JP2000044400A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000044400A5
JP2000044400A5 JP1999144151A JP14415199A JP2000044400A5 JP 2000044400 A5 JP2000044400 A5 JP 2000044400A5 JP 1999144151 A JP1999144151 A JP 1999144151A JP 14415199 A JP14415199 A JP 14415199A JP 2000044400 A5 JP2000044400 A5 JP 2000044400A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gan
mask
oxygen
concentration
hcl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999144151A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2000044400A (ja
JP3788104B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14415199A priority Critical patent/JP3788104B2/ja
Priority claimed from JP14415199A external-priority patent/JP3788104B2/ja
Publication of JP2000044400A publication Critical patent/JP2000044400A/ja
Publication of JP2000044400A5 publication Critical patent/JP2000044400A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3788104B2 publication Critical patent/JP3788104B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP14415199A 1998-05-28 1999-05-25 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3788104B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14415199A JP3788104B2 (ja) 1998-05-28 1999-05-25 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14771698 1998-05-28
JP10-147716 1998-05-28
JP14415199A JP3788104B2 (ja) 1998-05-28 1999-05-25 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006027926A Division JP2006193422A (ja) 1998-05-28 2006-02-06 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000044400A JP2000044400A (ja) 2000-02-15
JP2000044400A5 true JP2000044400A5 (de) 2006-02-02
JP3788104B2 JP3788104B2 (ja) 2006-06-21

Family

ID=26475663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14415199A Expired - Fee Related JP3788104B2 (ja) 1998-05-28 1999-05-25 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3788104B2 (de)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006193422A (ja) * 1998-05-28 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
JP3639789B2 (ja) 2001-01-31 2005-04-20 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子
JP3952357B2 (ja) * 2001-02-28 2007-08-01 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP3826825B2 (ja) * 2001-04-12 2006-09-27 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板
US6773504B2 (en) 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
US8633093B2 (en) 2001-04-12 2014-01-21 Sumitomo Electric Industries Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
US7372077B2 (en) 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2005005378A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその製造方法
JP3841092B2 (ja) 2003-08-26 2006-11-01 住友電気工業株式会社 発光装置
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2007533164A (ja) * 2004-04-15 2007-11-15 トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ テクスチャ出しされた半導体層を特徴とする光学装置
CN1327486C (zh) * 2004-07-21 2007-07-18 南京大学 利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜
JP2006179511A (ja) 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP4244953B2 (ja) * 2005-04-26 2009-03-25 住友電気工業株式会社 発光装置およびその製造方法
KR100673873B1 (ko) * 2005-05-12 2007-01-25 삼성코닝 주식회사 열전도도가 우수한 질화갈륨 단결정 기판
JP2006332267A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法および窒化物半導体基板
CN100412238C (zh) * 2006-03-30 2008-08-20 中国科学院合肥物质科学研究院 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
EP2019155A3 (de) 2007-05-02 2010-09-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Galliumnitridsubstrat und Verfahren zur Ablagerung eines Galliumnitridfilms
CA2641016A1 (en) 2007-10-24 2009-04-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semi-insulating nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same, nitride semiconductor epitaxial substrate, and field-effect transistor
JP5045388B2 (ja) * 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
JP2009167066A (ja) 2008-01-18 2009-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウムの結晶成長方法および窒化ガリウム基板の製造方法
KR100893360B1 (ko) * 2008-05-02 2009-04-15 (주)그랜드 텍 질화갈륨 단결정의 성장을 위한 버퍼층의 형성방법
JP4730422B2 (ja) 2008-10-24 2011-07-20 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体電子デバイス、ｉｉｉ族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ
JP4375497B1 (ja) 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
JP5045955B2 (ja) 2009-04-13 2012-10-10 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板
JP5326787B2 (ja) * 2009-05-11 2013-10-30 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザダイオード、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザダイオードを作製する方法
EP2484816B1 (de) * 2009-09-28 2015-03-11 Tokuyama Corporation Verfahren zur herstellung eines laminats
JP5729182B2 (ja) * 2010-08-31 2015-06-03 株式会社リコー ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板
JP2012074544A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Ngk Insulators Ltd 半導体素子および半導体素子の作製方法
JP5938871B2 (ja) 2010-11-15 2016-06-22 住友電気工業株式会社 ＧａＮ系膜の製造方法
US8697564B2 (en) 2010-11-16 2014-04-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing GaN-based film
US8110484B1 (en) 2010-11-19 2012-02-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Conductive nitride semiconductor substrate and method for producing the same
CN102719888B (zh) * 2011-03-29 2015-11-25 清华大学 具有纳米微结构基板的制备方法
CN102723414B (zh) * 2011-03-29 2015-04-01 清华大学 外延结构体的制备方法
US9024310B2 (en) 2011-01-12 2015-05-05 Tsinghua University Epitaxial structure
US9184228B2 (en) 2011-03-07 2015-11-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite base including sintered base and base surface flattening layer, and composite substrate including that composite base and semiconductor crystalline layer
JP5754191B2 (ja) * 2011-03-18 2015-07-29 株式会社リコー １３族窒化物結晶の製造方法および１３族窒化物結晶基板の製造方法
JP5546514B2 (ja) * 2011-09-20 2014-07-09 古河電気工業株式会社 窒化物半導体素子及び製造方法
KR101976229B1 (ko) 2011-10-21 2019-05-07 미쯔비시 케미컬 주식회사 주기표 제 13 족 금속 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 제조되는 주기표 제 13 족 금속 질화물 반도체 결정
EP2772570A4 (de) 2011-10-28 2015-03-04 Mitsubishi Chem Corp Verfahren zur herstellung eines nitridkristalls und nitridkristall
KR102101600B1 (ko) 2011-10-28 2020-04-17 미쯔비시 케미컬 주식회사 질화물 결정의 제조 방법 및 질화물 결정
WO2014129544A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法
JP6454981B2 (ja) * 2014-04-24 2019-01-23 住友電気工業株式会社 半導体積層体および受光素子
KR102072167B1 (ko) * 2017-12-19 2020-01-31 한국세라믹기술원 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
JP2021012900A (ja) * 2019-07-03 2021-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系半導体レーザ素子
JP7497222B2 (ja) 2020-06-12 2024-06-10 パナソニックホールディングス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物基板、及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP7500293B2 (ja) 2020-06-12 2024-06-17 パナソニックホールディングス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物基板、及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115862A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 研磨工具と、それを用いた研磨方法および研磨装置
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
JP3721674B2 (ja) * 1996-12-05 2005-11-30 ソニー株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板の製造方法
KR100629558B1 (ko) * 1997-10-30 2006-09-27 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ＧａＮ단결정기판 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000044400A5 (de)
KR100484482B1 (ko) 질화갈륨결정에의 산소도핑방법과 산소도핑된 질화갈륨단결정기판
KR100646696B1 (ko) 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
US8227322B2 (en) Methods of growing nitride-based film using varying pulses
EP1101841A3 (de) Substrat für Epitaxie von III-V Verbindungshalbleitern und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH04297023A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
EP0801156A3 (de) Verfahren zum epitaktischen Wachsen einer Halbleiterverbindung in der Dampffase
JP2002373864A (ja) 窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板
EP1298709B1 (de) Verfahren zur herstellung eines iii-nitridelements enthaltend ein epitaktisches substrat für iii-nitridelement
EP0735598A3 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
CN110148652B (zh) 发光二极管的外延片的制备方法及外延片
JP2000091703A5 (de)
Moustakas et al. Experimental evidence that the plasma-assisted MBE growth of nitride alloys is a liquid phase epitaxy process
CN107808916B (zh) Led晶元及其制备方法和led灯
JP3481427B2 (ja) 窒化物半導体の結晶成長方法
US7491645B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
US7303632B2 (en) Vapor assisted growth of gallium nitride
CN113838951A (zh) In-Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法
Kamp et al. On surface cracking of ammonia for MBE growth of GaN
CN102465334A (zh) 一种氮化镓基led外延层的生长方法
Beneking et al. MO-CVD growth of GaP and GaAlP
CN100378255C (zh) 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法
JP2003282598A (ja) エピタキシャル基板、電子デバイス用エピタキシャル基板、及び電子デバイス
JP3982109B2 (ja) 化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法
US20230369446A1 (en) Method for manufacturing semiconductor structure