JP2015079608A - 保護素子用ヒューズエレメント材およびそれを利用した回路保護素子 - Google Patents

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正泰 西川
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慎太郎 中島
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Abstract

【課題】表面実装型の回路保護素子において、ヒューズ動作温度が220℃以下でありながら耐リフロー性を具備した無鉛金属複合材からなる保護素子用ヒューズエレメント材を提供する。【解決手段】回路保護素子に搭載する無鉛金属複合材のヒューズエレメント材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材11と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材12とから成り、低融点金属材と金属構造材とを一体成形することで、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする保護素子用ヒューズエレメント材10,20,30,40,50。【選択図】図1

Description

本発明は、可融性の低融点金属材と、この低融点金属材に可溶性の金属構造材との金属複合材からなる保護素子用ヒューズエレメント材およびそれを利用した電気・電子機器の回路保護素子に関する。
近年、モバイル機器など小型電子機器の急速な普及に伴い、搭載する電源の保護回路に実装される保護素子も小型薄型のものが使用されている。例えば、二次電池パックの保護回路には、表面実装部品(SMD)の保護素子が好適に利用される。これらの保護素子には、被保護機器の過電流により生ずる過大発熱や過電圧などの異常状態を検知し、または周囲温度の異常過熱に感応して、所定条件でヒューズを作動させ電気回路を遮断する非復帰型保護素子がある。該保護素子は、機器の安全を図るために、保護回路が機器に生ずる異常を検知すると信号電流により抵抗素子を発熱させ、その発熱で可融性の合金材からなるヒューズエレメントを溶断させて回路を遮断するか、あるいは過電流によってヒューズエレメントを溶断させて回路を遮断できる。例えば、特許文献1および特許文献2には、異常時に発熱する抵抗素子をセラミックス基板などの絶縁基板上に設けた保護素子と、この保護素子を利用してLiイオン二次電池の過充電モードで電極表面に生成したデンドライトによる性能劣化などに起因する発火事故を防止する保護装置が開示されている。
従来、これら保護素子に適用されるヒューズエレメント材は、所定の溶融温度を有する単一の可融性合金からなり、抵抗素子付き絶縁基板上のパターン電極に溶融接合させて固着して利用される。この内、特にリードレスパッケージのチップ保護素子は、通常リフローはんだ付けを用いて外部の保護回路基板に表面実装されるため、保護素子のヒューズエレメント材には、240℃以上の作業温度に曝されても該ヒューズエレメントが溶断しないものを選定する必要があった。この場合、耐リフロー性を有する高温はんだ材には、Au−20Sn合金(280℃共晶)、Pb−10Sn合金(溶融温度268℃−301℃)、Zn−Al−Mg系合金(340℃共晶)などが考えられるが、Au−Sn合金は貴金属材料であり高価なため、所定の径や厚みを要するヒューズエレメント材には商業的に利用し難い。また、Zn−Al−Mg系合金などは溶融温度が高温であるため、動作温度帯が被保護回路の周辺部品の耐熱限度を超えてしまうおそれがあり、加えて合金自体も腐食しやすく長期信頼性が劣るため使用できない。従って、実用可能な耐リフロー性を具備する単一合金材は、Pbを85質量%以上含有したPb−Sn合金からなる高温はんだ材に限られるが、近時においては有毒な環境負荷物質のPb−Sn合金の使用は極力忌避すべき状況にある。また、保護素子の動作温度をFETジャンクション温度の125〜175℃により近い220℃以下で使用したい場合には、必然的に適用するヒューズエレメント材の溶融温度が前述したはんだ付け作業温度以下となりリフローはんだ付けを用いることができないので、該保護素子を後付け部品として別途取り付ける必要があり余分な工数が掛かってしまう。さらに後付け部品のためパッケージのリードレス化が難しいため、より多くの実装面積を要し好ましくない。
