JP2000096045A - 電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置 - Google Patents
電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置Info
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- JP2000096045A JP2000096045A JP10303152A JP30315298A JP2000096045A JP 2000096045 A JP2000096045 A JP 2000096045A JP 10303152 A JP10303152 A JP 10303152A JP 30315298 A JP30315298 A JP 30315298A JP 2000096045 A JP2000096045 A JP 2000096045A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度で、色純度がよく、経時的に発光輝度
維持率の良好な電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）用蛍
光膜及びこれを用いたＦＥＤを提供しようとするもので
ある。 【解決手段】 蛍光体の表面に下記及びの中の少な
くとも１種の化合物を被覆した蛍光体からなることを特
徴とするＦＥＤ用蛍光膜及びＦＥＤである。 アルカリ土類元素、亜鉛（Ｚｎ）及びマンガン（Ｍ
ｎ）の中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物。 チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の
中の少なくとも１種の金属元素の酸化物。
維持率の良好な電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）用蛍
光膜及びこれを用いたＦＥＤを提供しようとするもので
ある。 【解決手段】 蛍光体の表面に下記及びの中の少な
くとも１種の化合物を被覆した蛍光体からなることを特
徴とするＦＥＤ用蛍光膜及びＦＥＤである。 アルカリ土類元素、亜鉛（Ｚｎ）及びマンガン（Ｍ
ｎ）の中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物。 チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の
中の少なくとも１種の金属元素の酸化物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は加速電圧が０．１〜
１５ｋＶであり、電流密度が１００μＡ〜１０ｍＡの電
子線によって継続的に安定に発光する電界放出型ディス
プレイ用蛍光膜（以下、「ＦＥＤ用蛍光膜」という）及
びこれを用いた電界放出型ディスプレイ装置（以下「Ｆ
ＥＤ」という）に関する。
１５ｋＶであり、電流密度が１００μＡ〜１０ｍＡの電
子線によって継続的に安定に発光する電界放出型ディス
プレイ用蛍光膜（以下、「ＦＥＤ用蛍光膜」という）及
びこれを用いた電界放出型ディスプレイ装置（以下「Ｆ
ＥＤ」という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種デイスプレイ装置は主としてその用
途に応じてそれぞれ画面の大型化、フラット化、薄型化
が求められている。その中、電子線励起下での蛍光体の
発光を利用した陰極線管ディスプレイ（ＣＲＴ）は高輝
度、高精細なディスプレイとして広く利用されている
が、特にフラット化、薄型化という点では限度があり、
フラット化及び薄型化を追求するディスプレイの一つと
して近年来、ＦＥＤが注目され、開発されつつある。
途に応じてそれぞれ画面の大型化、フラット化、薄型化
が求められている。その中、電子線励起下での蛍光体の
発光を利用した陰極線管ディスプレイ（ＣＲＴ）は高輝
度、高精細なディスプレイとして広く利用されている
が、特にフラット化、薄型化という点では限度があり、
フラット化及び薄型化を追求するディスプレイの一つと
して近年来、ＦＥＤが注目され、開発されつつある。
【０００３】ＦＥＤは真空外囲器内に電子を放出する平
面状の電界放出型カソードとアノードとをわずかな間隔
を持たせて対向して配置し、アノード上のカソードと対
向する面の所定の位置に電子線励起下で各色に発光する
蛍光体からなる蛍光膜を設けておき、各カソードから画
像信号に対応する、加速電圧が０．１〜１５ｋＶの中圧
電子線を放出させることによってアノード上の各蛍光膜
を発光させて画像を表示させる平面ディスプレイで、消
費電力が少なく、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）よりも優
位なフラットで薄型のディスプレイとして期待されつつ
ある。
面状の電界放出型カソードとアノードとをわずかな間隔
を持たせて対向して配置し、アノード上のカソードと対
向する面の所定の位置に電子線励起下で各色に発光する
蛍光体からなる蛍光膜を設けておき、各カソードから画
像信号に対応する、加速電圧が０．１〜１５ｋＶの中圧
電子線を放出させることによってアノード上の各蛍光膜
を発光させて画像を表示させる平面ディスプレイで、消
費電力が少なく、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）よりも優
位なフラットで薄型のディスプレイとして期待されつつ
ある。
【０００４】しかしながら、このＦＥＤはカソードと蛍
光膜（アノード）との間の距離がＣＲＴに比較して極め
て小さいことと、蛍光膜を発光させる電子線の加速電圧
が低く、逆にその電流密度がＣＲＴの１０〜１０００倍
の高密度であるため、ＦＥＤ用蛍光膜はＣＲＴ用蛍光膜
に較べ、使用中に電子線によるる劣化を受けて経時的な
発光輝度の低下や発光色の変化が起こり易く、特に、硫
化物系蛍光体をＦＥＤ用蛍光膜として用いた場合、高密
度の電子線に長時間さらされると蛍光体自体が分解した
り、蛍光体母体の結晶性が低下して、発光輝度の低下が
顕著であるところから、ＣＲＴ用蛍光膜として用いる蛍
光体をそのままＦＥＤ用蛍光膜として用いた場合、特に
発光輝度の経時的な低下が著しいため、その改良が強く
望まれていた。
