JP2000091202A

JP2000091202A - 走査露光方法及び走査型露光装置

Info

Publication number: JP2000091202A
Application number: JP10258330A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Kobayashi; 直行小林
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-09-11
Filing date: 1998-09-11
Publication date: 2000-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】感応基板上の各ショット領域で線幅分布の均
一性を高精度に確保しつつ、パターン転写を行う。【解決手段】事前計測又は計算によって求められ、記
憶装置に記憶された、感応基板Ｗへの投影像に意識的に
歪みを与えない場合に生じるパターン線幅の転写誤差に
応じたデータに基づいて、感応基板Ｗへのパターン転写
の際に、制御系（１９，２０，６８）が、感応基板Ｗへ
の投影像の歪みを調整して、走査露光を行い、マスクＲ
に形成されたパターンを感応基板Ｗに転写する。この結
果、転写線幅の均一化が図られたパターン転写を行うこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、走査露光方法及び
走査型露光装置に係り、更に詳しくは、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）又は薄膜磁気
ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程で使用され
る走査露光方法及び走査型露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えばマイクロ・プロセッ
サ、ＤＲＡＭ等の集積回路をはじめとする各種半導体デ
バイスを製造する際に、マスク又はレチクル（以下、適
宜「レチクル」と総称する）の回路パターンを投影光学
系を介してレジスト（感光剤）が塗布されたウエハ又は
ガラスプレート等の感応基板（以下、適宜「ウエハ」と
総称する）上の各ショット領域に転写する投影露光装置
が広く使用されている。こうした投影露光装置として、
最近では、半導体素子の高集積化、デバイスルール（最
小線幅）の微細化に伴い、大面積で高精度な露光が可能
なステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
（いわゆるスキャニング・ステッパ）が実用化されてい
る。

【０００３】かかる走査型露光装置では、レチクル及び
ウエハの投影光学系の光軸方向の直交面内の位置は、レ
ーザ干渉計システム等により高精度に計測されており、
この計測の結果に基づいてレチクルに形成されたパター
ンの感応基板上への転写にあたっての同期移動動作と、
ウエハを次のショット領域の露光のための走査開始位置
へステッピングさせる動作とを繰り返すことにより、ウ
エハ上の複数のショット領域にレチクルのパターンが順
次転写される。また、ウエハ上の露光領域の投影光学系
の光軸方向の位置及び投影光学系の光軸方向の直交面に
対する傾斜は、フォーカスセンサ等により高精度に計測
されており、この計測の結果に基づいてウエハ上の露光
領域の投影光学系の像面に対する合焦制御が行われてい
る。また、投影光学系については各種の収差に関し、総
合的な投影像の歪みが極小となるように結像制御が行わ
れている。そして、上記の同期移動制御及び合焦制御を
前提として、投影光学系の各種の収差に関し、総合的な
投影像の歪みが極小となるように結像特性の調整が行わ
れ、各ショット領域における同期移動方向に関する転写
されたパターンの線幅分布の均一性、すなわちレチクル
上の回路パターンを適切な形状かつ一様な線幅による転
写の確保が図られていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の走査型露光装置
では、上記のようにしてショット領域におけるパターン
の線幅分布の均一性の確保が図られていたが、同期移動
制御や合焦制御の精度には限界があり、こうした精度の
限界内で転写されたパターンの線幅分布の均一性の確保
が図られていた。すなわち、ショット領域における線幅
分布の不均一性の要因として、レチクルとウエハとの同
期移動誤差、ウエハに対する合焦制御（フォーカス制御
およびレべリング制御）誤差といった各種ステージ精度
が線幅分布の不均一性の要因として残存していた。ま
た、レチクルのパターンの描画誤差によっても、線幅分
布の不均一が発生していた。

【０００５】一方、近年における、特にマイクロ・プロ
セッサをはじめとするロジック系のデバイスにおける動
作の高速化の要請に伴い、安定した高速動作を確保する
ために不可欠な条件である回路パターンの線幅の均一性
への要求が高まっている。これは、回路パターンの線幅
均一性が半導体デバイス内の卜ランジスタ素子の動作速
度を決める重要なパラメータであるので、卜ランジスタ
素子の動作速度を揃えることにより半導体デバイスは動
作速度を均一に保つことが可能になり、ひいてはウエハ
上のデバイスをほぼ一定の動作速度で作成でき、デバイ
スの歩留まりを向上させることが可能になるからであ
る。そして、線幅均一性の要求精度は、上記の同期移動
制御や合焦制御等の精度の限界から決定される線幅の均
一性の精度を上回りつつある。

【０００６】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、感応基板上の被露光領域（各ショット
領域）で線幅分布の均一性を高精度に確保することがで
きる走査露光方法及び走査型露光装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の走査露光
方法は、露光ビームをマスク（Ｒ）に照射するととも
に、該マスク（Ｒ）と感応基板（Ｗ）とを同期移動しつ
つ、前記マスク（Ｒ）に形成されたパターンを投影光学
系（ＰＬ）を介して前記感応基板（Ｗ）上に転写する走
査露光方法において、前記感応基板（Ｗ）の露光に際
し、前記感応基板（Ｗ）におけるパターン線幅の転写誤
差の分布に応じて、前記感応基板（Ｗ）への投影像の歪
みを調整することを特徴とする。

【０００８】また、本発明の第２の走査露光方法は、露
光ビームをマスク（Ｒ）に照射するとともに、該マスク
（Ｒ）と感応基板（Ｗ）とを同期移動しつつ、前記マス
ク（Ｒ）に形成されたパターンを投影光学系（ＰＬ）を
介して前記感応基板（Ｗ）上に転写する走査露光方法に
おいて、前記感応基板（Ｗ）の露光に際し、前記感応基
板（Ｗ）におけるパターン線幅の転写誤差の情報に基づ
いて、前記感応基板（Ｗ）への投影像の歪みを調整する
ことを特徴とする。

【０００９】なお、上記の本発明の第１及び第２の走査
露光方法における転写誤差には、露光光の単純な光量制
御では補正が困難な、同期移動の方向と直交する方向に
関する誤差が含まれ、また、マスクと感応基板との同期
移動中に生じる同期移動制御誤差によるものが含まれ
る。

