drain electrode of the TFT 36 is composed of a pixel electrode forming a liquid crystal capacitor 34 by a counter electrode on the counter substrate side and liquid crystal sandwiched therebetween,
Are connected to one terminal. This additional capacity 35 is
The other terminal of the additional capacitance 35 is added in parallel with the liquid crystal capacitance 34 in order to improve the holding operation and improve the image quality, and the other terminal of the additional capacitance 35 is an additional capacitance wiring (hereinafter referred to as Cs wiring) 33.
To the counter electrode on the counter substrate side.
【０００７】上記構成において、走査配線３１からの走
査信号によりゲート電極が選択状態になると、ＴＦＴ３
６はＯＮし、信号配線３２からの表示信号を液晶容量３
４と付加容量３５とに書き込む。一方、ゲート電極が走
査信号により非選択状態になると、ＴＦＴ３６はＯＦＦ
し、不要な表示信号の入力を防ぎ、液晶容量３４および
付加容量３５に書き込まれた表示信号が保持される。こ
の動作は一般に保持動作と呼ばれている。In the above configuration, when the gate electrode is selected by the scanning signal from the scanning wiring 31, the TFT 3
6 turns on, and the display signal from the signal wiring 32 is transmitted to the liquid crystal capacitor 3.
4 and the additional capacity 35. On the other hand, when the gate electrode is deselected by the scanning signal, the TFT 36 is turned off.
In addition, unnecessary display signals are prevented from being input, and the display signals written in the liquid crystal capacitor 34 and the additional capacitor 35 are held. This operation is generally called a holding operation.
【０００８】アクティブマトリクス基板において、画素
電極は基板上で信号配線または走査配線と同じ平面上に
形成されることが多く、信号配線または走査配線と接触
しないように配置されている。その一方、例えば図９に
示すように、層間絶縁膜４８を介在させて、画素電極４
９を、信号配線４７および走査配線（ＴＦＴ４０のゲー
ト電極４２と同層）とは厚み方向に異なる別表面に形成
することも提案されている（特開昭５８−１７２６８５
号公報等）。In an active matrix substrate, pixel electrodes are often formed on the same plane as signal wirings or scanning wirings on the substrate, and are arranged so as not to contact the signal wirings or scanning wirings. On the other hand, for example, as shown in FIG.
It has also been proposed to form 9 on a different surface in the thickness direction from the signal wiring 47 and the scanning wiring (the same layer as the gate electrode 42 of the TFT 40) (Japanese Patent Laid-Open No. 58-172885).
No.).
【０００９】図９のようなアクティブマトリクス基板に
ついて説明する。基板４１上に、ゲート電極４２、ゲー
ト絶縁膜４３、半導体層４４、チャネル保護層４５、ｎ
+−Ｓｉ層からなるソース電極４６ａおよびドレイン電
極４６ｂが順に積層されて、ＴＦＴ４０が構成される。
ソース電極４６ａと金属層からなる信号配線４７とが接
続され、ドレイン電極４６ｂと金属層からなる接続電極
５０とが接続されている。An active matrix substrate as shown in FIG. 9 will be described. On a substrate 41, a gate electrode 42, a gate insulating film 43, a semiconductor layer 44, a channel protective layer 45, n
The source electrode 46a and the drain electrode 46b made of the + -Si layer are sequentially laminated to form the TFT 40.
The source electrode 46a is connected to the signal wiring 47 made of a metal layer, and the drain electrode 46b is connected to the connection electrode 50 made of a metal layer.
【００１０】そして、ＴＦＴ４０および信号配線４７な
どを覆うように、層間絶縁膜４８が設けられ、この上に
透明導電膜からなる画素電極４９が形成されている。画
素電極４９とＴＦＴ４０との接続は、接続電極５０と画
素電極４９とを層間絶縁膜４８に設けたコンタクトホー
ル４８ａを介して接続されている。Then, an interlayer insulating film 48 is provided so as to cover the TFT 40 and the signal wiring 47, and a pixel electrode 49 made of a transparent conductive film is formed thereon. The connection between the pixel electrode 49 and the TFT 40 is connected via a contact hole 48 a in which the connection electrode 50 and the pixel electrode 49 are provided in the interlayer insulating film 48.
【００１１】このような層間絶縁膜４８を介在させる構
成では、信号配線４７および走査配線に対して画素電極
４９をオーバーラップさせることが可能であるので、画
素電極４９の面積を大きくすることができ、開口率の向
上が図れる。In such a configuration in which the interlayer insulating film 48 is interposed, the pixel electrode 49 can overlap the signal wiring 47 and the scanning wiring, so that the area of the pixel electrode 49 can be increased. And the aperture ratio can be improved.
【００１２】また、信号配線４７に対して、画素電極４
９をオーバーラップさせた構成では、画素電極４９と信
号配線４７との隔たりに起因した液晶に電界が印加され
ない領域が形成されず、かつ、隣接する画素電極４９間
での液晶に電界が印加されないことによる光漏れが信号
配線４７によって遮断されることとなるので、対向電極
側に貼り合わせズレを見込んでブラックマトリクスを形
成していた従来の構成に比べ、開口率の向上が図れる。
また、信号配線４７や走査配線に起因する電界をシール
ドすることによる液晶の配向不良の抑制といった効果も
ある。The signal line 47 is connected to the pixel electrode 4.
In the configuration in which 9 is overlapped, a region where no electric field is applied to the liquid crystal due to the separation between the pixel electrode 49 and the signal wiring 47 is not formed, and no electric field is applied to the liquid crystal between the adjacent pixel electrodes 49. Since the light leakage due to this is blocked by the signal wiring 47, the aperture ratio can be improved as compared with the conventional configuration in which the black matrix is formed in consideration of the bonding displacement on the counter electrode side.
In addition, there is also an effect that an electric field caused by the signal wiring 47 and the scanning wiring is shielded to thereby prevent a liquid crystal alignment defect.
