JP2000082404A - Ｐｄｐ用保護膜およびそれを用いたｐｄｐ装置 - Google Patents
Ｐｄｐ用保護膜およびそれを用いたｐｄｐ装置Info
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- JP2000082404A JP2000082404A JP25074898A JP25074898A JP2000082404A JP 2000082404 A JP2000082404 A JP 2000082404A JP 25074898 A JP25074898 A JP 25074898A JP 25074898 A JP25074898 A JP 25074898A JP 2000082404 A JP2000082404 A JP 2000082404A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの保護膜の二次
電子放出比を向上させること目的とする。 【解決手段】 異なる材料の薄膜を、積層させることで
結晶成長を抑制させるもので、例えばＭｇＯ膜とＳｒＧ
ｄ2Ｏ4膜を交互に積層させることで、二次電子放出比の
高いＰＤＰ用保護膜が実現できる。また、この保護膜を
用いることにより高効率なＰＤＰ装置を実現できる。
電子放出比を向上させること目的とする。 【解決手段】 異なる材料の薄膜を、積層させることで
結晶成長を抑制させるもので、例えばＭｇＯ膜とＳｒＧ
ｄ2Ｏ4膜を交互に積層させることで、二次電子放出比の
高いＰＤＰ用保護膜が実現できる。また、この保護膜を
用いることにより高効率なＰＤＰ装置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大型フラットパネ
ルディスプレイとして使用されるプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）用保護膜およびそれを用いたＰＤＰ装
置に関わるものである。
ルディスプレイとして使用されるプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）用保護膜およびそれを用いたＰＤＰ装
置に関わるものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
は、図３に示すようにフロント板３０１上に誘電体（電
極）３０３を形成しその上に保護膜３０４形成する、一
方背面板３０２上にリブ３０５を形成し、さらに電極３
０７を配置し、ＲＧＢの各セル毎に蛍光体３０６を設け
た構成をしており、各々のセル内では、外部から電圧を
印加させることで、パネル内のガスを放電させ、放電に
より生じた紫外線がＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体に照射され、そ
れぞれの蛍光体から発せられた赤、緑、青の可視光がフ
ロント板を透過し各セルはそれぞれの発色を示し、ディ
スプレイ画面全体に映像が写る。
は、図３に示すようにフロント板３０１上に誘電体（電
極）３０３を形成しその上に保護膜３０４形成する、一
方背面板３０２上にリブ３０５を形成し、さらに電極３
０７を配置し、ＲＧＢの各セル毎に蛍光体３０６を設け
た構成をしており、各々のセル内では、外部から電圧を
印加させることで、パネル内のガスを放電させ、放電に
より生じた紫外線がＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体に照射され、そ
れぞれの蛍光体から発せられた赤、緑、青の可視光がフ
ロント板を透過し各セルはそれぞれの発色を示し、ディ
スプレイ画面全体に映像が写る。
【０００３】ここで、フロント板の保護膜は、放電ガス
内に次の放電の種となるイオンや電子が存在するとき、
なるべく低い電圧で次の放電が起こるように、イオンや
電子が膜に近づいた時、二次電子を放出しやすい材料が
選ばれる。図４に示すように、二次電子放出比が大きい
ほうが、雪崩現象で放電が生じやすいからである。特に
電子よりも寿命の長いイオンに対する二次電子放出比が
重要視されている。可視光を透過し、耐スパッタ性に優
れ、二次電子放出比の高い材料として、ＭｇＯ膜が従来
用いられてきた。
内に次の放電の種となるイオンや電子が存在するとき、
なるべく低い電圧で次の放電が起こるように、イオンや
電子が膜に近づいた時、二次電子を放出しやすい材料が
選ばれる。図４に示すように、二次電子放出比が大きい
ほうが、雪崩現象で放電が生じやすいからである。特に
電子よりも寿命の長いイオンに対する二次電子放出比が
重要視されている。可視光を透過し、耐スパッタ性に優
れ、二次電子放出比の高い材料として、ＭｇＯ膜が従来
用いられてきた。
【０００４】なお、イオンの衝撃でスパッタされ保護膜
は、徐々に薄くなるので、寿命を長くするため、通常５