【００１０】本発明の第１及び第２の走査露光方法によ
れば、感応基板上に転写されるパターンの線幅が感応基
板への投影像の歪みによって変化することを利用し、感
応基板に転写されたパターンにおいて生じるパターン線
幅の転写誤差を、感応基板への投影像の歪みを調整する
ことにより抑制する。したがって、感応基板に転写され
たパターンの線幅分布の均一性を高精度で確保すること
ができる。

【００１１】なお、本発明の第１の走査露光方法では、
パターン線幅の転写誤差の分布を測定用露光によって、
デバイス製造用の露光に先立って求めることが可能であ
る。

【００１２】また、本発明の第１及び第２の走査露光装
置では、感応基板への投影像の歪みの調整に、投影光学
系の結像特性の調整を含むことができる。この場合、該
投影光学系の結像特性には、対称ディストーションと倍
率との組み合わせを含むことができる。また、本発明の
第１及び第２の走査露光装置では、区画領域内における
線幅分布の均一性が同期移動方向について変化する場合
には、移動感応基板への投影像の歪みの調整を、マスク
及び感応基板の同期移動中の位置に応じて行うことがで
きる。

【００１３】本発明の走査露光装置は、マスク（Ｒ）と
感応基板（Ｗ）とを同期移動しつつ、前記マスク（Ｒ）
に形成されたパターンを前記感応基板（Ｗ）上の少なく
とも１つの区画領域に転写する走査型露光装置であっ
て、前記感応基板（Ｗ）上におけるパターン線幅の転写
誤差に応じたデータを記憶した記憶装置（２９）と；前
記データに基づき、前記感応基板（Ｗ）への投影像の歪
みを調整する制御系（１９、２０、６８）とを備える。

【００１４】これによれば、感応基板へのパターン転写
の際に、制御系が、記憶装置に記憶された感応基板上の
各区画領域内におけるパターン線幅の転写誤差に応じた
データに基づいて、感応基板への投影像の歪みを調整す
る。したがって、本発明の走査露光方法を使用して、マ
スクに形成されたパターンを感応基板上の区画領域に転
写できるので、線幅分布の均一性を確保した高精度のパ
ターン転写を行うことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る露光装置及び
露光方法の一実施形態を図１〜図１０に基づいて説明す
る。

【００１６】図１には、一実施形態に係る走査型露光装
置１００の概略的な構成が示されている。この走査型露
光装置１００は、照明系１０、マスクとしてのレチクル
Ｒを保持するマスクステージとしてのレチクルステージ
ＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、感応基板としてのウエハＷを
保持してＸＹ平面内でＸＹ２次元方向に移動するウエハ
ステージＷＳＴ、及びこれらを制御する制御系等を備え
ている。

【００１７】前記照明系１０は、光源、フライアイレン
ズ等からなる照度均一化光学系、リレーレンズ、可変Ｎ
Ｄフィルタ、レチクルブラインド、及びダイクロイック
ミラー等（いずれも不図示）を含んで構成されている。
こうした照明系の構成は、例えば、特開平１０−１１２
４３３号公報に開示されている。この照明系１０では、
回路パターン等が描かれたレチクルＲ上のレチクルブラ
インドで規定されたスリット状の照明領域部分ＩＡＲ
（図２参照）を照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明
する。

【００１８】前記レチクルステージＲＳＴ上にはレチク
ルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチク
ルステージＲＳＴは、ここでは、磁気浮上型の２次元リ
ニアアクチュエータから成る不図示のレチクルステージ
駆動部によって、レチクルＲの位置決めのため、照明光
学系の光軸ＩＸ（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに
一致）に垂直なＸＹ平面内で微少駆動可能であるととも
に、所定の走査方向（ここではＹ方向とする）に指定さ
れた走査速度で駆動可能となっている。さらに、本実施
形態では上記磁気浮上型の２次元リニアアクチュエータ
はＸ駆動用コイル、Ｙ駆動用コイルの他にＺ駆動用コイ
ルを含んでいるため、Ｚ方向にも微小駆動可能となって
いる。

【００１９】レチクルステージＲＳＴのステージ移動面
内の位置はレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干
渉計」という）１６によって、移動鏡１５を介して、例
えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レ
チクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置
情報はステージ制御系１９に送られ、ステージ制御系１
９はレチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいてレチ
クルステージ駆動部（図示省略）を介してレチクルステ
ージＲＳＴを駆動する。

【００２０】前記投影光学系ＰＬは、レチクルステージ
ＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸ
（照明光学系の光軸ＩＸに一致）の方向がＺ軸方向とさ
れ、ここでは両側テレセントリックな光学配置となるよ
うに光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複数枚
のレンズエレメント６０ａ、６０ｂ、……から成る屈折
光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬは所定の
投影倍率、例えば１／５（あるいは１／４）を有する縮
小光学系である。このため、照明系１０からの照明光Ｉ
ＬによってレチクルＲの照明領域ＩＡＲが照明される
と、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影
光学系ＰＬを介してその照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲ
の回路パターンの縮小像（部分倒立像）が表面にフォト
レジストが塗布されたウエハＷ上に形成される。

【００２１】前記レンズエレメントのうち、レチクルス
テージＲＳＴに最も近い一番上のレンズエレメント６０
ａは、リング状の支持部材６２により保持され、この支
持部材６２は、伸縮可能な駆動素子、例えばピエゾ素子
６４ａ，６４ｂ，６４ｃ（紙面奥側の駆動素子６４ｃは
図示せず）によって、３点支持されるとともに鏡筒部６
６と連結されている。上記の駆動素子６４ａ，６４ｂ，
６４ｃによって、レンズエレメント６０ａの周辺３点を
独立に、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向に移動させるこ
とができるようになっている。すなわち、レンズエレメ
ント６０ａを駆動素子６４ａ，６４ｂ，６４ｃの変位量
に応じて光軸ＡＸに沿って平行移動させることができる
とともに、光軸ＡＸと垂直な平面に対して任意に傾斜さ
せることもできる。そして、これらの駆動素子６４ａ，
６４ｂ，６４ｃに与えられる電圧が、主制御装置２０か
らの指令に基づいて結像特性補正コントローラ６８によ
って制御され、これによって駆動素子６４ａ，６４ｂ，
６４ｃの変位量が制御されるようになっている。なお、
図１中、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは鏡筒部６６に固定
されているレンズエレメント６０ｂその他のレンズエレ
メント（図示省略）の光軸に一致している。

