JP2000036618A - 半導体発光素子及びZnO膜の形成方法 - Google Patents
半導体発光素子及びZnO膜の形成方法Info
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の上にc軸配向性の良好なZnOバッフ
ァ層を形成し、その上に良好なGaNを含む半導体層を
成長させる。 【解決手段】 Si基板2の上に形成するZnOバッフ
ァ層3の膜厚を3500Å以上とする。これによってc
軸配向したZnOバッファ層3のロッキングカーブ半値
幅は4.5゜以下となり、c軸配向性の良好なZnOバ
ッファ層3を得ることができる。よって、この上に形成
されるGaN層4の結晶性を良好にできる。
ァ層を形成し、その上に良好なGaNを含む半導体層を
成長させる。 【解決手段】 Si基板2の上に形成するZnOバッフ
ァ層3の膜厚を3500Å以上とする。これによってc
軸配向したZnOバッファ層3のロッキングカーブ半値
幅は4.5゜以下となり、c軸配向性の良好なZnOバ
ッファ層3を得ることができる。よって、この上に形成
されるGaN層4の結晶性を良好にできる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子及
びZnO膜の形成方法に関する。特に、III−V族化合
物のGaN、InGaN、GaAlN、InGaAlN
等を用いた半導体発光素子に関する。また、Si基板や
ガラス基板等の基板上に成膜されるZnO膜の形成方法
に関する。
びZnO膜の形成方法に関する。特に、III−V族化合
物のGaN、InGaN、GaAlN、InGaAlN
等を用いた半導体発光素子に関する。また、Si基板や
ガラス基板等の基板上に成膜されるZnO膜の形成方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】青色光ないし紫外線を発生する発光ダイ
オード(LED)やレーザーダイオード(LD)等の半
導体発光素子の材料としては、一般式InxGayAlz
N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦
1、0≦z≦1)で表わされるIII−V族化合物半導体
が知られている。この化合物半導体は、直接遷移型であ
ることから発光効率が高く、また、In濃度によって発
光波長を制御できることから、発光素子用材料として注
目されている。
オード(LED)やレーザーダイオード(LD)等の半
導体発光素子の材料としては、一般式InxGayAlz
N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦
1、0≦z≦1)で表わされるIII−V族化合物半導体
が知られている。この化合物半導体は、直接遷移型であ
ることから発光効率が高く、また、In濃度によって発
光波長を制御できることから、発光素子用材料として注
目されている。
【0003】このInxGayAlzNは大型の単結晶を
作製することが困難であるため、その結晶膜の製作にあ
たっては、異なる材料の基板上に成長させる、いわゆる
ヘテロエピタキシャル成長法が用いられており、一般に
はC面サファイア基板の上で成長させられる。しかし、
C面サファイア基板は高価であり、そのうえ大きな格子
不整合があり、成長した結晶中には転移密度108/c
m2〜1011/cm2という多数の結晶欠陥が生じてしま
い、結晶性に優れた良質の結晶膜を得ることができない
という問題があった。
作製することが困難であるため、その結晶膜の製作にあ
たっては、異なる材料の基板上に成長させる、いわゆる
ヘテロエピタキシャル成長法が用いられており、一般に
はC面サファイア基板の上で成長させられる。しかし、
C面サファイア基板は高価であり、そのうえ大きな格子
不整合があり、成長した結晶中には転移密度108/c
m2〜1011/cm2という多数の結晶欠陥が生じてしま
い、結晶性に優れた良質の結晶膜を得ることができない
という問題があった。
【0004】そこで、C面サファイア基板上にInxG
ayAlzNを成長させる際の格子不整合を小さくし、欠
陥の少ない結晶を得るため、C面サファイア基板の上に
多結晶又は非晶質のAlNバッファ層や低温成長GaN
バッファ層を設ける方法が提案されている。この方法に
よれば、C面サファイア基板とバッファ層の間の格子不
整合が小さくなると共にバッファ層とInxGayAlz
Nの格子不整合も小さくなるので、欠陥の少ない結晶膜
を得ることができる。しかし、この方法では、高価なC
面サファイア基板に加え、構造が複雑になることから一
層コスト高になるという問題があった。
ayAlzNを成長させる際の格子不整合を小さくし、欠
陥の少ない結晶を得るため、C面サファイア基板の上に
多結晶又は非晶質のAlNバッファ層や低温成長GaN
バッファ層を設ける方法が提案されている。この方法に
よれば、C面サファイア基板とバッファ層の間の格子不
整合が小さくなると共にバッファ層とInxGayAlz
Nの格子不整合も小さくなるので、欠陥の少ない結晶膜
を得ることができる。しかし、この方法では、高価なC
面サファイア基板に加え、構造が複雑になることから一