光膜（アノード）との間の距離がＣＲＴに比較して極め
て小さいことと、蛍光膜を発光させる電子線の加速電圧
が低く、逆にその電流密度がＣＲＴの１０〜１０００倍
の高密度であるため、ＦＥＤ用蛍光膜はＣＲＴ用蛍光膜
に較べ、使用中に電子線によるる劣化を受けて経時的な
発光輝度の低下や発光色の変化が起こり易く、特に、硫
化物系蛍光体をＦＥＤ用蛍光膜として用いた場合、高密
度の電子線に長時間さらされると蛍光体自体が分解した
り、蛍光体母体の結晶性が低下して、発光輝度の低下が
顕著であるところから、ＣＲＴ用蛍光膜として用いる蛍
光体をそのままＦＥＤ用蛍光膜として用いた場合、特に
発光輝度の経時的な低下が著しいため、その改良が強く
望まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は加速電圧がお
よそ０．１〜１５ｋＶであり、５μＡ〜１０ｍＡの高電
流密度の中速電子線を照射して発光させた時、経時的な
輝度低下の少ないＦＥＤ用蛍光膜及びこれを用いたＦＥ
Ｄを提供することを目的とする。
よそ０．１〜１５ｋＶであり、５μＡ〜１０ｍＡの高電
流密度の中速電子線を照射して発光させた時、経時的な
輝度低下の少ないＦＥＤ用蛍光膜及びこれを用いたＦＥ
Ｄを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＦＥＤ用蛍
光膜として用いる蛍光体の経時的な輝度低下を抑制する
ため、蛍光体の表面に皮膜を形成することを試みた結
果、被覆される化合物は何でも良いというものではな
く、ある特定の化合物でもって蛍光体を被覆した場合に
限り高電流密度の中速電子線励起下でも発光輝度の経時
的低下が少なく、上記目的が達成し得ることを見出し本
発明に至った。
光膜として用いる蛍光体の経時的な輝度低下を抑制する
ため、蛍光体の表面に皮膜を形成することを試みた結
果、被覆される化合物は何でも良いというものではな
く、ある特定の化合物でもって蛍光体を被覆した場合に
限り高電流密度の中速電子線励起下でも発光輝度の経時
的低下が少なく、上記目的が達成し得ることを見出し本
発明に至った。
【０００７】即ち、本発明は、 （１）蛍光体の表面に下記及びの中の少なくとも１
種の化合物を被覆した蛍光体からなることを特徴とする
電界放出型ディスプレイ用蛍光膜。 アルカリ土類元素、亜鉛（Ｚｎ）及びマンガン（Ｍ
ｎ）の中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物。 チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の
中の少なくとも１種の金属元素の酸化物。 （２）上記蛍光体がその母体組成中に硫黄（Ｓ）を含む
蛍光体であることを特徴とする上記（１）に記載の電界
放出型ディスプレイ用蛍光膜。 （３）上記の燐酸塩化合物の被覆量が上記蛍光体に対
して０．１〜１０重量％であることを特徴とする上記
（１）ないし（２）に記載の電界放出型ディスプレイ用
蛍光膜。
種の化合物を被覆した蛍光体からなることを特徴とする
電界放出型ディスプレイ用蛍光膜。 アルカリ土類元素、亜鉛（Ｚｎ）及びマンガン（Ｍ
ｎ）の中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物。 チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の
中の少なくとも１種の金属元素の酸化物。 （２）上記蛍光体がその母体組成中に硫黄（Ｓ）を含む
蛍光体であることを特徴とする上記（１）に記載の電界
放出型ディスプレイ用蛍光膜。 （３）上記の燐酸塩化合物の被覆量が上記蛍光体に対
して０．１〜１０重量％であることを特徴とする上記
（１）ないし（２）に記載の電界放出型ディスプレイ用
蛍光膜。
【０００８】（４）上記の金属酸化物の被覆量が上記
蛍光体に対して１〜３０重量％であることを特徴とする
上記（１）ないし（２）に記載の電界放出型ディスプレ
イ用蛍光膜。（５）真空外囲器内に少なくとも電界放出
用カソードと、これに対向するアノードと、該アノード
の上記カソード側に設けられた蛍光膜とを有し、上記カ
ソードから放出される加速電圧０．１〜１５ｋＶの電子
線によって上記蛍光膜を発光させる電界放出型ディスプ
レイ装置において、上記蛍光膜が上記（１）〜（４）の
いずれかに記載の蛍光膜からなることを特徴とする電界
放出型ディスプレイ装置。である。
蛍光体に対して１〜３０重量％であることを特徴とする
上記（１）ないし（２）に記載の電界放出型ディスプレ
イ用蛍光膜。（５）真空外囲器内に少なくとも電界放出
用カソードと、これに対向するアノードと、該アノード
の上記カソード側に設けられた蛍光膜とを有し、上記カ
ソードから放出される加速電圧０．１〜１５ｋＶの電子
線によって上記蛍光膜を発光させる電界放出型ディスプ
レイ装置において、上記蛍光膜が上記（１）〜（４）の
いずれかに記載の蛍光膜からなることを特徴とする電界
放出型ディスプレイ装置。である。
【０００９】
【発明の実施の態様】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明のＦＥＤ用蛍光膜を製造するには、ＦＥＤ用
蛍光体の表面に従来公知の方法で特定の化合物を被覆
し、これを基板上に塗布して蛍光体層を形成することに
よって得ることが出来る。
る。本発明のＦＥＤ用蛍光膜を製造するには、ＦＥＤ用
蛍光体の表面に従来公知の方法で特定の化合物を被覆
し、これを基板上に塗布して蛍光体層を形成することに
よって得ることが出来る。
【００１０】本発明のＦＥＤ用蛍光膜及びＦＥＤに用い
られる蛍光体としては、加速電圧がおよそ０．１〜１５
ｋＶ程度であり、電流密度が５μＡ〜１０ｍＡ程度の中
速、高電流密度の電子線の照射を受けたとき高輝度に発
光する蛍光体であれば特に制限はなく、一般には電子線
励起下で発光するＣＲＴ用の蛍光体が用いられる。但
し、これらの中でもＺｎＳ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ等の硫化
物を母体とする硫化物系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ
２Ｓ等を母体とする酸硫化物系蛍光体等のように、蛍光
体母体組成中に硫黄（Ｓ）元素を含む蛍光体を使用した
時、特に被覆による経時的な輝度低下の抑制効果が大き
い。