【００１３】さらに、現在では図１０に示すように、１
つの画素電極４に一本であった信号配線２に予備配線５
を設け、信号配線２の断線等の不良発生時に予備配線５
を介して表示信号が伝達される構造を、出願人は特開平
９−９０３１８号公報に提案している。この構造によ
り、配線欠陥不良の減少が見込まれ、良品率向上に寄与
することが期待される。Further, at present, as shown in FIG.
The spare line 5 is connected to the signal line 2 which is one for one pixel electrode 4.
Is provided, and when a defect such as disconnection of the signal wiring 2 occurs, the spare wiring 5 is provided.
The applicant has proposed a structure in which a display signal is transmitted via a PC (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-90318). This structure is expected to reduce the number of defective wirings, and is expected to contribute to an improvement in the yield rate.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】図１０に示すように、
予備配線５を採用した場合、画素電極４の中央を予備配
線５が通るため、接続電極７と画素電極４との接続のた
め付加容量電極（以下、Ｃｓ電極と称する）７ａ、７ｂ
を２つ設け、直列に接続する必要があった。このため、
ＴＦＴ６に直接接続されている側のＣｓ電極７ａで接続
不良が生じると、液晶に電圧が印加されず、表示時に輝
点として見えるという問題がある。As shown in FIG.
When the auxiliary wiring 5 is employed, the auxiliary wiring 5 passes through the center of the pixel electrode 4, and thus additional capacitance electrodes (hereinafter, referred to as Cs electrodes) 7 a and 7 b for connection between the connection electrode 7 and the pixel electrode 4.
And it was necessary to connect them in series. For this reason,
If a connection failure occurs in the Cs electrode 7a on the side directly connected to the TFT 6, there is a problem that no voltage is applied to the liquid crystal and the liquid crystal appears as a bright spot during display.
【００１５】ＴＦＴ６とは直接接続されていない側のＣ
ｓ電極７ｂで接続不良が生じると、付加容量が充分に得
られず、他の画素電極との間で対向ズレを起こし、輝点
となって見える場合もある。The C on the side not directly connected to the TFT 6
If a connection failure occurs in the s-electrode 7b, sufficient additional capacitance cannot be obtained, and a shift may occur between the s-electrode 7b and another pixel electrode, which may appear as a bright spot.
【００１６】また、接続電極７が断線されている場合、
液晶に電圧が印加されず、輝点となり、修正も不可能で
あった。When the connection electrode 7 is disconnected,
No voltage was applied to the liquid crystal, resulting in a bright spot and no correction was possible.
【００１７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、接続不良による輝点を正常な表示に、
あるいは接続電極の断線による輝点を黒点化し、表示上
の問題を緩和するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a bright spot due to a connection failure can be displayed normally.
Alternatively, a bright point caused by a disconnection of the connection electrode is turned into a black dot, thereby alleviating a display problem.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に設けられた複数の走査配線および付加容量配線
と、前記走査配線と直交するように構成された複数の信
号配線と、前記信号配線と接続されている複数の予備配
線と、前記走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッ
チング素子とが設けられ、前記走査配線と信号配線とス
イッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、前記層
間絶縁膜の上に画素電極が設けられ、前記予備配線を挟
んで、前記付加容量配線の上部で前記スイッチング素子
側に設けられた第１のコンタクトホールと、前記付加容
量配線の上部で非スイッチング素子側に設けられた第２
のコンタクトホールを設け、前記スイッチング素子と前
記第１のコンタクトホールの間に接続電極が設けられた
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記予
備配線から分岐した枝状部分を設け、前記枝状部分の前
記第１のコンタクトホール側に第１の修正用パッドを設
け、前記枝状部分の前記第２のコンタクトホール側に第
２の修正用パッドを設け、前記第１のコンタクトホール
から前記第１の修正用パッド、前記予備配線の枝状部
分、前記第２の修正用パッド、前記第２のコンタクトホ
ールを結ぶように、前記接続電極を延長したことを特徴
とする。According to the first aspect of the present invention,
A plurality of scanning lines and additional capacitance lines provided on a substrate; a plurality of signal lines configured to be orthogonal to the scanning lines; a plurality of spare lines connected to the signal lines; A switching element is provided in the vicinity of the intersection of the pixel wiring and the signal wiring; an interlayer insulating film is provided above the scanning wiring, the signal wiring and the switching element; a pixel electrode is provided on the interlayer insulating film; A first contact hole provided on the switching element side above the additional capacitance wiring, and a second contact hole provided on the non-switching element side above the additional capacitance wiring with the wiring interposed therebetween.
An active matrix type liquid crystal display device in which a contact hole is provided, and a connection electrode is provided between the switching element and the first contact hole. A first repair pad is provided on the first contact hole side, a second repair pad is provided on the branch-like portion on the second contact hole side, and the first repair pad is provided from the first contact hole. The connection electrode is extended so as to connect the repair pad, the branch portion of the spare wiring, the second repair pad, and the second contact hole.
【００１９】請求項２記載の発明の前記修正用パッド
は、前記走査配線と前記付加容量配線と同じ層であるこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, the repair pad is the same layer as the scanning wiring and the additional capacitance wiring.
【００２０】請求項３記載の発明の前記修正用パッドと
延長された前記接続電極とは、絶縁膜を介して絶縁され
ていることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, the repair pad and the extended connection electrode are insulated through an insulating film.
【００２１】請求項４記載の発明の前記修正用パッドと
前記予備配線および前記予備配線の枝状部分とは、絶縁
膜を介して絶縁されていることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, the repair pad is insulated from the spare wiring and the branch portion of the spare wiring via an insulating film.
【００２２】請求項５記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第１のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention, when a defect occurs in the first contact hole, a branch-like portion of the spare wiring is formed. The upper and lower auxiliary wirings are cut, and the extended connection electrode and the branch portion of the auxiliary wiring are electrically connected via the first correction pad and the second correction pad. .
