JP2000008020A - 電子部品用接着テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】充分な耐熱性及び接着性を有しており、仮圧着
が可能であって、作業性に優れている電子部品用接着テ
ープを提供する。 【解決手段】金属板、接着層Ａ、接着層Ｂ及び接着層Ｃ
を順次積層してなる電子部品用接着テープであって、接
着層Ａが下記式（１ａ）の構造単位１００〜２０モル％
と、下記式（１ｂ）の構造単位０〜８０モル％からなる
ポリイミドを含有し、接着層Ｂが下記式（１ａ）の構造
単位１００〜４０モル％と、下記式（２）の構造単位０
〜６０モル％からなるポリイミドを含有し、接着層Ｃが
下記式（３ａ）の構造単位９０〜４０モル％と、下記式
（３ｂ）の構造単位１０〜６０モル％からなるポリイミ
ドを含有し、ガラス転移温度が接着層Ａ＞接着層Ｂ＞接
着層Ｃの関係を有する。 【化１】 （式中、Ａｒは芳香環を有する二価の基を示す。Ｒは炭
素数１〜１０のアルキレン基または−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄
−を示し、ｎは１〜２０の整数を意味し、Ｘはジフェニ
ルスルホン構造、ビフェニル構造を有する四価の芳香族
基を示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するＴＡＢ用テープ、リードフレーム固定用テープ、リ
ードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半導
体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接
着に使用するための電子部品用接着テープに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープ等には、リードフレーム固定用接
着テープ、ＴＡＢテープ等があり、例えば、リードフレ
ーム固定用接着テープの場合には、リードフレームのリ
ードピンを固定し、リードフレーム自体及び半導体アセ
ンブリ工程全体の生産歩留まり及び生産性の向上を目的
として使用されており、一般にリードフレームメーカー
でリードフレーム上にテーピングされて、半導体メーカ
ーに持ち込まれ、ＩＣを搭載した後、樹脂封止される。
そのためリードフレーム固定用接着テープには、半導体
レベルでの一般的な信頼性及びテーピング作業性は勿論
のこと、テーピング直後の十分な室温接着力及び半導体
装置組立工程における加熱に耐え得る十分な耐熱性等が
要求される。

【０００３】従来、この様な用途に使用される接着テー
プとしては、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体上
に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル或
いはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の合成ゴ
ム系樹脂等の単独または他の樹脂で変性したもの、或い
は他の樹脂又は他の硬化成分と混合したものからなる接
着剤を塗布し、Ｂステージ状態としたものが使用されて
いる。最近では、高信頼性で高耐熱性の熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いた両面接着テープ等も使用されるように
なってきた。

【０００４】近年、図２に示されるような構造の樹脂封
止型半導体装置（半導体パッケージ）が開発され製造さ
れている。図２においては、リードピン３と金属放熱板
２とが、接着層６によって接続され、半導体チップ１が
金属放熱板２上に搭載されており、半導体チップ１とリ
ードピン３との間のボンディングワイヤー４と共に、樹
脂５によって封止された構造を有している。なお、一般
に接着層６には、単層の接着剤または両面接着テープが
使用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記図２に示される構
造の樹脂封止型半導体装置における接着層において、前
記のような従来の熱硬化型の接着剤を用いた接着テープ
を使用した場合には、硬化時に発生するガスが、リード
を汚染して接着力の低下を招いたり、パッケージクラッ
クの発生原因になる等の問題点があり、耐熱性が不充分
であった。そのため、充分な耐熱性、信頼性等を有する
電子部品用接着剤及びそれを用いた電子部品用接着テー
プが望まれている。

【０００６】本発明者等は、先に下記式（１ａ）及び式
（２）で表される構造単位からなるポリイミド樹脂より
なる接着剤を用いた接着テープ（特開平８−３２５５３
３号公報、特開平９−６７５５９号公報）を提案し、そ
れにより上記の課題を解消させることができた。しかし
ながら、これらの接着テープにも他の問題があった。す
なわち、接着層を耐熱性フィルム上に設けた接着テープ
の場合には、耐熱性フィルムと接着層の界面剥離が起こ
りやすいという問題がある。特に湿熱時の界面剥離は、
パッケージの信頼性を著しく低下させることから大きな
問題となっている。また、接着剤単層のテープでは加熱
圧着の際に、例えば、リードフレームが接着層中に埋没
貫通し、絶縁性の確保が困難になるという問題がある。

【０００７】更に、従来の半導体装置においては、先ず
リードフレームと放熱板を作製した後、金型で切断した
両面接着性のテープを介して両者を積層し、加熱圧着す
る。その為、リードフレーム、放熱板の形状毎にテープ
の切断金型も変更しなければならない。また、製造工程
が多いため、製造コストも高いものとなる。

【０００８】また、特開平６−２９１２３６号公報に
は、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる接着層を用いて放
熱板とリードフレームを固定する技術が開示されてい
る。しかしながら、この特許公報には具体的な接着剤組
成、分子量等が開示されていない。また、接着剤を構成
する樹脂の分子構造が互いに異なる場合、接着層間及び
接着剤界面で剥離を起こしやすく、ガラス転移温度を規
定するだけでは接着層間の密着性及び電気的信頼性を確
保できないと言う問題があった。

【０００９】更に、金属箔（板）上に２つの接着層を順
次積層し、金属に近い接着層で絶縁性を確保し、他の一
層でリードフレームとの接着性を確保する方法も提案さ
れている。ところで、リードフレームを固定する接着層
は、リードフレームの酸化防止、歪みの発生の防止、貼
付作業時間の観点からは比較的低Ｔｇの樹脂で構成され
ることが要請される。その一方で、あまりガラス転移温
度が低くなると、半導体装置組立工程中にリードピンの
シフトが発生したり、パッケージクラックが発生しやす
くなるという欠点がある。一方、ガラス転移温度を高め
に設定すれば、高温での貼り付けが必要となり、また酸
化を避けるために低温で貼り付けると、貼付工程の作業
時間が長くなる傾向が強い。

【００１０】また、特開平１０−１４０１０６号公報に
は、特定のポリイミドを含有し、かつ、異なるガラス転
移温度を示す２種類の接着層を積層してなる電子部品用
接着テープが開示されている。この接着テープは、それ
を金属板に貼り合わせる場合、低Ｔｇ接着層の粘性が低
くなって、接着層の厚さが変化するという問題があっ
た。それを避けるために、まずその接着テープの低Ｔｇ
接着層をリードフレームに貼り付けた後、高Ｔｇ接着層
に金属板を貼り付けると、圧着のために高温および高圧
力が必要となるため、低Ｔｇ接着層にリードピンが深く
食い込み、リードシフト、リードリフト、ショート等が
発生しやすいという問題があった。

【００１１】本発明は、上記のような問題点を解決する
ことを目的としてなされたものである。即ち、本発明の
目的は、比較的低温において短時間で接着可能であり、
絶縁性が確保でき、ガスの発生がなく、かつ界面剥離を
生じることなく充分な信頼性を有する電子部品用接着テ
ープを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用接着
テープは、金属板の少なくとも一面に接着層Ａ、接着層
Ｂ及び接着層Ｃを順次積層してなるものであって、これ
ら接着層がポリイミドにより形成され、且つ、金属板に
接する接着層Ａのガラス転移温度が接着層Ｂのガラス転
移温度より高く、接着層Ｂのガラス転移温度が接着層Ｃ
のガラス転移温度より高いことを特徴とする。

【００１３】本発明の電子部品用接着テープにおいて、
接着層Ａは下記式（１ａ）で表される構造単位１００〜
２０モル％と、下記式（１ｂ）で表される構造単位０〜
８０モル％からなる少なくとも１つのポリイミドを含有
し、接着層Ｂは下記式（１ａ）で表される構造単位１０
０〜４０モル％と、下記式（２）で表される構造単位０
〜６０モル％からなる少なくとも１つのポリイミドを含
有し、接着層Ｃは下記式（３ａ）で表される構造単位９
０〜４０モル％と、下記式（３ｂ）で表される構造単位
１０〜６０モル％からなる少なくとも１つのポリイミド
を含有するのが好ましい。

【００１４】

【化６】 （式中、Ａｒは芳香環を有する下記の構造から選ばれる
二価の基を示す。）

【化７】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 及びＲ₄ は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜４のアル
キル基又はアルコキシ基を示すが、これら全ての基が同
時に水素原子であることはない。）

【００１５】

【化８】 （式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキレン基、または
メチレン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −
を示し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）

