JP2000048934A - 金属リード材とこれを用いた通電デバイス - Google Patents
金属リード材とこれを用いた通電デバイスInfo
- Publication number
- JP2000048934A JP2000048934A JP10216276A JP21627698A JP2000048934A JP 2000048934 A JP2000048934 A JP 2000048934A JP 10216276 A JP10216276 A JP 10216276A JP 21627698 A JP21627698 A JP 21627698A JP 2000048934 A JP2000048934 A JP 2000048934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal lead
- ceramic
- metal
- ceramic heater
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ろう付け部の金属リード７の耐硫化性及び耐酸
化性を改善し、これらにより信頼性を向上させたセラミ
ックヒータ等の通電デバイスを提供する。 【解決手段】セラミック体１に発熱抵抗体等の導体を内
蔵し、該導体に通電するための電極パッドと外部金属リ
ード７とをろう付けした構造のセラミックヒータ等の通
電デバイスにおいて、上記金属リード７をＮｉを主成分
とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含有す
る金属材で形成する。
化性を改善し、これらにより信頼性を向上させたセラミ
ックヒータ等の通電デバイスを提供する。 【解決手段】セラミック体１に発熱抵抗体等の導体を内
蔵し、該導体に通電するための電極パッドと外部金属リ
ード７とをろう付けした構造のセラミックヒータ等の通
電デバイスにおいて、上記金属リード７をＮｉを主成分
とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含有す
る金属材で形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、石油ファンヒータ
ーの点火用・気化用及び酸素濃度検出用センサーの補助
加熱ヒーターなど各種産業機種に使用するセラミックヒ
ータ、あるいは半導体素子を搭載する基板やパッケー
ジ、さらには各種電子部品等、通電して機能を持たせる
ようにした通電デバイスに関する。
ーの点火用・気化用及び酸素濃度検出用センサーの補助
加熱ヒーターなど各種産業機種に使用するセラミックヒ
ータ、あるいは半導体素子を搭載する基板やパッケー
ジ、さらには各種電子部品等、通電して機能を持たせる
ようにした通電デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック体に、発熱体、回
路等の導体を備え、この導体に通電することによって、
何らかの機能を持たせるようにした通電デバイスが使用
されている。
路等の導体を備え、この導体に通電することによって、
何らかの機能を持たせるようにした通電デバイスが使用
されている。
【０００３】この通電デバイスの一つとして、従来から
平板・ロッド状及び管状などの形状をしたセラミックヒ
ータが使用されている。
平板・ロッド状及び管状などの形状をしたセラミックヒ
ータが使用されている。
【０００４】図１〜３に、ロッド状のセラミックヒータ
の概略図を示した。内部電極の取り出し構造として、あ
らかじめセラミックシート２にスルーホール１２を設
け、この中に導電性ペーストを充填して、セラミックシ
ート２外側へ導通をとり、その上にメタライズ８を導電
性ペーストを用いてプリントする。その後、セラミック
軸３に、発熱体ペースト（発熱部４、引き出し部５）を
プリントしたセラミックシート２を巻き付け焼成し、セ
ラミックヒータ焼結体を得る。
の概略図を示した。内部電極の取り出し構造として、あ
らかじめセラミックシート２にスルーホール１２を設
け、この中に導電性ペーストを充填して、セラミックシ
ート２外側へ導通をとり、その上にメタライズ８を導電
性ペーストを用いてプリントする。その後、セラミック
軸３に、発熱体ペースト（発熱部４、引き出し部５）を
プリントしたセラミックシート２を巻き付け焼成し、セ
ラミックヒータ焼結体を得る。
【０００５】その後、メタライズ８の表面にＮｉメッキ
９を施した後、Ｎｉ等の金属リード７をＡｕ／Ｃｕ系・
Ａｇ／Ｃｕ系・Ａｇ系等のろう材１０を用いてろう付け
して、セラミックヒータとしている。またその際、メタ
ライズ８・ろう材１０及び金属リード７の高温酸化及び
湿度変色を防止するために、Ｎｉメッキ１１を施し全体
を覆っているものもある。
９を施した後、Ｎｉ等の金属リード７をＡｕ／Ｃｕ系・
Ａｇ／Ｃｕ系・Ａｇ系等のろう材１０を用いてろう付け
して、セラミックヒータとしている。またその際、メタ
ライズ８・ろう材１０及び金属リード７の高温酸化及び
湿度変色を防止するために、Ｎｉメッキ１１を施し全体
