JP2000076643A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 確実に焼き付き物の発生を抑制し得る磁気デ
ィスク装置を提供する。 【解決手段】 磁気ハードディスク媒体を記録媒体とす
る低浮上量の磁気ディスク装置において、ピリジン骨格
を有し２座以上の配位座を有する化合物を含有する焼き
付き防止剤が表面に保持されている磁気ハードディスク
を用いる。ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有す
る化合物は、金属原子との錯形成能に優れ、ヘッド表面
に生成した金属酸化物は錯塩となり、ヘッド表面から容
易に離脱し、ヘッド表面には残留しなくなる。
ィスク装置を提供する。 【解決手段】 磁気ハードディスク媒体を記録媒体とす
る低浮上量の磁気ディスク装置において、ピリジン骨格
を有し２座以上の配位座を有する化合物を含有する焼き
付き防止剤が表面に保持されている磁気ハードディスク
を用いる。ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有す
る化合物は、金属原子との錯形成能に優れ、ヘッド表面
に生成した金属酸化物は錯塩となり、ヘッド表面から容
易に離脱し、ヘッド表面には残留しなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ハードディス
クを記録媒体とする磁気記録再生装置に関するものであ
り、特に、低浮上量の磁気ディスク装置における記録ヘ
ッド、再生ヘッドの長寿命化に関するものである。
クを記録媒体とする磁気記録再生装置に関するものであ
り、特に、低浮上量の磁気ディスク装置における記録ヘ
ッド、再生ヘッドの長寿命化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ハードディスク媒体は、例えばＡｌ
等の基板の上にＮｉ−Ｐからなる硬化層、主としてＣｒ
からなる下地層、Ｃｏ合金からなる磁性層、カーボン保
護膜が順次積層された構造を有する。
等の基板の上にＮｉ−Ｐからなる硬化層、主としてＣｒ
からなる下地層、Ｃｏ合金からなる磁性層、カーボン保
護膜が順次積層された構造を有する。
【０００３】磁気ディスク媒体と磁気ヘッドを有する磁
気ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスク
の間に摩擦力が生じ、これが磁気ヘッド及び磁気ディス
ク媒体の摩耗の原因となっている。
気ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスク
の間に摩擦力が生じ、これが磁気ヘッド及び磁気ディス
ク媒体の摩耗の原因となっている。
【０００４】磁気ディスク媒体の摩耗が磁性層まで進行
するのを防ぐために、磁性層上に主としてカーボンから
なる保護膜が形成され、さらに保護膜上に潤滑膜が形成
されており、これらの膜を形成することで磁気ディスク
媒体の耐摩耗性の向上が図られている。この潤滑膜を構
成する潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル（Ｐ
ＦＰＥ）系の化合物が一般に使用されている。
するのを防ぐために、磁性層上に主としてカーボンから
なる保護膜が形成され、さらに保護膜上に潤滑膜が形成
されており、これらの膜を形成することで磁気ディスク
媒体の耐摩耗性の向上が図られている。この潤滑膜を構
成する潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル（Ｐ
ＦＰＥ）系の化合物が一般に使用されている。
【０００５】磁気ハードディスク装置（ＨＤＤ）におい
ては、磁気ヘッドが磁気ディスク媒体上を一定量浮上し
た状態で記録及び再生を行う方式が採られている。
ては、磁気ヘッドが磁気ディスク媒体上を一定量浮上し
た状態で記録及び再生を行う方式が採られている。
【０００６】ところで、近年は、磁気ディスク媒体の記
録密度の向上のために、上記浮上量はより低下する傾向
にあり、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドは半接触状態で
使用される状況に至っている。浮上量がおよそ２０ｎｍ
を下回ると、いわゆるニアコンタクトの領域に入り、安
定した浮上を確保するのが困難になってくる。
録密度の向上のために、上記浮上量はより低下する傾向
にあり、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドは半接触状態で
