JP2000091080A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JP2000091080A JP2000091080A JP10257747A JP25774798A JP2000091080A JP 2000091080 A JP2000091080 A JP 2000091080A JP 10257747 A JP10257747 A JP 10257747A JP 25774798 A JP25774798 A JP 25774798A JP 2000091080 A JP2000091080 A JP 2000091080A
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- hole transport
- transport layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭化水素系化合物のトリフェニレン誘導体の
特性を引き出し、ホール輸送層として用いた新しい構成
の発光素子を提供する。 【解決手段】 一対の電極間に、電子輸送性発光層と、
ホール輸送層とを配して構成される発光素子において、
前記ホール輸送層材料としてトリフェニレン誘導体を用
いる。
特性を引き出し、ホール輸送層として用いた新しい構成
の発光素子を提供する。 【解決手段】 一対の電極間に、電子輸送性発光層と、
ホール輸送層とを配して構成される発光素子において、
前記ホール輸送層材料としてトリフェニレン誘導体を用
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子、特に有
機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。
機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、ホール輸送層と電子輸
送層を電極で挟持した発光素子で、低電圧駆動でＲＧＢ
の発光が得られることから薄型ディスプレイとして、今
後の技術開発に期待が寄せられている。
送層を電極で挟持した発光素子で、低電圧駆動でＲＧＢ
の発光が得られることから薄型ディスプレイとして、今
後の技術開発に期待が寄せられている。
【０００３】従来より、有機ＥＬ素子のホール輸送層に
用いられる化合物としては、トリアリールアミン系化合
物が一般的に知られている。
用いられる化合物としては、トリアリールアミン系化合
物が一般的に知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的なアミ
ン系化合物以外の発光素子用材料、特にホール輸送層材
料を開発することが材料の新規開拓の観点から望まれて
いるところである。
ン系化合物以外の発光素子用材料、特にホール輸送層材
料を開発することが材料の新規開拓の観点から望まれて
いるところである。
【０００５】本発明の目的は、炭化水素系化合物のトリ
フェニレン誘導体の特性を引き出し、ホール輸送層とし
て用いた新しい構成の発光素子を提供することにある。
フェニレン誘導体の特性を引き出し、ホール輸送層とし
て用いた新しい構成の発光素子を提供することにある。
【０００６】本発明の別の目的は、トリフェニレン誘導
体をホール輸送層として用いた電流密度が高く、発光効
率の高い発光素子を提供することにある。
体をホール輸送層として用いた電流密度が高く、発光効
率の高い発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明により提供される
発光素子は、一対の電極間に、電子輸送性発光層と、ホ
ール輸送層とを配して構成される発光素子において、前
記ホール輸送層材料としてトリフェニレン誘導体を用い
たことを特徴とするものである。
発光素子は、一対の電極間に、電子輸送性発光層と、ホ
ール輸送層とを配して構成される発光素子において、前
記ホール輸送層材料としてトリフェニレン誘導体を用い
たことを特徴とするものである。
【０００８】本発明においては、前記トリフェニレン誘
導体が、下記一般式で表される化合物である発光素子を
包含する。
導体が、下記一般式で表される化合物である発光素子を
包含する。
【０００９】
【化２】 但し、Ｒはアルキル基を表す。
【００１０】ここで、アルキル基Ｒは、炭素数が３から
１８であることが好ましく、炭素数が６から１８である
ことがより好ましく、−（ＣＨ2）5ＣＨ3，−（ＣＨ2）
7ＣＨ3，−（ＣＨ2）9ＣＨ3，−（ＣＨ2）11ＣＨ3，−
（ＣＨ2）17ＣＨ3から選択されるものであることが更に
好ましい。
１８であることが好ましく、炭素数が６から１８である
ことがより好ましく、−（ＣＨ2）5ＣＨ3，−（ＣＨ2）
7ＣＨ3，−（ＣＨ2）9ＣＨ3，−（ＣＨ2）11ＣＨ3，−
（ＣＨ2）17ＣＨ3から選択されるものであることが更に
好ましい。
【００１１】また、本発明においては、フタロシアニン
化合物からなるホール導入層を、前記ホール輸送層に接
