JP2000076971A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents

合金型温度ヒュ−ズ

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JP2000076971A
JP2000076971A JP10264024A JP26402498A JP2000076971A JP 2000076971 A JP2000076971 A JP 2000076971A JP 10264024 A JP10264024 A JP 10264024A JP 26402498 A JP26402498 A JP 26402498A JP 2000076971 A JP2000076971 A JP 2000076971A
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vinyl acetate
alloy piece
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Yoshito Hamada
好人 浜田
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Uchihashi Estec Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】合金型温度ヒュ−ズにおいて、ヒ−トサイクル
に曝されても低融点可溶合金片上のフラックス層のクラ
ック発生を確実に防止し得、しかも、温度ヒュ−ズ作動
まえの平常時の最高許容温度のもとでもフラックス層を
安定に保持し得て本来の作動を確実・迅速に行わせる。 【解決手段】低融点可溶合金片2をヒュ−ズエレメント
とし、該低融点可溶合金片にフラックス3を塗布した温
度ヒュ−ズにおいて、フラックス3にエチレン・酢酸ビ
ニル共重合体を添加した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は合金型温度ヒュ−ズに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】合金型温度ヒュ−ズでは、フラックスを
塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントに使用
している。この合金型温度ヒュ−ズは保護しようとする
電気機器に取付けて使用される。而して、当該機器が過
電流により発熱すると、その発生熱により低融点可溶合
金片が溶融され、溶融金属が表面張力によりリ−ド線端
を核として球状化され、この球状化の進行により分断さ
れ、この分断後の球状化の更なる進行により分断間距離
がア−ク消滅距離に達し、ア−クの消滅により通電遮断
が確実に終結される。かくして、通電遮断により機器の
異常発熱、ひいては火災の発生を未然に防止している。
【0003】この場合、低融点可溶合金片の表面に酸化
皮膜が存在すると、所定温度(融点)のもとでの低融点
可溶合金片の溶断が生じ難くなって誤作動の原因とな
り、また、溶融金属のリ−ド線端に対する濡れ性が悪い
と、溶融金属の球状化分断が生じ難くなって作動性の低
下が余儀なくされる。
【0004】而るに、低融点可溶合金片に塗布されたフ
ラックスにおいては、低融点可溶合金片をケ−ス内空気
から遮断して低融点可溶合金片の酸化を防止し、また、
たとえ、低融点可溶合金片の表面に多少の酸化皮膜が存
在しても、加熱溶融フラックスがその酸化皮膜を溶解
し、更に、溶融フラックスが溶融金属のリ−ド線端への
濡れを促進するから、当該フラックスは、合金型温度ヒ
ュ−ズの所定温度のもとでの迅速な作動保証に不可欠な
構成要素である。
【0005】プリント回路基板においては、電子部品の
実装後、はんだ付け部の信頼性確認のためにヒ−トサイ
クル試験を行っている。
【0006】従来、プリント回路基板の実装において
は、合金型温度ヒュ−ズの低融点可溶合金片が他の電子
部品に較べてリ−ド線を伝うはんだ熱により損傷し易
く、他の電子部品と同等の条件でフロ−またはリフロ−
はんだ付けすることが危険であるので、合金型温度ヒュ
−ズの実装は行われていなかったが、最近ではリ−ド線
にはんだ熱の伝達をよく抑え得る銅めっき鉄鋼線を使用
したり、ヒ−トシンクを設けたりしてプリント回路基板
に合金型温度ヒュ−ズを他の電子部品と共に実装するこ
とが提案されている。この場合、合金型温度ヒュ−ズに
も、上記のヒ−トサイクル試験に耐えることが要求され
るが、従来の合金型温度ヒュ−ズではヒ−トサイクルに
曝すとフラックス層にクラックが発生する畏れがある。
【0007】かかるクラックの発生した温度ヒュ−ズで
は、ケ−ス内の空気がフラックス層のクラックの間隙を
経て低融点可溶合金片表面に接触し、該表面が酸化し、
温度ヒュ−ズの作動特性の低下が懸念される。
【0008】そこで本出願人においては、「低融点可溶
合金片をヒュ−ズエレメントとし該低融点可溶合金片に
フラックスを塗布した温度ヒュ−ズにおいて、フラック
スに、ヒ−トサイクルに対するクラック抑制剤として不
飽和脂肪酸アミドを添加すること」を既に提案した(特
開平8−77899号公報)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この不
飽和脂肪酸アミドを添加したフラックスでは、融点が1
45℃もの高温の低融点可溶合金片の場合、平常時に許
容される最高温度(前記145℃に対して20〜25℃
低い温度)のもとでフラックス層が軟化流動して流出し
てしまい、機器が異常発熱してヒュ−ズエレメントが融
点に達しても、フラックス層が流出して不在となってい
るため溶融低融点可溶合金の上記球状化が妨げられてヒ
ュ−ズエレメントの迅速な分断を保証し難い。
【0010】本発明の目的は、合金型温度ヒュ−ズにお
いて、ヒ−トサイクルに曝されても低融点可溶合金片上
のフラックス層のクラック発生を確実に防止し得、しか
も、温度ヒュ−ズ作動まえの平常時の最高許容温度のも
とでもフラックス層を安定に保持し得て本来の作動を確
実・迅速に行わせ得る温度ヒュ−ズを提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る合金型温度
ヒュ−ズは、低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントと
し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布した温度ヒ
ュ−ズにおいて、フラックスにエチレン・酢酸ビニル共
重合体を添加したことを特徴とする構成であり、融点ま
たは固相線温度が100℃以上の低融点可溶合金片に対
しては、メルトフロ−レ−トが500g/min〜1000g
/minのエチレン・酢酸ビニル共重合体が使用され、融点
または固相線温度が100℃以下の低融点可溶合金片に
対しては、メルトフロ−レ−トが1000g/min〜20
00g/minのエチレン・酢酸ビニル共重合体が使用され
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図1は本発明に係る筒型
ケ−スタイプの合金型温度ヒュ−ズの実施例を示す図面
である。図1において、1,1は一直線状に配設したリ
−ド線、2はリ−ド線1,1間に臘接または溶接により
接続した低融点可溶合金片である。3は低融点可溶合金
片2に塗布したフラックスであり、松脂等のロジンにエ
チレン・酢酸ビニル共重合体と活性剤〔有機アミンのハ
ロゲン化水素酸塩(例えば、シクロヘキシルアミンHB
r、アニリン塩酸塩、ヒドラジン塩酸塩等)、有機酸
(例えば、パルミチン酸、セバシン酸等)、有機酸と有
機アミンとの塩(例えば、トリブチルアミンのアジピン
酸塩、ジエチルアミンのコハク酸塩等)〕を添加してあ
る。4はフラックス塗布低融点可溶合金片上に被せたセ
ラミックス筒である。5,5はセラミックス筒両端の各
端と各リ−ド線(鉄鋼線、銅被覆鉄鋼線、銅線等の裸線
または絶縁被覆線等が使用される)との間を封止した接
着剤、例えば、常温硬化性のエポキシ樹脂である。
【0013】図2は本発明に係る扁平ケ−スタイプの合
金型温度ヒュ−ズの実施例を示す図面である。図2にお
いて、1,1は互いに並設したリ−ド線、2はリ−ド線
1,1間に臘接または溶接により接続した低融点可溶合
金片である。3は低融点可溶合金片2に塗布したフラッ
クスであり、上記と同様、松脂等のロジンにエチレン・
酢酸ビニル共重合体と活性剤を添加してある。41はフ
ラックス塗布低融点可溶合金片上に被せた、一端にのみ
開口を有する扁平な絶縁ケ−ス(アルミナセラミック
ス、フエノ−ル樹脂等のプラスチック)である。5は絶
縁ケ−スの開口とリ−ド線1,1(通常、裸銅線または
絶縁被覆銅線が使用される)との間を封止した常温硬化
性のエポキシ樹脂である。
【0014】図3は本発明に係る基板タイプの合金型温
度ヒュ−ズの実施例を示す図面である。図3において、
40はセラミックス基板(通常、アルミナセラミックス
が使用される)である。11,11はセラミックス基板
の片面に設けた一対の膜電極であり、導電ペ−ストの印
刷・焼付けによる厚膜法や金属蒸着や電着法等の薄膜法
等により設けることができる。2は膜電極11,11間
に臘接または溶接により接続された低融点可溶合金片で
ある。3は低融点可溶合金片に塗布したフラックスであ
り、上記と同様、松脂等のロジンにエチレン・酢酸ビニ
ル共重合体と活性剤を添加してある。1,1は各膜電極
11,11に臘接または溶接により接続されたリ−ド線
である。50はセラミックス基板40の片面上に被覆し
たエポキシ樹脂であり、上記と同様、常温硬化性であ
る。
【0015】この図3に示す実施例に対し、セラミック
ス基板の裏面に抵抗取付け用膜電極を設け、これらの電
極間にまたがって膜抵抗体を抵抗ペ−ストの印刷・焼付
けにより設け、これらの各電極にリ−ド線を接続し、上
記エポキシ樹脂をセラミックス基板の両面を含めた全体
に被覆して、基板型抵抗・温度ヒュ−ズとすることもで
きる。
【0016】また、図4に示す基板型抵抗・温度ヒュ−
ズのように、セラミックス基板(通常、アルミナセラミ
ックスが使用される)40の片面に、抵抗取付け用膜電
極121とヒュ−ズエレメント取付用膜電極122を導
電ペ−ストの印刷・焼付け等により設け、膜電極12
1,121間に膜抵抗体6を抵抗ぺ−ストの印刷・焼付
け等により設け、他の膜電極122,122間に低融点
可溶合金片2を接続し、該低融点可溶合金片2上にフラ
ックス3(上記と同様、松脂等のロジンにエチレン・酢
酸ビニル共重合体と活性剤を添加してある)を塗布し、
各膜電極にリ−ド線1,…を接続し、セラミックス基板
片面に、上記と同様、常温硬化性のエポキシ樹脂材50
を被覆することもできる。
【0017】上記フラックスにおけるエチレン・酢酸ビ
ニル共重合体の添加量は、ロジン100重量部に対しエ
チレン・酢酸ビニル共重合体10〜100重量部とする
ことが好ましい。10重量部未満の添加量ではヒ−トサ
イクル下でのフラックス層のクラック発生防止を全うし
難く、100重量部を越えるとフラックス中の活性剤及
びロジンの割合が減少してフラックス全体の活性力が不
足するからである。
【0018】上記エチレン・酢酸ビニル共重合体には、
メルトフロ−レ−トが500g/min〜2000g/minのも
のが使用される。500g/min未満では、低融点可溶合
金片の溶融時にフラックスの流動性が低くなって溶融合
金の上記した球状化分断が遅れ、2000g/minを越え
ると、作動前の平常時許容温度の高温領域に曝されたと
きにフラックス層が軟化流動して消失し易くなるからで
ある。
【0019】本発明において、低融点可溶合金片の融点
または溶け始め温度である固相線温度が100℃以上の
場合、エチレン・酢酸ビニル共重合体にはメルトフロ−
レ−ト500g/min〜1000g/minのものを使用し、低
融点可溶合金片の融点または溶け始め温度である固相線
温度が100℃以下の場合、エチレン・酢酸ビニル共重
合体にはメルトフロ−レ−ト1000g/min〜2000g
/minのものを使用することが好ましい。
【0020】上記メルトフロ−レ−トは、JISK72
10−1976に基づき測定され、内径φ9.50±.
03mmの貫通孔を有し、その孔の下端に内径φ2.0
95±0.005mmのダイを装着したヒ−タ付きシリ
ンダ−の孔に試料を充填し、上端に錘を取り付けたピス
トンの下端部を上記の孔に挿入する試験装置にを使用し
て、錘の重量325gf{3.185N}とし、試験温
度を125℃としたときの10分間における押出量エチ
レン・酢酸ビニル共重合体(g)を測定し、エチレン・
酢酸ビニル共重合体g/10分から求められる。
【0021】既述した通りプリント回路板に要求される
耐ヒ−トサイクル性能は、通常−25℃30分、+70
℃分を1サイクルとして1000サイクルである。而る
に、本発明に係る合金型温度ヒュ−ズにおいては、フラ
ックスに添加したエチレン・酢酸ビニル共重合体が酢酸
ビニル基のためにゴム弾性を呈して応力を吸収する機能
を有するから、応力に対し分子鎖が破断し難く、前記ヒ
−トサイクルに対しクラックの発生をよく防止できる。
従って、ヒ−トサイクルに曝されても、フラックス層を
クラックの発生なく安定に維持できる。また、フラック
スの主成分であるロジンとエチレン・酢酸ビニル共重合
体とがよく相溶し、しかも軟化流動点も近似しているの
で、エチレン・酢酸ビニル共重合体の添加無しのフラッ
クスの流動性をよく維持でき、作動前の平常時許容温度
の高温領域に曝されても(例えば、作動温度145℃の
場合の機器の許容温度領域の最高温度は125℃程度)
フラックス層の軟化流動による消失をよく防止でき、低
融点可溶合金片の溶融開始時にフラックスを確実に保持
させてそのフラックス作用により溶融合金の球状化をよ
く促し得、そのフラックスの維持された優れた流動性の
ためにその球状化分断を迅速に生じさせ得る。従って、
合金型温度ヒュ−ズの正常な作動性を確実に保証でき
る。
【0022】本発明に使用するエチレン・酢酸ビニル共
重合体の酢酸ビニル含有量は20〜40%とすることが
好ましい(20%以下ではゴム的性質が低下し、、40
%以上では粘着性が増して溶融合金の球状化分断時のフ
ラックス流動性が低下する)。
【0023】本発明に係る温度ヒュ−ズのフラックス層
は、フラックスを揮発温度の比較的低い溶剤、例えばト
ルエン、キシレン等で溶解し、このフラックス溶液を低
融点可溶合金片に塗布し、溶剤を乾燥除去することによ
り形成できる。
【0024】
【実施例】実施例及び比較例の何れにおいても、合金型
温度ヒュ−ズには、図1に示す筒型ケ−スタイプを使用
し、リ−ド線1,1には、外径0.5mmの銅線を使用
し、低融点可溶合金片2には外径0.5mm、長さ3.
