JP2000072587A - シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ヒータ及び石英るつぼの劣化を抑制しつつ固化
率を向上する。 【解決手段】シリコン単結晶の引上げ装置は、ボトムカ
ーボンヒータ２７をるつぼ昇降手段１７と独立して上昇
又は下降させるヒータ昇降手段４１を備える。引上げ方
法は、シリコン単結晶棒２５の引上げ時にボトムカーボ
ンヒータ２７をるつぼ昇降手段１７と独立してヒータ昇
降手段４１により上昇させる。ヒータ昇降手段４１は支
持棒４２と駆動ギヤと駆動モータ４６とを有し、ボトム
カーボンヒータ２７が支軸１６を中心として同心円状に
配置された１又は２以上のリング状カーボンにより構成
される。支持棒４２はリング状カーボン毎に設けられた
補助棒を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶棒
を引上げて育成するシリコン単結晶の引上げ装置及びそ
の引上げ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコン単結晶棒を育成する方法として
シリコン多結晶を融解してるつぼ内に貯留したシリコン
融液から半導体用の高純度シリコン単結晶棒を成長させ
るチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という）が知られ
ている。このＣＺ方法では、石英るつぼ内のシリコン融
液を加熱して所定温度に維持し、ミラーエッチングされ
た種結晶をシリコン融液に接触させ、種結晶を引上げて
シリコン単結晶棒を育成するものである。このシリコン
単結晶棒の育成方法では、種結晶を引上げてシリコン融
液から種絞り部を作製した後、目的とするシリコン単結
晶棒の直径まで結晶を徐々に太らせて肩部を形成し、そ
の後更に引上げてシリコン単結晶棒の直胴部を形成する
ようになっている。

【０００３】図４に示すように、従来この種の装置に
は、支軸６の上端に固定されかつチャンバ１内に設けら
れたシリコン融液２を貯留する石英るつぼ３と、この石
英るつぼ３を支軸６を介して上昇又は下降させるるつぼ
昇降手段７と、石英るつぼ３の周囲のチャンバ１内に設
けられたサイドカーボンヒータ８と、石英るつぼ３の下
方のチャンバ１内に設けられたボトムカーボンヒータ９
とを備えたものが知られている。るつぼ昇降手段７は、
支軸６を介して石英るつぼ３を上昇させることによりシ
リコン単結晶棒５の引上げに伴うシリコン融液２の表面
の低下を防止し、シリコン融液２の表面を所定位置に維
持して高品質のシリコン単結晶棒５を得るようにすると
ともに、サイドカーボンヒータ８及びボトムカーボンヒ
ータ９がシリコン融液２を加熱して、シリコン融液２の
温度を所定温度に維持できるように構成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のシリコ
ン単結晶の引上げ装置では、石英るつぼ３がるつぼ昇降
手段７により上昇するため、石英るつぼ３の下方のチャ
ンバ１内に設けられたボトムカーボンヒータ９と石英る
つぼ３との間の距離はシリコン単結晶棒５の引上げに伴
って増大し、シリコン単結晶棒５の成長が進んでシリコ
ン融液２の量が減ってくると、ボトムカーボンヒータ９
から残液であるシリコン融液２は離れ、シリコン融液２
の液面が低下することからサイドカーボンヒータ８から
の熱もその残液に十分及ばないため、残ったシリコン融
液２が再結晶しやすい問題点がある。シリコン単結晶棒
５の成長中に残液２が再結晶を起すと成長したシリコン
単結晶棒５に重大な悪影響を及すおそれがある。

【０００５】また、シリコン融液２の量が減ってボトム
カーボンヒータ９からシリコン融液２が離れた状態で、
サイドカーボンヒータ８及びボトムカーボンヒータ９に
よりシリコン融液２の温度制御を行うことは、シリコン
融液２の液面が低下していることからシリコン融液２を
貯留する石英るつぼ３自体が熱ストレスを受けてその寿
命が低下する問題点がある。この残液が再結晶した状態
におけるシリコン単結晶棒５の引上げを防止するために
従来はシリコン融液２の残量が貯留当初のシリコン融液
２の量の約３０％程度の量になったところでシリコン単
結晶棒５の引上げを終了させている。従って、引上げら
れたシリコン単結晶棒５の重量を石英るつぼ３に当初貯
留されたシリコン融液２の重量で除した値に１００を乗
じた値として表される、いわゆる固化率が約７０％と比
較的小さい不具合があった。特に、大口径のシリコン単
結晶棒を引上げるために大口径のるつぼを使用するよう
になるとその傾向が強くなる。

