JP2000026853A - カチオン処理されたシリケ―ト燐光体 - Google Patents
カチオン処理されたシリケ―ト燐光体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １００時間放射輝度持続が相当に改良された
カチオン処理されたシリケート燐光体及びそれから作ら
れる蛍光ランプを提供する。 【解決手段】 かなりの量のシリケート燐光体を、カチ
オンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカチオン対
燐光体のモル比を、約１：２〜約４：１になるように
し；溶液を、カチオンを燐光体表面に結合させてカチオ
ン処理された燐光体を形成する程の時間撹拌し；カチオ
ン処理された燐光体と溶液とを分離し；及びカチオン処
理された燐光体を、カチオン処理された燐光体の放射輝
度持続を増大させる程の温度及び時間でアニールするこ
とを含むカチオン処理されたシリケート燐光体を製造す
る方法。カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を含有する燐光体層を有しかつ少なくとも約８２％の保
持率を有する蛍光ランプ。
カチオン処理されたシリケート燐光体及びそれから作ら
れる蛍光ランプを提供する。 【解決手段】 かなりの量のシリケート燐光体を、カチ
オンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカチオン対
燐光体のモル比を、約１：２〜約４：１になるように
し；溶液を、カチオンを燐光体表面に結合させてカチオ
ン処理された燐光体を形成する程の時間撹拌し；カチオ
ン処理された燐光体と溶液とを分離し；及びカチオン処
理された燐光体を、カチオン処理された燐光体の放射輝
度持続を増大させる程の温度及び時間でアニールするこ
とを含むカチオン処理されたシリケート燐光体を製造す
る方法。カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を含有する燐光体層を有しかつ少なくとも約８２％の保
持率を有する蛍光ランプ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光灯用途におい
て使用される、シリケートベースの燐光体、特に鉛活性
化されたＢａＳｉ2Ｏ5に関する。一層特には、本発明
は、蛍光ランプにおいて燐光体の改良された保持率を可
能にする、燐光体粒子の表面のカチオン冨化に関する。
て使用される、シリケートベースの燐光体、特に鉛活性
化されたＢａＳｉ2Ｏ5に関する。一層特には、本発明
は、蛍光ランプにおいて燐光体の改良された保持率を可
能にする、燐光体粒子の表面のカチオン冨化に関する。
【０００２】
【従来の技術】鉛活性化されたＢａＳｉ2Ｏ5（ＢａＳｉ
2Ｏ5：Ｐｂ）は、蛍光日焼け用ランプにおいて長波長Ｕ
Ｖ（３４７ｎｍ）燐光体として使用される。それの製法
及び使用は、米国特許第２，５９７，６３１号、同第
３，０４３，７８１号及び同第５，２３４，６２５号に
記載されている。この材料の使用による良く知られた問
題は、蛍光ランプにおけるそれの放射輝度持続が、その
他の蛍光ランプ燐光体に比べて劣っていることである。
すなわち、ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を採用した日焼け
用ランプは、経時的に相対的に大きな放射輝度出力の低
下を示す。この材料の放射輝度持続が劣っていることに
ついての理由は、依然良くは理解されていない。
2Ｏ5：Ｐｂ）は、蛍光日焼け用ランプにおいて長波長Ｕ
Ｖ（３４７ｎｍ）燐光体として使用される。それの製法
及び使用は、米国特許第２，５９７，６３１号、同第
３，０４３，７８１号及び同第５，２３４，６２５号に
記載されている。この材料の使用による良く知られた問
題は、蛍光ランプにおけるそれの放射輝度持続が、その
他の蛍光ランプ燐光体に比べて劣っていることである。
すなわち、ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を採用した日焼け
用ランプは、経時的に相対的に大きな放射輝度出力の低
下を示す。この材料の放射輝度持続が劣っていることに
ついての理由は、依然良くは理解されていない。
【０００３】所定の燐光体の持続は、燐光体表面を改質
することにより又は保護コーティングを塗布することに
