JP2000012426A - 計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法 - Google Patents
計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法Info
- Publication number
- JP2000012426A JP2000012426A JP10171757A JP17175798A JP2000012426A JP 2000012426 A JP2000012426 A JP 2000012426A JP 10171757 A JP10171757 A JP 10171757A JP 17175798 A JP17175798 A JP 17175798A JP 2000012426 A JP2000012426 A JP 2000012426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- exposure
- light exposure
- stored energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ビームのつなぎを考慮した高精度のパタ
ーン評価を可能にすること。 【解決手段】 レジストと基板で構成される試料をメッ
シュに分割してモンテカルロシミュレーションを施すこ
とにより蓄積エネルギーのテーブル化を行う。露光パタ
ーンから所望のＣＰパターンを抜き出し、このＣＰパタ
ーンに対する潜像分布計算を前記テーブル化データに基
いて行ってから、２つのＣＰパターンをずらして潜像分
布を重ね合わせた後、これを現像計算して計算によるレ
ジストの現像パターンを得、このパターンの寸法を測定
することによりＣＰパターンのずれに対する露光マージ
ンの評価を行う。
ーン評価を可能にすること。 【解決手段】 レジストと基板で構成される試料をメッ
シュに分割してモンテカルロシミュレーションを施すこ
とにより蓄積エネルギーのテーブル化を行う。露光パタ
ーンから所望のＣＰパターンを抜き出し、このＣＰパタ
ーンに対する潜像分布計算を前記テーブル化データに基
いて行ってから、２つのＣＰパターンをずらして潜像分
布を重ね合わせた後、これを現像計算して計算によるレ
ジストの現像パターンを得、このパターンの寸法を測定
することによりＣＰパターンのずれに対する露光マージ
ンの評価を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームリソグ
ラフィ技術を用いた際のショット位置のずれやフィール
ドつなぎ、同一レジスト層に電子ビーム露光と光露光を
用いてパターンを形成する際の、合わせずれや電子ビー
ムによる光露光パターンへの近接効果を評価するための
計算機を用いたパターン評価方法に関する。
ラフィ技術を用いた際のショット位置のずれやフィール
ドつなぎ、同一レジスト層に電子ビーム露光と光露光を
用いてパターンを形成する際の、合わせずれや電子ビー
ムによる光露光パターンへの近接効果を評価するための
計算機を用いたパターン評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子ビームシミュレータでは、例
えば（株）富士総合研究所製の２次元形状シミュレータ
ＶＳ−Ｍ／ＥＢの場合、 １．多層基板に対する電子飛跡のモンテカルロシミュレ
ーション ２．ビーム分解能を考慮した露光パターンに対するレジ
ストの潜像（蓄積エネルギー密度分布）計算 ３．上記２の結果に基づく現像計算 ４．現像後のレジストパターンの形状とその寸法測定 のような機能を備えている。
えば（株）富士総合研究所製の２次元形状シミュレータ
ＶＳ−Ｍ／ＥＢの場合、 １．多層基板に対する電子飛跡のモンテカルロシミュレ
ーション ２．ビーム分解能を考慮した露光パターンに対するレジ
ストの潜像（蓄積エネルギー密度分布）計算 ３．上記２の結果に基づく現像計算 ４．現像後のレジストパターンの形状とその寸法測定 のような機能を備えている。
【０００３】他の例としては、A.Moniwa.H.Yamaguchi.
S.Okazakiの“Three-dimensional electron-beam resis
t profile simulator"Journal of Vacuum Science and
Technology B,v01.10 No.6(1992)pp.2771-2775 に開発
されているような３次元機能を持ったものがある。これ
らは、解像性の解析や、電子ビーム露光特有の問題であ
る近接効果の影響をその計算結果から評価することしか
できなかった。
S.Okazakiの“Three-dimensional electron-beam resis
t profile simulator"Journal of Vacuum Science and
Technology B,v01.10 No.6(1992)pp.2771-2775 に開発
されているような３次元機能を持ったものがある。これ
らは、解像性の解析や、電子ビーム露光特有の問題であ
る近接効果の影響をその計算結果から評価することしか
できなかった。
【０００４】一方、電子ビーム露光では露光パターンを
複数のビーム偏向領域に分割して露光を行うという特徴
があり、 １．電子ビーム露光装置でのビームのショットつなぎ、 ２．フィールドつなぎ、 などの解析を行なう必要があった。実際のデバイスプロ
セスにおいては、これらのつなぎ部分での解像性評価な
どが重要となる。
複数のビーム偏向領域に分割して露光を行うという特徴
があり、 １．電子ビーム露光装置でのビームのショットつなぎ、 ２．フィールドつなぎ、 などの解析を行なう必要があった。実際のデバイスプロ
セスにおいては、これらのつなぎ部分での解像性評価な
どが重要となる。
【０００５】例えばネガレジストで考えた場合、図２７
（ａ）で示したビームのショット位置１が重なってずれ
た場合はつなぎ部分のレジストパターン２は太くなる。
また、同図（ｂ）のように、ビームのショット位置１が
逆方向にずれた場合、レジストパターン２は細くなる。
この現象はフィールドつなぎでも同様に起こり問題にな
る。
（ａ）で示したビームのショット位置１が重なってずれ
た場合はつなぎ部分のレジストパターン２は太くなる。
また、同図（ｂ）のように、ビームのショット位置１が
逆方向にずれた場合、レジストパターン２は細くなる。
この現象はフィールドつなぎでも同様に起こり問題にな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子ビームシミュレーション技術では、ビームのつなぎ
に関しては考慮されておらず、実際の露光の際に問題と
なるパターンのつなぎに関する解析は行なうことができ
なかった。
電子ビームシミュレーション技術では、ビームのつなぎ
に関しては考慮されておらず、実際の露光の際に問題と
なるパターンのつなぎに関する解析は行なうことができ
なかった。
【０００７】また、従来より使用されているＰＭＭＡと
いったレジストや、近年多く使用されているＫｒＦ露光
用の化学増幅型レジストは、電子ビームおよびＫｒＦ光
で感光する特性を持つため、同一レジスト層内にＫｒＦ
露光と電子ビーム露光でパターンを形成することが可能
である。
いったレジストや、近年多く使用されているＫｒＦ露光
用の化学増幅型レジストは、電子ビームおよびＫｒＦ光
で感光する特性を持つため、同一レジスト層内にＫｒＦ
露光と電子ビーム露光でパターンを形成することが可能
である。
【０００８】例えば、比較的大きなパターンをＫｒＦで
露光し、微細なパターンを電子ビーム露光で形成すれ
ば、電子ビーム露光の欠点である露光スループットを向
上できる上、ＫｒＦ露光では形成できない微細なパター
ンを形成することができる。
露光し、微細なパターンを電子ビーム露光で形成すれ
ば、電子ビーム露光の欠点である露光スループットを向
上できる上、ＫｒＦ露光では形成できない微細なパター
ンを形成することができる。
【０００９】このように、同一レジスト層内において光
露光と電子ビーム露光でパターンを形成する場合、光と
電子ビームの両者による露光の効果、特に電子ビーム露
光の際の近接効果が光露光を行なったレジストに与える
効果、及び光露光パターンと電子ビーム露光パターンの
ずれ量の評価等を事前に計算機上でのシミュレーション
により確認することが求められている。しかし、従来よ
り、計算機上で露光シミュレーションを行なう場合に
は、電子ビーム露光と光露光はそれぞれ個別に計算を行
なっていた。このため、従来の露光シミュレータには、
同一レジスト層に光露光と電子ビーム露光でパターンを
形成する際の評価ができなかった。
露光と電子ビーム露光でパターンを形成する場合、光と
電子ビームの両者による露光の効果、特に電子ビーム露
光の際の近接効果が光露光を行なったレジストに与える
効果、及び光露光パターンと電子ビーム露光パターンの
ずれ量の評価等を事前に計算機上でのシミュレーション
により確認することが求められている。しかし、従来よ
り、計算機上で露光シミュレーションを行なう場合に
は、電子ビーム露光と光露光はそれぞれ個別に計算を行
なっていた。このため、従来の露光シミュレータには、
同一レジスト層に光露光と電子ビーム露光でパターンを
形成する際の評価ができなかった。
【００１０】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、電子ビームのビ
ームつなぎやフィールドつなぎを考慮した高精度のパタ
ーンを設計するための計算機を用いたパターン評価方法
を提供することである。
るためになされたもので、その目的は、電子ビームのビ
ームつなぎやフィールドつなぎを考慮した高精度のパタ
ーンを設計するための計算機を用いたパターン評価方法
を提供することである。
【００１１】また、本発明の別の目的は、同一レジスト
層に電子ビーム露光と光露光を用いてパターンを形成す
る際に、光露光と電子ビーム露光のパターン位置のずれ
や、電子ビームによる光パターンへの近接効果の影響を
評価して精度の高いパターンを得ることができる計算機
を用いたパターン評価方法を提供することである。
層に電子ビーム露光と光露光を用いてパターンを形成す
る際に、光露光と電子ビーム露光のパターン位置のずれ
や、電子ビームによる光パターンへの近接効果の影響を
評価して精度の高いパターンを得ることができる計算機
を用いたパターン評価方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、レジストおよび基板を含む試
料をメッシュに分割してモンテカルロシミュレーション
を施して各メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギ
ーを求めてテーブル化する過程と、所望の露光パターン
を複数の小領域に分割する過程と、前記所望の露光パタ
ーンの電子ビームの照射結果として、前記分割された各
小領域に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化したデータを用いて行なう過程と、少な
くとも２つ以上の小領域の位置を変化させて加算し、こ
の加算パターンの蓄積エネルギーを計算する過程と、前
記計算されたパターンの蓄積エネルギー分布から現像計
算を行なう過程と、この現像計算結果のパターンの任意
の部分を指定して寸法測定を行なう過程とを備えたこと
にある。
に、第１の発明の特徴は、レジストおよび基板を含む試
料をメッシュに分割してモンテカルロシミュレーション
