JP2000012922A

JP2000012922A - 有機薄膜素子

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Publication number: JP2000012922A
Application number: JP17899898A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nakayama; 山俊夫中
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-06-25
Filing date: 1998-06-25
Publication date: 2000-01-14
Anticipated expiration: 2018-06-25
Also published as: JP3725335B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低い駆動電圧で高い電場印加を実現可能な有
機薄膜素子の提供。【解決手段】電場を印加することで駆動する機能性有
機薄膜層を有する有機薄膜素子であって、基板、前記基
板上に形成された第１の電極層、前記電極層上に形成さ
れた、上面が平滑である第１の有機導電体層、前記有機
導電体層上に形成された第１の絶縁体層、および前記絶
縁体層上に形成された機能性有機薄膜層を具備してなる
ことを特徴とする有機薄膜素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気又は光による
信号の制御、記憶、演算、およびその他の機能を有する
有機薄膜素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機分子あるいは有機結晶に固有
の物性を利用して、従来のデバイスにはない新規な機能
を有するデバイスを実現しようとする分子エレクトロニ
クスへの関心が高まっている。これまでに、有機分子を
用いた２次非線形光学素子、電気的スイッチング素子、
注入型発光素子、太陽電池、光情報記録媒体、およびそ
の他へ応用しようとする研究が活発に行われている。

【０００３】これらはいずれも無機材料系においても見
出されている物性を、有機材料を用いることによって、
さらに特性や製造コストなどを改善しようとするもので
ある。一方、本発明者らは有機分子系だけに見出される
物性現象の一例として、ある種の有機錯体結晶に起こる
電荷移動現象にも注目している。

【０００４】有機材料のうち、イオン化ポテンシャルが
小さく、他の分子に電子を供給し、自らは正のイオンに
なりやすいドナー分子と、電子親和力が大きく、他の分
子から電子を受け取って自らは負のイオンになりやすい
アクセプター分子とがある。これら２種の分子間には、
電荷移動錯体と称される化合物が形成されることはよく
知られている。例えば、ペリレンとテトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）とも化合物は、中性分子からなる化
合物である。一方、テトラメチルフェニレンジアミン
（ＴＭＰＤ）とＴＣＮＱとの化合物は、それぞれの分子
が正および負となったイオン性の化合物である。また、
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）とクロラニル（ＣＡ）
との化合物は、温度や圧力の変化によって中性−イオン
性転移が観測されることも知られている（J. B. Torran
ce et al.: Phys. Rev. Lett., 46,253 (1981)）。

【０００５】このような有機分子における電荷移動現象
を、電気素子や光学素子の動作原理として応用する場合
に重要な点は、電場や光により、いかに効率よく、しか
も制御性よく電荷移動を起こさせるかということであ
る。最近、電荷移動錯体の電気的特性に関して、興味あ
る結果が報告されている（十倉好紀ら：１９８８年秋、
物理学会予稿集、３ａ−Ｓ４−１、３ａ−Ｓ４−２、３
ａ−Ｓ４−３他、Y. Tokura et al.: Phisica 143B, 52
7 (1986)）。ここでは、ドナー分子とアクセプター分子
とが、互いに分子面を向かい合わせて積層されている交
互積層型錯体結晶では、比誘電率の異方性が高く、積層
方向の比誘電率が１００〜１０００と極めて高いこと、
１０³〜１０⁴Ｖ／ｃｍオーダーの電界下で非線形な電気
伝導やスイッチング特性が観察されることが報告されて
いる。その原因として、中性結晶内に熱的または電気的
に生成されたイオン性ドレインまたはイオン結晶性結晶
内の中性ドメインが電場により動力学的に動くことが考
えられている。

【０００６】この現象は、中性−イオン性転移と関連性
があるものの、極めて局所的な変化であって、結晶全体
が巨視的に変化しているわけではない。現状では、電場
や光による巨視的な中性−イオン性転移は実現できてい
ない。電荷移動錯体において、電場により巨視的な中性
−イオン性転移を起こすためには、素子内の電場の方向
とドナー分子およびアクセプター分子の積層軸の方向と
が一致していることが極めて重要である。このように有
機分子の特性を活かしたデバイスを実現するためには、
膜厚などのサイズや膜内の構造的均一性はもちろんのこ
と、膜内の１分子オーダーでの分子配列、隣接する分子
間の相互配置および分子配向を制御することが重要とな
る。