して設けた発光素子を包含し、フタロシアニン化合物
は、銅フタロシアニンを包含する。
化合物からなるホール導入層を、前記ホール輸送層に接
して設けた発光素子を包含し、フタロシアニン化合物
は、銅フタロシアニンを包含する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の発光素子は、ホール輸送
層材料としてトリフェニレン誘導体を用いる。
層材料としてトリフェニレン誘導体を用いる。
【００１３】トリフェニレン誘導体としては、下記一般
式で表される化合物が好適に用いられる。
式で表される化合物が好適に用いられる。
【００１４】
【化３】 ここでＲは、アルキル基を表す。
【００１５】アルキル基Ｒとしては、成膜性の良さを考
慮すると炭素数が３以上、特に３〜１８のものが好まし
い。また、膜厚の差による発光安定性を考慮すると、炭
素数が６以上、特に６〜１８のものが更に好ましい。
慮すると炭素数が３以上、特に３〜１８のものが好まし
い。また、膜厚の差による発光安定性を考慮すると、炭
素数が６以上、特に６〜１８のものが更に好ましい。
【００１６】アルキル基Ｒの例としては、例えば−ＣＨ
3，−（ＣＨ2）5ＣＨ3，−（ＣＨ2）7ＣＨ3，−（Ｃ
Ｈ2）9ＣＨ3，−（ＣＨ2）11ＣＨ3，−（ＣＨ2）17ＣＨ
3等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
3，−（ＣＨ2）5ＣＨ3，−（ＣＨ2）7ＣＨ3，−（Ｃ
Ｈ2）9ＣＨ3，−（ＣＨ2）11ＣＨ3，−（ＣＨ2）17ＣＨ
3等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１７】本発明で用いられるトリフェニレン誘導体
は、例えばカテコールから１，２−アルコキシルベンゼ
ンを合成し、これらを塩化鉄で縮合して得ることができ
る。
は、例えばカテコールから１，２−アルコキシルベンゼ
ンを合成し、これらを塩化鉄で縮合して得ることができ
る。
【００１８】本発明において、ホール輸送層の層厚は、
例えば２〜２００ｎｍの範囲から選択され、好ましくは
１０〜１００ｎｍ、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範
囲から選択される。
例えば２〜２００ｎｍの範囲から選択され、好ましくは
１０〜１００ｎｍ、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範
囲から選択される。
【００１９】本発明の発光素子を構成する電子輸送性発
光層の材料としては、キノリノレート金属錯体、オキサ
ジアゾール誘導体、スチルベン誘導体等が用いられる。
好ましくはトリス（８−キノリノレート）アルミニウム
錯体（Ａｌｑ）が採用される。これらの材料で構成した
電子輸送性発光層の層厚は、例えば５〜３００ｎｍの範
囲から選択することができる。
光層の材料としては、キノリノレート金属錯体、オキサ
ジアゾール誘導体、スチルベン誘導体等が用いられる。
好ましくはトリス（８−キノリノレート）アルミニウム
錯体（Ａｌｑ）が採用される。これらの材料で構成した
電子輸送性発光層の層厚は、例えば５〜３００ｎｍの範
囲から選択することができる。
【００２０】本発明の発光素子は、ホール導入層をホー
ル輸送層に接して設けることもでき、この場合、駆動電
圧を下げることができ好ましい。ホール導入層の層厚
は、例えば５〜７０ｎｍの範囲から選択できる。
ル輸送層に接して設けることもでき、この場合、駆動電
圧を下げることができ好ましい。ホール導入層の層厚
は、例えば５〜７０ｎｍの範囲から選択できる。
【００２１】また、本発明において、陽極の材料として
は仕事関数が大きなものが望ましく、例えばＩＴＯ（イ
ンジウム錫オキサイド）、酸化錫、金、白金、パラジウ
ム、セレン、イリジウム、ヨウ化銅などを用いることが
できる。一方、陰極の材料としては仕事関数が小さなも
のが望ましく、例えばＭｇ／Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎあ
るいはこれらの合金等を用いることができる。
は仕事関数が大きなものが望ましく、例えばＩＴＯ（イ
ンジウム錫オキサイド）、酸化錫、金、白金、パラジウ
ム、セレン、イリジウム、ヨウ化銅などを用いることが
できる。一方、陰極の材料としては仕事関数が小さなも
のが望ましく、例えばＭｇ／Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎあ
るいはこれらの合金等を用いることができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００２３】［合成例］ ＜２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシロキシト
リフェニレン（ＴＲＰ−Ｈｘ）の合成＞カテコール５．
５部と炭酸カリウム３１．０部をエタノール５００部中
で撹拌し、そこにｎ−ヘキシルブロマイド１９．２部を
５分間かけて滴下した。次に、この混合物を撹拌下１