られる蛍光体としては、加速電圧がおよそ０．１〜１５
ｋＶ程度であり、電流密度が５μＡ〜１０ｍＡ程度の中
速、高電流密度の電子線の照射を受けたとき高輝度に発
光する蛍光体であれば特に制限はなく、一般には電子線
励起下で発光するＣＲＴ用の蛍光体が用いられる。但
し、これらの中でもＺｎＳ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ等の硫化
物を母体とする硫化物系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ
２Ｓ等を母体とする酸硫化物系蛍光体等のように、蛍光
体母体組成中に硫黄（Ｓ）元素を含む蛍光体を使用した
時、特に被覆による経時的な輝度低下の抑制効果が大き
い。
【００１１】本発明のＦＥＤ用蛍光膜及びＦＥＤに用い
られる蛍光体の表面に被覆される化合物としては例え
ば、燐酸カルシウム、燐酸亜鉛、燐酸マンガンなどの
アルカリ金属元素（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）
及びマンガン（Ｍｎ）の中の少なくとも１種の金属元素
の燐酸塩化合物、及びＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｃ
ａＯ、Ａｌ２Ｏ３などのチタン（Ｔｉ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアル
ミニウム（Ａｌ）の中の少なくとも１種の金属の酸化物
が用いられる。なお、この中でチタン（Ｔｉ）の酸化物
は必ずしもＴｉＯ２なる組成に限らず、例えばＴｉ
Ｏｘ、Ｔｉ２Ｏ３等の組成の酸化物であっても良く、本
明細書ではＴｉＯ２、ＴｉＯｘ、Ｔｉ２Ｏ３など、Ｔｉ
と酸素からなる化合物を総称して単にチタン（Ｔｉ）の
酸化物ということにする。
られる蛍光体の表面に被覆される化合物としては例え
ば、燐酸カルシウム、燐酸亜鉛、燐酸マンガンなどの
アルカリ金属元素（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）
及びマンガン（Ｍｎ）の中の少なくとも１種の金属元素
の燐酸塩化合物、及びＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｃ
ａＯ、Ａｌ２Ｏ３などのチタン（Ｔｉ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアル
ミニウム（Ａｌ）の中の少なくとも１種の金属の酸化物
が用いられる。なお、この中でチタン（Ｔｉ）の酸化物
は必ずしもＴｉＯ２なる組成に限らず、例えばＴｉ
Ｏｘ、Ｔｉ２Ｏ３等の組成の酸化物であっても良く、本
明細書ではＴｉＯ２、ＴｉＯｘ、Ｔｉ２Ｏ３など、Ｔｉ
と酸素からなる化合物を総称して単にチタン（Ｔｉ）の
酸化物ということにする。
【００１２】蛍光体の表面に上記金属燐酸塩もしくは金
属酸化物を被覆させるには、例えば、金属燐酸塩を被覆
させる場合には、所定量の燐酸カリウム、燐酸ナトリウ
ムなどの水溶性の燐酸塩と塩化カルシウム、硫酸ストロ
ンチウム、塩化マンガン、硝酸亜鉛等のアルカリ土類金
属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくとも１種の水溶性の金属
塩化合物とを蛍光体懸濁液中に添加し、攪拌することに
よってアルカリ土類金属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくと
も１種の金属の燐酸塩を懸濁液中で生成させると共に、
生成したこれらの金属燐酸塩を蛍光体表面に沈積させ、
水を除去することによって得られる。
属酸化物を被覆させるには、例えば、金属燐酸塩を被覆
させる場合には、所定量の燐酸カリウム、燐酸ナトリウ
ムなどの水溶性の燐酸塩と塩化カルシウム、硫酸ストロ
ンチウム、塩化マンガン、硝酸亜鉛等のアルカリ土類金
属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくとも１種の水溶性の金属
塩化合物とを蛍光体懸濁液中に添加し、攪拌することに
よってアルカリ土類金属、Ｚｎ及びＭｎの中の少なくと
も１種の金属の燐酸塩を懸濁液中で生成させると共に、
生成したこれらの金属燐酸塩を蛍光体表面に沈積させ、
水を除去することによって得られる。
【００１３】一方、蛍光体表面にＴｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ａ及びＡｌの中の少なくとも１種の金属酸化物を被覆す
るには、例えば、蛍光体を水に懸濁させ、これに塩化チ
タン、硝酸マグネシウム、硫酸亜鉛、硫酸アルミニウム
など、被覆させようとする金属酸化物を構成する金属
（Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ及びＡｌの１種以上）の水溶
性化合物を所定量加えて溶解させた後、アンモニア水等
を添加してスラリーのｐＨをおよそ１２に調節すること
によって金属水酸化物の沈殿を生成させ、スラリーの上
澄み液を除去し、脱水、乾燥の後得られた固形分を金属
酸化物になる温度で加熱することによって所望の金属酸
物が表面に被着された蛍光体を得る。
ａ及びＡｌの中の少なくとも１種の金属酸化物を被覆す
るには、例えば、蛍光体を水に懸濁させ、これに塩化チ
タン、硝酸マグネシウム、硫酸亜鉛、硫酸アルミニウム
など、被覆させようとする金属酸化物を構成する金属
（Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ及びＡｌの１種以上）の水溶
性化合物を所定量加えて溶解させた後、アンモニア水等
を添加してスラリーのｐＨをおよそ１２に調節すること
によって金属水酸化物の沈殿を生成させ、スラリーの上
澄み液を除去し、脱水、乾燥の後得られた固形分を金属
酸化物になる温度で加熱することによって所望の金属酸
物が表面に被着された蛍光体を得る。
【００１４】蛍光体に被覆させる金属燐酸塩化合物及び
金属酸化物の中の少なくとも１種の化合物の被覆量は、
被覆させる化合物によって若干異なり、金属燐酸塩を被
覆させる場合には蛍光体に対して０．１〜１０重量％と
するのが好ましく、特に０．１〜１．０重量％とするの
がより好ましい。金属燐酸塩の被覆量が０．１重量％よ
り少ないと得られるＦＥＤ用蛍光膜の経時的な輝度低下
が改善されず、また、この被覆量が１０重量％より多い