【０００６】本発明の目的は、カーボンヒータ及び石英
るつぼの劣化を抑制しつつ固化率を向上し得るシリコン
単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、支軸１６の上端に固定されかつチャ
ンバ１１内に設けられシリコン融液１２を貯留する石英
るつぼ１３と、この石英るつぼ１３を支軸１６を介して
上昇又は下降させるるつぼ昇降手段１７と、石英るつぼ
１３の周囲のチャンバ１１内に設けられたサイドカーボ
ンヒータ１８と、石英るつぼ１３の下方のチャンバ１１
内に設けられたボトムカーボンヒータ２７とを備えたシ
リコン単結晶の引上げ装置の改良である。その特徴ある
構成は、ボトムカーボンヒータ２７をるつぼ昇降手段１
７と独立して上昇又は下降させるヒータ昇降手段４１を
備えたところにある。

【０００８】シリコン単結晶棒２５ｃの引上げに際し
て、るつぼ昇降手段１７は、支軸１６を介して石英るつ
ぼ１３を上昇させることによりシリコン単結晶棒２５の
引上げに伴うシリコン融液１２表面の低下を防止する。
ヒータ昇降手段４１はボトムカーボンヒータ２７を上方
に移動させることにより、ボトムカーボンヒータ２７を
石英るつぼ１３に近づける。ボトムカーボンヒータ２７
は石英るつぼ１３に近接した状態で加熱することにより
電力消費量を抑制しつつシリコン融液１２の融液面温度
を所定の温度に保つ。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、ヒータ昇降手段４１が、上端にボトムカー
ボンヒータ２７が取付けられチャンバ１１の下部に貫通
し周囲にラックギヤが形成された支持棒４２と、チャン
バ１１の下方に設けられラックギヤに噛合する駆動ギヤ
４３と、駆動ギヤ４３を駆動するモータ４６とにより構
成されたシリコン単結晶の引上げ装置である。ラックギ
ヤに噛合する駆動ギヤの回転により支持棒４２が昇降す
るため、容易にボトムカーボンヒータ２７の位置を制御
できる。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項２に係る発
明であって、図３に示すように、ボトムカーボンヒータ
２７が支軸１６を中心として同心円状に配置された１又
は２以上のリング状カーボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃに
より構成されたシリコン単結晶の引上げ装置である。ボ
トムカーボンヒータ２７を１又は２以上のリング状カー
ボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃにより構成することによ
り、石英るつぼ１３を有効に加熱することができる。

【００１１】請求項４に係る発明は、請求項３に係る発
明であって、図３に示すように、支持棒４２がリング状
カーボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃ毎に設けられた補助棒
４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを有するシリコン単結晶の引上
げ装置である。リング状カーボン２７ａ，２７ｂ，２７
ｃを支持する補助棒４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを支持棒が
備えることにより、リング状カーボン２７ａ，２７ｂ，
２７ｃを確実に支持してボトムカーボンヒータ２７を石
英るつぼ１３に有効に近づけることができる。