【００２３】請求項６記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記第２のコンタクトホールで欠陥が生じたと
き、前記予備配線の枝状部分の上下で予備配線を切断
し、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッド
を介して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝
状部分とを導通させることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect, when a defect occurs in the second contact hole, a branch-like portion of the spare wiring is formed. The upper and lower auxiliary wirings are cut, and the extended connection electrode and the branch portion of the auxiliary wiring are electrically connected via the first correction pad and the second correction pad. .
【００２４】請求項７記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記スイッチング素子側と前記第１のコンタク
トホールとの間に設けられた前記接続電極に断線が生じ
たとき、前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パ
ッドを介して、延長された前記接続電極と前記予備配線
の枝状部分とを導通させることを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect, the connection electrode provided between the switching element side and the first contact hole. When a disconnection occurs, the extended connection electrode and the branch portion of the spare wiring are electrically connected via the first repair pad and the second repair pad.
【００２５】請求項８記載の発明の欠陥修正方法は、請
求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、スイッチング素子に欠陥が生じたとき、前記第
１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介して、
延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部分とを
導通させることを特徴とする。According to the defect repair method of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, when a defect occurs in a switching element, the first repair pad and the second repair pad are connected to each other. Through the correction pad,
It is characterized in that the extended connection electrode is electrically connected to the branch portion of the spare wiring.
【００２６】上記構成による作用を説明する。請求項１
記載の構成によれば、表示不良が生じた場合、修正用パ
ッドをレーザ照射により、予備配線と延長された接続電
極とを接続することにより、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。The operation of the above configuration will be described. Claim 1
According to the configuration described above, when a display defect occurs, the defect can be corrected by connecting the spare wiring and the extended connection electrode by irradiating the repair pad with the laser, thereby improving the yield rate. be able to.
【００２７】請求項２記載の構成によれば、修正用パッ
ドは、走査配線と付加容量配線と同じ層であるため、走
査配線と付加容量配線を形成する際、同時に形成するこ
とができ、マスクは変更する必要があるが、製造工程の
増加はない。According to the second aspect of the present invention, since the repair pad is in the same layer as the scanning wiring and the additional capacitance wiring, it can be formed simultaneously when the scanning wiring and the additional capacitance wiring are formed. Needs to be changed, but there is no increase in the number of manufacturing steps.
【００２８】請求項３記載の構成によれば、表示不良が
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と延長された接続電
極とを接続することができ、欠陥を修正することがで
き、良品率を向上することができる。また、表示が正常
である場合、絶縁膜を介しているため、修正用パッドと
延長された接続電極とは、絶縁されているため、表示に
影響を与えない。According to the third aspect of the present invention, when a display failure occurs, the repair film is irradiated with a laser to remove the insulating film and connect the spare wiring to the extended connection electrode. The defect can be corrected, and the yield rate can be improved. Further, when the display is normal, the display is not affected because the repair pad and the extended connection electrode are insulated from each other because the insulating film is interposed therebetween.
【００２９】請求項４記載の構成によれば、表示不良が
生じた場合、修正用パッドをレーザ照射することによ
り、絶縁膜を取り除いて、予備配線と予備配線の枝状部
分と延長された接続電極とを接続することができ、欠陥
を修正することができ、良品率を向上することができ
る。また、表示が正常である場合、絶縁膜を介している
ため、修正用パッドと予備配線および予備配線の枝状部
分とは、絶縁されているため、表示に影響を与えない。According to the fourth aspect of the present invention, when a display failure occurs, the repair pad is irradiated with a laser beam to remove the insulating film and extend the connection between the spare wiring and the branch portion of the spare wiring. The electrodes can be connected, defects can be corrected, and the yield rate can be improved. Further, when the display is normal, the display pad is not affected because the repair pad and the spare wiring and the branch portion of the spare wiring are insulated because the insulating film is interposed therebetween.
【００３０】請求項５の欠陥修正方法によれば、接続不
良による輝点を正常な画素電極として機能させることが
可能となり、良品率を向上させることができる。According to the defect repair method of the present invention, it is possible to make the bright spot due to the connection failure function as a normal pixel electrode, and it is possible to improve the yield rate.
【００３１】請求項６の欠陥修正方法によれば、充分な
付加容量が確保でき、正常な画素電極として機能させる
ことが可能となり、良品率を向上させることができる。According to the defect repairing method of the sixth aspect, a sufficient additional capacitance can be secured, it is possible to function as a normal pixel electrode, and the non-defective rate can be improved.
【００３２】請求項７の欠陥修正方法によれば、予備配
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。According to the defect correcting method of the present invention, since a signal can be directly input from the spare wiring to the pixel electrode, all signals via the signal wiring are input to the pixel electrode. The signal applied to the pixel electrode is time-averaged, and charges similar to those of the peripheral pixel electrode are always applied.Therefore, it does not appear as bright bright spots, greatly reducing display problems and improving the yield rate. Can be done.
【００３３】請求項８の欠陥修正方法によれば、予備配
線から信号を直接画素電極に入力することができるた
め、その画素電極にはその信号配線を介する全ての信号
が入力され、結果としてその画素電極に印加される信号
は時間平均化され、常時周辺画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することとなり、良品率を向上
させることができる。According to the defect correcting method of the present invention, since a signal can be directly input from the spare wiring to the pixel electrode, all the signals via the signal wiring are input to the pixel electrode. The signal applied to the pixel electrode is time-averaged, and charges similar to those of the peripheral pixel electrode are always applied.Therefore, it does not appear as bright bright spots, greatly reducing display problems and improving the yield rate. Can be done.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。 （実施形態１）実施形態１のアクティブマトリクス基板
の平面図を図１に、図１のＡ−Ａ断面図を図２に、図１
のＢ−Ｂ断面図を図３に示す。アクティブマトリクス型
液晶表示装置（以下、液晶表示装置と呼ぶ）は、図１か
ら図３において、１画素電極４毎にスイッチング素子と
してのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６を有するアクティ
ブマトリクス基板２１を備えている。液晶表示装置は、
このアクティブマトリクス基板２１と、対向電極を有す
る対向基板（図示せず）とが、数μｍの空間を介して貼
り合わされ、その間隙に液晶が封入された構造である。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of the active matrix substrate of Embodiment 1, FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. An active matrix type liquid crystal display device (hereinafter, referred to as a liquid crystal display device) includes an active matrix substrate 21 having a TFT (thin film transistor) 6 as a switching element for each pixel electrode 4 in FIGS. The liquid crystal display device
The active matrix substrate 21 and a counter substrate (not shown) having a counter electrode are bonded to each other via a space of several μm, and a liquid crystal is sealed in a gap therebetween.