【化９】 （式中、Ｘは３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
構造、３，３′，４，４′−ビフェニル構造、及び２，
３′，３，４′−ビフェニル構造のいずれかを有する四
価の芳香族基を示し、Ａｒ及びＲは、それぞれ前記の定
義と同一の意味を有する。）

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１に、本発明の接着テープを用い
た半導体装置の一例の模式的断面図を示す。図１におい
ては、リードピン３と金属板２とが、前記ポリイミドを
含むガラス転移温度の異なる接着層Ａ６ａ、接着層Ｂ６
ｂ及び接着層Ｃ６ｃを介して接続され、半導体チップ１
が金属板２上に搭載されており、半導体チップ１とリー
ドピン３との間のボンディングワイヤー４と共に、樹脂
５によって封止された構造を有している。

【００１７】本発明の接着テープを構成する金属板は、
放熱効果を有すれば特に限定されるものではなく、金属
板の厚さは１０〜３００μｍであることが好ましい。材
質としては、銅、白銅、銀、鉄、４２合金、ステンレス
鋼が好ましい。

【００１８】本発明の接着テープにおける接着層Ａ、接
着層Ｂ及び接着層Ｃは、そのガラス転移温度が接着層Ａ
＞接着層Ｂ＞接着層Ｃの関係にあれば、如何なるポリイ
ミドにより構成されていてもよいが、特に、各接着層が
上記のポリイミドより構成されるのが好ましいので、以
下、その場合について記載する。

【００１９】本発明の接着テープを構成する接着層Ａ
は、上記式（１ａ）で表される構造単位１００〜２０モ
ル％、好ましくは８０〜２０モル％と、上記式（１ｂ）
で表される構造単位の０〜８０モル％、好ましくは２０
〜８０モル％からなるポリイミドを１種又はそれ以上含
有するが、本発明において、これらポリイミドは、上記
式（１ａ）で表される構造単位が２種以上含まれていて
もよく、また、上記式（１ｂ）で表される構造単位が２
種以上含まれていてもよい。接着層Ａに用いられる上記
ポリイミドは、式（１ａ）で表され構造単位が多いほど
ガラス転移温度が低くなり、一方、式（１ｂ）で表され
構造単位が多いほどガラス転移温度が高くなる。このた
め、上記ポリイミドは、式（１ａ）及び（１ｂ）の含有
する割合を種々変更してガラス転移温度を制御すること
が可能であり、それにより接着層Ｂの接着条件におい
て、充分な絶縁を確保できるように接着層Ａの流動開始
温度を制御することが可能になる。

【００２０】本発明の接着テープを構成する接着層Ｂ
は、上記式（１ａ）で表される構造単位１００〜４０モ
ル％と、上記式（２）で表される構造単位０〜６０モル
％からなるポリイミドを１種又はそれ以上含有するが、
本発明において、これらポリイミドは、上記式（１ａ）
で表される構造単位が２種以上含まれていてもよく、ま
た、上記式（２）で表される構造単位が２種以上含まれ
ていてもよい。接着層Ｂに使用されるポリイミドは、式
（１ａ）で表される構造単位が多いほどガラス転移温度
が高くなる。他方、式（２）で表される構造単位が多い
ほどガラス転移温度が低くなり、また接着層Ａとの密着
性が向上する。このため、上記ポリイミドは式（１ａ）
及び（２）で表される構造単位の配合比を種々変更して
ガラス転移温度を制御することが可能であり、それによ
り接着層Ｂの圧着可能温度を制御することが可能であ
る。

【００２１】また、前記接着層Ｂには、下記式（４ａ）
及び（４ｂ）で表されるビスイミド化合物から選ばれる
少なくとも１種類をポリイミド１００重量部に対して１
〜１００重量部含有させることができる。

【化１０】 （式中、Ａｒは上記定義したものと同意義を有する。Ｒ
₅ 、Ｒ₆ 及びＲ₇ は、同一であっても異なっていてもよ
く、それぞれ水素原子、塩素原子、臭素原子、カルボキ
シル基、炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基
を示す。）

【００２２】これらのビスイミド化合物の一部は、ポリ
イミドの溶融時の流動性を向上させる作用を示すことが
知られている。したがって、本発明で用いられるポリイ
ミドに式（４ａ）または（４ｂ）で表されるビスイミド
化合物を上記の配合量で配合することにより、接着層Ｂ
の圧着可能温度を単独の場合より低下させることが可能
である。また、これらビスイミド化合物を使用しないも
のと比べて、圧着に必要な時間を短縮することが可能で
あり、リードフレームや金属板の酸化を防ぐことができ
る。更に、接着層Ａと接着層Ｂの密着性を向上させるこ
とが可能である。この密着性向上効果は、Ｒ₅ 、Ｒ₆ 及
びＲ₇ の少なくとも１つがカルボキシル基である場合に
特に顕著である。

【００２３】本発明の接着テープにおける接着層Ｃは、
低融点で仮圧着が可能なものであって、上記式（３ａ）
で表される構造単位９０〜４０モル％と、上記式（３
ｂ）で表される構造単位１０〜６０モル％とを含有する
ポリイミドから構成されるが、本発明において、これら
ポリイミドは、上記式（３ａ）で表される構造単位が２
種以上含まれていてもよく、また、上記式（３ｂ）で表
される構造単位が２種以上含まれていてもよい。接着層
Ｃに用いられる上記ポリイミドは、式（３ｂ）で表され
構造単位が多いほど、そして（ＯＳｉ）の繰り返し単位
が長い程、ガラス転移温度が低く、また接着層Ｂとの密
着性が向上する。このため、上記ポリイミドは式（３
ａ）及び式（３ｂ）で表される構造単位の含有する割合
及びシロキサンの長さを種々変更してガラス転移温度を
制御することが可能であり、それにより接着層Ｃの圧着
可能温度を制御することが可能になる。本発明において
は、この接着層Ｃは、比較的低温、すなわち１００〜１
８０℃でリードフレームを圧着できる必要がある。した
がって、好ましいガラス転移温度は１５０℃以下であ
り、より好ましくは１００℃以下のポリイミドが用いら
れる。

【００２４】本発明に使用する上記各ポリイミドは、一
般的なポリイミドの製造方法を用いることにより合成す
ることができる。すなわち、各繰り返し構造単位に対応
するテトラカルボン酸二無水物と、各繰り返し構造単位
に対応するジアミン又はジイソシアナートとから製造す
ることができる。より詳細には、接着層Ａに使用される
ポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物として３，
３′、４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物とピロメリット酸二無水物とを用い、下記式
（５）で表される化合物と反応させることにより製造す
ることができる。 Ｙ−Ａｒ−Ｙ （５） （式中、Ａｒは上記定義したと同意義を有し、Ｙはアミ
ノ基またはイソシアナート基を示す。）

【００２５】一方、接着層Ｂに使用されるポリイミド
は、テトラカルボン酸二無水物として３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を
用い、上記式（５）で表される化合物及び下記式（６）
で表されるシロキサン系化合物と反応させることにより
製造することができる。

【化１１】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。Ｙはアミノ基また
はイソシアナート基を示す。）

【００２６】更に、接着層Ｃに使用されるポリイミド
は、テトラカルボン酸二無水物として３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、
３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物または２，３′，３，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物を用い、上記式（５）で表される化合物
及び上記式（６）で表されるシロキサン系化合物と反応
させることにより製造することができる。

【００２７】本発明における上記ポリイミドは、上記式
（５）で表される化合物の２種以上を用いて形成された
ものであってもよく、また上記式（６）で表されるシロ
キサン化合物の２種以上を用いて形成されたものであっ
てもよい。