【００２２】また、本実施形態においては、投影光学系
ＰＬの光軸方向中央部近傍の特定のレンズエレメント相
互間には密封室６９が形成されており、この密封室６９
の内圧が不図示の圧力調整機構（例えばべローズポンプ
等）によって調整されるようになっている。この圧力調
整機構も主制御装置２０からの指令に基づいて結像特性
補正コントローラ６８によって制御され、これによって
密封室６９の内圧が調整されるようになっている。

【００２３】ここで、レンズエレメント６０ａの光軸Ａ
Ｘ方向の移動や傾斜により投影光学系ＰＬの倍率を変更
させたり、ディストーションや投影光学系ＰＬの結像面
を変更したりできる。また、投影光学系ＰＬ内部の密封
室６９の内圧を変化させることにより倍率や投影光学系
ＰＬの結像面を変更できる。

【００２４】前記ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハ
ホルダ２５が載置され、このウエハホルダ２５によって
感応基板としてのウエハＷが真空吸着によって保持され
ている。このウエハステージＷＳＴは、搭載されたウエ
ハＷをＸ、Ｙ及びＺの各方向に移動させる。

【００２５】また、ウエハステージＷＳＴ上にはウエハ
レーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１か
らのレーザビームを反射する移動鏡２７が固定され、外
部に配置されたウエハ干渉計３１により、ウエハＷのＸ
Ｙ面内での位置が例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で
常時検出されている。ここで、ウエハＷの位置情報（又
は速度情報）はステージ制御系１９及びこれを介して主
制御装置２０に送られ、ステージ制御系１９では主制御
装置２０からの指示に応じて前記位置情報（又は速度情
報）に基づいてウエハ駆動装置２１（これは、Ｘ方向、
Ｙ方向、及びＺ方向の各方向に関する駆動系の全てを含
む）を介してウエハステージＷＳＴをＸＹ平面内で駆動
制御する。

【００２６】また、ウエハステージＷＳＴ上には、不図
示のオフアクシス方式のアライメント検出系の検出中心
から投影光学系ＰＬの光軸までの距離を計測するベース
ライン計測等のための各種基準マークが形成された基準
マーク板ＦＭが固定されている。

【００２７】更に、図１の装置には、ウエハＷ表面の前
記露光領域ＩＡ内部分及びその近傍の領域のＺ方向（光
軸ＡＸ方向）の位置を検出するための斜入射光式のフォ
ーカス検出系（焦点検出系）の一つである多点フォーカ
ス位置検出系が設けられている。この多点フォーカス位
置検出系は、図１に示されるように、照射光学系５１と
受光光学系５２とから構成されている。この多点フォー
カス位置検出系の詳細な構成等については、例えば特開
平６−２８３４０３号公報に開示されている。

【００２８】以上のように構成された本実施形態の露光
装置１００では、図２に示されるように、レチクルＲの
走査方向（Ｙ軸方向）に対して垂直な方向に長手方向を
有する長方形（スリット状）の照明領域ＩＡＲでレチク
ルＲが照明され、レチクルＲは露光時に−Ｙ方向に速度
Ｖ_Rで走査（スキャン）される。照明領域ＩＡＲ（中心
は光軸ＡＸとほぼ一致）は投影光学系ＰＬを介してウエ
ハＷ上に投影され、照明領域ＩＡＲに共役なスリット状
の投影領域、すなわち露光領域ＩＡが形成される。ウエ
ハＷはレチクルＲとは倒立結像関係にあるため、ウエハ
Ｗは速度Ｖ_Rの方向とは反対方向（＋Ｙ方向）にレチク
ルＲに同期して速度Ｖ_Wで走査され、ウエハＷ上のショ
ット領域ＳＡの全面が露光可能となっている。走査速度
の比Ｖ_W／Ｖ_Rは正確に投影光学系ＰＬの縮小倍率に応じ
たものになっており、レチクルＲのパターン領域ＰＡの
パターンがウエハＷ上のショット領域ＳＡ上に正確に縮
小転写される。照明領域ＩＡＲの長手方向の幅は、固定
ブラインドによって、レチクルＲ上のパターン領域ＰＡ
よりも広く、遮光領域ＳＴの最大幅よりも狭くなるよう
に設定され、レチクルＲを走査（スキャン）することに
よりパターン領域ＰＡ全面が照明されるようになってい
る。

【００２９】次に、本実施形態の走査型露光装置１００
による転写線幅分布の均一化の動作を、図３〜図１０を
参照して説明する。

【００３０】まず、デバイス製造用の露光（以下、「実
露光」という）に先立って、実露光におけるレチクルＲ
の種類、レジスト剤の種類、ウエハＷ上におけるショッ
ト領域割付、同期移動方向等のプロセス条件について、
実露光の際の各ショット領域における投影像の歪みを決
定する。この決定にあたっては、まず、図３のステップ
１１１において、転写線幅分布測定のための測定用レチ
クルＲ_T（以下、単に「レチクルＲ_T」という）を用い、
積算露光量を一定値制御することを除いて実露光と同一
の条件で、Ｍ枚の測定用ウエハＷ_T（以下、単に「ウエ
ハＷ_T」という）上の各ショット領域にレチクルＲ_Tに形
成された線幅測定用パターンを転写する。ここで、転写
が行われるウエハＷ_Tの枚数Ｍは、後述する処理におい
て統計学上充分と見なせるだけの数を用意する。また、
線幅測定用パターンは、レチクルＲ_Tのパターン領域を
非同期移動方向（Ｘ軸方向）を行方向とし、同期移動方
向（Ｙ軸方向）を列方向として、マトリクス状に仮想的
に分割された部分領域のそれぞれに形成された、所定線
幅の１つ以上の線パターン、例えば、Ｘ軸方向に延びた
複数の直線パターン（以下、「Ｈ線パターン」とい
う）、Ｙ軸方向に延びた複数の直線パターン（以下、
「Ｖ線パターン」という）、又はＨ線パターンとＶ線パ
ターンとの組み合わせからなる。そして、レチクルＲ_T
上の各部分領域が、ウエハＷ_T上の各ショット領域内の
部分領域に転写される。