と得られるＦＥＤ用蛍光膜の発光輝度が低下してしまう
ので実用上好ましくない。
金属酸化物の中の少なくとも１種の化合物の被覆量は、
被覆させる化合物によって若干異なり、金属燐酸塩を被
覆させる場合には蛍光体に対して０．１〜１０重量％と
するのが好ましく、特に０．１〜１．０重量％とするの
がより好ましい。金属燐酸塩の被覆量が０．１重量％よ
り少ないと得られるＦＥＤ用蛍光膜の経時的な輝度低下
が改善されず、また、この被覆量が１０重量％より多い
と得られるＦＥＤ用蛍光膜の発光輝度が低下してしまう
ので実用上好ましくない。
【００１５】また、金属酸化物を被覆する場合には金属
燐酸塩化合物を被覆する場合とは若干異なり、被覆の最
適量範囲を１〜３０重量％、より好ましくは５〜２０重
量％とするのが良い。
燐酸塩化合物を被覆する場合とは若干異なり、被覆の最
適量範囲を１〜３０重量％、より好ましくは５〜２０重
量％とするのが良い。
【００１６】次いで、得られた金属燐酸塩化合物もしく
は金属酸化物を被覆したＦＥＤ用蛍光体を表面にＩＴＯ
等の透明導電性薄膜が形成されたガラス板等の基板上に
塗布し、蛍光体層を形成して本発明のＦＥＤ用蛍光膜と
する。基板上への蛍光膜の形成方法は、特に他のディス
プレイ用蛍光膜の公知の作成方法と変わるところはな
く、例えば、水ガラス等のバインダーを含む水の入った
容器の器底に基板を沈めておき、この中に上述のように
して得られたＦＥＤ用蛍光体の所定量を投入して攪拌
し、器底の基板上に沈積させて、いわゆる、沈降塗布法
によって蛍光膜を形成しても良いし、また、得られたＦ
ＥＤ用蛍光体と水溶性の感光性樹脂バインダーとを水等
の溶媒中に懸濁させて感光性樹脂スラリーを調製し、こ
れを基板上に塗布した後、所定のパターンに露光してか
ら、未露光部を洗い流す、いわゆるホトリソ法によって
蛍光膜を作成しても良い。さらにまた、得られたＦＥＤ
用蛍光体をバインダー樹脂と共に混練して蛍光体ペース
トとし、これを基板上の所定の位置に印刷塗布する、い
わゆる印刷法によっても良い。
は金属酸化物を被覆したＦＥＤ用蛍光体を表面にＩＴＯ
等の透明導電性薄膜が形成されたガラス板等の基板上に
塗布し、蛍光体層を形成して本発明のＦＥＤ用蛍光膜と
する。基板上への蛍光膜の形成方法は、特に他のディス
プレイ用蛍光膜の公知の作成方法と変わるところはな
く、例えば、水ガラス等のバインダーを含む水の入った
容器の器底に基板を沈めておき、この中に上述のように
して得られたＦＥＤ用蛍光体の所定量を投入して攪拌
し、器底の基板上に沈積させて、いわゆる、沈降塗布法
によって蛍光膜を形成しても良いし、また、得られたＦ
ＥＤ用蛍光体と水溶性の感光性樹脂バインダーとを水等
の溶媒中に懸濁させて感光性樹脂スラリーを調製し、こ
れを基板上に塗布した後、所定のパターンに露光してか
ら、未露光部を洗い流す、いわゆるホトリソ法によって
蛍光膜を作成しても良い。さらにまた、得られたＦＥＤ
用蛍光体をバインダー樹脂と共に混練して蛍光体ペース
トとし、これを基板上の所定の位置に印刷塗布する、い
わゆる印刷法によっても良い。
【００１７】一方、本発明のＦＥＤは、アノード上に上
記のＦＥＤ用蛍光膜を用いる以外は従来のＦＥＤと同様
である。図１は本発明のＦＥＤの概略断面図であり、一
対のガラス基板６、７をおよそ２ｍｍ程度の間隙でもっ
て対向配置し、一方のガラス基板６の片面（ガラス基板
７と対面する側）に透明なカソード電極２とこれに通ず
るカソード１を所定の位置に点在させて設けるととも
に、もう一方のガラス基板７の片面（ガラス基板６と対
面する側）にはアノード電極３が設けられており、この
アノード電極３の上に蛍光膜４が形成されている。この
蛍光膜４は、カラーＦＥＤの場合、青色発光蛍光体から
なる青色蛍光膜４ｂ、赤色発光蛍光体からなる赤色蛍光
膜４ｒ、緑色発光蛍光体からなる緑色蛍光膜４ｇの各画
素毎に別々に形成される。図１において５は各カソード
１から放出される電子線をホーカスするためのゲート電
極であり、８はこのゲート電極５とカソード電極２とを
絶縁するための絶縁体であり、これらの各画素が真空外
囲器（図示せず）の中に封入されて、その内部はおよそ
１０−７〜１０−８Ｔｏｒｒの真空度に保たれている。
そして、アノード電極３とゲート電極５に一定の電圧を
印加することによって各カソード１から電子線を引き出
し、アノード電極３に印加された電圧よって加速され
て、その上に形成されている各蛍光膜４（４ｂ、４ｒ、
４ｇ）に到達して蛍光膜４を発光させる。
記のＦＥＤ用蛍光膜を用いる以外は従来のＦＥＤと同様
である。図１は本発明のＦＥＤの概略断面図であり、一
対のガラス基板６、７をおよそ２ｍｍ程度の間隙でもっ
て対向配置し、一方のガラス基板６の片面（ガラス基板
７と対面する側）に透明なカソード電極２とこれに通ず
るカソード１を所定の位置に点在させて設けるととも
に、もう一方のガラス基板７の片面（ガラス基板６と対
面する側）にはアノード電極３が設けられており、この
アノード電極３の上に蛍光膜４が形成されている。この
蛍光膜４は、カラーＦＥＤの場合、青色発光蛍光体から
なる青色蛍光膜４ｂ、赤色発光蛍光体からなる赤色蛍光
膜４ｒ、緑色発光蛍光体からなる緑色蛍光膜４ｇの各画
素毎に別々に形成される。図１において５は各カソード
１から放出される電子線をホーカスするためのゲート電
極であり、８はこのゲート電極５とカソード電極２とを
絶縁するための絶縁体であり、これらの各画素が真空外
囲器（図示せず）の中に封入されて、その内部はおよそ
１０−７〜１０−８Ｔｏｒｒの真空度に保たれている。
そして、アノード電極３とゲート電極５に一定の電圧を
印加することによって各カソード１から電子線を引き出
し、アノード電極３に印加された電圧よって加速され
て、その上に形成されている各蛍光膜４（４ｂ、４ｒ、
４ｇ）に到達して蛍光膜４を発光させる。
【００１８】
【実施例】次に実施例により本発明を説明する。 （実施例１）脱イオン水１ｋｇの入った容器中にＺｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを投入し、十分に攪
拌して得た蛍光体懸濁液中に燐酸カリウムの１０ｗｔ％
水溶液９．３ｍｌを滴下しながら３０分攪拌混合し、そ
の後、この懸濁液に硝酸亜鉛６水和物の１０ｗｔ％水溶
液を１２．５ｍｌ滴下して、更に十分に攪拌して蛍光体
懸濁液中において燐酸亜鉛を生成させ、これを蛍光体表
面に自然沈積させた。
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを投入し、十分に攪
拌して得た蛍光体懸濁液中に燐酸カリウムの１０ｗｔ％
水溶液９．３ｍｌを滴下しながら３０分攪拌混合し、そ
の後、この懸濁液に硝酸亜鉛６水和物の１０ｗｔ％水溶
液を１２．５ｍｌ滴下して、更に十分に攪拌して蛍光体
懸濁液中において燐酸亜鉛を生成させ、これを蛍光体表
面に自然沈積させた。
【００１９】次いで、この懸濁液を自然放置して蛍光体
を沈降させ、上澄み液を排水した後、アセトンを添加し
て洗浄後、これを排出し、更に十分に脱水して、その脱
水ケーキを乾燥して、１重量％の燐酸亜鉛が被覆された
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を
得た。
を沈降させ、上澄み液を排水した後、アセトンを添加し
て洗浄後、これを排出し、更に十分に脱水して、その脱
水ケーキを乾燥して、１重量％の燐酸亜鉛が被覆された
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を
得た。
【００２０】このようにして得た燐酸亜鉛が被覆された
蛍光体を、エタノールの入った容器中に投入して、該容
器の底に予め置かれた、表面にＩＴＯ薄膜の形成されて
いるガラス板上にこの蛍光体を沈降させて蛍光膜を形成
した。
蛍光体を、エタノールの入った容器中に投入して、該容
器の底に予め置かれた、表面にＩＴＯ薄膜の形成されて
いるガラス板上にこの蛍光体を沈降させて蛍光膜を形成
した。
【００２１】次いでこの蛍光膜に加速電圧５ｋＶ、加速
電流２００μＡの電子線を６時間照射して連続発光させ
た。その時の電子線照射開始直後の発光輝度（初期輝度
ａ）、経時後の発光輝度｛照射開始から６時間後におけ
る発光輝度、（ｂ）｝及び輝度維持率｛（ｂ／ａ）×１
００｝をそれぞれ測定並びに算出し、その結果を表１に
示した。なお、前記の初期輝度（ａ）はこれと同様にし
て測定した、下記の比較例１の蛍光体の初期輝度（ａ）
を１００とした時の相対値で全て示してある（以下、各
実施例並びに比較例においても同様）。
電流２００μＡの電子線を６時間照射して連続発光させ
た。その時の電子線照射開始直後の発光輝度（初期輝度
ａ）、経時後の発光輝度｛照射開始から６時間後におけ
る発光輝度、（ｂ）｝及び輝度維持率｛（ｂ／ａ）×１
００｝をそれぞれ測定並びに算出し、その結果を表１に
示した。なお、前記の初期輝度（ａ）はこれと同様にし
て測定した、下記の比較例１の蛍光体の初期輝度（ａ）
を１００とした時の相対値で全て示してある（以下、各
実施例並びに比較例においても同様）。
【００２２】（実施例２）燐酸カリウムの１０ｗｔ％水
溶液９．３ｍｌに代えて、同じ燐酸カリウムの１０ｗｔ
％水溶液２．８ｍｌを、また、硝酸亜鉛６水和物の１０
ｗｔ％水溶液１２．５ｍｌに代えて同じ硝酸亜鉛６水和
物の１０ｗｔ％水溶液３．８ｍｌをそれぞれ蛍光体懸濁
液中に滴下する以外は実施例１と同様にして０．３重量
％の燐酸亜鉛が被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光
体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
溶液９．３ｍｌに代えて、同じ燐酸カリウムの１０ｗｔ
％水溶液２．８ｍｌを、また、硝酸亜鉛６水和物の１０
ｗｔ％水溶液１２．５ｍｌに代えて同じ硝酸亜鉛６水和
物の１０ｗｔ％水溶液３．８ｍｌをそれぞれ蛍光体懸濁
液中に滴下する以外は実施例１と同様にして０．３重量
％の燐酸亜鉛が被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光
体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
【００２３】このようにして得た、燐酸亜鉛が被覆され
た蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩＴＯ薄
膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成し、実施
例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた時の初期
輝度（ａ）、６時間経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度維
持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算出
し、その結果を表１に示した。
た蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩＴＯ薄
膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成し、実施
例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた時の初期
輝度（ａ）、６時間経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度維
持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算出
し、その結果を表１に示した。
【００２４】（実施例３）燐酸カリウムの１０重量％水
溶液９．３ｍｌに代えて、同じ燐酸カリウムの１０ｗｔ
％水溶液１３．７ｍｌを、また、硝酸亜鉛６水和物の１
０ｗｔ％水溶液の１２．５ｍｌに変えて硝酸カルシウム
６水和物の１０ｗｔ％水溶液を１５．９ｍｌそれぞれ蛍
光体懸濁液に滴下する以外は実施例１と同様にして燐酸
カルシウムが０．３重量％被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
溶液９．３ｍｌに代えて、同じ燐酸カリウムの１０ｗｔ
％水溶液１３．７ｍｌを、また、硝酸亜鉛６水和物の１
０ｗｔ％水溶液の１２．５ｍｌに変えて硝酸カルシウム
６水和物の１０ｗｔ％水溶液を１５．９ｍｌそれぞれ蛍
光体懸濁液に滴下する以外は実施例１と同様にして燐酸
カルシウムが０．３重量％被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
【００２５】このようにして得た、燐酸カルシウムが被