【００２８】上記ポリイミドの合成原料として使用され
る式（５）で示される化合物は、Ａｒとして上記した芳
香環を有する構造から選ばれた二価の基を有するもので
あり、これらのうち、官能基Ｙがアミノ基であるジアミ
ン類としては、具体的には次のものが挙げられる。３，
３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、１，３−ビス［１−（３−アミノフェニル）−１−
メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４
−ビス［１−（３−アミノフェニル）−１−メチルエチ
ル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニ
ル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス（４
−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−ビス（３−
アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，３′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，
４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル、３，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルエーテル、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）
ジフェニルエーテル、４，４′−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルエーテル、３，３′−ビス（３−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、３，３′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（３−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（３−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス
［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス
［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、９，９−
ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（４−アミノフェニル）フルオレン、３，３′−ジアミ
ノ−２，２′，４，４′−テトラメチルジフェニルメタ
ン、３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトラ
エチルジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，
２′，４，４′−テトラプロピルジフェニルメタン、
３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトライソ
プロピルジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，
２′，４，４′−テトラブチルジフェニルメタン、３，
４′−ジアミノ−２，３′，４，５′−テトラメチルジ
フェニルメタン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，
５′−テトラエチルジフェニルメタン、３，４′−ジア
ミノ−２，３′，４，５′−テトラプロピルジフェニル
メタン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，５′−テ
トライソプロピルジフェニルメタン、３，４′−ジアミ
ノ−２，３′，４，５′−テトラブチルジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラ
メチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトラエチルジフェニルメタン、４，
４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラプロピル
ジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′，
５，５′−テトライソプロピルジフェニルメタン、４，
４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラブチルジ
フェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエ
チル−５，５′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′
−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメ
タン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テト
ラメトキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−
３，３′，５，５′−テトラエトキシジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラ
プロポキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−
３，３′，５，５′−テトライソプロポキシジフェニル
メタン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テ
トラブトキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−
３，３′−ジメトキシジフェニルメタン、４，４′−ジ
アミノ−３，３′−ジエトキシジフェニルメタン等であ
る。

【００２９】また、式（５）で表される化合物におい
て、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類としては、上記したジアミン類において、「アミ
ノ」を「イソシアナート」に置き換えたものを挙げるこ
とができる。

【００３０】ポリイミドの製造原料として使用する式
（６）で表されるシロキサン系化合物において、官能基
Ｙがアミノ基であるジアミン類としては、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１０
−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、ア
ミノプロピル末端のジメチルシロキサン４量体、８量
体、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチル
ジシロキサン等が挙げられ、これらを併用することも可
能である。

【００３１】また、式（６）で表される化合物におい
て、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類としては、上記例示したジアミン類において、「ア
ミノ」を「イソシアナート」に置き換えたものを挙げる
ことができる。

【００３２】上記式（５）及び式（６）で表される化合
物において、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソ
シアナート類は、上記に例示した対応するジアミンを常
法に従いホスゲンと反応させることにより容易に製造す
ることができる。

【００３３】本発明で使用される上記ポリイミドを製造
するに際して、原料として、テトラカルボン酸二無水物
とジアミンとを使用する場合、これらを有機溶媒中、必
要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン、亜リ
ン酸トリフェニル等の触媒存在下（反応物の２０重量部
以下）で、１００℃以上、好ましくは１８０℃以上に加
熱し、直接ポリイミドを得る方法、テトラカルボン酸二
無水物とジアミンとを有機溶媒中、１００℃以下で反応
させポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を得た後、
必要に応じてｐ−トルエンスルホン酸等の脱水触媒（テ
トラカルボン酸二無水物の１〜５倍モル）を加え、加熱
によりイミド化することによりポリイミドを得る方法、
或いはこのポリアミド酸を、無水酢酸、無水プロピオン
酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカル
ボジイミド等のカルボジイミド化合物等の脱水閉環剤
と、必要に応じてピリジン、イソキノリン、イミダゾー
ル、トリエチルアミン等の閉環触媒（脱水閉環剤及び閉
環触媒はテトラカルボン酸二無水物の２〜１０倍モル）
を添加して、比較的低温（室温〜１００℃程度）で化学
閉環させる方法等がある。

【００３４】上記の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ｐ−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が挙げら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクレン、ニトロベンゼン等を上記の溶媒に混合
して用いることも可能である。

【００３５】また、原料として、テトラカルボン酸二無
水物とジイソシアナートとを使用する場合には、上記し
たポリイミドを直接得る方法に準じて製造することが可
能であり、このときの反応温度は室温以上、特に６０℃
以上であることが好ましい。テトラカルボン酸二無水物
とジアミン又はジイソシアナートとの反応において、そ
れらを等モル量で反応させることにより、高重合度のポ
リイミドを得ることが可能であるが、必要に応じて何れ
か一方を１０モル％以下の範囲で過剰量用いてポリイミ
ドを製造することも可能である。

【００３６】本発明において使用されるポリイミドの分
子量は、ポリイミドを構成する繰り返し単位の種類によ
って成膜性の発現が異なるので、成膜性に応じて適宜設
定することが好ましい。本発明の電子部品用接着テープ
に使用される場合、接着層にはある程度の成膜性が必要
であり、また、耐熱性も低下するので、あまり低分子量
のものは好ましくない。本発明においては、一般的に
は、数平均分子量が４，０００以上であることが必要で
ある。また、熱可塑性の接着剤として使用する場合、溶
融時の粘性が高すぎると接着性が著しく低下する。この
溶融時の粘性を規定する要因の一つとして分子量がある
が、本発明において使用されるポリイミドは、その数平
均分子量が概ね４００，０００以下であり、それ以上に
なると、粘性の増加が大きく、接着剤としての使用が困
難になる。なお、分子量の測定に用いたＧＰＣ測定条件
は表３の後に示した。

【００３７】本発明の接着層Ｂに圧着可能温度あるいは
接着層のガラス転移温度を調整するために含有させ得る
ビスイミド化合物は、一般的なビスイミドの製造方法を
用いることにより得ることができる。すなわち、所望の
構造に対応するジアミン又はジイソシアナートと、カル
ボン酸無水物とから製造ができる。具体的には、前記式
（４ａ）で表されるビスイミド化合物は、無水フタル
酸、４−メチルフタル酸無水物、４−エチルフタル酸無
水物、４−メトキシフタル酸無水物、４−クロロフタル
酸無水物、４−ブロモフタル酸無水物等の無水フタル酸
誘導体と、前記式（５）で表される化合物とを反応させ
ることにより製造することができる。

【００３８】一方、前記式（４ｂ）で表されるビスイミ
ド化合物、すなわちビスマレイミド化合物は、無水マレ
イン酸、メチルマレイン酸無水物、エチルマレイン酸無
水物、２，３−ジメチルマレイン酸無水物、クロロマレ
イン酸無水物、ブロモマレイン酸無水物、２，３−ジク
ロロマレイン酸無水物等の無水マレイン酸誘導体と、前
記の式（５）で表される化合物とを反応させることによ
り製造することができる。

【００３９】より具体的には、前記式（４ａ）で表され
るビスイミド化合物は次のようにして製造することがで
きる。式（５）で表されるジアミンに対し２倍モル以上
の無水フタル酸または無水フタル酸誘導体を有機溶媒
中、必要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミ
ン、亜リン酸トリフェニル等の触媒の存在下（反応物の
２０重量部以下）で、１００℃以上、好ましくは１８０
℃以上に加熱し、直接ビスイミド化合物を得る方法、無
水フタル酸とジアミンとを有機溶媒中、１００℃以下で
反応させビスイミドの前駆体であるビスアミド酸を得た
後、必要に応じてｐ−トルエンスルホン酸等の脱水触媒
（無水フタル酸または無水フタル酸誘導体の１〜５倍モ
ル）を加え、加熱によりイミド化を行う方法、及び上記
ビスアミド酸を、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安
息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド
等のカルボジイミド化合物等の脱水閉環剤と、必要に応
じてピリジン、イソキノリン、イミダゾール、トリエチ
ルアミン等の閉環触媒（脱水閉環剤及び閉環触媒は無水
フタル酸または無水フタル酸誘導体の２〜１０倍モル）
を添加して、比較的低温（室温〜１００℃程度）で化学
閉環させる方法等がある。これら閉環によるいずれの場
合も、閉環反応終了後、反応液をその１０倍量程度のメ
タノールに注ぎ込み、生成物を析出させ、メタノールで
洗浄、乾燥してビスイミド化合物を得ることが可能であ
る。

【００４０】また、原料として、無水フタル酸または無
水フタル酸誘導体とジイソシアナートとを使用する場合
には、上記したビスイミド化合物を直接得る方法に準じ
て製造することが可能であり、このときの反応温度は室
温以上、特に６０℃以上であることが好ましい。