００ｎｍ程度、蒸着などにより成膜されている。
は、徐々に薄くなるので、寿命を長くするため、通常５
００ｎｍ程度、蒸着などにより成膜されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＰＤＰ用保護膜
は、ＭｇＯ膜を用いることが多かったが、ＭｇＯ膜は膜
質のコントロールが難しく、さらなる二次電子放出比の
向上を図ることは困難であり、さらに高効率のＰＤＰを
実現するのは難しいという課題を有していた。
は、ＭｇＯ膜を用いることが多かったが、ＭｇＯ膜は膜
質のコントロールが難しく、さらなる二次電子放出比の
向上を図ることは困難であり、さらに高効率のＰＤＰを
実現するのは難しいという課題を有していた。
【０００６】本発明は、耐スパッタ性に優れ、二次電子
放出比の高い保護膜を安定に供給することにより、低電
圧化を図り、より高効率のＰＤＰ装置を実現することを
目的とする。
放出比の高い保護膜を安定に供給することにより、低電
圧化を図り、より高効率のＰＤＰ装置を実現することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄いＭｇＯ膜
などを異なる材料薄膜を積層することにより、結晶成長
が抑制された結晶粒界の小さい薄いＭｇＯ膜等、耐スパ
ッタ性に優れ、二次電子放出比の高い保護膜を形成し、
二次電子放出比の向上を図り、高効率のＰＤＰ装置を実
現する。
などを異なる材料薄膜を積層することにより、結晶成長
が抑制された結晶粒界の小さい薄いＭｇＯ膜等、耐スパ
ッタ性に優れ、二次電子放出比の高い保護膜を形成し、
二次電子放出比の向上を図り、高効率のＰＤＰ装置を実
現する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、異なる材料の薄膜を積層させることで結晶成長を抑
制し結晶粒界が小さい薄膜を実現した保護膜であり、下
地膜の影響を受け、絶えず結晶成長が抑制され小さな結
晶粒しか成長しないため、二次電子放出比が高くなると
いう作用を有する。
は、異なる材料の薄膜を積層させることで結晶成長を抑
制し結晶粒界が小さい薄膜を実現した保護膜であり、下
地膜の影響を受け、絶えず結晶成長が抑制され小さな結
晶粒しか成長しないため、二次電子放出比が高くなると
いう作用を有する。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
ＰＤＰ用保護膜において、少なくとも一方の薄膜は、保
護膜の全膜厚に比べ、十分に薄い膜であり、十分に薄い
薄膜は結晶成長が抑制され小さな結晶粒しか成長しない
ため、二次電子放出比が高くなるという作用を有する。
ＰＤＰ用保護膜において、少なくとも一方の薄膜は、保
護膜の全膜厚に比べ、十分に薄い膜であり、十分に薄い
薄膜は結晶成長が抑制され小さな結晶粒しか成長しない
ため、二次電子放出比が高くなるという作用を有する。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＰＤＰ用保護膜において、少なくとも
一方の薄膜は、ＭｇＯ膜であり、結晶成長が抑制され小
さな結晶粒しか成長しないため、二次電子放出比が高い
という作用を有する。
請求項２に記載のＰＤＰ用保護膜において、少なくとも
一方の薄膜は、ＭｇＯ膜であり、結晶成長が抑制され小
さな結晶粒しか成長しないため、二次電子放出比が高い
という作用を有する。
【００１１】請求項４に記載の発明はＰＤＰ用保護膜に
おいて、ＭｇＯ膜ではない大気に対して安定な膜が最表
面に成膜するもので、ＭｇＯ膜より大気に対して化学的
に安定であるため、取り扱いが容易となるという作用を
有する。
おいて、ＭｇＯ膜ではない大気に対して安定な膜が最表
面に成膜するもので、ＭｇＯ膜より大気に対して化学的
に安定であるため、取り扱いが容易となるという作用を
有する。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項３または
請求項４に記載のＰＤＰ用保護膜において、ＭｇＯ膜で
はない他方の膜は、スピネル型に属する材料であり、一
般に二次電子放出比が高いＭｇＯと比較的二次電子放出
比が高いスピネルの結晶型に属する材料がスパッタによ
り交互に積層し、かつ双方の結晶成長が抑制され小さな
結晶粒しか成長しないため、寿命が尽きるまで二次電子
放出比が高くなるという作用を有する。
請求項４に記載のＰＤＰ用保護膜において、ＭｇＯ膜で
はない他方の膜は、スピネル型に属する材料であり、一
般に二次電子放出比が高いＭｇＯと比較的二次電子放出
比が高いスピネルの結晶型に属する材料がスパッタによ
り交互に積層し、かつ双方の結晶成長が抑制され小さな
結晶粒しか成長しないため、寿命が尽きるまで二次電子
放出比が高くなるという作用を有する。
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至３
