JP2000026973A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JP2000026973A JP2000026973A JP10197678A JP19767898A JP2000026973A JP 2000026973 A JP2000026973 A JP 2000026973A JP 10197678 A JP10197678 A JP 10197678A JP 19767898 A JP19767898 A JP 19767898A JP 2000026973 A JP2000026973 A JP 2000026973A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボートアンロード時、加熱されたウェーハか
らの輻射熱が、インレットフランジのアウタチューブシ
ール部近傍を加熱して、これに付着したＮＨ4 Ｃｌ等の
副生成物が蒸発するのを抑え、チューブ内の汚染やパー
ティクルを低減する。 【解決手段】 ＳｉＣ製遮熱チューブ６を石英製インナ
チューブ４の外側に設けて、ウェーハＷからの輻射熱を
遮り、副生成物が付着しやすいインレットフランジ７の
アウタチューブシール部近傍７ａに、ボートアンロード
時にボート１０側から放出される輻射熱が及ばないよう
にする。
らの輻射熱が、インレットフランジのアウタチューブシ
ール部近傍を加熱して、これに付着したＮＨ4 Ｃｌ等の
副生成物が蒸発するのを抑え、チューブ内の汚染やパー
ティクルを低減する。 【解決手段】 ＳｉＣ製遮熱チューブ６を石英製インナ
チューブ４の外側に設けて、ウェーハＷからの輻射熱を
遮り、副生成物が付着しやすいインレットフランジ７の
アウタチューブシール部近傍７ａに、ボートアンロード
時にボート１０側から放出される輻射熱が及ばないよう
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ装置に関し、
特にボートアンロード時に管内に生じるパーティクルを
低減したものに係る。
特にボートアンロード時に管内に生じるパーティクルを
低減したものに係る。
【０００２】
【従来の技術】常圧ＣＶＤ装置（ＬＰＣＶＤ装置）の縦
形炉は、石英製インナチューブと石英製アウタチューブ
とを備えた二重管構造をしている。アウタチューブの下
端には、ガス導入口及びガス排出口を設けたインレット
フランジが気密に設けられる。ウェーハの成膜処理時、
アウタチューブは加熱されて温度は高くなるが、処理に
直接寄与しないインレットフランジは加熱されず温度は
低い状態にある。ウェーハ処理時に発生する副生成物を
含む排気ガスはインナチューブとアウタチューブとの間
を通ってインレットフランジに設けた排気口から排出さ
れるが、このとき温度の低いインレットフランジとアウ
タチューブとのシール部近傍に前記副生成物が付着しや
すい。
形炉は、石英製インナチューブと石英製アウタチューブ
とを備えた二重管構造をしている。アウタチューブの下
端には、ガス導入口及びガス排出口を設けたインレット
フランジが気密に設けられる。ウェーハの成膜処理時、
アウタチューブは加熱されて温度は高くなるが、処理に
直接寄与しないインレットフランジは加熱されず温度は
低い状態にある。ウェーハ処理時に発生する副生成物を
含む排気ガスはインナチューブとアウタチューブとの間
を通ってインレットフランジに設けた排気口から排出さ
れるが、このとき温度の低いインレットフランジとアウ
タチューブとのシール部近傍に前記副生成物が付着しや
すい。
【０００３】この副生成物は、例えばＣＶＤ膜としてＳ
ｉ3 Ｎ4 膜を形成する場合にはＮＨ4 Ｃｌ等で構成され
る。Ｓｉ窒化膜形成用原料として、現在ＳｉＨ2 Ｃｌ2
あるいはＳｉＨ4 が主として用いられており、成膜温度
は７００℃程度である。ＳｉＨ4 −ＮＨ3 がもっともシ
ンプルな系であるが、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 −ＮＨ3 の方が使
用頻度が高い。いずれの反応によっても、目的とするＳ
ｉ3 Ｎ4 膜の他に、副生成物であるＮＨ4 Ｃｌが生じ
る。大半のＮＨ4 Ｃｌはインレットフランジに設けた排
出口から排気されるが、既述したように一部はインレッ
トフランジとアウタチューブとのシール部近傍に付着す
る。
ｉ3 Ｎ4 膜を形成する場合にはＮＨ4 Ｃｌ等で構成され
