JP2000016895A - 黒鉛ルツボ - Google Patents

黒鉛ルツボ

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JP2000016895A
JP2000016895A JP10185136A JP18513698A JP2000016895A JP 2000016895 A JP2000016895 A JP 2000016895A JP 10185136 A JP10185136 A JP 10185136A JP 18513698 A JP18513698 A JP 18513698A JP 2000016895 A JP2000016895 A JP 2000016895A
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JP
Japan
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crucible
graphite
graphite crucible
quartz
thermal conductivity
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JP10185136A
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Tomoaki Wakizaka
朋昭 脇阪
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】石英ルツボ中のシリコン融液の対流制御性を向
上させて単結晶引上げの生産性を向上させ、かつ石英ル
ツボの長寿命化ができる黒鉛ルツボを提供する。 【解決手段】黒鉛ルツボ1の部位によりルツボ構成部材
の熱伝導率を変え、石英ガラスルツボ11の温度分布を
均一にした黒鉛ルツボ1である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶引
上げに用いられポリシリコン溶融用の石英ガラスルツボ
を保持する黒鉛ルツボに係わり、特に石英ガラスルツボ
の温度を均一にする黒鉛ルツボに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの基板に用いられるシリ
コン単結晶は、一般にチョクラルスキー法(CZ法)で
製造されており、このCZ法は黒鉛ルツボ内に収納、保
持された石英ガラスルツボ内に原料のポリシリコンを装
填し、これを周囲から加熱して溶融し、上方から吊り下
げたシードをシリコン融液に接触してから引き上げるも
のである。
【0003】一般にCZ法の単結晶引上装置は、炉本体
に収納されモータ駆動のルツボ回転軸に取付けられた等
方性黒鉛製ルツボに保持される石英ルツボを有する。
【0004】さらに、炉本体には黒鉛ルツボを通して石
英ルツボを加熱し、石英ルツボに装填されたナゲット状
のポリシリコンを溶融しシリコン融液にするためのヒー
タが設けられている。また、石英ルツボの上方には、引
き上げ用ワイヤーの先端に取り付けられたシードが設け
られている。
【0005】しかし、従来の単結晶引上装置において、
シリコンが装填された石英ルツボを黒鉛ルツボ全体が同
一部材でかつ同一の高熱伝導率を有する黒鉛製の黒鉛ル
ツボで収納保持し、この黒鉛ルツボを囲繞する円筒状の
発熱ヒーターからの輻射で黒鉛ルツボと石英ルツボを加
熱し、石英ルツボのシリコン融液表面から熱を逃がす構
造になっている。
【0006】このため、シリコン融液を収容する石英ル
ツボは、温度分布が均一ではなく融液面よりも下方に温
度のピークを持つ温度分布になっていた。
【0007】このように石英ルツボの温度分布が不均一
であるため、融液の対流は複雑化し、単結晶引上げの制
御を難しくしており、単結晶引上げの生産性が上がらな
い原因にもなっている。
【0008】また、石英ルツボの円弧部およびこの円弧
部から連なる直胴下部で構成され、シリコンの重量がか
かる石英ルツボ下部近傍が温度のピークになっているこ
と、および大口径シリコン単結晶引上げでは、石英ルツ
ボの温度も高温化していることなどから、この石英ルツ
ボの特定部位への応力の集中および高温化により石英ル
ツボの劣化を早めるという問題が発生している。
【0009】従来、黒鉛ルツボ自身の構造を改良するも
のとして、次に述べるような例が開示されている。
【0010】黒鉛ルツボの強度特性を向上させるため、
黒鉛ルツボを分割し、さらに黒鉛ルツボの外周面、内周
面に所定深さの溝を形成し、ルツボに生じる歪と熱応力
を緩和した黒鉛ルツボが、特開昭64−76993号公