層コスト高になるという問題があった。
【0005】また、基板としてSiC基板も検討されて
おり、SiC基板では格子不整合が小さい。しかし、S
iC基板は、C面サファイア基板と比較してもかなり高
価につく(C面サファイア基板の価格の10倍程度)と
いう欠点があった。
おり、SiC基板では格子不整合が小さい。しかし、S
iC基板は、C面サファイア基板と比較してもかなり高
価につく(C面サファイア基板の価格の10倍程度)と
いう欠点があった。
【0006】そこで、安価なSi基板やガラス基板を用
いて半導体発光素子を製作することが従来より望まれて
いる。そのためには、Si基板やガラス基板の上に六方
晶系をしたc軸配向ZnO膜(バッファ層)を成長さ
せ、この上にGaNを含む半導体を形成してInxGay
AlzN系の発光素子を構成することが考えられる。
いて半導体発光素子を製作することが従来より望まれて
いる。そのためには、Si基板やガラス基板の上に六方
晶系をしたc軸配向ZnO膜(バッファ層)を成長さ
せ、この上にGaNを含む半導体を形成してInxGay
AlzN系の発光素子を構成することが考えられる。
【0007】Si基板の上にZnOバッファ層を設けた
ものでは、C面サファイア基板に比較すると、基板コス
トは10分の1程度に抑えることができ、コストを安価
にすることができる。また、C面サファイア基板は絶縁
材料であるのに対し、Si基板は導電性を持たせること
ができるので、p側電極とn側電極を発光素子の上面と
下面に設けることができ、素子構造を簡単にすることが
できるという利点もある。
ものでは、C面サファイア基板に比較すると、基板コス
トは10分の1程度に抑えることができ、コストを安価
にすることができる。また、C面サファイア基板は絶縁
材料であるのに対し、Si基板は導電性を持たせること
ができるので、p側電極とn側電極を発光素子の上面と
下面に設けることができ、素子構造を簡単にすることが
できるという利点もある。
【0008】しかしながら、従来にあっては、Si基板
上に単にc軸配向ZnO膜を形成するだけでは、その上
に結晶性の良好なGaNを含む薄膜を成長させることは
できなかった。ZnO膜のc軸配向性はその上に形成さ
れるGaNを含む薄膜の結晶性に敏感に影響するので、
良好なGaNを含む薄膜をその上に形成するためには、
できるだけZnOの良好なc軸配向膜を得る必要があっ
た。
上に単にc軸配向ZnO膜を形成するだけでは、その上
に結晶性の良好なGaNを含む薄膜を成長させることは
できなかった。ZnO膜のc軸配向性はその上に形成さ
れるGaNを含む薄膜の結晶性に敏感に影響するので、
良好なGaNを含む薄膜をその上に形成するためには、
できるだけZnOの良好なc軸配向膜を得る必要があっ
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の技術的
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、基板の上にc軸配向性の良好なZnO
膜(ZnOバッファ層)を形成し、その上に良好なGa
Nを含む半導体層を成長させられるようにすることにあ
る。
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、基板の上にc軸配向性の良好なZnO
膜(ZnOバッファ層)を形成し、その上に良好なGa
Nを含む半導体層を成長させられるようにすることにあ
る。
【0010】
【発明の開示】本発明によるZnO膜の形成方法は、基
板上にc軸配向されたZnO膜を形成するものであっ
て、膜厚を3500Å以上にすることによってロッキン
グカーブ特性の良好なZnO膜を得ることができる。
板上にc軸配向されたZnO膜を形成するものであっ
て、膜厚を3500Å以上にすることによってロッキン
グカーブ特性の良好なZnO膜を得ることができる。
【0011】そこで、本発明の半導体発光素子は、In
xGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦
1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導
体を用いた半導体発光素子において、基板上に膜厚が3
500Å以上のZnOバッファ層をc軸配向させること
によってロッキングカーブ特性の良好なZnOバッファ
層を形成し、このZnOバッファ層の上にGaNを含む
半導体層を形成したことを特徴とする。
xGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦
1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導
体を用いた半導体発光素子において、基板上に膜厚が3
500Å以上のZnOバッファ層をc軸配向させること
によってロッキングカーブ特性の良好なZnOバッファ
層を形成し、このZnOバッファ層の上にGaNを含む
半導体層を形成したことを特徴とする。
【0012】しかして、本発明によれば、c軸配向した
ZnOバッファ層のロッキングカーブ半値幅を4.5゜
以下にすることができるので、良好なc軸配向性を達成
することができ、ZnOバッファ層の上に形成される半