0mm、融点145℃の低融点合金(Sn:50重量
%、Pb:32重量%、Cd:18重量%の三元共晶合
金)を使用し、筒状ケ−ス4には内径1.4mm、長さ
10mmのセラミックス筒を使用し、筒状ケ−スの各端
と各リ−ド線との間を常温硬化エポキシ樹脂5で封止し
た。
【0025】〔実施例1〕ロジン100重量部、シクロ
ヘキシルアミンHBr3重量部(活性剤)、パルミチン
酸10重量部(活性剤)、セバシン酸5重量部(活性
剤)、メルトフロ−レ−ト1000g/minのエチレン・
酢酸ビニル共重合体50重量部を溶剤で溶解混合し、こ
の溶液を低融点可溶合金片上に塗布し、溶剤を飛散除去
してフラックス層を設けた。
【0026】〔比較例1〕実施例1に対し、エチレン・
酢酸ビニル共重合体の添加を省略した以外、実施例1に
同じとした。
【0027】〔比較例2〕実施例1に対し、エチレン・
酢酸ビニル共重合体50重量部の添加に代えオレイン酸
アミド2重量部を添加した以外、実施例1に同じとし
た。
【0028】これらの実施例及び比較例の各合金型温度
ヒュ−ズについて、−25℃30分間,+70℃30分
間を1サイクルとする通常のヒ−トサイクル試験を10
00回行い、解体のうえフラックス層のクラックの発生
の有無を調査したところ、実施例1及び比較例2ではク
ラックの発生が無かったのに対し、比較例1において
は、多数のクラックの発生が観られた。また、同様のヒ
−トサイクル試験後、温度ヒュ−ズの溶断速度を測定し
たところ(温度150℃のシリコンオイル中に浸漬後、
作動までの時間を測定)、実施例1及び比較例2に較
べ、比較例1はかなり低速であった。
【0029】また、実施例1及び比較例2の各合金型温
度ヒュ−ズについて、低融点可溶合金片の融点145℃
より20℃低い125℃のオ−ブンで垂直配置にて30
00時間加熱後、温度ヒュ−ズの溶断速度を測定したと
ころ、実施例1に較べ、比較例2は著しく低速であった
(ほぼ3秒程度の遅れであった)。
【0030】
【発明の効果】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズにおい
ては、電子部品実装プリント回路板に課せられるヒ−ト
サイクル試験に対し、低融点可溶合金片上のフラックス
層を亀裂させることなく健全に保持でき、また、エチレ
ン・酢酸ビニル共重合体の添加にもかかわらずフラック
スの流動特性をよく維持でき、更に作動前の平常時許容
温度の高温領域に曝されてもフラックスを安定に保持で
きると共に溶融合金の球状化分断時のフラックスの流動
性を充分に保持できるから、合金型温度ヒュ−ズを他の
電子部品と共にプリント回路板に実装したうえで過酷な
平常時の温度条件で使用ても、温度ヒュ−ズを正確・迅
速に作動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。
【図3】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。
【図4】本発明の上記とは別の実施例を示す図面であ
る。
【符号の説明】
2 低融点可溶合金片 3 フラックス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントと
    し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布した温度ヒ
    ュ−ズにおいて、フラックスにエチレン・酢酸ビニル共
    重合体を添加したことを特徴とする合金型温度ヒュ−
    ズ。
  2. 【請求項2】低融点可溶合金片の融点または固相線温度
    が100℃以上であり、エチレン・酢酸ビニル共重合体
    のメルトフロ−レ−トが500g/min〜1000g/minで
    ある請求項1記載の合金型温度ヒュ−ズ。
  3. 【請求項3】低融点可溶合金片の融点または固相線温度
    が100℃以下であり、エチレン・酢酸ビニル共重合体
    のメルトフロ−レ−トが1000g/min〜2000g/min
    である請求項1記載の合金型温度ヒュ−ズ。
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