よって改良され得ることが一般的に立証されている。特
に、米国特許第５，６９５，６８５号は、イオン交換処
理を種々のランプ燐光体に適用することについて記載し
ている。しかし、ランプ持続の向上は、たった約２％に
すぎずかつその方法をＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体に適用
して良好な結果が得られることの例は、挙げられていな
い。その他の従来技術では、米国特許第５，２２３，３
４１号は、ランプ作動１００時間におけるＢａＳｉ
2Ｏ5：Ｐｂ燐光体の放射輝度持続率を７５〜８５％から
９０〜９５％にまで増大させるＭＯＣＶＤ技術によって
形成される相似Ａｌ2Ｏ3コーティングについて記載して
いる。しかし、ＭＯＣＶＤ技術によってコーティングを
塗布する方法は、溶液ベースの方法に比べて一層費用が
かかるのが普通である。これより、ランプ持続の有意の
向上を生じる溶液ベースの方法を有することは有利にな
ろう。
することにより又は保護コーティングを塗布することに
よって改良され得ることが一般的に立証されている。特
に、米国特許第５，６９５，６８５号は、イオン交換処
理を種々のランプ燐光体に適用することについて記載し
ている。しかし、ランプ持続の向上は、たった約２％に
すぎずかつその方法をＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体に適用
して良好な結果が得られることの例は、挙げられていな
い。その他の従来技術では、米国特許第５，２２３，３
４１号は、ランプ作動１００時間におけるＢａＳｉ
2Ｏ5：Ｐｂ燐光体の放射輝度持続率を７５〜８５％から
９０〜９５％にまで増大させるＭＯＣＶＤ技術によって
形成される相似Ａｌ2Ｏ3コーティングについて記載して
いる。しかし、ＭＯＣＶＤ技術によってコーティングを
塗布する方法は、溶液ベースの方法に比べて一層費用が
かかるのが普通である。これより、ランプ持続の有意の
向上を生じる溶液ベースの方法を有することは有利にな
ろう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発明の目的は、従来技
術の不利を除くことにある。
術の不利を除くことにある。
【０００５】発明の別の目的は、シリケートベースの燐
光体のランプ持続を相当に向上させる溶液ベースの方法
を提供するにある。
光体のランプ持続を相当に向上させる溶液ベースの方法
を提供するにある。
【０００６】発明のそれ以上の目的は、ＢａＳｉ2Ｏ5：
Ｐｂ燐光体を含有する蛍光ランプの１００時間放射輝度
持続を相当に向上させるにある。
Ｐｂ燐光体を含有する蛍光ランプの１００時間放射輝度
持続を相当に向上させるにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明の一態様に従えば、
カチオン処理されたシリケート燐光体を製造する方法を
提供する。その方法は、かなりの量のシリケート燐光体
を、カチオンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカ
チオン対燐光体の比を、カチオンのモル対燐光体のモル
が約１：２〜約４：１になるようにし、溶液を、カチオ
ンを燐光体表面に結合させてカチオン処理された燐光体
を形成する程の時間撹拌し、カチオン処理された燐光体
と溶液とを分離し、及びカチオン処理された燐光体を、
カチオン処理された燐光体の放射輝度持続を増大させる
程の温度及び時間でアニールすることを含む。
カチオン処理されたシリケート燐光体を製造する方法を
提供する。その方法は、かなりの量のシリケート燐光体
を、カチオンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカ
チオン対燐光体の比を、カチオンのモル対燐光体のモル
が約１：２〜約４：１になるようにし、溶液を、カチオ
ンを燐光体表面に結合させてカチオン処理された燐光体
を形成する程の時間撹拌し、カチオン処理された燐光体
と溶液とを分離し、及びカチオン処理された燐光体を、
カチオン処理された燐光体の放射輝度持続を増大させる
程の温度及び時間でアニールすることを含む。
【０００８】発明の別の態様に従えば、カチオン処理さ
れたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を含有する燐光体層を有