【００３５】アクティブマトリクス基板２１では、ガラ
ス等からなる透明な絶縁性の基板１１上に、互いに交差
するように複数の信号配線２と複数の走査配線１とが配
置され、これらの走査配線１と信号配線２の交差部に、
ＴＦＴ６が設けられている。また、信号配線２は画素電
極４内を通る予備配線５と接続されている。この予備配
線５はいわば信号配線２のバイパスであり、信号配線２
が断線されたとき、予備配線５を介して信号入力が行わ
れ、正常な表示を可能にするという利点がある。In the active matrix substrate 21, a plurality of signal wirings 2 and a plurality of scanning wirings 1 are arranged on a transparent insulating substrate 11 made of glass or the like so as to cross each other. At the intersection of the signal wiring 2,
A TFT 6 is provided. The signal wiring 2 is connected to a spare wiring 5 passing through the pixel electrode 4. The spare wiring 5 is a bypass of the signal wiring 2 so to speak.
Is disconnected, a signal is input via the spare wiring 5, and there is an advantage that a normal display is possible.
【００３６】ＴＦＴ６は、基板１１上に、ゲート電極１
ａ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層
１５およびソース電極１６ａ、ドレイン電極１６ｂとな
るｎ+−Ｓｉ層がこの順に積層されている構造を有して
いる。なお、チャネル保護層１５は本発明では形成され
ているが、場合によっては設けなくても良い。The TFT 6 has a gate electrode 1 on a substrate 11.
a, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14, a channel protective layer 15, an n + -Si layer serving as a source electrode 16a and a drain electrode 16b are stacked in this order. Note that the channel protective layer 15 is formed in the present invention, but may not be provided in some cases.
【００３７】ＴＦＴ６のゲート電極１ａは走査配線１と
接続され、ソース電極１６ａは信号配線２と接続されて
いる。また、ＴＦＴ６のドレイン電極１６ｂは、下記に
示すように接続電極７と接続されており、この接続電極
７を介して画素電極４と接続されている。The gate electrode 1a of the TFT 6 is connected to the scanning line 1, and the source electrode 16a is connected to the signal line 2. The drain electrode 16b of the TFT 6 is connected to the connection electrode 7 as described below, and is connected to the pixel electrode 4 via the connection electrode 7.
【００３８】画素電極４は、隣り合う信号配線２と隣り
合う走査配線１とで囲まれた領域に配置されている。こ
の画素電極４は、ＴＦＴ６、走査配線１、信号配線２が
形成されている面との間に層間絶縁膜１７を介在させる
ことにより、画素電極４の周端部は信号配線２と走査配
線１とオーバーラップされている。そして、この画素電
極４と接続電極７とが、層間絶縁膜１７に形成されたコ
ンタクトホール１７ａを介して接続されている。The pixel electrode 4 is arranged in a region surrounded by the adjacent signal wiring 2 and the adjacent scanning wiring 1. The pixel electrode 4 has an interlayer insulating film 17 interposed between the TFT 6, the scanning wiring 1, and the surface on which the signal wiring 2 is formed. And are overlapped. The pixel electrode 4 and the connection electrode 7 are connected via a contact hole 17a formed in the interlayer insulating film 17.
【００３９】さらに、上記の基板１１の上には、互いに
平行なＣｓ配線３が、走査配線１と平行に、隣り合う走
査配線１の間に配置されている。このＣｓ配線３は、全
画素電極に共通して設けられている。そして、予備配線
５が画素電極４の中央を通っているので、予備配線５の
両側でこのＣｓ配線３の上部に、Ｃｓ電極７ａ、７ｂお
よびコンタクトホール１７ａ、１７ｂを設ける。Further, on the substrate 11, the Cs wirings 3 parallel to each other are arranged between the scanning wirings 1 adjacent to each other in parallel with the scanning wirings 1. The Cs wiring 3 is provided commonly to all pixel electrodes. Since the auxiliary wiring 5 passes through the center of the pixel electrode 4, Cs electrodes 7 a and 7 b and contact holes 17 a and 17 b are provided on the Cs wiring 3 on both sides of the auxiliary wiring 5.
【００４０】図１および図３に示すように、このＣｓ電
極７ａおよび７ｂとＣｓ配線３との間には、ゲート絶縁
膜１３が狭持されており、これらＣｓ配線３、Ｃｓ電極
７ａと７ｂ、ゲート絶縁膜１３との間で、いわゆるＣｓ
ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎ構造の付加容量が形成されてい
る。また、層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホー
ル１７ａおよび１７ｂは、このＣｓ配線３上に形成され
ている。As shown in FIGS. 1 and 3, a gate insulating film 13 is sandwiched between the Cs electrodes 7a and 7b and the Cs wiring 3, and the Cs wiring 3 and the Cs electrodes 7a and 7b Between the gate insulating film 13 and the so-called Cs
An additional capacitance having an on Common structure is formed. The contact holes 17a and 17b formed in the interlayer insulating film 17 are formed on the Cs wiring 3.