報および特開平1−23440号公報に開示されてい
る。しかし、これら黒鉛ルツボはルツボの強度を向上さ
せるためのもので、石英ルツボの温度の均一化を図るも
のではない。
【0011】さらに、黒鉛ルツボの外周に放熱部と吸熱
部を設け、シリコン融液面より上部においては放熱し下
部においては吸熱させる黒鉛ルツボが、特開昭59−1
40392号公報に開示されている。しかし、この黒鉛
ルツボは、石英ルツボの融液面より上方に対応する黒鉛
ルツボの上部の放熱を増大させるために黒鉛ルツボに外
周に溝を設け、また融液に対応する黒鉛ルツボの中間部
には吸熱を増大させるために黒鉛ルツボの外周に溝を設
けるものであり、石英ルツボの温度の均一化を図るもの
ではない。
【0012】またさらに、黒鉛ルツボの構造を改良した
ものとして特開平9−263492号公報の黒鉛ルツボ
がある。この黒鉛ルツボは黒鉛ルツボの大型化に伴い、
強度を向上させるため、ルツボの内側に炭素繊維クロス
積層体または炭素繊維フェルト積層体を用いた炭素繊維
強化炭素材、外側にフィラメントワインデイング法によ
り成形した炭素繊維強化炭素材を用いた炭素繊維強化炭
素ルツボが開示されている。しかし、このルツボは強度
的考慮はなされているが、伝熱的考慮がなされていない
ため、石英ルツボの温度の均一化は実現されていない。
【0013】また、黒鉛ルツボの使用強度と寿命の向上
を図るため、連続炭素繊維をルツボの直胴部の内周部に
水平方向に巻き付け、その他の部分は垂直に対し70°
の角度をもって巻き付けた炭素繊維強化炭素ルツボが特
開平9−296699号公報に開示されている。しか
し、このルツボも使用強度と寿命の向上に対する考慮は
なされているが、石英ルツボの温度の均一化は実現され
ていない。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このため、石英ルツボ
の温度を均一にし、シリコン融液の対流の制御が容易で
単結晶引上げの生産性が高く、石英ルツボ中のシリコン
融液の対流制御性を向上させて単結晶引上げの生産性を
向上させ、かつ石英ルツボの長寿命化ができる黒鉛ルツ
ボが要望されている。
【0015】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、石英ルツボの温度を均一にし、シリコン融液の
対流の制御が容易で単結晶引上げの生産性が高く、石英
ルツボ中のシリコン融液の対流制御性を向上させて単結
晶引上げの生産性を向上させ、かつ石英ルツボの長寿命
化ができる黒鉛ルツボを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項1の発明は、黒鉛ルツボを通して
ヒータにより加熱されるポリシリコン溶融用の石英ガラ
スルツボを保持する黒鉛ルツボにおいて、黒鉛ルツボを
軸方向に複数の直胴部位に区画可能な直胴部と、この直
胴部に連なるルツボ底部とで一体に構成し、黒鉛ルツボ
の部位に応じてルツボ部材構成部材の熱伝導率を変化さ
せ、石英ガラスルツボの温度分布が均一になるように、
ヒータから石英ルツボへの伝熱量を制御したことを特徴
とする黒鉛ルツボであることを要旨としている。
【0016】本願請求項2の発明は、単結晶引上げ中に
石英ガラスルツボの温度が高い部位に接する黒鉛ルツボ
の部位には熱伝導率の小さいルツボ構成部材を用い、温
度が低い部位に接する黒鉛ルツボの部位には熱伝導率の
大きいルツボ構成部材を用いたことを特徴とする請求項
1に記載の黒鉛ルツボであることを要旨としている。
【0017】本願請求項3の発明は、黒鉛ルツボの直胴
上部およびルツボ底部は熱伝導率が大きなルツボ構成部
材を用い、直胴下部と円弧部で構成されるルツボ下部に
は熱伝導率が小さなルツボ構成部材を用いたことを特徴
とする請求項2に記載の黒鉛ルツボであることを要旨と
している。
【0018】本願請求項4の発明は、黒鉛ルツボの直胴
上部およびルツボ底部は冷間等方加圧製造の黒鉛を用
い、ルツボ下部には炭素繊維強化炭素複合材を用いたこ
とを特徴とする請求項2または3に記載の黒鉛ルツボで
あることを要旨としている。
【0019】本願請求項5の発明は、大きな熱伝導率と
小さな熱伝導率の比が5倍以上であることを特徴とする
請求項2〜4いずれかに記載の黒鉛ルツボであることを
要旨としている。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるシリコン単
結晶引上げ用の黒鉛ルツボの実施の形態およびこの黒鉛
ルツボの実施状況について添付図面に基づき説明する。
【0021】図1に示されるような本発明に係わる黒鉛
ルツボ1は、内径が例えば30インチの黒鉛製で、ルツ