しかつ少なくとも約８２％の保持率を有する蛍光ランプ
を提供する。
れたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を含有する燐光体層を有
しかつ少なくとも約８２％の保持率を有する蛍光ランプ
を提供する。
【０００９】発明のなお別の態様に従えば、カチオン処
理を有するＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を含有する燐光体
層を有し、同じＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体をカチオン処
理をしないで含有する燐光体層を有する同様の蛍光ラン
プに比べて少なくとも約４％大きい保持率を有する蛍光
ランプを提供する。
理を有するＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を含有する燐光体
層を有し、同じＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体をカチオン処
理をしないで含有する燐光体層を有する同様の蛍光ラン
プに比べて少なくとも約４％大きい保持率を有する蛍光
ランプを提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を、本発明のその他の及び
それ以上の目的、利点並びに能力と共に一層良く理解す
るために、下記の開示及び特許請求の範囲の記載を、図
面と共に参照すること。
それ以上の目的、利点並びに能力と共に一層良く理解す
るために、下記の開示及び特許請求の範囲の記載を、図
面と共に参照すること。
【００１１】本発明は、あらかじめ任意の合成技術によ
って調製しておいた固体状態のシリケート燐光体に適用
することができる。特に、本発明者等は、この処理を、
あらかじめ在来の固体状態合成方法によって調製してお
りかつ日焼け用ランプにおける用途用に適したルミネセ
ンス特性を示すＰｂ活性化されるＢａＳｉ2Ｏ5に適用す
ることについて記載する。その処理は、初めに燐光体を
塩溶液、例えばＢａＣｌ2、Ｓｒ（ＮＯ3）2中で撹拌す
ることによって適用する。次いで、その物質をろ過し、
乾燥させ、アニーリング工程を続ける。アニーリング工
程は、燐光体表面におけるカチオンの定着を顕著に向上
させる。このようにして処理した燐光体は、ランプの作
動中それらの初期の放射輝度出力の持続の向上を示す。
って調製しておいた固体状態のシリケート燐光体に適用
することができる。特に、本発明者等は、この処理を、
あらかじめ在来の固体状態合成方法によって調製してお
りかつ日焼け用ランプにおける用途用に適したルミネセ
ンス特性を示すＰｂ活性化されるＢａＳｉ2Ｏ5に適用す
ることについて記載する。その処理は、初めに燐光体を
塩溶液、例えばＢａＣｌ2、Ｓｒ（ＮＯ3）2中で撹拌す
ることによって適用する。次いで、その物質をろ過し、
乾燥させ、アニーリング工程を続ける。アニーリング工
程は、燐光体表面におけるカチオンの定着を顕著に向上
させる。このようにして処理した燐光体は、ランプの作
動中それらの初期の放射輝度出力の持続の向上を示す。
【００１２】燐光体調製 本発明は、任意の手段によって調製したＰｂ活性化され
るバリウムジシリケート燐光体（ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ）
に応用することができる。その処理は、燐光体を、カチ
オン０．５〜２モル／リットルを含有する塩溶液中で、
カチオンのモル対燐光体のモルの比約１：２〜約４：１
で撹拌することによって適用する。溶液のｐＨは、イオ
ン交換を助成するために、約９に調整することができ
る。混合を任意の妥当な溶液温度において約６０分又は
それ以上の時間実施することができる。混合した後に、
溶液をろ過し、生成したケークを乾燥させる。カチオン
処理されたシリケート燐光体を、次いで温度約７００°
〜約１０００℃で約２〜約７時間アニールする。この熱
処理は、これらの燐光体のランプ性能を、熱処理しなか
った燐光体に比べて大きく増進させることが分かった。
生成した燐光体は、水で洗浄しかつ乾燥させた後に、蛍
光ランプにおいて使用する準備ができた。
るバリウムジシリケート燐光体（ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ）
に応用することができる。その処理は、燐光体を、カチ