【０００７】一方、本発明およびS. Tanakaらは、Phys.
Rev. B52, 1549 (1995)で相転移点に極めて近い状態の
結晶について、中性−イオン性転移が生じる直前の状態
にするためには、１０⁶Ｖ／ｃｍ以上の強電場を印加す
る必要があることを、シュミレーションにより明らかに
している。

【０００８】そのため、電場の方向と、結晶中における
ドナー分子およびアクセプター分子の積層方法が一致す
るように、これら分子の積層方向を制御して、これらの
分子に対して効率的に電圧を印加することが好ましい。
これは、例えば、基板側に設けられた絶縁体層と、機能
性有機薄膜層との間に、機能性有機薄膜層中の分子配向
を制御するための分子配向制御層を設けることにより可
能になる。

【０００９】本発明者らは、このような分子配向制御機
能を示す材料としてアモルファス有機膜が有効であるこ
とを見出し、特願平９−２４６９２１号明細書に開示し
た。また、ステロイド系のアモルファス有機膜を用いる
と、絶縁体層機能と分子配向制御層機能を兼ねることが
できることも合わせて示した。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、透明基板に電
極層を設けるとき、その表面が平滑性を失う場合があ
る。特に、透明基板に対して頻繁に用いられるＩＴＯ電
極層は表面に大きな凹凸構造を有しており、その表面の
高低差は１０００オングストロームにまでおよぶことが
ある。

【００１１】上記絶縁性アモルファス有機膜を表面上に
設けることで凹凸構造を平坦化しようとすると、絶縁性
アモルファス有機膜層に数１０００オングストローム〜
数μｍもの厚さが必要であった。また、上部電極を蒸着
法などで形成させる場合には、絶縁性アモルファス有機
膜が耐熱性に劣ることもあるため、熱ダメージによる短
絡などを防ぐために、やはり絶縁性アモルファス有機膜
層に数１０００オングストローム〜数μｍの厚さが必要
であった。

【００１２】このように、機能性有機薄膜層、または分
子配向制御層と、電極層との間に絶縁性アモルファス有
機膜のみが挿入された電場印加素子を構成させるとする
と、素子の機能性有機薄膜層に印加できる電場強度が著
しく低下するために、駆動電圧を高く設定しなければな
らないという問題があった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】［発明の概要］＜要旨＞本発明の有機薄膜素子は、電場を印加すること
で駆動する機能性有機薄膜層を有するものであって、基
板、前記基板上に形成された第１の電極層、前記電極層
上に形成された、上面が平滑である第１の有機導電体
層、前記有機導電体層上に形成された第１の絶縁体層、
および前記絶縁体層上に形成された機能性有機薄膜層を
具備してなることを特徴とするものである。

【００１４】＜効果＞本発明によれば、低い駆動電圧で
高い電場印加を実現可能な有機薄膜素子が提供される。

【００１５】

【発明の実施の形態】＜有機薄膜素子の構造＞本発明の
有機薄膜素子は、基板、前記基板上に形成された第１の
電極層、前記電極層上に形成された、上面が平滑である
第１の有機導電体層、前記有機導電体層上に形成された
第１の絶縁体層、および前記絶縁体層上に形成された機
能性有機薄膜層を具備してなるものである。このような
本発明の有機薄膜素子の断面模式図は図１に示すとおり
である。すなわち、本発明の有機薄膜素子は、基板１１
上に、第１の電極層１２、第１の有機導電体層１３、第
１の絶縁体層１４、および機能性有機薄膜層１５が順次
積層されているものである。