を覆っているものもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記セラミックヒータ
のろう付けで使用される金属リード７は、一般的に純Ｎ
ｉ（Ｎｉ：９９．０％以上）が使用されている。
のろう付けで使用される金属リード７は、一般的に純Ｎ
ｉ（Ｎｉ：９９．０％以上）が使用されている。
【０００７】ところが、上記のようなセラミックヒータ
においては、Ｎｉメッキ時のメッキ液もしくは、前処理
・後処理の微少な残留によりＳが残留し、金属リード７
の粒界層が侵され容易に金属リードが脆性破壊するとい
う問題があった。
においては、Ｎｉメッキ時のメッキ液もしくは、前処理
・後処理の微少な残留によりＳが残留し、金属リード７
の粒界層が侵され容易に金属リードが脆性破壊するとい
う問題があった。
【０００８】また、ろう付けにおいて還元雰囲気炉を使
用するが、微妙な雰囲気の変動においてＮｉの粒界に酸
素が進入し、粒界酸化を生じ上記同様に、容易に金属リ
ード７が脆性破壊するという問題があった。
用するが、微妙な雰囲気の変動においてＮｉの粒界に酸
素が進入し、粒界酸化を生じ上記同様に、容易に金属リ
ード７が脆性破壊するという問題があった。
【０００９】また、上記セラミックヒータを使用する環
境として、密封されている場合が多い。上記セラミック
ヒータを通電した際、密封状態で発熱させるため、電極
部まで加熱される。このことにより、金属リード７が酸
化して、クラックが入り、破壊を助長する可能性があっ
た。
境として、密封されている場合が多い。上記セラミック
ヒータを通電した際、密封状態で発熱させるため、電極
部まで加熱される。このことにより、金属リード７が酸
化して、クラックが入り、破壊を助長する可能性があっ
た。
【００１０】なお、上記はセラミックヒータについて述
べたが、半導体装置等の他の通電デバイスにおいても、
同様に金属リードを備えて、高温雰囲気で使用されるよ
うな場合、同様の問題が生じていた。
べたが、半導体装置等の他の通電デバイスにおいても、
同様に金属リードを備えて、高温雰囲気で使用されるよ
うな場合、同様の問題が生じていた。
【００１１】本発明は、かかる問題点に鑑み、ろう付け
部の金属リード７の耐硫化性及び耐酸化性を改善し、こ
れらにより信頼性を向上させたセラミックヒータ等の通
電デバイスを提供しようとするものである。
部の金属リード７の耐硫化性及び耐酸化性を改善し、こ
れらにより信頼性を向上させたセラミックヒータ等の通
電デバイスを提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記に鑑みて、本発明
は、セラミック体に発熱抵抗体や回路等の導体を備え、
該導体に通電するための電極パッドと外部金属リードと
をろう付けした構造の通電デバイスにおいて、上記金属
リードの材質がＮｉを主成分とし、副成分としてＭｎを
０．５〜１．５重量％含有することを特徴とする。
は、セラミック体に発熱抵抗体や回路等の導体を備え、
該導体に通電するための電極パッドと外部金属リードと
をろう付けした構造の通電デバイスにおいて、上記金属
リードの材質がＮｉを主成分とし、副成分としてＭｎを
０．５〜１．５重量％含有することを特徴とする。
【００１３】また、上記金属リード内に含まれるＳｉを
０．５重量％以下としたことを特徴とする。
０．５重量％以下としたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態としてセラミッ
クヒータについて、図１〜図３を用いて説明する。
クヒータについて、図１〜図３を用いて説明する。
【００１５】図１，３に示すごとく、本例のセラミック
ヒータは発熱体Ａとして発熱部４と引き出し部５をセラ
ミック体１の内部に内蔵してなる。該セラミック体１に
は、上記内部の引き出し部５からスルーホール１２を介
して、外部に電極部６を有してなる。図２に示すごと
く、上記セラミック体１は、セラミックシート２とセラ
ミック中軸３よりなり、セラミックシートに発熱体Ａと
して発熱部４と引き出し部５を設けてなる。そして、該
セラミック軸３の周囲にセラミックシート２を巻き付け
て一体的に焼成する。
ヒータは発熱体Ａとして発熱部４と引き出し部５をセラ
ミック体１の内部に内蔵してなる。該セラミック体１に
は、上記内部の引き出し部５からスルーホール１２を介
して、外部に電極部６を有してなる。図２に示すごと
く、上記セラミック体１は、セラミックシート２とセラ
ミック中軸３よりなり、セラミックシートに発熱体Ａと
して発熱部４と引き出し部５を設けてなる。そして、該
セラミック軸３の周囲にセラミックシート２を巻き付け
て一体的に焼成する。
【００１６】電極部６の詳細構造として、図３に示すご
とく、スルーホール１２を介して外部に取り出したメタ
ライズ８の上部にＮｉメッキ９を施す。この上に、Ａｇ
ろう等のろう材１０を用いて金属リード７を接合する。
さらにその上部に、Ｎｉメッキ１１を施し、セラミック
体１を得る。
とく、スルーホール１２を介して外部に取り出したメタ
ライズ８の上部にＮｉメッキ９を施す。この上に、Ａｇ