【００１２】請求項５に係る発明は、図１に示すよう
に、支軸１６の上端に固定されかつチャンバ１１内に設
けられた石英るつぼ１３に石英るつぼ１３の周囲及び下
方のチャンバ１１内に配設されたサイドカーボンヒータ
１８及びボトムカーボンヒータ２７によりシリコン多結
晶を融解してシリコン融液１２を貯留し、石英るつぼ３
を支軸１６を介してるつぼ昇降手段１７により上昇させ
ながらシリコン融液１２から成長するシリコン単結晶棒
２５を引上げる方法の改良である。その特徴ある点は、
シリコン単結晶棒２５の引上げ時にボトムカーボンヒー
タ２７をるつぼ昇降手段１７と独立してヒータ昇降手段
４１により上昇させるところにある。ヒータ昇降手段４
１はボトムカーボンヒータ２７を上方に移動させること
により、ボトムカーボンヒータ２７を石英るつぼ１３に
近づけ、ボトムカーボンヒータ２７は石英るつぼ１３に
近接した状態で加熱することにより電力消費量を抑制し
つつシリコン融液１２の融液面温度を所定の温度に保
つ。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１及び図２に示すように、シリコ
ン単結晶の引上げ装置１０のチャンバ１１内には、シリ
コン融液１２（図２）を貯留する石英るつぼ１３が設け
られ、この石英るつぼ１３の外面は黒鉛サセプタ１４に
より被覆される。石英るつぼ１３の下面は黒鉛サセプタ
１４を介して支軸１６の上端に固定され、この支軸１６
の下部はるつぼ昇降手段１７に接続される。るつぼ昇降
手段１７は図示しないが石英るつぼ１３を回転させる第
１回転用モータと、石英るつぼ１３を昇降させる昇降用
モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１３
が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可
能となっている。石英るつぼ１３の外周面は石英るつぼ
１３から所定の間隔をあけてサイドカーボンヒータ１８
により包囲され、このサイドカーボンヒータ１８は保温
筒１９により包囲される。

【００１４】またチャンバ１１の上端には円筒状のケー
シング２１が接続される。このケーシング２１には引上
げ手段２２が設けられる。引上げ手段２２はケーシング
２１の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げ
ヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させる第２回
転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１３
の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２３と、
上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２３を巻取り又
は繰出す引上げ用モータ（図示せず）とを有する。ワイ
ヤケーブル２３の下端にはシリコン融液１２に浸してシ
リコン単結晶棒２５を引上げるための種結晶２４が取付
けられる。

【００１５】更に、チャンバ１１にはこのチャンバ１１
のシリコン単結晶棒側に不活性ガスを供給しかつ上記不
活性ガスをチャンバ１１のるつぼ内周面側から排出する
ガス給排手段２８が接続される。ガス給排手段２８は一
端がケーシング２１の周壁に接続され他端が上記不活性
ガスを貯留するタンク（図示せず）に接続された供給パ
イプ２９と、一端がチャンバ１１の下壁に接続され他端
が真空ポンプ（図示せず）に接続された排出パイプ３０
とを有する。供給パイプ２９及び排出パイプ３０にはこ
れらのパイプ２９，３０を流れる不活性ガスの流量を調
整する第１及び第２流量調整弁３１，３２がそれぞれ設
けられる。

【００１６】一方、引上げられるシリコン単結晶棒２５
の外周面と石英るつぼ１３の内周面との間には、シリコ
ン単結晶棒２５を包囲する筒状の熱遮蔽体２６が設けら
れる。熱遮蔽体２６はシリコン融液１２の熱をシリコン
単結晶棒２５に到達しないように遮蔽するために設けら
れ、この熱遮蔽体２６の上縁には外方に略水平方向に張
り出すフランジ部２６ａが連設される。このフランジ部
２６ａを保温筒１９上に載置することにより熱遮蔽体２
６はチャンバ１１内に固定され、熱遮蔽体２６の下縁は
石英るつぼ１３に貯留されたシリコン融液１２表面から
所定の距離だけ上方に位置するように構成される。

【００１７】石英るつぼ１３の下方のチャンバ１１内に
はボトムカーボンヒータ２７が設けられ、チャンバ１１
の下部には一対のヒータ昇降手段４１が設けられる。ボ
トムカーボンヒータ２７はサイドカーボンヒータ１８と
ともに石英るつぼ１３に投入された高純度のシリコン多
結晶を加熱・融解してシリコン融液１２にする。ヒータ
昇降手段４１は周囲にラックギヤが形成されチャンバ１
１の下部である下壁に挿通された支持棒４２と、チャン
バ１１の下方に設けられラックギヤに噛合する駆動ギヤ
と、この駆動ギヤを駆動する駆動モータ４６とを有す
る。駆動ギヤはギヤボックス４３に内蔵されて駆動モー
タ４６による駆動ギヤの回転により支持棒４２を上下動
可能に構成され、支持棒４２の上端にはボトムカーボン
ヒータ２７が固定される。このヒータ昇降手段４１は、
支持棒４２を上下動させることによりボトムカーボンヒ
ータ２７を上昇又は下降させるように構成される。