【００３１】ここで、ウエハＷ_Tに転写されるパターン
の線幅分布は、一般的に、同期移動方向が＋Ｙ方向であ
るか−Ｙ方向であるかによって僅かではあるが異なる。
そこで、非常に精度良く線幅制御を行う場合には、双方
の同期移動方向についてそれぞれＭ枚のウエハに転写を
行う。

【００３２】なお、Ｈ線パターン及びＶ線パターンの所
定線幅は、実露光において線幅精度の良い転写が行われ
るべき線幅、すなわち線幅の制御対象として特に線幅均
一性を高めたい線幅に応じて設定される。

【００３３】また、Ｈ線パターンとＶ線パターンとで
は、一般的にウエハＷ_Tに転写される線幅分布が異なる
が、Ｈ線パターンとＶ線パターンとのいずれかのパター
ンについて特に線幅均一性を高めたいときには、着目す
るパターンのみをレチクルＲ_Tに形成すればよい。一
方、Ｈ線パターンとＶ線パターンとの双方のパターンに
ついて線幅均一性を高めたいときには、双方のパターン
をレチクルＲ_Tに形成すればよい。以下、Ｈ線パターン
の転写線幅の均一化を中心に説明する。

【００３４】上記の測定用パターンＲ_Tの転写におい
て、図４（Ａ）に示されるように、レチクルＲ_Tに固定
されたレチクル座標系（Ｘ_R，Ｙ_R，Ｚ_R）において、Ｈ
線パターンの線幅方向すなわちＹ方向に関して位置Ｙ_RA
に形成されたＨ線パターンＨＰ_Rは、ウエハＷ_Tに固定さ
れたウエハ座標系（Ｘ_W，Ｙ_W，Ｚ_W）における位置Ｙ_WA1
に転写される。このとき、レチクルＲ_Tの照明領域ＩＡ
Ｒ内にＨ線パターンＨＰ_Rがあると、レチクルＲ_Tを透過
した時点で、図４（Ｂ）に示されるような＋Ｙ_R方向に
ついて強度Ｉ_Rの分布を有する照明光ＩＬが、ウエハＷ_T
への到達時点において、図４（Ｃ）に示されるようなＹ
_W方向について強度Ｉ_Wの分布を有する照明光ＩＬとな
り、ウエハＷ_Tに到達した照明光ＩＬによってウエハＷ_T
の表面に塗布されたレジスト剤が露光される。なお、ウ
エハＷ_TにおけるＨ線パターンＨＰ_Wに関する露光は、レ
チクルＲ_T上のＨ線パターンＨＰ_Rが照明領域ＩＡＲ内に
ある間（以後、この期間の始期を時刻ｔ₀とし、終期を
時刻ｔ₂とする）にわたって行われる。

【００３５】ところで、本実施形態の露光装置１００で
は、レチクル上のパターンの転写に際して、前述のよう
にレチクルＲ_TとウエハＷ_Tとが互いに逆向きにＹ軸方向
に同期移動する。かかる同期移動にあたっては、ステー
ジ制御系１９の制御の下で、レチクルスレージＲＳＴが
レチクル駆動装置により、また、ウエハステージＷＳＴ
がウエハ駆動装置２１によってそれぞれ駆動される。し
かしながら、元々存在する制御誤差や同期移動に伴う装
置の変形等によって同期移動に誤差が生じる。

【００３６】この同期移動に伴う誤差をウエハＷ_Tを例
として説明する。同期移動によって、図５に示されるよ
うな、Ｘ_W軸方向、Ｙ_W軸方向、及びＺ軸方向に関する並
進振動、並びにＸ_W軸回り方向（θ_X方向）、Ｙ_W軸回り
方向（θ_Y方向）、及びＺ軸回り方向（θ_Z方向）に関す
る回転振動が発生する。かかる並進振動及び回転振動に
よって、ウエハＷ_Tに投影されたＨ線パターン像ＨＰ_W上
の投影点Ｐ_A1（Ｘ_WA1，Ｙ_WA1，Ｚ_WA1）は、Ｘ_W軸方向、
Ｙ_W軸方向、及びＺ_W軸方向に振動することになる。ここ
で、Ｘ_W軸方向の振動は、ウエハＷ_Tに転写されたＨ線パ
ターンの線幅を変化させないが、Ｖ線パターンの線幅を
変化させる。また、Ｙ_W軸方向の振動は、ウエハＷ_Tに転
写されたＶ線パターンの線幅を変化させないが、Ｈ線パ
ターンの線幅を変化させる。また、Ｚ_W軸方向の振動
は、後述するようにウエハＷ_Tに転写されたＨ線パター
ン及びＶ線パターンの線幅を変化させる。

【００３７】ここで、ウエハＷ_Tに転写されたＨ線パタ
ーンの線幅の変化について説明する。

【００３８】まず、Ｙ_W軸方向の振動による転写線幅の
変化について説明する。Ｙ_W軸方向の振動が無い場合に
は、前述の時刻ｔ₀から時刻ｔ₂の間、投影点Ｐ_A1のＹ_W
方向位置Ｙ_WA1は正確に設計上の投影点Ｐ_A0のＹ_W方向位
置Ｙ_WA0に一致し続け、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示さ
れる露光光量Ｉ_WのＹ_W軸方向に関する分布の露光光によ
って露光がなされる。なお、図６（Ｂ）には、時刻ｔ₀
と時刻ｔ₂との中間の時刻ｔ₁における露光光量Ｉ_WのＹ_W
軸方向に関する分布が示されている。この結果、Ｙ方向
位置Ｙ_WA0を含むその近傍の積算露光量Ｉ_TのＹ_W方向位
置に関する分布は露光光量Ｉ_Wの時間積分値となり、図
６（Ｄ）に示されるようにシャープなものとなる。