ろう等のろう材１０を用いて金属リード７を接合する。
さらにその上部に、Ｎｉメッキ１１を施し、セラミック
体１を得る。
【００１７】なお、この際の金属リード７は、Ｎｉを主
成分とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含
有し、且つＳｉを０．５重量％以下とした金属材により
形成することにより、耐食性を向上させたものである。
成分とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含
有し、且つＳｉを０．５重量％以下とした金属材により
形成することにより、耐食性を向上させたものである。
【００１８】次に、本発明の作用効果につき説明する。
本例のセラミックヒータにおいては、Ｎｉメッキ９、１
１の製造工程で使用されるメッキ液内に微量のＳが存在
する。そのメッキ液の微少な残渣により、金属リード７
上にＳが残留し、その後の熱処理により、Ｓが粒界拡散
したとしても、金属リード７として耐食性の高い金属材
を用いているため、容易に破壊しない。
本例のセラミックヒータにおいては、Ｎｉメッキ９、１
１の製造工程で使用されるメッキ液内に微量のＳが存在
する。そのメッキ液の微少な残渣により、金属リード７
上にＳが残留し、その後の熱処理により、Ｓが粒界拡散
したとしても、金属リード７として耐食性の高い金属材
を用いているため、容易に破壊しない。
【００１９】さらに、電極部６のろう付け時の還元雰囲
気炉中における、微妙な雰囲気変動が発生した場合で
も、金属リード７の粒界が酸化せず、破壊することはな
い。
気炉中における、微妙な雰囲気変動が発生した場合で
も、金属リード７の粒界が酸化せず、破壊することはな
い。
【００２０】また、上記セラミックヒータを使用する環
境として、密封されている場合が多い。上記セラミック
ヒータを通電した際、密封状態で発熱させるため、電極
部６まで加熱される。このことにより、金属リード７が
酸化したとしても、クラックが入り、破壊を助長するよ
うなことはない。また、金属リード７の引っ張り強度も
低下しない。
境として、密封されている場合が多い。上記セラミック
ヒータを通電した際、密封状態で発熱させるため、電極
部６まで加熱される。このことにより、金属リード７が
酸化したとしても、クラックが入り、破壊を助長するよ
うなことはない。また、金属リード７の引っ張り強度も
低下しない。
【００２１】よって、本例のセラミックヒータは金属リ
ード７の耐久性を向上させることができる。
ード７の耐久性を向上させることができる。
【００２２】本発明の他の実施形態として平面状のヒー
タとすることもできる。
タとすることもできる。
【００２３】図４、５に示すごとく、本例のセラミック
ヒータは発熱体Ａとして発熱部４と引き出し部５をセラ
ミック体１の内部に内蔵してなる。該セラミック体に
は、上記内部の発熱体Ａの上に電極部６を形成するた
め、あらかじめ打ち抜かれたセラミックシート１３を重
ね一体的に焼成する。このことにより、同時に電極部６
も有してなる。
ヒータは発熱体Ａとして発熱部４と引き出し部５をセラ
ミック体１の内部に内蔵してなる。該セラミック体に
は、上記内部の発熱体Ａの上に電極部６を形成するた
め、あらかじめ打ち抜かれたセラミックシート１３を重
ね一体的に焼成する。このことにより、同時に電極部６
も有してなる。
【００２４】以下、電極部６の詳細構造を説明する。図
６に示すごとく、引き出し部５を露出させたメタライズ
８の上部にＮｉメッキ９を施す。また、上記Ｎｉメッキ
９を施したメタライズ８と金属リード７の接合にろう材
１０を用いてなる。この際のろう材１０はＡｇろうを用
いる。
６に示すごとく、引き出し部５を露出させたメタライズ
８の上部にＮｉメッキ９を施す。また、上記Ｎｉメッキ
９を施したメタライズ８と金属リード７の接合にろう材
１０を用いてなる。この際のろう材１０はＡｇろうを用
いる。
【００２５】なお、この際の金属リード７は、Ｎｉを主
成分とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含
有し、且つＳｉを０．５重量％以下とした金属材を用い
る。本例の場合、金属リード７を接合させる設置場所は
平面である。
成分とし、副成分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含
有し、且つＳｉを０．５重量％以下とした金属材を用い
る。本例の場合、金属リード７を接合させる設置場所は
平面である。
【００２６】この方法で得られたセラミックヒータにお
いても、優れたリード接合強度を有すると共に、発明の
実施の形態と同様の作用効果も有している。
いても、優れたリード接合強度を有すると共に、発明の
実施の形態と同様の作用効果も有している。
【００２７】なお、以上の実施形態ではセラミックヒー
タについて述べたが、本発明は、半導体装置、回路基
板、各種電子部品等の通電デバイスにも適用することが
できる。
タについて述べたが、本発明は、半導体装置、回路基
板、各種電子部品等の通電デバイスにも適用することが