１．５時間還流した。この混合物をセライトろ過し、エ
タノールで洗浄し、この濾液から溶媒を減圧下留去し、
濃縮した。これをトルエン：ｎ−ヘキサンの１：２の混
合液を展開溶媒としてシリカゲルのカラムクロマトグラ
フィーで単離し、１１．８２部の１，２−ジヘキシロキ
シベンゼンを得た。
リフェニレン（ＴＲＰ−Ｈｘ）の合成＞カテコール５．
５部と炭酸カリウム３１．０部をエタノール５００部中
で撹拌し、そこにｎ−ヘキシルブロマイド１９．２部を
５分間かけて滴下した。次に、この混合物を撹拌下１
１．５時間還流した。この混合物をセライトろ過し、エ
タノールで洗浄し、この濾液から溶媒を減圧下留去し、
濃縮した。これをトルエン：ｎ−ヘキサンの１：２の混
合液を展開溶媒としてシリカゲルのカラムクロマトグラ
フィーで単離し、１１．８２部の１，２−ジヘキシロキ
シベンゼンを得た。
【００２４】２０℃の水浴中で塩化鉄（ＩＩＩ）２．６
６部を塩化メチレン２０部に入れ撹拌しながら、上記化
合物を３．０６部を１分間で滴下した。
６部を塩化メチレン２０部に入れ撹拌しながら、上記化
合物を３．０６部を１分間で滴下した。
【００２５】［素子の作成］発光素子として、２種類の
素子を作成した。
素子を作成した。
【００２６】素子−１は、ＩＴＯ上にトリフェニレン誘
導体を用いたホール輸送層、アルミニウムキノリウムを
用いた電子輸送性発光層及びＭｇＡｇからなる電極を積
層した構成である。
導体を用いたホール輸送層、アルミニウムキノリウムを
用いた電子輸送性発光層及びＭｇＡｇからなる電極を積
層した構成である。
【００２７】素子−２は、素子−１におけるＩＴＯとホ
ール輸送層の間にホール導入層として金属フタロシアニ
ンを配した構成である。従って、素子−１と素子−２と
の違いは、ホール導入層があるかないかということであ
る。
ール輸送層の間にホール導入層として金属フタロシアニ
ンを配した構成である。従って、素子−１と素子−２と
の違いは、ホール導入層があるかないかということであ
る。
【００２８】なお、以下において、例えば、ホール輸送
層のトリフェニレン化合物としてメトキシ体の２，３，
６，７，１０，１１−ヘキサメトキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｍｅ）を用いて、素子−１を構成した場合に
は、１−ＴＲＰ−Ｍｅと表記し、素子−２を構成した場
合には、２−ＴＲＰ−Ｍｅと表記する。
層のトリフェニレン化合物としてメトキシ体の２，３，
６，７，１０，１１−ヘキサメトキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｍｅ）を用いて、素子−１を構成した場合に
は、１−ＴＲＰ−Ｍｅと表記し、素子−２を構成した場
合には、２−ＴＲＰ−Ｍｅと表記する。
【００２９】具体的な素子の作成は、次のように行っ
た。
た。
【００３０】＜２−ＴＲＰ−Ｈｘ＞ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／
ＴＲＰ−Ｈｘ／Ａｌｑ／ＭｇＡｇ構成の素子を作成し
た。
ＴＲＰ−Ｈｘ／Ａｌｑ／ＭｇＡｇ構成の素子を作成し
た。
【００３１】まず、ミクロ技研製の２０Ω／□のＩＴＯ
の基板を熱イソプロパノールで洗浄した後、基板表面を
プラズマ処理した。
の基板を熱イソプロパノールで洗浄した後、基板表面を
プラズマ処理した。
【００３２】こうして洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置
（ＵＬＶＡＣ製ＶＰＣ−４１０）内に配置し、ホール導
入層としてＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）を膜厚が１５
ｎｍになるように蒸着した後、この上にホール輸送層と
してＴＲＰ−Ｈｘを膜厚が３５ｎｍとなるように蒸着し
た。ここでの真空度は６×１０-6Ｔｏｒｒ、成膜速度は
１オングストローム／６秒とした。
（ＵＬＶＡＣ製ＶＰＣ−４１０）内に配置し、ホール導
入層としてＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）を膜厚が１５
ｎｍになるように蒸着した後、この上にホール輸送層と
してＴＲＰ−Ｈｘを膜厚が３５ｎｍとなるように蒸着し
た。ここでの真空度は６×１０-6Ｔｏｒｒ、成膜速度は
１オングストローム／６秒とした。
【００３３】ついで、このホール輸送層上に電子輸送性
発光層として、Ａｌｑ（アルミニウムキノリウム）を５
０ｎｍの膜厚で、電極としてＭｇＡｇ層を４０００オン
グストロームの層厚で蒸着し、素子２−ＴＲＰ−Ｈｘを
作成した。
発光層として、Ａｌｑ（アルミニウムキノリウム）を５
０ｎｍの膜厚で、電極としてＭｇＡｇ層を４０００オン
グストロームの層厚で蒸着し、素子２−ＴＲＰ−Ｈｘを
作成した。
【００３４】＜１−ＴＲＰ−Ｏｃ、２−ＴＲＰ−Ｏｃ＞
ホール輸送層として、オクチルオキシ体の２，３，６，
７，１０，１１−ヘキサオクチルオキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｏｃ）を用いた以外同様にして、素子２−Ｔ
ＲＰ−Ｏｃを作成した。
ホール輸送層として、オクチルオキシ体の２，３，６，
７，１０，１１−ヘキサオクチルオキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｏｃ）を用いた以外同様にして、素子２−Ｔ
ＲＰ−Ｏｃを作成した。
【００３５】また、ホール導入層ＣｕＰｃを蒸着せず
に、素子１−ＴＲＰ−Ｏｃを作成した。
に、素子１−ＴＲＰ−Ｏｃを作成した。
【００３６】＜１−ＴＲＰ−Ｄｅ、２−ＴＲＰ−Ｄｅ＞
ホール輸送層として、デシルオキシ体の２，３，６，
７，１０，１１−ヘキサデシルオキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｄｅ）を用いた以外同様にして、素子１−Ｔ
ＲＰ−Ｄｅ及び素子２−ＴＲＰ−Ｄｅを作成した。
ホール輸送層として、デシルオキシ体の２，３，６，
７，１０，１１−ヘキサデシルオキシトリフェニレン
（ＴＲＰ−Ｄｅ）を用いた以外同様にして、素子１−Ｔ
ＲＰ−Ｄｅ及び素子２−ＴＲＰ−Ｄｅを作成した。
【００３７】＜１−ＴＲＰ−Ｍｅ、２−ＴＲＰ−Ｍｅ＞
ホール輸送層として、メトキシ体の２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサメトキシトリフェニレン（ＴＲＰ−Ｍ
ｅ）を用いた以外同様にして、素子１−ＴＲＰ−Ｍｅ及
び素子２−ＴＲＰ−Ｍｅを作成した。
ホール輸送層として、メトキシ体の２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサメトキシトリフェニレン（ＴＲＰ−Ｍ
ｅ）を用いた以外同様にして、素子１−ＴＲＰ−Ｍｅ及
び素子２−ＴＲＰ−Ｍｅを作成した。
【００３８】［素子の評価］以上のようにして作成した
素子の駆動電圧及び発光特性を評価した。
素子の駆動電圧及び発光特性を評価した。
【００３９】図１に本発明の素子の駆動電圧／電流密度
の関係を示した。なお、図１において、ＴＰＤと表記し
てあるのは、ホール輸送層材料として公知の下記化合物
（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｅｎｄｉｄｉｎｅ）を用い
た素子を表す。
の関係を示した。なお、図１において、ＴＰＤと表記し
てあるのは、ホール輸送層材料として公知の下記化合物
（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｅｎｄｉｄｉｎｅ）を用い
た素子を表す。
【００４０】
【化４】
【００４１】図１より本発明の素子は、ＴＰＤと比べて
低電圧駆動ができることが判る。
低電圧駆動ができることが判る。
【００４２】図２に本発明の素子−２の発光特性を示し
た。図２より、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度を３０ｍＡ／
ｃｍ2から８０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で得られることが
判る。
た。図２より、１０００ｃｄ／ｍ2の輝度を３０ｍＡ／
ｃｍ2から８０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で得られることが
判る。
【００４３】図３は、ホール輸送層の膜厚を２０ｎｍ、
３５ｎｍ、５０ｎｍと変えた２−ＴＲＰ−Ｍｅの発光特
性を示している。図３より、ホール輸送層の膜厚により
発光特性が変化し、膜厚３５ｎｍの素子が最適であるこ
とが判る。
３５ｎｍ、５０ｎｍと変えた２−ＴＲＰ−Ｍｅの発光特
性を示している。図３より、ホール輸送層の膜厚により
発光特性が変化し、膜厚３５ｎｍの素子が最適であるこ
とが判る。
【００４４】一方、図４は、ホール輸送層の膜厚を２０
ｎｍ、３５ｎｍ、５０ｎｍと変えた２−ＴＲＰ−Ｈｘの
発光特性を示している。図４より、膜厚２０〜５０ｎｍ
の間で安定した発光特性を示していることが判る。
ｎｍ、３５ｎｍ、５０ｎｍと変えた２−ＴＲＰ−Ｈｘの
発光特性を示している。図４より、膜厚２０〜５０ｎｍ
の間で安定した発光特性を示していることが判る。
【００４５】図３及び図４より、ＴＲＰ−Ｍｅを用いた
素子も良好な特性を示すが、膜厚の差異によるバラツキ
の少なさという点ではＴＲＰ−Ｈｘの方が優れており、
トリフェニレン化合物のアルキル基Ｒの炭素数が６以上
が好ましいことが判る。
素子も良好な特性を示すが、膜厚の差異によるバラツキ
の少なさという点ではＴＲＰ−Ｈｘの方が優れており、
トリフェニレン化合物のアルキル基Ｒの炭素数が６以上
が好ましいことが判る。
【００４６】図５は、素子−１と素子−２の駆動電圧／
電流密度の関係を示している。図５より、より駆動電圧
が低いという点で素子−２が優れることが判る。
電流密度の関係を示している。図５より、より駆動電圧
が低いという点で素子−２が優れることが判る。
【００４７】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば、ト
