JP2000068494A - 量子構造形成法 - Google Patents
量子構造形成法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の量子構造形成法では、数１０ｎｍ以下
の窒化膜パタンを精度良くエッチングすることが困難で
あった。 【解決手段】 Ｓｉ基板１２の上に電子ビーム露光によ
リレジストを露光し、レジスト現像によりレジストパタ
ン１１を形成する。窒素ガスを用い電子サイクロトロン
共鳴により窒素プラズマ１３を形成してレジストパタン
１１を一様に照射し、プラズマ窒化膜１４を表面に形成
する。レジストパタン１１を剥離する。Ｓｉの選択酸化
を行う。この方法では、レジストパタン１１と同等のプ
ラズマ窒化膜１４の幅を１０ｎｍ程度に形成可能であ
り、この場合１０ｎｍ程度のＳｉナノ構造が得られる。
の窒化膜パタンを精度良くエッチングすることが困難で
あった。 【解決手段】 Ｓｉ基板１２の上に電子ビーム露光によ
リレジストを露光し、レジスト現像によりレジストパタ
ン１１を形成する。窒素ガスを用い電子サイクロトロン
共鳴により窒素プラズマ１３を形成してレジストパタン
１１を一様に照射し、プラズマ窒化膜１４を表面に形成
する。レジストパタン１１を剥離する。Ｓｉの選択酸化
を行う。この方法では、レジストパタン１１と同等のプ
ラズマ窒化膜１４の幅を１０ｎｍ程度に形成可能であ
り、この場合１０ｎｍ程度のＳｉナノ構造が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉを中心とした
半導体を用いた微細な構造を有する量子効果デバイスの
製作法に用いて好適な量子構造形成法に関する。
半導体を用いた微細な構造を有する量子効果デバイスの
製作法に用いて好適な量子構造形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細な構造を加工するには、電子
ビーム露光などの高解像度のリソグラフィによりレジス
トパタンを基板上に形成し、これをマスクにして基板を
ドライエッチングで加工するプロセスが一般的である。
また、Ｓｉの熱酸化を利用した加工方法としてＳｉ窒化
膜を酸化のマスクとしてＳｉ基板を酸化し、素子間分離
として用いるＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silico
n）法が知られており、微細構造形成としても適用でき
る。
ビーム露光などの高解像度のリソグラフィによりレジス
トパタンを基板上に形成し、これをマスクにして基板を
ドライエッチングで加工するプロセスが一般的である。
また、Ｓｉの熱酸化を利用した加工方法としてＳｉ窒化
膜を酸化のマスクとしてＳｉ基板を酸化し、素子間分離
として用いるＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silico
n）法が知られており、微細構造形成としても適用でき
る。
【０００３】図６に、その工程を示す。ここで３１はレ
ジストパタン、３２はＳｉ基板、３３はＳｉ窒化膜、３
４はＳｉ窒化膜マスクパタン、３５はＳｉＯ2 である。
この方法ではまず、Ｓｉ基板３２上にＳｉ窒化膜３３を
形成し、リソグラフィによりレジストパタン３１を形成
し、これをマスクにＳｉ窒化膜３３をドライエッチング
等でエッチングし、Ｓｉ窒化膜マスクパタン３４を加工
する。Ｓｉ窒化膜は熱酸化に対して高いマスク作用があ
ることを利用し、このＳｉ窒化膜マスクパタン３４をマ
スクにしてＳｉ基板３２を酸化する。表面に露出したＳ
ｉが選択的に酸化され、ＳｉＯ2 ３５のパタンが最終的
に形成される。
ジストパタン、３２はＳｉ基板、３３はＳｉ窒化膜、３
４はＳｉ窒化膜マスクパタン、３５はＳｉＯ2 である。
この方法ではまず、Ｓｉ基板３２上にＳｉ窒化膜３３を
形成し、リソグラフィによりレジストパタン３１を形成
し、これをマスクにＳｉ窒化膜３３をドライエッチング
等でエッチングし、Ｓｉ窒化膜マスクパタン３４を加工
する。Ｓｉ窒化膜は熱酸化に対して高いマスク作用があ
ることを利用し、このＳｉ窒化膜マスクパタン３４をマ
スクにしてＳｉ基板３２を酸化する。表面に露出したＳ
ｉが選択的に酸化され、ＳｉＯ2 ３５のパタンが最終的
に形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の量子構
造形成法におけるＬＯＣＯＳでは、酸化のマスクに用い
る窒化膜パタンは、ドライエッチングにより形成され
る。しかしながらＬＯＣＯＳを利用して、ナノ領域の構
造形成を行おうとすると要求される寸法精度が厳しいた