【００３９】また、Ｙ_W軸方向の振動の周期が時間（ｔ₂
−ｔ₀）と比べて十分に長い場合には、前述の時刻ｔ₀か
ら時刻ｔ₂の間、投影点Ｐ_A1のＹ_W方向位置Ｙ_WA1は位置
Ｙ_WA ₀とは異なるが、一定のＹ_W方向位置（Ｙ_WA0＋Δ
Ｙ）となり、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示される露光光
量Ｉ_WのＹ_W軸方向に関する分布の露光光によって露光が
なされる。この結果、Ｙ_W方向位置Ｙ_WA1を含むその近傍
の積算露光量Ｉ_TのＹ_W方向位置に関する分布は、図７
（Ｄ）に示されるように、図６（Ｄ）の場合と同様にシ
ャープなものとなる。すなわち、投影像のコントラスト
は一致する。したがって、設計値と比べてウエハＷ_T上
におけるＨ線パターンの形成位置は異なるが、設計値と
同様の転写線幅のＨ線パターンが形成される。

【００４０】また、Ｙ_W軸方向の振動の周期が時間（ｔ₂
−ｔ₀）と比べて同程度の場合には、前述の時刻ｔ₀から
時刻ｔ₂の間、投影点Ｐ_A1のＹ_W方向位置Ｙ_WA1は変化
し、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示される露光光量Ｉ_Wの
Ｙ_W軸方向に関する分布の露光光によって露光がなされ
る。この結果、Ｙ_W方向位置Ｙ_WA1を含むその近傍の積算
露光量Ｉ_TのＹ_W方向位置に関する分布は、図８（Ｄ）に
示されるように、図６（Ｄ）の場合と比べて、Ｙ_W軸方
向に広がったものとなる。すなわち、投影像のコントラ
ストが低下する。したがって、設計値と比べてウエハＷ
_T上におけるＨ線パターンの形成位置は同様となるが転
写線幅が広がったＨ線パターンが形成される。

【００４１】ところで、各投影点のウエハＷ_TのＹ_W軸方
向の振動には、同期移動によって生じたＹ_W軸方向の並
進振動とＺ_W軸回りの回転振動とが主に寄与する。ここ
で、Ｙ _W軸方向の並進振動は、Ｘ_W方向位置に沿った方向
の各投影点に同様のＹ_W軸方向の振動を付与するので、
Ｘ_W方向に関する転写線幅の不均一を発生させることは
ないが、振動の大きさが時間的に変化すると、Ｙ_W方向
に関する転写線幅の不均一を発生させる。

【００４２】また、Ｚ_W軸回りの回転振動に伴うＹ_W軸方
向の振動は、振幅が回転中心からのＸ_W方向距離によっ
て異なるので、投影点のＸ_W方向位置が異なれば積算露
光量Ｉ _Tの分布が異なる。したがって、Ｘ_W方向に関する
転写線幅の不均一を発生させる。さらに、振動の大きさ
が時間的に変化すると、Ｙ_W方向に関する転写線幅の不
均一を発生させる。

【００４３】なお、Ｖ線パターンの転写線幅も、上記の
Ｈ線パターンと同様に、Ｘ_W軸方向の並進振動とＺ_W軸回
りの回転振動の影響を受ける。

【００４４】次に、Ｚ_W軸方向の振動による転写線幅の
変化について説明する。同期移動に伴いＺ_W軸方向の振
動が生じた場合には、ウエハＷ_T上の投影点がＺ軸方向
に移動し、これに応じて合焦制御がなされるが、Ｚ方向
に関する合焦制御が間に合わない合焦制御の誤差分だ
け、Ｚ方向に関する変位が発生する。そして、変位量に
応じたデフォーカスが生じ、投影点における積算露光量
の分布が広がったものとなる。この結果、設計値の転写
線幅よりも広い線幅のパターンがウエハＷ_T上に形成さ
れる。

【００４５】ところで、各投影点のウエハＷ_TのＺ_W軸方
向の振動には、同期移動によって生じたＺ_W軸方向の並
進振動とＸ_W軸回り及びＹ_W軸回りの回転振動とが主に寄
与する。ここで、Ｚ_W軸方向の並進振動は、ウエハＷ_T上
の各投影点に同様のＺ_W軸方向の振動を付与するので、
Ｘ_W方向に関する転写線幅の不均一を発生させることは
ないが、振動の大きさが時間的に変化すると、Ｙ_W方向
に関する転写線幅の不均一を発生させる。

【００４６】また、Ｘ_W軸回りの回転振動に伴うＺ_W軸方
向の振動は、Ｘ_W方向に沿った各投影点に同様のＹ_W軸方
向の振動を付与するので、Ｘ_W方向に関する転写線幅の
不均一を発生させることはないが、振動の大きさが時間
的に変化すると、Ｙ_W方向に関する転写線幅の不均一を
発生させる。

【００４７】また、Ｙ_W軸回りの回転振動に伴うＺ_W軸方
向の振動は、振幅が回転中心からのＸ_W方向距離によっ
て異なるので、投影点のＸ_W方向位置が異なれば積算露
光量Ｉ _Tの分布が異なる。したがって、Ｘ_W方向に関する
転写線幅の不均一を発生させる。さらに、振動の大きさ
が時間的に変化すると、Ｙ_W方向に関する転写線幅の不
均一を発生させる。

【００４８】以上、同期移動に伴うウエハステージＷＳ
Ｔに発生する振動による転写線幅分布の不均一の発生に
ついて説明したが、レチクステージＲＳＴが同期移動に
伴って振動した場合も、上記のウエハステージＷＳＴの
振動の場合と同様にして転写線幅分布が不均一となる。

【００４９】さらに、ウエハステージＷＳＴ及びレチク
ルステージＲＳＴに振動が発生しなくとも、レチクルＲ
_Tのパターンに描画誤差があれば、結果としてウエハＷ_T
に転写されたパターンにおいて転写線幅の不均一が発生
する。

【００５０】したがって、図３のステップ１１１におい
ては、上述のような各種の転写線幅不均一性の要因が実
露光と同様に含まれた状態で、レチクルＲ_Tに形成され
たパターンがウエハＷ_Tに転写される。

【００５１】次に、ステップ１１３において、露光が完
了したＭ枚のウエハを現像する。

【００５２】次いで、ステップ１１５において、現像後
のＭ枚のウエハ上に転写された各Ｈ線パターンの線幅を
測定する。かかる転写線幅の測定は、電子顕微鏡によっ
て行うこともできるし、また、電気配線を行うことがで
きる場合は電気抵抗値測定によって線幅計測を行うこと
もできる。