オン０．５〜２モル／リットルを含有する塩溶液中で、
カチオンのモル対燐光体のモルの比約１：２〜約４：１
で撹拌することによって適用する。溶液のｐＨは、イオ
ン交換を助成するために、約９に調整することができ
る。混合を任意の妥当な溶液温度において約６０分又は
それ以上の時間実施することができる。混合した後に、
溶液をろ過し、生成したケークを乾燥させる。カチオン
処理されたシリケート燐光体を、次いで温度約７００°
〜約１０００℃で約２〜約７時間アニールする。この熱
処理は、これらの燐光体のランプ性能を、熱処理しなか
った燐光体に比べて大きく増進させることが分かった。
生成した燐光体は、水で洗浄しかつ乾燥させた後に、蛍
光ランプにおいて使用する準備ができた。
【００１３】下記に例を挙げるが、それらは制限するも
のではない。例の各々において、処理において使用した
燐光体は、ＯＳＲＡＭ ＳＹＬＶＡＮＩＡ Ｐｒｏｄｕ
ｃｔｓ Ｉｎｃ．製のＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ、Ｔｙｐｅ
２０１１Ｃであった。しかし、その他のシリケートベー
スの燐光体を本明細書中に記載するプロセスによって処
理することができるはずである。
のではない。例の各々において、処理において使用した
燐光体は、ＯＳＲＡＭ ＳＹＬＶＡＮＩＡ Ｐｒｏｄｕ
ｃｔｓ Ｉｎｃ．製のＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ、Ｔｙｐｅ
２０１１Ｃであった。しかし、その他のシリケートベー
スの燐光体を本明細書中に記載するプロセスによって処
理することができるはずである。
【００１４】
【実施例】例１ ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体４００ｇを、１Ｍ ＢａＣｌ
2溶液４．０リットルに室温で２時間混入した。カチオ
ン処理された燐光体をろ過し、１３０℃で一晩乾燥させ
た。乾燥させた後に、カチオン処理された燐光体を開放
したシリカるつぼ中で８００℃で４時間アニールした。
生成したケークを水洗して低い導電率にしかつ乾燥させ
た。完成燐光体を、次いでテストするために蛍光ランプ
中に組み込んだ。
2溶液４．０リットルに室温で２時間混入した。カチオ
ン処理された燐光体をろ過し、１３０℃で一晩乾燥させ
た。乾燥させた後に、カチオン処理された燐光体を開放
したシリカるつぼ中で８００℃で４時間アニールした。
生成したケークを水洗して低い導電率にしかつ乾燥させ
た。完成燐光体を、次いでテストするために蛍光ランプ
中に組み込んだ。
【００１５】例２ 本例の燐光体は、アニーリングを９５０℃で５時間行っ
た外は、正確に例１の通りにして調製した。
た外は、正確に例１の通りにして調製した。
【００１６】例３ ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体４００ｇを、０．５Ｍ Ｓｒ
（ＮＯ3）2溶液４．０リットルに室温で２時間混入し
た。この後に、カチオン処理された燐光体を正確に例１
の通りにして加工した。
（ＮＯ3）2溶液４．０リットルに室温で２時間混入し
た。この後に、カチオン処理された燐光体を正確に例１
の通りにして加工した。
【００１７】上記の例において調製したカチオン処理さ
れた燐光体の表面組成を、表１で未処理の燐光体の表面
組成と比べる。表面組成は、ＥＳＣＡ（化学分析につい
ての電子分光学）を用いて測定した。表面カチオン濃度
の増大は、処理されたサンプルに関するＢａ又はＳｒ原
子のパーセンテージの増大によって立証される。バリウ
ムカチオンで処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体につ
いては、バリウム表面原子に対するケイ素の比は、３．
０又はそれ以下であるのが好適である。これらの燐光体
のランプ性能を表２において比較する。表中、持続率
（Ｍ％）は、１００時間放射輝度を０時間放射輝度で割
ったものと定義する。未処理の燐光体に対する１００時
間放射輝度出力の差（Δ１００時間）もまた示す。例３
は、例１及び２と別にテストし、それで異なる標準に対
してテストした。本発明に従って処理した燐光体は、１
００時間放射輝度並びに放射輝度持続率の相当の向上を
示し、初期の放射輝度出力の損失はほとんど又は何らな
い。一般に、少なくとも約４％の持続率の向上が立証さ
れ（例１）かつ特に、少なくとも約８％の持続率の向上
