JP2012074544A - 半導体素子および半導体素子の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともGaを含む、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1)なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともAlを含む、Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2=1)なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係るHEMT素子10の構成を概略的に示す断面模式図である。HEMT素子10は、基板1と、バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とが積層形成された構成を有する。バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とはいずれも、MOCVD法(有機金属化学的気相成長法)を用いてエピタキシャル形成される(詳細は後述)のが好適な一例である。以降においては、基板1と、バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とが積層形成された積層構造体を、エピタキシャル基板10Aとも称することとする。なお、図1における各層の厚みの比率は、実際のものを反映したものではない。
次に、上述のような構成を有するエピタキシャル基板10AさらにはHEMT素子10を作製する方法を説明する。
上述したように、本実施の形態に係るHEMT素子10は、ゲート電極8の形成に先立って、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施すことにより、ゲート電極8の直下に対してAr原子またはO原子が導入されてなる。以下、その作用効果について説明する。
本実施例では、障壁層5の表面の、ゲート電極8の形成予定箇所に対するアルゴンプラズマ処理の条件が異なる計11種類のHEMT素子10を作製した。具体的には、アルゴンプラズマ処理の際の出力、真空度、および処理時間の組合せを種々に違えた10種類の試料と、アルゴンプラズマ処理を行わない1種類の試料とを作製した。
本実施例では、アルゴンプラズマ処理に代えて、酸素プラズマ処理を行った他は、同様の条件にて、計11種類のHEMT素子10を作製した。なお、酸素プラズマ処理の際の出力、真空度、および処理時間の組合せも全て、実施例1と同様とした。
2 バッファ層
3 チャネル層
5 障壁層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
8 ゲート電極
I 界面
10 HEMT素子
10A エピタキシャル基板
Claims (5)
- 半導体素子の作製方法であって、
下地基板の上に、少なくともGaを含む、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1)なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層をエピタキシャル形成するチャネル層形成工程と、
前記チャネル層の上に、少なくともAlを含む、Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2=1)なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
前記障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する第1電極形成工程と、
前記障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程を経た前記ゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する第2電極形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 請求項1に記載の半導体素子の作製方法であって、
前記プラズマ処理における出力が1.5kW以上であり、真空度が400mtorr以下であり、処理時間が10分以上である、
ことを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 半導体素子であって、
下地基板と、
前記下地基板の上に形成されてなり、少なくともGaを含む、Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1=1)なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成されてなり、少なくともAlを含む、Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2=1)なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層と、
前記障壁層の上に形成されてなる、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、
を備え、
前記ゲート電極の直下の、前記障壁層表面から少なくとも前記障壁層と前記チャネル層との界面までの範囲に、アルゴン原子または酸素原子が導入されてなることにより、閾値電圧が正となっている、
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子であり、
前記ゲート電極の直下の、前記障壁層表面から少なくとも前記障壁層と前記チャネル層との界面までの範囲に、アルゴン原子が導入されてなり、
前記界面におけるアルゴン原子の濃度が6.0×1019atoms/cc以上である、
ことを特徴とする半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子であり、
前記ゲート電極の直下の、前記障壁層表面から少なくとも前記障壁層と前記チャネル層との界面までの範囲に、酸素原子が導入されてなり、
前記界面における酸素原子の濃度が1.0×1021atoms/cc以上である、
ことを特徴とする半導体素子。
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