【００４１】また、前記式（４ｂ）で表されるビスイミ
ド化合物、すなわち、ビスマレイミド化合物は次の様に
して製造することができる。式（５）で表されるジアミ
ンに対し２倍モル以上の無水マレイン酸または無水マレ
イン酸誘導体とジアミンとを有機溶媒中、１００℃以下
で反応させ、ビスマレイミドの前駆体であるビスマレア
ミド酸を得た後、必要に応じてｐ−トルエンスルホン酸
等の脱水触媒（無水マレイン酸または無水マレイン酸誘
導体の１〜５倍モル）を加え、１５０℃程度の加熱によ
りイミド化を行う方法、及び上記のビスマレアミド酸
を、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸
無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジ
イミド化合物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジ
ン、イソキノリン、イミダゾール、トリエチルアミン等
の閉環触媒（脱水閉環剤及び閉環触媒は無水マレイン酸
または無水マレイン酸誘導体の２〜１０倍モル）を添加
して、比較的低温（室温〜１００℃程度）で化学閉環さ
せる方法等がある。何れの方法でも、イミド化反応（脱
水閉環反応）はマレイミド基部分の二重結合が反応性に
富んでいるので１５０℃以下の低温で行うことが好まし
い。これら閉環によるいずれの場合も、閉環反応終了
後、反応液をその１０倍量程度のメタノールに注ぎ込
み、生成物を析出させ、メタノールで洗浄、乾燥してビ
スマレイミド化合物を得ることが可能である。

【００４２】上記のビスイミド化合物の合成反応に用い
る有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサ
メチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、ｐ−クロロフェノール等のフ
ェノール系溶媒等が挙げられる。また、必要に応じて、
ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、
アセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグラ
イム、ジグライム、メチルセロソルブ、セロソルブアセ
テート、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
塩化メチレン、クロロホルム、トリクレン、ニトロベン
ゼン等を先の溶媒に混合して用いることも可能である。

【００４３】本発明において、接着層Ａ及び接着層Ｂに
は、上記したポリイミドから選ばれるポリイミドの１種
を単独で含有してもよいが、ガラス転移温度を調節する
ためにそれらポリイミドの２種類以上を適宜混合して含
有させることができる。また、接着層Ｂには前記式（４
ａ）ないし（４ｂ）で表されるビスイミド化合物をポリ
イミド１００重量部に対して１〜１００重量部配合する
ことができる。通常、圧着は接着層Ｂを構成するポリイ
ミドのガラス転移温度より５０℃以上高い温度で行われ
る。また、短時間で圧着するためには、そのポリイミド
のガラス転移温度より１００℃以上高い温度で行われ
る。したがって、接着層Ｂを構成するポリイミドのガラ
ス転移温度（Ｔｇ）＋４０℃よりも低い融点を示すビス
イミド化合物を含有させた場合、接着層の圧着可能な温
度を、含有させるビスイミド化合物の融点付近まで低下
させることができる。

【００４４】一方、接着層Ｂを構成するポリイミドのＴ
ｇ＋４０℃よりも高い融点を示すビスイミド化合物を含
有させた場合、接着層の圧着可能な温度はポリイミドの
ガラス転移温度で決まり、影響は受けないが、圧着温度
以上の温度に曝されても接着力が低下しなくなる。その
為、通常では使用しにくい低Ｔｇ（１００〜２００℃程
度）樹脂を利用することが可能になる。

【００４５】本発明の接着テープを構成する接着層Ａ、
接着層Ｂ及び接着層Ｃが上記のポリイミドより構成され
る場合、これらポリイミドは、いずれも類似の構造を有
するので、これらの接着層は殆ど同じ熱膨張率を有す
る。したがって、本発明の接着テープは常温から加熱時
まで歪みが少なく、加工性が良好なものになる。本発明
の接着シートにおいて、金属板の上に接して設けられる
接着層Ａのガラス転移温度は、接着層Ｂのガラス転移温
度より高いことが必要であり、また、接着層Ｂのガラス
転移温度は、接着層Ｃのガラス転移温度より高いことが
必要である。また、電子部品への接着時間・圧力・温度
の関係から、接着層Ａのガラス転移温度は、接着層Ｂの
ガラス転移温度より４０℃以上高いことが好ましい。

【００４６】本発明の電子部品用接着テープは、前述の
ポリイミドを含む樹脂層を、金属板上に積層することに
より作製できる。積層方法としては、種々の方法が採用
できる。例えば、金属板上に高Ｔｇのポリイミド溶液を
塗布乾燥した後に、そのポリイミド層の上に低Ｔｇのポ
リイミド溶液を塗布乾燥し、更にそのポリイミド層の上
に、更に低いガラス転移温度のポリイミド溶液を塗布乾
燥する方法によって得ることができる。また、例えば３
つの剥離性フィルムの片面に、それぞれ上記ポリイミド
よりなる塗布液を塗布し、乾燥して、異なるガラス転移
温度のポリイミドフィルムを得た後、金属板にガラス転
移温度の高いポリイミドフィルムから順次熱圧着する方
法により得ることも可能である。また、予め、ガラス転
移温度の異なる３種類のポリイミドフィルムを熱圧着し
た後、得られた積層フィルムを、その高Ｔｇ側が金属板
に接着するように熱圧着する方法、１つのポリイミドを
フィルム化した後に、その上にそのポリイミドとはガラ
ス転移温度の異なる２つのポリイミドの溶液を順次塗布
し、乾燥する方法、或いはガラス転移温度の異なるポリ
イミドの溶液を三層同時塗工する方法等で得た積層フィ
ルムを、その高Ｔｇ側が金属板に接着するように熱圧着
する方法等を採用することも可能である。

【００４７】本発明の接着テープにおいては、上記方法
により、金属板の両側に接着層Ａ、接着層Ｂ及び接着層
Ｃを形成することも可能であり、また、接着層Ａ、接着
層Ｂ及び接着層Ｃの上に更に接着層を積層することも可
能である。

【００４８】本発明における電子部品用接着テープの各
接着層の厚さは、適宜選択されるが、通常１０〜２５０
μｍの範囲であることが好ましい。また、最上層の接着
層Ｃは低温での仮圧着が可能であればよいので、通常１
〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍ程度の範囲に
設定される。

【００４９】本発明において、接着層を塗工により形成
するためには、上記ポリイミド又はポリイミドとビスイ
ミド化合物とを適当な溶媒に溶解させて得られた塗工用
ワニスが用いられる。本発明に用いられるポリイミド及
びビスイミドを溶解する溶媒としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スル
ホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、
フェノール、クレゾール、キシレノール、ｐ−クロロフ
ェノール等のフェノール系溶媒、イソホロン、シクロヘ
キサノン、カルビトールアセテート、ジグライム、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン等の広範な有機溶媒が挙げ
られる。更にこれに、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール等のアルコール系溶媒や、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル等エステル系溶媒、アセトニトリ
ル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、クロロホルム、ジ
クロロメタン等のハロゲン系溶媒等をポリイミドあるい
はビスイミド化合物が析出しない程度に混合して用いる
こともできる。ポリイミド溶液の濃度及び粘度について
は、塗工条件に合わせて適宜変更することが好ましい。

【００５０】本発明において、金属板上に設ける接着層
Ａ及び接着層Ｂには、接着時の特性を制御するために、
それぞれ粒径１μｍ以下のフィラーを含ませてもよい。
フィラーを配合させる場合の含有量は、全固形分の０．
１〜５０重量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．
４〜２５重量％である。フィラーが５０重量％より多く
なると接着力の低下が著しくなり、一方、０．１重量％
未満ではフィラー添加の効果が得られなくなる。フィラ
ーとしては、例えばシリカ、石英粉、マイカ、アルミ
ナ、ダイヤモンド粉、ジルコン粉、炭酸カルシウム、酸
化マグネシウム、フッ素樹脂等が使用される。

【００５１】本発明においては、接着層Ｃの上に膜厚１
〜２００μｍの剥離性のフィルムを保護層として設ける
ことも可能である。具体的にはポリエチレン、ポリプロ
ピレン、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、
ポリイミド等の樹脂フィルム、又はそれらフィルム又は
紙の表面にシリコーン系離型剤等を用いて離型処理を施
したもの、或いは弱粘着処理を施したものが使用され
る。

【００５２】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。先ず、接着層Ａに用いられるポリイミド及びそれを
含む塗工用ワニスの製造について述べる。 合成例１ 撹拌機を備えたフラスコに、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトラエチルジフェニルメタン３１．
０４ｇ（１００ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物８．９６ｇ
（２５ミリモル）とピロメリト酸無水物１６．３６ｇ
（７５ミリモル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン（以
下、「ＮＭＰ」と記す。）３００ｍｌとを氷温下に導入
し、１時間撹拌を続けた。次いで、この溶液を室温で２
時間反応させポリアミド酸を合成した。得られたポリア
ミド酸に５０ｍｌのトルエンと１．０ｇのｐ−トルエン
スルホン酸を加え、１６０℃に加熱し、反応の進行に伴
ってトルエンと共沸してきた水分を分離しながら、３時
間イミド化反応を行った。その後トルエンを留去し、得
られたポリイミドワニスをメタノール中に注いで、得ら
れた沈殿物を分離、粉砕、洗浄、乾燥させる工程を経る
ことにより、上記した式で表させる各構造単位のモル比
が（１ａ）：（１ｂ）＝２５：７５で示されるポリイミ
ド５０．０ｇ（収率９５％）を得た。

