JP2000072535A - フェライト焼結体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銀を含む内部導体を形成する電子部品の素体
となるフェライト焼結体を得ようとするとき、銀の拡散
を抑制するため、フェライトの焼結温度を低下させる効
果のあるガラスの添加が行なわれているが、特にホウ素
を含むガラスの添加量が多い場合には、かえって銀の拡
散を促進してしまうことがある。 【解決手段】 フェライトに添加されるガラスの粘度に
着目して、銀の融点である９３０℃未満であってフェラ
イトが焼結を開始する６５０〜８００℃における粘度が
１０10Ｐａ・ｓ以上となるガラスを添加するようにし
て、銀の拡散を抑制する。
となるフェライト焼結体を得ようとするとき、銀の拡散
を抑制するため、フェライトの焼結温度を低下させる効
果のあるガラスの添加が行なわれているが、特にホウ素
を含むガラスの添加量が多い場合には、かえって銀の拡
散を促進してしまうことがある。 【解決手段】 フェライトに添加されるガラスの粘度に
着目して、銀の融点である９３０℃未満であってフェラ
イトが焼結を開始する６５０〜８００℃における粘度が
１０10Ｐａ・ｓ以上となるガラスを添加するようにし
て、銀の拡散を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フェライト焼結
体に関するもので、特に、銀を含む内部導体を形成する
電子部品の素体として有利に用いられるフェライト焼結
体に関するものである。
体に関するもので、特に、銀を含む内部導体を形成する
電子部品の素体として有利に用いられるフェライト焼結
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】インダクタ部品のような電子部品の素体
は、通常、フェライト焼結体から構成される。また、素
体の内部には、内部導体を形成するものがあり、この場
合には、内部導体を内部に形成した状態で、素体となる
フェライト焼結体を得るための焼成が行なわれる。ま
た、上述した内部導体に含まれる導電成分として、しば
しば、銀、または銀・パラジウム合金が用いられてい
る。
は、通常、フェライト焼結体から構成される。また、素
体の内部には、内部導体を形成するものがあり、この場
合には、内部導体を内部に形成した状態で、素体となる
フェライト焼結体を得るための焼成が行なわれる。ま
た、上述した内部導体に含まれる導電成分として、しば
しば、銀、または銀・パラジウム合金が用いられてい
る。
【０００３】しかしながら、フェライトを焼結させて得
られたフェライト焼結体が本来与え得る電気的特性を満
足させるためには、フェライト焼結体を得るための焼成
工程において、比較的高温での焼成を行なわなければな
らないにも関わらず、上述のように銀を含む内部導体が
形成されている場合、このような高温での焼成を行なう
と、内部導体に含まれる銀がフェライト部分に拡散し、
その結果、得られた電子部品の電気的特性を劣化させる
ことがある。
られたフェライト焼結体が本来与え得る電気的特性を満
足させるためには、フェライト焼結体を得るための焼成
工程において、比較的高温での焼成を行なわなければな
らないにも関わらず、上述のように銀を含む内部導体が
形成されている場合、このような高温での焼成を行なう
と、内部導体に含まれる銀がフェライト部分に拡散し、
その結果、得られた電子部品の電気的特性を劣化させる
ことがある。
【０００４】上述の問題の対策として、フェライトにガ
ラスを添加することが試みられている。ガラスは、焼結
助剤として働き、フェライトの焼結温度を低下させる作
用を有している。したがって、ガラスを添加することに
よってフェライトの焼結温度を低下させると、フェライ
トの焼成を比較的低温で行なうことが可能となり、その
ため、銀のフェライト部分への拡散を抑制することがで
きる。
ラスを添加することが試みられている。ガラスは、焼結
助剤として働き、フェライトの焼結温度を低下させる作
用を有している。したがって、ガラスを添加することに
よってフェライトの焼結温度を低下させると、フェライ
トの焼成を比較的低温で行なうことが可能となり、その
ため、銀のフェライト部分への拡散を抑制することがで
きる。
【０００５】より具体的には、特開平１−１１０７０８
号公報や特開平２−２８８３０７号公報には、フェライ
トにホウ珪酸ガラスを添加することによって、フェライ
トの焼結性を向上させることが提案されており、また、
これら公報では、ホウ珪酸ガラスの添加によって、機械
的強度および電気的特性の向上も図られるとしている。
号公報や特開平２−２８８３０７号公報には、フェライ
トにホウ珪酸ガラスを添加することによって、フェライ
トの焼結性を向上させることが提案されており、また、
これら公報では、ホウ珪酸ガラスの添加によって、機械
的強度および電気的特性の向上も図られるとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たホウ珪酸ガラスの添加は、なるほど、焼結助剤として
働き、フェライトの焼結温度を低下させ得るが、その反
面、銀の拡散をかえって促進してしまうこともあり得る
ことがわかってきている。特に、ホウ素が銀の拡散を促