【００４１】このような構成のアクティブマトリクス基
板２１からなる液晶表示装置では、走査配線１からの走
査信号によりそれぞれの走査配線１上にあるＴＦＴ６の
ＯＮ・ＯＦＦが制御される。そして、ＴＦＴ６がＯＮ状
態のとき、信号配線２より入力される表示信号が画素電
極４およびＣｓ電極７ａに入力し、画素電極４と対向基
板側の対向電極とそれらの間に狭持される液晶とからな
る液晶容量に表示信号が書き込まれると共に、付加容量
にも表示信号が書き込まれる。一方、ＴＦＴ６がＯＦＦ
状態のとき、信号配線２からの表示信号の画素電極４お
よびＣｓ電極７ａへの入力が阻止され、液晶容量と付加
容量に書き込まれた表示信号が保持される。In the liquid crystal display device including the active matrix substrate 21 having such a configuration, the ON / OFF of the TFT 6 on each scanning line 1 is controlled by the scanning signal from the scanning line 1. When the TFT 6 is in the ON state, a display signal input from the signal wiring 2 is input to the pixel electrode 4 and the Cs electrode 7a, and the pixel electrode 4 and the counter electrode on the counter substrate side and the liquid crystal sandwiched therebetween are provided. The display signal is written to the liquid crystal capacitor composed of the following, and the display signal is also written to the additional capacitor. On the other hand, TFT6 is OFF
In the state, the input of the display signal from the signal wiring 2 to the pixel electrode 4 and the Cs electrode 7a is blocked, and the display signal written in the liquid crystal capacitance and the additional capacitance is held.
【００４２】そこで、本発明の構造について説明する。
図１に示すように、予備配線５から分岐した枝状部分５
１を設け、枝状部分５１に隣接するように修正用パッド
８および９を設け、ＴＦＴ６からＣｓ電極７ａに設けら
れた接続電極７をＣｓ電極７ａから修正用パッド８まで
延長し、さらに、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間
にも接続電極７を設ける。Ｃｓ電極７ａから修正用パッ
ド８間を接続電極７１、修正用パッド９からＣｓ電極７
ｂ間を接続電極７２とする。枝状部分５１の位置は画素
電極４の領域内の予備配線５の配線上であればどこでも
良い。修正用パッド８と９は接続電極７１、７２や予備
配線５との間にゲート絶縁膜１３を介しており、通常は
電気的に絶縁されている。Therefore, the structure of the present invention will be described.
As shown in FIG.
1, the repair pads 8 and 9 are provided adjacent to the branch portion 51, and the connection electrode 7 provided on the Cs electrode 7a is extended from the TFT 6 to the repair pad 8 from the Cs electrode 7a. The connection electrode 7 is also provided between the pad 9 for use and the Cs electrode 7b. The connection electrode 71 extends from the Cs electrode 7a to the repair pad 8, and the Cs electrode 7 extends from the repair pad 9 to the repair pad 8.
The connection electrode 72 is defined as the connection electrode 72. The position of the branch 51 may be anywhere on the wiring of the spare wiring 5 in the area of the pixel electrode 4. The repair pads 8 and 9 are interposed between the connection electrodes 71 and 72 and the spare wiring 5 via the gate insulating film 13 and are usually electrically insulated.
【００４３】本発明の製造方法について説明する。修正
用パッド８と９を基板１１上にパターニングする。修正
用パッド８、９の形成は走査配線２、ゲート電極１ａ、
Ｃｓ配線３の形成と同時に行い、走査配線１、ゲート電
極１ａ、Ｃｓ配線３と同じ材料を用いて行うことができ
る。The manufacturing method of the present invention will be described. The correction pads 8 and 9 are patterned on the substrate 11. The correction pads 8 and 9 are formed by scanning wiring 2, gate electrode 1a,
This can be performed at the same time as the formation of the Cs wiring 3, and can be performed using the same material as the scanning wiring 1, the gate electrode 1a, and the Cs wiring 3.
【００４４】次に、図２に示すように、枝状部分５１を
設けた予備配線５を、ゲート絶縁膜１３の上にパターニ
ングする。予備配線５の形成は、信号配線２の形成と同
時に行うことができ、マスクパターンを変更するだけで
あり、製造工程の増加はない。図２と図３に示すよう
に、信号配線２は導電層１８、１９の２層からなってい
るので、予備配線５も２層である。なお、予備配線は２
層に限らず、１層であっても良い。Next, as shown in FIG. 2, the spare wiring 5 provided with the branch portions 51 is patterned on the gate insulating film 13. The formation of the spare wiring 5 can be performed at the same time as the formation of the signal wiring 2 and only the mask pattern is changed, and there is no increase in the manufacturing process. As shown in FIGS. 2 and 3, the signal wiring 2 is composed of two layers of the conductive layers 18 and 19, so that the spare wiring 5 is also two layers. The spare wiring is 2
The number of layers is not limited to one, but may be one.
【００４５】また、ＴＦＴ６からＣｓ電極７ａに形成す
る接続電極７の作製の際、同時に接続電極７を延長する
ようにＣｓ電極７ａから修正用パッド８の間に接続電極
７１と、修正用パッド９からＣｓ電極７ｂの間に接続電
極７２をパターニングする。接続電極７１、７２の形成
はマスクパターンを変更するだけであり、製造工程の増
加はない。修正用パッド８と９、枝状部分５１、接続電
極７１、７２以外の製造方法は従来と同様である。When the connection electrode 7 is formed from the TFT 6 to the Cs electrode 7a, the connection electrode 71 and the repair pad 9 are located between the Cs electrode 7a and the repair pad 8 so that the connection electrode 7 is extended at the same time. The connection electrode 72 is patterned between the Cs electrode 7b and. The formation of the connection electrodes 71 and 72 merely changes the mask pattern, and does not increase the number of manufacturing steps. The manufacturing method other than the correction pads 8 and 9, the branch portion 51, and the connection electrodes 71 and 72 is the same as the conventional method.