【００１８】図３に詳しく示すように、本実施の形態に
おけるボトムカーボンヒータ２７は、支軸１６を中心と
して同心円状に配置された３個のリング状カーボン２７
ａ，２７ｂ，２７ｃにより構成される。一対の支持棒４
２はそれぞれ支持棒本体４２ａとリング状カーボン毎に
設けられた３本の導電性のある補助棒４２ｂ，４２ｃ，
４２ｄを有する。即ち、補助棒は合計６本設けられる。
一対の補助棒４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの上端はリング状
カーボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃにそれぞれ接続され、
図３において左右それぞれ２本の補助棒４２ｂ，４２ｃ
の下端には導電性のある台板４７，４８が固着される。
左右の補助棒４２ｄは台板４７，４８を貫通して固着さ
れ、各補助棒４２ｄの下端には絶縁カップリング４５，
４５がそれぞれ設けられる。絶縁カップリング４５は支
持棒本体４２ａと補助棒４２ｄと同軸に、かつ電気的に
非接触で結合するように構成される。

【００１９】図の右側に示す補助棒４２ｂ，４２ｃ，４
２ｄには、リング状カーボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃに
電力を供給するための電源装置５１が固定接点５１ａ，
５１ｂ，５１ｃを介して接続される。固定接点５１ａ，
５１ｂ，５１ｃは図の右側に示す補助棒４２ｂ，４２
ｃ，４２ｄに接触し、これらが上下動している間電源装
置５１の電力を補助棒４２ｂ，４２ｃ，４２ｄに供給し
得るように構成される。台板４８の折曲げられた鉛直面
４８ａには接地された固定接点５３が接触して設けられ
る。固定接点５３は補助棒４２ｂ，４２ｃ，４２ｄとと
もに台板４８が上下動している間、補助棒４２ｂ，４２
ｃ，４２ｄ及びリング状カーボン２７ａ，２７ｂ，２７
ｃを接地するように構成される。

【００２０】図１及び図２に戻って、引上げ手段２２に
おける引上げ用モータの出力軸（図示せず）にはロータ
リエンコーダ（図示せず）が設けられ、るつぼ昇降手段
１７には石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の重量を
検出する重量センサ（図示せず）と、支軸１６の昇降位
置を検出するリニヤエンコーダ（図示せず）とが設けら
れる。更にこの引上げ装置１０にはシリコン融液１２の
融液面温度を検出する図示しない温度センサが設けられ
る。ロータリエンコーダ、重量センサ、リニヤエンコー
ダ及び温度センサの各検出出力はコントローラ（図示せ
ず）の制御入力に接続され、コントローラの制御出力は
引上げ手段２２の引上げ用モータ、るつぼ昇降手段１７
の昇降用モータ及びヒータ昇降手段４１の駆動モータ４
６にそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ
（図示せず）が設けられ、このメモリにはロータリエン
コーダの検出出力に対するワイヤケーブル２３の巻取り
長さ、即ちシリコン単結晶棒２５の引上げ長さが第１マ
ップとして記憶され、重量センサの検出出力に対する石
英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面レベルが第２
マップとして記憶される。コントローラは重量センサの
検出出力に基づいて石英るつぼ１３内のシリコン融液１
２の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ昇降
手段１７の昇降用モータを制御するとともに、ボトムカ
ーボンヒータ２７をるつぼ昇降手段１７と独立して上昇
又は下降するようにヒータ昇降手段４１の駆動モータ４
６を制御するように構成される。

【００２１】このように構成された装置による本発明に
よるシリコン単結晶の引上げ方法を説明する。先ず、石
英るつぼ１３に高純度のシリコン多結晶を投入し、サイ
ドカーボンヒータ１８及びボトムカーボンヒータ２７に
よりこの高純度のシリコン多結晶を加熱・融解してシリ
コン融液１２にする。シリコン多結晶が融解して石英る
つぼ１３にシリコン融液１２が貯留された後、第１及び
第２流量調整弁３１，３２を開くことにより不活性ガス
をケーシング２１内に供給してシリコン融液１２の表面
から蒸発したガスをこの不活性ガスとともに排出パイプ
３０から排出させるとともに、シリコン単結晶棒２５を
引上げるシリコン融液１２の融液面温度を所定の温度に
調整する。この温度調整はサイドカーボンヒータ１８及
びボトムカーボンヒータ２７による所定時間の加熱によ
り行われる。

【００２２】シリコン融液１２の融液面温度を調整した
後、引上げ手段の図示しない引上げ用モータによりワイ
ヤ１９を繰出して種結晶２４を降下させてその先端部を
シリコン融液１２に接触させる。その後種結晶２４を徐
々に引上げて図２に示すように種絞り部２５ａを形成し
た後、更に種結晶２４を引上げて種絞り部２５ａの下部
に先ず肩部２５ｂを育成させる。その後種結晶２４を更
に引上げることにより図１に示すように肩部２５ｂの下
方に直胴部２５ｃを形成する。

【００２３】直胴部２５ｃの形成に際して、るつぼ昇降
手段１７は、支軸１６を介して石英るつぼ１３を上昇さ
せることによりシリコン単結晶棒２５の引上げに伴うシ
リコン融液１２表面の低下を防止してシリコン融液１２
表面を略均一に維持させる。直胴部２５ｃが所定長さ育
成されるとシリコン単結晶棒２５の表面積は増大し、こ
の表面積から放散される熱量は上昇する。この放散され
る熱量の上昇に伴い直胴部２５ｃが所定長さ育成された
シリコン融液１２の融液面温度は低下する。ヒータ昇降
手段４１は支持棒４２を図１の破線矢印で示すように上
方に移動させることにより、ボトムカーボンヒータ２７
を石英るつぼ１３に近づけて融液面温度の低下を防止す
る。即ち、ヒータ昇降手段４１はボトムカーボンヒータ
２７を石英るつぼ１３に近づけ、ボトムカーボンヒータ
２７が石英るつぼ１３に近接した状態で加熱することに
より電力消費量を抑制しつつシリコン融液１２の融液面
温度を所定の温度に保つ。

【００２４】なお、上述した実施の形態では、３個のリ
ング状カーボン２７ａ，２７ｂ，２７ｃからなるボトム
カーボンヒータ２７を使用したが、ボトムカーボンヒー
タは単一のリングヒータからなるボトムカーボンヒータ
でも良く、２個、４個又は５個のリングヒータからなる
ボトムカーボンヒータでも良い。

【００２５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ボ
トムカーボンヒータをるつぼ昇降手段と独立して上昇又
は下降させるヒータ昇降手段を備えたので、シリコン単
結晶棒の引上げ時にボトムカーボンヒータをるつぼ昇降
手段と独立してヒータ昇降手段により上昇させることに
より、ボトムカーボンヒータは石英るつぼに近接した状
態でシリコン融液を加熱する。このため、従来に比較し
てシリコン融液の温度制御が容易になり、カーボンヒー
タ及び石英るつぼの劣化を抑制しつつ有効に温度制御を
行うことができる。この結果、シリコン融液の残液が石
英るつぼに当初貯留されたシリコン融液の３０％未満で
あってもシリコン融液の温度制御が可能になり、シリコ
ン融液のシリコン単結晶棒への固化率を８０％程度まで
向上させることができる。

