JP2000012589A - バンプ電極形成方法 - Google Patents
バンプ電極形成方法Info
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ電極の剥がれを防ぎ、かつバンプ電極
の高さを揃えること。 【解決手段】 下地電極１２ａを形成し、該下地電極１
２ａを被う第１絶縁層１３を形成し、該第１絶縁層１３
を被うように、該第１絶縁層１３よりエッチング速度の
遅い第２絶縁層１４を形成し、該第２絶縁層１４を被う
フォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に開口
部を設け、該フォトレジスト層をマスクとして該開口部
から前記第１及び第２絶縁層１３、１４をエッチングし
て前記下地電極１２ａを露出させ、前記フォトレジスト
層を除去した後、前記下地電極１２ａを被い前記第１及
び第２絶縁層１３、１４の外にまではみ出すようにバン
プ電極１７を形成することを特徴とするバンプ電極形成
方法。
の高さを揃えること。 【解決手段】 下地電極１２ａを形成し、該下地電極１
２ａを被う第１絶縁層１３を形成し、該第１絶縁層１３
を被うように、該第１絶縁層１３よりエッチング速度の
遅い第２絶縁層１４を形成し、該第２絶縁層１４を被う
フォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に開口
部を設け、該フォトレジスト層をマスクとして該開口部
から前記第１及び第２絶縁層１３、１４をエッチングし
て前記下地電極１２ａを露出させ、前記フォトレジスト
層を除去した後、前記下地電極１２ａを被い前記第１及
び第２絶縁層１３、１４の外にまではみ出すようにバン
プ電極１７を形成することを特徴とするバンプ電極形成
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体装置等に
使用するバンプ電極形成方法に関し、特に、バンプ電極
の剥がれを防ぎ、かつバンプ電極の高さを揃えることが
できる技術に関するものである。
使用するバンプ電極形成方法に関し、特に、バンプ電極
の剥がれを防ぎ、かつバンプ電極の高さを揃えることが
できる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のバンプ電極形成方法の例と
して特開昭５３−８０１６１号公報に示すものがある。
特開昭５３−８０１６１号公報においては、各バンプ電
極を形成する下地となる各パッド電極を電気的に接続し
て各パッド電極の電位を等しくした状態でメッキにより
各バンプ電極を形成している。
して特開昭５３−８０１６１号公報に示すものがある。
特開昭５３−８０１６１号公報においては、各バンプ電
極を形成する下地となる各パッド電極を電気的に接続し
て各パッド電極の電位を等しくした状態でメッキにより
各バンプ電極を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
ても、各バンプ電極の頭部の高さの不均一が生ずる。特
に、図１６に示すように、バンプ電極の周囲の高さが高
くなる傾向にある。図１６において、シリコン基板７１
上にアルミニウム電極７２が形成され、酸化シリコン層
７４及び窒化シリコン層７５がアルミニウム電極７２上
に順次積層形成されている。酸化シリコン層７４の開口
部７４ａと窒化シリコン層７５の開口部７５ａが同じ形
状に形成されている。下地電極７３が酸化シリコン層７
４の開口部７４ａにてアルミニウム電極７２上に形成さ
れ、バンプ電極７６が下地電極７３上にメッキにより形
成されている。この場合、バンプ電極７６の頭部７６ａ
の周囲７６ｂ，７６ｃのメッキ速度が頭部７６ａの中央
部７６ｄのメッキ速度より速いので、バンプ電極７６の
頭部７６ａの周囲７６ｂ，７６ｃの高さが頭部７６ａの
中央部７６ｄの高さより高くなる。
ても、各バンプ電極の頭部の高さの不均一が生ずる。特
に、図１６に示すように、バンプ電極の周囲の高さが高
くなる傾向にある。図１６において、シリコン基板７１
上にアルミニウム電極７２が形成され、酸化シリコン層
７４及び窒化シリコン層７５がアルミニウム電極７２上
に順次積層形成されている。酸化シリコン層７４の開口
部７４ａと窒化シリコン層７５の開口部７５ａが同じ形
状に形成されている。下地電極７３が酸化シリコン層７
４の開口部７４ａにてアルミニウム電極７２上に形成さ
れ、バンプ電極７６が下地電極７３上にメッキにより形
成されている。この場合、バンプ電極７６の頭部７６ａ