【００５３】そして、各ウエハＷ_Tの各ショット領域Ｓ
Ａ内の部分領域における線幅値から各ショット領域ＳＡ
内の線幅分布を求める。例えば、各ショット領域ＳＡ内
の部分領域毎に、転写されたＨ線パターン測定線幅に基
づいて、Ｈ線パターンの線幅値を統計処理（例えば、平
均演算等）して求め、その結果を各部分領域における、
転写されたＨ線パターンの線幅とし、各ショット領域Ｓ
Ａ内の線幅分布を求める。

【００５４】引き続き、Ｍ枚のウエハＷ_Tについて、同
一のショット領域ＳＡにおける線幅分布を統計処理（例
えば、平均演算等）して、転写されたＨ線パターンに関
する平均的な線幅分布（以後、「平均Ｈ線幅分布」とい
う）を各ショット領域ＳＡ毎に求める。

【００５５】次に、ステップ１１７において、各ショッ
ト領域ＳＡの平均Ｈ線幅分布に基づいて、実露光時に際
して付与すべき投影像の歪みを算出する。ここで、実露
光時に際して、線幅分布を均一化するために付与すべき
ディストーションの算出方法の一例を図９及び図１０を
参照して説明する。この例では、上記のステップ１１５
で求められた平均Ｈ線幅分布が、図９（Ａ）に示される
ような、ショット領域ＳＡの中央部の線幅が細く、周辺
部の線幅が太くなるものであるとしている。なお、図１
０において破線で示した格子は、レチクルＲ_T上に仮想
的に形成された理想格子がウエハ上に投影された様子を
示している。

【００５６】ここで、図９（Ａ）に示された形状のＨ線
パターンが、図９（Ｂ）に示されるような線幅が均一化
された形状のＨ線パターンに補正されるディストーショ
ンの算出の説明に先立って、投影光学系ＰＬを制御し
て、投影倍率及び投影像のディストーションを変化させ
たときの線幅の変化について説明する。

【００５７】投影倍率が設計値であり、収差を持たない
理想的な投影光学系によりウエハＷ _T表面上に投影像が
結像される場合を考えると、図１０（Ａ）に示されるよ
うに、露光領域ＩＡ内において、理想格子がそのままの
形で投影される。この場合におけるウエハＷ_Tにおける
理想格子上の２点、すなわち設計上の投影点として、図
１０（Ａ）における点Ｐ_A0及び点Ｐ_B0を考える。なお、
図１０（Ａ）においては、露光領域ＩＡ中心から点Ｐ_A0
までのＸ_W軸方向の距離は、露光領域ＩＡ中心から点Ｐ
_B0までのＸ_W軸方向の距離よりも長く、かつ、点Ｐ_A0及
び点Ｐ_B0のＹ_W方向位置が同一となるように、点Ｐ_A0及
び点Ｐ_B0を選択している。以下、設計上の投影点Ｐ_A0、
Ｐ_B0と実際の投影点Ｐ_A1、Ｐ_B1との位置関係に注目して
説明する。

【００５８】このときには、実際の投影点Ｐ_A1、Ｐ_B1と
点Ｐ_A0、Ｐ_B0とは、同期移動により、ウエハＷに対して
露光領域ＩＡが移動しても、点Ｐ_A1、Ｐ_B1と点Ｐ_A0、Ｐ
_B0ととが一致するとことについては変化がなく、投影光
学系ＰＬによる線幅分布の不均一性は発生せず、上述の
図９（Ａ）に示されたパターン形状と同一の形状のパタ
ーンが転写される。

【００５９】次に、投影光学系ＰＬに倍率誤差のみがあ
る場合を考える。この場合には、図１０（Ｂ）に示され
るように、点Ｐ_A0と点Ｐ_A1とは一致せず、また、点Ｐ_B0
と点Ｐ_B1とは一致しなくなる。ここで、同期移動による
ウエハＷに対する露光領域ＩＡの移動を考えると、非同
期移動方向（Ｘ_W軸方向）に関しては点Ｐ_A0と点Ｐ_A1と
の位置関係、及び点Ｐ_B0と点Ｐ_B1との位置関係が変化し
ない。これは、前述の図７の例と同様である。一方、同
期移動方向（Ｙ_W軸方向）に関しては、点Ｐ_A0と点Ｐ_A1
との位置関係及び点Ｐ_B0と点Ｐ_B1との位置関係が、同期
移動に従って刻々と変化していくことになる。この変化
は、前述の図８の例と同様である。したがって、図１０
（Ｂ）の場合には、Ｙ_W軸方向に関して線幅変化をもた
らすことになる。この結果、上述の図９（Ａ）に示され
たパターン形状からＹ_W軸方向について一定値だけ線幅
が増加したパターンが転写される。

【００６０】次いで、対称ディストーションの一種であ
る低次の糸巻き型のディス卜ーションを発生させた場合
を考える。この場合には、図１０（Ｃ）に示されるよう
に、図１０（Ｂ）の場合と同様に、点Ｐ_A0と点Ｐ_A1とは
一致せず、また、点Ｐ_B0と点Ｐ_B1とは一致しなくなる。
しかし、露光領域ＩＡの中心部により近い点Ｐ_B1では、
ディストーションの影響は小さく、点Ｐ_B0と点Ｐ_B1とは
ほぼ一致する。一方、露光領域ＩＡの中心部からより遠
い点Ｐ_A1では、ディストーションの影響は大きく、Ｙ_W
軸方向に関して点Ｐ_A0と点Ｐ_A1とは大きく離れる。この
結果、同期移動によるウエハＷに対する露光領域ＩＡの
移動によって、点Ｐ_A1への投影による積算露光量の分布
は、点Ｐ_B1への投影による積算露光量の分布よりもＹ_W
軸方向に広がったものとなる。このため、Ｘ_W軸方向に
関して、中央部で線幅が細くなり、周辺部で線幅が太く
なる。したがって、上述の図９（Ａ）に示されたパター
ン形状よりも、中央部の線幅と周辺部の線幅とが大きく
異なる形状のパターンが転写される。