導体層の結晶性を良好にすることができる。
ZnOバッファ層のロッキングカーブ半値幅を4.5゜
以下にすることができるので、良好なc軸配向性を達成
することができ、ZnOバッファ層の上に形成される半
導体層の結晶性を良好にすることができる。
【0013】さらに好ましくは、ZnOバッファ層の膜
厚をさらに厚くして、ZnOバッファ層のロッキングカ
ーブ半値幅はが3.5゜以下となるようにするのが好ま
しく、特にロッキングカーブ半値幅を2.5゜以下にす
るのが望ましい。
厚をさらに厚くして、ZnOバッファ層のロッキングカ
ーブ半値幅はが3.5゜以下となるようにするのが好ま
しく、特にロッキングカーブ半値幅を2.5゜以下にす
るのが望ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態による
ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1であって、I
nGaN層6を発光層とする発光ダイオードや面発光型
レーザーダイオード等を表わしている。この半導体発光
素子1は、導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZn
Oバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に
順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN
層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8
をエピタキシャル成長させたものであり、n型GaN層
4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、
p型AlGaN層7及びp型GaN層8によってダブル
へテロ接合構造が構成されている。さらに、Si基板2
の下面全面にはn側電極9が設けられ、p型GaN層8
の上面には部分的にp側電極10が形成されている。し
かして、p側電極10とn側電極9の間に電圧を印加す
ると、p側電極10からInGaN層6に電流が注入さ
れて発光し、InGaN層6から出た光はp型GaN層
8の上面のp側電極10が設けられていない領域から外
部へ出射される。
ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1であって、I
nGaN層6を発光層とする発光ダイオードや面発光型
レーザーダイオード等を表わしている。この半導体発光
素子1は、導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZn
Oバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に
順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN
層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8
をエピタキシャル成長させたものであり、n型GaN層
4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、
p型AlGaN層7及びp型GaN層8によってダブル
へテロ接合構造が構成されている。さらに、Si基板2
の下面全面にはn側電極9が設けられ、p型GaN層8
の上面には部分的にp側電極10が形成されている。し
かして、p側電極10とn側電極9の間に電圧を印加す
ると、p側電極10からInGaN層6に電流が注入さ
れて発光し、InGaN層6から出た光はp型GaN層
8の上面のp側電極10が設けられていない領域から外
部へ出射される。
【0015】このような半導体発光素子1においては、
従来例でも説明したように、結晶性の良好なn型GaN
層4を得るためには、Si基板2の上に形成されている
ZnOバッファ層3のc軸配向性を良好なものにするこ
とが重要となる。そこで、本発明の発明者は、表面を酸
化させたSi基板(SiO2/Si基板)の上に、種々
の膜厚のZnO膜を形成し、そのロッキングカーブを測
定した。
従来例でも説明したように、結晶性の良好なn型GaN
層4を得るためには、Si基板2の上に形成されている
ZnOバッファ層3のc軸配向性を良好なものにするこ
とが重要となる。そこで、本発明の発明者は、表面を酸
化させたSi基板(SiO2/Si基板)の上に、種々
の膜厚のZnO膜を形成し、そのロッキングカーブを測
定した。
【0016】まず、ロッキングカーブについて説明す
る。図2に示すように、基板11の上にZnO膜を成長
させるとき、はじめの結晶層は基板との格子不整合によ
り結晶軸の方向(矢印で示す)はランダムにばらつく
が、結晶層を積み重ねるに従って結晶軸方向が揃ってい
く。薄膜や結晶における、このような結晶軸方向のラン
ダム度合いの評価には、X線回折装置を用いてロッキン
グカーブを測定する。すなわち、測定基板にX線を投射
し、測定基板に対して相対的に入射角を変化させなが
ら、その反射光を検出器で検出する。
る。図2に示すように、基板11の上にZnO膜を成長
させるとき、はじめの結晶層は基板との格子不整合によ
り結晶軸の方向(矢印で示す)はランダムにばらつく
が、結晶層を積み重ねるに従って結晶軸方向が揃ってい
く。薄膜や結晶における、このような結晶軸方向のラン
ダム度合いの評価には、X線回折装置を用いてロッキン
グカーブを測定する。すなわち、測定基板にX線を投射
し、測定基板に対して相対的に入射角を変化させなが
ら、その反射光を検出器で検出する。
【0017】具体的にいうと、X線の位置は固定したま
まで、測定基板の垂線が方向を変えるように測定基板と
平行な回転軸の回りに測定基板を回転させ、同時に測定
基板で正反射した反射光を受光するよう測定基板の回転
に合せて検出器の位置も回転させる。このようにして測
定基板の角度を変化させながら反射光強度を検出する。
その際、検出器出力がピークとなるときの入射光と反射
光の間の角度を2θPと呼び、c軸配向したZnOでは
2θPが34.4゜でピークとなる。つぎに、X線の位置
を固定すると共に検出器をそのピーク位置に固定し、測
定基板のみをその近傍で回転させてX線強度を測定す
る。
まで、測定基板の垂線が方向を変えるように測定基板と
平行な回転軸の回りに測定基板を回転させ、同時に測定
基板で正反射した反射光を受光するよう測定基板の回転
に合せて検出器の位置も回転させる。このようにして測
定基板の角度を変化させながら反射光強度を検出する。
その際、検出器出力がピークとなるときの入射光と反射
光の間の角度を2θPと呼び、c軸配向したZnOでは
2θPが34.4゜でピークとなる。つぎに、X線の位置
を固定すると共に検出器をそのピーク位置に固定し、測
定基板のみをその近傍で回転させてX線強度を測定す
る。
【0018】こうして得たX線強度の分布がロッキング
カーブであり、検出器を固定した位置がθP=17.2゜
である。ここで測定されたロッキングカーブのピークと
17.2゜とのずれがZnO膜のc軸の傾きとなる。こ
のピーク位置(17.2゜)を0゜に置き換えた相対的
な角度を用いて表わしたX線強度の分布が、図3のよう
なロッキングカーブ12である。図3においては、横軸
がc軸の角度(傾き)で、縦軸が強度を表わしている。
基板11の上に積み重ねられた結晶配向性の良否は、こ
のロッキングカーブ12の半値幅によって評価すること
ができる。すなわち、結晶軸方向のばらつきが大きい場
合には、図3に実線で示すように、ロッキングカーブ1
2は緩やかに変化し、その半値幅K2が広くなる。これ
に対し、結晶軸方向が揃っている場合には、図3に破線
で示すように、ロッキングカーブ12の変化は急峻とな
り、その半値幅K1は狭くなる。
カーブであり、検出器を固定した位置がθP=17.2゜
である。ここで測定されたロッキングカーブのピークと
17.2゜とのずれがZnO膜のc軸の傾きとなる。こ
のピーク位置(17.2゜)を0゜に置き換えた相対的
な角度を用いて表わしたX線強度の分布が、図3のよう
なロッキングカーブ12である。図3においては、横軸
がc軸の角度(傾き)で、縦軸が強度を表わしている。
基板11の上に積み重ねられた結晶配向性の良否は、こ
のロッキングカーブ12の半値幅によって評価すること
ができる。すなわち、結晶軸方向のばらつきが大きい場
合には、図3に実線で示すように、ロッキングカーブ1
2は緩やかに変化し、その半値幅K2が広くなる。これ
に対し、結晶軸方向が揃っている場合には、図3に破線
で示すように、ロッキングカーブ12の変化は急峻とな
り、その半値幅K1は狭くなる。
【0019】図4はSi基板(SiO2/Si基板)の
上にZnO膜を成膜したときの、ZnO膜の膜厚とZn
O膜のc軸方向に関するロッキングカーブ半値幅との関
係を測定した結果をまとめたものである。図4から分か
るように、ZnO膜の膜厚を0.35μm(3500
Å)よりも厚くすると、ロッキングカーブ半値幅が急激
に小さくなって4.5゜以下になることが分かる。特
に、ZnO膜の膜厚を0.5μm(5000Å)よりも
厚くするのが好ましく、これによってロッキングカーブ
半値幅は3.5゜以下となり、さらに好ましくはZnO
膜の膜厚を0.7μm(7000Å)よりも厚くすれば
ロッキングカーブ半値幅は2.5゜以下となって実用的
な値が得られる。
上にZnO膜を成膜したときの、ZnO膜の膜厚とZn
O膜のc軸方向に関するロッキングカーブ半値幅との関
係を測定した結果をまとめたものである。図4から分か
るように、ZnO膜の膜厚を0.35μm(3500
Å)よりも厚くすると、ロッキングカーブ半値幅が急激
に小さくなって4.5゜以下になることが分かる。特
に、ZnO膜の膜厚を0.5μm(5000Å)よりも
厚くするのが好ましく、これによってロッキングカーブ
半値幅は3.5゜以下となり、さらに好ましくはZnO
膜の膜厚を0.7μm(7000Å)よりも厚くすれば
ロッキングカーブ半値幅は2.5゜以下となって実用的
な値が得られる。
【0020】よって、半導体発光素子1を製作するにあ
たっては、Si基板2の上に形成するZnOバッファ層
3を3500Å以上、好ましくは5000Å、特に好ま
しくは7000Å以上の厚膜とすることにより、c軸配
向性の良好なZnOバッファ層3を形成することがで
き、ZnOバッファ層3の上に結晶性の良好なn型Ga
N層4をMOCVD法やMBE法などにより成長させる
ことができる。
たっては、Si基板2の上に形成するZnOバッファ層
3を3500Å以上、好ましくは5000Å、特に好ま
しくは7000Å以上の厚膜とすることにより、c軸配
向性の良好なZnOバッファ層3を形成することがで
き、ZnOバッファ層3の上に結晶性の良好なn型Ga
N層4をMOCVD法やMBE法などにより成長させる
ことができる。
【0021】さらに、ここでは表面を酸化させたSi基
板を用いたが、表面を酸化させていないSi基板上でも
同じ品質のc軸配向したZnO膜が得られる。
板を用いたが、表面を酸化させていないSi基板上でも
同じ品質のc軸配向したZnO膜が得られる。
【0022】(その他の実施形態)本発明は図1に示し
たようなInGaN層6によるダブルへテロ接合構造の
半導体発光素子以外にも適用することができる。例え
ば、図5に示す半導体発光素子31のように、Si基板
32の上にZnOバッファ層33、n型GaN層34及
びp型GaN層35を積層し、Si基板32の下面にn
側電極36を形成するとともにp側GaN層35の上に
p側電極37を設けたものでもよい。また、図示しない
が、ガラス基板の上にZnOバッファ層、低温成長Ga
Nバッファ層、n型GaN層及びp型GaN層を積んだ
構造の発光素子でもよい。また、基板としては、C面サ
ファイア基板を用いてもよい。
たようなInGaN層6によるダブルへテロ接合構造の
半導体発光素子以外にも適用することができる。例え
ば、図5に示す半導体発光素子31のように、Si基板
32の上にZnOバッファ層33、n型GaN層34及
びp型GaN層35を積層し、Si基板32の下面にn
側電極36を形成するとともにp側GaN層35の上に
p側電極37を設けたものでもよい。また、図示しない
が、ガラス基板の上にZnOバッファ層、低温成長Ga
Nバッファ層、n型GaN層及びp型GaN層を積んだ
構造の発光素子でもよい。また、基板としては、C面サ
ファイア基板を用いてもよい。
【0023】さらには、図6に示すように、Si基板4
2の上にZnOバッファ層43を形成し、n型GaNク
ラッド層44、p型GaN活性層45、p型GaNクラ
ッド層46を積層し、p側GaNクラッド層46の上面
の中央部を除く領域にSiO 2膜47を形成し、SiO2
膜47の上からp型GaNクラッド層46の上にp側電
極48を設け、Si基板42の下面にn側電極49を設
けた、レーザーダイオードや端面出射型の発光ダイオー
ドなどの半導体発光素子41でもよい。
2の上にZnOバッファ層43を形成し、n型GaNク
ラッド層44、p型GaN活性層45、p型GaNクラ
ッド層46を積層し、p側GaNクラッド層46の上面
の中央部を除く領域にSiO 2膜47を形成し、SiO2
膜47の上からp型GaNクラッド層46の上にp側電
極48を設け、Si基板42の下面にn側電極49を設
けた、レーザーダイオードや端面出射型の発光ダイオー
ドなどの半導体発光素子41でもよい。
【図1】本発明の一実施形態による半導体発光素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図2】基板上で成長する結晶の結晶軸方向の変化を説
明する図である。
明する図である。
【図3】ロッキングカーブの説明図である。
【図4】Si基板上に形成されたZnOバッファ層の膜
厚とロッキングカーブ半値幅との関係を測定した結果を
示す図である。
厚とロッキングカーブ半値幅との関係を測定した結果を
示す図である。
【図5】本発明の別な実施形態による半導体発光素子の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図6】本発明のさらに別な実施形態による半導体発光
素子の構造を示す斜視図である。
素子の構造を示す斜視図である。
2 Si基板 3 ZnOバッファ層 4 n型GaN層 12 ロッキングカーブ
Claims (5)
- 【請求項1】 InxGayAlzN(ただし、x+y+
z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わ
される化合物半導体を用いた半導体発光素子において、 基板上に膜厚が3500Å以上のZnOバッファ層をc
軸配向させることによってロッキングカーブ特性の良好
なZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の
上にGaNを含む半導体層を形成したことを特徴とする
半導体発光素子。 - 【請求項2】 c軸配向した前記ZnOバッファ層は、
ロッキングカーブ半値幅が4.5゜以下であることを特
徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 【請求項3】 c軸配向した前記ZnOバッファ層は、
ロッキングカーブ半値幅が3.5゜以下であることを特
徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 【請求項4】 c軸配向した前記ZnOバッファ層は、
ロッキングカーブ半値幅が2.5゜以下であることを特
徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。 - 【請求項5】 基板上にc軸配向されたZnO膜の形成
方法であって、膜厚を3500Å以上にすることによっ
てロッキングカーブ特性の良好なZnO膜を得ることに
することを特徴とするZnO膜の形成方法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP20539198A JP3316562B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 半導体発光素子及びZnO膜の形成方法 |
DE1999131300 DE19931300A1 (de) | 1998-07-21 | 1999-07-07 | Halbleiterphotonikvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP20539198A JP3316562B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 半導体発光素子及びZnO膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000036618A true JP2000036618A (ja) | 2000-02-02 |
JP3316562B2 JP3316562B2 (ja) | 2002-08-19 |
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ID=16506054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20539198A Expired - Fee Related JP3316562B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 半導体発光素子及びZnO膜の形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3316562B2 (ja) |
DE (1) | DE19931300A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004530289A (ja) * | 2001-02-23 | 2004-09-30 | ニトロネックス・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
CN100353578C (zh) * | 2005-11-18 | 2007-12-05 | 浙江大学 | 一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法 |
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US7233028B2 (en) | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
US9960127B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-05-01 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
US10134658B2 (en) | 2016-08-10 | 2018-11-20 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
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1998
- 1998-07-21 JP JP20539198A patent/JP3316562B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-07-07 DE DE1999131300 patent/DE19931300A1/de not_active Ceased
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004530289A (ja) * | 2001-02-23 | 2004-09-30 | ニトロネックス・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
JP4792558B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-10-12 | インターナショナル・レクティファイアー・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
CN100353578C (zh) * | 2005-11-18 | 2007-12-05 | 浙江大学 | 一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法 |
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