【００２６】また、ヒータ昇降手段が、上端にボトムカ
ーボンヒータが取付けられチャンバの下部に貫通し周囲
にラックギヤが形成された支持棒と、チャンバの下方に
設けられラックギヤに噛合する駆動ギヤと、駆動ギヤを
駆動するモータとにより構成すれば、ラックギヤに噛合
する駆動ギヤの回転により支持棒が昇降するため、容易
にボトムカーボンヒータの位置を制御することができ
る。更に、ボトムカーボンヒータが支軸を中心として同
心円状に配置された１又は２以上のリング状カーボンに
より構成すれば、石英るつぼを有効に加熱することがで
き、支持棒がリング状カーボン毎に設けられた補助棒を
有すれば、リング状カーボンを支持棒が確実に支持して
ボトムカーボンヒータを石英るつぼに有効に近づけるこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のシリコン単結晶の引上げ装置の直動部
引上げ時における断面構成図。

【図２】その引上げ装置の肩部引上げ時における図１に
対応する断面構成図。

【図３】そのボトムカーボンヒータとヒータ昇降手段と
の構成を示す斜視図。

【図４】従来例を示す図１に対応する断面図。

【符号の説明】

１０ シリコン単結晶の引上げ装置 １１ チャンバ １２ シリコン融液 １３ 石英るつぼ １６ 支軸 １７ るつぼ昇降手段 １８ サイドカーボンヒータ ２５ シリコン単結晶棒 ２７ ボトムカーボンヒータ ２７ａ，２７ｂ，２７ｃ リング状カーボン ４１ ヒータ昇降手段 ４２ 支持棒 ４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ 補助棒 ４３ 駆動ギヤ ４６ 駆動モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 喜田 道夫 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 島貫 康 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K092 PP09 QA02 QB14 QB41 QB51 VV40 4G050 FA16 FE03 FE12 FE14 FF51 FF55 4G077 AA02 BA04 CF00 EG18 EH06

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支軸(16)の上端に固定されかつチャンバ
   (11)内に設けられシリコン融液(12)を貯留する石英るつ
   ぼ(13)と、前記石英るつぼ(13)を前記支軸(16)を介して
   上昇又は下降させるるつぼ昇降手段(17)と、前記石英る
   つぼ(13)の周囲の前記チャンバ(11)内に設けられたサイ
   ドカーボンヒータ(18)と、前記石英るつぼ(13)の下方の
   前記チャンバ(11)内に設けられたボトムカーボンヒータ
   (27)とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置において、 前記ボトムカーボンヒータ(27)を前記るつぼ昇降手段(1
   7)と独立して上昇又は下降させるヒータ昇降手段(41)を
   備えたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。
2. 【請求項２】 ヒータ昇降手段(41)が、上端にボトムカ
   ーボンヒータ(27)が取付けられチャンバ(11)の下部に貫
   通し周囲にラックギヤが形成された支持棒(42)と、前記
   チャンバ(11)の下方に設けられ前記ラックギヤに噛合す
   る駆動ギヤ(43)と、前記駆動ギヤ(43)を駆動するモータ
   (46)とにより構成された請求項１記載のシリコン単結晶
   の引上げ装置。
3. 【請求項３】 ボトムカーボンヒータ(27)が支軸(16)を
   中心として同心円状に配置された１又は２以上のリング
   状カーボン(27a,27b,27c)により構成された請求項２記
   載のシリコン単結晶の引上げ装置。
4. 【請求項４】 支持棒(42)がリング状カーボン(27a,27
   b,27c)毎に設けられた補助棒(42b,42c,42d)を有する請
   求項３記載のシリコン単結晶の引上げ装置。
5. 【請求項５】 支軸(16)の上端に固定されかつチャンバ
   (11)内に設けられた石英るつぼ(13)に前記石英るつぼ(1
   3)の周囲及び下方のチャンバ(11)内に配設されたサイド
   カーボンヒータ(18)及びボトムカーボンヒータ(27)によ
   りシリコン多結晶を融解してシリコン融液(12)を貯留
   し、前記石英るつぼ(13)を前記支軸(16)を介してるつぼ
   昇降手段(17)により上昇させながら前記シリコン融液(1
   2)から成長するシリコン単結晶棒(25)を引上げる方法に
   おいて、 前記シリコン単結晶棒(25)の引上げ時に前記ボトムカー
   ボンヒータ(27)を前記るつぼ昇降手段(17)と独立してヒ
   ータ昇降手段(41)により上昇させることを特徴とするシ
   リコン単結晶の引上げ方法。