る。Ｓｉ窒化膜形成用原料として、現在ＳｉＨ2 Ｃｌ2
あるいはＳｉＨ4 が主として用いられており、成膜温度
は７００℃程度である。ＳｉＨ4 −ＮＨ3 がもっともシ
ンプルな系であるが、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 −ＮＨ3 の方が使
用頻度が高い。いずれの反応によっても、目的とするＳ
ｉ3 Ｎ4 膜の他に、副生成物であるＮＨ4 Ｃｌが生じ
る。大半のＮＨ4 Ｃｌはインレットフランジに設けた排
出口から排気されるが、既述したように一部はインレッ
トフランジとアウタチューブとのシール部近傍に付着す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した縦形炉はイン
レットフランジの内壁に取り付けたチューブ受けにイン
ナチューブがアウタチューブと同心に設けられるが、ア
ウタチューブの内側には一重構造のインナチューブが配
置されているだけである。このようにインナチューブが
一重構造であると、炉内処理後、石英製インナチューブ
から加熱されたボートを引き抜くボートアンロード時
に、ボートに載置した多数のウェーハからの輻射熱が、
石英製インナチューブを透過して（ここで幾分減じられ
るが）、温度の低いインレットフランジのアウタチュー
ブシール部近傍に到達し、これを加熱する。そのため、
アウタチューブシール部近傍に付着しているＮＨ4 Ｃｌ
等の副生成物が蒸発し、チューブ内の汚染やパーティク
ルの原因になっている。
レットフランジの内壁に取り付けたチューブ受けにイン
ナチューブがアウタチューブと同心に設けられるが、ア
ウタチューブの内側には一重構造のインナチューブが配
置されているだけである。このようにインナチューブが
一重構造であると、炉内処理後、石英製インナチューブ
から加熱されたボートを引き抜くボートアンロード時
に、ボートに載置した多数のウェーハからの輻射熱が、
石英製インナチューブを透過して（ここで幾分減じられ
るが）、温度の低いインレットフランジのアウタチュー
ブシール部近傍に到達し、これを加熱する。そのため、
アウタチューブシール部近傍に付着しているＮＨ4 Ｃｌ
等の副生成物が蒸発し、チューブ内の汚染やパーティク
ルの原因になっている。
【０００５】なお、最近、チューブ材料としてシリコン
カーバイド（ＳｉＣ）が注目されている。これはＳｉＣ
が石英に比べて堆積膜の膜剥がれを起こしにくく、メン
テナンス周期を長くできるためである。そこで、石英製
アウタチューブ及びインレットフランジに代えてＳｉＣ
製インナチューブ及びインレットフランジを用いること
が考えられるが、現在のところＳｉＣは石英に比べて非
常に高価であるため実用的でない。
カーバイド（ＳｉＣ）が注目されている。これはＳｉＣ
が石英に比べて堆積膜の膜剥がれを起こしにくく、メン
テナンス周期を長くできるためである。そこで、石英製
アウタチューブ及びインレットフランジに代えてＳｉＣ
製インナチューブ及びインレットフランジを用いること
が考えられるが、現在のところＳｉＣは石英に比べて非
常に高価であるため実用的でない。
【０００６】また、ＳｉＣは熱線の透過率が石英よりも
低いので、石英製インナチューブに代えてＳｉＣ製イン
ナチューブにすれば、アウタチューブシール部近傍への
輻射熱の到達量が低減するため、上述したボートアンロ
ード時の汚染問題も解消するが、上述したように、石英
をＳｉＣに置換することは経済的に困難であり、かとい
って石英製インナチューブを部分的にＳｉＣ製とするこ
とも技術的に不可能である。
低いので、石英製インナチューブに代えてＳｉＣ製イン
ナチューブにすれば、アウタチューブシール部近傍への
輻射熱の到達量が低減するため、上述したボートアンロ
ード時の汚染問題も解消するが、上述したように、石英
をＳｉＣに置換することは経済的に困難であり、かとい
って石英製インナチューブを部分的にＳｉＣ製とするこ
とも技術的に不可能である。
【０００７】本発明の課題は、ボートアンロード時、簡
単かつ安価な構造で汚染やパーティクルを低減すること
が可能なＣＶＤ装置を提供することにある。
単かつ安価な構造で汚染やパーティクルを低減すること
が可能なＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、炉内からボー
トを引き抜いて処理後のウェーハを取り出すアンロード
時に、ウェーハから放出される輻射熱を遮り、外管の副