を施して各メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギ
ーを求めてテーブル化する過程と、所望の露光パターン
を複数の小領域に分割する過程と、前記所望の露光パタ
ーンの電子ビームの照射結果として、前記分割された各
小領域に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化したデータを用いて行なう過程と、少な
くとも２つ以上の小領域の位置を変化させて加算し、こ
の加算パターンの蓄積エネルギーを計算する過程と、前
記計算されたパターンの蓄積エネルギー分布から現像計
算を行なう過程と、この現像計算結果のパターンの任意
の部分を指定して寸法測定を行なう過程とを備えたこと
にある。
【００１３】この第１の発明によれば、前記少なくとも
２つ以上の近接する小領域が位置ずれにより一部重なっ
たり、あるいは間が空いたりした場合、これら小領域の
加算パターンの蓄積エネルギー分布から現像計算して求
めた現像パターンの寸法測定を行なうことにより、前記
小領域の位置ずれが現像パターンにどのような影響を与
えて、その形を所望の形からどの程度変形させるかが分
かり、電子ビーム露光による現像パターンの精度を高め
るための評価を得ることができる。
２つ以上の近接する小領域が位置ずれにより一部重なっ
たり、あるいは間が空いたりした場合、これら小領域の
加算パターンの蓄積エネルギー分布から現像計算して求
めた現像パターンの寸法測定を行なうことにより、前記
小領域の位置ずれが現像パターンにどのような影響を与
えて、その形を所望の形からどの程度変形させるかが分
かり、電子ビーム露光による現像パターンの精度を高め
るための評価を得ることができる。
【００１４】第２の発明の特徴は、所望の露光パターン
を複数の小領域に分割する過程と、前記所望の露光パタ
ーンの電子ビームの照射結果として、前記分割された各
小領域に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算を
ＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、少なくとも２つ以上
の小領域の位置を変化させて加算し、この加算パターン
の蓄積エネルギーを計算する過程と、前記計算されたパ
ターンの蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程
と、この現像計算結果からパターンの任意の部分を指定
して寸法測定を行なう過程とを備えたことにある。
を複数の小領域に分割する過程と、前記所望の露光パタ
ーンの電子ビームの照射結果として、前記分割された各
小領域に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算を
ＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、少なくとも２つ以上
の小領域の位置を変化させて加算し、この加算パターン
の蓄積エネルギーを計算する過程と、前記計算されたパ
ターンの蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程
と、この現像計算結果からパターンの任意の部分を指定
して寸法測定を行なう過程とを備えたことにある。
【００１５】この第２の発明によれば、各小領域に対す
る電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩＤ関数を
用いて行っているため、モンテカルロシミュレーション
を一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより簡
単に行うことができる。
る電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩＤ関数を
用いて行っているため、モンテカルロシミュレーション
を一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより簡
単に行うことができる。
【００１６】第３の発明の特徴は、前記ＥＩＤ関数は、
前記試料をメッシュに分割してモンテカルロシミュレー
ションを施して各メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エ
ネルギーを求めてテーブル化したデータに基いて作成し
たことにある。
前記試料をメッシュに分割してモンテカルロシミュレー
ションを施して各メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エ
ネルギーを求めてテーブル化したデータに基いて作成し
たことにある。
【００１７】第４の発明の特徴は、前記電子ビームの照
射量を変化させると共に、前記少なくとも２つ以上の小
領域のずらし量を変化させることにより、前記照射量に
対して２つの小領域のずれ量の許容範囲を評価すること
にある。
射量を変化させると共に、前記少なくとも２つ以上の小
領域のずらし量を変化させることにより、前記照射量に
対して２つの小領域のずれ量の許容範囲を評価すること
にある。
【００１８】この第４の発明によれば、前記電子ビーム
の照射量毎に、現像パターンの許容される変形の範囲内
にある２つの小領域のずれを求めて評価することがで
き、この評価に基いて、精度の高い現像パターンを得る
ことができる。
の照射量毎に、現像パターンの許容される変形の範囲内
にある２つの小領域のずれを求めて評価することがで
き、この評価に基いて、精度の高い現像パターンを得る
ことができる。
【００１９】第５の発明の特徴は、試料をメッシュに分
割してモンテカルロシミュレーションを施して各メッシ
ュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギーを求めてテーブ
ル化する過程と、所望の露光パターンを電子ビーム露光
部と光露光部に分割する過程と、前記分割された電子ビ
ーム露光部に対して電子ビームの蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化データを用いて行なう過程と、前記分割
された光露光部に対して光露光による蓄積エネルギー計
算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄積エネ
ルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギー計算
結果を設定量ずらして加算する過程と、前記加算された
両蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程と、前
記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸法
測定を行なう過程とを含むことにある。
割してモンテカルロシミュレーションを施して各メッシ
ュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギーを求めてテーブ
ル化する過程と、所望の露光パターンを電子ビーム露光
部と光露光部に分割する過程と、前記分割された電子ビ
ーム露光部に対して電子ビームの蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化データを用いて行なう過程と、前記分割
された光露光部に対して光露光による蓄積エネルギー計
算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄積エネ
ルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギー計算
結果を設定量ずらして加算する過程と、前記加算された
両蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程と、前
記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸法
測定を行なう過程とを含むことにある。
【００２０】この第５の発明によれば、前記２つの近接
する電子ビーム露光部と光露光部が位置ずれにより一部
重なったり、あるいは間が空いたりした場合、これら電
子ビーム露光部と光露光部の加算パターンの蓄積エネル
ギー分布から現像計算して求めた現像パターンの寸法測
定を行なうことにより、電子ビーム露光部と光露光部の
位置ずれが現像パターンにどのような影響を与えて、そ
の形を所望の形からどの程度変形させるかが分かり、電
子ビーム露光と光露光を同一レジスト層で併用した場合
の現像パターンの精度を高めるための評価を得ることが
できる。
する電子ビーム露光部と光露光部が位置ずれにより一部
重なったり、あるいは間が空いたりした場合、これら電
子ビーム露光部と光露光部の加算パターンの蓄積エネル
ギー分布から現像計算して求めた現像パターンの寸法測
定を行なうことにより、電子ビーム露光部と光露光部の
位置ずれが現像パターンにどのような影響を与えて、そ
の形を所望の形からどの程度変形させるかが分かり、電
子ビーム露光と光露光を同一レジスト層で併用した場合
の現像パターンの精度を高めるための評価を得ることが
できる。
【００２１】第６の発明の特徴は、所望の露光パターン
を電子ビーム露光部と光露光部に分割する過程と、前記
分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの蓄積
エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、前
記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネル
ギー計算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄
積エネルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギ
ー計算結果をずらして加算する過程と、前記加算された
両蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程と、前
記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸法
測定を行なう過程とを含むことにある。
を電子ビーム露光部と光露光部に分割する過程と、前記
分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの蓄積
エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、前
記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネル
ギー計算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄
積エネルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギ
ー計算結果をずらして加算する過程と、前記加算された
両蓄積エネルギー分布から現像計算を行なう過程と、前
記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸法
測定を行なう過程とを含むことにある。
【００２２】この第６の発明によれば、電子ビーム露光
部に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩ
Ｄ関数を用いているため、モンテカルロシミュレーショ