【００４６】（実施形態２）このアクティブマトリクス
基板２１において、コンタクトホール１７ａおよび１７
ｂに接続不良が生じた場合、接続電極７が断線した場
合、ＴＦＴ６に欠陥が生じた場合の修正方法について説
明する。実施形態２ではコンタクトホール１７ａに接続
不良が生じた場合の修正方法について、図４を用いて説
明する。まず、予備配線５の枝状部分５１の上下の位置
Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次に、修正用パッド８
および９において、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１
３を破って接続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分
５１とをメルト接続する。レーザ照射の位置は修正用パ
ッド８および９に黒四角で示している。(Embodiment 2) In this active matrix substrate 21, contact holes 17a and 17
A description will be given of a correction method when a connection failure occurs in b, when the connection electrode 7 is disconnected, and when a defect occurs in the TFT 6. In the second embodiment, a method of correcting a connection failure in the contact hole 17a will be described with reference to FIG. First, the auxiliary wiring 5 is cut at positions E and F above and below the branch portion 51 of the auxiliary wiring 5. Next, the correction pad 8
And 9, the gate insulating film 1
3, the connection electrodes 71 and 72 and the branch 51 of the spare wiring 5 are melt-connected. The positions of the laser irradiation are indicated by black squares on the correction pads 8 and 9.
【００４７】この修正方法により、線Ｌ１に示すよう
に、信号はＴＦＴ６から接続電極７を通って、接続電極
７１、修正用パッド８、予備配線５の枝状部分５１、修
正用パッド９、接続電極７２を経由して、Ｃｓ電極７ｂ
上に形成されたコンタクトホール１７ｂによって、画素
電極４と接続され、正常な信号が液晶に印加される。コ
ンタクトホール１７ａでの接続不良による輝点を正常な
画素電極として機能させることが可能となり、良品率を
向上させることができる。According to this repair method, as shown by the line L1, a signal passes from the TFT 6 through the connection electrode 7, and passes through the connection electrode 71, the repair pad 8, the branch portion 51 of the spare wiring 5, the repair pad 9, and the connection pad. Via the electrode 72, the Cs electrode 7b
The contact hole 17b formed above connects to the pixel electrode 4, and a normal signal is applied to the liquid crystal. The bright spot caused by the connection failure in the contact hole 17a can function as a normal pixel electrode, and the yield can be improved.
【００４８】（実施形態３）実施形態３ではコンタクト
ホール１７ｂに接続不良が生じた場合の修正方法につい
て、図５を用いて説明する。まず、予備配線５の枝状部
分５１の上下の位置Ｅ、Ｆで予備配線５を切断する。次
に、修正用パッド８および９において、レーザ照射によ
り、ゲート絶縁膜１３を破って接続電極７１、７２と予
備配線５の枝状部分５１とをメルト接続する。レーザ照
射の位置は修正用パッド８および９に黒四角で示してい
る。(Embodiment 3) In Embodiment 3, a method of correcting a connection failure in the contact hole 17b will be described with reference to FIG. First, the auxiliary wiring 5 is cut at positions E and F above and below the branch portion 51 of the auxiliary wiring 5. Next, in the repair pads 8 and 9, the gate insulating film 13 is broken by laser irradiation, and the connection electrodes 71 and 72 are melt-connected to the branch portions 51 of the spare wiring 5. The positions of the laser irradiation are indicated by black squares on the correction pads 8 and 9.
【００４９】この修正方法により、修正用パッド８およ
び９により充分な付加容量が得られ、対向ズレによる輝
点が正常な画素電極４として機能することができ、良品
率を向上させることができる。According to this repair method, a sufficient additional capacitance can be obtained by the repair pads 8 and 9, and the bright spot due to the opposition shift can function as a normal pixel electrode 4, thereby improving the yield rate.
【００５０】（実施形態４）実施形態４では、接続電極
７がＴＦＴ６とＣｓ電極７ａとの間（例えばＧの位置）
で断線した場合の修正方法について、図６を用いて説明
する。Ｇの位置で接続電極７が断線した場合、信号はＣ
ｓ電極７ａに届かないため、画素電極４に信号が入力さ
れない。このことにより、画素電極４は輝点として表示
される。(Embodiment 4) In Embodiment 4, the connection electrode 7 is located between the TFT 6 and the Cs electrode 7a (for example, at the position of G).
The correction method in the case of disconnection in the above will be described with reference to FIG. When the connection electrode 7 is disconnected at the position G, the signal is C
Since the signal does not reach the s electrode 7a, no signal is input to the pixel electrode 4. As a result, the pixel electrode 4 is displayed as a bright spot.
【００５１】修正方法は、修正用パッド８および９にお
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ２
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。その結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。In the repair method, in the repair pads 8 and 9, the connection electrodes 71 and 72 are melt-connected to the branch portions 51 of the spare wiring 5 by irradiating the laser with laser light to break the gate insulating film 13. The positions of the laser irradiation are indicated by black squares on the correction pads 8 and 9. With this correction method, the line L2
As shown in (2), by connecting the spare wiring 5 and the connection electrodes 71 and 72 via the correction pads 8 and 9, all signals input through the signal wiring 2 are applied to the pixel electrode 4. . As a result, the signal applied to the pixel electrode 4 is time-averaged, and a charge similar to that of the surrounding pixel electrode is always applied. Therefore, the signal is not seen as a bright luminescent spot, and the display problem can be greatly reduced. And the non-defective rate can be improved.
【００５２】（実施形態５）実施形態５では、ＴＦＴ６
が欠陥の場合の修正方法について、図７を用いて説明す
る。ＴＦＴ６が欠陥であるため、信号はＣｓ電極７ａに
届かない。このため、画素電極４に信号が入力されず、
画素電極４は輝点として表示される。(Embodiment 5) In Embodiment 5, the TFT 6
A correction method in the case where is a defect will be described using FIG. The signal does not reach the Cs electrode 7a because the TFT 6 is defective. For this reason, no signal is input to the pixel electrode 4 and
The pixel electrodes 4 are displayed as bright spots.
【００５３】修正方法は、修正用パッド８および９にお
いて、レーザ照射により、ゲート絶縁膜１３を破って接
続電極７１、７２と予備配線５の枝状部分５１とをメル
ト接続する。レーザ照射の位置は修正用パッド８および
９に黒四角で示している。この修正方法により、線Ｌ３
に示すように、修正用パッド８および９を介してて予備
配線５と接続電極７１、７２を接続することにより、信
号配線２を介して入力される全ての信号が画素電極４に
印加される。この結果、画素電極４に印加される信号は
時間平均化され、常時周辺の画素電極と類似の電荷がか
かるため、明るい輝点として見えることがなくなり、表
示上の問題を大幅に緩和することができ、良品率を向上
させることができる。In the repair method, the gate insulating film 13 is broken by laser irradiation on the repair pads 8 and 9 to melt-connect the connection electrodes 71 and 72 and the branch portion 51 of the spare wiring 5. The positions of the laser irradiation are indicated by black squares on the correction pads 8 and 9. With this correction method, the line L3
As shown in (2), by connecting the spare wiring 5 and the connection electrodes 71 and 72 via the correction pads 8 and 9, all signals input through the signal wiring 2 are applied to the pixel electrode 4. . As a result, the signal applied to the pixel electrode 4 is time-averaged, and a charge similar to that of the peripheral pixel electrode is always applied, so that it does not appear as a bright luminescent spot, and the display problem can be greatly reduced. And the non-defective rate can be improved.
【００５４】[0054]
【発明の効果】本発明の構成によれば、表示不良が生じ
た場合、修正用パッドをレーザ照射により、予備配線と
延長された接続電極とを接続することにより、欠陥を修
正することができ、良品率を向上することができる。According to the structure of the present invention, when a display defect occurs, the defect can be corrected by connecting the spare wiring and the extended connection electrode by irradiating the repair pad with a laser. The non-defective rate can be improved.
【００５５】修正用パッドは、走査配線と付加容量配線
と同じ層であるため、走査配線と付加容量配線を形成す
る際、同時に形成することができ、マスクは変更する必
要があるが、製造工程の増加はない。Since the repair pad is in the same layer as the scanning wiring and the additional capacitance wiring, it can be formed simultaneously when the scanning wiring and the additional capacitance wiring are formed, and the mask needs to be changed. There is no increase.
【００５６】表示不良が生じた場合、修正用パッドをレ
ーザ照射することにより、絶縁膜を取り除いて、予備配
線と予備配線の枝状部分と延長された接続電極とを接続
することができ、欠陥を修正することができ、良品率を
向上することができる。また、表示が正常である場合、
絶縁膜を介しているため、修正用パッドと予備配線と予
備配線の枝状部分と延長された接続電極とは、絶縁され
ているため、表示に影響を与えない。When a display defect occurs, the insulating film is removed by irradiating the repair pad with a laser beam, so that the spare wiring can be connected to the extended connecting electrode and the extended connection electrode. Can be corrected, and the yield rate can be improved. If the display is normal,
Since the insulating film is interposed, the repair pad, the spare wiring, the branch portion of the spare wiring, and the extended connection electrode are insulated, so that the display is not affected.
【００５７】コンタクトホール１７ａに接続不良が生じ
た場合の修正方法では、接続不良による輝点を正常な画
素電極として機能させることが可能となり、良品率を向
上させることができる。コンタクトホール１７ｂに接続
不良が生じた場合の修正方法では、充分な付加容量が確
保でき、正常な画素電極として機能させることが可能と
なり、良品率を向上させることができる。According to the correction method in the case where the connection failure occurs in the contact hole 17a, the bright spot caused by the connection failure can function as a normal pixel electrode, and the yield rate can be improved. According to the correction method in the case where a connection failure occurs in the contact hole 17b, a sufficient additional capacitance can be secured, it is possible to function as a normal pixel electrode, and the non-defective rate can be improved.
【００５８】接続電極７がＴＦＴ６とＣｓ電極７ａとの
間（例えばＧの位置）で断線した場合と、ＴＦＴ６が欠
陥の場合の修正方法では、予備配線から信号を直接画素
電極に入力することができるため、その画素電極にはそ
の信号配線を介する全ての信号が入力され、結果として
その画素電極に印加される信号は時間平均化され、常時
周辺画素電極と類似の電荷がかかるため、明るい輝点と
して見えることがなくなり、表示上の問題を大幅に緩和
することとなり、良品率を向上させることができる。In the case where the connection electrode 7 is disconnected between the TFT 6 and the Cs electrode 7a (for example, at the position of G) and in the case where the TFT 6 is defective, a signal is directly input from the spare wiring to the pixel electrode. Therefore, all the signals through the signal wiring are input to the pixel electrode, and as a result, the signal applied to the pixel electrode is time-averaged, and a charge similar to that of the peripheral pixel electrode is always applied. As a result, the problem on display is greatly reduced, and the yield rate can be improved.
【図１】実施形態１のアクティブマトリクス基板の一画
素電極の平面図である。FIG. 1 is a plan view of one pixel electrode of an active matrix substrate according to a first embodiment.
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1;
【図４】実施形態２の修正方法を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a correction method according to a second embodiment.
【図５】実施形態３の修正方法を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a correction method according to a third embodiment.
【図６】実施形態４の修正方法を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a correction method according to a fourth embodiment.
【図７】実施形態５の修正方法を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a correction method according to a fifth embodiment.
【図８】アクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回
路図を示す。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an active matrix liquid crystal display device.
【図９】従来のアクティブマトリクス基板の断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view of a conventional active matrix substrate.