特開2008−112735号公報 特開2011−034755号公報
本発明は、上述の問題点を解消するために提案されたものであり、表面実装型の回路保護素子において、ヒューズ材溶融温度が220℃以下でありながら耐リフロー性を具備した無鉛金属複合材からなる保護素子用ヒューズエレメント材およびそれを利用した電気・電子機器の回路保護素子を提供することを目的とする。なお、本発明で無鉛の用語はPb、Cd、Hgなどの有害重金属類を、不可避不純物を除き含有しないという意味で用いる。
本発明によると、回路保護素子に搭載する無鉛金属複合材のヒューズエレメント材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において、溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、低融点金属材と金属構造材とを一体成形することで、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする保護素子用ヒューズエレメント材が提供される。該ヒューズエレメント材の低融点金属材と金属構造材とは互いに固着成形され、はんだ付け作業の熱で液相化した低融点金属材を該作業温度で固相の金属構造材で、一定時間溶断しないように界面張力を利用して付着させ支えて保持する。従って、少なくともはんだ付け作業の間、ヒューズエレメントの形状を維持してヒューズエレメント材がはんだ付け作業温度で誤動作するのを防止する。はんだ付けが完了し回路保護素子が被保護回路に実装されると、ヒューズエレメント材の金属構造材は、はんだ付けの熱で媒質である低融点金属材中に拡散または溶解され希薄化しているので、設置環境の異常過熱や内蔵する抵抗発熱素子のヒータ加熱により容易に消失し、以後溶断を妨げることなく動作するようになる。
本発明の第1の様態の保護素子用ヒューズエレメント材は、回路保護素子に搭載する無鉛金属複合材のヒューズエレメント材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、低融点金属材は、その表面の一部または全部を金属構造材で覆って、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を該作業温度で固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする保護素子用ヒューズエレメント材が提供される。該ヒューズエレメント材は、これを搭載した保護素子が外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業で誤動作しないように、はんだ付け作業温度で溶融する低融点金属材の表面を、難融性の金属構造材で予め被覆した金属複合材で構成される。ヒューズエレメント材を上記構成とすることで、このヒューズエレメント材を内蔵した回路保護素子は、リフローはんだ付けの際、その作業温度で易融性の低融点金属材が溶融しても、溶融状態の該低融点金属材に難融性の金属構造材が固体状態で表面を一定時間覆って支えて保持するので、少なくともはんだ付け作業の間、形状を維持してヒューズエレメント材がはんだ付け作業温度で誤動作するのを防止する。はんだ付けが完了し回路保護素子が被保護回路に実装されると、ヒューズエレメント材の金属構造材は、はんだ付けの熱で媒質である低融点金属材中に拡散または溶解され薄層化しているので、設置環境の異常過熱や内蔵する抵抗発熱素子のヒータ加熱により容易に消失し、以後溶断を妨げることなく動作するようになる。
さらに第1の様態のヒューズエレメント材を利用した回路保護素子が提供される。該回路保護素子は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続したヒューズエレメント材とを備え、ヒューズエレメント材は、この保護素子を外部回路板に実装するはんだ付け作業温度で溶融可能な易融性の低融点金属材の表面を、溶融した低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材で被覆して成る無鉛金属複合材を用いて、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする。該保護素子の絶縁基板には必要に応じて抵抗発熱素子を設ける。