ンを一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより
簡単に行うことができる。
部に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩ
Ｄ関数を用いているため、モンテカルロシミュレーショ
ンを一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより
簡単に行うことができる。
【００２３】第７の発明の特徴は、前記電子ビームの照
射量および前記光露光の露光量を変化させると共に、前
記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前記
光露光による蓄積エネルギー計算結果のずらし量を変化
させることにより、前記電子ビーム照射量および光露光
の露光量に対して前記電子ビーム露光部と光露光部の許
容されるずれ量の範囲を評価することにある。
射量および前記光露光の露光量を変化させると共に、前
記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前記
光露光による蓄積エネルギー計算結果のずらし量を変化
させることにより、前記電子ビーム照射量および光露光
の露光量に対して前記電子ビーム露光部と光露光部の許
容されるずれ量の範囲を評価することにある。
【００２４】この第７の発明によれば、前記電子ビーム
の照射量および前記光露光量の露光量毎に、現像パター
ンの許容される変形の範囲内にある電子ビーム露光部と
光露光部のずれを求めて評価することができ、この評価
に基いて、精度の高い現像パターンを得ることができ
る。
の照射量および前記光露光量の露光量毎に、現像パター
ンの許容される変形の範囲内にある電子ビーム露光部と
光露光部のずれを求めて評価することができ、この評価
に基いて、精度の高い現像パターンを得ることができ
る。
【００２５】第８の発明の特徴は、試料をメッシュに分
割してモンテカルロシミュレーションを施して各メッシ
ュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギーを求めてテーブ
ル化する過程と、所望の露光パターンを電子ビーム露光
部と光露光部に分割する過程と、前記分割された電子ビ
ーム露光部に対して電子ビームの蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化データを用いて行なう過程と、前記分割
された光露光部に対して光露光による蓄積エネルギー計
算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄積エネ
ルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギー計算
結果を加算する過程と、前記加算された両蓄積エネルギ
ー分布から現像計算を行なう過程と、前記現像計算結果
の光露光部の所望寸法からのずれを測定する過程とを備
えたことにある。
割してモンテカルロシミュレーションを施して各メッシ
ュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギーを求めてテーブ
ル化する過程と、所望の露光パターンを電子ビーム露光
部と光露光部に分割する過程と、前記分割された電子ビ
ーム露光部に対して電子ビームの蓄積エネルギー計算を
前記テーブル化データを用いて行なう過程と、前記分割
された光露光部に対して光露光による蓄積エネルギー計
算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄積エネ
ルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギー計算
結果を加算する過程と、前記加算された両蓄積エネルギ
ー分布から現像計算を行なう過程と、前記現像計算結果
の光露光部の所望寸法からのずれを測定する過程とを備
えたことにある。
【００２６】この第８の発明によれば、電子ビーム露光
による蓄積エネルギーと光露光による蓄積エネルギーと
を加算して、この加算結果から現像計算を行って得た現
像パターンの光露光部は、電子ビーム露光による近接効
果の影響によって、所望の現像パターンから変形してい
る。従って、光露光部の所望寸法からのずれを測定する
ことにより、電子ビームによる近接効果を評価すること
ができる。
による蓄積エネルギーと光露光による蓄積エネルギーと
を加算して、この加算結果から現像計算を行って得た現
像パターンの光露光部は、電子ビーム露光による近接効
果の影響によって、所望の現像パターンから変形してい
る。従って、光露光部の所望寸法からのずれを測定する
ことにより、電子ビームによる近接効果を評価すること
ができる。
【００２７】第９の発明の特徴は、所望の露光パターン
を電子ビーム露光部と光露光部に分割する過程と、前記
分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの蓄積
エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、前
記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネル
ギー計算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄
積エネルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギ
ー計算結果を加算する過程と、前記加算された蓄積エネ
ルギー分布から現像計算を行なう過程と、前記現像計算
結果の光露光部の所望寸法からのずれを測定する過程と
を備えたことにある。
を電子ビーム露光部と光露光部に分割する過程と、前記
分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの蓄積
エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程と、前
記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネル
ギー計算を行なう過程と、前記電子ビーム露光による蓄
積エネルギー計算結果と前記光露光による蓄積エネルギ
ー計算結果を加算する過程と、前記加算された蓄積エネ
ルギー分布から現像計算を行なう過程と、前記現像計算
結果の光露光部の所望寸法からのずれを測定する過程と
を備えたことにある。
【００２８】この第９の発明によれば、電子ビーム露光
部に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩ
Ｄ関数を用いているため、モンテカルロシミュレーショ
ンを一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより
簡単に行うことができる。
部に対する電子ビームによる蓄積エネルギー計算をＥＩ
Ｄ関数を用いているため、モンテカルロシミュレーショ
ンを一々行う必要がなくなり、シミュレーションをより
簡単に行うことができる。
【００２９】第１０の発明の特徴は、前記第８および第
９の発明で求められて現像計算結果の光露光パターンの
所望寸法からのずれに基いて光露光用のマスクの寸法補
正を行なう過程と、この寸法補正後のマスクを用いた光
露光による蓄積エネルギー計算を行なう過程と、この光
露光による蓄積エネルギー計算結果と前記電子ビーム露
光による蓄積エネルギー計算結果を加算する過程と、そ
の加算結果の現像計算から得られた光露光部の所望寸法
からのずれが所定範囲に収まるまで、前記光露光用のマ
スクの寸法補正を繰り返し行なう過程を備えたことにあ
る。
９の発明で求められて現像計算結果の光露光パターンの
所望寸法からのずれに基いて光露光用のマスクの寸法補
正を行なう過程と、この寸法補正後のマスクを用いた光
露光による蓄積エネルギー計算を行なう過程と、この光
露光による蓄積エネルギー計算結果と前記電子ビーム露
光による蓄積エネルギー計算結果を加算する過程と、そ
の加算結果の現像計算から得られた光露光部の所望寸法
からのずれが所定範囲に収まるまで、前記光露光用のマ
スクの寸法補正を繰り返し行なう過程を備えたことにあ
る。
【００３０】この第１０の発明によれば、電子ビームの
近接効果による光露光部の所望寸法からのずれが所定範
囲に収まるように前記光露光用のマスクの寸法補正を行
うことにより、電子ビームの近接効果の影響を考慮に入
れた光露光用のマスクパターンを生成でき、これを用い
て、電子ビーム露光と光露光を同一レジスト層で併用し
た場合の現像パターンの精度が向上される。
近接効果による光露光部の所望寸法からのずれが所定範
囲に収まるように前記光露光用のマスクの寸法補正を行
うことにより、電子ビームの近接効果の影響を考慮に入
れた光露光用のマスクパターンを生成でき、これを用い
て、電子ビーム露光と光露光を同一レジスト層で併用し
た場合の現像パターンの精度が向上される。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本例では、加速電圧が５０ｋＶ、
ビーム電流密度２０Ａ／ｃｍ2 、キャラクタプロジェク
ション（ＣＰ）方式の電子ビーム露光装置についてのプ
ロセスマージンの評価を実施した。
に基づいて説明する。本例では、加速電圧が５０ｋＶ、
ビーム電流密度２０Ａ／ｃｍ2 、キャラクタプロジェク
ション（ＣＰ）方式の電子ビーム露光装置についてのプ
ロセスマージンの評価を実施した。
【００３２】ここで、ＣＰ方式とは、電子ビーム露光技
術において重大な問題となるスループットが小さい点を
改善するもので、露光するパターンの中から適当なパタ
ーンを抜き出し、予めそのパターンを型どったアパーチ
ャ（ＣＰアパーチャ）を作成し、電子ビーム露光の際に
電子ビームをＣＰアパーチャにより整形して一括露光す
る方法である。
術において重大な問題となるスループットが小さい点を
改善するもので、露光するパターンの中から適当なパタ
ーンを抜き出し、予めそのパターンを型どったアパーチ
ャ（ＣＰアパーチャ）を作成し、電子ビーム露光の際に
電子ビームをＣＰアパーチャにより整形して一括露光す
る方法である。
【００３３】この装置のビーム分解能は約７５ｎｍで、
ＣＰの大きさは１μｍ角である。この露光方法ではＣＰ
つなぎが重要となるため、以下に、計算機上でＣＰつな
ぎのずれに対する露光マージンの評価方法について説明
を行なう。
ＣＰの大きさは１μｍ角である。この露光方法ではＣＰ
つなぎが重要となるため、以下に、計算機上でＣＰつな
ぎのずれに対する露光マージンの評価方法について説明
を行なう。
【００３４】図１は本発明の計算機を用いたパターン評
価方法の第１の実施の形態を説明するフローチャートで
ある。
価方法の第１の実施の形態を説明するフローチャートで
ある。
【００３５】ここでは、シリコン基板上に厚さ０．５μ
ｍのレジストが塗布されている場合について評価を実施
した。レジストには化学増幅型ポジレジストを用い、そ
のベース樹脂、酸発生剤、反応抑止基、およびそれらの
物性値は図２、図３の表図に示した通りである。また、
図２８にこのレジストのドーズ量（図中３０）と溶解速
度（図中３１）の関係を示した。このレジストの５０ｋ
Ｖの電子ビーム露光に対する標準的な露光量は２０μγ
／ｃｍ2である。
ｍのレジストが塗布されている場合について評価を実施
した。レジストには化学増幅型ポジレジストを用い、そ
のベース樹脂、酸発生剤、反応抑止基、およびそれらの
物性値は図２、図３の表図に示した通りである。また、