リフェニレン誘導体をホール輸送層として用いた新しい
構成を有し、低電圧駆動ができ、電流密度が高く、発光
効率の高い発光素子を得ることができる。
リフェニレン誘導体をホール輸送層として用いた新しい
構成を有し、低電圧駆動ができ、電流密度が高く、発光
効率の高い発光素子を得ることができる。
【図１】本発明の素子の駆動電圧と電流密度の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図２】本発明の素子−２の発光特性を示示すグラフで
ある。
ある。
【図３】ホール輸送層の膜厚を変えた２−ＴＲＰ−Ｍｅ
の発光特性を示すグラフである。
の発光特性を示すグラフである。
【図４】ホール輸送層の膜厚を変えた２−ＴＲＰ−Ｈｘ
の発光特性を示すグラフである。
の発光特性を示すグラフである。
【図５】本発明の素子の駆動電圧と電流密度の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB06 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01
Claims (7)
- 【請求項１】 一対の電極間に、電子輸送性発光層と、
ホール輸送層とを配して構成される発光素子において、
前記ホール輸送層材料としてトリフェニレン誘導体を用
いたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記トリフェニレン誘導体が、下記一般
式で表される化合物であることを特徴とする請求項１に
記載の発光素子。 【化１】 但し、Ｒはアルキル基を表す。 - 【請求項３】 前記アルキル基Ｒの炭素数が３から１８
であることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記アルキル基Ｒの炭素数が６から１８
であることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記アルキル基Ｒが、−（ＣＨ2）5ＣＨ
3，−（ＣＨ2）7ＣＨ3，−（ＣＨ2）9ＣＨ3，−（Ｃ
Ｈ2）11ＣＨ3，−（ＣＨ2）17ＣＨ3から選択されること
を特徴とする請求項４に記載の発光素子。 - 【請求項６】 フタロシアニン化合物からなるホール導
入層を、前記ホール輸送層に接して設けたことを特徴と
する請求項１〜５に記載の発光素子。 - 【請求項７】 フタロシアニン化合物が、銅フタロシア
ニンであることを特徴とする請求項６に記載の発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10257747A JP2000091080A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10257747A JP2000091080A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091080A true JP2000091080A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17310547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10257747A Withdrawn JP2000091080A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091080A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722764B1 (ko) | 2005-04-11 | 2007-05-30 | 주식회사 이엘엠 | 유기 발광 재료 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 |
| CN100397678C (zh) * | 2000-12-26 | 2008-06-25 | Lg化学株式会社 | 包含具有p-型半导体特性的有机化合物的电子器件 |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP10257747A patent/JP2000091080A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100397678C (zh) * | 2000-12-26 | 2008-06-25 | Lg化学株式会社 | 包含具有p-型半导体特性的有机化合物的电子器件 |
| KR100722764B1 (ko) | 2005-04-11 | 2007-05-30 | 주식회사 이엘엠 | 유기 발광 재료 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 |
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