【００１６】この有機薄膜素子は、この機能性有機薄膜
層１５に電場を印加することで駆動するものである。機
能性有機薄膜層１５に電場を印加するためには、前記第
１の電極層１２の対極となる電極が必要となるが、必要
に応じて任意の対極を設けることができる。例えば、機
能性有機薄膜層に対して非接触で近接させることが可能
な光ファイバーの先端に電極を設け、機能性有機薄膜の
所望の点のみに電場を印加することが可能である。ま
た、機能性薄膜層に、必要に応じて中間層を介して、平
面状の電極を張り合わせることも可能である。特に、前
記した有機薄膜素子が、機能性有機薄膜層１５上に形成
された第２の絶縁体層１６、前記絶縁体層上に形成され
た第２の有機導電体層１７、および前記有機導電体層上
に形成された第２の電極層１８をさらに具備してなる構
造を有することが好ましい。この好ましい構造を有する
有機薄膜素子の断面模式図は図２に示すとおりである。
また、必要に応じて、第１の絶縁層１４と有機薄膜層１
５の界面、有機薄膜層１５と第２の絶縁層１６の界面の
一方または両方に、有機薄膜層に含まれる有機物の配向
を制御するための分子配向制御層２１、２２、を設ける
ことができる。このような層を有する本発明の有機薄膜
素子の断面模式図を図４に示す。

【００１７】なお、これらの、本発明の有機薄膜素子を
構成する各層の主面は平行となるように設置されるのが
一般的である。

【００１８】この図２の本発明の有機薄膜素子を、従来
の有機薄膜素子（図３）と比較すると、本発明の有機薄
膜素子の利点が明確となる。すなわち、従来の有機薄膜
素子では、機能性有機薄膜層１５に厚い絶縁層１４また
は１６を介して電場を印加していた。この絶縁層１４お
よび１６は、電極１２および１８の凹凸構造のため、な
らびに絶縁層そのものに耐熱性を付与するために厚い構
造を有するので、薄層化ができないため、電極１２およ
び１８の間隔が広くなり、機能性有機薄膜層に印加でき
る電場の強度が低かった。

【００１９】これに対して本発明の有機薄膜素子（図
２）では、電極層１２および１８の凹凸構造を平滑化す
る有機導電体層１３および１７を具備している。このた
め、電場の印加される間隔が電極間ではなく、有機導電
体層間の距離となり、従来の有機薄膜素子に比較して電
場が印加される間隔を狭くすることができる。従って本
発明の有機薄膜素子は機能性有機薄膜層に印加できる電
場強度が相対的に高くすることができるため、従来の有
機薄膜素子に比較して低い駆動電圧で駆動することが可
能となるのである。

【００２０】＜基板＞本発明の有機薄膜素子で用いられ
る基板としては、任意のものを用いることができるが、
例えば、ガラス、石英、および酸化物などの透明性を有
する誘電体などからなる透明基板を挙げることができ
る。また、Ｓｉなどの半導体やＡｌなどの金属などの光
透過性を有していない基板を用いることもできる。これ
ら基板は、有機薄膜素子の駆動方法に応じて選択され
る。

【００２１】＜電極層＞本発明の有機薄膜素子で用いら
れる第１および第２の電極層は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、およ
びＳｎＯ₂などの透明電極や、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇおよび
Ｐｔなどの金属からなる電極である。また、ポリピロー
ル、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびその他の導
電性高分子化合物の膜を用いることもできる。これらの
電極は、有機薄膜素子の駆動方法に応じて選択され、第
１および第２の電極層の両方を透明電極または不透明電
極で構成することができ、一方を透明電極、他方を不透
明電極で構成することも可能である。また、金属からな
る電極板を上述の基板として用いることもできる。この
場合は、金属基板が、基板と電極層の２つの機能を合わ
せ持つことになる。

【００２２】第１および第２の電極層を形成させる方法
は任意であるが、用途や用いる材料に応じて、真空蒸着
法、スパッター法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、スピン
コート法、およびその他の方法で形成させる。

【００２３】第１および第２の電極層は、通常は、２０
オングストローム〜１０，０００オングストロームの厚
さの薄膜として形成される。

【００２４】＜有機導電体層＞本発明の有機薄膜素子に
用いられる第１の有機導電体層は、基板上に形成された
第１の電極層表面の凹凸構造を埋め込んで平坦な表面と
する効果を有する。また第２の有機導電体層は、もし存
在するならば、第２の電極層をその上部に形成させる際
に、第２の絶縁体層や機能性有機薄膜層に対して熱によ
るダメージを低減するという効果を有する。

【００２５】これらの効果により、第１の電極層と第２
の有機導電体層、ならびにもし存在するならば第２の有
機導電体層と第２の電極層、がそれぞれ一体となって電
極機能を果たすために電極間の間隔が狭くなると共に、
絶縁体層には耐熱性を考慮する必要が無くなり、絶縁機
能だけを付与することが可能となるため絶縁体層の膜厚
を低減させることが可能となり、機能性有機薄膜層への
印加電場を著しく高めることが可能となる。

【００２６】第１および第２の有機導電体層には、任意
の導電性低分子有機化合物や導電性高分子化合物などを
用いることができる。第１の有機導電体層と第２の有機
導電体層には同一の材料で形成させるのがふつうである
が、必要に応じてそれぞれに異なった材料を用いること
もできる。有機導電体層表面の平坦性を維持するために
は、アモルファス性の有機化合物の膜を用いることが好
ましい。また、有機導電性化合物には、正孔輸送性のも
のと電子輸送性のものとがあるが、本発明の有機薄膜素
子に用いる場合、正極となる電極側には正孔輸送性有機
化合物、負極となる電極層側には電子輸送性有機化合物
を用いることが好ましい。

【００２７】本発明の有機薄膜素子の有機導電体層に用
いることのできる化合物は、これまでに有機電子写真感
光体、有機ＥＬ素子、あるいは有機導電材料に用いられ
ている材料の中に見出される。このような化合物の具体
例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではな
い。また、一般的には導電性を示さない高分子材料に、
これら導電性低分子化合物をドーピングしたものを使用
することもできる。

【００２８】（１）正孔輸送性有機化合物

【化１】

【００２９】

【化２】

【００３０】

【化３】

【００３１】

【化４】

【００３２】

【化５】

【００３３】（２）電子輸送性有機化合物

【化６】

【００３４】

【化７】

【００３５】

【化８】

【００３６】

【化９】

【００３７】

【化１０】

【００３８】

【化１１】

【００３９】第１および第２の有機導電体層を形成させ
る方法は任意であるが、用途や用いる材料に応じて、真
空蒸着法、スパッター法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、
スピンコート法、およびその他の方法で形成させる。

【００４０】＜絶縁体層＞本発明の有機薄膜素子で用い
られる第１および第２の絶縁体層は、隣接する有機導電
体層と機能性有機薄膜層を電気的に絶縁する作用を有す
るものである。第１および第２の絶縁体層には、そのよ
うな作用を有する任意の化合物を用いることができる
が、例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリ
イイミド、ポリスチレン、およびポリシランなどの絶縁
性の有機化合物や、ＳｒＴｉＯ₃、およびＳｉＯ₂などの
金属酸化物、ステロイド系骨格を有する有機化合物、お
よびその他を用いることが好ましい。

【００４１】また、絶縁体層は、機能性有機薄膜層に有
効に電圧が印加されるように、誘電率の高い材料で構成
されることが好ましい。このような絶縁体としては、強
誘電体を挙げることができるが、ＳｒＴｉＯ₃やＰｂＴ
ｉＯ₃のような比誘電率が１０以上の材料を用いること
が好ましい。

【００４２】さらに、本発明の有機薄膜素子の電子素子
への応用において、機能性有機薄膜層に電場を印加する
必要がある場合には、絶縁体層が有機アモルファス膜と
して表面平坦性と共に絶縁性を有することが好ましい。
できるだけ低い電圧で機能性有機薄膜層に強電場をかけ
ることができるようにするためには、このような絶縁体
層はできるだけ薄いことが好ましい。このため、蒸着法
などにより、超薄膜の形成が可能な低分子量有機アモル
ファス分子を形成させることが好ましい。このような特
徴を有する絶縁体層を構成する分子としては、例えばス
テロイド系骨格を有する分子が挙げられる。

【００４３】このようなステロイド系骨格を有する分子
としては、例えば、コレステロール、β−エストラジオ
ールベンゾエート、メチルヒオデオキシコレート、メチ
ルコレート、プレグネノロン、メチルアンドロステンジ
オール、β−エストラジオール、エストリオール、コー
ル酸、エストロン、およびその他が挙げられる。

【００４４】また絶縁体層は、上述の低分子および高分
子アモルファス有機膜と組合わせて、異種のアモルファ
ス有機膜からなる積層構造を有するように形成させるこ
ともできる。低分子アモルファス膜のみでは十分な耐熱
性が得られない場合に、このような積層構造を持つ配向
制御膜を用いて、耐熱性の高い高分子アモルファス膜を
併用することにより、その耐熱性を向上させることがで
きる。耐熱性は、第２の電極を形成させるプロセスにお
いて重要である。