できる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明をセラミックヒータに適用し、
さまざまな実験を行った。
さまざまな実験を行った。
【００２９】実施例１ 下記表１に、Ｍｎ量を変量させた金属リードの耐硫化試
験及び耐酸化試験並びに、金属リードとＡｇろうからな
るろう材の濡れ性確認及び金属リードの引っ張り強度を
示す。
験及び耐酸化試験並びに、金属リードとＡｇろうからな
るろう材の濡れ性確認及び金属リードの引っ張り強度を
示す。
【００３０】また、表１中の各評価基準は以下の通りで
ある。
ある。
【００３１】 耐硫化 ○：破壊しない ×：脆性破壊する 確認方法：金属リード中心部より左右９０°へ１回ず つ屈曲試験後、破壊の有無を目視確認 耐酸化 ○：表面にクラックなし ×：表面にクラック発生 確認方法：金属リード中心部より左右９０°へ１回ず つ屈曲試験後、屈曲部のクラックを４０倍 の双眼顕微鏡にて確認 濡れ性確認 ○：金属リード表面に膜なし 金属リードとろう材は密着している △：金属リード表面に膜あり 金属リードとろう材は密着している ×：金属リード表面に膜あり 金属リードとろう材の間に隙間がある 確認方法：ろう付け後の金属リード表面及び金属リー ドとろう材の接合部を４０倍の双眼顕微鏡 にて確認 引っ張り強度 確認方法：金属リード先端をチャッキングし、セラミ ックヒータ全長方向と垂直になるように引 っ張る 引っ張り速度：３２ｍｍ／ｍｉｎ 耐硫化試験は、Ｓの影響を確認するべく、Ｓを各金属リ
ードに含有させ、７００℃にて５時間熱処理を施した後
の屈曲による金属リードの破壊を確認した。Ａは容易に
脆性破壊を呈したが、Ｂ〜Ｆは破壊しなかった。
ードに含有させ、７００℃にて５時間熱処理を施した後
の屈曲による金属リードの破壊を確認した。Ａは容易に
脆性破壊を呈したが、Ｂ〜Ｆは破壊しなかった。
【００３２】また、耐酸化試験は、約１０００℃にて１
時間酸化雰囲気にて熱処理を施した後の屈曲による金属
リードの破壊を確認した。Ａは金属リードの表面にクラ
ックを呈するが、Ｂ〜Ｆはクラックは見られなかった。
時間酸化雰囲気にて熱処理を施した後の屈曲による金属
リードの破壊を確認した。Ａは金属リードの表面にクラ
ックを呈するが、Ｂ〜Ｆはクラックは見られなかった。
【００３３】濡れ性の確認においては、ろう付け部を観
察した結果を示す。Ａ〜Ｄにおいては金属リードにろう
材が密着し、非常に良好な状態でろう付けされており、
表面膜は見られなかった。
察した結果を示す。Ａ〜Ｄにおいては金属リードにろう
材が密着し、非常に良好な状態でろう付けされており、
表面膜は見られなかった。
【００３４】Ｅにおいては、金属リードの表面に膜が見
られ、Ｆにおいては、表面膜がある上金属リードとろう
材に隙間が見られる。金属リード引っ張り強度において
は濡れ性確認と相関のある結果を示しており、Ｅ，Ｆに
おいては非常に強度の低い結果となっており製品として
機能しない。このことは、金属リード表面上にＭｎが浮
きだし、Ｍｎ膜で金属リード表面を覆うことにより、ろ
う材との濡れ性が低下し且つ強度低下を招いたものと判
断した。
られ、Ｆにおいては、表面膜がある上金属リードとろう
材に隙間が見られる。金属リード引っ張り強度において
は濡れ性確認と相関のある結果を示しており、Ｅ，Ｆに
おいては非常に強度の低い結果となっており製品として
機能しない。このことは、金属リード表面上にＭｎが浮
きだし、Ｍｎ膜で金属リード表面を覆うことにより、ろ
う材との濡れ性が低下し且つ強度低下を招いたものと判
断した。
【００３５】以上、試験により得られた結果より、Ｍｎ
量を０．５〜１．５重量％含有するＮｉ金属リードを使
用することにより、本発明の目的とするところの、ろう
付け部の金属リードの耐硫化性及び耐酸化性よっては信
頼性を向上させたセラミックヒータを得ることができ
る。
量を０．５〜１．５重量％含有するＮｉ金属リードを使
用することにより、本発明の目的とするところの、ろう
付け部の金属リードの耐硫化性及び耐酸化性よっては信
頼性を向上させたセラミックヒータを得ることができ
る。
【００３６】
【表１】
【００３７】次に、下記表２に金属リード内Ｍｎ含有量
が請求項１記載範囲内のもので、Ｓｉ量を変量させた耐
硫化試験及び耐酸化試験並びに、金属リードとろう材の
濡れ性確認及び金属リードの引っ張り強度を示す。
が請求項１記載範囲内のもので、Ｓｉ量を変量させた耐
硫化試験及び耐酸化試験並びに、金属リードとろう材の
濡れ性確認及び金属リードの引っ張り強度を示す。
【００３８】また、表２中の各評価基準は以下の通りで
ある。
ある。
【００３９】 耐硫化 ○：破壊しない ×：脆性破壊する 確認方法：金属リード中心部より左右９０°へ１回ず つ屈曲試験後、破壊の有無を目視確認 耐酸化 ○：表面にクラックなし ×：表面にクラック発生 確認方法：金属リード中心部より左右９０°へ１回ず つ屈曲試験後、屈曲部のクラックを４０倍 の双眼顕微鏡にて確認 濡れ性確認 ○：金属リード表面に膜なし 金属リードとろう材は密着している △：金属リード表面に膜あり 金属リードとろう材は密着している ×：金属リード表面に膜あり 金属リードとろう材の間に隙間がある 確認方法：ろう付け後の金属リード表面及び金属リー ドとろう材の接合部を４０倍の双眼顕微鏡 にて確認 引っ張り強度 確認方法：金属リード先端をチャッキングし、セラミ ックヒータ全長方向と垂直になるように引 っ張る 引っ張り速度：３２ｍｍ／ｍｉｎ 各々の試験は上記と同様に実施した。耐硫化試験及び耐