が立証された（例２及び３）。
れた燐光体の表面組成を、表１で未処理の燐光体の表面
組成と比べる。表面組成は、ＥＳＣＡ（化学分析につい
ての電子分光学）を用いて測定した。表面カチオン濃度
の増大は、処理されたサンプルに関するＢａ又はＳｒ原
子のパーセンテージの増大によって立証される。バリウ
ムカチオンで処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体につ
いては、バリウム表面原子に対するケイ素の比は、３．
０又はそれ以下であるのが好適である。これらの燐光体
のランプ性能を表２において比較する。表中、持続率
（Ｍ％）は、１００時間放射輝度を０時間放射輝度で割
ったものと定義する。未処理の燐光体に対する１００時
間放射輝度出力の差（Δ１００時間）もまた示す。例３
は、例１及び２と別にテストし、それで異なる標準に対
してテストした。本発明に従って処理した燐光体は、１
００時間放射輝度並びに放射輝度持続率の相当の向上を
示し、初期の放射輝度出力の損失はほとんど又は何らな
い。一般に、少なくとも約４％の持続率の向上が立証さ
れ（例１）かつ特に、少なくとも約８％の持続率の向上
が立証された（例２及び３）。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】Ｂａ処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を組み入れた単一のランプシリーズからのランプ持続率
データを収集して図１に示す。このシリーズでは、Ｂａ
Ｃｌ 2濃度及び洗浄後のアニーリング条件を変更した。
カチオン処理された燐光体の表面原子濃度は、ＥＳＣＡ
によって求めた。図１を参照すると、持続率（Ｍ％）
は、カチオン処理された燐光体の表面上に存在するバリ
ウム原子に対するケイ素の比の関数として示す。提示し
たデータは、表面Ｂａ含量を増大させると（Ｓｉ／Ｂａ
比を減少させると）、ランプの１００時間持続率の向上
に至ることを明瞭に立証する。
を組み入れた単一のランプシリーズからのランプ持続率
データを収集して図１に示す。このシリーズでは、Ｂａ
Ｃｌ 2濃度及び洗浄後のアニーリング条件を変更した。
カチオン処理された燐光体の表面原子濃度は、ＥＳＣＡ
によって求めた。図１を参照すると、持続率（Ｍ％）
は、カチオン処理された燐光体の表面上に存在するバリ
ウム原子に対するケイ素の比の関数として示す。提示し
たデータは、表面Ｂａ含量を増大させると（Ｓｉ／Ｂａ
比を減少させると）、ランプの１００時間持続率の向上
に至ることを明瞭に立証する。
【００２１】持続率のそれ以上の向上は、カチオン処理
を、Ｄｅｇｕｓｓａ ＡＧから入手し得るＡｌｕｍｉｎ
ｕｍ Ｏｘｉｄｅ Ｃ（Ａｌｏｎ Ｃ）のような高表面
積（約１００ｍ2／ｇ）の酸化アルミニウムの少量と組
み合わせる場合に、達成される。図２及び３を参照する
と、Ｂａカチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
は、アニーリングを９００℃で７時間行った外は、例１
の通りにして調製した。約２重量％までの種々の量のＡ
ｌｏｎ Ｃをカチオン処理された燐光体にドライブレン
ドし、ブレンドされた燐光体を使用してテストランプを
作った。同じ量のＡｌｏｎ Ｃを未処理のＢａＳｉ
2Ｏ5：Ｐｂ燐光体にブレンドし、比較用のテストランプ
を作った。図２は、ランプ持続率を燐光体ブレンドに加
えたＡｌｏｎＣの重量パーセント（重量％）の関数とし
て示す。図３は、未処理のＢａＳｉ 2Ｏ5：Ｐｂ燐光体と
０．１重量％のＡｌｏｎ Ｃとのブレンドで作った対照
ランプに比べたテストランプの相対的１００時間放射輝
度を示す。図２及び３に示すデータは、Ａｌｏｎ Ｃを
カチオン処理された燐光体と組み合わせる場合に、１０
０時間放射輝度及び持続率の終始変わらぬ増大を立証す
る。
を、Ｄｅｇｕｓｓａ ＡＧから入手し得るＡｌｕｍｉｎ
ｕｍ Ｏｘｉｄｅ Ｃ（Ａｌｏｎ Ｃ）のような高表面
積（約１００ｍ2／ｇ）の酸化アルミニウムの少量と組
み合わせる場合に、達成される。図２及び３を参照する
と、Ｂａカチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
は、アニーリングを９００℃で７時間行った外は、例１
の通りにして調製した。約２重量％までの種々の量のＡ
ｌｏｎ Ｃをカチオン処理された燐光体にドライブレン
ドし、ブレンドされた燐光体を使用してテストランプを
作った。同じ量のＡｌｏｎ Ｃを未処理のＢａＳｉ
2Ｏ5：Ｐｂ燐光体にブレンドし、比較用のテストランプ
を作った。図２は、ランプ持続率を燐光体ブレンドに加
えたＡｌｏｎＣの重量パーセント（重量％）の関数とし
て示す。図３は、未処理のＢａＳｉ 2Ｏ5：Ｐｂ燐光体と
０．１重量％のＡｌｏｎ Ｃとのブレンドで作った対照
ランプに比べたテストランプの相対的１００時間放射輝
度を示す。図２及び３に示すデータは、Ａｌｏｎ Ｃを
カチオン処理された燐光体と組み合わせる場合に、１０
０時間放射輝度及び持続率の終始変わらぬ増大を立証す
る。
【００２２】図４は、透明な光透過性のシールされたエ
ンベロープ４２、好ましくはガラスを含む蛍光ランプ３
０を例示する。エンベロープ４２の各々の端部に、電極
４０ａ及び４０ｂ、凹角のステムプレス３６ａ及び３６
ｂ、並びに引き込み導体３８ａ及び３８ｂを含むマウン
トを装着する。ベースキャップ３４ａ及び３４ｂ、並び
にピン３２ａ及び３２ｂをエンベロープ４２の各々の端
部に設備する。少ない装入量の水銀４４をエンベロープ
４２内に入れて水銀の部分蒸気圧をもたらす。エンベロ
ープ４２の内面に本発明のカチオン処理された燐光体を
含む燐光体層４６を被覆する。
ンベロープ４２、好ましくはガラスを含む蛍光ランプ３
０を例示する。エンベロープ４２の各々の端部に、電極
４０ａ及び４０ｂ、凹角のステムプレス３６ａ及び３６
ｂ、並びに引き込み導体３８ａ及び３８ｂを含むマウン
トを装着する。ベースキャップ３４ａ及び３４ｂ、並び
にピン３２ａ及び３２ｂをエンベロープ４２の各々の端
部に設備する。少ない装入量の水銀４４をエンベロープ
４２内に入れて水銀の部分蒸気圧をもたらす。エンベロ
ープ４２の内面に本発明のカチオン処理された燐光体を
含む燐光体層４６を被覆する。
【００２３】現時点で発明の好適な実施態様と考えられ
るものを示しかつ記載したが、種々の変更及び変更態様
を特許請求の範囲に記載する通りの発明の範囲から逸脱
しないでなし得ることは、当業者にとって自明であると
思う。
るものを示しかつ記載したが、種々の変更及び変更態様
を特許請求の範囲に記載する通りの発明の範囲から逸脱
しないでなし得ることは、当業者にとって自明であると
思う。
【図１】カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を組み入れた蛍光ランプの持続率をバリウム表面原子に
対するケイ素の比の関数として表すグラフ図である。
を組み入れた蛍光ランプの持続率をバリウム表面原子に
対するケイ素の比の関数として表すグラフ図である。
【図２】カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を組み入れた蛍光ランプの持続率を、燐光体にブレンド
したＡｌｏｎ Ｃの量の関数として表すグラフ図であ
る。
を組み入れた蛍光ランプの持続率を、燐光体にブレンド
したＡｌｏｎ Ｃの量の関数として表すグラフ図であ
る。
【図３】カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体
を組み入れた蛍光ランプの相対的１００時間放射輝度を
カチオン処理された燐光体にブレンドしたＡｌｏｎ Ｃ
の量の関数として表すグラフ図である。
を組み入れた蛍光ランプの相対的１００時間放射輝度を
カチオン処理された燐光体にブレンドしたＡｌｏｎ Ｃ
の量の関数として表すグラフ図である。
【図４】本発明のカチオン処理された燐光体を被覆した
蛍光ランプのダイヤグラムである。
蛍光ランプのダイヤグラムである。
３０ 蛍光ランプ ３２ａ、３２ｂ ピン ３４ａ、３４ｂ ベースキャップ ３６ａ、３６ｂ ステムプレス ３８ａ、３８ｂ 引き込み導体 ４０ａ、４０ｂ 電極 ４２ エンベロープ ４４ 水銀 ４６ 燐光体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シェリー・エイ・ゾナー アメリカ合衆国ニューヨーク州ビッグ・フ ラッツ、ヒバード・ロード３
Claims (20)
- 【請求項１】 下記：かなりの量のシリケート燐光体
を、カチオンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカ
チオン対燐光体の比を、カチオンのモル対燐光体のモル
が１：２〜４：１になるようにし；溶液を、カチオンを
燐光体表面に結合させてカチオン処理された燐光体を形
成する程の時間撹拌し；カチオン処理された燐光体と溶
液とを分離し；及びカチオン処理された燐光体を、カチ
オン処理された燐光体の放射輝度持続を増大させる程の
温度及び時間でアニールすることを含むカチオン処理さ
れたシリケート燐光体を製造する方法。 - 【請求項２】 シリケート燐光体が、ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐ
ｂである請求項１の方法。 - 【請求項３】 カチオンがバリウム又はストロンチウム
である請求項１の方法。 - 【請求項４】 塩溶液が塩化バリウム又は硝酸ストロン
チウムの溶液である請求項３の方法。 - 【請求項５】 カチオン処理された燐光体を温度７００
°〜１０００℃で２〜７時間アニールする請求項１の方
法。 - 【請求項６】 溶液を少なくとも６０分間撹拌する請求
項１の方法。 - 【請求項７】 下記：かなりの量のシリケート燐光体
を、カチオンを含有する塩溶液に加えるに、溶液中のカ
チオン対燐光体の比を、カチオンのモル対燐光体のモル
が１：２〜４：１になるようにし；溶液を少なくとも６
０分間撹拌してカチオン処理された燐光体を形成し；カ
チオン処理された燐光体と溶液とを分離し；及びカチオ
ン処理された燐光体を温度７００°〜１０００℃で２〜
７時間アニールすることを含むカチオン処理されたシリ
ケート燐光体を製造する方法。 - 【請求項８】 カチオンがバリウム又はストロンチウム
である請求項７の方法。 - 【請求項９】 シリケート燐光体が、ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐ
ｂである請求項８の方法。 - 【請求項１０】 塩溶液が塩化バリウム又は硝酸ストロ
ンチウムの溶液である請求項９の方法。 - 【請求項１１】 カチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐ
ｂ燐光体を含有する燐光体層を有しかつ少なくとも８２
％の保持率を有する蛍光ランプ。 - 【請求項１２】 燐光体層が高い表面積の酸化アルミニ
ウムを含有する請求項１１の蛍光ランプ。 - 【請求項１３】 酸化アルミニウムが燐光体層の２重量
％までを構成する請求項１２の蛍光ランプ。 - 【請求項１４】 カチオン処理を有するＢａＳｉ2Ｏ5：
Ｐｂ燐光体を含有する燐光体層を有し、同じＢａＳｉ2
Ｏ5：Ｐｂ燐光体をカチオン処理をしないで含有する燐
光体層を有する同様の蛍光ランプに比べて少なくとも４
％大きい保持率を有する蛍光ランプ。 - 【請求項１５】 燐光体層が高い表面積の酸化アルミニ
ウムを含有する請求項１４の蛍光ランプ。 - 【請求項１６】 酸化アルミニウムが燐光体層の２重量
％までを構成する請求項１２の蛍光ランプ。 - 【請求項１７】 保持率が、未処理の燐光体を含有する
同様の蛍光ランプに比べて少なくとも８％大きい請求項
１４の蛍光ランプ。 - 【請求項１８】 カチオン処理された燐光体がバリウム
カチオンで処理されておりかつバリウム表面原子に対す
るケイ素の比が３．０又はそれ以下である請求項１７の
蛍光ランプ。 - 【請求項１９】 カチオン処理された燐光体がストロン
チウム原子で処理されている請求項１７の蛍光ランプ。 - 【請求項２０】 バリウム原子で冨化され、それにより
バリウム表面原子に対するケイ素の比が３．０又はそれ
以下である表面を有するＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体を含
むカチオン処理されたＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ燐光体。
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-
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- 1999-06-04 EP EP99110779A patent/EP0962514B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-04 JP JP11157687A patent/JP2000026853A/ja active Pending
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