のいずれかに記載のＰＤＰ用保護膜において、薄膜は、
ＭｇＯ膜とＳｒＧｄ2Ｏ4膜を交互に積層したもので、ス
ピネル型の中でも、二次電子放出比が高いことが知られ
ているＳｒＧｄ2Ｏ4とＭｇＯがスパッタにより交互に積
層し、かつ双方が、結晶成長が抑制され小さな結晶粒し
か成長しないため、保護膜がスパッタされて無くなり、
ＰＤＰが機能しなくなるまで（寿命が尽きるまで）、二
次電子放出比が高くなるという作用を有する。
のいずれかに記載のＰＤＰ用保護膜において、薄膜は、
ＭｇＯ膜とＳｒＧｄ2Ｏ4膜を交互に積層したもので、ス
ピネル型の中でも、二次電子放出比が高いことが知られ
ているＳｒＧｄ2Ｏ4とＭｇＯがスパッタにより交互に積
層し、かつ双方が、結晶成長が抑制され小さな結晶粒し
か成長しないため、保護膜がスパッタされて無くなり、
ＰＤＰが機能しなくなるまで（寿命が尽きるまで）、二
次電子放出比が高くなるという作用を有する。
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項６記載の
ＰＤＰ用保護膜において、ＭｇＯがＳｒＧｄ2Ｏ4より厚
く成膜されているので、二次電子放出比の最も高い結晶
粒の小さいＭｇＯがより長時間出現するため、寿命が尽
きるまで二次電子放出比が高くなるという作用を有す
る。
ＰＤＰ用保護膜において、ＭｇＯがＳｒＧｄ2Ｏ4より厚
く成膜されているので、二次電子放出比の最も高い結晶
粒の小さいＭｇＯがより長時間出現するため、寿命が尽
きるまで二次電子放出比が高くなるという作用を有す
る。
【００１５】請求項８に記載の発明は、請求項４および
請求項６記載のＰＤＰ用保護膜において、最表面をＳｒ
Ｇｄ2Ｏ4膜としたことで、ＭｇＯ膜より大気に対して化
学的に安定であるために、取り扱いが容易となるという
作用を有する。
請求項６記載のＰＤＰ用保護膜において、最表面をＳｒ
Ｇｄ2Ｏ4膜としたことで、ＭｇＯ膜より大気に対して化
学的に安定であるために、取り扱いが容易となるという
作用を有する。
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項５記載の
ＰＤＰ用保護膜において、スピネル型に属する材料の薄
膜は、ＢｓＧｄ2Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4のい
ずれかであるもので、結晶成長が抑制され小さな結晶粒
しか成長しないため、寿命の全域において二次電子放出
比が高くなるという作用を有する。
ＰＤＰ用保護膜において、スピネル型に属する材料の薄
膜は、ＢｓＧｄ2Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4のい
ずれかであるもので、結晶成長が抑制され小さな結晶粒
しか成長しないため、寿命の全域において二次電子放出
比が高くなるという作用を有する。
【００１７】請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至
９のいずれかに記載のＰＤＰ用保護膜を用いたＰＤＰ装
置であり、二次電子放出比の高い保護膜をが、従来より
高効率のＰＤＰ装置が実現できるという作用を有する。
９のいずれかに記載のＰＤＰ用保護膜を用いたＰＤＰ装
置であり、二次電子放出比の高い保護膜をが、従来より
高効率のＰＤＰ装置が実現できるという作用を有する。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について図を用
いて説明する。 （実施の形態１）本発明のＰＤＰのパネル構造は、従来
技術で説明した図３のパネル構造とほぼ同様であり、保
護膜３０４の成膜方法が異なるもので、異なる保護膜の
成膜方法について以下に説明する。なお、異なる材料の
薄膜として、ＭｇＯとＳｒＧｄ2Ｏ4を一例として説明す
る。
いて説明する。 （実施の形態１）本発明のＰＤＰのパネル構造は、従来
技術で説明した図３のパネル構造とほぼ同様であり、保
護膜３０４の成膜方法が異なるもので、異なる保護膜の
成膜方法について以下に説明する。なお、異なる材料の
薄膜として、ＭｇＯとＳｒＧｄ2Ｏ4を一例として説明す
る。
【００１９】図１は、本発明の保護膜の構造例を示すも
ので、フロント板１００に形成された誘電体１０１上に
ＭｇＯ膜１０２とＳＧＯ（ＳｒＧｄ2Ｏ4）膜１０３が交
互に積層され、さらにＭｇＯ膜１０２が厚く成膜されて
いる保護膜を示している。図１において、交互に成膜さ
れた保護膜は、お互いにそれぞれの結晶成長を抑制する
という作用を有し、その結果、結晶粒が小さくなり、二
次電子放出比の高い保護膜を実現できるというものであ
る。
ので、フロント板１００に形成された誘電体１０１上に
ＭｇＯ膜１０２とＳＧＯ（ＳｒＧｄ2Ｏ4）膜１０３が交
互に積層され、さらにＭｇＯ膜１０２が厚く成膜されて