酸化試験においては、Ｓｉ量を変動させることによる影
響はなく良好な結果を示す。但し、濡れ性の確認におい
てはＩにおいて上記Ｅ同様に金属リードの表面に膜が見
られ、同じく金属リード引っ張り強度においても濡れ性
確認と相関のある結果を示しており、Ｉにおいては非常
に強度の低い結果となっている。このことは、上記同様
金属リード表面上にＳｉが浮きだし、Ｓｉ膜で金属リー
ド表面を覆うことにより、ろう材との濡れ性が低下し且
つ強度低下を招くものである。
酸化試験においては、Ｓｉ量を変動させることによる影
響はなく良好な結果を示す。但し、濡れ性の確認におい
てはＩにおいて上記Ｅ同様に金属リードの表面に膜が見
られ、同じく金属リード引っ張り強度においても濡れ性
確認と相関のある結果を示しており、Ｉにおいては非常
に強度の低い結果となっている。このことは、上記同様
金属リード表面上にＳｉが浮きだし、Ｓｉ膜で金属リー
ド表面を覆うことにより、ろう材との濡れ性が低下し且
つ強度低下を招くものである。
【００４０】以上、試験により得られた結果より、Ｎｉ
を主成分とする金属リード中のＳｉの含有量を０．５重
量％以下とすることにより、本発明の目的とするところ
の、ろう付け部の金属リードの耐硫化性及び耐酸化性を
改善し、これらにより信頼性を向上させたセラミックヒ
ータを得ることができる。
を主成分とする金属リード中のＳｉの含有量を０．５重
量％以下とすることにより、本発明の目的とするところ
の、ろう付け部の金属リードの耐硫化性及び耐酸化性を
改善し、これらにより信頼性を向上させたセラミックヒ
ータを得ることができる。
【００４１】
【表２】
【００４２】実施例２ 本発明の他の実施例として、金属リード７の接合に用い
るろう材をＡｕ／Ｃｕろうとしたところ、優れたリード
接合強度を有すると共に、上記実施例と同様の作用効果
も有していた。
るろう材をＡｕ／Ｃｕろうとしたところ、優れたリード
接合強度を有すると共に、上記実施例と同様の作用効果
も有していた。
【００４３】実施例３ 本発明の他の実施例として、Ｎｉメッキ１１を形成しな
いセラミックヒータを作製した。本実施例では、耐熱保
護の役割を有するＮｉメッキ１１を有しないため、電極
部６が加熱される場合にかかる熱負荷が発明の実施の形
態よりも大きい。しかし、この場合でも金属リード７の
酸化によるクラックの発生及びそのことによる破壊の助
長はなく、発明の実施の形態と同様の作用効果も有して
いた。
いセラミックヒータを作製した。本実施例では、耐熱保
護の役割を有するＮｉメッキ１１を有しないため、電極
部６が加熱される場合にかかる熱負荷が発明の実施の形
態よりも大きい。しかし、この場合でも金属リード７の
酸化によるクラックの発生及びそのことによる破壊の助
長はなく、発明の実施の形態と同様の作用効果も有して
いた。
【００４４】実施例４ 図４〜６に示す平面セラミックヒータを作製した。この
方法で得られたセラミックヒータにおいても、優れたリ
ード接合強度を有すると共に、発明の実施の形態と同様
の作用効果も有していた。
方法で得られたセラミックヒータにおいても、優れたリ
ード接合強度を有すると共に、発明の実施の形態と同様
の作用効果も有していた。
【００４５】
【発明の効果】本発明の通電デバイスにおいては、ろう
付けされる金属リードの材質をＮｉを主成分とし、副成
分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含有し、且つ、金
属リード内に含まれるＳｉを０．５重量％以下としたこ
とによって、Ｎｉメッキ時のメッキ液もしくは、前処理
・後処理の微少な残留によりＳが残留したとしても、上
記金属リードを用いた通電デバイスにおいては、粒界層
が侵されず、金属リードが破壊しない、優れたリード接
合強度を有する通電デバイスを得ることができる。
付けされる金属リードの材質をＮｉを主成分とし、副成
分としてＭｎを０．５〜１．５重量％含有し、且つ、金
属リード内に含まれるＳｉを０．５重量％以下としたこ
とによって、Ｎｉメッキ時のメッキ液もしくは、前処理
・後処理の微少な残留によりＳが残留したとしても、上
記金属リードを用いた通電デバイスにおいては、粒界層
が侵されず、金属リードが破壊しない、優れたリード接
合強度を有する通電デバイスを得ることができる。
【００４６】更に、ろう付け時の還元雰囲気炉中の微妙
な雰囲気の変動に伴う粒界酸化も生じず、破壊しない。
また、実際のセラミックヒータ等の通電デバイスの使用
環境における、電極部の温度上昇及び熱負荷にも耐えう
る、優れたリード接合強度を有する通電デバイスを得る
ことができる。
な雰囲気の変動に伴う粒界酸化も生じず、破壊しない。