【図１０】従来の予備配線を設けたアクティブマトリク
ス基板の一画素電極の平面図である。FIG. 10 is a plan view of one pixel electrode of an active matrix substrate provided with a conventional spare line.
１ 走査配線 １ａ ゲート電極 ２ 信号配線 ３ Ｃｓ配線（付加容量配線） ４ 画素電極 ５ 予備配線 ６ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ７ ７１ ７２ 接続電極 ７ａ ７ｂ Ｃｓ電極（付加容量電極） ８ ９ 修正用パッド １１ 基板 １３ ゲート絶縁膜 １７ 層間絶縁膜 １７ａ １７ｂ コンタクトホール ２１ アクティブマトリクス基板 ５１ 枝状部分 REFERENCE SIGNS LIST 1 scanning wiring 1 a gate electrode 2 signal wiring 3 Cs wiring (additional capacitance wiring) 4 pixel electrode 5 spare wiring 6 TFT (thin film transistor) 7 71 72 connection electrode 7 a 7 b Cs electrode (additional capacitance electrode) 8 9 correction pad 11 substrate 13 Gate insulating film 17 Interlayer insulating film 17a 17b Contact hole 21 Active matrix substrate 51 Branch portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1368 G02F 1/1343
Claims (8)
び付加容量配線と、前記走査配線と直交するように構成
された複数の信号配線と、前記信号配線と接続されてい
る複数の予備配線と、前記走査配線と信号配線との交差
部近傍にスイッチング素子とが設けられ、前記走査配線
と信号配線とスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設
けられ、前記層間絶縁膜の上に画素電極が設けられ、前
記予備配線を挟んで、前記付加容量配線の上部で前記ス
イッチング素子側に設けられた第１のコンタクトホール
と、前記付加容量配線の上部で非スイッチング素子側に
設けられた第２のコンタクトホールを設け、前記スイッ
チング素子と前記第１のコンタクトホールの間に接続電
極が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、 前記予備配線から分岐した枝状部分を設け、 前記枝状部分の前記第１のコンタクトホール側に第１の
修正用パッドを設け、 前記枝状部分の前記第２のコンタクトホール側に第２の
修正用パッドを設け、 前記第１のコンタクトホールから前記第１の修正用パッ
ド、前記予備配線の枝状部分、前記第２の修正用パッ
ド、前記第２のコンタクトホールを結ぶように、前記接
続電極を延長したことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。1. A plurality of scanning wirings and additional capacitance wirings provided on a substrate, a plurality of signal wirings configured to be orthogonal to the scanning wirings, and a plurality of spare wirings connected to the signal wirings. A switching element is provided near an intersection of the scanning wiring and the signal wiring; an interlayer insulating film is provided on the scanning wiring, the signal wiring and the switching element; and a pixel electrode is provided on the interlayer insulating film. A first contact hole provided on the switching element side above the additional capacitance wiring with the spare wiring interposed therebetween, and a second contact hole provided on the non-switching element side above the additional capacitance wiring with the spare wiring interposed therebetween. An active matrix liquid crystal display device comprising: a contact hole; and a connection electrode provided between the switching element and the first contact hole. A branch portion branched from a line; a first repair pad provided on the first contact hole side of the branch portion; a second repair pad provided on the second contact hole side of the branch portion. Providing a pad, and connecting the connection electrode so as to connect the first contact hole to the first repair pad, the branch portion of the spare wiring, the second repair pad, and the second contact hole. An active matrix type liquid crystal display device characterized by being extended.
記付加容量配線と同じ層であることを特徴とする請求項
１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein said repair pad is in the same layer as said scanning wiring and said additional capacitance wiring.
電極とは、絶縁膜を介して絶縁されていることを特徴と
する請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the repair pad and the extended connection electrode are insulated from each other via an insulating film.
前記予備配線の枝状部分とは、絶縁膜を介して絶縁され
ていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。4. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein said repair pad and said spare wiring and a branch portion of said spare wiring are insulated through an insulating film.
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記第１のコ
ンタクトホールで欠陥が生じたとき、前記予備配線の枝
状部分の上下で予備配線を切断し、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。5. The method for repairing defects in an active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein when a defect occurs in the first contact hole, an auxiliary wiring is formed above and below a branch portion of the auxiliary wiring. An active matrix liquid crystal, wherein the extended connection electrode and the branch portion of the spare wiring are electrically connected via the first repair pad and the second repair pad. A method for correcting a defect of a display device.
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記第２のコ
ンタクトホールで欠陥が生じたとき、前記予備配線の枝
状部分の上下で予備配線を切断し、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。6. The method for repairing defects in an active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein when a defect occurs in the second contact hole, an auxiliary wiring is formed above and below a branch portion of the auxiliary wiring. An active matrix liquid crystal, wherein the extended connection electrode and the branch portion of the spare wiring are electrically connected via the first repair pad and the second repair pad. A method for correcting a defect of a display device.
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記スイッチ
ング素子側と前記第１のコンタクトホールとの間に設け
られた前記接続電極に断線が生じたとき、 前記第１の修正用パッドと前記第２の修正用パッドを介
して、延長された前記接続電極と前記予備配線の枝状部
分とを導通させることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の欠陥修正方法。7. The method for repairing defects in an active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein a disconnection occurs in the connection electrode provided between the switching element and the first contact hole. Wherein the extended connection electrode and the branch portion of the spare line are electrically connected via the first repair pad and the second repair pad. Device defect repair method.
型液晶表示装置の欠陥修正方法であって、スイッチング
素子に欠陥が生じたとき、前記第１の修正用パッドと前
記第２の修正用パッドを介して、延長された前記接続電
極と前記予備配線の枝状部分とを導通させることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥修正
方法。8. The defect repair method for an active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein when a defect occurs in a switching element, the first repair pad and the second repair pad are replaced with each other. A method for repairing a defect in an active matrix type liquid crystal display device, wherein the extended connection electrode is connected to a branch portion of the spare wiring through the connection.
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