使用される状況に至っている。浮上量がおよそ２０ｎｍ
を下回ると、いわゆるニアコンタクトの領域に入り、安
定した浮上を確保するのが困難になってくる。
【０００７】さらには、磁気ヘッドを磁気ディスク媒体
に意図的に接触させた状態で記録および再生を行うコン
タクト・レコーディングも実用化に向けての研究がなさ
れている。また、データ転送レートの高速化のために、
磁気ディスク媒体の回転速度はより増加する傾向にあ
る。
に意図的に接触させた状態で記録および再生を行うコン
タクト・レコーディングも実用化に向けての研究がなさ
れている。また、データ転送レートの高速化のために、
磁気ディスク媒体の回転速度はより増加する傾向にあ
る。
【０００８】このような浮上量の低下、および回転速度
の増加に伴い、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドとが高速
で接触摺動する時間が長くなると、磁気ヘッドの表面に
焼き付き物が生成し易くなる。この焼き付き物が磁気ヘ
ッド表面に蓄積されると、磁気ディスク媒体と磁気ヘッ
ドとの間に余計な隙間（スペーシング）が生じ、信号出
力の低下という問題が発生する。
の増加に伴い、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドとが高速
で接触摺動する時間が長くなると、磁気ヘッドの表面に
焼き付き物が生成し易くなる。この焼き付き物が磁気ヘ
ッド表面に蓄積されると、磁気ディスク媒体と磁気ヘッ
ドとの間に余計な隙間（スペーシング）が生じ、信号出
力の低下という問題が発生する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この磁気ヘッドへの焼
き付き物を発生させないためには、磁気ヘッドの浮上量
を大きくして磁気ヘッドと磁気ディスク媒体とが接触し
ないようにする、といった試みが考えられるが、これは
スペーシングの増大につながり、上述の高記録密度化の
流れに反するものである。
き付き物を発生させないためには、磁気ヘッドの浮上量
を大きくして磁気ヘッドと磁気ディスク媒体とが接触し
ないようにする、といった試みが考えられるが、これは
スペーシングの増大につながり、上述の高記録密度化の
流れに反するものである。
【００１０】また、磁気ディスク媒体表面の潤滑剤量を
多くして磁気ヘッド及び磁気ディスク媒体の摩耗を抑え
るといった試みも考えられるが、これはスペーシングの
増大及び磁気ヘッドの媒体への吸着現象を引き起こすの
で、あまり好ましい手法とは言えない。
多くして磁気ヘッド及び磁気ディスク媒体の摩耗を抑え
るといった試みも考えられるが、これはスペーシングの
増大及び磁気ヘッドの媒体への吸着現象を引き起こすの
で、あまり好ましい手法とは言えない。
【００１１】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、磁気ディスク（ＨＤ）を用いた低浮
上量の記録再生装置において、確実に焼き付き物の発生
を抑制し得る焼き付き物発生防止方法を提供し、これに
より、スペーシングロスによる出力低下が少なく、エラ
ーレートの上昇も少ない磁気ディスク装置を提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、磁気ディスク（ＨＤ）を用いた低浮
上量の記録再生装置において、確実に焼き付き物の発生
を抑制し得る焼き付き物発生防止方法を提供し、これに
より、スペーシングロスによる出力低下が少なく、エラ
ーレートの上昇も少ない磁気ディスク装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、特定の有機化合物
が焼き付き物生成の抑制に大きな効果を示すことを見出
し、本発明を完成するに至った。
的を達成せんものと鋭意研究の結果、特定の有機化合物
が焼き付き物生成の抑制に大きな効果を示すことを見出
し、本発明を完成するに至った。
【００１３】すなわち、本発明は、磁気ハードディスク
を記憶媒体とし、記録再生時における磁気ヘッドの磁気
ハードディスクに対する浮上量が２０ｎｍ以下である磁
気ディスク装置において、上記磁気ハードディスクは、
ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有する化合物を
含有する焼き付き防止層を表面に有することを特徴とす
るものである。
を記憶媒体とし、記録再生時における磁気ヘッドの磁気
ハードディスクに対する浮上量が２０ｎｍ以下である磁
気ディスク装置において、上記磁気ハードディスクは、
ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有する化合物を
含有する焼き付き防止層を表面に有することを特徴とす
るものである。
【００１４】ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有
する化合物は、金属原子との錯形成能に優れ、係る化合
物を含有する焼き付き防止剤が保持されている磁気ディ
スク（ＨＤＤ）と磁気ヘッドが高速で摺動した場合、ヘ
ッド表面に生成した金属酸化物と前記化合物の間で錯形
成反応が起こる。その結果、前記酸化物は、ヘッド表面
から容易に離脱する錯塩となり、ヘッド表面には残留し
なくなる。したがって、焼き付き物が蓄積することによ
るスペーシングロス、及びこれに伴う出力の低下が抑え
られ、さらにはエラーレートも低く抑えられる。
する化合物は、金属原子との錯形成能に優れ、係る化合
物を含有する焼き付き防止剤が保持されている磁気ディ
スク（ＨＤＤ）と磁気ヘッドが高速で摺動した場合、ヘ
ッド表面に生成した金属酸化物と前記化合物の間で錯形
成反応が起こる。その結果、前記酸化物は、ヘッド表面
から容易に離脱する錯塩となり、ヘッド表面には残留し
なくなる。したがって、焼き付き物が蓄積することによ
るスペーシングロス、及びこれに伴う出力の低下が抑え
られ、さらにはエラーレートも低く抑えられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録再生装置
について説明する。
について説明する。
【００１６】本発明の磁気記録再生装置は、磁気ハード
ディスク媒体（ＨＤ）を記憶媒体とする磁気記録再生装
置であり、上記磁気ハードディスク媒体に対して磁気ヘ
ッドが浮上量２０ｎｍ以下のニア・コンタクトの領域で
情報信号の記録・再生が行われる。
ディスク媒体（ＨＤ）を記憶媒体とする磁気記録再生装
置であり、上記磁気ハードディスク媒体に対して磁気ヘ
ッドが浮上量２０ｎｍ以下のニア・コンタクトの領域で
情報信号の記録・再生が行われる。
【００１７】このように磁気ヘッドが低浮上量で磁気ハ
ードディスク媒体と対向するシステムにおいては、焼き
付きの問題が発生する。
ードディスク媒体と対向するシステムにおいては、焼き
付きの問題が発生する。
【００１８】そこで、本発明に係る磁気記録再生装置に
おいては、ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有す
る化合物（配位子）を含有する焼き付き防止剤が保持さ
れている磁気ハードディスクを磁気記録媒体として用い
る。
おいては、ピリジン骨格を有し２座以上の配位座を有す
る化合物（配位子）を含有する焼き付き防止剤が保持さ
れている磁気ハードディスクを磁気記録媒体として用い
る。
【００１９】ここで用いられる配位子としては、例えば
下記の化９〜化１６に示す化合物を挙げることができ
る。
下記の化９〜化１６に示す化合物を挙げることができ
る。
【００２０】
【化９】
【００２１】
【化１０】
【００２２】
【化１１】
【００２３】
【化１２】
【００２４】
【化１３】
【００２５】
【化１４】
【００２６】
【化１５】
【００２７】
【化１６】
【００２８】焼き付き防止剤に含まれる配位子として
は、上述したように様々な種類のものがあるが、これら
は単独で使用されても、複数の種類のものが組み合わせ
て用いられても構わない。
は、上述したように様々な種類のものがあるが、これら
は単独で使用されても、複数の種類のものが組み合わせ
て用いられても構わない。
【００２９】上記配位子を磁気ハードディスク表面に付
着保持させるには、添加剤を溶解した溶液を用いて、ス
ピンコート法あるいはディッピング法等の方法により塗
布すればよい。
着保持させるには、添加剤を溶解した溶液を用いて、ス
ピンコート法あるいはディッピング法等の方法により塗
布すればよい。
【００３０】適用される磁気ハードディスクとしては、
非磁性支持体上に少なくとも磁性層を有し、前記磁性層
上、もしくは前記磁性層上に保護膜を介して潤滑膜を形
成したものが好ましい。
非磁性支持体上に少なくとも磁性層を有し、前記磁性層
上、もしくは前記磁性層上に保護膜を介して潤滑膜を形
成したものが好ましい。
【００３１】また、非磁性支持体と磁性層との間に下地
層を介した磁気ハードディスクでも構わない。
層を介した磁気ハードディスクでも構わない。
【００３２】非磁性支持体や磁性層を構成する材料、保
護膜、潤滑膜等は、従来公知のものがいずれも使用可能
で、何ら限定されるものではない。
護膜、潤滑膜等は、従来公知のものがいずれも使用可能
で、何ら限定されるものではない。