本発明の第2の様態の保護素子用ヒューズエレメント材は、回路保護素子に搭載する無鉛金属複合材のヒューズエレメント材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、金属構造材は、その外周を低融点金属材で覆って、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を該作業温度で固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする保護素子用ヒューズエレメント材が提供される。該ヒューズエレメント材は、これを搭載した保護素子が外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業で誤動作しないように、はんだ付け作業温度で溶融しない難融性の金属構造材の外周を、該作業温度で溶融する低融点金属材で、予め被覆した金属複合材で構成される。ヒューズエレメント材を上記構成とすることで、このヒューズエレメント材を内蔵した回路保護素子は、リフローはんだ付けの際、その作業温度で易融性の低融点金属材が溶融しても、溶質である固相の金属構造材が、溶媒となる液相の低融点金属材に溶解するまでの間、溶融状態の低融点金属材を固体状態の金属構造材が一定時間支えて保持するので、少なくともはんだ付け作業の間、形状を維持してヒューズエレメント材がはんだ付け作業温度で誤動作するのを防止する。はんだ付けが完了し回路保護素子が被保護回路に実装されると、ヒューズエレメント材の金属構造材は、はんだ付けの熱で媒質である低融点金属材中に拡散または溶解され極細線化しているので、設置環境の異常過熱や内蔵する抵抗発熱素子のヒータ加熱により容易に消失し、以後溶断を妨げることなく動作するようになる。
さらに、第2の様態のヒューズエレメント材を利用した回路保護素子が提供される。該回路保護素子は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続したヒューズエレメント材とを備え、ヒューズエレメント材は、無鉛金属複合材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、金属構造材の外周を低融点金属材で被覆した金属複合材を用いて、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材を固相の金属構造材ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする。該保護素子の絶縁基板には必要に応じて抵抗発熱素子を設ける。
本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材は、低融点金属材と金属構造材とを固着し一体成形することで、液相化した低融点金属材を固相の金属構造材で該はんだ付け作業が終わるまで一定時間溶断しないように固−液界面の濡れを利用して付着させ支えて保持する。従って、少なくともはんだ付け作業の間、ヒューズエレメントの形状を維持してヒューズエレメント材がはんだ付け作業温度で誤動作するのを防止できる。
また、本発明に係る無鉛金属複合材の保護素子用ヒューズエレメント材を搭載した回路保護素子は、他の表面実装部品と共に被保護回路板にマウントでき、リフロー工法などの一括はんだ付け実装が可能となる。該回路保護素子は、動作温度が220℃以下のヒューズエレメント材を搭載しながら、赤外線方式、熱風方式、VPS(ベーパーフェーズソルダリング)方式を含む各種リフロー炉、高温バッチ炉、温風ヒータ、ホットプレートなどを用いて被保護回路板に高密度実装でき生産効率を向上すると共に、回路保護素子の無鉛化を実現する。
本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材を表し、(a)は低融点金属材の表面を金属構造材で被覆した棒状ヒューズエレメント材10を、(b)は低融点金属材の表面を金属構造材で被覆した平板状エレメント材20を、(c)は低融点金属材の表面の一部を金属構造材で被覆した平板状エレメント材30をそれぞれ示す。また(d)は金属構造材からなる芯材の外周を低融点金属材で覆った棒状ヒューズエレメント材40を示し、(e)は金属構造材からなる芯材の外周を低融点金属材で覆った平板状エレメント材50を示す。 本発明に係る回路保護素子の部品部材を分解した斜視図を示す。 本発明の実施例4の回路保護素子30であり、(a)は(b)のd−d線に沿って蓋体を切断した平面図を示し、(b)は(a)のD−D線に沿った断面図を示し、(c)はその下面図を示す。 本発明の実施例5の回路保護素子40であり、(a)は(b)のd−d線に沿って蓋体を切断した平面図を示し、(b)は(a)のD−D線に沿った断面図を示し、(c)はその下面図を示す。