の周囲７６ｂ，７６ｃのメッキ速度が頭部７６ａの中央
部７６ｄのメッキ速度より速いので、バンプ電極７６の
頭部７６ａの周囲７６ｂ，７６ｃの高さが頭部７６ａの
中央部７６ｄの高さより高くなる。
【０００４】更に、図１７に示す場合がある。図１７に
おいて、シリコン基板８１上にアルミニウム電極８２が
形成され、酸化シリコン層８４及び窒化シリコン層８５
がアルミニウム電極８２上に順次積層形成されている。
酸化シリコン層８４の開口部８４ａと窒化シリコン層８
５の開口部８５ａが同じ形状に形成されている。下地電
極８３が酸化シリコン層８４の開口部８４ａにてアルミ
ニウム電極８２上に形成され、バンプ電極８６が下地電
極８３上にメッキにより形成されている。この場合、バ
ンプ電極８６の頭部８６ａの周囲８６ｂ、８６ｃのうち
ウェハーの外周側に位置する部分８６ｂのメッキ速度が
ウェハーの中央部側に位置する部分８６ｃのメッキ速度
より速くなるので、バンプ電極８６の頭部８６ａの周囲
８６ｂ、８６ｃのうちウェハーの外周側に位置する部分
８６ｂの高さがウェハーの中央部側に位置する部分８６
ｃの高さより高くなる。
おいて、シリコン基板８１上にアルミニウム電極８２が
形成され、酸化シリコン層８４及び窒化シリコン層８５
がアルミニウム電極８２上に順次積層形成されている。
酸化シリコン層８４の開口部８４ａと窒化シリコン層８
５の開口部８５ａが同じ形状に形成されている。下地電
極８３が酸化シリコン層８４の開口部８４ａにてアルミ
ニウム電極８２上に形成され、バンプ電極８６が下地電
極８３上にメッキにより形成されている。この場合、バ
ンプ電極８６の頭部８６ａの周囲８６ｂ、８６ｃのうち
ウェハーの外周側に位置する部分８６ｂのメッキ速度が
ウェハーの中央部側に位置する部分８６ｃのメッキ速度
より速くなるので、バンプ電極８６の頭部８６ａの周囲
８６ｂ、８６ｃのうちウェハーの外周側に位置する部分
８６ｂの高さがウェハーの中央部側に位置する部分８６
ｃの高さより高くなる。
【０００５】更に、バンプ電極７６，８６の剥がれが問
題になった。特に、アルミニウム電極７２、８２とその
上に形成された下地電極７３、８３との間の剥がれが発
生し易いという問題があった。したがって、本願発明の
目的は、上述の従来例の欠点をなくし、剥がれにくく、
かつ、高さを均一にすることができるバンプ電極形成方
法を提供することである。
題になった。特に、アルミニウム電極７２、８２とその
上に形成された下地電極７３、８３との間の剥がれが発
生し易いという問題があった。したがって、本願発明の
目的は、上述の従来例の欠点をなくし、剥がれにくく、
かつ、高さを均一にすることができるバンプ電極形成方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願発明の構成は、下地電極を形成し、該下地電極
を被う第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層を被うよう
に、該第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層
を形成し、該第２絶縁層を被うフォトレジスト層を形成
し、該フォトレジスト層に開口部を設け、該フォトレジ
スト層をマスクとして該開口部から前記第１及び第２絶
縁層をエッチングして前記下地電極を露出させ、前記フ
ォトレジスト層を除去した後、前記下地電極を被い前記
第１及び第２絶縁層の外にまではみ出すようにバンプ電
極を形成することを特徴とするバンプ電極形成方法であ
る。
め、本願発明の構成は、下地電極を形成し、該下地電極
を被う第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層を被うよう
に、該第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層
を形成し、該第２絶縁層を被うフォトレジスト層を形成
し、該フォトレジスト層に開口部を設け、該フォトレジ
スト層をマスクとして該開口部から前記第１及び第２絶
縁層をエッチングして前記下地電極を露出させ、前記フ
ォトレジスト層を除去した後、前記下地電極を被い前記
第１及び第２絶縁層の外にまではみ出すようにバンプ電
極を形成することを特徴とするバンプ電極形成方法であ
る。
【０００７】上記発明の構成により、下地電極を形成
し、該下地電極を被う第１絶縁層を形成し、該第１絶縁
層を被うように、該第１絶縁層よりエッチング速度の遅
い第２絶縁層を形成し、該第２絶縁層を被うフォトレジ
スト層を形成し、該フォトレジスト層に開口部を設け、
該フォトレジスト層をマスクとして該開口部から前記第
１及び第２絶縁層をエッチングして前記下地電極を露出
させるので、該エッチングによる前記第１絶縁層の開口
部が前記第２絶縁層の開口部より広くなる。このため、
前記第２絶縁層の開口部の縁が前記第１絶縁層の開口部
の上に張り出した状態になる。
し、該下地電極を被う第１絶縁層を形成し、該第１絶縁
層を被うように、該第１絶縁層よりエッチング速度の遅
い第２絶縁層を形成し、該第２絶縁層を被うフォトレジ
スト層を形成し、該フォトレジスト層に開口部を設け、
該フォトレジスト層をマスクとして該開口部から前記第
１及び第２絶縁層をエッチングして前記下地電極を露出
させるので、該エッチングによる前記第１絶縁層の開口
部が前記第２絶縁層の開口部より広くなる。このため、
前記第２絶縁層の開口部の縁が前記第１絶縁層の開口部
の上に張り出した状態になる。
【０００８】このため、前記フォトレジスト層を除去し
た後、前記下地電極を被い前記第１及び第２絶縁層の外
にまではみ出すようにバンプ電極を形成すると、該バン
プ電極の側面に前記第２絶縁層の開口部の縁が食い込ん
だ状態になるので、該バンプ電極の剥がれを防ぐことが
できるとともに、該バンプ電極をメッキにより形成した
場合には、該バンプ電極の周囲のメッキ速度と該バンプ
電極の中央部のメッキ速度がほぼ等しくなるため、該バ
ンプ電極の頭部を平坦にすることができる。
た後、前記下地電極を被い前記第１及び第２絶縁層の外
にまではみ出すようにバンプ電極を形成すると、該バン
プ電極の側面に前記第２絶縁層の開口部の縁が食い込ん
だ状態になるので、該バンプ電極の剥がれを防ぐことが
できるとともに、該バンプ電極をメッキにより形成した
場合には、該バンプ電極の周囲のメッキ速度と該バンプ
電極の中央部のメッキ速度がほぼ等しくなるため、該バ
ンプ電極の頭部を平坦にすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１〜図１０は該実施の形態に
係わる製造方法を順次説明している。図１はウェーハの
上面を示し、図２は図１の一部分を拡大して示してい
る。図１及び図２に示すように、ウェハー１の上面１ａ
の各チップ２にパッド電極３を形成し、該パッド電極３
に電気的接続をするための配線層４を縦横に形成し、該
配線層４に接続された配線層５をウェハー１の縁に形成
する。該配線層４，５はメッキにより後述するバンプ電
極を形成する場合の配線として使用される。なお、各チ
ップ２毎にダイシングして分離する工程において、配線
層４、５は除去される。
面を参照して説明する。図１〜図１０は該実施の形態に
係わる製造方法を順次説明している。図１はウェーハの
上面を示し、図２は図１の一部分を拡大して示してい
る。図１及び図２に示すように、ウェハー１の上面１ａ
の各チップ２にパッド電極３を形成し、該パッド電極３
に電気的接続をするための配線層４を縦横に形成し、該
配線層４に接続された配線層５をウェハー１の縁に形成
する。該配線層４，５はメッキにより後述するバンプ電
極を形成する場合の配線として使用される。なお、各チ
ップ２毎にダイシングして分離する工程において、配線
層４、５は除去される。
【００１０】先ず、図３に示すように、シリコン基板１
１の上に金属蒸着層１２を形成する。次に、図４に示す
ように、該金属蒸着層１２をパターンニングして下地電
極１２ａを形成する。なお、下地電極１２ａは図１に示
すパッド電極３及び配線層４、５と同様の形状をしてい
る。また、下地電極１２ａは図示しないアルミニウム電
極上に形成してもよい（図１１〜図１３参照）。次に、
図５に示すように、下地電極１２ａ及びシリコン基板１
１を被うように酸化シリコン（ＳｉＯ2）層１３をＣＶ
Ｄにより形成する。次に、図６に示すように、酸化シリ
コン層１３を被うように窒化シリコン(ＳｉＮ)層１４を
ＣＶＤにより形成する。
１の上に金属蒸着層１２を形成する。次に、図４に示す
ように、該金属蒸着層１２をパターンニングして下地電
極１２ａを形成する。なお、下地電極１２ａは図１に示
すパッド電極３及び配線層４、５と同様の形状をしてい
る。また、下地電極１２ａは図示しないアルミニウム電
極上に形成してもよい（図１１〜図１３参照）。次に、
図５に示すように、下地電極１２ａ及びシリコン基板１
１を被うように酸化シリコン（ＳｉＯ2）層１３をＣＶ
Ｄにより形成する。次に、図６に示すように、酸化シリ
コン層１３を被うように窒化シリコン(ＳｉＮ)層１４を
ＣＶＤにより形成する。
【００１１】次に、図７に示すように、窒化シリコン層
１４を被うように第１フォトレジスト層１５を形成し、
該第１フォトレジスト層１５に開口部１５ａを形成す
る。次に、図８に示すように、第１フォトレジスト層１
５をマスクとしてその開口部１５ａから窒化シリコン層
１４及び酸化シリコン層１３をバッファードフッ酸（Ｂ
ＨＦ）でウェットエッチングして下地電極１２ａを露出
させる。このとき、酸化シリコン層１３のエッチング速
度が窒化シリコン層１４のエッチング速度より速いの
で、該エッチングによる酸化シリコン層１３の開口部１
３ａが窒化シリコン層１４の開口部１４ａより広くなる
ので、窒化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が酸化シ
リコン層１３の開口部１３ａの上に張り出した状態にな
る。
１４を被うように第１フォトレジスト層１５を形成し、
該第１フォトレジスト層１５に開口部１５ａを形成す
る。次に、図８に示すように、第１フォトレジスト層１
５をマスクとしてその開口部１５ａから窒化シリコン層
１４及び酸化シリコン層１３をバッファードフッ酸（Ｂ
ＨＦ）でウェットエッチングして下地電極１２ａを露出
させる。このとき、酸化シリコン層１３のエッチング速
度が窒化シリコン層１４のエッチング速度より速いの
で、該エッチングによる酸化シリコン層１３の開口部１
３ａが窒化シリコン層１４の開口部１４ａより広くなる
ので、窒化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が酸化シ
リコン層１３の開口部１３ａの上に張り出した状態にな
る。
【００１２】次に、図９に示すように、第１フォトレジ
スト層１５を除去した後、第２フォトレジスト層１６を
窒化シリコン層１４上に形成し、該第２フォトレジスト
層１６に開口部１６ａを形成する。次に、図１０に示す
ように、第２フォトレジスト層１６をマスクとして、下
地電極１２ａを被い酸化シリコン層１３及び窒化シリコ
ン層１４の外にまではみ出すようにバンプ電極１７をメ
ッキにより形成すると、該バンプ電極１７の側面１７ｂ
に窒化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が食い込んだ
状態になるので、該バンプ電極１７の下部及び下地電極
１２ａを前記開口部１４ａの縁で押えつけることができ
るため、該バンプ電極１７の底面１７ａ及び下地電極１
２ａの剥がれを防ぐことができる。
スト層１５を除去した後、第２フォトレジスト層１６を
窒化シリコン層１４上に形成し、該第２フォトレジスト
層１６に開口部１６ａを形成する。次に、図１０に示す
ように、第２フォトレジスト層１６をマスクとして、下
地電極１２ａを被い酸化シリコン層１３及び窒化シリコ
ン層１４の外にまではみ出すようにバンプ電極１７をメ
ッキにより形成すると、該バンプ電極１７の側面１７ｂ
に窒化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が食い込んだ
状態になるので、該バンプ電極１７の下部及び下地電極
１２ａを前記開口部１４ａの縁で押えつけることができ
るため、該バンプ電極１７の底面１７ａ及び下地電極１
２ａの剥がれを防ぐことができる。
【００１３】更に、該バンプ電極１７の側面１７ｂに窒
化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が食い込んだ状態
になることにより、該バンプ電極１７の周囲のメッキ速
度を遅らせて、該バンプ電極１７の周囲のメッキ速度と
該バンプ電極１７の中央部のメッキ速度をほぼ等しくす
ることができるため、該バンプ電極１７の頭部１７ｃを
平坦にすることができる。次に、図１０に示すように、
第２フォトレジスト層１６を除去する。
化シリコン層１４の開口部１４ａの縁が食い込んだ状態
になることにより、該バンプ電極１７の周囲のメッキ速
度を遅らせて、該バンプ電極１７の周囲のメッキ速度と
該バンプ電極１７の中央部のメッキ速度をほぼ等しくす
ることができるため、該バンプ電極１７の頭部１７ｃを
平坦にすることができる。次に、図１０に示すように、
第２フォトレジスト層１６を除去する。
【００１４】バンプ電極１７の実際例は次のようにな
る。例えば（ａ）アルミニウム（Ａｌ）パッド電極上に
下地電極１２ａ（チタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）
層、金（Ａｕ）層を順次積層したもの）を形成し、該下
地電極１２ａ上にバンプ電極１７としてＡｕメッキ層を
形成したもの、（ｂ）Ａｌパッド電極上に下地電極１２
ａ（Ｔｉ層、Ｎｉ層（又は銅（Ｃｕ）層）を順次積層し
たもの）を形成し、該下地電極１２ａ上にバンプ電極１
７として半田層を形成したものである。
る。例えば（ａ）アルミニウム（Ａｌ）パッド電極上に
下地電極１２ａ（チタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）
層、金（Ａｕ）層を順次積層したもの）を形成し、該下
地電極１２ａ上にバンプ電極１７としてＡｕメッキ層を
形成したもの、（ｂ）Ａｌパッド電極上に下地電極１２
ａ（Ｔｉ層、Ｎｉ層（又は銅（Ｃｕ）層）を順次積層し
たもの）を形成し、該下地電極１２ａ上にバンプ電極１
７として半田層を形成したものである。
【００１５】図１１、図１２及び図１３は、上記工程に
よって形成されるバンプ電極の例を模式的に示してい
る。図１１では、アルミニウム電極２１の上に酸化シリ
コン層２３、窒化シリコン層２４が順次形成され、酸化
シリコン層２３層の開口部２３ａにてアルミニウム電極
２１上に下地電極２２が形成され、下地電極２２上にバ
ンプ電極２５が形成されている。この場合、窒化シリコ
ン層２４の開口部２４ａの縁がバンプ電極２５の側面２
５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極２５の剥がれを
防ぐとともに、バンプ電極２５の頭部２５ａを平坦にし
ている。
よって形成されるバンプ電極の例を模式的に示してい
る。図１１では、アルミニウム電極２１の上に酸化シリ
コン層２３、窒化シリコン層２４が順次形成され、酸化
シリコン層２３層の開口部２３ａにてアルミニウム電極
２１上に下地電極２２が形成され、下地電極２２上にバ
ンプ電極２５が形成されている。この場合、窒化シリコ
ン層２４の開口部２４ａの縁がバンプ電極２５の側面２
５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極２５の剥がれを
防ぐとともに、バンプ電極２５の頭部２５ａを平坦にし
ている。
【００１６】図１２では、アルミニウム電極３１上に酸
化シリコン層３３、窒化シリコン層３４が順次形成さ
れ、酸化シリコン層３３層の開口部３３ａにてアルミニ
ウム電極３１上に下地電極３２が形成され、下地電極３
２上にバンプ電極３５が形成されている。この場合、窒
化シリコン層３４の開口部３４ａの縁がバンプ電極３５
の側面３５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極３５の
剥がれを防ぐとともに、バンプ電極３５の頭部３５ａを
平坦にしている。
化シリコン層３３、窒化シリコン層３４が順次形成さ
れ、酸化シリコン層３３層の開口部３３ａにてアルミニ
ウム電極３１上に下地電極３２が形成され、下地電極３
２上にバンプ電極３５が形成されている。この場合、窒
化シリコン層３４の開口部３４ａの縁がバンプ電極３５
の側面３５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極３５の
剥がれを防ぐとともに、バンプ電極３５の頭部３５ａを
平坦にしている。
【００１７】なお、バンプ電極３５の周囲メッキ速度が
バンプ電極３５の中央部のメッキ速度より大きい程度が
図１１の場合より著しいので、窒化シリコン層３４の開
口部３４ａの縁がバンプ電極３５の側面３５ｂに食い込
む程度は、図１１の窒化シリコン層２４の開口部２４ａ
の縁がバンプ電極２５の側面２５ｂに食い込む程度より
大きくなっている。なお、各部の大きさの一例を示す
と、酸化シリコン層３３の厚さは約0.5ミクロン、窒化
シリコン層３４の厚さは約0.3ミクロン、バンプ電極３
５の高さＨは約30ミクロン、開口部３４ａの縁の食い込
み量Ｌは約10ミクロンである。なお、前記開口部３４ａ
の縁の食い込み量Ｌは、バンプ電極３５のサイズにより
異なる。
バンプ電極３５の中央部のメッキ速度より大きい程度が
図１１の場合より著しいので、窒化シリコン層３４の開
口部３４ａの縁がバンプ電極３５の側面３５ｂに食い込
む程度は、図１１の窒化シリコン層２４の開口部２４ａ
の縁がバンプ電極２５の側面２５ｂに食い込む程度より
大きくなっている。なお、各部の大きさの一例を示す
と、酸化シリコン層３３の厚さは約0.5ミクロン、窒化
シリコン層３４の厚さは約0.3ミクロン、バンプ電極３
５の高さＨは約30ミクロン、開口部３４ａの縁の食い込
み量Ｌは約10ミクロンである。なお、前記開口部３４ａ
の縁の食い込み量Ｌは、バンプ電極３５のサイズにより
異なる。
【００１８】図１３では、アルミニウム電極４１上に酸
化シリコン層４３、窒化シリコン層４４が順次形成さ
れ、酸化シリコン層４３層の開口部４３ａにてアルミニ
ウム電極４１上に下地電極４２が形成され、下地電極４
２上にバンプ電極４５が形成されている。この場合、窒
化シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５
の側面４５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極４５の
剥がれを防ぐとともに、バンプ電極４５の頭部４５ａを
平坦にしている。なお、図１２の場合よりもメッキ速度
がバンプ電極４５の中央部と周辺で一層異なるので、窒
化シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５
の側面４５ｂに食い込む程度は、図１２の窒化シリコン
層３４の開口部３４ａの縁がバンプ電極３５の側面３５
ｂに食い込む程度より大きくなっている。このように、
バンプ電極４５の各部のメッキ速度の違いに応じて窒化
シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５の
側面４５ｂに食い込む程度を調節する。
化シリコン層４３、窒化シリコン層４４が順次形成さ
れ、酸化シリコン層４３層の開口部４３ａにてアルミニ
ウム電極４１上に下地電極４２が形成され、下地電極４
２上にバンプ電極４５が形成されている。この場合、窒
化シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５
の側面４５ｂに食い込んでいるので、バンプ電極４５の
剥がれを防ぐとともに、バンプ電極４５の頭部４５ａを
平坦にしている。なお、図１２の場合よりもメッキ速度
がバンプ電極４５の中央部と周辺で一層異なるので、窒
化シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５
の側面４５ｂに食い込む程度は、図１２の窒化シリコン
層３４の開口部３４ａの縁がバンプ電極３５の側面３５
ｂに食い込む程度より大きくなっている。このように、
バンプ電極４５の各部のメッキ速度の違いに応じて窒化
シリコン層４４の開口部４４ａの縁がバンプ電極４５の
側面４５ｂに食い込む程度を調節する。
【００１９】図１４は上記実施の形態において発生しう
る問題点を示している。図１４ではシリコン基板５１上
に酸化シリコン層５３、窒化シリコン層５４が順次形成
され、酸化シリコン層５３層の開口部５３ａにて下地電
極５２が形成され、下地電極５２上にバンプ電極５５が
形成されている。この場合、窒化シリコン層５４の開口
部５４ａの縁がバンプ電極５５の側面５５ｂに食い込ん
でいるので、バンプ電極５５の剥がれを防ぐとともに、
バンプ電極５５の頭部５５ａを平坦にしている。しか
し、この場合、酸化シリコン層５３の開口部５３ａの縁
と窒化シリコン層５４の開口部５４ａ下面の間に空間５
６ａ，５６ｂができる場合がある。
る問題点を示している。図１４ではシリコン基板５１上
に酸化シリコン層５３、窒化シリコン層５４が順次形成
され、酸化シリコン層５３層の開口部５３ａにて下地電
極５２が形成され、下地電極５２上にバンプ電極５５が
形成されている。この場合、窒化シリコン層５４の開口
部５４ａの縁がバンプ電極５５の側面５５ｂに食い込ん
でいるので、バンプ電極５５の剥がれを防ぐとともに、
バンプ電極５５の頭部５５ａを平坦にしている。しか
し、この場合、酸化シリコン層５３の開口部５３ａの縁
と窒化シリコン層５４の開口部５４ａ下面の間に空間５
６ａ，５６ｂができる場合がある。
【００２０】図１５は図１４に示すものの問題点を改善
するための構造を示している。図１５において、シリコ
ン基板６１上に酸化シリコン層６３、窒化シリコン層６
４が順次形成され、酸化シリコン層６３層の開口部６３
ａにて下地電極６２が形成され、下地電極６２上にバン
プ電極６５が形成されている。この場合、窒化シリコン
層６４の開口部６４ａの縁がバンプ電極６５の側面６５
ｂに食い込んでいるので、バンプ電極６５の剥がれを防
ぐとともに、バンプ電極６５の頭部６５ａを平坦にして
いる。更に、下地電極６２の周囲（酸化シリコン層６３
の開口部６３ａに接する部分）に突起部（厚い部分）６
２ａ、６２ｂが形成されているので、図１４における空
間５６ａ，５６ｂに相当するものが発生しない。
するための構造を示している。図１５において、シリコ
ン基板６１上に酸化シリコン層６３、窒化シリコン層６
４が順次形成され、酸化シリコン層６３層の開口部６３
ａにて下地電極６２が形成され、下地電極６２上にバン
プ電極６５が形成されている。この場合、窒化シリコン
層６４の開口部６４ａの縁がバンプ電極６５の側面６５
ｂに食い込んでいるので、バンプ電極６５の剥がれを防
ぐとともに、バンプ電極６５の頭部６５ａを平坦にして
いる。更に、下地電極６２の周囲（酸化シリコン層６３
の開口部６３ａに接する部分）に突起部（厚い部分）６
２ａ、６２ｂが形成されているので、図１４における空
間５６ａ，５６ｂに相当するものが発生しない。
【００２１】
【発明の効果】本願発明に係わるバンプ電極形成方法に
よれば、下地電極を形成し、該下地電極を被う第１絶縁
層を形成し、該第１絶縁層を被うように、該第１絶縁層
よりエッチング速度の遅い第２絶縁層を形成し、前記第
１及び第２絶縁層をエッチングして前記下地電極を露出
させるので、該エッチングによる前記第１絶縁層の開口
部が前記第２絶縁層の開口部より広くなる。このため、
前記第２絶縁層の開口部の縁が前記第１絶縁層の開口部
の上に張り出した状態になる。
よれば、下地電極を形成し、該下地電極を被う第１絶縁
層を形成し、該第１絶縁層を被うように、該第１絶縁層
よりエッチング速度の遅い第２絶縁層を形成し、前記第
１及び第２絶縁層をエッチングして前記下地電極を露出
させるので、該エッチングによる前記第１絶縁層の開口
部が前記第２絶縁層の開口部より広くなる。このため、
前記第２絶縁層の開口部の縁が前記第１絶縁層の開口部
の上に張り出した状態になる。
【００２２】このため、前記下地電極を被い前記第１及
び第２絶縁層の外にまではみ出すようにバンプ電極を形
成すると、該バンプ電極の側面に前記第２絶縁層の開口
部の縁が食い込んだ状態になるので、該バンプ電極の剥
がれを防ぐことができるとともに、該バンプ電極の頭部
を平坦にすることができる。このため、バンプ電極を組
み込んだ半導体装置の信頼性を著しく向上させることが
できる。
び第２絶縁層の外にまではみ出すようにバンプ電極を形
成すると、該バンプ電極の側面に前記第２絶縁層の開口
部の縁が食い込んだ状態になるので、該バンプ電極の剥
がれを防ぐことができるとともに、該バンプ電極の頭部
を平坦にすることができる。このため、バンプ電極を組
み込んだ半導体装置の信頼性を著しく向上させることが
できる。
【図１】本願発明の実施の形態を示す平面図である。
【図２】図１に示すものの一部分拡大図である。
【図３】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図である。
図である。
【図４】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図３の続きである。
図であり、図３の続きである。
【図５】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図４の続きである。
図であり、図４の続きである。
【図６】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図５の続きである。
図であり、図５の続きである。
【図７】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図６の続きである。
図であり、図６の続きである。
【図８】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図７の続きである。
図であり、図７の続きである。
【図９】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断面
図であり、図８の続きである。
図であり、図８の続きである。
【図１０】該実施の形態に係わる製造方法を説明する断
面図であり、図９の続きである。
面図であり、図９の続きである。
【図１１】上記実施の形態により形成したバンプ電極を
模式的に示す第１の例の断面図である。
模式的に示す第１の例の断面図である。
【図１２】上記実施の形態により形成したバンプ電極を
模式的に示す第２の例の断面図である。
模式的に示す第２の例の断面図である。
【図１３】上記実施の形態により形成したバンプ電極を
模式的に示す第３の例の断面図である。
模式的に示す第３の例の断面図である。
【図１４】上記実施の形態により形成したバンプ電極の
問題点を説明する断面図である。
問題点を説明する断面図である。
【図１５】上記図１４で示した問題点を解決するバンプ
電極構造を示す断面図である。
電極構造を示す断面図である。
【図１６】従来例を説明する断面図である。
【図１７】他の従来例を説明する断面図である。
１２ａ 下地電極 １３ 酸化シリコン層 １４ 窒化シリコン層 １５ 第１フォトレジスト層 １５ａ 第１フォトレジスト層の開口部 １７ バンプ電極 ２２、３２，４２ 下地電極 ２３、３３，４３ 酸化シリコン層 ２４、３４，４４ 窒化シリコン層 ２５、３５，４５ バンプ電極 ５２、６２ 下地電極 ５３、６３ 酸化シリコン層 ５４、５４ 窒化シリコン層 ５５、６５ バンプ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 下地電極を形成し、 該下地電極を被う第１絶縁層を形成し、 該第１絶縁層を被うように、該第１絶縁層よりエッチン
グ速度の遅い第２絶縁層を形成し、 該第２絶縁層を被うフォトレジスト層を形成し、 該フォトレジスト層に開口部を設け、該フォトレジスト
層をマスクとして該開口部から前記第１及び第２絶縁層
をエッチングして前記下地電極を露出させ、 前記フォトレジスト層を除去した後、前記下地電極を被
い前記第１及び第２絶縁層の外にまではみ出すようにバ
ンプ電極を形成することを特徴とするバンプ電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171590A JP2000012589A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | バンプ電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10171590A JP2000012589A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | バンプ電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012589A true JP2000012589A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15925988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10171590A Pending JP2000012589A (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | バンプ電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012589A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152503A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013140982A (ja) * | 2012-01-04 | 2013-07-18 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ウェハめっきブスおよびその形成方法 |
| JP2015023249A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP2017103376A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP10171590A patent/JP2000012589A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152503A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013140982A (ja) * | 2012-01-04 | 2013-07-18 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ウェハめっきブスおよびその形成方法 |
| JP2015023249A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP2017103376A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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