いる保護膜を示している。図１において、交互に成膜さ
れた保護膜は、お互いにそれぞれの結晶成長を抑制する
という作用を有し、その結果、結晶粒が小さくなり、二
次電子放出比の高い保護膜を実現できるというものであ
る。
【００２０】次に、保護膜の成膜方法について、詳細に
説明する。成膜装置には、電子ビーム蒸着装置を用いる
ものとする。ターゲット材として、数ｍｍの粒径のＭｇ
Ｏ（タテホ製ＳＳＣ＃７）を均一にハースに入れ、ブロ
ック状のＳｒＧｄ2Ｏ4を異なるハースに入れておく。
説明する。成膜装置には、電子ビーム蒸着装置を用いる
ものとする。ターゲット材として、数ｍｍの粒径のＭｇ
Ｏ（タテホ製ＳＳＣ＃７）を均一にハースに入れ、ブロ
ック状のＳｒＧｄ2Ｏ4を異なるハースに入れておく。
【００２１】それぞれの、電子ビーム蒸着の条件は例え
ばＭｇＯで、蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃパワー約０．
４５ｋＷ 、ＳｒＧｄ2Ｏ4で蒸着測度０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃパワー約２．１ｋＷに設定する。そして、基板を所定
の温度（例えば２５０℃）に保ったまま、ハースをＭｇ
Ｏに電子ビームが当たるように設定し、第１層にＭｇＯ
を例えば１００ｎｍ成膜し、一度シャッターを閉じて電
子ビームの出力を落とす。
ばＭｇＯで、蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃパワー約０．
４５ｋＷ 、ＳｒＧｄ2Ｏ4で蒸着測度０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃパワー約２．１ｋＷに設定する。そして、基板を所定
の温度（例えば２５０℃）に保ったまま、ハースをＭｇ
Ｏに電子ビームが当たるように設定し、第１層にＭｇＯ
を例えば１００ｎｍ成膜し、一度シャッターを閉じて電
子ビームの出力を落とす。
【００２２】次に、ハースをＳｒＧｄ2Ｏ4に交換して、
第２層のＳｒＧｄ2Ｏ4を例えば、５０ｎｍ成膜し、再度
シャッターを閉じて電子ビームの出力を落とす。さら
に、ハースをＭｇＯに交換して、第３層のＭｇＯを１０
０ｎｍ成膜するという操作を繰り返し合計の膜厚が５０
０ｎｍ程度になるように成膜する。
第２層のＳｒＧｄ2Ｏ4を例えば、５０ｎｍ成膜し、再度
シャッターを閉じて電子ビームの出力を落とす。さら
に、ハースをＭｇＯに交換して、第３層のＭｇＯを１０
０ｎｍ成膜するという操作を繰り返し合計の膜厚が５０
０ｎｍ程度になるように成膜する。
【００２３】成膜装置には、電子ビーム蒸着装置を用い
る場合について説明したが、例えばスパッタリング装
置、イオンプレーティング装置等の他の成膜装置を用い
ても可能である。
る場合について説明したが、例えばスパッタリング装
置、イオンプレーティング装置等の他の成膜装置を用い
ても可能である。
【００２４】以上の説明では、ＭｇＯとＳｒＧｄ2Ｏ4が
交互に成膜され、さらにＭｇＯがＳｒＧｄ2Ｏ4より厚く
成膜されている保護膜の構造例を示したが、ＭｇＯとそ
の他の結晶型がスピネル型である材料の薄膜として、例
えば、ＢｓＧｄ2Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4等の
いずれかを交互に積層し、保護膜を成膜しても良い。
交互に成膜され、さらにＭｇＯがＳｒＧｄ2Ｏ4より厚く
成膜されている保護膜の構造例を示したが、ＭｇＯとそ
の他の結晶型がスピネル型である材料の薄膜として、例
えば、ＢｓＧｄ2Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4等の
いずれかを交互に積層し、保護膜を成膜しても良い。
【００２５】また、異なる材料の薄膜を交互に積層した
保護膜として、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯと、Ｍ
ｇＦ2、ＣａＦ2、ＳｒＦ2や、Ｌａ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3等を
組み合わせても同様な保護膜を成膜することができる。
保護膜として、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯと、Ｍ
ｇＦ2、ＣａＦ2、ＳｒＦ2や、Ｌａ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3等を
組み合わせても同様な保護膜を成膜することができる。
【００２６】本発明は、異なる材料の薄膜を交互に積層
させることにより、お互いに下地膜の影響を受け、絶え
ず結晶成長が抑制され結晶粒が小さいので、その結果二
次電子放出比が高くなるというものであり、二次電子放
出比の高い保護膜を意図的に成膜することが本発明の目
的である。
させることにより、お互いに下地膜の影響を受け、絶え
ず結晶成長が抑制され結晶粒が小さいので、その結果二
次電子放出比が高くなるというものであり、二次電子放
出比の高い保護膜を意図的に成膜することが本発明の目
的である。
【００２７】図２は、Ｐｔの二次電子放出比を０と仮定
したときのＭｇＯ膜の二次電子放出比の膜厚の依存性を
示したものである。図２に示すように、膜厚の薄いＭｇ
Ｏ膜で、二次電子放出比が高いことを見出した。図２で
示されるように、ＭｇＯ膜は、膜厚に二次電子放出比が
依存し、膜厚が１００ｎｍ程度以下では小さな結晶粒し
か成長しないため、二次電子放出比が高くなることか
ら、従来のＭｇＯ膜のみを保護膜の膜厚５００ｎｍ程度
に成膜した結晶粒が成長した保護膜より二次電子放出比
が高くなるものと考えられる。
したときのＭｇＯ膜の二次電子放出比の膜厚の依存性を
示したものである。図２に示すように、膜厚の薄いＭｇ
Ｏ膜で、二次電子放出比が高いことを見出した。図２で
示されるように、ＭｇＯ膜は、膜厚に二次電子放出比が
依存し、膜厚が１００ｎｍ程度以下では小さな結晶粒し
か成長しないため、二次電子放出比が高くなることか
ら、従来のＭｇＯ膜のみを保護膜の膜厚５００ｎｍ程度
に成膜した結晶粒が成長した保護膜より二次電子放出比
が高くなるものと考えられる。
【００２８】しかし、実用面では、薄いＭｇＯ膜を保護
膜として使用できないため、本発明では薄いＭｇＯ膜の
膜質を意図的に作り出すことで二次電子放出比を向上さ
せようとするものである。薄いＭｇＯ膜の膜質は、下地
基板の影響により結晶成長が抑制され結晶粒が小さく、
このために、高い二次電子放出比を実現することができ
る。（表１）は、各種保護膜とその性質について示した
もので、本発明の異なる材料の薄膜を交互に積層した保
護膜が二次電子放出比γ値及び耐スパッタ性とも優れた
保護膜であることがわかる。
膜として使用できないため、本発明では薄いＭｇＯ膜の
膜質を意図的に作り出すことで二次電子放出比を向上さ
せようとするものである。薄いＭｇＯ膜の膜質は、下地
基板の影響により結晶成長が抑制され結晶粒が小さく、
このために、高い二次電子放出比を実現することができ
る。（表１）は、各種保護膜とその性質について示した
もので、本発明の異なる材料の薄膜を交互に積層した保
護膜が二次電子放出比γ値及び耐スパッタ性とも優れた
保護膜であることがわかる。
【００２９】
【表１】
【００３０】なお、異なる材料の薄膜を交互に積層した
保護膜を成膜する際に、ＭｇＯ膜ではない他方の膜であ
るスピネル型に属する材料（ＳｒＧｄ2Ｏ4、ＢｓＧｄ2
Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4）を最表面に成膜す
ることにより、ＭｇＯ膜より大気に対して化学的に安定
であるためにパネルの製造工程での取り扱いが容易とな
る。
保護膜を成膜する際に、ＭｇＯ膜ではない他方の膜であ
るスピネル型に属する材料（ＳｒＧｄ2Ｏ4、ＢｓＧｄ2
Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4）を最表面に成膜す
ることにより、ＭｇＯ膜より大気に対して化学的に安定
であるためにパネルの製造工程での取り扱いが容易とな
る。
【００３１】以上のように、異なる材料の薄膜を積層さ
せたＰＤＰ用保護膜を用いて、図３に示すようなＰＤＰ
パネルを構成することで、高効率なＰＤＰ装置を供給す
ることができる。
せたＰＤＰ用保護膜を用いて、図３に示すようなＰＤＰ
パネルを構成することで、高効率なＰＤＰ装置を供給す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、異なる材
料の薄膜を積層した保護膜を成膜することにより、耐ス
パッタ性に優れ、二次電子放出比の高い保護膜を成膜す
ることができる。
料の薄膜を積層した保護膜を成膜することにより、耐ス
パッタ性に優れ、二次電子放出比の高い保護膜を成膜す
ることができる。
【００３３】また、異なる材料の薄膜を交互に積層させ
たＰＤＰ用保護膜を用いることにより、高効率のＰＤＰ
装置を実現することができる。
たＰＤＰ用保護膜を用いることにより、高効率のＰＤＰ
装置を実現することができる。
【図１】本発明の保護膜の構造図
【図２】ＭｇＯ膜の二次電子放出特性の膜厚依存性を示
す図
す図
【図３】ＰＤＰパネルの構造図
【図４】放電の様子を示した図
１００ フロント板 １０１ 誘電体 １０２ ＭｇＯ膜 １０３ ＳＧＯ膜 ３０１ フロント板 ３０２ 背面板 ３０３ 誘電体（電極） ３０４ 保護膜 ３０５ リブ ３０６ 蛍光体 ３０７ 電極
Claims (10)
- 【請求項１】 異なる材料の薄膜を、積層させることで
結晶成長を抑制し結晶粒界が小さいことを特徴とするＰ
ＤＰ用保護膜。 - 【請求項２】 少なくとも一方の薄膜は、保護膜の全膜