進する作用を有していることがわかってきており、した
がって、たとえば、ホウ珪酸ガラスの添加量が１体積％
以上というように多くされると、その傾向が顕著に現れ
ることが確認されている。
たホウ珪酸ガラスの添加は、なるほど、焼結助剤として
働き、フェライトの焼結温度を低下させ得るが、その反
面、銀の拡散をかえって促進してしまうこともあり得る
ことがわかってきている。特に、ホウ素が銀の拡散を促
進する作用を有していることがわかってきており、した
がって、たとえば、ホウ珪酸ガラスの添加量が１体積％
以上というように多くされると、その傾向が顕著に現れ
ることが確認されている。
【０００７】他方、フェライトの低温焼結化のために
は、ガラス添加量の多い方がその効果が大きく、また、
電気的特性の面でも、近年、信号の高周波化に伴う信号
の歪みの抑制に対しては、ガラスを数十体積％添加した
フェライトにおいて効果が確認されており、その他、ガ
ラスを比較的大量に添加した場合に得られる好ましい効
果も数多く予想される。
は、ガラス添加量の多い方がその効果が大きく、また、
電気的特性の面でも、近年、信号の高周波化に伴う信号
の歪みの抑制に対しては、ガラスを数十体積％添加した
フェライトにおいて効果が確認されており、その他、ガ
ラスを比較的大量に添加した場合に得られる好ましい効
果も数多く予想される。
【０００８】そこで、この発明の目的は、フェライトの
電気的特性を満足させるための焼結性をフェライトに与
えることを可能にする焼結助剤となるとともに、内部導
体に含まれる銀を拡散させにくくすることができる、そ
のようなガラスが添加されている、フェライト焼結体を
提供しようとすることである。
電気的特性を満足させるための焼結性をフェライトに与
えることを可能にする焼結助剤となるとともに、内部導
体に含まれる銀を拡散させにくくすることができる、そ
のようなガラスが添加されている、フェライト焼結体を
提供しようとすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、銀を含む内
部導体を形成する電子部品の素体となるフェライト焼結
体に向けられるものであって、ニッケル、亜鉛および銅
のうちの少なくとも２種を含むフェライトと、ガラスと
を含有するものにおいて、ガラスの粘度特性に注目した
もので、ガラスとして、内部導体に含まれる銀の融点で
ある９３０℃未満でありかつフェライトが焼結を開始す
る６５０〜８００℃における粘度が１０ 10Ｐａ・ｓ以上
となるものを用いることを特徴としている。
部導体を形成する電子部品の素体となるフェライト焼結
体に向けられるものであって、ニッケル、亜鉛および銅
のうちの少なくとも２種を含むフェライトと、ガラスと
を含有するものにおいて、ガラスの粘度特性に注目した
もので、ガラスとして、内部導体に含まれる銀の融点で
ある９３０℃未満でありかつフェライトが焼結を開始す
る６５０〜８００℃における粘度が１０ 10Ｐａ・ｓ以上
となるものを用いることを特徴としている。
【００１０】この発明において、ガラスの添加量は、フ
ェライトおよびガラスの合計量に対して、１〜９０体積
％に選ばれることが好ましい。
ェライトおよびガラスの合計量に対して、１〜９０体積
％に選ばれることが好ましい。
【００１１】また、この発明において、ガラスは、結晶
化ガラスであることが好ましく、この場合、結晶化ガラ
スは、その結晶融解温度が、好ましくは、９００℃以
下、より好ましくは、８５０℃以下であり、また、結晶
化ガラスは、ホウ素を含有しないものであることがより
好ましい。
化ガラスであることが好ましく、この場合、結晶化ガラ
スは、その結晶融解温度が、好ましくは、９００℃以
下、より好ましくは、８５０℃以下であり、また、結晶
化ガラスは、ホウ素を含有しないものであることがより
好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明に係るフェライト焼結体
を素体としながら、銀を含む内部導体を形成する電子部
品を製造しようとするとき、通常、素体は積層構造を有
しているので、このような素体を得るため、複数のシー
トを積層する方法、あるいは印刷を繰り返して積層構造
を得る方法などが適用される。また、金型に導体コイル
を入れ、フェライト原料粉末を充填したのち加圧するプ
レス成形法が適用されることもある。
を素体としながら、銀を含む内部導体を形成する電子部
品を製造しようとするとき、通常、素体は積層構造を有
しているので、このような素体を得るため、複数のシー
トを積層する方法、あるいは印刷を繰り返して積層構造
を得る方法などが適用される。また、金型に導体コイル
を入れ、フェライト原料粉末を充填したのち加圧するプ
レス成形法が適用されることもある。
【００１３】焼成することによってフェライト焼結体と
なる原料は、フェライト原料とガラスとを含んでいる。
フェライト原料は、予め設定された組成比になるように
調合され、次いで仮焼されることによって得られる。そ
して、このフェライト原料に、ガラスを添加した後、再
調合することによって、フェライト焼結体のための原料
を得ることができる。
なる原料は、フェライト原料とガラスとを含んでいる。
フェライト原料は、予め設定された組成比になるように