【００５３】得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、数平均分
子量、ガラス転移温度（Ｔｇ）及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミドを
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、「ＤＭＦ」と記
す。）に２５重量％の濃度で溶解し、塗工用ワニスを調
製した。

【００５４】合成例２ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリ
ト酸無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示され
るポリイミド５３．５ｇ（収率９５％）を得た。得られ
たポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分
解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。こ
のポリイミドをＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗
工用ワニスを調製した。

【００５５】合成例３ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物２６．８８ｇ（７５ミリモル）とピロメリ
ト酸無水物５．４６ｇ（２５ミリモル）及びＮＭＰ３０
０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位
のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝７５：２５で示される
ポリイミド５７．４ｇ（収率９７％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解
開始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。この
ポリイミドをＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工
用ワニスを調製した。

【００５６】合成例４ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメチ
ルジフェニルメタン２５．４５ｇ（１００ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリ
ト酸無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示され
るポリイミド５２．１ｇ（収率９６％）を得た。得られ
たポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分
解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。こ
のポリイミドをＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗
工用ワニスを調製した。

【００５７】合成例５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン４１．０５ｇ（１００ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリト酸
無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位の
モル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポ
リイミド６３．０ｇ（収率９５％）を得た。得られたポ
リイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７
１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開
始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポ
リイミドをＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用
ワニスを調製した。

【００５８】合成例６ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン４２．７７ｇ（１００ミリモル）と３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１
７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリト酸無水物１
０．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド
６７．３ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリイミド
の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ
^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
をＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを
調製した。

【００５９】合成例７ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル３
６．８４ｇ（１００ミリモル）と３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９
２ｇ（５０ミリモル）とピロメリト酸無水物１０．９１
ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が（１
ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５
９．６ｇ（収率９６％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミドを
ＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調
製した。

【００６０】合成例８ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２９．
２３ｇ（１００ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９２ｇ
（５０ミリモル）とピロメリト酸無水物１０．９１ｇ
（５０ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成
例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が（１ａ）：
（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５２．８ｇ
（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測定し
た。それらの結果を表１に示す。このポリイミドをＤＭ
Ｆに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調製し
た。

【００６１】合成例９ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２９．
２３ｇ（１００ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９２ｇ
（５０ミリモル）とピロメリト酸無水物１０．９１ｇ
（５０ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成
例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が（１ａ）：
（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５２．３ｇ
（収率９６％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測定し
た。それらの結果を表１に示す。このポリイミドをＤＭ
Ｆに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調製し
た。

【００６２】次に、接着層Ｂに用いられるポリイミド及
びそれを含む塗工用ワニスの製造について述べる。 合成例１０ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミド５
８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを
テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と記す。）に２
５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００６３】合成例１１ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミド５
８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを
ＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調
製した。

【００６４】合成例１２ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２３．０８ｇ（６７ミリモル）と
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリ
モル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６７：３
３で示されるポリイミド６２．５ｇ（収率９８％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔ
ｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で
溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００６５】合成例１３ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
４．６８ｇ（６７ミリモル）と、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシ
ロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と、３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍ
ｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモ
ル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイ
ミド６４．０ｇ（収率９８％）を得た。得られたポリイ
ミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８
ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温
度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイ
ミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニ
スを調製した。

【００６６】合成例１４ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
ーテル２５．７５ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法によって、各
構造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示
されるポリイミド６４．０ｇ（収率９７％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００６７】合成例１５ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン２８．９８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジ
シロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍ
ｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモ
ル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイ
ミド６５．０ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリイ
ミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８
ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温
度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイ
ミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニ
スを調製した。

【００６８】合成例１６ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２７．５０ｇ（６７ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示さ
れるポリイミド６５．０ｇ（収率９６％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００６９】合成例１７ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３４．７４ｇ（６７ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３
ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６
７：３３で示されるポリイミド７４．０ｇ（収率９８
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、数平均分
子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表２に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％
の濃度で溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００７０】合成例１８ ９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン２３．
３５ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミド６
０．５ｇ（収率９５％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを
ＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調
製した。

【００７１】合成例１９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５３ｇ（５０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン１２．４３ｇ（５０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝５０：５０で示さ
れるポリイミド６１．０ｇ（収率９３％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００７２】合成例２０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２５で示さ
れるポリイミド６５．０ｇ（収率９４％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００７３】合成例２１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３２．８４ｇ（８０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン４．９７ｇ（２０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝８０：２０で示さ
れるポリイミド６８．０ｇ（収率９７％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００７４】合成例２２ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン２．４９ｇ（１０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝９０：１０で示さ
れるポリイミド６８．０ｇ（収率９７％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００７５】合成例２３ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス［（アミノフェノキシ）メチル］−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン９．４２ｇ（２５ミリ
モル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２５
で示されるポリイミド６９．０ｇ（収率９５％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔ
ｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で
溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００７６】合成例２４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と前記一般
式（６）において、Ｙ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピレン、ｎ＝
３で表されるアミノプロピル末端のジメチルシロキサン
４量体１０．７２ｇ（２５ミリモル）と３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを
用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝７５：２５で示されるポリイミド６
７．０ｇ（収率９１％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１２ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを
ＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調
製した。

【００７７】合成例２５ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造
単位のモル比が（１ａ）：（２）＝１００：０で示され
るポリイミド５８．８ｇ（収率９３％）を得た。得られ
たポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分
解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。こ
のポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗
工用ワニスを調製した。

【００７８】合成例２６ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン７．７６ｇ（２５ミリモル）と１，
３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ
１５０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単
位のモル比が（１ａ）：（２）＝５０：５０で示される
ポリイミド２７．４ｇ（収率９１％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解
開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。この
ポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工
用ワニスを調製した。

【００７９】合成例２７ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１１．６４ｇ（３７．５ミリモル）
と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン３．１１ｇ（１２．５ミ
リモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）
及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２５
で示されるポリイミド２９．６ｇ（収率９２％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔ
ｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で
溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００８０】次に、接着層Ｃに用いられるポリイミド及
びそれを含む塗工用ワニスの製造について述べる。 合成例２８ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２９．４２ｇ（７２ミリモル）と前記式
（６）においてＹ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピル、ｎ＝８で表
されるジメチルシロキサン重合体２１．７５ｇ（２８ミ
リモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が（３ａ）：（３ｂ）＝７
２：２８で示されるポリイミド７８．４ｇ（収率９４
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、数平均分
子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表３に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％
の濃度で溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００８１】合成例２９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．３９ｇ（７４ミリモル）と前記式
（６）においてＹ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピル、ｎ＝８で表
されるジメチルシロキサン重合体１９．９４ｇ（２６ミ
リモル）と３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ミリモル）及びＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構造単位のモル比が（３ａ）：（３ｂ）＝７４：２６で
示されるポリイミド７２．３ｇ（収率９５％）を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表３に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００８２】合成例３０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３２．７４ｇ（８０ミリモル）と前記式
（６）においてＹ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピル、ｎ＝８で表
されるジメチルシロキサン重合体１５．５４ｇ（２０ミ
リモル）と２，３′，３，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ミリモル）及びＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構造単位のモル比が（３ａ）：（３ｂ）＝８０：２０で
示されるポリイミド６９．７ｇ（収率９４％）を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表３に示
す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
して塗工用ワニスを調製した。

【００８３】合成例３１ １，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２３．
２４ｇ（８０ミリモル）と前記式（６）においてＹ＝Ｎ
Ｈ₂ 、Ｒ＝プロピル、ｎ＝８で表されるジメチルシロキ
サン重合体１５．５４ｇ（２０ミリモル）と２，３′，
３，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．
４２ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
（３ａ）：（３ｂ）＝８０：２０で示されるポリイミド
６０．１ｇ（収率９３％）を得た。得られたポリイミド
の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ
^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇ及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表３に示す。このポリイミド
をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを
調製した。

