JP2000006301A

JP2000006301A - 透明ガスバリア性フィルムおよびその製造方法および包装体

Info

Publication number: JP2000006301A
Application number: JP10180842A
Authority: JP
Inventors: Takashi Miyamoto; 隆司宮本; Tetsuya Niijima; 哲也新島
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1998-06-26
Filing date: 1998-06-26
Publication date: 2000-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】引張り等の応力に対してもバリア層の割れを抑
制し、初期の高いバリア性を維持することが出来る透明
ガスバリア性フィルムを提供する。【解決手段】透明な高分子樹脂組成物からなる基材フィ
ルムの少なくとも片面に、珪素酸化物を主成分とするバ
リア層を形成してなる透明ガスバリア性フィルムにおい
て、該バリア層の厚さ方向に炭素が均一に分布している
ことを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明な高分子樹脂
組成物からなる基材フィルム上に、ＰＶＤ法やＣＶＤ法
によってバリア層を設けた透明ガスバリア性フィルムお
よびその製造方法に関するものであり、更に詳しくは、
食品や医薬品等の実包装に適するように、高度のバリア
性と柔軟性とを併せ持った透明ガスバリア性フィルムお
よびその製造方法および包装体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＰＶＤ法やＣＶＤによって珪素酸
化物からなるバリア層を透明な高分子樹脂組成物からな
る基材フィルム上に設けた珪素酸化物積層フィルムは、
その優れたバリア性と透明性から、食品や医薬品等の包
装材料として好適に用いられてきた。さらに最近では、
ＰＶＤＣなどの塩素系バリア材が環境上の問題から忌避
されていることとも相まって、珪素酸化物積層フィルム
に対する期待度は増大しつつある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような珪
素酸化物積層フィルムにも問題点があった。それは珪素
酸化物層が緻密になりすぎると積層フィルム自身のガス
バリア性は優れたものになるものの、珪素酸化物層の柔
軟性が低いため、印刷やラミネート等を行って実用的な
包装体に加工する過程や内容物の充填、あるいは包装後
の取り扱いにおいて、珪素酸化物層に割れが発生し、初
期の優れたバリア性を維持出来ないという問題であり、
そのため珪素酸化物層上に別途保護コ−ト層を設けた
り、折り曲げ等の過度の応力がかかる用途には使用出来
ないといった制限があった。

【０００４】本発明は上記のような問題点を克服するた
めになされたもので、引張り等の応力に対してもバリア
層の割れを抑制し、初期の高いバリア性を維持すること
が出来る透明ガスバリア性フィルムを提供するものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するため、本発明請求項１に記載の透明ガスバリア性フ
ィルムは、高分子樹脂組成物からなる透明な基材フィル
ム上に設けた珪素酸化物を主成分とするバリア層の厚さ
方向に均一に炭素を分布せしめることを特徴としたもの
である。緻密で高いバリア性を有する反面、柔軟性に欠
ける珪素酸化物からなる膜中に、柔軟性に富む有機成分
を均一に分布せしめることで、高度のバリア性と柔軟性
とを併せ持たせた。

【０００６】また請求項２に記載の透明ガスバリア性フ
ィルムの製造方法は、まず珪素酸化物の真空蒸着層を形
成し、次いで少なくとも有機珪素化合物の蒸気と酸素ガ
スとを用いたＣＶＤ法によって、炭素を含有する酸化珪
素化合物を該珪素酸化物の真空蒸着層の厚さ方向に均一
に分布せしめる、といった逐次的にバリア層を形成する
ことを特徴としたものである。

【０００７】請求項３に記載の透明ガスバリア性フィル
ムの製造方法は、高分子樹脂組成物からなる透明な基材
フィルム上への珪素酸化物の真空蒸着層の形成を非酸化
性ガス雰囲気中で行うことを特徴としたものである。珪
素酸化物の真空蒸着を非酸化性ガスの存在下で行うこと
で、該珪素酸化物層中に極めて微細な隙間（ポア）を均
一に形成することが出来た。またこの微細なポア中に有
機成分を含有する酸化珪素化合物を埋め込む際に、少な
くとも有機珪素化合物の蒸気と酸素ガスとを用いたＣＶ
Ｄ法を用いることによって、均一に埋め込む事が出来、
バリア層の厚さ方向に均一に炭素を分布せしめることが
出来た。