調合され、次いで仮焼されることによって得られる。そ
して、このフェライト原料に、ガラスを添加した後、再
調合することによって、フェライト焼結体のための原料
を得ることができる。
【００１４】この原料は、上述したようなシートを積層
する方法に適用する場合には、スラリーとされ、印刷す
る方法に適用される場合には、ペーストとされ、また、
プレス成形法に適用される場合には、成形粉とされる。
する方法に適用する場合には、スラリーとされ、印刷す
る方法に適用される場合には、ペーストとされ、また、
プレス成形法に適用される場合には、成形粉とされる。
【００１５】このような原料に含まれるフェライト成分
としては、ニッケル、亜鉛および銅のうちの少なくとも
２種を含むものが用いられ、また、ガラス成分として
は、６５０〜８００℃における粘度が１０10Ｐａ・ｓ以
上となるものが選ばれる。
としては、ニッケル、亜鉛および銅のうちの少なくとも
２種を含むものが用いられ、また、ガラス成分として
は、６５０〜８００℃における粘度が１０10Ｐａ・ｓ以
上となるものが選ばれる。
【００１６】また、このような原料またはこの原料を焼
成して得られたフェライト焼結体において、好ましく
は、ガラスは、フェライトおよびガラスの合計量に対し
て、１〜９０体積％含有するようにされ、また、ガラス
は、好ましくは、その結晶融解温度が９００℃以下でか
つホウ素を含有しない結晶化ガラスとされる。
成して得られたフェライト焼結体において、好ましく
は、ガラスは、フェライトおよびガラスの合計量に対し
て、１〜９０体積％含有するようにされ、また、ガラス
は、好ましくは、その結晶融解温度が９００℃以下でか
つホウ素を含有しない結晶化ガラスとされる。
【００１７】このようなこの発明またはその好ましい実
施態様を規定する各技術的事項は、以下に記載する実験
に基づいて求められたものである。
施態様を規定する各技術的事項は、以下に記載する実験
に基づいて求められたものである。
【００１８】
【実験例１】フェライト材料として、Ｆｅ2 Ｏ3 が４
８．５モル％、ＺｎＯが２９．５モル％、ＮｉＯが１
４．０モル％、およびＣｕＯが８．０モル％の組成比を
もつ、μ＝７００のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系材料を用意し
た。
８．５モル％、ＺｎＯが２９．５モル％、ＮｉＯが１
４．０モル％、およびＣｕＯが８．０モル％の組成比を
もつ、μ＝７００のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系材料を用意し
た。
【００１９】他方、上述のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライ
ト材料に添加すべきガラスとして、表１に示すような組
成（単位：モル％）を有するガラスＡ〜Ｊをそれぞれ用
意した。
ト材料に添加すべきガラスとして、表１に示すような組
成（単位：モル％）を有するガラスＡ〜Ｊをそれぞれ用
意した。
【００２０】
【表１】 次に、上記表１に示すガラスＡ〜Ｊのそれぞれについ
て、粘度を、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０
℃、８００℃および８５０℃の各温度で測定するととも
に、結晶化の有無を評価した。なお、上述の粘度測定
は、ガラスＡ〜Ｊの各々を溶融した試料を回転式高粘度
計で測定することにより、あるいは、ガラスＡ〜Ｊの各
々を溶融し、直径７ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状試料を作
製し、これを平行板加圧式粘度計により測定することに
より行なった。
て、粘度を、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０
℃、８００℃および８５０℃の各温度で測定するととも
に、結晶化の有無を評価した。なお、上述の粘度測定
は、ガラスＡ〜Ｊの各々を溶融した試料を回転式高粘度
計で測定することにより、あるいは、ガラスＡ〜Ｊの各
々を溶融し、直径７ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状試料を作
製し、これを平行板加圧式粘度計により測定することに
より行なった。
【００２１】また、結晶化の有無は、ガラスＡ〜ＪのＸ
線回折結果により確認した。
線回折結果により確認した。
【００２２】これらの粘度測定結果および結晶化の有無
の評価結果が、表２に示されている。表２において、各
測定温度での粘度η〔Ｐａ・ｓ〕は、ｌｏｇ10ηで表さ
れている。
の評価結果が、表２に示されている。表２において、各
測定温度での粘度η〔Ｐａ・ｓ〕は、ｌｏｇ10ηで表さ
れている。
【００２３】
【表２】 表２において、ガラスＡ〜Ｆは、この発明の範囲内のも
のである。
のである。
【００２４】次に、前述したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェラ
イト材料に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を添
加するとともに、表２に示したガラスＡ〜Ｊの各々を、