【００６１】次に、図１０（Ｃ）における対称ディスト
ーションに加えて、投影倍率の縮小を発生させた場合を
考える。この場合には、図１０（Ｄ）に示されるよう
に、図１０（Ｂ）や図１０（Ｃ）の場合と同様に、点Ｐ
_A0と点Ｐ_A1とは一致せず、また、点Ｐ_B0と点Ｐ_B1とは一
致しなくなる。しかし、Ｙ_W軸方向に関する点Ｐ_A0と点
Ｐ_A1との差異は、点Ｐ_B0と点Ｐ_B1との差異よりも小さく
なる。この結果、同期移動によるウエハＷに対する露光
領域ＩＡの移動によって、点Ｐ_A1への投影による積算露
光量の分布は、点Ｐ_B1への投影による積算露光量の分布
よりもＹ_W軸方向に狭まったものとなる。このため、Ｘ_W
軸方向に関して、中央部で線幅が太くなり、周辺部で線
幅が細くなる。したがって、図９（Ｂ）に示されるよう
な、線幅が均一化された形状のパターンがが転写され
る。すなわち、図９（Ａ）の形状のパターンは、図１０
（Ｄ）に示されるようなディストーションを投影像に付
与することにより、線幅が均一化される。

【００６２】以上の例では、図９（Ａ）の形状のＨ線パ
ターンの非同期移動方向に関する線幅均一化を説明した
が、他の形状のＨ線パターン、さらにはＶ線パターンの
非同期移動についても、投影倍率及び対称ディストーシ
ョンの少なくとも一方を発生することにより、非同期移
動方向に関する線幅均一化を図ることができる。

【００６３】そこで、図３のステップ１１７において
は、ステップ１１５における各ショット領域に関する線
幅分布の測定結果に基づき、上述のように非同期移動方
向に関する線幅均一化を図ることができる投影倍率及び
対称ディストーションの少なくとも一方を、各ショット
領域における同期移動方向の各位置について算出する。
なお、同期移動方向の各位置について非同期移動方向に
関する線幅均一化を図ることができる投影倍率及び対称
ディストーション量の少なくとも一方を算出する場合に
は、同期移動方向に関する線幅分布を均一化させるもの
とする。

【００６４】次いで、算出された投影倍率及び対称ディ
ストーション量が、ステップ１１９において、実露光に
おいて付与されるべき投影像の歪みに関する制御データ
として、記憶装置２９に格納される。

【００６５】以上では、Ｈ線パターンに関して線幅を均
一化するための投影像の歪みを求めたが、Ｖ線パターン
に関して線幅を均一化するための投影像の歪みも同様に
して求めることができる。さらに、Ｈ線パターン及びＶ
線パターンの双方の線幅を適度に均一化する場合には、
Ｈ線パターンの線幅分布とＶ線パターンの線幅分布と個
別に求めて、所望の重み付けをして平均し、その結果か
ら上述のショット領域内における線幅分布を求めること
にすればよい。また、同期移動方向に応じて異なる投影
像の歪みの調整を行う場合には、各同期移動方向につい
て、上述と同様にして、各ショット領域における投影倍
率及び対称ディストーション量の少なくとも一方を求め
ることにすればよい。

【００６６】こうして、投影像の歪み制御データの決定
が終了すると、ステップ１２１において、実露光が実行
される。かかる実露光にあたっては、まず、不図示のウ
エハローダによって、露光対象となるウエハＷがウエハ
ホルダ２５にロードされる。これと同時に、不図示のレ
チクルローダによって、デバイス製造用のパターンが形
成されたレチクルＲがレチクルステージＲＳＴ上にロー
ドされる。そして、主制御装置２０が、記憶装置２９に
記憶された投影像の歪み制御データに基づき、結像特性
補正コントローラ６８を介して、駆動素子６４及び密封
室６９の内圧を制御して、投影光学系ＰＬによるウエハ
Ｗへの像の歪みを調整する。そして、ステージ制御系１
９が、ウエハ干渉計３１及びレチクル干渉計１６から供
給された位置情報（速度情報）に基づいて、ウエハ駆動
装置２１及びレチクル駆動装置を介して、ウエハＷとレ
チクルＲとを同期移動させ、レチクルＲに形成されたパ
ターンをウエハＷ上の各ショット領域上に転写する。こ
こで、同期移動中におけるウエハＷへの像の歪みの調整
は、密封室６９の内圧の制御によって行われる。

【００６７】なお、ウエハＷへの投影像の歪みの内、同
期移動方向に関する投影倍率の制御は、レチクルＲの同
期移動速度Ｖ_RとウエハＷの同期移動速度Ｖ_Wとの比を変
化させることによっても調整することができるので、主
制御装置２０が、ステージ制御系１９を介して、速度Ｖ
_R及び速度Ｖ_Wの少なくとも一方を変化させて、同期移動
方向に関する投影倍率の制御を行ってもよい。また、ウ
エハＷの同期移動中において、ウエハステージＷＳＴに
関し、Ｙ軸方向への駆動に加えてＸ軸方向への駆動を行
うことにより、ウエハＷにとって投影像の歪みを発生さ
せることにしてもよい。さらに、投影光学系ＰＬの結像
特性の制御、速度Ｖ_R及び速度Ｖ_Wの少なくとも一方の変
化、及び同期移動中におけるウエハステージＷＳＴのＸ
軸方向駆動の任意の組み合わせによって、ウエハＷへの
投影像の歪みを調整することも可能である。なお、速度
Ｖ_R及び速度Ｖ_Wの少なくとも一方を変化させる場合に
は、ショット領域内において露光位置の積算露光量が均
一となるように、照明系１０からの照射光光量を調整す
る。

【００６８】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ウエハＷへのパターン転写の際に、同期移動制御誤
差等によって発生するパターン線幅の転写誤差に応じ
て、この誤差を相殺するように各ショット領域内におけ
る投影像の歪みを調整するので、線幅均一性を高めたパ
ターン転写を行うことができる。