【００３３】すなわち、非磁性支持体としては、Ａｌを
主成分としたＡｌ−Ｍｇ合金、ガラス、ガラスセラミッ
クス、合成樹脂等が挙げられる。
主成分としたＡｌ−Ｍｇ合金、ガラス、ガラスセラミッ
クス、合成樹脂等が挙げられる。
【００３４】さらに、非磁性支持体の表面硬度を上げる
ために、硬化層を形成することもできる。硬化層に用い
られる材料としては、Ｎｉ−Ｐ等が挙げられる。また、
保磁力等の磁気的特性を向上させるために、下地層とし
てＣｒを用いることもできる。
ために、硬化層を形成することもできる。硬化層に用い
られる材料としては、Ｎｉ−Ｐ等が挙げられる。また、
保磁力等の磁気的特性を向上させるために、下地層とし
てＣｒを用いることもできる。
【００３５】磁性層を構成する材料としては、いわゆる
塗布型の磁気ハードディスクの場合には、γ−Ｆｅ2Ｏ3
磁性粉末、バインダーの役割を果たすエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリウレタン等の高分子、耐摩耗性を向
上させるＡｌ2Ｏ3粒子が挙げられる。
塗布型の磁気ハードディスクの場合には、γ−Ｆｅ2Ｏ3
磁性粉末、バインダーの役割を果たすエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリウレタン等の高分子、耐摩耗性を向
上させるＡｌ2Ｏ3粒子が挙げられる。
【００３６】また、いわゆる薄膜型の磁気ハードディス
クの場合には、Ｃｏを主成分とした合金（Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ等）が磁性材料として用いられ
る。高密度記録化を目指す磁気ハードディスク媒体とし
ては、専ら薄膜型の磁気ディスク媒体が用いられる。
クの場合には、Ｃｏを主成分とした合金（Ｃｏ−Ｐｔ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ等）が磁性材料として用いられ
る。高密度記録化を目指す磁気ハードディスク媒体とし
ては、専ら薄膜型の磁気ディスク媒体が用いられる。
【００３７】保護膜としては、カーボンよりなるものが
好ましい。また、上記保護膜として、比較的硬度の高い
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒化カーボ
ン、ＳｉＯ2 等の材料を用いてもよい。
好ましい。また、上記保護膜として、比較的硬度の高い
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒化カーボ
ン、ＳｉＯ2 等の材料を用いてもよい。
【００３８】潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテ
ル（ＰＦＰＥ）系の含フッ素高分子が代表的なものとし
て挙げられる。潤滑剤の形成方法としては、ディッピン
グ法、スピンコート法等が挙げられる。
ル（ＰＦＰＥ）系の含フッ素高分子が代表的なものとし
て挙げられる。潤滑剤の形成方法としては、ディッピン
グ法、スピンコート法等が挙げられる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的な実験
結果に基づいて説明するが、本発明がこの実施例に限定
されるものでないことは言うまでもない。
結果に基づいて説明するが、本発明がこの実施例に限定
されるものでないことは言うまでもない。
【００４０】先ず、下記のようにしてサンプルを作製し
た。
た。
【００４１】下記に示す代表的なＰＦＰＥ系潤滑剤であ
る商品名Ｚ−ＤＯＬ（アウジモント社製）、および配位
子化合物を含む溶液を調製した。
る商品名Ｚ−ＤＯＬ（アウジモント社製）、および配位
子化合物を含む溶液を調製した。
【００４２】ＨＯＣＨ2−ＣＦ2−Ｏ−(ＣＦ2−ＣＦ2−
Ｏ)m−(ＣＦ2−Ｏ)n−ＣＦ2−ＣＨ2ＯＨ ここで、溶媒にはフッ素系溶媒（商品名ＨＦＥ−７１０
０、３Ｍ社製）を用い、ＰＦＰＥの濃度は０．１重量
％、配位子化合物の量はＰＦＰＥに対して重量比で０．
０５とした。
Ｏ)m−(ＣＦ2−Ｏ)n−ＣＦ2−ＣＨ2ＯＨ ここで、溶媒にはフッ素系溶媒（商品名ＨＦＥ−７１０
０、３Ｍ社製）を用い、ＰＦＰＥの濃度は０．１重量
％、配位子化合物の量はＰＦＰＥに対して重量比で０．
０５とした。
【００４３】Ｎｉ−Ｐ層が形成されたガラス基板上に、
下地層、磁性層（Ｃｏ系薄膜）及びカーボン保護膜が順
次形成された磁気ディスク媒体（グライドハイト約２０
ｎｍ）を上記溶液中に浸漬し、膜厚がおよそ２ｎｍにな
るよう、ディッピング法により潤滑膜を塗布形成した。
下地層、磁性層（Ｃｏ系薄膜）及びカーボン保護膜が順
次形成された磁気ディスク媒体（グライドハイト約２０
ｎｍ）を上記溶液中に浸漬し、膜厚がおよそ２ｎｍにな
るよう、ディッピング法により潤滑膜を塗布形成した。
【００４４】なお、ここで用いた配位子化合物は、２，
２’−ビピリジル（サンプル１）、１，１０−フェナン
トロリン（サンプル２）、２−アミノピリジン（サンプ
ル３）、８−ヒドロキシキノリン（サンプル４）、３−
（２−ピリジル）−１，２，４−トリアジン（サンプル
５）、２−（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン
（サンプル６）、２−（２−ピリジル）−イミダゾール
（サンプル７）、２−（２−ピリジル）−オキサゾール
（サンプル８）である。すなわち、ここで作製したサン
プルは、全部で８種類である。
２’−ビピリジル（サンプル１）、１，１０−フェナン
トロリン（サンプル２）、２−アミノピリジン（サンプ
ル３）、８−ヒドロキシキノリン（サンプル４）、３−
（２−ピリジル）−１，２，４−トリアジン（サンプル
５）、２−（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン
（サンプル６）、２−（２−ピリジル）−イミダゾール
（サンプル７）、２−（２−ピリジル）−オキサゾール
（サンプル８）である。すなわち、ここで作製したサン
プルは、全部で８種類である。
【００４５】このように作製した磁気ハードディスク媒
体を、図１に示すような装置を用い、以下の述べる条件
のもとで磁気ヘッドと摺動させた。なお、ここで用いた
磁気ヘッドスライダは、２Ｇbpsi相当の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）ヘッドを搭載した負圧スライダである。
体を、図１に示すような装置を用い、以下の述べる条件
のもとで磁気ヘッドと摺動させた。なお、ここで用いた
磁気ヘッドスライダは、２Ｇbpsi相当の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）ヘッドを搭載した負圧スライダである。
【００４６】図１に示した装置の主要な部分はチャンバ
ー１内に収められており、チャンバー１内はロータリー
ポンプ２による排気によって減圧状態に保たれる仕組み
になている。
ー１内に収められており、チャンバー１内はロータリー
ポンプ２による排気によって減圧状態に保たれる仕組み
になている。
【００４７】磁気ディスク５は、スピンドル３上にクラ
ンプされ、スピンドルモータドライバ４で設定した回転
数で回転される。
ンプされ、スピンドルモータドライバ４で設定した回転
数で回転される。
【００４８】磁気ディスク５は、減圧下で磁気ヘッドス
ライダ６との間で接触摺動する。この磁気ヘッドスライ
ダ６上部にはピエゾ素子が取り付けられており、磁気デ
ィスク５と磁気ヘッドスライダ６とが接触したときの衝
撃がこのピエゾ素子によって検出される工夫がなされて
いる。
ライダ６との間で接触摺動する。この磁気ヘッドスライ
ダ６上部にはピエゾ素子が取り付けられており、磁気デ
ィスク５と磁気ヘッドスライダ６とが接触したときの衝
撃がこのピエゾ素子によって検出される工夫がなされて
いる。
【００４９】このピエゾ素子の出力は、アンプ７によっ
て増幅され、バンドパスフィルター８を通った後、オシ
ロスコープ９によって観測される。
て増幅され、バンドパスフィルター８を通った後、オシ
ロスコープ９によって観測される。
【００５０】また、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）から出力
される信号は、アンプ１０、リード／ライトアナライザ
１１を経て、パーソナルコンピュータ１２で観測される
仕組みになっている。
される信号は、アンプ１０、リード／ライトアナライザ
１１を経て、パーソナルコンピュータ１２で観測される
仕組みになっている。
【００５１】先ず、予備検討として、磁気ヘッドの浮上
量が十分低下して、磁気ハードディスク媒体と磁気ヘッ
ドとの間で確実に接触摺動が起こるような条件を認識し
ておく必要がある。
量が十分低下して、磁気ハードディスク媒体と磁気ヘッ
ドとの間で確実に接触摺動が起こるような条件を認識し
ておく必要がある。
【００５２】そこで、上述の磁気ハードディスクサンプ
ルをチャンバー内にセットし、磁気ヘッドスライダの線
速が８ｍ／秒になるように磁気ディスクを回転させ、チ
ャンバー内を減圧してピエゾの出力の観測を行った。
ルをチャンバー内にセットし、磁気ヘッドスライダの線
速が８ｍ／秒になるように磁気ディスクを回転させ、チ
ャンバー内を減圧してピエゾの出力の観測を行った。
【００５３】ピエゾ出力とチャンバー内圧との関係を図
２に示す。
２に示す。
【００５４】この結果によると、１００（常圧）〜２０
ｋＰａまではピエゾ出力が現れていないが、１５ｋＰａ
から出力の立ち上がりが観測されている。これは、２０
ｋＰａ以下の圧力下で、磁気ヘッドスライダと磁気ハー
ドディスクの接触摺動が起こっていることを示してい
る。
ｋＰａまではピエゾ出力が現れていないが、１５ｋＰａ
から出力の立ち上がりが観測されている。これは、２０
ｋＰａ以下の圧力下で、磁気ヘッドスライダと磁気ハー
ドディスクの接触摺動が起こっていることを示してい
る。
【００５５】チャンバー内圧が低くなると磁気ヘッドス
ライダの浮上量は低下する傾向にあり、上記接触摺動が
起こる領域は、浮上量で言うと２０ｎｍ以下ということ
になる。すなわち、磁気ハードディスク媒体のグライド
ハイトを考慮すると、ピエゾ出力が現れた段階で磁気ヘ
ッドスライダの浮上量は２０ｎｍ以下になっているもの
と考えられる。
ライダの浮上量は低下する傾向にあり、上記接触摺動が
起こる領域は、浮上量で言うと２０ｎｍ以下ということ
になる。すなわち、磁気ハードディスク媒体のグライド
ハイトを考慮すると、ピエゾ出力が現れた段階で磁気ヘ
ッドスライダの浮上量は２０ｎｍ以下になっているもの
と考えられる。
【００５６】上記の予備検討結果を考慮し、上述の磁気
ハードディスクサンプルを線速８ｍ／秒、圧力１５ｋＰ
ａのもと、１時間磁気ヘッドと接触摺動させた。電磁変
換特性の評価として、この接触摺動の初期と終了時に、
１４ｋfci 相当の信号を記録再生し、再生波形の出力
（ＴＡＡ）及びパルス幅（ＰＷ５０）を測定した。ま
た、摺動後の磁気ヘッド表面を光学顕微鏡により観察
し、磁気ヘッド表面に焼き付き物が存在しているか否か
の評価を行った。
ハードディスクサンプルを線速８ｍ／秒、圧力１５ｋＰ
ａのもと、１時間磁気ヘッドと接触摺動させた。電磁変
換特性の評価として、この接触摺動の初期と終了時に、
１４ｋfci 相当の信号を記録再生し、再生波形の出力
（ＴＡＡ）及びパルス幅（ＰＷ５０）を測定した。ま
た、摺動後の磁気ヘッド表面を光学顕微鏡により観察
し、磁気ヘッド表面に焼き付き物が存在しているか否か
の評価を行った。
【００５７】このとき、配位子化合物を添加しないこと
以外は上記各サンプルディスクと同じ条件でサンプル
（サンプル９）を完成させ、比較例として同様の評価を
行った。さらに、このサンプルについて、チャンバー内
を常圧にして同様の評価を行い、これをサンプル１０と
した。
以外は上記各サンプルディスクと同じ条件でサンプル
（サンプル９）を完成させ、比較例として同様の評価を
行った。さらに、このサンプルについて、チャンバー内
を常圧にして同様の評価を行い、これをサンプル１０と
した。
【００５８】これらのサンプルについてのＴＡＡ及びＰ
Ｗ５０の測定結果、及び焼き付き物の存在の有無の評価
結果を表１に示す。
Ｗ５０の測定結果、及び焼き付き物の存在の有無の評価
結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】サンプル９及びサンプル１０の結果より、
配位子化合物を添加していない場合、磁気ヘッドが接触
摺動すると、磁気ヘッド表面に焼き付き物が発生し、か
つ再生出力が低下してしまうことがわかる。
配位子化合物を添加していない場合、磁気ヘッドが接触
摺動すると、磁気ヘッド表面に焼き付き物が発生し、か
つ再生出力が低下してしまうことがわかる。
【００６１】これに対し、実施例（サンプル１〜サンプ
ル８）のように配位子化合物を添加すれば、接触摺動を
起こしても、再生出力の低下及び磁気ヘッド表面への焼
き付き物生成を抑制できることがわかる。
ル８）のように配位子化合物を添加すれば、接触摺動を
起こしても、再生出力の低下及び磁気ヘッド表面への焼
き付き物生成を抑制できることがわかる。
【００６２】以上、本発明を適用した実施例と、その特
性評価について説明してきたが、本発明は、上述した実
施例に限定されるものではなく、種々の変形変更が可能
である。
性評価について説明してきたが、本発明は、上述した実
施例に限定されるものではなく、種々の変形変更が可能
である。
【００６３】例えば、磁気ヘッドは、磁気抵抗（ＭＲ）
ヘッドのみならず、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）ヘッド等で
あってもよい。
ヘッドのみならず、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）ヘッド等で
