JP2000068642A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JP2000068642A JP2000068642A JP10238649A JP23864998A JP2000068642A JP 2000068642 A JP2000068642 A JP 2000068642A JP 10238649 A JP10238649 A JP 10238649A JP 23864998 A JP23864998 A JP 23864998A JP 2000068642 A JP2000068642 A JP 2000068642A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線パターンと樹脂層との間の密着性の良好
な多層回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 下層の配線パターン２２上に樹脂層２４
を形成する工程と、該樹脂層２４に、下層の配線パター
ン２２に通じる穴２６を形成する穴形成工程と、樹脂層
２４および穴２６内壁に無電解めっき、次いで電解めっ
きを施してめっき被膜３０を形成するめっき工程と、該
めっき被膜３０をエッチングしてパターニングするエッ
チング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、
前記穴２６形成工程後、前記樹脂層２４表面にカップリ
ング剤を塗布して後、前記めっき工程を行うことを特徴
としている。
な多層回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 下層の配線パターン２２上に樹脂層２４
を形成する工程と、該樹脂層２４に、下層の配線パター
ン２２に通じる穴２６を形成する穴形成工程と、樹脂層
２４および穴２６内壁に無電解めっき、次いで電解めっ
きを施してめっき被膜３０を形成するめっき工程と、該
めっき被膜３０をエッチングしてパターニングするエッ
チング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、
前記穴２６形成工程後、前記樹脂層２４表面にカップリ
ング剤を塗布して後、前記めっき工程を行うことを特徴
としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂層と配線パター
ンとの間の密着性を向上できる多層回路基板の製造方法
に関する。
ンとの間の密着性を向上できる多層回路基板の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチチップモジュール基板等の多層回
路基板の製造方法には種々の方法が知られている。図６
〜図１０は、いわゆるビルドアップ方式で多層回路基板
を製造する工程の一例を示す。まず、銅箔付きのコア基
板１０（図６）の銅箔１１をエッチング加工して所要の
配線パターン１２（図７）に形成する。
路基板の製造方法には種々の方法が知られている。図６
〜図１０は、いわゆるビルドアップ方式で多層回路基板
を製造する工程の一例を示す。まず、銅箔付きのコア基
板１０（図６）の銅箔１１をエッチング加工して所要の
配線パターン１２（図７）に形成する。
【０００３】次に、図８に示すように、配線パターン１
２を覆うようにしてコア基板１０上に樹脂層１３を形成
する（樹脂層形成工程）。樹脂層１３は印刷により所定
の厚みに形成される。あるいはあらかじめシート状に形
成された樹脂を接着して形成する。
２を覆うようにしてコア基板１０上に樹脂層１３を形成
する（樹脂層形成工程）。樹脂層１３は印刷により所定
の厚みに形成される。あるいはあらかじめシート状に形
成された樹脂を接着して形成する。
【０００４】次に、図９に示すように、樹脂層１３に、
配線パターン１２に通じる穴（ブラインドビア孔）１４
を形成する（穴形成工程）。穴１４は、レーザー加工に
よって、あるいは樹脂層１３が感光性樹脂であるとき
は、フォトリソグラフィーによって形成できる。
配線パターン１２に通じる穴（ブラインドビア孔）１４
を形成する（穴形成工程）。穴１４は、レーザー加工に
よって、あるいは樹脂層１３が感光性樹脂であるとき
は、フォトリソグラフィーによって形成できる。
【０００５】次に、図１０に示すように、無電解銅めっ
き、次いで電解銅めっきを施して、樹脂層１３表面上、
および穴１４内壁、穴内の配線パターン１２上に銅めっ
き被膜１５を形成する（めっき工程）。
き、次いで電解銅めっきを施して、樹脂層１３表面上、
および穴１４内壁、穴内の配線パターン１２上に銅めっ
き被膜１５を形成する（めっき工程）。
【０００６】そして、めっき被膜１５をエッチング加工
によって所要の配線パターンに形成することで、下層と
上層に電気的に接続された配線パターンを形成すること
ができる。
によって所要の配線パターンに形成することで、下層と
上層に電気的に接続された配線パターンを形成すること
ができる。
【０００７】図８〜図１０に示す工程を繰り返して、コ
ア基板１０上に多層の配線パターンを形成することがで
きる。多層の配線パターンはコア基板１０の両面に形成
されることもある。これら多層回路基板は、マルチチッ
プモジュール基板、あるいは単一の半導体チップを搭載
するパッケージなどとして用いられる。
ア基板１０上に多層の配線パターンを形成することがで
きる。多層の配線パターンはコア基板１０の両面に形成
されることもある。これら多層回路基板は、マルチチッ
プモジュール基板、あるいは単一の半導体チップを搭載
するパッケージなどとして用いられる。
【０００８】他の方法としては、図７に示すコア基板１
０上に、銅箔付き絶縁層（図示せず）を積層して、上記
と同様にして孔あけ加工、めっき工程、パターニング工
程を繰り返して多層の回路基板を形成する方法もある。
０上に、銅箔付き絶縁層（図示せず）を積層して、上記
と同様にして孔あけ加工、めっき工程、パターニング工
程を繰り返して多層の回路基板を形成する方法もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、銅箔付
き絶縁層を多層に積層する方法のものでは、銅箔をパタ
ーニングした配線パターンと絶縁層との間の密着性は良
好である。すなわち、銅箔は片面側が粗面となる電解銅
箔が用いられ、粗面のアンカー効果により絶縁層との間
の密着性は良好となる。しかしながら、この電解銅箔を
エッチングによりパターニングする際は、絶縁層中に食
い込んでいる粗面の突起部分までエッチングする必要が
あることから、厚い銅箔をエッチングすることと同じで
あり、ファインな配線パターンを得ることが困難とな
る。
き絶縁層を多層に積層する方法のものでは、銅箔をパタ
ーニングした配線パターンと絶縁層との間の密着性は良
好である。すなわち、銅箔は片面側が粗面となる電解銅
箔が用いられ、粗面のアンカー効果により絶縁層との間
の密着性は良好となる。しかしながら、この電解銅箔を
エッチングによりパターニングする際は、絶縁層中に食
い込んでいる粗面の突起部分までエッチングする必要が
あることから、厚い銅箔をエッチングすることと同じで
あり、ファインな配線パターンを得ることが困難とな
る。
【００１０】一方、ビルドアップ法のように、その都度
めっき被膜を形成する方法のものでは、薄膜化が可能で
あり、ファインな配線パターンを形成することができ
る。しかしながら、逆に絶縁層（樹脂層）と配線パター
ンとの間の密着性に劣るという課題がある。特に、樹脂
層上には、無電解めっき被膜を形成して後、電解めっき
被膜を厚付けする必要があり、この無電解めっき被膜と
樹脂層との間の密着性が問題となる。この密着性を向上
させるべく、従来においては、樹脂層表面を過マンガン
酸塩溶液で粗化するとか、あるいはプラズマによるドラ
イエッチングによって粗化するなどしていたが、樹脂層
には、無機フィラーが混入されているため、十分な粗化
が行えず、満足のいく密着力が得られていないのが現状
である。
めっき被膜を形成する方法のものでは、薄膜化が可能で
あり、ファインな配線パターンを形成することができ
る。しかしながら、逆に絶縁層（樹脂層）と配線パター
ンとの間の密着性に劣るという課題がある。特に、樹脂
層上には、無電解めっき被膜を形成して後、電解めっき
被膜を厚付けする必要があり、この無電解めっき被膜と
樹脂層との間の密着性が問題となる。この密着性を向上
させるべく、従来においては、樹脂層表面を過マンガン
酸塩溶液で粗化するとか、あるいはプラズマによるドラ
イエッチングによって粗化するなどしていたが、樹脂層
には、無機フィラーが混入されているため、十分な粗化
が行えず、満足のいく密着力が得られていないのが現状
である。
【００１１】そこで、本発明は上記課題を解決すべくな
されたものであり、その目的とするところは、配線パタ
ーンと樹脂層との間の密着性の良好な多層回路基板の製
造方法を提供するにある。
されたものであり、その目的とするところは、配線パタ
ーンと樹脂層との間の密着性の良好な多層回路基板の製
造方法を提供するにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る多
層回路基板の製造方法は、下層の配線パターン上に樹脂
層を形成する工程と、該樹脂層に、前記下層の配線パタ
ーンに通じる穴を形成する穴形成工程と、前記樹脂層お
よび前記穴内壁に無電解めっき、次いで電解めっきを施
してめっき被膜を形成するめっき工程と、該めっき被膜
をエッチングしてパターニングするエッチング工程とを
含む多層回路基板の製造方法において、前記穴形成工程
後、前記樹脂層表面にカップリング剤を塗布して後、前
記めっき工程を行うことを特徴としている。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る多
層回路基板の製造方法は、下層の配線パターン上に樹脂
層を形成する工程と、該樹脂層に、前記下層の配線パタ