【００６９】なお、上記の実施形態では、パターン線幅
の転写誤差の要因となる、レチクルＲに形成されたパタ
ーンの描画誤差、投影光学系ＰＬの像面とウエハＷ上の
露光領域との合焦制御誤差、及びレチクルＲとウエハＷ
との同期移動制御誤差等の要因の全てが総合されて生じ
るパターン線幅の転写誤差を測定用の露光を行って求
め、その測定結果に基づいて、ウエハＷへの投影像の歪
みを調整している。これに対して、上記の各要因のパタ
ーン線幅の転写誤差に対する寄与の特性が既知である場
合には、各要因の特性に基づいてパターン線幅の転写誤
差を算出し、その算出結果に基づいて、ウエハＷへの投
影像の歪みを制御することも可能である。

【００７０】また、上記の実施形態では、ショット領域
毎に投影像の歪み制御データを個別に管理したが、パタ
ーン線幅の転写誤差にショット領域間で共通性がある場
合には、共通性のあるショット領域のグループ毎に投影
像の歪み制御データを管理することができる。かかる場
合には、管理するデータ量を低減することができる。例
えば、パターン線幅の転写誤差が、主にレチクルＲに形
成されたパターンの描画誤差といった、使用する走査型
露光装置自体に由来せず走査型露光装置間で機差が無
く、ショット領域の位置による差異の無いものでであれ
ば、パターン線幅の転写誤差は、全てのショット領域間
で共通性があることになる。この場合には、１つの投影
像の歪み制御データを管理すればよい。また、パターン
線幅の転写誤差が、主にウエハＷの径方向で発生するウ
エハＷ上のレジスト膜の厚さの不均一性や、ウエハＷ上
のショット領域の位置に応じたものであれば、パターン
線幅の転写誤差に共通性のあるいくつかのグループに分
けることができることになる。この場合には、グループ
の数だけ投影像の歪み制御データを管理すればよい。

【００７１】また、上記の実施形態では、投影像に低次
のディス卜ーションを付与することにより、転写線幅の
均一化を行っているが、さらに高次のディス卜ーション
を組み合わせることも可能である。

【００７２】なお、本発明の走査型露光装置は、上記実
施形態でも説明したように、基板上の各ショット領域
（区画領域）内で線幅均一性をほぼ同様に高精度に確保
するように、走査型露光装置を構成する各構成要素を、
電気的、機械的又は光学的に連結して組み上げられる。

【００７３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
走査露光方法によれば、パターン線幅の転写誤差の分布
又は情報に基づいて、感応基板への投影像の歪みを調整
するので、同期移動方向に関する線幅分布の均一性を高
精度で確保することができる。

【００７４】また、本発明の走査型露光装置によれば、
感応基板へのパターン転写の際に、記憶装置に記憶され
た、感応基板への投影像の歪みに関するデータに基づい
て、感応基板への投影像の歪みを調整する。すなわち、
本発明の走査露光方法を使用して、マスクに形成された
パターンを感応基板上に転写できるので、線幅分布の均
一性を確保した高精度のパターン転写を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施形態に係る走査型露光装置の概略構成を
示す図である。

【図２】図１の装置による走査露光の原理を説明するた
めの図である。

【図３】図１の装置による露光動作のフローチャートで
ある。

【図４】レチクルに形成されたパターンとウエハに転写
されるパターンとの関係を説明するための図である（Ａ
〜Ｃ）。

【図５】ウエハＷに発生する振動を説明するための図で
ある。

【図６】振動が無い場合の積算露光量を説明するための
図である（Ａ〜Ｄ）。

【図７】振動が有る場合の積算露光量を説明するための
図（その１）である（Ａ〜Ｄ）。

【図８】振動が有る場合の積算露光量を説明するための
図（その２）である（Ａ〜Ｄ）。

【図９】線幅分布の均一化を説明するための図である
（Ａ、Ｂ）。

【図１０】線幅分布の均一化を図るために付与される投
影像に歪みを説明するための図である（Ａ〜Ｄ）。

【符号の説明】

１９…ステージ制御系（制御系の一部）、２０…主制御
装置（制御系の一部）、６８…結像特性コントローラ
（制御系の一部）、ＰＬ…投影光学系、Ｒ…レチクル
（マスク）、Ｗ…ウエハ（感応基板）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光ビームをマスクに照射するととも
に、該マスクと感応基板とを同期移動しつつ、前記マス
クに形成されたパターンを投影光学系を介して前記感応
基板上に転写する走査露光方法において、前記感応基板の露光に際し、前記感応基板におけるパタ
ーン線幅の転写誤差の分布に応じて、前記感応基板への
投影像の歪みを調整することを特徴とする走査露光方
法。
【請求項２】前記転写誤差の分布は、所定の感応基板
上に転写されたパターンの線幅の測定結果に基づいて、
予め求められることを特徴とする請求項１に記載の走査
露光方法。
【請求項３】露光ビームをマスクに照射するととも
に、該マスクと感応基板とを同期移動しつつ、前記マス
クに形成されたパターンを投影光学系を介して前記感応
基板上に転写する走査露光方法において、前記感応基板の露光に際し、前記感応基板におけるパタ
ーン線幅の転写誤差の情報に基づいて、前記感応基板へ
の投影像の歪みを調整することを特徴とする走査露光方
法。
【請求項４】前記転写誤差は、前記同期移動の方向と
直交する方向に関する誤差であることを特徴とする請求
項１〜３のいずれか一項に記載の走査露光方法。
【請求項５】前記転写誤差には、前記同期移動中に生
じる前記マスクと前記感応基板との同期移動制御誤差に
よるものが含まれることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか一項に記載の走査露光方法。
【請求項６】前記投影像の歪みの調整には、前記投影
光学系の結像特性の調整が含まれることを特徴とする請
求項１〜５のいずれか一項に記載の走査露光方法。
【請求項７】前記投影光学系の結像特性は、対称ディ
ストーションと倍率との組み合わせが含まれることを特
徴とする請求項６に記載の走査露光方法。
【請求項８】前記投影像の歪みの調整は、前記マスク
の同期移動中の位置に応じて行われることを特徴とする
請求項１〜７のいずれか一項に記載の走査露光方法。
【請求項９】マスクと感応基板とを同期移動しつつ、
前記マスクに形成されたパターンを前記感応基板上の少
なくとも１つの区画領域に転写する走査型露光装置であ
って、前記感応基板上におけるパターン線幅の転写誤差に応じ
たデータを記憶した記憶装置と；前記データに基づき、
前記感応基板への投影像の歪みを調整する制御系とを備
える走査型露光装置。