あってもよい。
【００６４】配位子化合物は、前述したものに限らな
い。また、本実施例のようにＰＦＰＥ系潤滑剤と予め混
合して塗布する場合、その量はＰＦＰＥ系潤滑剤に対し
て重量比で０．００５以上、１．０以下であることが好
ましい。上記混合比が上記下限よりも小さい場合は、磁
気ヘッドの焼き付きを抑える効果が十分ではなく、上記
上限より大きい場合は、配位子化合物が凝集し易く、磁
気ヘッドと磁気ハードディスク媒体の摩擦の観点から好
ましくない。また、配位子化合物は、潤滑剤の塗布及び
配位子化合物の塗布のように２段階で塗布することもで
きる。
い。また、本実施例のようにＰＦＰＥ系潤滑剤と予め混
合して塗布する場合、その量はＰＦＰＥ系潤滑剤に対し
て重量比で０．００５以上、１．０以下であることが好
ましい。上記混合比が上記下限よりも小さい場合は、磁
気ヘッドの焼き付きを抑える効果が十分ではなく、上記
上限より大きい場合は、配位子化合物が凝集し易く、磁
気ヘッドと磁気ハードディスク媒体の摩擦の観点から好
ましくない。また、配位子化合物は、潤滑剤の塗布及び
配位子化合物の塗布のように２段階で塗布することもで
きる。
【００６５】また、本発明が適用される磁気ハードディ
スク媒体において、非磁性支持体や磁性膜を構成する材
料、保護膜、潤滑膜等は、前述したものに限らず、従来
公知のものがいずれも使用可能であり、何ら限定される
ものではない。
スク媒体において、非磁性支持体や磁性膜を構成する材
料、保護膜、潤滑膜等は、前述したものに限らず、従来
公知のものがいずれも使用可能であり、何ら限定される
ものではない。
【００６６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、磁気ハードディスクを記録媒体とする低浮
上量の磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの焼き付
き物の発生、蓄積を確実に抑制することができる。
明によれば、磁気ハードディスクを記録媒体とする低浮
上量の磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの焼き付
き物の発生、蓄積を確実に抑制することができる。
【００６７】したがって、スペーシングロスによる出力
低下が少なく、エラーレートの上昇も少ない磁気ディス
ク装置を提供することが可能である。
低下が少なく、エラーレートの上昇も少ない磁気ディス
ク装置を提供することが可能である。
【図１】試験に用いた磁気ディスク装置の概略構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】チャンバー内の圧力とピエゾ出力の関係を示す
特性図である。
特性図である。
【符号の説明】 ５ 磁気ハードディスク、６ 磁気ヘッドスライダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀井 隆広 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 松澤 伸行 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 栗原 研一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小林 健 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4H104 BE26C BE27C BE28C BE30C BE31C BF05C BG17C CD04A LA03 PA16 5D006 AA01 DA03 FA05 FA06 5D042 NA01 TA10
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気ハードディスクを記憶媒体とし、記
録再生時における磁気ヘッドの磁気ハードディスクに対
する浮上量が２０ｎｍ以下である磁気ディスク装置にお
いて、 上記磁気ハードディスクは、ピリジン骨格を有し２座以
上の配位座を有する化合物を含有する焼き付き防止層を
表面に有することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化１で示されるビピリジン誘
導体であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディス
ク装置。 【化１】 - 【請求項３】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化２で示されるフェナントロ