本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材は、図1に示すように、回路保護素子に搭載するヒューズエレメント材10であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材11と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材12とから成り、低融点金属材11と金属構造材12とを一体成形することで、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材11を固相の金属構造材12ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする。この低融点金属材11と金属構造材12とは互いに固着成形され、該はんだ付け作業で液相化した低融点金属材11を固相の金属構造材12で、一定時間溶断しないように固−液界面の濡れを利用して付着した状態で保持できる。従って、少なくともはんだ付け作業の間、ヒューズエレメントの形状を維持してヒューズエレメント材がはんだ付け作業温度で誤動作するのを防止する。はんだ付けが完了し回路保護素子が被保護回路に実装されると、ヒューズエレメント材の金属構造材12は、はんだ付けの熱で媒質である低融点金属材11中に拡散または溶解され薄層化しているので、設置環境の異常過熱や内蔵する抵抗発熱素子のヒータ加熱により容易に消失し、以後溶断を妨げることなく動作するようになる。
図1の(a)および(b)に示す保護素子用ヒューズエレメント材10または保護素子用ヒューズエレメント材20には、低融点金属材11として183℃以上260℃以下のはんだ付け作業温度において溶融可能な可融性金属を利用でき、例えばSn−5Sb合金材(溶融温度236−240℃)、Sn材(溶融温度232℃)、Sn−0.7Cu合金材(溶融温度227℃)、Sn−3.5Ag合金材(溶融温度221℃)、Sn−3.8Ag−1.2Cu合金材(溶融温度217℃)、Sn−3.0Ag−0.5Cu合金材(溶融温度217〜219℃)、Sn−2.5Ag−0.5Cu−1Bi合金材(溶融温度214〜221℃)、Sn−3.5Ag−2.5Bi−2.5In合金材(溶融温度190〜210℃)、Sn−3.5Ag−0.5Bi−8.0In合金材(溶融温度170〜206℃)、Sn−58Bi合金材(溶融温度139℃)、In−10Sn−2Ag−0.5Bi合金材(133℃)などの金属材や合金材が好適に利用できる。そして棒状または平板状に形成した低融点金属材11の表面を、該接合作業温度において溶融しない可溶性の金属皮膜、例えばAg材、Au材、Cu材、Ni材、Au合金材、Ag合金材、Cu合金材、Ni合金材などの金属構造材12で覆った金属複合材によって本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材を構成する。すなわち低融点金属材11の外周面を覆って金属構造材12を設ける。上述の低融点金属材11の表面に金属構造材12を設ける手段は、特に限定されず低融点金属材11に金属構造材12を固着できればよい。例えば、金属構造材12はクラッド、電気めっき、無電解めっき、圧着、真空蒸着、溶射、ロジン等の易融性材料による接着などの手段で低融点金属材11の表面に固着できる。なお、図1の(b)に示す保護素子用ヒューズエレメント材20は、低融点金属材11の表面に設ける金属構造材12が、液相の低融点金属材11の表面張力にうち勝つに足りる皮膜強度を有する場合には、図1の(c)に示すように、低融点金属材11の片面のみに金属構造材12を皮膜形成した保護素子用ヒューズエレメント材30に変形することができる。