【００８４】合成例３２ １，３−ビス［１−（３−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２７．１４ｇ（７６ミリモル）と前
記式（６）においてＹ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピル、ｎ＝８
で表されるジメチルシロキサン重合体１８．５２ｇ（２
４ミリモル）と２，３′，３，４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ミリモル）及
びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が（３ａ）：（３ｂ）＝７６：
２４で示されるポリイミド６０．１ｇ（収率９３％）を
得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定
したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型
的なイミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、
Ｔｇ及び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表
３に示す。このポリイミドをＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解して塗工用ワニスを調製した。

【００８５】

【表１】

【００８６】

【表２】

【００８７】

【表３】

【００８８】表１ないし表３におけるポリイミドの分子
量測定は、ＧＰＣにて行った。ＴＨＦを溶離液とし、カ
ラムはＳｈｏｄｅｘ８０Ｍ×２を使用した。数平均分子
量の標準物質にはポリスチレンを用いた。ガラス転移温
度は示差熱分析（窒素中、１０℃／分で昇温）により測
定した。また、熱分解開始温度は熱重量分析（窒素中、
１０℃／分で昇温）により測定した。

【００８９】次に、接着層Ｂに用いられるビスイミド化
合物の製造について述べる。 合成例３３ 撹拌機を備えたフラスコに、４、４′−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル３６．８ｇ（１００ミリモ
ル）と無水フタル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）とＮ
ＭＰ５００ｍｌとを氷温下に導入し、１時間撹拌を続け
た。次いで、この溶液を室温で２時間反応させアミド酸
を合成した。得られたアミド酸にトリエチルアミン４
０．４ｇ（４００ミリモル）と無水酢酸３０．６ｇ（３
００ミリモル）をゆっくりと滴下し、室温で２時間攪拌
を続けた。得られた溶液を、メタノールに注ぎ、沈殿物
を濾過する。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１５０
℃で２時間乾燥し、４７．５ｇ（ジアミンに対する収率
７６％）の上記式（４ａ）で表されるビスイミド化合物
を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２
０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が、１２
４０ｃｍ^-1にエーテルの吸収が認められた。融点及び元
素分析の結果を表４に示す。

【００９０】合成例３４ ２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）と無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍｌ
を用いて、合成例３３と同様の方法で５３．５ｇ（ジア
ミンに対する収率８０％）の上記式（４ａ）で表される
ビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が、１２４０ｃｍ^-1にエーテルの吸収が認めら
れた。融点及び元素分析の結果を表４に示す。

【００９１】合成例３５ １，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジ
ル）ベンゼン３４．４ｇ（１００ミリモル）と無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍｌ
を用いて、合成例３３と同様の方法で５８．０ｇ（ジア
ミンに対する収率９６％）の上記式（４ａ）で表される
ビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。融点及び元素分析の結果を表４
に示す。

【００９２】合成例３６ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル３
６．８ｇ（１００ミリモル）と無水フタル酸３１．１ｇ
（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍｌを用いて、合成
例３３と同様の方法で５６．５ｇ（ジアミンに対する収
率９０％）の上記式（４ａ）で表されるビスイミド化合
物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７
２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が、１
２４０ｃｍ^-1にエーテルの吸収が認められた。融点及び
元素分析の結果を表４に示す。

【００９３】合成例３７ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）と無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍｌ
を用いて、合成例３３と同様の方法で６２．３ｇ（ジア
ミンに対する収率９３％）の上記式（４ａ）で表される
ビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミ
ドの吸収が、１２４０ｃｍ^-1にエーテルの吸収が認めら
れた。融点及び元素分析の結果を表４に示す。

【００９４】合成例３８ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０ｇ（１００ミリモル）と無
水フタル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５０
０ｍｌを用いて、合成例３３と同様の方法で４７．４ｇ
（ジアミンに対する収率８３％）の上記式（４ａ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。融点及び元素分析の結果
を表４に示す。

【００９５】合成例３９ ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン４３．２ｇ（１００ミリモル）と無水フタル酸３１．
１ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍｌを用いて、
合成例３３と同様の方法で５９．６ｇ（ジアミンに対す
る収率８６％）の上記式（４ａ）で表されるビスイミド
化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。融点及び元素分析の結果を表４に示す。

【００９６】合成例４０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）と無水トリ
メリト酸４０．５ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００
ｍｌを用いて、合成例３３と同様の方法で６７．７ｇ
（ジアミンに対する収率８９％）の上記式（４ａ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。融点及び元素分析の結果
を表４に示す。

【００９７】合成例４１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）と無水マレ
イン酸２０．６ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００ｍ
ｌを用いて、合成例３３と同様の方法で４８．５ｇ（ジ
アミンに対する収率８５％）の上記式（４ｂ）で表され
るビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定
したところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイ
ミドの吸収が、６９０ｃｍ^-1にマレイミドの二重結合に
よる吸収が認められた。融点及び元素分析の結果を表４
に示す。

【００９８】合成例４２ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０ｇ（１００ミリモル）と無
水マレイン酸２０．６ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５
００ｍｌを用いて、合成例３３と同様の方法で３８．１
ｇ（ジアミンに対する収率８１％）の上記式（４ｂ）で
表されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０及び１７８０ｃｍ^-1に典型
的なイミドの吸収が、６９０ｃｍ^-1にマレイミドの二重
結合による吸収が認められた。融点及び元素分析の結果
を表４に示す。

【００９９】

【表４】 表４において、各ビスイミド化合物の融点は、ＤＳＣで
昇温３℃／分にて測定した。

【０１００】比較合成例１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン１６．４０ｇ（４０ミリモル）とトリメリ
ト酸無水物モノクロライド８．４２ｇ（４０ミリモル）
とＮＭＰ１２０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で
ポリエーテルアミドイミド２０．８ｇ（収率９２％）を
得た。得られたポリエーテルアミドイミドの赤外吸収ス
ペクトルを測定したところ、１７２０及び１７８０ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が、１７１５ｃｍ^-1にアミド
の吸収が認められた。また、その数平均分子量は２１，
０００であり、Ｔｇは２２８℃、熱分解開始温度は４３
０℃であった。このポリエーテルアミドイミド樹脂をＴ
ＨＦに２５重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを得
た。

【０１０１】比較合成例２ ４，４′−ジアミノジフェニルエーテル８．０１ｇ（４
０ミリモル）とビフェニルテトラカルボン酸二無水物１
０．８０ｇ（４０ミリモル）とＮＭＰ１２０ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法でポリイミド１６．１ｇ（収
率９３％）を得た。得られたポリエーテルイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１５及び１７８
６ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、
その数平均分子量はＴＨＦに不溶なため本測定方法では
測定不能であった。Ｔｇは２９０℃、熱分解開始温度は
５６０℃であった。このポリイミドをｏ−ジクロロフェ
ノールに２０重量％の濃度で溶解して塗工用ワニスを調
製した。

【０１０２】比較合成例３ ２，２−ビス（１，１′，２，２′−テトラカルボキ
シ）−４−フェノキシフェニル）プロパン二無水物２
０．８ｇ（４０ミリモル）とトリメリト酸無水物モノク
ロライド８．４２ｇ（４０ミリモル）とをＮＭＰ１２０
ｍｌに溶解し、この溶液にｍ−フェニレンジアミン４．
３４ｇ（０．０４モル）を加えて０℃で４時間攪拌し、
ポリアミド酸の２０重量％ＮＭＰワニスを得た。これを
そのまま塗工用ワニスとした。イミド化により得られた
樹脂はＴｇが２１６℃であり、熱分解開始温度は５１０
℃であった。得られたポリエーテルアミドイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１５及び１７８
６ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、
その数平均分子量はＴＨＦに不溶なため本測定方法では
測定不能であった。

【０１０３】（接着テープ作製例） 実施例１ 厚さ１００μｍの銅板の一面に、合成例１の塗工用ワニ
スをバーコーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍにな
るように塗布した後、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で
６０分間乾燥させて、銅板上に接着層Ａを形成させた。
次いで、接着層Ａの上に合成例２６で得られた塗工用ワ
ニス（合成例１のポリイミドとはガラス転移温度が異な
る。）を、乾燥時の層厚が２０μｍになるように塗布
し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１０分間乾燥させ
ることにより、接着テープの接着層Ｂを形成させた。最
後に、接着層Ｂの上に合成例２８で得られた塗工用ワニ
ス（合成例１及び合成例２６のポリイミドとはガラス転
移温度が異なる。）を、乾燥時の層厚が５μｍになるよ
うに塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１０分間
乾燥させることにより、銅板の上に、ガラス転移温度の
異なるポリイミドより構成された接着層Ａ、接着層Ｂ、
接着層Ｃが順次積層した層構成を有する総厚１４５μｍ
の電子部品用接着テープを作製した。