【００４５】第１および第２の絶縁層を形成させる方法
は任意であるが、用途や用いる材料に応じて、真空蒸着
法、スパッター法、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、スピン
コート法、およびその他の方法で形成させる。

【００４６】＜機能性有機薄膜層＞本発明の有機薄膜素
子の機能性有機薄膜層は、電場を印加することで駆動す
ることができる材料を含むものである。このような材料
として電子受容性有機化合物と電子供与性有機化合物と
を含有する材料を挙げることができる。特に、ドナー分
子である電子供与性の有機化合物と、アクセプター分子
である電子受容性の有機化合物とが、交互に蓄積された
交互積層型電荷移動錯体結晶を用いることが好ましい。
このような電子供与性有機化合物および電子受容性有機
化合物、または電荷移動錯体は、本発明の効果を損なわ
ない範囲で任意に選択することができる。

【００４７】以下に、本発明の係る有機薄膜素子の機能
性有機薄膜層に用いることのできる電子供与性化合物お
よび電子受容性化合物の例を示すが、これらに限定され
るものではない。

【００４８】（１）電子供与性化合物（Ｄ１）アニリン、ベンジジン、およびその誘導体。例
えば、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−フェニレン
ジアミン、ジアミノジュレン、ベンジジン、およびその
他。（Ｄ２）縮合多環式炭化水素、縮合複素環化合物、およ
びその誘導体。例えばナフタレン、アントラセン、ピレ
ン、フェナジン、フェノチアジン、アズレン、カルバゾ
ール、アクリジン、１，５−ジアミノナフタレン、およ
びその他。（Ｄ３）メタロセン化合物、およびその誘導体。例えば
フェロセン、ニッケロセン、コバルトセン、ジメチルフ
ェロセン、デカメチルフェロセン、およびその他。（Ｄ４）テトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレ
ン、テトラテルラフルバレン、およびその誘導体。（Ｄ５）テトラチアテトラセン、テトラセレナテトラセ
ン、テトラフェニルビチオピラリデン、およびその誘導
体。

【００４９】（２）電子受容性化合物（Ａ１）ベンゾキノン、およびその誘導体。例えばｐ−
ベンゾキノン、メチルキノン、２，５−ジメチルキノ
ン、クロラニル、ナフトキノン、アントラキノン、およ
びその他。（Ａ２）テトラシアノキノジメタン、およびその誘導
体。例えばテトラシアノキノジメタン、テトラシアノ−
１，４−ナフトキノジメタン、テトラシアノ−９，１０
−アントラキノジメタン、２−５−ジエチルテトラシア
ノキノジメタン、２，３，５，６−テトラフルオロテト
ラシアノキノジメタン、およびその他。（Ａ３）ジシアノキノンジイミン、およびその誘導体。
例えば、ジシアノキノンジイミン、２−クロロジシアノ
キノンジイミン、ジシアノ−１，４−ナフトキノンジイ
ミン、およびその他。（Ａ４）シアノエチレン、およびその誘導体。例えばテ
トラシアノエチレン、ヘキサシアノブタジエン、および
その他。（Ａ５）シアノベンゼン、ニトロベンゼン、およびその
誘導体。ヘキサシアノベンゼン、トリニトロベンゼン、
およびその他。

【００５０】本発明の機能性有機薄膜層には、これらの
電子供与性化合物と電子受容性化合物とを任意に組み合
わせて用いることができる。

【００５１】このほか、本発明の機能性有機薄膜層に用
いることのできる電子供与性有機化合物および電子受容
性有機化合物、または電荷移動錯体は、例えば、特開昭
６３−１６１４３３号、特開昭６３−１６２０５８号、
特開昭６３−３１９５８２号、特開平２−１１６８号、
特開平４−２２８４６０号各明細書にも記載されてい
る。上記に例示した電子供与性化合物と電子受容性化合
物の組合せからなる結晶は、外部からの電場を印加して
いないとき、電界移動量の少ない中性状態の電荷移動錯
体、ならびに電荷移動量の多いイオン性の電荷移動錯体
を含んでいる。一般に、交互積層型電荷移動錯体の電荷
移動状態は、構成分子のイオン化エネルギーと、イオン
性結晶におけるマーデルングエネルギーとにより決定さ
れる。