図1の(d)および(e)に示す保護素子用ヒューズエレメント材40または保護素子用ヒューズエレメント材50にも低融点金属材11として183℃以上260℃以下のはんだ付け作業温度において溶融可能な可融性金属を利用でき、例えばSn−5Sb合金材(溶融温度236−240℃)、Sn材(溶融温度232℃)、Sn−0.7Cu合金材(溶融温度227℃)、Sn−3.5Ag合金材(溶融温度221℃)、Sn−3.8Ag−1.2Cu合金材(溶融温度217℃)、Sn−3.0Ag−0.5Cu合金材(溶融温度217〜219℃)、Sn−2.5Ag−0.5Cu−1Bi合金材(溶融温度214〜221℃)、Sn−3.5Ag−2.5Bi−2.5In合金材(溶融温度190〜210℃)、Sn−3.5Ag−0.5Bi−8.0In合金材(溶融温度170〜206℃)、Sn−58Bi合金材(溶融温度139℃)、In−10Sn−2Ag−0.5Bi合金材(133℃)などの金属材や合金材が好適に利用できる。この場合は、該接合作業温度において溶融しない可溶性の細線、例えばAg材、Au材、Cu材、Ni材、Au合金材、Ag合金材、Cu合金材、Ni合金材など金属構造材12の細線材の外周を、前述の低融点金属材11で覆った金属複合材、または該線材をさらに圧延したテープ状の金属複合材によって本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材を構成する。上述の金属構造材12の表面に低融点金属材11を設ける手段は、特に限定されず低融点金属材11に金属構造材12を固着できればよい。例えば、低融点金属材11は被覆伸線、巻回被覆などの手段で金属構造材12の線材表面に固着できる。
本発明に係る保護素子は、上述の本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材を利用した回路保護素子であり、図2に示すように、絶縁基板23と、該絶縁基板23の表面に設けた複数のパターン電極24と、このパターン電極24に電気接続した少なくとも1つのヒューズエレメント材25と、このヒューズエレメント材25の表面に塗布した動作フラックスと、動作フラックスを塗布したヒューズエレメント材25の上部を覆った蓋体26とを備え、ヒューズエレメント材25は、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度の183℃以上260℃以下で溶融可能な易融性の低融点金属材21と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材22とから成り、低融点金属材21と金属構造材22とを一体成形することで、はんだ付け作業で液相化した低融点金属材21を固相の金属構造材22ではんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする。この保護素子の絶縁基板23は、耐熱性の絶縁基板、例えば、ガラスエポキシ基板、BT(Bismaleimide Triazine)基板、テフロン(登録商標)基板、セラミックス基板、ガラス基板などからなり、該絶縁基板23の片面に必要に応じて抵抗発熱素子を設けてもよい。該抵抗発熱素子は必要に応じて絶縁コーティングを施す。なお、抵抗発熱素子を設けない場合は、ヒューズエレメント材25に接続されるパターン電極24のうち中央の電極を省略してもよい。前記蓋体26は、絶縁基板23およびヒューズエレメント材25の上部を覆って所望のキャビティ空間を確保できればよく、形状、材質を制限するものではない。例えば、蓋体26には、ドーム状樹脂フイルム材、プラスチック材、セラミックス材などが好適に利用できる。
本発明に係る保護素子用ヒューズエレメント材は、図2に示すように、耐熱性の絶縁基板23に設けた導電性部材からなるパターン電極24に、このパターン電極24の表面やヒューズエレメント材の表面に設けた固着手段によって固着され、回路保護素子のヒューズエレメント材25として使用される。該固着手段は、特に図示しないが金属構造材22の融点温度未満の溶融温度を有する予備はんだめっき材など可融性金属皮膜やはんだペースト材、または導電性接着材を用いる。一例として、上述の接合前における低融点金属材21の表面に金属構造材22の厚みを4μmから8μmまでになるようにヒューズエレメント材25を成形しておくのが好ましい。より好適には前記厚みが5〜6μmになるようにヒューズエレメント材25を成形しておくとよい。前記厚みが8μmを超えると、保護素子を被保護回路に実装した後に、保護素子が異常過熱を検知した際、過剰な金属構造材22が残留してヒューズエレメント25の正常な溶断動作を妨げるようになる。また、前記厚みが4μm未満であると、保護素子を被保護回路に実装する際にヒューズエレメント材25が溶断したり、溶融した低融点金属材21の表面張力に金属構造材22の支持力が抗しきれずヒューズエレメント材が弓なりに変形し、著しい場合には形状を維持できなくなって耐リフロー性を損なってしまう。
本発明に係る実施例1の保護素子用ヒューズエレメント材10は、図1(a)に示すように、217〜219℃の溶融温度を有する直径538μmのSn−3Ag−0.5Cu合金線からなる低融点金属材11の外周面に、Ag材からなる厚さ6μmの金属構造材12を電気めっきで覆った金属複合材で構成される。特に図示しないが、さらにこの棒状のヒューズエレメント材10を板状に圧延して用いてもよい。
本発明に係る実施例2の保護素子用ヒューズエレメント材20は、図1(b)に示すように、溶融温度が220℃のSn−3Ag合金板からなる厚さ95μmの低融点金属材11の表面に、Ag材からなる厚さ5μmの電気めっき材からなる金属構造材12で覆った金属複合材で構成される。外形が矩形板状でかつ端面異方性を有する保護素子用ヒューズエレメント材20は、回路保護素子に適用する場合、例えば図2に示すように、絶縁基板23に設けたパターン電極24の間を橋設する方向に2つの方向性がある。第1の方向は低融点金属材11の露出端面が差し渡し側面となるように橋設する方向、第2の方向は金属構造材12の被覆端面が差し渡し側面となるように橋設する方向である。本発明は第1の方向および第2の方向どちらの橋設方向も適用可能であり方向を特に限定されないが、電気めっきによる金属構造材12を採用した場合には、より好適には第1の橋設方向が望ましい。その理由は、低融点金属材11の表面に電気めっきで金属構造材12を形成する際、板端部のエッジ部分は端電流効果で電流密度が大きくなるため、その部分の膜厚が厚くなりがちであり、その結果、ヒューズ動作時に厚くなった端部のみ溶け残ってしまう可能性があるためである。なお、保護素子用ヒューズエレメント材20は、図1(c)に示すように低融点金属材11の一面のみを金属構造材12で覆った変形例1の保護素子用ヒューズエレメント材30に変形することができる。
本発明に係る実施例3の保護素子用ヒューズエレメント材40は、図1(d)に示すように、直径3μmのCu材からなる金属構造材12の芯材の外周面に、溶融温度221℃を有する厚さ274μmのSn−3.5Ag合金材からなる低融点金属材11を、被覆伸線により圧着させた金属複合材で構成される。さらに、このヒューズエレメント材40を板状に圧延して、図1(e)に示すように、変形例2の保護素子用ヒューズエレメント材50に変形することができる。
上述した実施例の低融点金属材11と金属構造材12は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて自由に変更してよい、例えば、本発明に係る実施例2の保護素子用ヒューズエレメント材20は、227℃の溶融温度を有する厚さ100μmのSn−0.7Cu合金板からなる低融点金属材11の表面に、厚さ4μmのAu材からなる金属構造材12をクラッドした金属複合材に変形してもよい。
実施例1ないし実施例3およびその変形例の保護素子用ヒューズエレメント材は、それぞれ、図2に示すようなアルミナ・セラミックスの絶縁基板23の表面に設けたAg合金パターン電極24に接合されて、以下に示す実施例4または実施例5の回路保護素子を形成する。該ヒューズエレメント材は、予め接合フラックスを塗布した絶縁基板のパターン電極とヒューズエレメント材とを互いに接触させて絶縁基板に載置されてパターン電極に接合した後、ヒューズエレメント材に動作用の溶断フラックスを塗布し、絶縁基板に搭載されたヒューズエレメント材を耐熱プラスチック製の蓋体で覆って、蓋体と絶縁基板とをエポキシ系樹脂で固定して回路保護素子とする。
本発明に係る実施例4の回路保護素子は、実施例1または実施例2の保護素子用ヒューズエレメント材を利用した回路保護素子であり、図3に示すように、アルミナ・セラミックスの絶縁基板33と、この絶縁基板33の上下面に設けた複数のAg合金製パターン電極34と、該パターン電極34と電気接続され該絶縁基板33の下面に設けた抵抗発熱素子38と、該絶縁基板33の上面のパターン電極34に施した予備はんだめっき材 で電気接続したヒューズエレメント材35と、このヒューズエレメント材35の上部を覆って該絶縁基板に固着した液晶ポリマー製の蓋体36とを備え、ヒューズエレメント材35は、この回路保護素子を外部回路板へ実装するはんだ付け作業温度の183℃以上260℃以下で溶融可能な易融性の低融点金属材31と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材32とを一体成形した金属複合材から成り、パターン電極34は、基板上下面のパターン電極34を電気接続するAg合金のハーフ・スルーホール37を有する。特に図示しないが、実施例4の抵抗発熱素子の表面はガラス材のオーバーグレーズを施している。