厚に比べ、十分に薄い膜であることを特徴とする請求項
１記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項３】 少なくとも一方の薄膜は、ＭｇＯ膜であ
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＰＤ
Ｐ用保護膜。 - 【請求項４】 ＭｇＯ膜ではない他方の膜を、最表面に
成膜することを特徴と請求項３記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項５】 ＭｇＯ膜ではない他方の膜は、スピネル
型に属する材料であることを特徴とする請求項３または
請求項４記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項６】 薄膜は、ＭｇＯ膜とＳｒＧｄ2Ｏ4膜を交
互に積層したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項７】 ＭｇＯ膜は、ＳｒＧｄ2Ｏ4膜より厚く成
膜することを特徴とする請求項６記載のＰＤＰ用保護
膜。 - 【請求項８】 最表面にＳｒＧｄ2Ｏ4膜を成膜すること
を特徴とする請求項４記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項９】 スピネル型に属する材料の薄膜は、Ｂｓ
Ｇｄ2Ｏ4、ＣａＬａ2Ｏ4、ＭｇＡｌ2Ｏ4のいずれかであ
ることを特徴とする請求項５記載のＰＤＰ用保護膜。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載のＰ
ＤＰ用保護膜を用いたＰＤＰ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25074898A JP2000082404A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Ｐｄｐ用保護膜およびそれを用いたｐｄｐ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25074898A JP2000082404A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Ｐｄｐ用保護膜およびそれを用いたｐｄｐ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082404A true JP2000082404A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17212461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25074898A Pending JP2000082404A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Ｐｄｐ用保護膜およびそれを用いたｐｄｐ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000082404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009140617A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tateho Chem Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム蒸着材及び保護膜 |
| JP2010501996A (ja) * | 2006-10-30 | 2010-01-21 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 保護膜及びその形成方法 |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP25074898A patent/JP2000082404A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010501996A (ja) * | 2006-10-30 | 2010-01-21 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 保護膜及びその形成方法 |
| JP2009140617A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tateho Chem Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム蒸着材及び保護膜 |
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