【００５２】本発明者らは、電荷移動状態の異なる結晶
を混合して混晶を形成させることによりイオン化エネル
ギーを制御できることを見出し、さらに特開平４−１３
７６６６号公報において、結晶を超薄膜化して、マーデ
ルングエネルギーに寄与する分子数を変化させることに
より、マーデルングエネルギーを制御することができる
ことを開示している。

【００５３】従って、上記表に例示した電子供与性化合
物と電子受容性化合物の組み合せからなる結晶は、例え
外部から電場を印加されていないときにイオン性の電荷
移動錯体を形成するものであっても、本発明の有機薄膜
素子に用いることができるのである。

【００５４】上述のようにして構成される機能性有機薄
層の厚さは、層を構成する材料によって異なるが、一般
に１０オングストローム〜１μｍである。また、ドナー
分子とアクセプター分子との組み合わせは、通常、有機
薄膜素子の厚さ方向に、数個〜数千個程度積層される。

【００５５】機能性有機薄膜層は、任意の方法で形成さ
せることができるが、用途や用いる材料に応じて、例え
ば真空蒸着法、溶液析出法、ＬＢ(Langmuir-Blodgett)
法、およびその他の方法で形成させる。

【００５６】＜分子配向制御層＞本発明の有機薄膜素子
には、第１の絶縁体層と有機薄膜層との間、および第２
の絶縁体層と有機薄膜層との間のうち少なくとも一方
に、必要に応じて分子配向制御層を設けることができ
る。分子配向制御膜を設けることにより、結晶性の高い
有機薄膜の特徴を活かしたり、結晶軸方向による物性の
異方性を利用したり、また機能発現に有効な方向に電場
を制御して印加することが可能となる。

【００５７】分子配向制御層は、アモルファス有機膜か
らなることが好ましく、さらに好ましくはステロイド系
骨格を有する分子をもつアモルファス有機膜である。さ
らに、分子配向制御層は、異種のアモルファス有機膜を
積層した構造を有し、ステロイド系骨格を有する分子を
もつアモルファス有機膜を少なくとも一つ含むことが好
ましい。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、低い駆動電圧で高い電
場印加を実現可能な有機薄膜素子が提供されることは
［発明の概要］の項に前記したとおりである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機薄膜素子の断面模式図。

【図２】本発明の有機薄膜素子の断面模式図。

【図３】従来の有機薄膜素子の断面模式図。

【図４】本発明の有機薄膜素子の断面模式図。

【符号の説明】

１１基板１２第１の電極層１３第１の有機導電体層１４第１の絶縁層１５機能性有機薄膜層１６第２の絶縁層１７第２の有機導電体層１８第２の電極層２１第１の分子配向制御層２２第２の分子配向制御層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電場を印加することで駆動する機能性有機
薄膜層を有する有機薄膜素子であって、基板、前記基板上に形成された第１の電極層、前記電極層上に形成された、上面が平滑である第１の有
機導電体層、前記有機導電体層上に形成された第１の絶縁体層、およ
び前記絶縁体層上に形成された機能性有機薄膜層を具備
してなることを特徴とする有機薄膜素子。
【請求項２】機能性有機薄膜層上に形成された第２の絶
縁体層、前記絶縁体層上に形成された第２の有機導電体層、およ
び前記有機導電体層上に形成された第２の電極層をさら
に具備してなる、請求項１に記載の有機薄膜素子。
【請求項３】第１の絶縁体層と機能性有機薄膜層との界
面に分子配向制御層をさらに具備する、請求項１に記載
の有機薄膜素子。
【請求項４】第１の絶縁体層と機能性有機薄膜層との界
面、および機能性有機薄膜層と第２の絶縁体層との界面
の少なくとも一方に分子配向制御層をさらに具備する、
請求項２に記載の有機薄膜素子。
【請求項５】機能性有機薄膜層が、電子供与性化合物お
よび電子受容性化合物を含んでなる、請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の有機薄膜素子。
【請求項６】機能性有機薄膜層が交互積層型電荷移動錯
体からなるものであり、電場を印加によって中性または
イオン性相転移を制御できるものである、請求項１〜５
のいずれか１項に記載の有機薄膜素子。