【０１０４】実施例２〜４９ 合成例１〜４２で得られたポリイミド及びビスイミド化
合物を使用して、実施例１と全く同様にして、本発明の
接着テープを作製した。なお、実施例２６の接着層Ａ及
び実施例２７の接着層Ｂには、粒径０．０７μｍのシリ
カフィラー（荒川化学社製）を１０重量％配合した。ま
た、実施例２８の接着層Ｂには粒径０．０５μｍのアル
ミナフィラー（昭和電工製）を１０重量％配合した。ま
た、実施例２９〜４９の接着層Ｂの塗工用ワニスは、ビ
スイミド化合物を分散または溶解させて調製した。

【０１０５】実施例５０ 厚さ１００μｍの銅板を厚さ５０μｍのものに代えた以
外は、実施例１と全く同様にして、本発明の接着テープ
を作製した。 実施例５１ 厚さ１００μｍの銅板を厚さ２００μｍのものに代えた
以外は、実施例１と全く同様にして、本発明の接着テー
プを作製した。各実施例１〜５１に使用した接着層の塗
工ワニス、ビスイミド化合物、フィラーの種類と添加量
及び形成された接着層の接着温度を、それぞれ下記表５
〜表７に示す。

【０１０６】比較例１ 合成例１で得られたポリイミドを含む塗工用ワニスの代
わりに合成例２６で得られたポリイミドを含む塗工用ワ
ニスを用いた以外は、実施例１と同様にして銅板の一面
に塗布し、同一のガラス転移温度を有するポリイミドよ
りなる接着層Ａ及びＢに相当する接着層を形成して比較
用の接着テープを作製した。

【０１０７】比較例２ 合成例３で得られたポリイミドを含む塗工用ワニスを、
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製：ユ
ーピレクッス５０Ｓ）の一面に、バーコーターを用いて
乾燥時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥させてポリイミド
フィルムの一面に接着層Ａに相当する接着層を形成させ
た。次いで、該ポリイミドフィルムの他の一面に合成例
２６で得られたポリイミドを含む塗工用ワニスを、乾燥
時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾
燥機にて１５０℃で１０分間乾燥させて接着層Ｂに相当
する接着層を形成し、ポリイミドフィルムの両面にガラ
ス転移温度の異なる接着層を有する接着シートを作製し
た。この接着シートの接着層Ａに相当する接着層（合成
例３で得られたポリイミド接着層）面を実施例１で使用
した銅板の一面と窒素雰囲気下で熱圧着し、比較用の接
着テープを作製した。なお、熱圧着は３６０℃、４ｋｇ
ｆ／ｃｍ² 、２秒で行った。

【０１０８】比較例３ ポリイミド系ワニス（三井東圧化学社製：ラークＴＰ
Ｉ）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。実施例１で使
用した銅板の一面に乾燥時の接着層の層厚が２０μｍに
なるように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１
２０分間乾燥させて接着層Ａに相当する接着層を形成し
た。更に同じ溶液を、形成された接着層の上に乾燥時の
接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させた後、更に
窒素雰囲気下２５０℃で６０分間乾燥させて接着層Ｂに
相当する接着層（Ｔｇ＝２８８℃）を形成し、比較用の
接着テープを作製した。

【０１０９】比較例４ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰＩ、三井東圧化学
（株）製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶
液を比較例２で使用したポリイミドフィルムの一面に乾
燥時の接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱
風循環型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させて接
着層（Ｔｇ＝２８８℃）を形成し、更に同じ溶液を上記
ポリイミドフィルムの他面に乾燥時の接着層の層厚が２
０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５
０℃で１２０分間乾燥させて接着層を形成した後、更に
２５０℃で６０分間乾燥させて接着シートを作製した。
得られた接着シートの一面を、実施例１で使用した銅板
の一面と窒素雰囲気下で熱圧着し、比較用の接着テープ
を作製した。なお、熱圧着は３６０℃、４ｋｇｆ／ｃｍ
² 、２秒で行った。

【０１１０】比較例５ ポリイミド系ワニス（三井東圧化学社製：ラークＴＰ
Ｉ）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。実施例１で使
用した銅板の一面に乾燥時の接着層の層厚が２０μｍに
なるように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１
２０分間乾燥させ、更に窒素雰囲気下２５０℃で６０分
間乾燥させて接着層Ａに相当する接着層（Ｔｇ＝２８８
℃）を形成した。次いで、比較合成例１で得られたポリ
エーテルアミドイミドの塗工用ワニスを、銅板の該接着
層面に乾燥時の接着層の層厚が２０μｍになるように塗
布し熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１０分間乾燥させ
て接着層Ｂに相当する接着層を形成し、比較用の接着テ
ープを作製した。

【０１１１】比較例６ 比較合成例２で得られたポリイミドを含む塗工用ワニス
を、実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の接着層の
層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機
にて１５０℃で１２０分間乾燥させて接着層Ａに相当す
る接着層を形成した。次いで、ポリアミドイミド（アモ
コ社製：Ｔｏｒｌｏｎ４００Ｔ）の２０重量％ＮＭＰ溶
液を塗工用ワニスとして、形成された接着層の上に乾燥
時の接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風
循環型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させて接着
層Ｂに相当する接着層（Ｔｇ＝２３０℃）を形成して比
較用の接着テープを作製した。

【０１１２】比較例７ 比較合成例２で得られたポリイミドを含む塗工用ワニス
を、実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の接着層の
層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機
にて１５０℃で１２０分間乾燥させて接着層Ａに相当す
る接着層を形成した。次いで、比較合成例３で得られた
ポリアミド酸の２０重量％ＮＭＰ溶液を塗工用ワニスと
して、形成された接着層の上に乾燥時の接着層の層厚が
２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１
５０℃で６０分間乾燥させ、更に窒素雰囲気下２５０℃
で６０分間乾燥させて接着層Ｂに相当する接着層を形成
して比較用の接着テープを作製した。

【０１１３】比較例８ 実施例１において、接着層Ｃを設けない以外は同様にし
て、金属上に接着層Ａ及び接着層Ｂを順次設けて比較用
の接着テープを作製した。 比較例９ 比較例７で作製したテープの接着層Ｂの上に、更に実施
例１と同様にして、合成例２８のポリイミドを用いて接
着層Ｃを形成し比較用の接着テープを作製した。比較例
１〜９についても実施例に示したと同様に塗工用ワニ
ス、フィラー添加量及び接着層の接着温度を表８に示
す。

【０１１４】

【表５】

【０１１５】

【表６】

【０１１６】

【表７】

【０１１７】

【表８】

【０１１８】上記各実施例及び比較例で得られた接着テ
ープを評価するために、下記の手順でリードフレームを
作製し、評価を行った。（リードフレームの組み立て）
図１に示す半導体パッケージに用いられるリードフレー
ムを、次に示す工程（ａ）及び（ｂ）によって組み立て
た。 （ａ）接着テープの打ち抜き 金型により接着テープを打ち抜いた。 （ｂ）リードフレーム組み立て 所定の形状に打ち抜いた接着テープをリードフレームに
位置合わせし、加熱したホットプレート上で加熱加圧し
て、リードフレームと接着テープを１ピースずつ貼り合
わせる（窒素雰囲気下、１５０℃／２ｋｇｆ／ｃｍ² ／
０．５秒）ことによりリードフレームを仮圧着した。接
着層Ｃがある実施例１〜５１、比較例１および比較例９
の場合は、仮圧着後、１連のリードフレーム（５ピース
からなる）を一度に本圧着した（窒素雰囲気下、４ｋｇ
ｆ／ｃｍ² ／２秒）。この時の接着温度は、表５ないし
表８に示した温度であった。リードフレーム組み立て時
に接着条件が異なるのは、各接着テープの特性が異なる
ためである。ここでは、各接着テープに最適の接着条件
を選定し、それに基づいて接着した。なお、接着層Ｃが
ない比較例２〜８の場合は、仮圧着が不可能なため、表
８の接着温度で１ピースずつ貼り付けを行った（窒素雰
囲気下、４ｋｇｆ／ｃｍ² ／２秒）。

【０１１９】（半導体パッケージの組み立て）次に、上
記で得られたリードフレームを使用し、下記の工程
（ｃ）〜（ｆ）で半導体パッケージを組み立てた。 （ｃ）ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
て、銅板（金属放熱板）部に接着し、１５０℃で２時間
硬化させた。 （ｄ）ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線した。 （ｅ）モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドした。 （ｆ）仕上げ工程 ホーミング、ダムカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上した。

【０１２０】（接着テープ及び半導体パッケージ（ｎ＝
１０）の評価） （Ａ）リードフレーム組み立て時間 リードフレームの組み立てに要した時間は、実施例１〜
５１、比較例１および比較例９の場合、仮圧着５秒、本
圧着４秒の合計９秒であり、タクトタイムを含めても２
０秒／１０個であるのに対して、接着層Ｃがない比較例
２〜８の場合は、本圧着のみで２０秒を要し、タクトタ
イムまで含めると４０秒／１０個となり、約２倍の時間
を要した。

【０１２１】（Ｂ）接着力 銅板にリードフレーム組み立て時の条件で接着テープを
貼り付け（テーピング）した（接着層Ｃのある場合は、
仮圧着した後、本圧着し、接着層Ｃの無い場合は、直接
本圧着を行った）後、その１０ｍｍ幅のテープの室温に
おける９０°ピール強度を測定した。その結果、実施例
１〜５１及び比較例８の接着テープの強度は、３５〜５
０ｇ／１０ｍｍであるのに対して、比較例１、３の場合
は３５〜５０ｇ／１０ｍｍであり問題はなかったが、比
較例２、４、５〜７、９のものは１０〜４０ｇ／１０ｍ
ｍで変動幅が大かった。また、比較例２及び４はベース
フィルムと接着層の間で、比較例５〜７、９のものは接
着層間で剥離していた。

【０１２２】（Ｃ）リードの埋没状態 リードフレームの組み立ての際の接着テープへのリード
ピンの埋め込まれ状態を観察した。実施例１〜５１の接
着テープでは、リードピンは上記工程（ｂ）のリードフ
レーム組立時の貼り付け状態のまま、すなわち接着層Ａ
と接着層Ｂの界面で止まっていたが、比較例１、３及び
６のものは上記工程（ｃ）のダイボンディングの際の半
導体チップ貼り合わせ時に、リードピンが歪んだり移動
してその平坦性を損なっているものがあった。具体的に
は、比較例１及び３の場合は、リードピンが金属放熱板
と接触しているものがあり、比較例６の場合は、リード
ピンが接着層Ａに相当する接着層の中まで埋没してい
た。比較例２及び４のものはポリイミドフィルムで、比
較例５、７及び９のものは接着層Ａと接着層Ｂに相当す
る接着層の界面で止まっていた。

【０１２３】（Ｄ）半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢ
Ｔ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｂｉａｓｅ
ｄ Ｔｅｓｔ）を行った。この電気的信頼性テストは、
５ボルトに印加し、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨ
の条件下で行った。その結果、実施例１〜５１の場合
は、１０００時間経過後もショートは生じなかった。こ
れに対し、比較例１では３個に、比較例３では４個にリ
ードピンの移動による接触でショートが発生した。比較
例２、４〜９ではショートは発生しなかったが、比較例
２及び４でポリイミドフィルムと接着層との界面で、比
較例５〜７、９の場合、接着層Ａと接着層Ｂに相当する
接着層の界面で剥離しているものがそれぞれ８個ずつあ
ることが確認された。

【０１２４】以上の結果から、本発明の接着テープを用
いた場合には、半導体パッケージを良好に作製すること
ができるのに対し、比較例の接着テープを用いた場合に
は、リードフレームの組立に時間がかかったり、リード
ピンが埋め込まれたり、電気的信頼性試験でショートが
発生したり、接着力の変動が大きい等の問題があり、電
子部品作製の用途に適していないことが明らかである。

【０１２５】

【発明の効果】本発明の電子部品用接着テープは、上記
した試験結果に見られるように、充分な耐熱性及び接着
性を有しており、仮圧着が可能であって、作業性に優れ
ているから、例えば、リードフレーム固定用テープ用、
ＴＡＢテープ用、半導体装置を構成するリードフレーム
周辺の部材間、すなわちリードピン、半導体チップ搭載
用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接着に好適に使
用することができる。さらにその接着テープを用いて半
導体パッケージを作製した場合、リードピンの接着層へ
の埋め込み、リードピンの移動等がなく、接着層間及び
金属板と接着層間の界面剥離がなく、かつ高温、高湿、
高圧環境においても電気的信頼性が高いものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の接着テープを使用した樹脂封止型半
導体装置の一例の断面図である。

【図２】 従来の接着テープを使用した樹脂封止型半導
体装置の他の一例の断面図である。

【符号の説明】

１…半導体チップ、２…金属板（金属放熱板）、３…リ
ードピン、４…ボンディングワイヤー、５…樹脂、６…
接着層、６ａ…接着層Ａ、６ｂ…接着層Ｂ、６ｃ…接着
層Ｃ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 駒形 文規 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社 巴川製紙所電子材料事業部内 Ｆターム(参考） 4J004 AA16 AB01 AB05 CA08 CB03 CC03 DA02 DA03 DB03 FA05 4J040 DC092 EH031 HA026 HA066 HA136 HA196 HA306 JA07 KA42 LA02 NA20 PA23

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属板の少なくとも一面に接着層Ａ、接
   着層Ｂ及び接着層Ｃを順次積層してなる電子部品用接着
   テープにおいて、これら接着層がポリイミドにより形成
   され、且つ、金属板に接する接着層Ａのガラス転移温度
   が接着層Ｂのガラス転移温度より高く、接着層Ｂのガラ
   ス転移温度が接着層Ｃのガラス転移温度より高いことを
   特徴とする電子部品用接着テープ。
2. 【請求項２】 接着層Ａが下記式（１ａ）で表される構
   造単位１００〜２０モル％と、下記式（１ｂ）で表され
   る構造単位０〜８０モル％からなる少なくとも１つのポ
   リイミドを含有し、接着層Ｂが下記式（１ａ）で表され
   る構造単位１００〜４０モル％と、下記式（２）で表さ
   れる構造単位０〜６０モル％からなる少なくとも１つの
   ポリイミドを含有し、接着層Ｃが下記式（３ａ）で表さ
   れる構造単位９０〜４０モル％と、下記式（３ｂ）で表
   される構造単位１０〜６０モル％からなる少なくとも１
   つのポリイミドを含有することを特徴とする請求項１に
   記載の電子部品用接着テープ。 【化１】 （式中、Ａｒは芳香環を有する下記の構造から選ばれる
   二価の基を示す。） 【化２】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 及びＲ₄ は、同一でも異なっ
   ていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜４のアル
   キル基又はアルコキシ基を示すが、これら全ての基が同
   時に水素原子であることはない。） 【化３】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基、またはメ
   チレン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −を
   示し、ｎは１〜２０の整数を意味する。） 【化４】 （式中、Ｘは３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
   構造、３，３′，４，４′−ビフェニル構造、及び２，
   ３′，３，４′−ビフェニル構造のいずれかを有する四
   価の芳香族基を示し、Ａｒ及びＲは、それぞれ前記の定
   義と同一の意味を有する。）
3. 【請求項３】 接着層Ｂが、下記式（４ａ）及び（４
   ｂ）で表されるビスイミド化合物から選ばれる少なくと
   も１種類をポリイミド１００重量部に対して１〜１００
   重量部含有することを特徴とする請求項１又は請求項２
   に記載の電子部品用接着テープ。 【化５】 （式中、Ａｒは前記定義と同一の意味を有し、Ｒ₅ 、Ｒ
   ₆ 及びＲ₇ は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ
   水素原子、塩素原子、臭素原子、カルボキシル基、炭素
   数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
4. 【請求項４】 接着層Ａのガラス転移温度が接着層Ｂの
   ガラス転移温度より４０℃以上高いことを特徴とする請
   求項１又は請求項２に記載の電子部品用接着テープ。
5. 【請求項５】 接着層Ａ、接着層Ｂ及び接着層Ｃの少な
   くともいずれか一つの接着層が、粒径１μｍ以下のフィ
   ラー０．１〜５０重量％を含むことを特徴とする請求項
   １又は請求項２に記載の電子部品用接着テープ。
6. 【請求項６】 接着層Ｃの表面に剥離性フィルムを設け
   たことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子
   部品用接着テープ。
7. 【請求項７】 金属板の厚さが１０〜３００μｍの範囲
   にあることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用接
   着テープ。
8. 【請求項８】 金属板が銅、白銅、銀、鉄、４２合金及
   びステンレス鋼より選ばれた１種であることを特徴とす
   る請求項１または７に記載の電子部品用接着テープ。