図２８にこのレジストのドーズ量（図中３０）と溶解速
度（図中３１）の関係を示した。このレジストの５０ｋ
Ｖの電子ビーム露光に対する標準的な露光量は２０μγ
／ｃｍ2である。
【００３６】まず、ステップ１にて、図４に示すような
レジスト（４）およびシリコン基板（５）から成る試料
をｘｙｚ方向に３次元で５ｎｍのメッシュに分割した。
レジスト（４）およびシリコン基板（５）から成る試料
をｘｙｚ方向に３次元で５ｎｍのメッシュに分割した。
【００３７】ステップ２にて、入射電子１０万個とし、
モンテカルロシミュレーションを実施した。
モンテカルロシミュレーションを実施した。
【００３８】ここで、モンテカルロシミュレーションで
用いた散乱過程のモデルは以下に述べる如くである。
用いた散乱過程のモデルは以下に述べる如くである。
【００３９】・部分波展開法による弾性散乱 ・非弾性散乱−内殼電子励起．価電子励起．プラズモン
励起 また、モンテカルロシミュレーションを行なう際の入力
パラメータとして、以下のパラメータを入力した。
励起 また、モンテカルロシミュレーションを行なう際の入力
パラメータとして、以下のパラメータを入力した。
【００４０】・電子ビームの加速電圧：５０ｋＶ ・散乱計算の範囲およびメッシュの大きさ：３０μｍ
角、メッシュ５ｎｍ ・１次および２次電子の散乱計算打ち切りエネルギー：
２００ｅＶ、５０ｅＶ ・レジストおよび基板の材質 ・各材質の密度：レジスト１．４０ｇ／ｃｍ3、シリコ
ン基板２．３２８ｇ／ｃｍ3 ・構成原子の重量分率（図２の表図参照） ・原子に関するデータ（図３の表図参照） ・レジストの厚さ：０．５μｍ
角、メッシュ５ｎｍ ・１次および２次電子の散乱計算打ち切りエネルギー：
２００ｅＶ、５０ｅＶ ・レジストおよび基板の材質 ・各材質の密度：レジスト１．４０ｇ／ｃｍ3、シリコ
ン基板２．３２８ｇ／ｃｍ3 ・構成原子の重量分率（図２の表図参照） ・原子に関するデータ（図３の表図参照） ・レジストの厚さ：０．５μｍ
【００４１】次にステップ３にて、レジスト中の各メッ
シュに蓄積されるエネルギー（エネルギー０も含む）を
テーブルとして保存する。
シュに蓄積されるエネルギー（エネルギー０も含む）を
テーブルとして保存する。
【００４２】ステップ４にて、ＣＰパターンとして０．
１５μｍのライン＆スペース（０．１５μｍ−Ｌ／Ｓ）
を考え、これに対して、図５に示すような１μｍ角のＣ
Ｐパターン６を抜き出した。ここで、図５の７が電子線
露光部である。ＣＰパターンの露光には、ｘ方向には
０．９μｍピッチで、ｙ方向には１．０μｍピッチで行
なうことになる。
１５μｍのライン＆スペース（０．１５μｍ−Ｌ／Ｓ）
を考え、これに対して、図５に示すような１μｍ角のＣ
Ｐパターン６を抜き出した。ここで、図５の７が電子線
露光部である。ＣＰパターンの露光には、ｘ方向には
０．９μｍピッチで、ｙ方向には１．０μｍピッチで行
なうことになる。
【００４３】ステップ５にて、図５に示したＣＰパター
ン６を、レジストの表面のメッシュに対応した５ｎｍ角
のメッシュに分割して、照射電子ビームの分解能と照射
量（ドーズ量）を考慮した図６のようなビームプロファ
イルを形成した。
ン６を、レジストの表面のメッシュに対応した５ｎｍ角
のメッシュに分割して、照射電子ビームの分解能と照射
量（ドーズ量）を考慮した図６のようなビームプロファ
イルを形成した。
【００４４】ステップ６ではステップ５で形成した照射
ビームプロファイルに基づいて、レジスト中のすべての
メッシュに対する蓄積エネルギーを計算した。
ビームプロファイルに基づいて、レジスト中のすべての
メッシュに対する蓄積エネルギーを計算した。
【００４５】図６はＣＰパターンのＸ方向に対する照射
ビーム量を示しており、図中９が照射する電子ビームの
ピーク値であり、図中１０はその５０％の値である。こ
の５０％の部分のビームの幅が所望とするパターンの幅
に対応し、今回は０．１５μｍである。従って、図中８
はビームの分解能を示し、ここでの分解能は７５ｎｍで
ある。
ビーム量を示しており、図中９が照射する電子ビームの
ピーク値であり、図中１０はその５０％の値である。こ
の５０％の部分のビームの幅が所望とするパターンの幅
に対応し、今回は０．１５μｍである。従って、図中８
はビームの分解能を示し、ここでの分解能は７５ｎｍで
ある。
【００４６】上記したステップ５のような電子ビームの
照射結果として、図７に示したようなーつのＣＰパター
ンに対するレジスト中の蓄積エネルギー分布潜像が得ら
れる。
照射結果として、図７に示したようなーつのＣＰパター
ンに対するレジスト中の蓄積エネルギー分布潜像が得ら
れる。
【００４７】ステップにて、ステップ７にて計算したＣ
Ｐパターン６と隣接するＣＰパターン１２とのつなぎを
考慮するため、図８に示すように、ＣＰパターンのずら
し量１３の値を１０ｎｍとし、２つのＣＰパターンをず
らした場合の潜像を図７の潜像の重ね合わせから求め
た。但し、ずれ量１３は、重なった場合を正の数に、逆
に離れた場合を負の数とした。
Ｐパターン６と隣接するＣＰパターン１２とのつなぎを
考慮するため、図８に示すように、ＣＰパターンのずら
し量１３の値を１０ｎｍとし、２つのＣＰパターンをず
らした場合の潜像を図７の潜像の重ね合わせから求め
た。但し、ずれ量１３は、重なった場合を正の数に、逆
に離れた場合を負の数とした。
【００４８】ステップ８にて、図８に示した潜像分布か
ら、閾値モデルを使った現像計算を行ない、図９のよう
なレジストプロファイル１４を得た。図中１５は２つの
ＣＰパターンのつなぎ部分のレジストパターンの幅であ
り、ステップ９にて、レジストパターンの寸法を測定す
る。
ら、閾値モデルを使った現像計算を行ない、図９のよう
なレジストプロファイル１４を得た。図中１５は２つの
ＣＰパターンのつなぎ部分のレジストパターンの幅であ
り、ステップ９にて、レジストパターンの寸法を測定す
る。
【００４９】ステップ１０にて、重なり量１３を−５０
ｎｍから＋５０ｎｍの間で変化させて、ステップ７〜ス
テップ９を繰り返し、更にステップ１１にて、ドーズ量
を１０μＣ／ｃｍ2 から３０μＣ／ｃｍ2 の間で変化さ
せて、ステップ５〜ステップ１０を繰り返す。その結果
として、ステップ１２にて、図１０に示したようなＣＰ
のずれに対する露光マージンの評価を行う。即ち、ある
照射量３２に対する許容されるずれ量の範囲３３（図中
上、下の曲線の間）が露光マージンとして求まる。
ｎｍから＋５０ｎｍの間で変化させて、ステップ７〜ス
テップ９を繰り返し、更にステップ１１にて、ドーズ量
を１０μＣ／ｃｍ2 から３０μＣ／ｃｍ2 の間で変化さ
せて、ステップ５〜ステップ１０を繰り返す。その結果
として、ステップ１２にて、図１０に示したようなＣＰ
のずれに対する露光マージンの評価を行う。即ち、ある
照射量３２に対する許容されるずれ量の範囲３３（図中
上、下の曲線の間）が露光マージンとして求まる。
【００５０】本実施の形態によれば。上述のような手法
による評価を行なうことにより、露光量とＣＰパターン
のずれとの関係を明確にすることができ、実際の電子ビ
ーム露光装置での露光に対する照射量などのパラメータ
の設定が容易になり、実験に費やされる時間を短縮する
ことができる。また、計算結果と比較することにより、
描画パターン中のＣＰショットのずれ量の値を相対的に
見積もることができるようになり、露光装置の開発や改
良に対する指針を与えることができる。
による評価を行なうことにより、露光量とＣＰパターン
のずれとの関係を明確にすることができ、実際の電子ビ
ーム露光装置での露光に対する照射量などのパラメータ
の設定が容易になり、実験に費やされる時間を短縮する
ことができる。また、計算結果と比較することにより、
描画パターン中のＣＰショットのずれ量の値を相対的に
見積もることができるようになり、露光装置の開発や改
良に対する指針を与えることができる。
【００５１】図１１は本発明の計算機を用いたパターン
評価方法の第２の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例は、電子ビーム露光によるレジスト中の蓄
積エネルギー分布を第１の実施の形態と異なる別の方法
で求めている。
評価方法の第２の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例は、電子ビーム露光によるレジスト中の蓄
積エネルギー分布を第１の実施の形態と異なる別の方法
で求めている。
【００５２】この方法では、モンテカルロシミュレーシ
ョンによる電子の一点入射によるエネルギー分布の結果
を各座標ごとにテーブルとして使用するのではなく、レ
ジスト表面からのそれぞれの深さにおける蓄積エネルギ
ーの平面分布を図１２に示すようなＥＩＤ関数と呼ばれ
る２つのガウス分布（２１と２２）の和（２０ょにフィ
ッティングし、そのパラメータの値を各深さに対して求
めている。
ョンによる電子の一点入射によるエネルギー分布の結果
を各座標ごとにテーブルとして使用するのではなく、レ
ジスト表面からのそれぞれの深さにおける蓄積エネルギ
ーの平面分布を図１２に示すようなＥＩＤ関数と呼ばれ
る２つのガウス分布（２１と２２）の和（２０ょにフィ
ッティングし、そのパラメータの値を各深さに対して求
めている。
【００５３】ＥＩＤ関数で用いられるパラメータは３つ
あり、２つのガウス分布の標準偏差はそれぞれ前方散乱
径、後方散乱径と呼ばれ、２つの分布によるエネルギー
の比は後方散乱係数と呼ばれている。この方法を用いる
ためには、モンテカルロシミュレーションを行なった後
で、レジスト中にいくつかの深さの平面を設定する必要
がある。
あり、２つのガウス分布の標準偏差はそれぞれ前方散乱
径、後方散乱径と呼ばれ、２つの分布によるエネルギー
の比は後方散乱係数と呼ばれている。この方法を用いる
ためには、モンテカルロシミュレーションを行なった後
で、レジスト中にいくつかの深さの平面を設定する必要
がある。
【００５４】まず、図１１のステップ１１１にて、試料
をメッシュに分割した後、ステップ１１２にてモンテカ
ルロシミュレーションを行なった。ステップ１１３に
て、ＣＰパターンの露光および現像計算を行なう時に考
えるレジスト深さの平面を１０層とした。つまり、厚さ
０．５μｍのレジストに対して、５０ｎｍに一つの面の
割合で計算を行なうことにして、それぞれの平面におけ
る一点入射による蓄積エネルギー分布をステップ１１２
の結果から抜き出した。
をメッシュに分割した後、ステップ１１２にてモンテカ
ルロシミュレーションを行なった。ステップ１１３に
て、ＣＰパターンの露光および現像計算を行なう時に考
えるレジスト深さの平面を１０層とした。つまり、厚さ
０．５μｍのレジストに対して、５０ｎｍに一つの面の
割合で計算を行なうことにして、それぞれの平面におけ
る一点入射による蓄積エネルギー分布をステップ１１２
の結果から抜き出した。
【００５５】次にステップ１１４にて、上記ステップ１
１３で抜き出した１０層の面それぞれに対して、エネル
ギー分布を図１２に示すようなＥＩＤ関数にフィッティ
ングし、それぞれの前方散乱径、後方散乱径、および後
方散乱係数を求めた。
１３で抜き出した１０層の面それぞれに対して、エネル
ギー分布を図１２に示すようなＥＩＤ関数にフィッティ
ングし、それぞれの前方散乱径、後方散乱径、および後
方散乱係数を求めた。
【００５６】ステップ１１５にて、露光するＣＰパター
ンに対して、上記したステップ１１３で抜き出したそれ
ぞれの面に対して、ステップ１１４で求めたパラメータ
を用いて蓄積エネルギー分布を計算した。ステップ１１
６にて、２つのＣＰパターンをずらして、１０層の面に
対する潜像の重ね合わせを行なった。