また、実際のセラミックヒータ等の通電デバイスの使用
環境における、電極部の温度上昇及び熱負荷にも耐えう
る、優れたリード接合強度を有する通電デバイスを得る
ことができる。
【００４７】よって、本発明によれば、金属リードの故
障等が少なく、信頼性が高い通電デバイスを得ることが
できる。
障等が少なく、信頼性が高い通電デバイスを得ることが
できる。
【図１】本発明の通電デバイスの一実施形態であるセラ
ミックヒータを示す斜視図である。
ミックヒータを示す斜視図である。
【図２】上記セラミックヒータの製造工程を示す斜視図
である。
である。
【図３】図１中のＺ−Ｚ線拡大断面図である。
【図４】本発明の通電デバイスの一実施形態であるセラ
ミックヒータの他の実施例を示す斜視図である。
ミックヒータの他の実施例を示す斜視図である。
【図５】図４に示すセラミックヒータの製造工程を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図４中のＹ−Ｙ線拡大断面図である。
１．．．セラミック体 ２，１３．．．セラミックシート ３．．．セラミック軸 ４．．．発熱部 ５．．．引き出し部 ６．．．電極部 ７．．．金属リード ８．．．メタライズ ９，１１．．．Ｎｉメッキ １０．．．ろう材 １２．．．スルーホール
Claims (3)
- 【請求項１】Ｎｉを主成分とし、副成分としてＭｎを
０．５〜１．５重量％含有することを特徴とする金属リ
ード材。 - 【請求項２】上記金属リード材に含まれるＳｉを０．５
重量％以下としたことを特徴とする請求項１記載の金属
リード材。 - 【請求項３】セラミック体に発熱抵抗体、回路等の導体
を備え、該導体に通電するための電極パッドと、請求項
１又は２に記載の材料からなる金属リードとをろう付け
してなる通電デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21627698A JP3838785B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | セラミックヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21627698A JP3838785B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | セラミックヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048934A true JP2000048934A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3838785B2 JP3838785B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=16686009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21627698A Expired - Fee Related JP3838785B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | セラミックヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3838785B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005002279A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| WO2005060311A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-30 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| JP2006331936A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びこれを用いた加熱用こて |
| JP2010165687A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-07-29 | Kyocera Corp | セラミックヒーターおよびこれを用いた加熱用こて |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP21627698A patent/JP3838785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005002279A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| KR100774264B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2007-11-08 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터 및 그 제조방법 |
| WO2005060311A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-30 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| EP1696704A1 (en) * | 2003-11-25 | 2006-08-30 | Kyocera Corporation | Ceramic heater and method for manufacture thereof |
| EP1696704A4 (en) * | 2003-11-25 | 2007-09-19 | Kyocera Corp | CERAMIC HEATING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US7947933B2 (en) * | 2003-11-25 | 2011-05-24 | Kyocera Corporation | Ceramic heater and method for manufacture thereof |
| JP2006331936A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びこれを用いた加熱用こて |
| JP4514653B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | セラミックヒーター及びこれを用いた加熱用こて |
| JP2010165687A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-07-29 | Kyocera Corp | セラミックヒーターおよびこれを用いた加熱用こて |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3838785B2 (ja) | 2006-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4208010B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPS63107087A (ja) | 混成集積回路基板 | |
| JP5239236B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP4720425B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP4641006B2 (ja) | セラミック接合体及びセラミックヒータ | |
| JP2000048934A (ja) | 金属リード材とこれを用いた通電デバイス | |
| US5928568A (en) | Thick film circuit having conductor composition with coated metallic particles | |
| JPS6342879B2 (ja) | ||
| JPH11245083A (ja) | 半田及びそれを用いた回路基板 | |
| JP2005072282A (ja) | 配線基板 | |
| JP2004059375A (ja) | セラミックス−金属部材接合体 | |
| JP2004200644A (ja) | 配線基板 | |
| JP2668569B2 (ja) | ロウ付け用材料 | |
| JP2005183462A (ja) | 配線基板 | |
| JP3556377B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH05136565A (ja) | 厚膜多層セラミツクス基板 | |
| JP2005216718A (ja) | セラミックヒータおよびその製造方法 | |
| JP2006203163A (ja) | 配線基板 | |
| JPH11126797A (ja) | 配線基板の接続構造 | |
| JPH0743988Y2 (ja) | セラミックヒータ | |
| JPH10335049A (ja) | セラミックヒータ | |
| JPH0714940A (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JP2000048939A (ja) | 通電デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH0521935A (ja) | 回路基板 | |
| JPH02244530A (ja) | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060718 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060801 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |