JP2000058533A - 基板熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な装置構成で均一な処理を行うことがで
きる基板熱処理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗとほぼ同一高さに光吸収性の板状
部材４０が設けられ、板状部材４０は、チャンバ１０の
内部水平断面を基板位置の抜き穴４０ａを除いてほぼ覆
い尽くすものとなっている。板状部材４０は基板Ｗとと
もに加熱され、熱輻射を行う。その熱輻射はガス流ＧＳ
の上流側ＵＳにおいて亜酸化窒素ガスを加熱し、その分
解を進行させて、基板Ｗを通過する際にはほぼ平衡状態
とする。また、板状部材４０はガス流ＧＳの整流機能も
有する。これらにより均一な基板処理を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」とい
う。）に熱処理を施す基板熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来の光照射型の基板熱処理装置
の概略構成を説明するための図である。図６（ａ）に示
すように従来の基板熱処理装置は、光透過性材料で構成
された偏平形状の処理室９１を水平に設置し、上下に配
置した光源（図示せず）より光を照射し、処理室９１内
に水平に保持した被処理基板Ｗを加熱する。この場台、
処理中の雰囲気となるガスは処理室９１の一方端に設け
られたガス導入口９２より導入し、他方端に設けられた
排気口９３より排出する構造となっている。つまり、被
処理基板Ｗの周囲には矢印で示すような方向性を持った
雰囲気ガスの流れが生じる。

【０００３】ところで、半導体製造の分野では、近年基
板表面の絶縁膜に窒素原子を導入することによる絶縁膜
の膜質改善技術が研究され、その処理雰囲気として亜酸
化窒素（Ｎ₂Ｏ等）ガスが利用されるに及び、このガス
流れによる処理不均一の問題が注目されている。すなわ
ち、処理室内に導入された亜酸化窒素ガスは、複数の形
に熱分解しながら基板表面に到達して基板との熱化学反
応を引き起こす。

【０００４】ところで、被処理基板Ｗの処理面上におい
て、上記ガスは上流側から下流側へ流れる間に加熱され
て分解が徐々に進行し、しかも分解したガスは基板Ｗと
の反応でさらに分解したり、一部が基板材料と反応して
捕捉されたりする。そのため、ガス流の上流側と下流側
では、ガス中に分解によって生じた反応性の異なる複数
種類のガス分子が存在し、ガスの組成が異なるものとな
り、したがって、基板面内での反応の不均一が発生す
る。

【０００５】このようなガスの成分変化による基板処理
の不均一を緩和させる手法として以下の２つの方法が知
られている。すなわち、 （１）図６（ｂ）に示すように、基板Ｗを水平面内で回
転させる回転機構９４を設けて基板Ｗを回転させ、それ
により、基板Ｗの上流側と下流側とを常時交代させる。

【０００６】（２）図６（ｃ）に示すように、ガス導入
口９２を基板Ｗ直上に配置して、ガスを基板Ｗ上方から
シャワー状に吹き付ける。

【０００７】というものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、（１）の装
置については、 回転機構の追加により、装置の構造が複雑になる。

【０００９】回転の中心から周辺に向かってはガス流
れの影響が残るため、この方向の処理の不均一に対して
は効果が十分でない。

【００１０】などの問題がある。

【００１１】また、（２）の装置については、 処理室上面に大がかりなガス供給経路を設けなければ
ならない。

【００１２】ガスの温度が被処理基板の温度より低い
ため、被処理基板の各ガス導入口９２の近くにおいて局
所的な温度の低下が生じてその部分の反応性が低下し、
さらなる基板処理の不均一の原因となる。

【００１３】などの問題があった。

【００１４】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、簡単な装置構成で均一な処理を
行うことができる基板熱処理装置を提供することを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１に記載の装置は、基板に熱処理
を施す基板熱処理装置であって、(a) 基板を収容する処
理室と、(b) 基板を加熱する加熱手段と、(c) 処理室内
にて基板を略水平に支持する支持手段と、(d)ガス導入
口から処理室内に導入した熱分解性ガスを排気口から排
気することにより支持手段に支持された基板とほぼ平行
な熱分解性ガスのガス流を形成するガス流形成手段と、
(e) 支持手段に支持された基板とほぼ平行に設けられる
とともに、支持手段に支持された基板に対して平面視で
処理室内の少なくともガス流の上流側をほぼ覆う板状部
材とを備える。

【００１６】また、この発明の請求項２に記載の装置
は、請求項１に記載の基板熱処理装置であって、板状部
材が平面視で処理室内全体をほぼ覆うものであるととも
に、平面視で支持手段に支持された基板の外縁とほぼ一
致するかそれより大きい窓部を有するものであることを
特徴とする。

【００１７】また、この発明の請求項３に記載の装置
は、請求項２に記載の基板熱処理装置であって、板状部
材の窓部が穴であることを特徴とする。

【００１８】また、この発明の請求項４に記載の装置
は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板熱
処理装置であって、板状部材が支持手段に支持された基
板とほぼ同一平面内に位置するものであることを特徴と
する。

【００１９】また、この発明の請求項５に記載の装置
は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板熱
処理装置であって、加熱手段が光照射により基板の加熱
を行うものであるとともに、板状部材が光吸収性材料に
より形成されていることを特徴とする。

【００２０】さらに、この発明の請求項６に記載の装置
は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板熱
処理装置であって、熱分解性ガスが亜酸化窒素ガスであ
ることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。

【００２２】＜１．実施の形態の装置構成＞図１は、本
発明に係る基板熱処理装置を示す側面図である。

【００２３】炉壁５５の内部にはチャンバ（処理室）１
０および複数のランプ２０が設けられている。また、チ
ャンバ１０の前側（図１における右側）には炉口ブロッ
ク５０が設けられている。ランプ２０としては、赤外線
ランプ、ハロゲンランプ、キセノンアークランプ等が使
用される。チャンバ１０は、光を透過させる性質の材料
（石英等）を用いて構成されており、ランプ２０から照
射された光をその内部に透過させる。チャンバ１０と炉
壁５５および炉口ブロック５０との接続部分にはそれぞ
れＯリング５５ａおよびＯリング５０ｂが設けられてお
り、チャンバ１０内部の気密性が保てる構造とされてい
る。

【００２４】移動フランジ３０にはサセプタ（支持手
段）３５が固設されている。サセプタ３５上には５本の
支柱３７が設けられており、それら支柱３７により板状
部材４０がほぼ水平姿勢にて支持されている。なお、板
状部材４０の形状についてはさらに後述する。また、サ
セプタ３５は３本の支持ピン３６を備えており（図１お
よび図３の側面図では２本のみ図示）、それら支持ピン
３６によって処理対象の基板Ｗが略水平姿勢にて支持さ
れる。

【００２５】そして、移動フランジ３０は、水平方向
（図１中のＸ軸方向）に移動可能に構成されている。移
動フランジ３０に固設されたサセプタ３５は板状部材４
０を支持するとともに基板Ｗをも支持しているため、移
動フランジ３０の移動に伴って板状部材４０および基板
ＷもＸ軸の正負方向に移動する。すなわち、移動フラン
ジ３０に固設されたサセプタ３５は、板状部材４０を支
持し、かつ基板Ｗを支持した状態でチャンバ１０への進
入および退出を行うのである。

【００２６】移動フランジ３０がチャンバ１０側に移動
し、炉口ブロック５０に当接すると、炉口が塞がれると
ともに、基板Ｗがチャンバ１０内の所定位置に略水平に
収容・保持される。そして、この状態にてランプ２０か
ら光照射を行うことにより基板Ｗの加熱処理が行われる
のである。なお、炉口ブロック５０にはＯリング５０ａ
が設けられており、移動フランジ３０が炉口ブロック５
０に当接した状態においては、Ｏリング５０ａによって
チャンバ１０内部の気密性が維持される。

【００２７】一方、移動フランジ３０がチャンバ１０と
は反対側に移動すると、炉口が開放され、さらに移動フ
ランジ３０が移動することにより基板Ｗがチャンバ１０
および炉口ブロック５０の外側に引き出される。そし
て、この状態においては、装置外部の基板搬送ロボット
（図示省略）とサセプタ３５との間で基板Ｗの受け渡し
（未処理の基板Ｗと処理済み基板Ｗとの交換作業）が行
われるのである。

【００２８】既述したように、基板Ｗの加熱処理中は、
加熱された基板Ｗに対して膜形成等の処理を施すため、
周辺雰囲気を熱分解性の亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ等）ガス
（熱分解性ガス）により満たすとともに、ほぼ水平方向
の亜酸化窒素ガスのガス流をチャンバ１０内に形成する
必要がある。そのため、本実施の形態の基板熱処理装置
には、ガス流形成手段としてガス導入口６０およびガス
排気口７０が設けられている。ガス導入口６０は、炉壁
５５およびチャンバ１０の端部を貫通して設けられてお
り、装置外部のガス供給手段に連通されている。また、
ガス排気口７０は、炉口ブロック５０を貫通して設けら
れており、装置外部の排気手段に連通されている。そし
て、ガス導入口６０から導入された亜酸化窒素ガスは、
チャンバ１０内を流れ、ガス排気口７０から排気される
ことによりチャンバ１０内にガス流ＧＳを形成する。す
なわち、図１に示すように、ガス導入口６０側である上
流側ＵＳからガス排気口７０側の下流側ＤＳに向けて亜
酸化窒素ガスが流れるのである。

【００２９】以上のような概略構成を有する基板熱処理
装置において、加熱処理を行うときは、まず移動フラン
ジ３０が図１中のＸ軸の正側に移動した状態において、
基板搬送ロボットからサセプタ３５に未処理の基板Ｗが
渡される。そして、移動フランジ３０がチャンバ１０に
向けて（Ｘ軸の負方向）移動し、チャンバ１０内の所定
位置に基板Ｗが収容・保持される（図１の実線の状
態）。

【００３０】次に、ガス導入口６０から導入された亜酸
化窒素ガスがガス排気口７０から排気されてチャンバ１
０内に基板Ｗと略平行のガス流ＧＳを形成するととも
に、基板Ｗに対して複数のランプ２０からの光照射が行
われて加熱処理が実行される。このとき、板状部材４０
は基板Ｗとともにチャンバ１０内に搬入されて、基板Ｗ
とともに加熱され、基板Ｗとともに搬出される。

【００３１】図２および図３は、サセプタ３５に板状部
材４０が載置され、基板Ｗが支持された状態を示す平断
面図および側面図である。サセプタ３５は、２本の平行
棒状部３５ａ，３５ａと一部切欠きを有する円環状部３
５ｂとを組み合わせた部材である。そして、サセプタ３
５の円環状部３５ｂの内側には基板Ｗを支持する３本の
支持ピン３６が設けられている。

【００３２】ここで、板状部材４０の形状、材質および
機能についてさらに説明する。板状部材４０は、その外
縁がチャンバ１０の内部水平断面とほぼ一致し（ほぼ合
同）、したがって、基板Ｗ位置以外のチャンバ１０の内
部水平断面をほぼ覆い尽くす（平面視でチャンバ１０内
をほぼ覆う）ものとなっている。また、板状部材４０
は、サセプタ３５に取り付けられた状態において、支持
ピン３６に支持された基板Ｗとほぼ同一高さに設けられ
ている。これにより、板状部材４０は、上流側ＵＳから
下流側ＤＳにかけて基板Ｗの主面の上下両側に、それと
略平行に一様で安定したガス流ＧＳを形成することがで
きる「ガス整流手段」としての機能を有している。

【００３３】また、上述のように板状部材４０は支持ピ
ン３６に支持された基板Ｗとほぼ同一高さなので、抜き
穴４０ａの内周面と基板Ｗの端縁とが近く、したがっ
て、基板Ｗの外縁から放熱された場合に基板Ｗの端縁に
熱を補うことで、基板Ｗの外縁の温度低下を防止する
「熱補償手段」としての機能をも有している。これによ
り、基板Ｗ全体を均一な温度に保ちながら加熱すること
ができる。

【００３４】また、板状部材４０のほぼ中央には基板Ｗ
の外縁とほぼ一致する（ほぼ合同）抜き穴４０ａ（窓）
が設けられている。そして、抜き穴４０ａはサセプタ３
５の支持ピン３６に支持された基板Ｗと平面視で整合す
るようにほぼ同心に設けられている。そのため、サセプ
タ３５に支持された基板Ｗに加熱処理が施される場合に
は、チャンバ１０上方および下方のランプ２０により照
射された光は、板状部材４０に遮られることなく、直
接、基板Ｗに至り、基板Ｗを急速に加熱することができ
るものとなっている。また、基板Ｗと板状部材４０との
間隙Ｓが小さいので基板Ｗの下面により温められた亜酸
化窒素ガスが基板Ｗ周囲から基板Ｗ上面に回り込む量が
少ないので、よりガス流ＧＳの乱れを抑えることができ
る。

【００３５】また、それと同様に、板状部材４０が抜き
穴４０ａを有することによって、板状部材４０にもラン
プ２０から照射された光が至る。ところで、本実施の形
態の板状部材４０は、光吸収性および熱伝導性がよく化
学的に安定した材料であるＳｉＣ製であり、特に半導体
製造の分野でＳｉ基板の製造等に対して適したものとな
っている。そのため、基板Ｗの加熱処理中、板状部材４
０も加熱され、それにより、ガス導入口６０から導入さ
れる亜酸化窒素ガスはチャンバ１０の上流側ＵＳから基
板Ｗに至るまでの間に板状部材により加熱されて、その
分解が進行し、基板Ｗに至る頃には基板Ｗの温度におけ
る化学的に平衡な状態に近い組成比のものとされる。す
なわち、板状部材４０は「ガス加熱手段」としての機能
をも有している。そのため、基板Ｗ上においては、亜酸
化窒素ガスの組成の変化が少なくなる。

【００３６】図４は、この実施の形態による基板処理の
均一性を説明する図であり、図４（ａ）および図４
（ｂ）はそれぞれ従来装置および実施の形態の装置によ
り基板の被処理面に形成された膜厚分布を示している。
図中には基板の被処理面を表わすＸ−Ｙ平面と、基板の
被処理面に形成された膜厚を示すＺ軸とからなるＸ−Ｙ
−Ｚ座標が定義されている。図４（ａ）と図４（ｂ）を
比較すると明らかなように、この実施の形態の装置を用
いることにより膜厚の均一性すなわち、基板処理の均一
性の著しい向上が認められる。

【００３７】処理の説明に戻る。基板Ｗの加熱処理が終
了すると、移動フランジ３０が図１のＸ軸正方向に移動
し、基板Ｗがチャンバ１０および炉口ブロック５０の外
側に出される。そして、基板搬送ロボットがサセプタ３
５から処理済み基板Ｗを取り出すことによって、一連の
加熱処理が終了する。

【００３８】また、本実施形態の基板熱処理装置におい
ては、サセプタ３５が板状部材４０を載置しかつ基板Ｗ
を支持した状態でチャンバ１０への進入および退出を行
う。従って、次に未処理の基板Ｗをサセプタ３５にて受
け取る際に、サセプタ３５及び板状部材４０が常にチャ
ンバ１０内にある場合に比較して、サセプタ３５および
板状部材４０の温度がある程度低下しており、基板Ｗに
急激な温度変化を与えるのを防止することができる。

【００３９】以上説明したように、この実施の形態の基
板熱処理装置によれば、サセプタ３５に支持された基板
Ｗとほぼ平行に設けられるとともに、その基板に対して
ガス流の上流側をほぼ覆う板状部材４０を備えるので、
板状部材４０の近傍を通過する間に亜酸化窒素ガス（一
般に熱分解性ガス）の化学的な分解が進行し、基板Ｗに
達する際にはほぼ平衡状態に達するので、基板回転手段
やガス供給経路等の大掛かりな機構を必要としない簡単
な装置構成で、基板位置を流れる間の亜酸化窒素ガスの
分解の度合いの変化を抑えて均一な処理を行うことがで
きる。

【００４０】また、板状部材４０が平面視でチャンバ１
０内部をほぼ覆うものであるため、ガス流ＧＳを整流し
て、より均一な処理を行うことができる。

【００４１】また、板状部材４０が抜き穴４０ａを備え
るため、抜き穴４０ａに光透過性の板をはめ込んだ場合
等と比較して製造コストを抑えることができる。

【００４２】また、板状部材４０の抜き穴４０ａが基板
Ｗの外縁とほぼ一致するため、基板Ｗの外縁からの熱の
放出を補償することができ、さらに、基板Ｗの下面にお
いて熱せられた亜酸化窒素ガスが基板Ｗの周囲から基板
Ｗの上面側に回り込むことを抑えることができるので、
より均一な処理を行うことができる。

【００４３】また、板状部材４０がサセプタ３５に支持
された基板Ｗとほぼ同一平面内に位置するため、上記の
基板Ｗの外縁の熱補償をより効果的に行うことができ
る。

【００４４】また、ランプ２０の光照射により基板Ｗの
加熱を行うところ、板状部材４０が光吸収性材料により
形成されているため、板状部材４０が基板Ｗとともに温
度上昇することにより、上記の亜酸化窒素ガスの化学的
な分解の進行をその時点での基板Ｗの温度における平衡
状態にまで進行させることができるとともに、上記の基
板Ｗの外縁の熱補償をより正確に行うことができる。

【００４５】さらに、板状部材４０をサセプタ３５に取
付け、基板Ｗを支持したサセプタとともにチャンバ１０
に対して出し入れするため、板状部材をチャンバ内に常
設する場合のように板状部材が常に高温であることがな
いので、基板Ｗの搬入時にも基板Ｗとの温度差が少な
く、基板Ｗの処理品質に悪影響を及ぼすことが少ない。

【００４６】＜２．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。

【００４７】例えば、上記実施の形態においては、板状
部材４０を基板Ｗとほぼ同一高さとなるように設けるも
のとしたが、基板Ｗより下方に大きく隔たった状態で設
けてもよく、その場合にも「ガス加熱手段」としての機
能およびそれによる効果を有する。また、基板Ｗの上方
に設けてもよく、その場合にも上記の「ガス加熱手段」
としての機能およびそれによる効果を有する。

【００４８】また、上記実施の形態においては、板状部
材４０の抜き穴４０ａを基板Ｗの外縁とほぼ一致するも
のとしたが、抜き穴４０ａは基板Ｗの外縁より大きなも
のとしたり、小さなものとしてもよい。すなわち、抜き
穴４０ａと基板Ｗの外縁部分が若干重なりあうように設
けてもよい。

【００４９】また、上記実施の形態では板状部材４０の
外縁をチャンバ１０の内部断面を覆い尽くす大きさとし
たが、この変形例の板状部材を説明する図５に示すよう
に上流側ＵＳおよび基板Ｗの周囲を覆い、下流側ＤＳに
おいては基板Ｗの周縁近傍のみ存在するものとしたり、
さらには基板Ｗより上流側ＵＳの領域ＡＲのみを覆うも
のとしてもよい。これらの場合にも、前者は「ガス加熱
手段」、「ガス整流手段」、「熱補償手段」としての機
能およびそれによる効果、後者は「ガス加熱手段」、
「ガス整流手段」としての機能およびそれによる効果を
有する。

【００５０】また、上記実施の形態では板状部材４０に
窓部として抜き穴４０ａを設けるものとしたが、抜き穴
に石英等の光透過性の板を埋め込んだ窓部としてもよ
い。なお、この場合には、板状部材の下面において熱せ
られたガスが窓部を通じて板状部材の上面側に至る気流
の形成を妨げ、よりガス流ＧＳの乱れを抑えることがで
きる。

【００５１】また、上記実施の形態では板状部材４０を
サセプタ３５に取付け、基板Ｗとともにチャンバ１０に
対して出し入れするものとしたが、板状部材および基板
の支持手段をチャンバ内に常設するものとして、基板の
みを出し入れするものとしてもよい。

【００５２】また、上記実施の形態ではサセプタ３５に
支持ピン３６を設けて、それにより基板Ｗを支持した
が、板状部材に支持ピンを設けて、それにより基板を支
持するものとしてもよい。

【００５３】また、上記実施の形態では熱処理に使用す
る熱分解性ガスを亜酸化窒素ガスとしたが、熱分解性の
ガスであれば塩化水素ガス等その他のガスを用いてもよ
い。

【００５４】さらに、上記実施の形態では抜き穴４０ａ
の形状を円形としたが、窓部の形状は正多角形や楕円形
等その他の形状としてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項６の発明によれば、支持手段に支持された基板とほ
ぼ平行に設けられるとともに、支持手段に略水平に支持
された基板に対して平面視で処理室内の少なくともガス
流の上流側をほぼ覆う板状部材を備えるので、板状部材
の近傍を通過する間に熱分解性ガスの化学的な分解が進
行し、基板に達する際にはほぼ平衡状態に達するので、
基板回転手段やガス供給経路等の大掛かりな機構を必要
としない簡単な装置構成で、基板位置を流れる間の熱分
解性ガスの分解の度合いの変化を抑えて均一な処理を行
うことができる。

【００５６】また、特に請求項２の発明によれば、板状
部材が平面視で処理室内全体をほぼ覆うため、ガス流形
成手段により形成されたガス流を整流して、より均一な
処理を行うことができる。また、板状部材の窓部が基板
の外縁とほぼ一致する場合には、基板の外縁からの熱の
放出を補償することができ、さらに、基板の下面におい
て熱せられた熱分解性ガスが基板の周囲から基板の上面
側に回り込むことを抑えることができるので、より均一
な処理を行うことができる。

【００５７】また、特に請求項３の発明によれば、板状
部材の窓部が穴であるため、穴に光透過性の板をはめ込
んだ場合等と比較して製造コストを抑えることができ
る。

【００５８】また、特に請求項４の発明によれば、板状
部材が支持手段に支持された基板とほぼ同一平面内に位
置するため、上記の基板外縁の熱補償をより効果的に行
うことができる。

【００５９】さらに、特に請求項５の発明によれば、加
熱手段が光照射により基板の加熱を行うものであるとこ
ろ、板状部材が光吸収性材料により形成されているた
め、板状部材が基板とともに温度上昇することにより、
上記の熱分解性ガスの化学的な分解の進行をその時点で
の基板の温度における平衡状態にまで進行させることが
できるとともに、上記の基板外縁の熱補償をより正確に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板熱処理装置を示す側面図であ
る。

【図２】サセプタに板状部材および基板が支持された状
態を示す水平断面図である。

【図３】サセプタに板状部材が載置され、基板が支持さ
れた状態を示す側面図である。

【図４】この実施の形態による基板処理の均一性を説明
する図である。

【図５】変形例の板状部材を説明する図である。

【図６】従来より用いられていた基板熱処理装置を示す
側面図である。

【符号の説明】

１０ チャンバ（処理室） ２０ ランプ（加熱手段） ３５ サセプタ（支持手段） ４０ 板状部材 ４０ａ 抜き穴（窓部） ６０ ガス導入口 ７０ ガス排気口（６０と併せてガス流形成手段） Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西原 英夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AF08 BB04 DP04 DQ10 EC01 EK12 EK14 EM06 EM07

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に熱処理を施す基板熱処理装置であ
   って、 (a) 基板を収容する処理室と、 (b) 前記基板を加熱する加熱手段と、 (c) 前記処理室内にて前記基板を略水平に支持する支持
   手段と、 (d) ガス導入口から前記処理室内に導入した熱分解性ガ
   スを排気口から排気することにより前記支持手段に支持
   された前記基板とほぼ平行な前記熱分解性ガスのガス流
   を形成するガス流形成手段と、 (e) 前記支持手段に支持された前記基板とほぼ平行に設
   けられるとともに、前記支持手段に支持された前記基板
   に対して平面視で前記処理室内の少なくとも前記ガス流
   の上流側をほぼ覆う板状部材と、を備えることを特徴と
   する基板熱処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板熱処理装置であっ
   て、 前記板状部材が平面視で前記処理室内全体をほぼ覆うも
   のであるとともに、平面視で前記支持手段に支持された
   前記基板の外縁とほぼ一致するかそれより大きい窓部を
   有するものであることを特徴とする基板熱処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板熱処理装置であっ
   て、 前記板状部材の前記窓部が穴であることを特徴とする基
   板熱処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
   載の基板熱処理装置であって、 前記板状部材が前記支持手段に支持された前記基板とほ
   ぼ同一平面内に位置するものであることを特徴とする基
   板熱処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の基板熱処理装置であって、 前記加熱手段が光照射により前記基板の加熱を行うもの
   であるとともに、 前記板状部材が光吸収性材料により形成されていること
   を特徴とする基板熱処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
   載の基板熱処理装置であって、 前記熱分解性ガスが亜酸化窒素ガスであることを特徴と
   する基板熱処理装置。