リン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の磁気
ディスク装置。 【化２】 - 【請求項４】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化３で示される２−置換ピリ
ジン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の磁気
ディスク装置。 【化３】 - 【請求項５】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化４で示されるキノリン誘導
体であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク
装置。 【化４】 - 【請求項６】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化５で示される化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。 【化５】 - 【請求項７】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化６で示される化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。 【化６】 - 【請求項８】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化７で示される化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。 【化７】 - 【請求項９】 上記ピリジン骨格を有し２座以上の配位
座を有する化合物が下記の化８で示される化合物である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。 【化８】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24641198A JP2000076643A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24641198A JP2000076643A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000076643A true JP2000076643A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17148097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24641198A Withdrawn JP2000076643A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000076643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11046658B2 (en) | 2018-07-02 | 2021-06-29 | Incyte Corporation | Aminopyrazine derivatives as PI3K-γ inhibitors |
| US11926616B2 (en) | 2018-03-08 | 2024-03-12 | Incyte Corporation | Aminopyrazine diol compounds as PI3K-γ inhibitors |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP24641198A patent/JP2000076643A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11926616B2 (en) | 2018-03-08 | 2024-03-12 | Incyte Corporation | Aminopyrazine diol compounds as PI3K-γ inhibitors |
| US11046658B2 (en) | 2018-07-02 | 2021-06-29 | Incyte Corporation | Aminopyrazine derivatives as PI3K-γ inhibitors |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051101 |