生成物の付着しやすいに箇所に熱線が当たらないように
したものである。
トを引き抜いて処理後のウェーハを取り出すアンロード
時に、ウェーハから放出される輻射熱を遮り、外管の副
生成物の付着しやすいに箇所に熱線が当たらないように
したものである。
【０００９】これを実施するために、本発明は、石英製
内管の外側に外管を同心に備えた炉を有し、ウェーハを
載せたボートを前記炉内にロードしてウェーハを処理す
るＣＶＤ装置において、ボートアンロード時、ボート側
から放出される輻射熱を遮って前記外管の副生成物の付
着しやすい箇所に当たる輻射熱量を低減する遮熱管を、
前記石英製内管の外側に同心に設けたものである。
内管の外側に外管を同心に備えた炉を有し、ウェーハを
載せたボートを前記炉内にロードしてウェーハを処理す
るＣＶＤ装置において、ボートアンロード時、ボート側
から放出される輻射熱を遮って前記外管の副生成物の付
着しやすい箇所に当たる輻射熱量を低減する遮熱管を、
前記石英製内管の外側に同心に設けたものである。
【００１０】管内でボートに搭載したウェーハを熱処理
するとき、処理に直接寄与しない外管の下方部は加熱さ
れていないため温度が低くなっており、ここに副生成物
が付着しやい。ウェーハ処理後、内管からボートを抜き
出すボートアンロード時に、ボートが外管の温度の低い
下方部にさしかかると、その下方部がボート側からの輻
射熱で加熱される。しかし、本発明では、輻射熱を遮る
遮熱管を石英製内管の外側に設けたので、ボートアンロ
ード時にボート側から放出される輻射熱が遮られ、外管
の副生成物が付着しやすい低温箇所に到達する輻射熱が
低減する。従って、石英製外管に付着している副生成物
の加熱が抑えられるため、副生成物の再蒸発が有効に防
止される。
するとき、処理に直接寄与しない外管の下方部は加熱さ
れていないため温度が低くなっており、ここに副生成物
が付着しやい。ウェーハ処理後、内管からボートを抜き
出すボートアンロード時に、ボートが外管の温度の低い
下方部にさしかかると、その下方部がボート側からの輻
射熱で加熱される。しかし、本発明では、輻射熱を遮る
遮熱管を石英製内管の外側に設けたので、ボートアンロ
ード時にボート側から放出される輻射熱が遮られ、外管
の副生成物が付着しやすい低温箇所に到達する輻射熱が
低減する。従って、石英製外管に付着している副生成物
の加熱が抑えられるため、副生成物の再蒸発が有効に防
止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図１
を用いて説明する。図１はＬＰＣＶＤ装置が有する縦形
炉の概略構成図である。
を用いて説明する。図１はＬＰＣＶＤ装置が有する縦形
炉の概略構成図である。
【００１２】縦形炉１は反応管５と反応管５を加熱する
ヒータ２とを備える。反応管５は、石英製インナチュー
ブ４の外側に石英製アウタチューブ３を備えて構成され
る。アウタチューブ３の下端にガス排気口９とガス導入
口８とを設けた石英製インレットフランジ７がＯリング
１３を介して気密に設けられる。インレットフランジ７
の内壁には耐食耐熱製のチューブ受け１２が設けられ、
このチューブ受け１２に前記インナチューブ４が前記ア
ウタチューブ３と同心に設けられる。
ヒータ２とを備える。反応管５は、石英製インナチュー
ブ４の外側に石英製アウタチューブ３を備えて構成され
る。アウタチューブ３の下端にガス排気口９とガス導入
口８とを設けた石英製インレットフランジ７がＯリング
１３を介して気密に設けられる。インレットフランジ７
の内壁には耐食耐熱製のチューブ受け１２が設けられ、
このチューブ受け１２に前記インナチューブ４が前記ア
ウタチューブ３と同心に設けられる。
【００１３】ここで石英製アウタチューブ３とインレッ
トフランジ７とで外管１１が構成され、外管１１の下方
部がインレットフランジ７となる。石英製インナチュー
ブ４は内管を構成する。
トフランジ７とで外管１１が構成され、外管１１の下方
部がインレットフランジ７となる。石英製インナチュー
ブ４は内管を構成する。
【００１４】前記アウタチューブ３とインナチューブ４
よりなる反応管５内に、多数枚のウェーハＷを載せた石
英製ボート１０を挿入して密閉する。ウェーハＷをアウ
タチューブ３の外側に設けられるヒータ２により加熱す
ると共に、インナチューブ４内にガス導入口８よりＳｉ
窒化膜形成用のプロセスガスを供給してインナチューブ
４内を上昇させ、反応管５の頂部で向きを変え、アウタ