フェライト材料およびガラスの合計量に対して、２０体
積％添加し、これを混練してスラリーをそれぞれ得た。
イト材料に、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を添
加するとともに、表２に示したガラスＡ〜Ｊの各々を、
フェライト材料およびガラスの合計量に対して、２０体
積％添加し、これを混練してスラリーをそれぞれ得た。
【００２５】次いで、これらスラリーの各々を、ドクタ
ーブレード法により厚さ１００μｍ以下のシート状にそ
れぞれ成形して、グリーンシートを得た。
ーブレード法により厚さ１００μｍ以下のシート状にそ
れぞれ成形して、グリーンシートを得た。
【００２６】これらグリーンシートの各々を、縦６０ｍ
ｍおよび横４０ｍｍの寸法の長方形状にカットし、カッ
トされた各グリーンシート上に、内部導体となる銀ペー
ストを、幅３００μｍおよび厚み２０μｍとなるように
７００μｍの間隔でスクリーン印刷することにより付与
した。次いで、これら印刷後のシート上に印刷しないシ
ートを積み重ねて得た生のシート積層体を、プレスした
後、内部導体を含む適当な大きさにカットし、８７０
℃、９００℃、９３０℃および９６０℃の各温度で２時
間焼成した。
ｍおよび横４０ｍｍの寸法の長方形状にカットし、カッ
トされた各グリーンシート上に、内部導体となる銀ペー
ストを、幅３００μｍおよび厚み２０μｍとなるように
７００μｍの間隔でスクリーン印刷することにより付与
した。次いで、これら印刷後のシート上に印刷しないシ
ートを積み重ねて得た生のシート積層体を、プレスした
後、内部導体を含む適当な大きさにカットし、８７０
℃、９００℃、９３０℃および９６０℃の各温度で２時
間焼成した。
【００２７】得られた焼成後の各試料について、その破
断面に現れる内部導体の状態を走査型電子顕微鏡および
光学顕微鏡により観察した。この観察結果が表３に示さ
れている。
断面に現れる内部導体の状態を走査型電子顕微鏡および
光学顕微鏡により観察した。この観察結果が表３に示さ
れている。
【００２８】
【表３】 表３において、内部導体が連続的に存在している場合を
「○」で表わし、断続的にしか存在していない場合、消
失している場合、あるいは内部導体が一部拡散し、本来
あるべき場所以外に点在している場合を「×」で表わし
ている。
「○」で表わし、断続的にしか存在していない場合、消
失している場合、あるいは内部導体が一部拡散し、本来
あるべき場所以外に点在している場合を「×」で表わし
ている。
【００２９】表３からわかるように、８７０〜９３０℃
の焼成温度では、この発明の範囲内にある、ガラスＡ〜
Ｆを添加した各試料によれば、内部導体の状態は連続的
であり、細り等の欠陥が一切見られず、「○」の評価が
得られた。これに対して、この発明の範囲外である、ガ
ラスＧ〜Ｊを添加した各試料では、８７０℃以上の焼成
温度で、内部導体に含まれる銀が消失するなどして、
「×」の評価しか得られなかった。
の焼成温度では、この発明の範囲内にある、ガラスＡ〜
Ｆを添加した各試料によれば、内部導体の状態は連続的
であり、細り等の欠陥が一切見られず、「○」の評価が
得られた。これに対して、この発明の範囲外である、ガ
ラスＧ〜Ｊを添加した各試料では、８７０℃以上の焼成
温度で、内部導体に含まれる銀が消失するなどして、
「×」の評価しか得られなかった。
【００３０】上述の表３に示した内部導体の観察結果
は、表２に示したガラスの粘度と大いに関連している。
すなわち、表３に示した８７０〜９３０℃の焼成温度で
「○」と評価された試料にそれぞれ添加されたガラスＡ
〜Ｆは、すべて、表２に示すように、６５０〜８００℃
の測定温度での粘度が１０10Ｐａ・ｓ以上であり、他
方、表３において、焼成温度８７０〜９３０℃で「×」
と評価された試料に添加されたガラスＧ〜Ｊについて
は、表２に示すように、測定温度６５０〜８００℃にお
いて、ほとんどが１０10Ｐａ・ｓ未満の粘度を示してい
る。
は、表２に示したガラスの粘度と大いに関連している。
すなわち、表３に示した８７０〜９３０℃の焼成温度で
「○」と評価された試料にそれぞれ添加されたガラスＡ
〜Ｆは、すべて、表２に示すように、６５０〜８００℃
の測定温度での粘度が１０10Ｐａ・ｓ以上であり、他
方、表３において、焼成温度８７０〜９３０℃で「×」
と評価された試料に添加されたガラスＧ〜Ｊについて
は、表２に示すように、測定温度６５０〜８００℃にお
いて、ほとんどが１０10Ｐａ・ｓ未満の粘度を示してい
る。
【００３１】なお、表３に示した内部導体の観察結果
を、表１に示したガラスの組成と対比させればわかるよ
うに、内部導体の観察結果に顕著な影響を与えるガラス
組成は見付からない。このことからも、添加されるガラ
スの粘度が、銀の拡散を左右する主な要因であることを
確認することができる。
を、表１に示したガラスの組成と対比させればわかるよ
うに、内部導体の観察結果に顕著な影響を与えるガラス
組成は見付からない。このことからも、添加されるガラ
スの粘度が、銀の拡散を左右する主な要因であることを
確認することができる。
【００３２】また、表２に示すように、この発明の範囲
内にあるフェライト焼結体を与え得るガラス、すなわち
ガラスＡ〜Ｆは、すべて、結晶化ガラスである。このこ