めに、必要とする寸法精度を確保することが難しくな
る。すなわち、ＬＯＣＯＳに必要なＳｉ窒化膜マスクパ
タンのドライエッチングでは、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が用いられるが、パタンの側壁に反応生成物
による重合膜が堆積してパタン幅をシフトさせるので、
数十ｎｍ以下のナノ領域のパタンが困難になる。また、
加工するパタン幅が極めて小さいので、レジスト膜厚も
数１０ｎｍと薄くする必要があるためにＳｉ窒化膜をド
ライエッチングするときのレジストのドライエッチング
耐性も問題になる。すなわち、レジスト膜減りによりＳ
ｉ窒化膜パタンの側壁にテーパーがつくため、数１０ｎ
ｍ以下のパタンを精度良くエッチングすることが困難で
あり、ナノ構造形成において問題となっている。
造形成法におけるＬＯＣＯＳでは、酸化のマスクに用い
る窒化膜パタンは、ドライエッチングにより形成され
る。しかしながらＬＯＣＯＳを利用して、ナノ領域の構
造形成を行おうとすると要求される寸法精度が厳しいた
めに、必要とする寸法精度を確保することが難しくな
る。すなわち、ＬＯＣＯＳに必要なＳｉ窒化膜マスクパ
タンのドライエッチングでは、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が用いられるが、パタンの側壁に反応生成物
による重合膜が堆積してパタン幅をシフトさせるので、
数十ｎｍ以下のナノ領域のパタンが困難になる。また、
加工するパタン幅が極めて小さいので、レジスト膜厚も
数１０ｎｍと薄くする必要があるためにＳｉ窒化膜をド
ライエッチングするときのレジストのドライエッチング
耐性も問題になる。すなわち、レジスト膜減りによりＳ
ｉ窒化膜パタンの側壁にテーパーがつくため、数１０ｎ
ｍ以下のパタンを精度良くエッチングすることが困難で
あり、ナノ構造形成において問題となっている。
【０００５】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、従来のドライエッチングを用いた加工で問題
となるナノスケールでの寸法制御性を解決するとともに
選択酸化工程を簡素化した量子構造形成法を提供するこ
とを目的とする。
のであり、従来のドライエッチングを用いた加工で問題
となるナノスケールでの寸法制御性を解決するとともに
選択酸化工程を簡素化した量子構造形成法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】窒素プラズマは、レジス
トパタンマスクに基板のＳｉ表面にプラズマ窒化膜を形
成し、その後レジストを剥離する手段によりプラズマ窒
化膜をそのままにしてレジストパタンのみを剥離し、そ
の後熱酸化によりプラズマ窒化膜をマスクに露出したＳ
ｉ面を選択的に酸化してＳｉの微細構造を形成する。す
なわち、本発明の量子構造形成法では、レジストパタン
をマスクにしてプラズマ窒化膜のマスクを形成するため
の窒素プラズマを照射する手段、レジストパタンを剥離
する手段、プラズマ窒化膜マスクにＳｉ基板を酸化する
手段を有する。
トパタンマスクに基板のＳｉ表面にプラズマ窒化膜を形
成し、その後レジストを剥離する手段によりプラズマ窒
化膜をそのままにしてレジストパタンのみを剥離し、そ
の後熱酸化によりプラズマ窒化膜をマスクに露出したＳ
ｉ面を選択的に酸化してＳｉの微細構造を形成する。す
なわち、本発明の量子構造形成法では、レジストパタン
をマスクにしてプラズマ窒化膜のマスクを形成するため
の窒素プラズマを照射する手段、レジストパタンを剥離
する手段、プラズマ窒化膜マスクにＳｉ基板を酸化する
手段を有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】上記課題を解決するために本発明
の量子構造形成法は、Ｓｉ基板１２上に形成した開口部
を有するマスクパタンをマスクに窒素を主とする窒素プ
ラズマ１３で該開口部に露出したＳｉ基板１２の表面に
プラズマ窒化膜１４を形成する工程と、該マスクパタン
を剥離する工程と、形成したプラズマ窒化膜１４をマス
クに該マスクパタンを剥離した部分を酸化する工程とを
有することに特徴を有しており、また、マスクパタンと
してレジストパタン１１を用いたことに特徴を有してお
り、さらに、Ｓｉ細線２１を形成したＳｉ基板２２上で
該Ｓｉ細線２１上にマスクパタンを形成したことに特徴
を有している。
の量子構造形成法は、Ｓｉ基板１２上に形成した開口部
を有するマスクパタンをマスクに窒素を主とする窒素プ
ラズマ１３で該開口部に露出したＳｉ基板１２の表面に
プラズマ窒化膜１４を形成する工程と、該マスクパタン
を剥離する工程と、形成したプラズマ窒化膜１４をマス
クに該マスクパタンを剥離した部分を酸化する工程とを
有することに特徴を有しており、また、マスクパタンと
してレジストパタン１１を用いたことに特徴を有してお
り、さらに、Ｓｉ細線２１を形成したＳｉ基板２２上で
該Ｓｉ細線２１上にマスクパタンを形成したことに特徴
を有している。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１に、本発明の量子構造形成法の工程
図を示す。ここで、１１はレジストパタン、１２はＳｉ
基板、１３は窒素プラズマ、１４はプラズマ窒化膜、１
５はＳｉＯ2 である。まず、Ｓｉ基板１２の上にスピン
コ−トによリポジ型電子線レジストを５０ｎｍの厚さで
形成する。電子ビーム露光によリレジストを露光し、レ
ジスト現像により、電子線の照射された部分のレジスト
が現像されて開口部となり溝が形成されて、図１（ａ）
のようなレジストパタン１１が形成される。
細に説明する。図１に、本発明の量子構造形成法の工程
図を示す。ここで、１１はレジストパタン、１２はＳｉ
基板、１３は窒素プラズマ、１４はプラズマ窒化膜、１
５はＳｉＯ2 である。まず、Ｓｉ基板１２の上にスピン
コ−トによリポジ型電子線レジストを５０ｎｍの厚さで
形成する。電子ビーム露光によリレジストを露光し、レ
ジスト現像により、電子線の照射された部分のレジスト
が現像されて開口部となり溝が形成されて、図１（ａ）
のようなレジストパタン１１が形成される。
【０００９】次に、図１（ｂ）のように窒素ガスを用い
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：electron cyclotron
resonance）により窒素プラズマ１３を形成し、レジス
トパタン１１を一様に照射する。電子ビーム露光によリ
レジストに溝が形成された部分はＳｉ表面が露出してい
るので、この部分のみがＥＣＲで生成した窒素プラズマ
照射で窒化され、プラズマ窒化膜１４が表面に形成され
る。ＥＣＲプラズマは方向性が良いので、効率良く溝の
底をプラズマ窒化することができる。このプラズマ窒化
膜１４は非常に薄く、ＥＣＲ窒素プラズマの照射条件と
して、マイクロ波パワー：２００Ｗ，窒素ガス流量：１
０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．０３３Ｐａ、照射時間３０秒
において、３ｎｍ以下の膜厚である。窒素プラズマに対
してレジストは耐性があるので、十分なプラズマ窒化の
マスクとなる。
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：electron cyclotron
resonance）により窒素プラズマ１３を形成し、レジス
トパタン１１を一様に照射する。電子ビーム露光によリ
レジストに溝が形成された部分はＳｉ表面が露出してい
るので、この部分のみがＥＣＲで生成した窒素プラズマ
照射で窒化され、プラズマ窒化膜１４が表面に形成され
る。ＥＣＲプラズマは方向性が良いので、効率良く溝の
底をプラズマ窒化することができる。このプラズマ窒化
膜１４は非常に薄く、ＥＣＲ窒素プラズマの照射条件と
して、マイクロ波パワー：２００Ｗ，窒素ガス流量：１
０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．０３３Ｐａ、照射時間３０秒
において、３ｎｍ以下の膜厚である。窒素プラズマに対
してレジストは耐性があるので、十分なプラズマ窒化の
マスクとなる。
【００１０】レジストパタン１１の開口部、すなわち溝
以外の部分はレジストパターンで覆われているため、Ｓ
ｉ表面は窒化されないので、Ｓｉのままである。このプ
ラズマ窒化処理の後、図１（ｃ）のようにレジストパタ
ン１１を剥離する。プラズマ照射後のレジストパタン１
１の剥離には、アセトン等の有機溶剤を用いる。
以外の部分はレジストパターンで覆われているため、Ｓ
ｉ表面は窒化されないので、Ｓｉのままである。このプ
ラズマ窒化処理の後、図１（ｃ）のようにレジストパタ
ン１１を剥離する。プラズマ照射後のレジストパタン１
１の剥離には、アセトン等の有機溶剤を用いる。
【００１１】レジスト剥離の後、酸素プラズマによるア
ッシングによるレジスト残り除去や硫酸・過酸化水素水
による洗浄処理の後、図１（ｄ）のように酸化工程を行
う。ここで、酸化プロセスには熱酸化を用いる。ここで
形成した数ｎｍ厚さの極薄プラズマ窒化膜１４は、通常