チューブ３とインナチューブ４との間を下降させて排気
口９より排気する。これによりウェーハＷにＳｉ3 Ｎ4
膜が生成されるとともに、ＮＨ4 Ｃｌ等の副生成物がイ
ンレットフランジ７のアウタチューブシール部近傍７ａ
付着する。
よりなる反応管５内に、多数枚のウェーハＷを載せた石
英製ボート１０を挿入して密閉する。ウェーハＷをアウ
タチューブ３の外側に設けられるヒータ２により加熱す
ると共に、インナチューブ４内にガス導入口８よりＳｉ
窒化膜形成用のプロセスガスを供給してインナチューブ
４内を上昇させ、反応管５の頂部で向きを変え、アウタ
チューブ３とインナチューブ４との間を下降させて排気
口９より排気する。これによりウェーハＷにＳｉ3 Ｎ4
膜が生成されるとともに、ＮＨ4 Ｃｌ等の副生成物がイ
ンレットフランジ７のアウタチューブシール部近傍７ａ
付着する。
【００１５】ウェーハＷからの輻射熱をＮＨ4 Ｃｌ等の
副生成物が付着しているインレットフランジ７のアウタ
チューブシール部近傍７ａにまで拡散させないために、
ＳｉＣ製遮熱チューブ６を石英製インナチューブ４の下
方の外側に設置する。ここで、遮熱チューブ６の材料を
セラミックであるＳｉＣ製としたのは、耐熱性、熱伝導
性、耐食性をもち、強度に優れた物質でありながら、石
英よりも透過率が小さいからである。このＳｉＣ製遮熱
チューブ６は、副生成物の付着し易いインレットフラン
ジ７のアウタチューブシール部近傍７ａのみが、ボート
アンロード時の輻射熱で加熱されないようにすればよい
ため短管でよく、インナチューブ４のように長い必要は
ない。また、遮熱チューブ６の取り付けは、インナチュ
ーブ４と同様に、インレットフランジ７の内壁に取り付
けたチューブ受け１２にアウタチューブ３と同心に取り
付ける。このときＳｉＣ製遮熱チューブ６は、ボート１
０側からの輻射熱の拡散をできるだけ小さくするため
に、インナチューブ４寄りに取り付けることが好まし
い。これによりインナチューブは部分的に二重構造とな
る。
副生成物が付着しているインレットフランジ７のアウタ
チューブシール部近傍７ａにまで拡散させないために、
ＳｉＣ製遮熱チューブ６を石英製インナチューブ４の下
方の外側に設置する。ここで、遮熱チューブ６の材料を
セラミックであるＳｉＣ製としたのは、耐熱性、熱伝導
性、耐食性をもち、強度に優れた物質でありながら、石
英よりも透過率が小さいからである。このＳｉＣ製遮熱
チューブ６は、副生成物の付着し易いインレットフラン
ジ７のアウタチューブシール部近傍７ａのみが、ボート
アンロード時の輻射熱で加熱されないようにすればよい
ため短管でよく、インナチューブ４のように長い必要は
ない。また、遮熱チューブ６の取り付けは、インナチュ
ーブ４と同様に、インレットフランジ７の内壁に取り付
けたチューブ受け１２にアウタチューブ３と同心に取り
付ける。このときＳｉＣ製遮熱チューブ６は、ボート１
０側からの輻射熱の拡散をできるだけ小さくするため
に、インナチューブ４寄りに取り付けることが好まし
い。これによりインナチューブは部分的に二重構造とな
る。
【００１６】上記のような構成による作用を説明する。
ウェーハ上にＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜処理するために、多数
のウェーハを搭載したボート１０を反応管５内にロード
して、成膜処理する。成膜処理後、ボート１０を反応管
５内からアンロードする。すなわち加熱されたボート１
０を石英製インナチューブ４から引き抜くが、その際、
ボート１０に載置したウェーハＷからの輻射熱（数百
度）が、石英製インナチューブ４を透過して、温度の低
いインレットフランジ７のアウタチューブシール部近傍
７ａに拡散する。しかし、実施の形態では、インナチュ
ーブ４の外側に石英より熱線の透過率の小さいＳｉＣ製
遮熱チューブ６を配置したので、これにより石英製イン
ナチューブ４からの熱線が遮られ、そのため、アウタチ
ューブシール部近傍７ａに到達する熱線の量は低減し、
アウタチューブシール部近傍７ａは副生成物が蒸発する
までは加熱されなくなる。
ウェーハ上にＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜処理するために、多数
のウェーハを搭載したボート１０を反応管５内にロード
して、成膜処理する。成膜処理後、ボート１０を反応管
５内からアンロードする。すなわち加熱されたボート１
０を石英製インナチューブ４から引き抜くが、その際、
ボート１０に載置したウェーハＷからの輻射熱（数百
度）が、石英製インナチューブ４を透過して、温度の低
いインレットフランジ７のアウタチューブシール部近傍
７ａに拡散する。しかし、実施の形態では、インナチュ
ーブ４の外側に石英より熱線の透過率の小さいＳｉＣ製
遮熱チューブ６を配置したので、これにより石英製イン
ナチューブ４からの熱線が遮られ、そのため、アウタチ
ューブシール部近傍７ａに到達する熱線の量は低減し、
アウタチューブシール部近傍７ａは副生成物が蒸発する
までは加熱されなくなる。
【００１７】したがって、アウタチューブシール部近傍
に付着しているＮＨ4 Ｃｌ等の副生成物は再蒸発するこ
とがなく、蒸発に起因する炉内の汚染やパーティクルの
発生を抑制することができる。
に付着しているＮＨ4 Ｃｌ等の副生成物は再蒸発するこ
とがなく、蒸発に起因する炉内の汚染やパーティクルの
発生を抑制することができる。
【００１８】また、ＳｉＣ製遮熱チューブ６を設けるだ
けでよいので構造が簡単である。また、縦形炉１内にお
けるＳｉＣ製遮熱チューブ６は、石英製インナチューブ
４と同様にチューブ受け１２に容易に取り付ることがで
きる。さらに、ＳｉＣ製遮熱チューブは、石英製インナ
チューブの一部を覆うだけなので、高価な材料であって
も、安価に済ますことができ、実用化が容易である。
けでよいので構造が簡単である。また、縦形炉１内にお
けるＳｉＣ製遮熱チューブ６は、石英製インナチューブ
４と同様にチューブ受け１２に容易に取り付ることがで
きる。さらに、ＳｉＣ製遮熱チューブは、石英製インナ
チューブの一部を覆うだけなので、高価な材料であって
も、安価に済ますことができ、実用化が容易である。
【００１９】なお、実施の形態では、遮熱チューブをＳ
ｉＣ製としたが、耐熱性、熱伝導性、耐薬品性、強度に
優れ、石英よりも熱線の透過率が小さい物質であれば、
ＳｉＣ以外でもよく、例えばｐｏｌｙ−Ｓｉでもよい。
ｉＣ製としたが、耐熱性、熱伝導性、耐薬品性、強度に
優れ、石英よりも熱線の透過率が小さい物質であれば、
ＳｉＣ以外でもよく、例えばｐｏｌｙ−Ｓｉでもよい。
【００２０】また、ＳｉＣ製遮熱チューブは、インレッ
トフランジのアウタチューブシール部近傍に輻射熱が当
たらないように、インナチューブの下方に配置したが、
石英製アウタチューブの副生成物が付着しやすい箇所で
あれば、いずれに配置してもよい。また、成膜処理以外
の処理、例えばアニール処理など、加熱を伴う処理の後
に行われるボートアンロード時にも本発明は有効であ
る。また、Ｓｉ3 Ｎ4 膜以外の副生成物が付着する場合
にも適用できる。
トフランジのアウタチューブシール部近傍に輻射熱が当
たらないように、インナチューブの下方に配置したが、
石英製アウタチューブの副生成物が付着しやすい箇所で
あれば、いずれに配置してもよい。また、成膜処理以外
の処理、例えばアニール処理など、加熱を伴う処理の後
に行われるボートアンロード時にも本発明は有効であ
る。また、Ｓｉ3 Ｎ4 膜以外の副生成物が付着する場合
にも適用できる。
【００２１】また、石英製インナチューブの当該部分
に、輻射熱を遮ることが可能な所定厚さのＳｉＣ膜を一
体に形成するようにしてもよい。また、ＳｉＣ製遮熱チ
ューブを一重ではなく、二重、三重に配置してもよい。
また、本発明はＬＰＣＶＤ装置以外でもよく、例えば常
圧ＰＣＶ装置などにも適用できる。
に、輻射熱を遮ることが可能な所定厚さのＳｉＣ膜を一
体に形成するようにしてもよい。また、ＳｉＣ製遮熱チ
ューブを一重ではなく、二重、三重に配置してもよい。
また、本発明はＬＰＣＶＤ装置以外でもよく、例えば常
圧ＰＣＶ装置などにも適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、石英製内管の外側に遮
熱管を設置するという簡単な構造で、ボートアンロード
時、前記遮熱管によりボート側から輻射される熱線が遮
られ、熱線が外管の副生成物の付着しやすい箇所に及ば
ないようにしたので、副生成物の蒸発による管内汚染や
パーティクルの発生を有効に低減することができ、高品
質のウェーハ処理が可能になる。また、外管の副生成物
の付着しやすい箇所に熱線が及ばないように遮熱管を部
分的に設置すればよいので、遮熱管を高価な材料から構
成する場合であっても、材料費を節約できるので、比較
的安価に構成できる。
熱管を設置するという簡単な構造で、ボートアンロード
時、前記遮熱管によりボート側から輻射される熱線が遮
られ、熱線が外管の副生成物の付着しやすい箇所に及ば
ないようにしたので、副生成物の蒸発による管内汚染や
パーティクルの発生を有効に低減することができ、高品
質のウェーハ処理が可能になる。また、外管の副生成物
の付着しやすい箇所に熱線が及ばないように遮熱管を部
分的に設置すればよいので、遮熱管を高価な材料から構
成する場合であっても、材料費を節約できるので、比較
的安価に構成できる。
【図１】実施の形態によるＣＶＤ装置の縦形炉の概略構
成図である。
成図である。
３ 石英製アウタチューブ ４ 石英製インナチューブ（内管） ５ 反応管 ７ インレットフランジ １０ ボート １１ 外管 Ｗ ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】石英製内管の外側に外管を同心に備えた炉
を有し、ウェーハを載せたボートを前記炉内にロードし
てウェーハを処理するＣＶＤ装置において、 ボートアンロード時、ボート側から放出される輻射熱を
遮って前記外管の副生成物の付着しやすい箇所に当たる
輻射熱量を低減する遮熱管を、前記石英製内管の外側に
同心に設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767898A JP4434334B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｃｖｄ装置および膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767898A JP4434334B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｃｖｄ装置および膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009265984A Division JP5190436B2 (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | 処理装置、膜の形成方法、及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026973A true JP2000026973A (ja) | 2000-01-25 |
| JP4434334B2 JP4434334B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=16378530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19767898A Expired - Lifetime JP4434334B2 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｃｖｄ装置および膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4434334B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575431B2 (en) | 2006-07-07 | 2009-08-18 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat processing apparatus and method for using the same |
| US8076615B2 (en) | 2008-08-27 | 2011-12-13 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP19767898A patent/JP4434334B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575431B2 (en) | 2006-07-07 | 2009-08-18 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat processing apparatus and method for using the same |
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