ボ底部2と、このルツボ底部2に連なるルツボ下部3
と、このルツボ下部3に連なる筒状あるいはスリーブ状
の直胴上部4を有する。
【0022】前記ルツボ下部3はルツボ底部2から半径
方向外方に延び周方向に設けられた円弧状の円弧部5
と、この円弧部5に連なる筒状あるいはスリーブ状の直
胴下部6で構成され、この筒状あるいはスリーブ状の直
胴下部6を介してルツボ下部3は直胴上部4に連なって
いる。ルツボ底部2とルツボ下部6とで椀状に形成さ
れ、また、ルツボ下部3の直胴下部6と直胴上部4とで
直胴部7が構成されている。
【0023】前記黒鉛ルツボ1は上記説明のように黒鉛
ルツボ1の軸方向に沿って複数の直胴部位に区画され
る。
【0024】前記ルツボ底部2、直胴上部4は冷間等方
加圧成形された黒鉛で形成され、この黒鉛は熱伝導率1
20〜20W/K・mである。
【0025】一方、前記ルツボ下部2を構成する円弧部
5および直胴下部6は炭素繊維クロス積層体よりなる黒
鉛で形成され、この黒鉛は熱伝導率4〜20W/K・m
である。
【0026】従って、ルツボ底部2および直胴上部4の
熱伝導率はルツボ下部3の熱伝導率より数倍、例えば5
倍以上大きい。
【0027】なお、石英ルツボ12の形状に応じ、黒鉛
ルツボ1の形状を変化させ、例えば円弧部5の曲率半径
を小さくして黒鉛ルツボ1の形状をフラットにし、直胴
下部6を円弧部5の高さに比べ高くするなどしてもよ
い。
【0028】本発明に係わるシリコン単結晶引上げ用の
黒鉛ルツボ1は以上のようなルツボ構造になっているか
ら、この黒鉛ルツボ1を用いてシリコン単結晶Igを引
上げるには、図2に示されるようなCZ法の単結晶引上
装置8を用いる。
【0029】単結晶引上装置8は、炉本体9と、この炉
本体9の炉底部10から炉本体9を貫通しモータ駆動さ
れるルツボ回転軸11と、この回転軸10に取付けられ
た前記黒鉛ルツボ1と、この黒鉛ルツボ1に収納された
石英ルツボ12を有する。
【0030】さらに、炉本体9には黒鉛ルツボ1に対向
し、この黒鉛ルツボ1の周りを覆うように円筒状のヒー
タ13が設けられている。このヒータ13は黒鉛ルツボ
1を通して、石英ルツボ12を加熱し、石英ルツボ12
に装填されたナゲット状のポリシリコン(図示せず)を
溶融しシリコン融液14にするようになっている。
【0031】一方、石英ルツボ12の上方には、引上げ
用ワイヤー14の先端に取り付けられたシード16が設
けられている。
【0032】本発明に係わる黒鉛ルツボ1が組み込まれ
た単結晶引上装置8を用いてシリコン単結晶Igを引上
げるには、ナゲット状のポリシリコンを石英ルツボ12
に装填する。
【0033】しかる後、ヒータ13に通電を行い黒鉛ル
ツボ1を通して石英ルツボ12を加熱してポリシリコン
の溶融を行う。ポリシリコンが溶融されたシリコン融液
14のシリコン融液面15にシード16の先端を接触さ
せ、なじませた後引上げを開始する。
【0034】なお、単結晶引上げ時、黒鉛ルツボ1は、
この黒鉛ルツボ1内部にはシリコン単結晶Igが成長す
るシリコン融液14が入った石英ルツボ12が収容され
ており、前記黒鉛ルツボ1の直胴上部6および石英ルツ
ボ12の直胴上部17に対応する位置にシリコン融液1
4の液面15がくるように調整される。
【0035】単結晶引上げ過程において、ヒータ13か
らの熱は、黒鉛ルツボ1の直胴上部6、ルツボ下部5お
よび黒鉛ルツボ1のルツボ底部2を通って石英ルツボ1
2、シリコン融液14に伝達される。このとき、ルツボ
底部2、直胴上部6を形成するルツボ構成部材である黒
鉛は、冷間等方加圧製造で高熱伝導率であるので、図3
に示すように従来通りの熱がヒータ13から黒鉛ルツボ
1を介して石英ルツボ12に伝達される。
【0036】ただし、黒鉛ルツボ1の直胴上部6を通っ
て石英ルツボ12に多くの熱が伝達されるが、融液面1
3から放熱されるので、石英ルツボ12の直胴上部17
の温度は石英ルツボ12の他の部位ほど高温にはならな
い。
【0037】一方、円弧部5および直胴下部6で構成さ
れるルツボ下部3は、伝導率が小さい炭素繊維クロス積
層体の黒鉛でルツボ構成部材が形成されており、ヒータ
13から黒鉛ルツボ1を介して円弧部5および直胴下部
6に伝達される熱量は図3に示すように従来に比べて低
減される。
【0038】なお、図3は本発明に係わる黒鉛ルツボ1
を用いて単結晶の引き上げ時、石英ルツボ12とシリコ
ン融液14との接触面における石英ルツボ12の各部位
の温度分布を示すものである。X軸は石英ルツボ12の
測定部位と黒鉛ルツボ部位の構成部材に関する説明であ
り、Y軸は石英ルツボ12の内壁面の温度である。
【0039】また、実線は本発明に係わる黒鉛ルツボ1