本発明に係る実施例5の回路保護素子は、実施例3の回路保護素子を変形したもので、実施例1または実施例2の保護素子用ヒューズエレメント材を利用した回路保護素子である。図4に示すように、アルミナ・セラミックスの絶縁基板43と、この絶縁基板43の上下面に設けた複数のAg合金製パターン電極44と、該パターン電極44と電気接続され該絶縁基板43の上面に設けた抵抗発熱素子48と、この抵抗発熱素子48に当接して該絶縁基板43の上面のパターン電極44にはんだペースト材で電気接続したヒューズエレメント材45と、このヒューズエレメント材45の上部を覆って該絶縁基板43に固着した液晶ポリマー製の蓋体46とを備え、ヒューズエレメント材45は、この回路保護素子を外部回路板へ実装するはんだ付け作業温度の183℃以上260℃以下で溶融可能な易融性の低融点金属材41と、液相の低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材42とを一体成形した金属複合材から成り、パターン電極44は、基板上下面のパターン電極44を電気接続するAg合金のハーフ・スルーホール47を有する。特に図示しないが、実施例5の抵抗発熱素子の表面はガラス材のオーバーグレーズを施している。
なお、実施例4および実施例5の回路保護素子は、絶縁基板上下面のパターン電極を電気接続する配線手段は、ハーフ・スルーホールに替えて該基板を貫通した導体スルーホールや、平面電極パターンによる表面配線に変更してもよい。
Figure 2015079608
本発明に係る回路保護素子の耐リフロー性およびリフローはんだ付け後の動作性を評価した結果を表1に示す。供試用回路保護素子は、図1(b)に示すような縦2.1mm×横2.1mm×厚さ97μm、溶融温度220℃のSn−3Ag合金板からなる低融点金属材の表面に、Ag電気めっき材を厚さ2μmから10μmまで各1μm間隔で厚みを変えて施した9種類の供試ヒューズエレメント材を各100個用意し、これを図3に示した実施例3の回路保護素子に適用し供試用回路保護素子とした。この供試用回路保護素子は、該供試ヒューズエレメント材を図2に示した方向に取り付けて作製した。先ず各供試用回路保護素子を、96.5Sn−3.0Ag−0.5Cuの鉛フリーはんだペーストを用いて予熱温度150〜180℃で90秒、加熱温度220℃以上で60秒間、内ピーク温度245±3℃の温度プロファイルでプリント配線基板にリフローはんだ付けし、室温に冷却後にヒューズエレメント材の状態を目視確認することで耐リフロー性の有無を評価した。次いでリフロー工程で動作していないことが確認された供試用回路保護素子については、さらにその抵抗発熱素子に10Wを印加してヒューズエレメント材が正常に動作できるか確認した。その結果、供試用回路保護素子に該寸法サイズのヒューズエレメント材を適用した場合には、ヒューズエレメント合金板の上下面を4〜8μm、より好ましくは5〜6μmのAgめっき材で覆った金属複合材からなるヒューズエレメント材を使用したときに回路保護素子は耐リフロー性を具備しながら同時にリフローはんだ付け後の動作性を確保できるのが分かる。
本発明の保護素子用ヒューズエレメント材を搭載した回路保護素子は、他の表面実装部品と共に被保護回路板にマウントでき、リフロー工法などで一括はんだ付け実装されて、電池パックなど2次電池の保護装置に利用できる。
10、20、30、40、50・・・保護素子用ヒューズエレメント材、
11、21、31、41・・・低融点金属材、
12、22、32,42・・・金属構造材、
23、33、43・・・絶縁基板、
24、34、44・・・パターン電極、
25、35、45・・・ヒューズエレメント材、
26、36、46・・・蓋体、
27、37、47・・・ハーフ・スルーホール、
38、48・・・抵抗発熱素子。

Claims (11)