ンに対して、上記したステップ１１３で抜き出したそれ
ぞれの面に対して、ステップ１１４で求めたパラメータ
を用いて蓄積エネルギー分布を計算した。ステップ１１
６にて、２つのＣＰパターンをずらして、１０層の面に
対する潜像の重ね合わせを行なった。
【００５７】ステップ１１７にて、レジストの深さ方向
に対して計算した１０層分のエネルギー分布を１００層
分に補間し、閾値モデルによる現像計算を行なった。
に対して計算した１０層分のエネルギー分布を１００層
分に補間し、閾値モデルによる現像計算を行なった。
【００５８】ステップ１１８にて、第１の実施の形態と
同様に、ＣＰパターンのつなぎ部分のレジストパターン
の寸法を測定し、ＣＰのずらし量及び電子ビームの照射
量を変えて、ステップ１１５以降の作業を繰り返し行な
い、ＣＰのずれに対する露光マージンの評価を行なっ
た。
同様に、ＣＰパターンのつなぎ部分のレジストパターン
の寸法を測定し、ＣＰのずらし量及び電子ビームの照射
量を変えて、ステップ１１５以降の作業を繰り返し行な
い、ＣＰのずれに対する露光マージンの評価を行なっ
た。
【００５９】本実施の形態によれば、ＣＰパターンの蓄
積エネルギー分布をＥＩＤ関数により求めており、この
ＥＩＤ関数は一度モンテカルロシミュレーションを行っ
て、オフラインで求めておけばよいため、ＣＰパターン
の蓄積エネルギー分布を容易且つ短時間に求めることが
できる。他の効果は図１に示した第１の実施の形態と同
様である。
積エネルギー分布をＥＩＤ関数により求めており、この
ＥＩＤ関数は一度モンテカルロシミュレーションを行っ
て、オフラインで求めておけばよいため、ＣＰパターン
の蓄積エネルギー分布を容易且つ短時間に求めることが
できる。他の効果は図１に示した第１の実施の形態と同
様である。
【００６０】図１３は本発明の計算機を用いたパターン
評価方法の第３の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例では、同一レジスト層に電子線とＫｒＦ光
を用いて露光することにより所望のパターンを形成する
場合について評価を行なった。ここでは、以下に示す方
法により、光露光パターンと電子ビーム露光パターンと
の位置のずれと電子ビームの露光量をパラメータとして
評価を行なった。
評価方法の第３の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例では、同一レジスト層に電子線とＫｒＦ光
を用いて露光することにより所望のパターンを形成する
場合について評価を行なった。ここでは、以下に示す方
法により、光露光パターンと電子ビーム露光パターンと
の位置のずれと電子ビームの露光量をパラメータとして
評価を行なった。
【００６１】この例でも、第１の実施の形態と同様に、
シリコン基板上に０．５μｍのレジストが塗布されてい
る場合を考え、このレジストは第１の実施の形態と同じ
物を用いた。電子ビーム露光装置は第１の実施の形態と
同じ物を、光露光には光源がＫｒＦエキシマレーザー
で、ＮＡは０．６、σが０．７の装置を想定して計算を
行なった。
シリコン基板上に０．５μｍのレジストが塗布されてい
る場合を考え、このレジストは第１の実施の形態と同じ
物を用いた。電子ビーム露光装置は第１の実施の形態と
同じ物を、光露光には光源がＫｒＦエキシマレーザー
で、ＮＡは０．６、σが０．７の装置を想定して計算を
行なった。
【００６２】まず、ステップ１３１にて、露光パターン
のうち、電子ビームと光露光のパターンの位置のずれに
よる影響を調べたい部分を抜き出した。このパターンは
図１４のようになっており、大きな四角形（０．５μｍ
角）と細い線（幅０．１μｍ、長さ０．３μｍ）からな
っている。
のうち、電子ビームと光露光のパターンの位置のずれに
よる影響を調べたい部分を抜き出した。このパターンは
図１４のようになっており、大きな四角形（０．５μｍ
角）と細い線（幅０．１μｍ、長さ０．３μｍ）からな
っている。
【００６３】ステップ１３２にて、抜き出したパターン
のうち、細い線の部分を電子ビーム露光、大きな四角形
の部分を光露光で行なうとし、図１５のように２つのパ
ターンに分割した。
のうち、細い線の部分を電子ビーム露光、大きな四角形
の部分を光露光で行なうとし、図１５のように２つのパ
ターンに分割した。
【００６４】ステップ１３３にて、図１５（ａ）の電子
ビーム露光用のパターン２３に対し、試料を第１の実施
の形態の図４と同様にメッシュに分割し、第１の実施の
形態と同様（第１の実施の形態のステップ２及びステッ
プ３）に、モンテカルロシミュレーションを行なった。
ビーム露光用のパターン２３に対し、試料を第１の実施
の形態の図４と同様にメッシュに分割し、第１の実施の
形態と同様（第１の実施の形態のステップ２及びステッ
プ３）に、モンテカルロシミュレーションを行なった。
【００６５】ステップ１３４にて、電子ビーム露光によ
る蓄積エネルギー分布の計算を第１の実施の形態と同様
（第１の実施の形態のステップ６にして行なった。
る蓄積エネルギー分布の計算を第１の実施の形態と同様
（第１の実施の形態のステップ６にして行なった。
【００６６】ステップ１３５にて、ステップ１３２にて
分割した図１５（ｂ）の光露光用のパターン２４につい
ても、試料を図４に示したようなメッシュに分割した
後、光露光による潜像計算を市販の光学像計算ソフトウ
ェアのを用いて行なった。この時の光による露光量は２
０ｍＪ／ｃｍ2 で一定とした。
分割した図１５（ｂ）の光露光用のパターン２４につい
ても、試料を図４に示したようなメッシュに分割した
後、光露光による潜像計算を市販の光学像計算ソフトウ
ェアのを用いて行なった。この時の光による露光量は２
０ｍＪ／ｃｍ2 で一定とした。
【００６７】ステップ１３６にて、電子ビーム露光と光
露光による潜像の重ね合わせを行なう時のずれ量を図１
６の２５に示すように１０ｎｍと設定し、ステップ１３
４及びステップ１３５で計算した２つのエネルギー分布
を設定されたずれ量だけずらして足し合わせ、図１７に
示すような分布２６が得られた。
露光による潜像の重ね合わせを行なう時のずれ量を図１
６の２５に示すように１０ｎｍと設定し、ステップ１３
４及びステップ１３５で計算した２つのエネルギー分布
を設定されたずれ量だけずらして足し合わせ、図１７に
示すような分布２６が得られた。
【００６８】ステップ１３７にて、ステップ１３６で計
算したエネルギー分布を持つレジストに対して、第１の
実施の形態と同様に閾値モデルを使った現像計算を行な
い、図１８に示すようなレジスト形状２８を得た。
算したエネルギー分布を持つレジストに対して、第１の
実施の形態と同様に閾値モデルを使った現像計算を行な
い、図１８に示すようなレジスト形状２８を得た。
【００６９】ステップ１３８にて、図１８のパターンの
つなぎ部分２７のパターンの幅を測定した。
つなぎ部分２７のパターンの幅を測定した。
【００７０】ステップ１３９にて、ずれ量を−５０ｎｍ
から＋５０ｎｍの間で、１０ｎｍずつ変化させ、ステッ
プ１３６からステップ１３８を繰り返した。更に、ステ
ップ１４０にて、電子ビームの照射量を１０μＣ／ｃｍ
2 から３０μＣ／ｃｍ2 まで順次変化させて、ステップ
１３４からステップ１３９を繰り返した。
から＋５０ｎｍの間で、１０ｎｍずつ変化させ、ステッ
プ１３６からステップ１３８を繰り返した。更に、ステ
ップ１４０にて、電子ビームの照射量を１０μＣ／ｃｍ
2 から３０μＣ／ｃｍ2 まで順次変化させて、ステップ
１３４からステップ１３９を繰り返した。
【００７１】その結果、本実施の形態によれば、ステッ
プ１４１にて、第１の実施の形態で示した図１０と同様
の結果が得られ、光露光と電子ビーム露光のパターンの
ずれ量に関する露光マージンの評価を行なうことができ
る。
プ１４１にて、第１の実施の形態で示した図１０と同様
の結果が得られ、光露光と電子ビーム露光のパターンの
ずれ量に関する露光マージンの評価を行なうことができ
る。
【００７２】また、ここでは電子ビームの照射量のみ変
化させたが、光露光量あるいは両者を変化させても同様
の評価を行なうことができる。
化させたが、光露光量あるいは両者を変化させても同様
の評価を行なうことができる。
【００７３】図１９は本発明の計算機を用いたパターン
生成方法の第４の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例は、光露光によるパターンに近接するパタ
ーンが電子ビーム露光で形成された時に、光露光により
形成されるレジストパターンのサイズが電子ビームを照
射した時の後方散乱の影響を受けて変動する現象を、計
算機上でのシミュレーションにより確認し、そのパター
ンサイズの変化から、所望の光露光パターンを得るため
に必要なマスクの寸法補正を計算により行なうものであ
る。
生成方法の第４の実施の形態を説明するフローチャート
である。本例は、光露光によるパターンに近接するパタ
ーンが電子ビーム露光で形成された時に、光露光により
形成されるレジストパターンのサイズが電子ビームを照
射した時の後方散乱の影響を受けて変動する現象を、計
算機上でのシミュレーションにより確認し、そのパター
ンサイズの変化から、所望の光露光パターンを得るため
に必要なマスクの寸法補正を計算により行なうものであ
る。
【００７４】まず、ステップ１７１にて、図２０のよう
な同一レジスト層において、光露光による部分と電子ビ
ーム露光による部分からなる露光パターンを抜き出し、
ステップ１７２にて、このパターンを図２１（ａ）と図
２１（ｂ）のように電子ビーム露光用パターンと光露光
用パターンとに分割した。
な同一レジスト層において、光露光による部分と電子ビ
ーム露光による部分からなる露光パターンを抜き出し、
ステップ１７２にて、このパターンを図２１（ａ）と図
２１（ｂ）のように電子ビーム露光用パターンと光露光
用パターンとに分割した。
【００７５】次にステップ１７３にて、図２１（ａ）の
電子ビーム露光によるパターンに対して、第１の実施の
形態と同様にしてモンテカルロシミュレーションを行な
い、ステップ１１４にて、照射電子ビームに対する潜像
の計算を行なった。この時の電子ビーム照射量は２８μ
Ｃ／ｃｍ2 一定とした。その結果、図２２（ａ）のよう
な蓄積エネルギー分布が計算された。
電子ビーム露光によるパターンに対して、第１の実施の
形態と同様にしてモンテカルロシミュレーションを行な
い、ステップ１１４にて、照射電子ビームに対する潜像
の計算を行なった。この時の電子ビーム照射量は２８μ
Ｃ／ｃｍ2 一定とした。その結果、図２２（ａ）のよう
な蓄積エネルギー分布が計算された。
【００７６】ステップ１７５にて、図２１（ｂ）のよう
なレジストパターンを得るために、同一の形状の光露光
用マスクを用いたとして、第３の実施の形態のステップ
１３４及び１３５と同じ条件でのレジスト中の潜像分布
を計算し、図２２（ｂ）のような光露光による蓄積エネ
ルギー分布を計算した。この時の光照射量は２０ｍＪ／
ｃｍ2 とした。
なレジストパターンを得るために、同一の形状の光露光
用マスクを用いたとして、第３の実施の形態のステップ
１３４及び１３５と同じ条件でのレジスト中の潜像分布
を計算し、図２２（ｂ）のような光露光による蓄積エネ
ルギー分布を計算した。この時の光照射量は２０ｍＪ／
ｃｍ2 とした。
【００７７】ステップ１７６にて、上記したステップ１
７４および１７５で計算された電子ビーム露光によるも
のと、光露光によるものの２つの蓄積エネルギー分布を
足し合わせた。この時は両者のずれは考えず、設計通り
の位置に電子ビームの照射が行なえたものとした。その
結果、図２３に示すレジスト中の蓄積エネルギー分布を
計算することができた。ステップ１７７にて、閾値モデ
ルによる現像計算を行なって、図２４のようなレジスト
パターンを得た。
７４および１７５で計算された電子ビーム露光によるも
のと、光露光によるものの２つの蓄積エネルギー分布を
足し合わせた。この時は両者のずれは考えず、設計通り
の位置に電子ビームの照射が行なえたものとした。その
結果、図２３に示すレジスト中の蓄積エネルギー分布を
計算することができた。ステップ１７７にて、閾値モデ
ルによる現像計算を行なって、図２４のようなレジスト
パターンを得た。
【００７８】ステップ１７８にて、図２４のレジストパ
ターンのうち、図２５（ａ）のように光露光による部分
を縦方向に１０分割し、それぞれの位置（Ａ，Ｂ，…
Ｊ）でのパターンの幅を測定したところ、図２５（ｂ）
のような電子ビーム露光パターンからの距離に対する光
露光パターンの所望寸法からのずれの関係を得ることが
できた。
ターンのうち、図２５（ａ）のように光露光による部分
を縦方向に１０分割し、それぞれの位置（Ａ，Ｂ，…
Ｊ）でのパターンの幅を測定したところ、図２５（ｂ）
のような電子ビーム露光パターンからの距離に対する光
露光パターンの所望寸法からのずれの関係を得ることが
できた。
【００７９】ステップ１７９にて、ステップ１７８で測
定された１０個所すべての寸法が、所望の寸法の±１０
％以内であれば、ステップ１７５で用いた光露光用マス
クの寸法が適切なものとして得られる。
定された１０個所すべての寸法が、所望の寸法の±１０
％以内であれば、ステップ１７５で用いた光露光用マス
クの寸法が適切なものとして得られる。
【００８０】ステップ１８０にて、図２５（ｂ）の結果
をもとに、測定したそれぞれの位置のマスクパターンの
幅を増減し、図２６のような寸法補正された光露光用マ
スクを得ることができた。
をもとに、測定したそれぞれの位置のマスクパターンの
幅を増減し、図２６のような寸法補正された光露光用マ
スクを得ることができた。
【００８１】ステップ１７５から１８０を繰り返して計
算し、電子ビーム露光の影響を考慮した光露光用マスク
寸法の補正を行なうことができた。
算し、電子ビーム露光の影響を考慮した光露光用マスク
寸法の補正を行なうことができた。
【００８２】本実施の形態によれば、これまでマスク寸
法の補正は光学像の計算結果からのみ行われていたが、
近接する電子ビーム露光の影響を考えた寸法補正を行な
うことができるようになり、電子ビーム露光と光露光と
を同一レジスト層で行なう場合に最適なマスクパターン
を生成することができる。
法の補正は光学像の計算結果からのみ行われていたが、
近接する電子ビーム露光の影響を考えた寸法補正を行な
うことができるようになり、電子ビーム露光と光露光と
を同一レジスト層で行なう場合に最適なマスクパターン
を生成することができる。
【００８３】尚、上記第１及び第２の実施の形態によれ
ば、ＣＰショットつなぎについて説明したが、本発明は
他のビームつなぎ、例えばフィールドつなぎやショット
つなぎの解析にも用いることができ、同様の効果を得る
ことができる。
ば、ＣＰショットつなぎについて説明したが、本発明は
他のビームつなぎ、例えばフィールドつなぎやショット
つなぎの解析にも用いることができ、同様の効果を得る
ことができる。
【００８４】また、上記実施の形態では、ＣＰ型電子ビ
ーム露光装置を用いたが、本発明を他の電子ビーム露光
装置、例えば、可変成形型電子ビーム露光装置や丸ビー
ム型露光装置に適用して同様の効果を得ることができ
る。
ーム露光装置を用いたが、本発明を他の電子ビーム露光
装置、例えば、可変成形型電子ビーム露光装置や丸ビー
ム型露光装置に適用して同様の効果を得ることができ
る。
【００８５】更に、上記第３、第４の実施の形態では、
光露光装置として、ＫｒＦ露光装置を用いたが、その
他、ＡｒＦ、ｉ線、ｇ線露光装置でもよく、同様の効果
がある。
光露光装置として、ＫｒＦ露光装置を用いたが、その
他、ＡｒＦ、ｉ線、ｇ線露光装置でもよく、同様の効果
がある。
【００８６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１か
ら請求項４の発明によれば、電子ビームのつなぎを考慮
したパターンを設計するための高精度のパータン評価方
法を得ることができる。
ら請求項４の発明によれば、電子ビームのつなぎを考慮
したパターンを設計するための高精度のパータン評価方
法を得ることができる。
【００８７】請求項５から請求項７の発明によれば、同
一レジスト層に電子ビーム露光と光露光を用いてパター
ンを形成する際に、光露光と電子ビーム露光のパターン
位置のずれの影響を評価することができ、この評価を用
いて高精度のパターンを得ることができる。
一レジスト層に電子ビーム露光と光露光を用いてパター
ンを形成する際に、光露光と電子ビーム露光のパターン
位置のずれの影響を評価することができ、この評価を用
いて高精度のパターンを得ることができる。
【００８８】請求項８から請求項１０の発明によれば、
電子ビームによるＫｒＦパターンへの近接効果の影響を
評価することができ、この評価を用いて精度の高いパタ
ーンを得ることができる。
電子ビームによるＫｒＦパターンへの近接効果の影響を
評価することができ、この評価を用いて精度の高いパタ
ーンを得ることができる。
【図１】本発明のパターン評価方法の第１の実施の形態
を説明するフローチャートである。
を説明するフローチャートである。
【図２】化学増幅型ポジレジストの構成物質及びそれら
の物性値を示した表図である。
の物性値を示した表図である。
【図３】原子に関するデータを一覧とした表図である。
【図４】リソグラフィー対象のレジストおよび基板から
成る試料の分割を説明する斜視図である。
成る試料の分割を説明する斜視図である。
【図５】第１の実施例で計算を行ったＣＰパターン例を
示した図である。
示した図である。
【図６】図５のＣＰパターンの照射時の電子ビームプロ
ファイルを示す図である。
ファイルを示す図である。
【図７】レジスト層表面の蓄積エネルギーの平面分布を
示した図である。
示した図である。
【図８】隣接するＣＰパターン分布の蓄積エネルギーの
平面分布を示した図である。
平面分布を示した図である。
【図９】重ね合わせた２つのＣＰパターン領域における
現像計算後のレジスト表面の形状を示した平面図であ
る。
現像計算後のレジスト表面の形状を示した平面図であ
る。
【図１０】電子ビームの照射量に対する許容されるずれ
量の範囲を示した特性図である。
量の範囲を示した特性図である。
【図１１】本発明のパターン評価方法の第２の実施の形
態を説明するフローチャートである。
態を説明するフローチャートである。
【図１２】第２の実施の形態を用いるＥＩＤ関数の概念
を示した模式図である。
を示した模式図である。
【図１３】本発明のパターン評価方法の第３の実施の形
態を説明するフローチャートである。
態を説明するフローチャートである。
【図１４】電子ビーム露光部と光露光部から構成されて
いる照射パターン例を示した平面図である。
いる照射パターン例を示した平面図である。
【図１５】図１４で示した照射パターン例を露光ビーム
露光部と光露光部に分割したパターン例を示した平面図
である。
露光部と光露光部に分割したパターン例を示した平面図
である。
【図１６】図１５に示した分割パターンをショットのず
れ量を考慮して足し合わせた例を示した平面図である。
れ量を考慮して足し合わせた例を示した平面図である。
【図１７】図１６のように重ね合わせたパターンの蓄積
エネルギー分布を示した平面図である。
エネルギー分布を示した平面図である。
【図１８】図１７に示した蓄積エネルギー分布に対して
現像結果を行なったときのレジストパターンを示した平
面図である。
現像結果を行なったときのレジストパターンを示した平
面図である。
【図１９】本発明のパターン評価方法の第４の実施の形
態を説明するフローチャートである。
態を説明するフローチャートである。
【図２０】第４の実施の形態で用いる光及び電子ビーム
の照射パターン例を示した平面図である。
の照射パターン例を示した平面図である。
【図２１】図２０に示した照射パターンを電子ビーム露
光部と光露光部に分割した例を示した平面図である。
光部と光露光部に分割した例を示した平面図である。
【図２２】図２１に示した２つのパターン例のレジスト
中の蓄積エネルギー分布を示した平面図である。
中の蓄積エネルギー分布を示した平面図である。
【図２３】図２２に示した２つの蓄積エネルギー分布を
足し合わせて合成した蓄積エネルギー分布を示した平面
図である。
足し合わせて合成した蓄積エネルギー分布を示した平面
図である。
【図２４】図２３で示した蓄積エネルギー分布から閾値
モデルを用いて現像計算してレジストパターン例を示し
た平面図である。
モデルを用いて現像計算してレジストパターン例を示し
た平面図である。
【図２５】図２４に示したレジストパターンのレジスト
パターン幅の測定及び測定したパターン幅と測定位置と
の関係を示した図である。
パターン幅の測定及び測定したパターン幅と測定位置と
の関係を示した図である。
【図２６】光露光部に用いるマスク形状の補正パターン
例を示した平面図である。
例を示した平面図である。
【図２７】従来の電子ビーム露光におけるショットの重
なりによる現像後のレジストパターンの形状への影響を
示した模式図である。
なりによる現像後のレジストパターンの形状への影響を
示した模式図である。
【図２８】第１の実施例で用いたレジストのドーズ量に
対する溶解速度を示す図である。
対する溶解速度を示す図である。
１ 電子ビーム露光パターン ２ 現像後のレジストパターン ３ 分割したーつのメッシュ（一辺５ｎｍの立方体） ４ レジスト（厚さ０．５μｍ） ５ シリコン基板 ６ ＣＰエリア（１μｍ角） ７ 電子ビーム照射部 ８ 照射ビームの分解能 ９ 照射ビームのピーク値 １０ 照射ビームパターンの幅をきめるピーク値の５０
％の照射量 １１ 電子線露光による蓄積エネルギーの等高線 １２ 隣接するＣＰエリア １３ ＣＰのずれ量（重なる方向に＋にとり、離れると
ーにとる） １４ 現像後のレジストパターン １５ ２つのＣＰエリアの中央の部において測定するレ
ジストパターンの幅 ２０ レジスト中ある深さの平面における蓄積エネルギ
ーの分布（ＥＩＤ関数） ２１ ＥＩＤ関数に対する前方散乱の影響 ２２ ＥＩＤ関数に対する後方散乱の影響 ２３ 電子ビーム露光パターン ２４ 光露光パターン ２５ 電子ビーム露光パターンと光露光パターンのずれ
量 ２６ 電子ビーム露光及び光露光を重ね合わせたレジス
ト中のエネルギー分布の等高線 ２７ 現像後のレジストパターンの幅の測定位置 ２８ 現像後のレジストパターン ２９ 光露光部を縦方向に１０分割した位置で測定する
レジストパターンの幅３０ ドーズ量（電子ビーム照射
量） ３１ 溶解速度 ３２ 本実施例で用いたレジストの標準的なドーズ量 ３３ 上記３２の電子ビーム照射量におけるずれ量の許
容範囲
％の照射量 １１ 電子線露光による蓄積エネルギーの等高線 １２ 隣接するＣＰエリア １３ ＣＰのずれ量（重なる方向に＋にとり、離れると
ーにとる） １４ 現像後のレジストパターン １５ ２つのＣＰエリアの中央の部において測定するレ
ジストパターンの幅 ２０ レジスト中ある深さの平面における蓄積エネルギ
ーの分布（ＥＩＤ関数） ２１ ＥＩＤ関数に対する前方散乱の影響 ２２ ＥＩＤ関数に対する後方散乱の影響 ２３ 電子ビーム露光パターン ２４ 光露光パターン ２５ 電子ビーム露光パターンと光露光パターンのずれ
量 ２６ 電子ビーム露光及び光露光を重ね合わせたレジス
ト中のエネルギー分布の等高線 ２７ 現像後のレジストパターンの幅の測定位置 ２８ 現像後のレジストパターン ２９ 光露光部を縦方向に１０分割した位置で測定する
レジストパターンの幅３０ ドーズ量（電子ビーム照射
量） ３１ 溶解速度 ３２ 本実施例で用いたレジストの標準的なドーズ量 ３３ 上記３２の電子ビーム照射量におけるずれ量の許
容範囲
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F067 AA21 AA54 BB04 CC16 CC17 HH06 KK06 KK07 MM02 RR04 2H097 BB01 CA16 LA10 4M106 AA20 AD11 BA20 CA39 5F056 AA06 AA31 CA02 CA05 CA07 CA30 CC07 CC12 CC13 CD11 CD13
Claims (10)
- 【請求項１】 レジストおよび基板を含む試料をメッシ
ュに分割してモンテカルロシミュレーションを施して各
メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エネルギーを求めて
テーブル化する過程と、 所望の露光パターンを複数の小領域に分割する過程と、 前記所望の露光パターンの電子ビームの照射結果とし
て、前記分割された各小領域に対する電子ビームによる
蓄積エネルギー計算を前記テーブル化したデータを用い
て行なう過程と、 少なくとも２つ以上の小領域の位置
を変化させて加算し、この加算パターンの蓄積エネルギ
ーを計算する過程と、 前記計算されたパターンの蓄積エネルギー分布から現像
計算を行なう過程と、 この現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸
法測定を行なう過程とを備えることを特徴とする計算機
を用いたパターン評価方法。 - 【請求項２】 所望の露光パターンを複数の小領域に分
割する過程と、 前記所望の露光パターンの電子ビームの照射結果とし
て、前記分割された各小領域に対する電子ビームによる
蓄積エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程
と、 少なくとも２つ以上の小領域の位置を変化させて加算
し、この加算パターンの蓄積エネルギーを計算する過程
と、 前記計算されたパターンの蓄積エネルギー分布から現像
計算を行なう過程と、 この現像計算結果からパターンの任意の部分を指定して
寸法測定を行なう過程とを備えることを特徴とする計算
機を用いたパターン評価方法。 - 【請求項３】 前記ＥＩＤ関数は、前記レジストを含む
試料をメッシュに分割してモンテカルロシミュレーショ
ンを施して各メッシュ毎の電子ビームによる蓄積エネル
ギーを求めてテーブル化したデータに基いて作成したこ
とを特徴とする請求項２記載のパターン評価方法。 - 【請求項４】 前記電子ビームの照射量を変化させると
共に、前記少なくとも２つ以上の小領域のずらし量を変
化させることにより、前記照射量に対して２つの小領域
のずれ量の許容範囲を評価することを特徴とする請求項
１又は２記載の計算機を用いたパターン評価方法。 - 【請求項５】 試料をメッシュに分割してモンテカルロ
シミュレーションを施して各メッシュ毎の電子ビームに
よる蓄積エネルギーを求めてテーブル化する過程と、 所望の露光パターンを電子ビーム露光部と光露光部に分
割する過程と、 前記分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの
蓄積エネルギー計算を前記テーブル化データを用いて行
なう過程と、 前記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネ
ルギー計算を行なう過程と、 前記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前
記光露光による蓄積エネルギー計算結果を設定量ずらし
て加算する過程と、 前記加算された蓄積エネルギー分布から現像計算を行な
う過程と、 前記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸
法測定を行なう過程とを含むことを特徴とする計算機を
用いたパターン評価方法。 - 【請求項６】 所望の露光パターンを電子ビーム露光部
と光露光部に分割する過程と、 前記分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの
蓄積エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程
と、 前記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネ
ルギー計算を行なう過程と、 前記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前
記光露光による蓄積エネルギー計算結果をずらして加算
する過程と、 前記加算された蓄積エネルギー分布から現像計算を行な
う過程と、 前記現像計算結果のパターンの任意の部分を指定して寸
法測定を行なう過程とを含むことを特徴とする計算機を
用いたパターン評価方法。 - 【請求項７】 前記電子ビームの照射量および前記光露
光の露光量を変化させると共に、前記電子ビーム露光に
よる蓄積エネルギー計算結果と前記光露光による蓄積エ
ネルギー計算結果のずらし量を変化させることにより、
前記電子ビーム照射量および前記光露光の露光量に対し
て前記電子ビーム露光部と光露光部の許容されるずれ量
の範囲を評価することを特徴とする請求項５又は６記載
の計算機を用いたパターン評価方法。 - 【請求項８】 試料をメッシュに分割してモンテカルロ
シミュレーションを施して各メッシュ毎の電子ビームに
よる蓄積エネルギーを求めてテーブル化する過程と、 所望の露光パターンを電子ビーム露光部と光露光部に分
割する過程と、 前記分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの
蓄積エネルギー計算を前記テーブル化データを用いて行
なう過程と、 前記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネ
ルギー計算を行なう過程と、 前記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前
記光露光による蓄積エネルギー計算結果を加算する過程
と、 前記加算された蓄積エネルギー分布から現像計算を行な
う過程と、 前記現像計算結果の光露光部の所望寸法からのずれを測
定する過程とを備えたことを特徴とする計算機を用いた
パターン評価方法。 - 【請求項９】 所望の露光パターンを電子ビーム露光部
と光露光部に分割する過程と、 前記分割された電子ビーム露光部に対して電子ビームの
蓄積エネルギー計算をＥＩＤ関数を用いて行なう過程
と、 前記分割された光露光部に対して光露光による蓄積エネ
ルギー計算を行なう過程と、 前記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算結果と前
記光露光による蓄積エネルギー計算結果を加算する過程
と、 前記加算された蓄積エネルギー分布から現像計算を行な
う過程と、 前記現像計算結果の光露光部の所望寸法からのずれを測
定する過程とを備えたことを特徴とする計算機を用いた
パターン評価方法。 - 【請求項１０】 前記請求項８および９で求められた現
像計算結果の光露光パターンの所望寸法からのずれに基
いて光露光用のマスクの寸法補正を行なう過程と、該寸
法補正後のマスクを用いた光露光による蓄積エネルギー
計算を行なう過程と、該光露光による蓄積エネルギー計
算結果と前記電子ビーム露光による蓄積エネルギー計算
結果を加算する過程と、該加算結果の現像計算から得ら
れた光露光部の所望寸法からのずれが所定範囲に収まる
まで、前記光露光用のマスクの寸法補正を繰り返し行な
う過程とを含むことを特徴とする計算機を用いたパター
ン生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17175798A JP3564298B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17175798A JP3564298B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012426A true JP2000012426A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3564298B2 JP3564298B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=15929127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17175798A Expired - Fee Related JP3564298B2 (ja) | 1998-06-18 | 1998-06-18 | 計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3564298B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006471A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細加工のシミュレーション方法 |
| JP2002008966A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細加工のシミュレーション方法 |
| US6897454B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Energy beam exposure method and exposure apparatus |
| US6917901B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| US6934929B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-08-23 | Lsi Logic Corporation | Method for improving OPC modeling |
| JP2011203834A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法 |
| JP2012004354A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Canon Inc | インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法 |
| JP2014216518A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 凸版印刷株式会社 | レジストパターン形成プロセス最適化装置、レジストパターン形成プロセス最適化方法およびレジストパターン形成プロセス最適化プログラム |
| JP2015096958A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-05-21 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドＤ２Ｓ， Ｉｎｃ． | 可変整形ビームリソグラフィを用いたレチクルの光近接効果補正、設計、および製造のための方法 |