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
【００２６】（実施例４）燐酸カリウムの１０ｗｔ％水
溶液１３．７ｍｌに代えて、同じく燐酸カリウムの１０
ｗｔ％水溶液４５．７ｍｌを、また、硝酸カルシウム６
水和物の１０ｗｔ％水溶液１５．９ｍｌに代えて同じ硝
酸カルシウム６水和物の１０ｗｔ％水溶液５３．０ｍｌ
をそれぞれ滴下する以外は実施例３と同様にして燐酸カ
ルシウムが１．０重量％被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
溶液１３．７ｍｌに代えて、同じく燐酸カリウムの１０
ｗｔ％水溶液４５．７ｍｌを、また、硝酸カルシウム６
水和物の１０ｗｔ％水溶液１５．９ｍｌに代えて同じ硝
酸カルシウム６水和物の１０ｗｔ％水溶液５３．０ｍｌ
をそれぞれ滴下する以外は実施例３と同様にして燐酸カ
ルシウムが１．０重量％被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
【００２７】このようにして得た、燐酸カルシウムが被
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
【００２８】（実施例５）脱イオン水１ｋｇの入った容
器中にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを加え、
十分に攪拌して得た蛍光体懸濁液中に硝酸マグネシウム
６水和物の１０％溶液を４４０ｍｌ添加して攪拌し、こ
こにアンモニア水を加えて蛍光体懸濁液のｐＨが１２と
なるように調整することによって蛍光体懸濁液中で水酸
化マグネシウムを生成させ、これを蛍光体表面に自然沈
着させた。
器中にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを加え、
十分に攪拌して得た蛍光体懸濁液中に硝酸マグネシウム
６水和物の１０％溶液を４４０ｍｌ添加して攪拌し、こ
こにアンモニア水を加えて蛍光体懸濁液のｐＨが１２と
なるように調整することによって蛍光体懸濁液中で水酸
化マグネシウムを生成させ、これを蛍光体表面に自然沈
着させた。
【００２９】次に、この蛍光体懸濁液を静置して蛍光体
を沈降させてから、上澄み液を排水し、この排水した上
澄み液とほぼ等量のアセトンを加えて十分に攪拌した後
に再度上澄み液をデカンテーションにより除去し、脱水
後およそ４５０℃で乾燥して１０重量％の酸化マグネシ
ウムが表面に被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体
のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
を沈降させてから、上澄み液を排水し、この排水した上
澄み液とほぼ等量のアセトンを加えて十分に攪拌した後
に再度上澄み液をデカンテーションにより除去し、脱水
後およそ４５０℃で乾燥して１０重量％の酸化マグネシ
ウムが表面に被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体
のＦＥＤ用蛍光体粉末を得た。
【００３０】このようにして得た、酸化マグネシウが被
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
【００３１】（実施例６）硝酸マグネシウム６水和物の
１０％溶液４４０ｍｌに代えて、同じ硝酸マグネシウム
６水和物の１０％溶液を２２０ｍｌを用いる以外は実施
例５と同様にして５重量％の酸化マグネシウムが表面に
被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍
光体粉末を得た。
１０％溶液４４０ｍｌに代えて、同じ硝酸マグネシウム
６水和物の１０％溶液を２２０ｍｌを用いる以外は実施
例５と同様にして５重量％の酸化マグネシウムが表面に
被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍
光体粉末を得た。
【００３２】このようにして得た、酸化マグネシウが被
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
【００３３】（実施例７）脱イオン水１ｋｇの入った容
器中にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを投入
し、十分に攪拌して得た蛍光体懸濁液中に硫酸チタンの
希硫酸水溶液（１０％）を１３５ｍｌ添加し、３０分間
攪拌後アンモニアを添加して懸濁液をｐＨ１２に調整し
て懸濁液内で水酸化チタンの沈殿を生成させ、更に３０
分間攪拌した後放置して蛍光体の表面に水酸化チタンを
吸着させ、上澄み液を除去し、更に脱水、乾燥を行っ
た。次にこの蛍光体粉末を３００℃で加熱して再度乾燥
処理を行った。
器中にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体１００ｇを投入
し、十分に攪拌して得た蛍光体懸濁液中に硫酸チタンの
希硫酸水溶液（１０％）を１３５ｍｌ添加し、３０分間
攪拌後アンモニアを添加して懸濁液をｐＨ１２に調整し
て懸濁液内で水酸化チタンの沈殿を生成させ、更に３０
分間攪拌した後放置して蛍光体の表面に水酸化チタンを
吸着させ、上澄み液を除去し、更に脱水、乾燥を行っ
た。次にこの蛍光体粉末を３００℃で加熱して再度乾燥
処理を行った。
【００３４】このようにして表面に５重量％の酸化チタ
ンが被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体を得た。
このようにして得た、酸化チタンが被覆された蛍光体を
用いて実施例１と同様にして表面にＩＴＯ薄膜が形成さ
れているガラス板上に蛍光膜を作成し、実施例１と同一
条件でこの蛍光膜を連続発光させた時の初期輝度
（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度維持率｛（ｂ
／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算出し、その結
果を表１に示した。
ンが被覆されたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体を得た。
このようにして得た、酸化チタンが被覆された蛍光体を