を用いたときの石英ルツボ12の各部位の温度を示すも
ので、点線は従来の黒鉛ルツボを用いたときの石英ルツ
ボの同一各部位の温度を示すものである。
【0040】石英ルツボ12の円弧部17とこの円弧部
17から連なる直胴下部18近傍の温度が低減され、石
英ルツボ12の温度が均一化していることがわかる。す
なわち、従来の黒鉛ルツボを用いたときの石英ルツボの
温度に比べ、本発明に係わる黒鉛ルツボ1を通して石英
ルツボ12に伝達される熱量は制御され、石英ルツボ1
2の温度が均一化していることがわかる。
【0041】石英ルツボの温度の均一化により、図1に
矢印で示されるようなシリコン融液14の対流の制御が
向上し、単結晶引上げの生産性も向上する。
【0042】また、シリコン融液14の重量がかかる石
英ルツボ12のルツボ下部19近傍の温度が低く抑えら
れているので、石英ルツボ12のルツボ下部19近傍の
劣化、変形により石英ルツボの寿命を縮めることもな
い。
【0043】
【発明の効果】本発明に係わる黒鉛ルツボは、黒鉛ルツ
ボの部位により熱伝導率を変え石英ガラスルツボの温度
分布を均一にし、シリコン融液の対流の制御を向上させ
て単結晶引上げの生産性を向上させ、さらに石英ルツボ
の劣化、変形を防止し、石英ルツボの長寿命化を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる黒鉛ルツボの断面図。
【図2】本発明に係わる黒鉛ルツボを用いたシリコン単
結晶引上装置の概念図。
【図3】図1の黒鉛ルツボを用いて単結晶引上げを行っ
たときの石英ルツボの温度分布線図。
【符号の説明】
1 黒鉛ルツボ 2 ルツボ底部 3 ルツボ下部 4 直胴上部 5 円弧部 6 直胴下部 7 直胴部 8 単結晶引上装置 9 炉本体 10 炉底部 11 ルツボ回転軸 12 石英ルツボ 13 ヒータ 14 シリコン融液 15 リード 16 シード 17 石英ルツボの直胴上部 18 石英ルツボの円弧部 19 石英ルツボの直胴下部 20 石英ルツボのルツボ下部 Ig シリコン単結晶

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 黒鉛ルツボを通してヒータにより加熱さ
    れるポリシリコン溶融用の石英ガラスルツボを保持する
    黒鉛ルツボにおいて、黒鉛ルツボを軸方向に複数の直胴
    部位に区画可能な直胴部と、この直胴部に連なるルツボ
    底部とで一体に構成し、黒鉛ルツボの部位に応じてルツ
    ボ部材構成部材の熱伝導率を変化させ、石英ガラスルツ
    ボの温度分布が均一になるように、ヒータから石英ルツ
    ボへの伝熱量を制御したことを特徴とする黒鉛ルツボ。
  2. 【請求項2】 単結晶引上げ中に石英ガラスルツボの温
    度が高い部位に接する黒鉛ルツボの部位には熱伝導率の
    小さいルツボ構成部材を用い、温度が低い部位に接する
    黒鉛ルツボの部位には熱伝導率の大きいルツボ構成部材
    を用いたことを特徴とする請求項1に記載の黒鉛ルツ
    ボ。
  3. 【請求項3】 黒鉛ルツボの直胴上部およびルツボ底部
    は熱伝導率が大きなルツボ構成部材を用い、直胴下部と
    円弧部で構成されるルツボ下部には熱伝導率が小さなル
    ツボ構成部材を用いたことを特徴とする請求項2に記載
    の黒鉛ルツボ。
  4. 【請求項4】 黒鉛ルツボの直胴上部およびルツボ底部
    は冷間等方加圧製造の黒鉛を用い、ルツボ下部には炭素
    繊維強化炭素複合材を用いたことを特徴とする請求項2
    または3に記載の黒鉛ルツボ。
  5. 【請求項5】 各ルツボ構成部材の大きな熱伝導率と小
    さな熱伝導率の比が5倍以上であることを特徴とする請
    求項2〜4いずれかに記載の黒鉛ルツボ。
JP10185136A 1998-06-30 1998-06-30 黒鉛ルツボ Pending JP2000016895A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011079679A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Japan Siper Quarts Corp 石英ガラスルツボ製造装置、及び、石英ガラスルツボの製造方法
JP2018062454A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 明智セラミックス株式会社 黒鉛質伝熱容器およびその製造方法

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