| US9268214B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-02-23 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US9274412B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-03-01 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9465297B2 (en) | 2011-06-25 | 2016-10-11 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9679116B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-06-13 | Kla-Tencor Corporation | Photoresist simulation |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017022359A (ja) | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置の調整方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1998
- 1998-06-18 JP JP17175798A patent/JP3564298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006471A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細加工のシミュレーション方法 |
| JP2002008966A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細加工のシミュレーション方法 |
| JP4522547B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2010-08-11 | 大日本印刷株式会社 | 微細加工のシミュレーション方法 |
| US6917901B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| US6944578B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| US6897454B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Energy beam exposure method and exposure apparatus |
| US6934929B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-08-23 | Lsi Logic Corporation | Method for improving OPC modeling |
| US9625809B2 (en) | 2008-09-01 | 2017-04-18 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9715169B2 (en) | 2008-09-01 | 2017-07-25 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US10101648B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-10-16 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| JP2015096958A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-05-21 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドＤ２Ｓ， Ｉｎｃ． | 可変整形ビームリソグラフィを用いたレチクルの光近接効果補正、設計、および製造のための方法 |
| US9268214B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-02-23 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US9274412B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-03-01 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9679116B2 (en) | 2009-11-12 | 2017-06-13 | Kla-Tencor Corporation | Photoresist simulation |
| JP2011203834A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法 |
| JP2012004354A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Canon Inc | インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法 |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9465297B2 (en) | 2011-06-25 | 2016-10-11 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US10031413B2 (en) | 2011-09-19 | 2018-07-24 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9859100B2 (en) | 2012-04-18 | 2018-01-02 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US10431422B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-10-01 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| JP2014216518A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 凸版印刷株式会社 | レジストパターン形成プロセス最適化装置、レジストパターン形成プロセス最適化方法およびレジストパターン形成プロセス最適化プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3564298B2 (ja) | 2004-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3564298B2 (ja) | 計算機を用いたパターン評価方法およびパターン生成方法 | |
| TWI471744B (zh) | 用於粒子束寫入裝置之鄰近效應及劑量校正的方法與系統 | |
| KR101688506B1 (ko) | 가변 형상 비임 리소그래피를 이용한 레티클의 광 근접 보정, 설계 및 제조 방법 | |
| TWI605302B (zh) | 使用帶電粒子束微影術之用於臨界尺寸一致性之方法 | |
| KR100807957B1 (ko) | 빔 조사량 연산 방법, 묘화 방법, 기록 매체 및 묘화 장치 | |
| KR101671322B1 (ko) | 가변 성형 빔 리소그래피를 이용하여 레티클을 설계 및 제조하기 위한 방법 | |
| KR102154105B1 (ko) | 하전 입자 빔 리소그라피를 이용하여 패턴들을 형성하기 위한 방법 및 시스템 | |
| US7495243B2 (en) | Writing method of charged particle beam, support apparatus of charged particle beam writing apparatus, writing data generating method and program-recorded readable recording medium | |
| KR100857959B1 (ko) | 패턴 작성 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 | |
| TWI394197B (zh) | 用於在電子束微影系統中控制鄰近效應校正的方法 | |
| TW201314484A (zh) | 用於最佳化待使用光學微影術製造之基板上之影像的方法及系統 | |
| US6993455B2 (en) | Method for determining the construction of a mask for the micropatterning of semiconductor substrates by means of photolithography | |
| JP4160203B2 (ja) | マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP2000269123A (ja) | 露光パターンデータの生成方法と荷電ビーム露光装置 | |
| TWI514437B (zh) | 用以利用帶電粒子束微影術以多個暴露回合使圖樣破碎的方法與系統 | |
| JP3455048B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR102366045B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
| EP4092714B1 (en) | Charged particle beam writing method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable recording medium | |
| JP5254099B2 (ja) | パターン寸法測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2004259754A (ja) | 荷電粒子線露光における蓄積エネルギーのシミュレーション方法 | |
| JP2022177801A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
| TW202326619A (zh) | 描繪方法、原版製造方法及描繪裝置 | |
| JP2007005634A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| Hollanda | Geometry of x-ray point source proximity printing, Part I: linewidth control. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040518 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |