JP2000084807A - 板状体の加工方法 - Google Patents

板状体の加工方法

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JP2000084807A
JP2000084807A JP10263645A JP26364598A JP2000084807A JP 2000084807 A JP2000084807 A JP 2000084807A JP 10263645 A JP10263645 A JP 10263645A JP 26364598 A JP26364598 A JP 26364598A JP 2000084807 A JP2000084807 A JP 2000084807A
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plate
glass plate
residual stress
processing
face
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JP10263645A
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English (en)
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Ikuo Nagasawa
郁夫 長澤
Kazue Ota
和重 太田
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ガラス板16を高平坦に加工する。 【解決手段】ガラス板16の表面を研削または研磨し、
その表面に残留した加工残留応力をエッチング処理で除
去した後、ガラス板16の裏面を研削または研磨し、そ
の裏面に残留した加工残留応力をエッチング処理で除去
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は板状体の加工方法に
係り、特にガラス板(板状体)を研削、ラッピング、ポ
リシングすることにより、フォトマスク等に使用される
薄板ガラスに加工する板状体の加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のガラス板の加工方法とし
て、両面研磨装置を用いたバッチ処理式の加工方法が知
られている。前記両面研磨装置は、上下一対の研磨部
材、これらの研磨部材の間に配置されたキャリア、及び
これらの研磨部材を回転駆動させる駆動部等から構成さ
れている。斯かる両面研磨装置によれば、前記キャリア
に複数枚のガラス板を保持させた後、これらのガラス板
を上下の研磨部材で挟圧保持し、そして、上下の研磨部
材を前記駆動部で回転させる。これにより、複数枚のガ
ラス板の両面が同時に研磨加工される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記両
面研磨装置は、複数枚のガラス板を同時に加工するもの
なので、大きいサイズのガラス板の場合、上下の研磨部
材が大径の構造物になり、このような大径の研磨部材
を、ガラス板に対して平行度を出した状態で回転させる
のは難しい。したがって、両面研磨装置を用いた加工方
法では、大きいサイズのガラス板を高平坦に加工するこ
とができないという欠点がある。
【0004】以上の如く大きいサイズのガラス板を高平
坦に加工するためには、バッチ処理よりも枚葉処理の方
が有利であるが、ガラス板を枚葉処理して高平坦に加工
する加工方法は知られていない。本発明は、このような
事情に鑑みてなされたもので、板状体を枚葉処理するこ
とにより板状体を高平坦に加工することができる板状体
の加工方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、板状体の裏面を定盤に変形させずに保持
させて該板状体の表面を研削または研磨手段によって平
坦加工し、前記板状体を前記定盤から取り外した後、該
板状体の表面に残留した加工残留応力を残留応力除去手
段によって除去することにより、板状体の表面を平坦加
工し、前記板状体の表面を前記定盤に変形させずに保持
させて該板状体の裏面を研削または研磨手段によって平
坦加工し、前記板状体を前記定盤から取り外した後、該
板状体の裏面に残留した加工残留応力を残留応力除去手
段によって除去することにより、板状体の裏面を平坦加
工することを特徴としている。
【0006】本発明によれば、まず、板状体の裏面を定
盤に該板状体を変形させずに保持させ、板状体の表面を
研削手段または研磨手段によって平坦加工する。次に、
板状体を定盤から取り外した後、板状体の表面に残留し
た加工残留応力を残留応力除去手段によって除去する。
これにより、平坦加工によって作られた表面は、保持に
よる変形と残留応力による反りを生じさせないため、板
状体の表面が高平坦に加工される。すなわち、加工され
た面には残留応力が生じ、トワイマン効果により板状体
に反りを生じさせる。該板状体にエッチング等の残留応
力除去手段を施すことにより、上記反りが解消され、平
坦加工された状態の面に戻るこことなる。
【0007】次いで、板状体の表面を定盤に変形させず
に保持させ、板状体の裏面を研削手段または研磨手段に
よって平坦加工する。そして、板状体を定盤から取り外
した後、板状体の裏面に残留した加工残留応力を残留応
力除去手段によって除去する。これにより、平坦加工に
よって作られた裏面は、保持による変形と残留応力によ
る反りを生じさせないため、板状体の裏面が高平坦に加
工される。したがって、本発明の加工方法によれば、板
状体を枚葉処理して高平坦に加工することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る板状体の加工方法の好ましい実施の形態について詳説
する。図1は、本発明に係る板状体の加工方法が適用さ
れたガラス板用研削装置の全体構造図である。同図に示
す研削装置10は、カップ型砥石12と定盤(X−Y移
動テーブル)14とを備え、定盤14の上面にガラス板
16が第1面(表面)を上方に向けて保持される。ま
た、前記ガラス板16は、前記定盤14に、複数の石膏
層15、15…を介して保持されている。
【0009】前記石膏層15、15…の形成方法につい
て説明すると、まず、表面に複数の孔が規則的に形成さ
れたパンチドメタル板のような多孔板を、定盤14上に
載置する。そして、前記多孔板の孔に石膏液を流し込
み、そして、この石膏液が完全に固化する前に、前記多
孔板を定盤14から取り外す。これにより、固化前の石
膏層15、15…が定盤14上に形成される。
【0010】次に、これらの石膏層15、15…にガラ
ス板16を取り付ける取付方法について説明すると、ま
ず、石膏層15、15…の上面にガラス板16の第2面
(裏面)16Bを載置し、石膏層15、15…を固着剤
としてガラス板16を固着する。そして、石膏層15、
15…が完全に固化する前に、ブロックゲージなどを使
用して、定盤14の載置面(基準面)に対するガラス板
16の第1面16Aの高さを均一にする。この時、石膏
層15、15…が変形することで、ガラス板16の第1
面16Aの高さが調節される。調整後、石膏層15、1
5…が完全に固化するまで放置することにより、ガラス
板16が石膏層15、15…上に固着され、この状態で
前記第1面16Aが前記カップ型砥石12によって研削
加工される。
【0011】上記石膏層15、15…によるガラス板1
6の固着は、強固なものではないが、固着の箇所が多け
れば、研削可能な程度の強度で固着できる。固着強度が
不足する場合は、低温で固着可能なワックスなどの固着
剤を併用しても良い。このような石膏層15、15…を
ガラス板16の保持手段として適用すると、石膏層15
は、固化時の膨張量が少ないので、定盤14上における
ガラス板16の変形を抑えることができる。したがっ
て、ガラス板16は、定盤14に無変形保持された状態
でカップ型砥石12により研削加工される。なお、ガラ
ス板16を無変形保持させるものであれば、前記石膏層
15、15…に限定されるものではない。例えば、UV
硬化剤、氷チャック等の方法も可能である。
【0012】一方、前記定盤14は、台座18の基準面
18A上に水平方向(図1上X方向及びY方向)に移動
可能に設置され、図示しない駆動装置からの駆動力によ
ってX方向及びY方向に移動される。前記台座18の図
1上左部にはポスト20が立設される。このポスト20
の内側面20Aには、逆L字状に形成された昇降アーム
22の基部22Aが直動ベアリング23を介して上下方
向(図1上Z方向)に移動自在に支持される。前記昇降
アーム22は、図示しない駆動装置からの駆動力によっ
て前記ポスト20に沿ってZ方向に移動される。昇降ア
ーム22の水平部22Bには、複数の圧電素子(ピエゾ
素子)24、24…が固定され、これらのピエゾ素子2
4、24…の下部に駆動モータ26が固定されている。
前記駆動モータ26のスピンドル28に前記カップ型砥
石12が固着され、カップ型砥石12は駆動モータ26
からの駆動力によってその軸心12Aを中心に回転駆動
される。
【0013】前記ピエゾ素子24は図2に示すように、
カップ型砥石12の軸心12Aを中心とする同心円上に
90°間隔で4個設置される。これらのピエゾ素子2
4、24…は、電圧が印加されると上下方向(図2上矢
印方向)に歪むもので、各々が駆動部30に接続されて
いる。したがって、駆動部30から電圧が印加されると
ピエゾ素子24、24…が前記方向に歪むので、ピエゾ
素子24、24…以下の部材の傾きを変えることができ
る。これにより、各々のピエゾ素子24、24…に印加
する電圧を制御すれば、ガラス板16に対するカップ型
砥石12の傾きを適宜に変えることができる。
【0014】ところで、4台の非接触(または静電容量
型)変位計32、32…がカップ型砥石12の裏面12
Bから所定量離間して設置される。これらの非接触変位
計32、32…は図1に示すように、台座18の基準面
18A上に立設されたフレーム34に固定される。ま
た、非接触変位計32、32…は図2に示すように、カ
ップ型砥石12の軸心12Aを中心とする同心円上に9
0°間隔で配置されると共に、前記ピエゾ素子24、2
4…と対応した位置に配置されている。前記非接触変位
計32、32…は、各々の非接触変位計32、32…
と、それに対向するカップ型砥石12の裏面12Bとの
間の距離、即ち、カップ型砥石12の傾きを非接触で直
接検出するものであり、各々の検出情報は増幅部35で
増幅されて制御装置36に出力される。
【0015】前記制御装置36は、非接触変位計32、
32…からの検出情報に基づいて、各々の非接触変位計
32、32…と、それに対向するカップ型砥石12の裏
面12Bとの間の距離を演算する。そして、制御装置3
6は、前記演算して得られた4つの距離が等しくなるよ
うに前記駆動部30を制御して前記ピエゾ素子24、2
4…を駆動させる。即ち、制御装置36は、ピエゾ素子
24、24…に印加する必要な電圧を演算し、この電圧
を各々のピエゾ素子24、24…に印加するように駆動
部30をフィードバック制御する。
【0016】このように構成されたガラス板用研削装置
10によれば、先ず、昇降アーム22を下降移動させて
カップ型砥石12によるガラス板16の切り込み量を設
定する。次に、カップ型砥石12を回転させると共に、
定盤14をカップ型砥石12に向けて移動させてガラス
板16の研削を開始する。この時のカップ型砥石12の
傾きは、非接触変位計32、32…で常時検出されてお
り、検出情報も制御装置36に常時出力される。そし
て、制御装置36は、非接触変位計32、32…からの
検出情報に基づいてカップ型砥石12の傾きが、研削開
始の姿勢を維持するように(傾斜角度が0°となるよう
に)駆動部30をフィードバック制御してピエゾ素子2
4、24…を駆動させる。
【0017】これにより、前記ガラス板用研削装置10
によれば、研削抵抗が変化しても切り込み量を一定制御
することができるので、ガラス板16を平坦に研削加工
することができる。図3〜図11は、前記研削装置10
で研削されるガラス板16の研削加工状態を示す遷移図
である。以下、図3〜図11に従って本実施の形態のガ
ラス板16の研削加工方法について説明する。
【0018】図3には、加工前のガラス板16が示さ
れ、このガラス板16としては、両面の残留応力による
変形が除去済みのもの、又は両面残留応力が完全均等な
ものが使用される。このガラス板16を加工する場合、
まず、前記ガラス板16を図4に示すように第1面16
Aを上に向けた状態で、石膏層15、15…を介して定
盤14に無変形保持させる。
【0019】次に、ガラス板16の第1面16Aを、研
削装置10のカップ型砥石12によって図5の如く平坦
に研削加工する。次いで、ガラス板16を石膏層15、
15…から取り外すと、このガラス板16は図6に示す
ように、加工残留応力によって第1面16Aが反り返っ
た状態に変形し、平坦度が悪化してしまう。なお、第1
面16Aに対して第2面の残留応力が小さい場合には、
その変形が逆になる。
【0020】次に、図6に示したガラス板16をエッチ
ング処理して、その第1面16Aに発生した加工残留応
力を除去する。本実施の形態では、エッチング処理とし
て、ガラス板16をフッ酸、又はフッ化アンモニウム水
溶液等を主体とした処理液(残留応力除去手段)に浸漬
させて、第1面16Aに発生している残留クラックを溶
解することにより、前記加工残留応力を除去する処理を
例示する。これにより、ガラス板16の第1面16A
は、その加工残留応力が除去され、加工残留応力による
反りがなくなり、図7の如く高平坦に加工される。な
お、エッチング処理は、前記処理に限定されるものでは
ない。
【0021】図8は、ガラス板16の第2面16Aを加
工するために、図7のガラス板16を反転した図であ
る。前記第2面16Bも、第1面16Aと同様の手順で
加工する。即ち、まず、ガラス板16を図9に示すよう
に第2面16Bを上に向けた状態で、石膏層15、15
…を介して定盤14に無変形保持させる。
【0022】次に、前記第2面16Bをカップ型砥石1
2によって平坦に研削加工する。研削加工後、ガラス板
16を石膏層15、15…から取り外すと、このガラス
板16は図10に示すように、加工残留応力によって第
2面16Bが反り返った状態に変形する。次に、このガ
ラス板16をエッチング処理して、第2面16Bに発生
した加工残留応力を除去する。これにより、ガラス板1
6の第2面16Bは、その加工残留応力が除去され、加
工残留応力による反りがなくなり、図11の如く高平坦
に加工され、結果的に第2面16Bと第1面16Aとが
高平坦かつ平行に加工される。
【0023】したがって、本実施の形態のガラス板16
の加工方法によれば、ガラス板16を枚葉処理して高平
坦に加工することができる。なお、本実施の形態の研削
加工方法は、ガラス板16の研削方法、ラッピング方
法、及びポリシング方法のいずれかの方法に適用するこ
とができる。研削の場合には、ダイヤモンド砥石等を用
いればよく、ラッピングの場合には、砥粒としてアルミ
ナ砥粒や炭化珪素砥粒を用いれば良く、ポリシングの場
合には、ガラス板16に効果的な酸化セリウム砥粒を用
いれば良い。また、ポリシングの場合には、前記酸化セ
リウム砥粒を混入させた硬質発泡ポリウレタンパッドで
ガラス板16をポリシングすれば更に効果的に加工する
ことができる。
【0024】また、本実施の形態では、加工対象物の板
状体としてガラス板16を例示して説明したが、これに
限られるものではなく、セラミックやシリコン等のウェ
ーハや水晶等の薄い板状体でも、本実施の形態の加工方
法を適用できることは勿論である。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る板状体
の加工方法によれば、板状体の表面を研削または研磨し
て、その表面に残留した加工残留応力を除去することに
より、その表面を高平坦に加工した後、板状体の裏面を
研削または研磨して、その裏面に残留した加工残留応力
を除去することにより、板状体の裏面を高平坦に加工し
たので、板状体を枚葉処理して高平坦に加工することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の板状体の加工方法が適用されたガラス
板用研削装置の全体構造図
【図2】ピエゾ素子と非接触変位計との配置位置関係を
示す要部斜視図
【図3】加工前のガラス板を示す図
【図4】ガラス板が石膏層によって移動テーブルに無変
形保持された図
【図5】ガラス板の第1面が加工されたガラス板の図
【図6】ガラス板の第1面に残留した加工残留応力によ
ってガラス板が反り返った図
【図7】ガラス板の第1面の加工残留応力が除去された
後のガラス板を示す図
【図8】ガラス板が反転された状態を示す図
【図9】ガラス板が石膏層によって移動テーブルに無変
形保持された図
【図10】ガラス板の第2面に残留した加工残留応力に
よってガラス板が反り返った図
【図11】ガラス板の第2面の加工残留応力が除去され
た後のガラス板を示す図
【符号の説明】
10…ガラス板用研削装置 12…カップ型砥石 14…定盤(X−Y移動テーブル) 15…石膏層 16…板状体(ガラス板) 22…昇降アーム 24…ピエゾ素子 26…駆動モータ 30…駆動部 32…非接触変位計 36…制御装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】板状体の裏面を定盤に変形させずに保持さ
    せて該板状体の表面を研削または研磨手段によって平坦
    加工し、 前記板状体を前記定盤から取り外した後、該板状体の表
    面に残留した加工残留応力を残留応力除去手段によって
    除去することにより、板状体の表面を平坦加工し、 前記板状体の表面を前記定盤に変形させずに保持させて
    該板状体の裏面を研削または研磨手段によって平坦加工
    し、 前記板状体を前記定盤から取り外した後、該板状体の裏
    面に残留した加工残留応力を残留応力除去手段によって
    除去することにより、板状体の裏面を平坦加工すること
    を特徴とする板状体の加工方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446045B2 (en) 2003-10-30 2008-11-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing nitride substrate for semiconductors
JP2009231814A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体ウエハ−加工方法
JP2012203268A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Univ Of Tokyo ミラー及びその製造方法
JP2013006270A (ja) * 2012-08-10 2013-01-10 Covalent Materials Corp 板状体の加工方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446045B2 (en) 2003-10-30 2008-11-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing nitride substrate for semiconductors
US8012882B2 (en) 2003-10-30 2011-09-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing nitride substrate for semiconductors
JP2009231814A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体ウエハ−加工方法
JP2012203268A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Univ Of Tokyo ミラー及びその製造方法
JP2013006270A (ja) * 2012-08-10 2013-01-10 Covalent Materials Corp 板状体の加工方法

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