とから、結晶化ガラスの方が、１０10Ｐａ・ｓ以上の粘
度特性を得やすいことがわかる。
内にあるフェライト焼結体を与え得るガラス、すなわち
ガラスＡ〜Ｆは、すべて、結晶化ガラスである。このこ
とから、結晶化ガラスの方が、１０10Ｐａ・ｓ以上の粘
度特性を得やすいことがわかる。
【００３３】また、内部導体に含まれる銀は、特にガラ
ス中にホウ素を含有しているときに、その拡散が促進さ
れることが知られている。したがって、ガラス中にはホ
ウ素が含有されないことが望まれる。表２に示した粘度
がこの発明の範囲内にあるガラスＡ〜Ｆのほとんど、す
なわち、ガラスＣを除くガラスＡ、ＢおよびＤ〜Ｆは、
ホウ素を含有していない。このことから、ホウ素を含有
しないガラスにおいて、この発明の範囲内の粘度特性が
得やすいことがわかる。
ス中にホウ素を含有しているときに、その拡散が促進さ
れることが知られている。したがって、ガラス中にはホ
ウ素が含有されないことが望まれる。表２に示した粘度
がこの発明の範囲内にあるガラスＡ〜Ｆのほとんど、す
なわち、ガラスＣを除くガラスＡ、ＢおよびＤ〜Ｆは、
ホウ素を含有していない。このことから、ホウ素を含有
しないガラスにおいて、この発明の範囲内の粘度特性が
得やすいことがわかる。
【００３４】また、各試料に係るフェライト焼結体の焼
結性も評価した。すなわち、前述のようにして得られた
グリーンシートを積み重ね、プレスした後、内径８ｍ
ｍ、外径１６ｍｍおよび厚み２ｍｍのリング状試料を打
ち抜き、８７０℃、９００℃、９３０℃および９６０℃
の各温度でそれぞれ焼成し、得られた各リング状フェラ
イト焼結体を純水中で２時間煮沸し、その前後の重量変
化から吸水率を求め、これによって焼結性を評価した。
結性も評価した。すなわち、前述のようにして得られた
グリーンシートを積み重ね、プレスした後、内径８ｍ
ｍ、外径１６ｍｍおよび厚み２ｍｍのリング状試料を打
ち抜き、８７０℃、９００℃、９３０℃および９６０℃
の各温度でそれぞれ焼成し、得られた各リング状フェラ
イト焼結体を純水中で２時間煮沸し、その前後の重量変
化から吸水率を求め、これによって焼結性を評価した。
【００３５】以下の表４には、ガラスＡ〜Ｊをそれぞれ
添加した各試料の吸水率（％）が示されている。また、
表４には、表２に示した結晶化ガラスすなわちガラスＡ
〜ＦおよびＨについての結晶質から非晶質になる温度す
なわち結晶融解温度も示されている。
添加した各試料の吸水率（％）が示されている。また、
表４には、表２に示した結晶化ガラスすなわちガラスＡ
〜ＦおよびＨについての結晶質から非晶質になる温度す
なわち結晶融解温度も示されている。
【００３６】
【表４】 表４を参照して、この発明の範囲内にあるガラスＡ〜Ｆ
をそれぞれ添加した各試料間で吸水率を比較すると、９
３０℃および９６０℃の各温度で焼成して得られた試料
については、ガラスＢ〜Ｅをそれぞれ添加した各試料に
おいて吸水率が０％であり、ガラスＡおよびＦを添加し
た各試料に比べて、吸水率すなわち焼結性についてより
良好な結果が得られていることがわかる。
をそれぞれ添加した各試料間で吸水率を比較すると、９
３０℃および９６０℃の各温度で焼成して得られた試料
については、ガラスＢ〜Ｅをそれぞれ添加した各試料に
おいて吸水率が０％であり、ガラスＡおよびＦを添加し
た各試料に比べて、吸水率すなわち焼結性についてより
良好な結果が得られていることがわかる。
【００３７】これは、結晶融解温度から明らかなよう
に、ガラスＢ〜Ｅを添加した各試料では、焼成温度にお
いてガラスの粘度が下がっていることによるものであ
る。すなわち、ガラスの結晶融解温度は、９００℃以下
であることが好ましい。
に、ガラスＢ〜Ｅを添加した各試料では、焼成温度にお
いてガラスの粘度が下がっていることによるものであ
る。すなわち、ガラスの結晶融解温度は、９００℃以下
であることが好ましい。
【００３８】さらに、ガラスの結晶融解温度が８５０℃
以下であるガラスＣ〜Ｅを添加した各試料の場合には、
９００℃の焼成によっても、吸水率が０％のフェライト
焼結体が得られている。このことから、ガラスの結晶融
解温度は、８５０℃以下であることがより好ましいこと
がわかる。
以下であるガラスＣ〜Ｅを添加した各試料の場合には、
９００℃の焼成によっても、吸水率が０％のフェライト
焼結体が得られている。このことから、ガラスの結晶融
解温度は、８５０℃以下であることがより好ましいこと
がわかる。
【００３９】
【実験例２】上述した実験例１で用いたガラスＢ〜Ｅの
それぞれについて、その添加量を、フェライトおよびガ
ラスの合計量に対して、１体積％、３体積％、５体積
％、１０体積％、２０体積％、５０体積％、９０体積％
および９５体積％というように変化させた各スラリー
を、実験例１と同様に作製し、各スラリーを用いて、実
験例１と同様の方法により、内部導体を形成する生のシ
ート積層体を得、各積層体を９００℃で焼成して、試料
となるフェライト焼結体を得た。
それぞれについて、その添加量を、フェライトおよびガ
ラスの合計量に対して、１体積％、３体積％、５体積
％、１０体積％、２０体積％、５０体積％、９０体積％
および９５体積％というように変化させた各スラリー
を、実験例１と同様に作製し、各スラリーを用いて、実
験例１と同様の方法により、内部導体を形成する生のシ
ート積層体を得、各積層体を９００℃で焼成して、試料
となるフェライト焼結体を得た。
【００４０】そして、これら各試料に係るフェライト焼
結体について、実験例１と同様の方法により、破断面の
内部導体の状態を評価した。その評価結果が、以下の表
５に示されている。
結体について、実験例１と同様の方法により、破断面の
内部導体の状態を評価した。その評価結果が、以下の表
５に示されている。
【００４１】
【表５】 表５に示すように、ガラスＢ〜Ｅの各々について、１〜
９５体積％の範囲内の添加量において、フェライトの焼
結性を高め、結果として、銀の拡散を抑制できる効果が
確認された。
９５体積％の範囲内の添加量において、フェライトの焼
結性を高め、結果として、銀の拡散を抑制できる効果が
確認された。
【００４２】なお、表５には示されていないが、ガラス
の添加量が１体積％未満の場合には、その焼結助剤とし
ての効果が得られず、また、添加量が９０体積％を超え
る場合には、フェライトの特性を引き出すことができな
くなることも確認されている。このことから、ガラスの
添加量は、１〜９０体積％であることが好ましい。
の添加量が１体積％未満の場合には、その焼結助剤とし
ての効果が得られず、また、添加量が９０体積％を超え
る場合には、フェライトの特性を引き出すことができな
くなることも確認されている。このことから、ガラスの
添加量は、１〜９０体積％であることが好ましい。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、フェ
ライト焼結体にガラスが含有され、このガラスの６５０
〜８００℃における粘度が１０10Ｐａ・ｓ以上となるよ
うに選ばれているので、焼結性を確保しながら、内部導
体に含まれる銀の拡散を効果的に抑制することができ
る。したがって、このようなフェライト焼結体を素体と
して用いた電子部品において、フェライトの電気的特性
を良好に引き出すことができるとともに、内部導体の適
正な形成状態を保証することができる。
ライト焼結体にガラスが含有され、このガラスの６５０
〜８００℃における粘度が１０10Ｐａ・ｓ以上となるよ
うに選ばれているので、焼結性を確保しながら、内部導
体に含まれる銀の拡散を効果的に抑制することができ
る。したがって、このようなフェライト焼結体を素体と
して用いた電子部品において、フェライトの電気的特性
を良好に引き出すことができるとともに、内部導体の適
正な形成状態を保証することができる。
【００４４】この発明において、フェライトおよびガラ
スの合計量に対して、ガラスが１〜９０体積％含有する
ようにすれば、上述した効果をより確実に得ることがで
きる。
スの合計量に対して、ガラスが１〜９０体積％含有する
ようにすれば、上述した効果をより確実に得ることがで
きる。
【００４５】また、この発明において、ガラスが結晶化
ガラスであるとき、前述したような好ましい粘度特性を
より容易に得ることができる。
ガラスであるとき、前述したような好ましい粘度特性を
より容易に得ることができる。
【００４６】また、上述した結晶化ガラスとして、結晶
融解温度が９００℃以下のものを用いると、焼結性をよ
り高めることができる。
融解温度が９００℃以下のものを用いると、焼結性をよ
り高めることができる。
【００４７】また、結晶化ガラスがホウ素を含有しない
ものであるとき、ホウ素による銀の拡散の促進効果が働
かないようにすることができるので、この点において
も、銀の拡散を抑制する効果をさらに期待できる。ま
た、ホウ素を含有しないとき、前述したような好ましい
粘度特性を得ることが容易である。
ものであるとき、ホウ素による銀の拡散の促進効果が働
かないようにすることができるので、この点において
も、銀の拡散を抑制する効果をさらに期待できる。ま
た、ホウ素を含有しないとき、前述したような好ましい
粘度特性を得ることが容易である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月２３日（１９９８．１０．
２３）
２３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】
【表１】 次に、上記表１に示すガラスＡ〜Ｊのそれぞれについ
て、粘度を、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０
℃、８００℃および８５０℃の各温度で測定するととも
に、結晶化の有無を評価した。なお、上述の粘度測定
は、ガラスＡ〜Ｊの各々を溶融した試料を回転式高粘度
計で測定することにより、あるいは、ガラスＡ〜Ｊの各
々を溶融し、直径７ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状試料を作
製し、これを平行板加圧式粘度計により測定することに
より行なった。
て、粘度を、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０
℃、８００℃および８５０℃の各温度で測定するととも
に、結晶化の有無を評価した。なお、上述の粘度測定
は、ガラスＡ〜Ｊの各々を溶融した試料を回転式高粘度
計で測定することにより、あるいは、ガラスＡ〜Ｊの各
々を溶融し、直径７ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状試料を作
製し、これを平行板加圧式粘度計により測定することに
より行なった。
Claims (5)
- 【請求項１】 銀を含む内部導体を形成する電子部品の
素体となるフェライト焼結体であって、ニッケル、亜鉛
および銅のうちの少なくとも２種を含むフェライトと、
６５０〜８００℃における粘度が１０10Ｐａ・ｓ以上と
なるガラスとを含有する、フェライト焼結体。 - 【請求項２】 前記フェライトおよび前記ガラスの合計
量に対して、前記ガラスを１〜９０体積％含有する、請
求項１に記載のフェライト焼結体。 - 【請求項３】 前記ガラスは、結晶化ガラスである、請
求項１または２に記載のフェライト焼結体。 - 【請求項４】 前記結晶化ガラスは、その結晶融解温度
が９００℃以下のものである、請求項３に記載のフェラ
イト焼結体。 - 【請求項５】 前記結晶化ガラスは、ホウ素を含有しな
いものである、請求項３または４に記載のフェライト焼
結体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23526098A JP3454164B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | フェライト焼結体 |
| US09/361,760 US6165379A (en) | 1998-08-21 | 1999-07-27 | Ferrite sintered compact and electronic part comprising the same |
| TW088113451A TW539658B (en) | 1998-08-21 | 1999-08-06 | Ferrite sintered compact and electronic part comprising the same |
| KR1019990032925A KR100339028B1 (ko) | 1998-08-21 | 1999-08-11 | 페라이트 소결체 및 이를 포함한 전자 부품 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23526098A JP3454164B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | フェライト焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000072535A true JP2000072535A (ja) | 2000-03-07 |
| JP3454164B2 JP3454164B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=16983460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23526098A Expired - Fee Related JP3454164B2 (ja) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | フェライト焼結体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6165379A (ja) |
| JP (1) | JP3454164B2 (ja) |
| KR (1) | KR100339028B1 (ja) |
| TW (1) | TW539658B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776507B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-08-17 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive paste and manufacturing method of member for display panel |
| KR101218984B1 (ko) * | 2010-11-18 | 2013-01-04 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품용 자성체 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 세라믹 전자부품 |
| JP2015034109A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 日本電気硝子株式会社 | ビスマス系ガラス組成物、粉末材料及び粉末材料ペースト |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243629A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタおよびその製造方法 |
| JP2001106566A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Murata Mfg Co Ltd | フェライト焼結体および積層フェライト部品 |
| CN104737245B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-12-07 | 株式会社村田制作所 | 层叠线圈部件及其制造方法 |
| KR101912291B1 (ko) * | 2017-10-25 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 인덕터 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151331A (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-08 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 低温焼結可能な酸化物磁性材料 |
| JP2691715B2 (ja) * | 1987-07-01 | 1997-12-17 | ティーディーケイ株式会社 | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
| DE3888582T2 (de) * | 1987-07-01 | 1994-10-13 | Tdk Corp | Gesinterter Ferritkörper, Chip-Induktivität und Verbund-LC-Teil. |
| JPH02288307A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Toko Inc | 積層インダクタ用磁性材料 |
| JPH08107009A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | フェライト焼結体及びその製法 |
| JP3513787B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| KR100222757B1 (ko) * | 1996-11-30 | 1999-10-01 | 이형도 | 인덕터용 연자성재료 및 이를 이용한 인덕터의 제조방법 |
-
1998
- 1998-08-21 JP JP23526098A patent/JP3454164B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-07-27 US US09/361,760 patent/US6165379A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-06 TW TW088113451A patent/TW539658B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-11 KR KR1019990032925A patent/KR100339028B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776507B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-08-17 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive paste and manufacturing method of member for display panel |
| KR101218984B1 (ko) * | 2010-11-18 | 2013-01-04 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품용 자성체 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 세라믹 전자부품 |
| JP2015034109A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 日本電気硝子株式会社 | ビスマス系ガラス組成物、粉末材料及び粉末材料ペースト |
| US10011519B2 (en) | 2013-08-09 | 2018-07-03 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Bismuth-based glass composition, powder material, and powder material paste |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6165379A (en) | 2000-12-26 |
| TW539658B (en) | 2003-07-01 |
| KR100339028B1 (ko) | 2002-05-31 |
| JP3454164B2 (ja) | 2003-10-06 |
| KR20000017249A (ko) | 2000-03-25 |
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