  1. 回路保護素子に搭載する無鉛金属複合材のヒューズエレメント材であって、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度において溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の前記低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、前記低融点金属材と前記金属構造材とを一体成形することで、前記はんだ付け作業で液相化した前記低融点金属材を固相の前記金属構造材で前記はんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする保護素子用ヒューズエレメント材。
  2. 前記低融点金属材は、その表面の一部または全部を前記金属構造材で覆ったことを特徴とする請求項1に記載の保護素子用ヒューズエレメント材。
  3. 前記金属構造材は、その外周を前記低融点金属材で覆ったことを特徴とする請求項1に記載の保護素子用ヒューズエレメント材。
  4. 前記はんだ付け作業温度は、183℃以上260℃以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1つに記載の保護素子用ヒューズエレメント材。
  5. 前記低融点金属材は、Sn−5Sb合金材、Sn材、Sn−0.7Cu合金材、Sn−3.5Ag合金材、Sn−3.8Ag−1.2Cu合金材、Sn−3.0Ag−0.5Cu合金材、Sn−2.5Ag−0.5Cu−1Bi合金材、Sn−3.5Ag−2.5Bi−2.5In合金材、Sn−3.5Ag−0.5Bi−8.0In合金材、Sn−58Bi合金材、In−10Sn−2Ag−0.5Bi合金材の群から選択された少なくとも1つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1つに記載の保護素子用ヒューズエレメント材。
  6. 前記金属構造材は、Ag材、Au材、Cu材、Ni材、Au合金材、Ag合金材、Cu合金材、Ni合金材の群から選択された少なくとも1つの可溶性金属を用いたことを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1つに記載の保護素子用ヒューズエレメント材。
  7. 絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続した少なくとも1つのヒューズエレメント材と、このヒューズエレメント材の表面に塗布した動作フラックスと、前記動作フラックスを塗布した前記ヒューズエレメント材の上部を覆ったキャップ状蓋体とを備え、前記ヒューズエレメント材は、この保護素子を外部回路板に表面実装する際のはんだ付け作業温度の183℃以上260℃以下で溶融可能な易融性の低融点金属材と、液相の前記低融点金属材に溶解可能な難融性の金属構造材とから成り、前記低融点金属材と前記金属構造材とを一体成形することで、前記はんだ付け作業で液相化した前記低融点金属材を固相の前記金属構造材で前記はんだ付け作業が終わるまで支えて保持することを特徴とする回路保護素子。
  8. 前記絶縁基板は、さらに抵抗発熱素子を設けたことを特徴とする請求項7に記載の回路保護素子。
  9. 前記絶縁基板に設けた複数の前記パターン電極間を架橋する前記ヒューズエレメント材は、前記低融点金属材の露出端面が差し渡し側面となる方向に橋設したことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の回路保護素子。
  10. 前記低融点金属材は、Sn−5Sb合金材、Sn材、Sn−0.7Cu合金材、Sn−3.5Ag合金材、Sn−3.8Ag−1.2Cu合金材、Sn−3.0Ag−0.5Cu合金材、Sn−2.5Ag−0.5Cu−1Bi合金材、Sn−3.5Ag−2.5Bi−2.5In合金材、Sn−3.5Ag−0.5Bi−8.0In合金材、Sn−58Bi合金材、In−10Sn−2Ag−0.5Bi合金材の群から選択された少なくとも1つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の回路保護素子。
  11. 前記金属構造材は、Ag材、Au材、Cu材、Ni材、Au合金材、Ag合金材、Cu合金材、Ni合金材の群から選択された少なくとも1つの可溶性金属を用いたことを特徴とする請求項7ないし請求項10の何れか1つに記載の回路保護素子。
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