のＳｉ酸化プロセスで用いられる９００〜１０００℃の
熱酸化に対して十分な酸化のマスクになり、数１００ｎ
ｍ厚の酸化が可能である。このようにして熱酸化を行う
と、プラズマ窒化膜１４のマスクパタンがある領域は酸
化されないが、プラズマ窒化膜１４がなくＳｉ表面が露
出した部分は酸化されてＳｉＯ2 １５が形成される。こ
のようにして、Ｓｉの選択酸化が行われる。この方法で
は、レジストパタン１１の幅は１０ｎｍ程度は形成可能
であるので、この場合１０ｎｍ程度のＳｉナノ構造が得
られる。
ッシングによるレジスト残り除去や硫酸・過酸化水素水
による洗浄処理の後、図１（ｄ）のように酸化工程を行
う。ここで、酸化プロセスには熱酸化を用いる。ここで
形成した数ｎｍ厚さの極薄プラズマ窒化膜１４は、通常
のＳｉ酸化プロセスで用いられる９００〜１０００℃の
熱酸化に対して十分な酸化のマスクになり、数１００ｎ
ｍ厚の酸化が可能である。このようにして熱酸化を行う
と、プラズマ窒化膜１４のマスクパタンがある領域は酸
化されないが、プラズマ窒化膜１４がなくＳｉ表面が露
出した部分は酸化されてＳｉＯ2 １５が形成される。こ
のようにして、Ｓｉの選択酸化が行われる。この方法で
は、レジストパタン１１の幅は１０ｎｍ程度は形成可能
であるので、この場合１０ｎｍ程度のＳｉナノ構造が得
られる。
【００１２】次に第２の実施例として、本発明の量子構
造形成法を用いてＳｉＯ2 膜上にＳｉのナノ構造を形成
する例を説明する。図２〜図５に、その工程図を示す。
これらの図で、２１はＳｉ細線、２２はＳｉ基板、２３
はＳｉＯ2 、２４はレジストパタン、２５はプラズマ窒
化膜、２６はＳｉ露出部、２７はＳｉくびれ部分であ
る。ここでは（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図を示して
いる。
造形成法を用いてＳｉＯ2 膜上にＳｉのナノ構造を形成
する例を説明する。図２〜図５に、その工程図を示す。
これらの図で、２１はＳｉ細線、２２はＳｉ基板、２３
はＳｉＯ2 、２４はレジストパタン、２５はプラズマ窒
化膜、２６はＳｉ露出部、２７はＳｉくびれ部分であ
る。ここでは（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図を示して
いる。
【００１３】この実施例において、Ｓｉのナノ構造を形
成する場合、まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、Ｓ
ＯＩ（Silicon on insulator）のＳｉ基板２２のＳｉ層
にあらかじめＳｉ細線２１（厚さ２０ｎｍ）を加工して
おく。Ｓｉ細線２１は、同図に示すようにＳｉＯ2 ２３
の上に形成されている。Ｓｉ細線２１の上にはレジスト
パタン２４（厚さ５０ｎｍ）を電子ビーム露光により重
ね合わせて形成する。
成する場合、まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、Ｓ
ＯＩ（Silicon on insulator）のＳｉ基板２２のＳｉ層
にあらかじめＳｉ細線２１（厚さ２０ｎｍ）を加工して
おく。Ｓｉ細線２１は、同図に示すようにＳｉＯ2 ２３
の上に形成されている。Ｓｉ細線２１の上にはレジスト
パタン２４（厚さ５０ｎｍ）を電子ビーム露光により重
ね合わせて形成する。
【００１４】次に図３（ａ），（ｂ）に示すように、こ
のレジストパタン２４をマスクにしてＥＣＲ窒素プラズ
マ照射で前述のようにしてプラズマ窒化を行う。このと
き、レジストパタン２４で覆われていないＳｉ細線２１
の表面にはプラズマ窒化膜２５が形成される。
のレジストパタン２４をマスクにしてＥＣＲ窒素プラズ
マ照射で前述のようにしてプラズマ窒化を行う。このと
き、レジストパタン２４で覆われていないＳｉ細線２１
の表面にはプラズマ窒化膜２５が形成される。
【００１５】さらに図４（ａ），（ｂ）に示すように、
引き続きレジストパタン２４を剥離すると、レジストパ
タン２４で覆われていた部分のＳｉ細線２１の表面にＳ
ｉ露出部２６が形成される。形成したプラズマ窒化膜２
５をマスクにＳｉ細線２１を熱酸化する。
引き続きレジストパタン２４を剥離すると、レジストパ
タン２４で覆われていた部分のＳｉ細線２１の表面にＳ
ｉ露出部２６が形成される。形成したプラズマ窒化膜２
５をマスクにＳｉ細線２１を熱酸化する。
【００１６】図５（ａ），（ｂ）のように、これにより
Ｓｉ細線２１において、Ｓｉ露出部２６は酸化されてＳ
ｉＯ2 が形成され内部のＳｉ細線部に細くくびれた構造
ができてＳｉくびれ部分２７が形成される。ここで得ら
れたくびれたＳｉ部分をトンネル障壁として用いれば、
単電子トランジスタとてこの構造を利用することができ
る。この例では、Ｓｉ細線は完全に酸化されずＳｉくび
れ部分２７で連結しているが、目的に応じて、酸化膜厚
を大きくしてＳｉくびれ部分２７のＳｉを全部酸化して
分離したＳｉドット構造を形成することもできる。
Ｓｉ細線２１において、Ｓｉ露出部２６は酸化されてＳ
ｉＯ2 が形成され内部のＳｉ細線部に細くくびれた構造
ができてＳｉくびれ部分２７が形成される。ここで得ら
れたくびれたＳｉ部分をトンネル障壁として用いれば、
単電子トランジスタとてこの構造を利用することができ
る。この例では、Ｓｉ細線は完全に酸化されずＳｉくび
れ部分２７で連結しているが、目的に応じて、酸化膜厚
を大きくしてＳｉくびれ部分２７のＳｉを全部酸化して
分離したＳｉドット構造を形成することもできる。
【００１７】ここでは単純なＳｉ細線２１を用いて本発
明を適用した例を示したが、いろいろな形状に加工した
Ｓｉパタンに対してこの方法を適用すれば、多様な量子
構造を形成することができる。例えば、複数のＳｉの量
子ドットを２次元的に配列し、それぞれがトンネル障壁
でネットワーク状に連結した構造等の複雑な量子構造も
容易に形成できる。また、ここでは、窒化プラズマを用
いる例を示したが、窒素に酸素が混合されたガス系によ
るプラズマ等で形成したプラズマ酸化窒化膜でも同様の
プロセスが可能であり、良好な選択酸化マスクを形成す
ることができる。また、酸化として熱酸化を用いる方法
を説明したが、プラズマ酸化等の他の酸化手法を用いて
もよい。
明を適用した例を示したが、いろいろな形状に加工した
Ｓｉパタンに対してこの方法を適用すれば、多様な量子
構造を形成することができる。例えば、複数のＳｉの量
子ドットを２次元的に配列し、それぞれがトンネル障壁
でネットワーク状に連結した構造等の複雑な量子構造も
容易に形成できる。また、ここでは、窒化プラズマを用
いる例を示したが、窒素に酸素が混合されたガス系によ
るプラズマ等で形成したプラズマ酸化窒化膜でも同様の
プロセスが可能であり、良好な選択酸化マスクを形成す
ることができる。また、酸化として熱酸化を用いる方法
を説明したが、プラズマ酸化等の他の酸化手法を用いて
もよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の量子構造
形成法では、Ｓｉの酸化マスクとなるプラズマ窒化膜を
レジストパタンをマスクに選択的に形成できるので、プ
ロセスを簡単化するだけでなくナノ領域の構造形成を容
易にする効果がある。また、レジストパタンの解像度と
同等の解像度でプラズマ窒化膜のマスクパタンを形成で
きるので、ナノ領域の加工が容易に実現できる。さら
に、あらかじめ形成したＳｉのナノ構造に対して、本方
法を適用することでいろいろな構造を、エッチング工程
を用いることなく形成できる。また、Ｓｉの熱酸化は、
時間制御で極めて高精度に酸化膜厚を設定できるので、
エッチングを用いる場合に較べて寸法制御がナノメータ
オーダーで正確に行える効果がある。
形成法では、Ｓｉの酸化マスクとなるプラズマ窒化膜を
レジストパタンをマスクに選択的に形成できるので、プ
ロセスを簡単化するだけでなくナノ領域の構造形成を容
易にする効果がある。また、レジストパタンの解像度と
同等の解像度でプラズマ窒化膜のマスクパタンを形成で
きるので、ナノ領域の加工が容易に実現できる。さら
に、あらかじめ形成したＳｉのナノ構造に対して、本方
法を適用することでいろいろな構造を、エッチング工程
を用いることなく形成できる。また、Ｓｉの熱酸化は、
時間制御で極めて高精度に酸化膜厚を設定できるので、
エッチングを用いる場合に較べて寸法制御がナノメータ
オーダーで正確に行える効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例における
量子構造形成法の工程を説明する工程図である。
量子構造形成法の工程を説明する工程図である。
【図２】本発明の他の実施例における量子構造形成法の
工程を説明する１／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
工程を説明する１／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
【図３】本発明の他の実施例における量子構造形成法の
工程を説明する２／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
工程を説明する２／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の他の実施例における量子構造形成法の
工程を説明する３／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
工程を説明する３／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
【図５】本発明の他の実施例における量子構造形成法の
工程を説明する４／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
工程を説明する４／４過程での工程図であり、（ａ）は
上面図，（ｂ）は側面図である。
【図６】従来の量子構造形成法における選択酸化法の工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
１１ レジストパタン １２ Ｓｉ基板 １３ 窒素プラズマ １４ プラズマ窒化膜 １５ ＳｉＯ2 ２１ Ｓｉ細線 ２２ Ｓｉ基板 ２３ ＳｉＯ2 ２４ レジストパタン ２５ プラズマ窒化膜 ２６ Ｓｉ露出部 ２７ Ｓｉくびれ部分 ３１ レジストパタン ３２ Ｓｉ基板 ３３ Ｓｉ窒化膜 ３４ Ｓｉ窒化膜マスクパタン ３５ ＳｉＯ2
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板（１２）上に形成した開口部を
有するマスクパタンをマスクに窒素を主とする窒素プラ
ズマ（１３）で該開口部に露出したＳｉ基板（１２）の
表面にプラズマ窒化膜（１４）を形成する工程と、 該マスクパタンを剥離する工程と、 形成したプラズマ窒化膜（１４）をマスクに該マスクパ
タンを剥離した部分を酸化する工程とを有することを特
徴とする量子構造形成法。 - 【請求項２】 請求項１記載の量子構造形成法におい
て、 マスクパタンとしてレジストパタン（１１）を用いたこ
とを特徴とする量子構造形成法。 - 【請求項３】 請求項１記載の量子構造形成法におい
て、 Ｓｉ細線（２１）を形成したＳｉ基板（２２）上で該Ｓ
ｉ細線（２１）上にマスクパタンを形成したことを特徴
とする量子構造形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23860398A JP2000068494A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 量子構造形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23860398A JP2000068494A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 量子構造形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068494A true JP2000068494A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17032650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23860398A Pending JP2000068494A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 量子構造形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507610B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-10 | 광주과학기술원 | 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법 |
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1998
- 1998-08-25 JP JP23860398A patent/JP2000068494A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507610B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-08-10 | 광주과학기술원 | 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법 |
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