ーンに通じる穴を形成する穴形成工程と、前記樹脂層お
よび前記穴内壁に無電解めっき、次いで電解めっきを施
してめっき被膜を形成するめっき工程と、該めっき被膜
をエッチングしてパターニングするエッチング工程とを
含む多層回路基板の製造方法において、前記穴形成工程
後、前記樹脂層表面にカップリング剤を塗布して後、前
記めっき工程を行うことを特徴としている。
【００１３】また本発明に係る多層回路基板の製造方法
では、下層の配線パターン上に樹脂層を形成する工程
と、該樹脂層に、前記下層の配線パターンに通じる穴を
形成する穴形成工程と、前記樹脂層および前記穴内壁に
無電解めっき、次いで電解めっきを施してめっき被膜を
形成するめっき工程と、該めっき被膜をエッチングして
パターニングするエッチング工程とを含む多層回路基板
の製造方法において、前記めっき工程において、前記無
電解めっきを施して無電解めっき被膜形成後、該無電解
めっき被膜上にカップリング剤を塗布し、しかる後に前
記電解めっきを施すことを特徴としている。
では、下層の配線パターン上に樹脂層を形成する工程
と、該樹脂層に、前記下層の配線パターンに通じる穴を
形成する穴形成工程と、前記樹脂層および前記穴内壁に
無電解めっき、次いで電解めっきを施してめっき被膜を
形成するめっき工程と、該めっき被膜をエッチングして
パターニングするエッチング工程とを含む多層回路基板
の製造方法において、前記めっき工程において、前記無
電解めっきを施して無電解めっき被膜形成後、該無電解
めっき被膜上にカップリング剤を塗布し、しかる後に前
記電解めっきを施すことを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態
は、図６〜図１０のビルドアップ法による回路基板の製
造工程の改良に係る。図１は、図６〜図９の工程に対応
するもので、下層の基板２０上に形成された配線パター
ン２２上に樹脂層２４を形成し、この樹脂層２４に、配
線パターン２２に通じる穴２６を形成した図を示す。穴
２６は、前記と同様に、レーザー加工、フォトリソグラ
フィー等により形成する。この後、樹脂層２４表面を過
マンガン酸塩溶液で処理して粗化する。この粗化処理は
必ずしも行わなくともよい。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態
は、図６〜図１０のビルドアップ法による回路基板の製
造工程の改良に係る。図１は、図６〜図９の工程に対応
するもので、下層の基板２０上に形成された配線パター
ン２２上に樹脂層２４を形成し、この樹脂層２４に、配
線パターン２２に通じる穴２６を形成した図を示す。穴
２６は、前記と同様に、レーザー加工、フォトリソグラ
フィー等により形成する。この後、樹脂層２４表面を過
マンガン酸塩溶液で処理して粗化する。この粗化処理は
必ずしも行わなくともよい。
【００１５】その後、図２に示すように、めっき工程の
前に、樹脂層２４の表面（穴２６内壁、穴２６内の配線
パターン２２表面を含む）に、カップリング剤を塗布し
て、薄いカップリング剤層２８を形成する。
前に、樹脂層２４の表面（穴２６内壁、穴２６内の配線
パターン２２表面を含む）に、カップリング剤を塗布し
て、薄いカップリング剤層２８を形成する。
【００１６】カップリング剤としては、γ−（２−アミ
ノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、あるい
はγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシ
ランカップリング剤を１種または複数種混合して用い
る。これらカップリング剤を水またはアルコール（メタ
ノール）に溶解した０．０５〜２．０％程度の溶液を樹
脂層２４表面に塗布する。塗布は、スピンコート法また
はディップ法で行う。塗布後、カップリング剤層２８を
自然乾燥、または乾燥機中で８０〜１２０℃の熱を加え
て乾燥させる。
ノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、あるい
はγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシ
ランカップリング剤を１種または複数種混合して用い
る。これらカップリング剤を水またはアルコール（メタ
ノール）に溶解した０．０５〜２．０％程度の溶液を樹
脂層２４表面に塗布する。塗布は、スピンコート法また
はディップ法で行う。塗布後、カップリング剤層２８を
自然乾燥、または乾燥機中で８０〜１２０℃の熱を加え
て乾燥させる。
【００１７】しかる後、図３に示すように、無電解銅め
っき、次いで電解銅めっきを施して、銅めっき被膜３０
を形成するのである。そして銅めっき被膜３０を公知の
フォトリソグラフィー法によりエッチングして配線パタ
ーンを形成する。
っき、次いで電解銅めっきを施して、銅めっき被膜３０
を形成するのである。そして銅めっき被膜３０を公知の
フォトリソグラフィー法によりエッチングして配線パタ
ーンを形成する。
【００１８】上記工程を繰り返して、上下の配線パター
ン間が電気的に導通した多層回路基板を製造することが
できる。上記工程中、無電解銅めっきを施した後、再
度、この無電解銅めっき被膜上に上記と同様にしてカッ
プリング剤層を形成し（図示せず）、次いで電解銅めっ
きを施して、銅めっき被膜を形成するようにしてもよ
い。これにより、さらに密着力に優れるめっき被膜を得
ることができる。
ン間が電気的に導通した多層回路基板を製造することが
できる。上記工程中、無電解銅めっきを施した後、再
度、この無電解銅めっき被膜上に上記と同様にしてカッ
プリング剤層を形成し（図示せず）、次いで電解銅めっ
きを施して、銅めっき被膜を形成するようにしてもよ
い。これにより、さらに密着力に優れるめっき被膜を得
ることができる。
【００１９】あるいは、図１に示す工程後、直ちに無電
解銅めっきを施して樹脂層２４上に無電解銅めっき被膜
を形成して後、この無電解銅めっき被膜上に前記と同様
にしてカップリング剤を塗布し、しかる後電解銅めっき
を施して、銅めっき被膜を形成するようにしてもよい。
無電解銅めっき被膜は数１００〜１０００Å程度の極め
て薄い被膜であるため、この無電解銅めっき被膜上にカ
ップリング剤層を形成した場合にも、カップリング剤が
下層に浸透し、密着力向上に寄与すると考えられる。
解銅めっきを施して樹脂層２４上に無電解銅めっき被膜
を形成して後、この無電解銅めっき被膜上に前記と同様
にしてカップリング剤を塗布し、しかる後電解銅めっき
を施して、銅めっき被膜を形成するようにしてもよい。
無電解銅めっき被膜は数１００〜１０００Å程度の極め
て薄い被膜であるため、この無電解銅めっき被膜上にカ
ップリング剤層を形成した場合にも、カップリング剤が
下層に浸透し、密着力向上に寄与すると考えられる。
【００２０】図４〜図５は他の実施の形態を示す。図４
に示すように、樹脂層２４中には、シリカ（SiO2）に代
表される無機フィラー３２が充填されている。本実施の
形態では、図１に示す工程の後、樹脂層２４表面をふっ
酸でエッチングし、樹脂層２４中に含まれ、樹脂層２４
表面に露出する無機フィラー３２を除去して樹脂層２４
表面に凹凸を形成する粗面化工程を行う（図５）。
に示すように、樹脂層２４中には、シリカ（SiO2）に代
表される無機フィラー３２が充填されている。本実施の
形態では、図１に示す工程の後、樹脂層２４表面をふっ
酸でエッチングし、樹脂層２４中に含まれ、樹脂層２４
表面に露出する無機フィラー３２を除去して樹脂層２４
表面に凹凸を形成する粗面化工程を行う（図５）。
【００２１】次いで、上記のように、樹脂層２４表面に
カップリング剤層を形成して後、無電解銅めっき、次い
で電解銅めっきを施して銅めっき被膜（図示せず）を形
成するのである。これにより銅めっき被膜（配線パター
ン）と樹脂層との間の密着力がさらに向上する。
カップリング剤層を形成して後、無電解銅めっき、次い
で電解銅めっきを施して銅めっき被膜（図示せず）を形
成するのである。これにより銅めっき被膜（配線パター
ン）と樹脂層との間の密着力がさらに向上する。
【００２２】なお、本実施の形態では、樹脂層表面に、
無機フィラーが除去されることにより、奥が広まった形
状の凹部が形成される。銅めっき被膜がこの凹部内に一
部進入して形成されるから、樹脂層と銅めっき被膜との
密着力は極めて良好である。したがって、本実施の形態
の場合、上記カップリング剤層は必ずしも形成しなくと
もよい。
無機フィラーが除去されることにより、奥が広まった形
状の凹部が形成される。銅めっき被膜がこの凹部内に一
部進入して形成されるから、樹脂層と銅めっき被膜との
密着力は極めて良好である。したがって、本実施の形態
の場合、上記カップリング剤層は必ずしも形成しなくと
もよい。
【００２３】
【実施例】エポキシ樹脂基板の表面を過マンガン酸塩溶
液で粗面化処理を行って後、カップリング剤を塗布し、
無電解銅めっき、次いで電解銅めっきを施して、約２０
μｍの銅めっき被膜を形成した（処理区１、２）。カッ
プリング剤を塗布しないで、同様に無電解銅めっき、次
いで電解銅めっきを施して約２０μｍの銅めっき被膜を
形成した（未処理）。両者のピール（剥離）強度を測定
した結果を表１に示す。
液で粗面化処理を行って後、カップリング剤を塗布し、
無電解銅めっき、次いで電解銅めっきを施して、約２０
μｍの銅めっき被膜を形成した（処理区１、２）。カッ
プリング剤を塗布しないで、同様に無電解銅めっき、次
いで電解銅めっきを施して約２０μｍの銅めっき被膜を
形成した（未処理）。両者のピール（剥離）強度を測定
した結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】処理区１は、カップリング剤として、γ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン０．０７wt％溶液を使用、処理区２は、カップリング
剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン０．０７wt％溶液を使用。表１に示すように、カップ
リング剤を用いることにより、ピール強度が数％向上し
た。
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン０．０７wt％溶液を使用、処理区２は、カップリング
剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン０．０７wt％溶液を使用。表１に示すように、カップ
リング剤を用いることにより、ピール強度が数％向上し
た。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る多層回路基板の製造方法に
よれば、樹脂層上に無電解めっき、次いで電解めっきを
施して形成しためっき被膜をエッチングして形成される
配線パターンと樹脂層との密着性に優れる多層回路基板
を提供できる。
よれば、樹脂層上に無電解めっき、次いで電解めっきを
施して形成しためっき被膜をエッチングして形成される
配線パターンと樹脂層との密着性に優れる多層回路基板
を提供できる。
【図１】基板上に樹脂層を設け、この樹脂層に穴を形成
した段階の説明図、
した段階の説明図、
【図２】カップリング剤を塗布した状況の説明図、
【図３】めっき被膜を形成した状態の説明図、
【図４】樹脂層中の無機フィラーの混入状況を示す説明
図、
図、
【図５】表面の無機フィラーを除去した状態の説明図、
【図６】図６〜図１０はビルドアップ法による基板の製
造方法の一例を示し、図６はコア基板の説明図、
造方法の一例を示し、図６はコア基板の説明図、
【図７】配線パターンを形成した説明図、
【図８】配線パターンを覆って樹脂層を形成した説明
図、
図、
【図９】樹脂層に穴を形成した説明図、
【図１０】めっき被膜を形成した説明図である。
２０ 基板 ２２ 配線パターン ２４ 樹脂層 ２６ 穴 ２８ カップリング剤層 ３０ めっき被膜 ３２ 無機フィラー
Claims (2)
- 【請求項１】 配線パターン上に樹脂層を形成する工程
と、 該樹脂層に、前記配線パターンに通じる穴を形成する穴
形成工程と、 前記樹脂層および前記穴内壁に無電解めっき、次いで電
解めっきを施してめっき被膜を形成するめっき工程と、 該めっき被膜をエッチングしてパターニングするエッチ
ング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、 前記穴形成工程後、前記樹脂層表面にカップリング剤を
塗布して後、前記めっき工程を行うことを特徴とする多
層回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 配線パターン上に樹脂層を形成する工程
と、 該樹脂層に、前記配線パターンに通じる穴を形成する穴
形成工程と、 前記樹脂層および前記穴内壁に無電解めっき、次いで電
解めっきを施してめっき被膜を形成するめっき工程と、 該めっき被膜をエッチングしてパターニングするエッチ
ング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、 前記めっき工程において、前記無電解めっきを施して無
電解めっき被膜形成後、該無電解めっき被膜上にカップ
リング剤を塗布し、しかる後に前記電解めっきを施すこ
とを特徴とする多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10238649A JP2000068642A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10238649A JP2000068642A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068642A true JP2000068642A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17033277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10238649A Pending JP2000068642A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068642A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015513005A (ja) * | 2012-03-29 | 2015-04-30 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 細線回路の製造方法 |
| WO2015178258A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
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