用いて実施例１と同様にして表面にＩＴＯ薄膜が形成さ
れているガラス板上に蛍光膜を作成し、実施例１と同一
条件でこの蛍光膜を連続発光させた時の初期輝度
（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度維持率｛（ｂ
／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算出し、その結
果を表１に示した。
【００３５】（実施例８）硫酸チタンの希硫酸水溶液
（１０％）１３５ｍｌに代えて、同じ硫酸チタンの希硫
酸水溶液（１０％）を２７０ｍｌを用いる以外は実施例
７と同様にして１０重量％の酸化チタンが表面に被覆さ
れたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉
末を得た。
（１０％）１３５ｍｌに代えて、同じ硫酸チタンの希硫
酸水溶液（１０％）を２７０ｍｌを用いる以外は実施例
７と同様にして１０重量％の酸化チタンが表面に被覆さ
れたＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体のＦＥＤ用蛍光体粉
末を得た。
【００３６】このようにして得た、酸化マグネシウが被
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
覆された蛍光体を用いて実施例１と同様にして表面にＩ
ＴＯ薄膜が形成されているガラス板上に蛍光膜を作成
し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連続発光させた
時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度（ｂ）及び輝度
維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞれ測定並びに算
出し、その結果を表１に示した。
【００３７】（比較例１）実施例１〜８で用いた、表面
に何ら被覆処理をしていないＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍
光体をＦＥＤ用蛍光体粉末として用いた以外は実施例１
〜６と同様にてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体からなる
蛍光膜を形成し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連
続発光させた時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度
（ｂ）及び輝度維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞ
れ測定並びに算出し、その結果を表１に示した。
に何ら被覆処理をしていないＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍
光体をＦＥＤ用蛍光体粉末として用いた以外は実施例１
〜６と同様にてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ緑色蛍光体からなる
蛍光膜を形成し、実施例１と同一条件でこの蛍光膜を連
続発光させた時の初期輝度（ａ）、経時後の発光輝度
（ｂ）及び輝度維持率｛（ｂ／ａ）×１００｝をそれぞ
れ測定並びに算出し、その結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】（実施例９、１０）、（比較例２）アノー
ド上にそれぞれ実施例１及び実施例３の蛍光膜と同様の
蛍光膜を形成する以外は従来のＦＥＤと同様にして実施
例９のＦＥＤ及び実施例１０のＦＥＤを製造した。これ
とは別にアノード上に比較例１の蛍光膜と同様の蛍光膜
を形成する以外は実施例９及び実施例１０のＦＥＤと同
様にして比較例２のＦＥＤを製造した。
ド上にそれぞれ実施例１及び実施例３の蛍光膜と同様の
蛍光膜を形成する以外は従来のＦＥＤと同様にして実施
例９のＦＥＤ及び実施例１０のＦＥＤを製造した。これ
とは別にアノード上に比較例１の蛍光膜と同様の蛍光膜
を形成する以外は実施例９及び実施例１０のＦＥＤと同
様にして比較例２のＦＥＤを製造した。
【００４０】これら各ＦＥＤを加速電圧５ＫＶ、電流２
００μＡの電子線がアノード上の蛍光膜に照射されるよ
うな条件で動作させたところ、実施例９及び実施例１０
のＦＥＤの６時間後の発光輝度は動作直後の発光輝度に
対しそれぞれ７５％及び８１％の発光輝度を示したのに
対し、比較例２のＦＥＤの６時間後の発光輝度が動作直
後の発光輝度に対し６１％であった。
００μＡの電子線がアノード上の蛍光膜に照射されるよ
うな条件で動作させたところ、実施例９及び実施例１０
のＦＥＤの６時間後の発光輝度は動作直後の発光輝度に
対しそれぞれ７５％及び８１％の発光輝度を示したのに
対し、比較例２のＦＥＤの６時間後の発光輝度が動作直
後の発光輝度に対し６１％であった。
【００４１】表１からわかるように、蛍光体表面に特定
金属の燐酸塩化合物もしくは金属酸化物を被覆してなる
実施例１〜８の本発明のＦＥＤ用蛍光膜は、表面に何ら
被覆処理が施されていない蛍光体からなる比較例１の蛍
光膜に較べて６時間連続して発光させた場合も、発光輝
度の低下が少なく、輝度維持率が著しく改善されてい
た。特に燐酸亜鉛や燐酸カルシウムを被覆した場合、そ
の被覆量が少ない時には被覆しない蛍光体を用いた場合
よりむしろ励起直後の発光輝度が高い場合もアルが、こ
れは蛍光体の表面を被覆することによって膜質が向上す
るためであると思われる。
金属の燐酸塩化合物もしくは金属酸化物を被覆してなる
実施例１〜８の本発明のＦＥＤ用蛍光膜は、表面に何ら
被覆処理が施されていない蛍光体からなる比較例１の蛍
光膜に較べて６時間連続して発光させた場合も、発光輝
度の低下が少なく、輝度維持率が著しく改善されてい
た。特に燐酸亜鉛や燐酸カルシウムを被覆した場合、そ
の被覆量が少ない時には被覆しない蛍光体を用いた場合
よりむしろ励起直後の発光輝度が高い場合もアルが、こ
れは蛍光体の表面を被覆することによって膜質が向上す
るためであると思われる。
【００４２】更に実施例９〜１０並びに比較例２からわ
かるように、本発明の蛍光膜を用いたＦＥＤも連続動作
時の発光輝度の輝度維持率が著しく改善されていた。な
お、上記各実施例において蛍光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌ緑色蛍光体を用いた場合についてのみ例示したが、
加速電圧が０．１〜１５ｋＶ程度の中圧電子線励起によ
って発光し得る蛍光体であればＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光
体に限らず、これにアルカリ土類元素、Ｚｎ及びＭｎの
中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物又はＴ
ｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ及びＡｌの中の少なくとも１種の
元素の金属酸化物を表面に被覆すると、ＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌ蛍光体の場合と同様に発光輝度の低下が少なく、輝
度維持率が著しく改善されることが確認された。
かるように、本発明の蛍光膜を用いたＦＥＤも連続動作
時の発光輝度の輝度維持率が著しく改善されていた。な
お、上記各実施例において蛍光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌ緑色蛍光体を用いた場合についてのみ例示したが、
加速電圧が０．１〜１５ｋＶ程度の中圧電子線励起によ
って発光し得る蛍光体であればＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光
体に限らず、これにアルカリ土類元素、Ｚｎ及びＭｎの
中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物又はＴ
ｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ及びＡｌの中の少なくとも１種の
元素の金属酸化物を表面に被覆すると、ＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌ蛍光体の場合と同様に発光輝度の低下が少なく、輝
度維持率が著しく改善されることが確認された。
【００４３】
【発明の効果】本発明のＦＥＤ用蛍光膜及びこれを用い
たＦＥＤは上述のような構成としたので輝度維持率が改
善され、長時間の使用によっても発光輝度の低下の程度
が小さく、高輝度の発光を呈する。
たＦＥＤは上述のような構成としたので輝度維持率が改
善され、長時間の使用によっても発光輝度の低下の程度
が小さく、高輝度の発光を呈する。
図１は本発明のＦＥＤの断面を示す概略図である。 １…………カソード ２…………カソー
ド電極 ３…………アノード電極 ４…………蛍光膜
５…………ゲート電極 ６、７…
……ガラス基板 ８…………絶縁体
ド電極 ３…………アノード電極 ４…………蛍光膜
５…………ゲート電極 ６、７…
……ガラス基板 ８…………絶縁体
Claims (5)
- 【請求項１】蛍光体の表面に下記及びの中の少なく
とも１種の化合物を被覆した蛍光体からなることを特徴
とする電界放出型ディスプレイ用蛍光膜。 アルカリ土類元素、亜鉛（Ｚｎ）及びマンガン（Ｍ
ｎ）の中の少なくとも１種の金属元素の燐酸塩化合物。 チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の
中の少なくとも１種の金属元素の酸化物。 - 【請求項２】上記蛍光体がその母体組成中に硫黄（Ｓ）
を含む蛍光体であることを特徴とする請求項１に記載の
電界放出型ディスプレイ用蛍光膜。 - 【請求項３】上記の燐酸塩化合物の被覆量が上記蛍光
体に対して０．１〜１０重量％であることを特徴とする
請求項１ないし請求項２記載の電界放出型ディスプレイ
用蛍光膜。 - 【請求項４】上記の金属酸化物の被覆量が上記蛍光体
に対して１〜３０重量％であることを特徴とする請求項
１ないし請求項２記載の電界放出型ディスプレイ用蛍光
膜。 - 【請求項５】真空外囲器内に少なくとも電界放出用カソ
ードと、これに対向するアノードと、該アノードの上記
カソード側に設けられた蛍光膜とを有し、上記カソード
から放出される加速電圧０．１〜１５ｋＶの電子線によ
って上記蛍光膜を発光させる電界放出型ディスプレイ装
置において、上記蛍光膜が請求項１〜４のいずれか一項
に記載の蛍光膜からなることを特徴とする電界放出型デ
ィスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303152A JP2000096045A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303152A JP2000096045A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096045A true JP2000096045A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17917514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303152A Pending JP2000096045A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000096045A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002074879A1 (fr) * | 2001-03-15 | 2002-09-26 | Sony Corporation | Poudre fluorescente, son procede de production, ecran d'affichage et ecran plat |
| WO2008018548A1 (en) | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Illuminating apparatus |
| WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
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1998
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