【０００８】更に請求項４に記載の透明ガスバリア性フ
ィルムの製造方法は、該非酸化性ガスをヘリウムガスと
したもので、ガス分子径が小さく、不活性のヘリウムガ
スを用いることで、該珪素酸化物層中に設ける極めて微
細な隙間（ポア）の大きさや数（量）の制御を容易にし
たものである。

【０００９】請求項５に記載の透明ガスバリア性フィル
ムは、請求項１の透明ガスバリア性フィルムのバリア層
の上に更にヒートシール層が設けられている事を特徴と
する透明ガスバリア性フィルムである。請求項１の透明
ガスバリア性フィルムを用いることによりラミネート時
の欠陥発生を最小限に抑える事ができる。

【００１０】請求項６に記載の透明ガスバリア性フィル
ムは、請求項１または請求項５の透明ガスバリア性フィ
ルムのバリア層の反対側の基材フィルムに接着層を介
し、もしくは介さず支持基材層が設けられている事を特
徴とする透明ガスバリア性フィルムである。請求項１の
透明ガスバリア性フィルムを用いることによりラミネー
ト時の欠陥発生を最小限に抑える事ができる。

【００１１】請求項７に記載の透明ガスバリア性フィル
ムは、請求項１または請求項５または請求項６の透明ガ
スバリア性フィルムを用いて製袋されて、必要に応じて
印刷が施されている事を特徴とする包装体である。請求
項１の透明ガスバリア性フィルムを用いることにより欠
陥が発生しにくい包装体となるとともに、内容物のガス
バリアによる製品の劣化を最小限に抑える事ができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について説明する。

【００１３】本発明において用いられる高分子樹脂から
なる透明な基材フィルムとしては、通常包装用フィルム
として良く用いられる透明な高分子フィルム、例えば、
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、二軸延伸ポリ
プロピレン（ＯＰＰ）、二軸延伸ナイロン（ＯＮｙ）等
機械的強度、寸法安定性を有するものであり、平滑性が
優れ、且つ添加剤の量が少ないフィルムが好ましい。ま
た、この透明な高分子フィルムの表面に、バリア層との
密着性を良くするための前処理として、コロナ処理、低
温プラズマ処理、イオンボンバード処理等が施されてい
ても良く、さらに薬品処理、溶剤処理等が施されていて
も良い。また、その厚さは特に制限されるものではない
が、包装用フィルムとしての適性、バリア層を形成する
場合の加工性を考慮すると、５〜１００μｍの範囲が好
ましいと言える。また、量産性を考慮すれば、珪素酸化
物層の真空蒸着による形成および少なくとも有機珪素化
合物と酸素ガスとを用いたＣＶＤが連続的に出来るよう
に、長尺状フィルムを用いることが望ましい。

【００１４】上記のような高分子樹脂からなる透明な基
材フィルム上に、まず珪素酸化物層を真空蒸着法によっ
て形成する。この真空蒸着法によって形成される珪素酸
化物層はその構造中に均一で微細な隙間（ポア）を有す
るもので、その製造条件は広範囲に選択が可能である。
しかし、次工程のＣＶＤの反応生成物によってこのポア
を埋めることを考慮すると、このポア表面の化学的反応
性が良い方が好都合である。そのため、珪素酸化物の真
空蒸着層の形成を非酸化性ガス雰囲気中、中でも分子径
が小さいヘリウムガス中で行うことが特に好ましい。

【００１５】図２は本発明における珪素酸化物層の形成
に係わる真空蒸着装置の一例を示したものである。真空
蒸着装置はチャンバー１、チャンバー内に配設された供
給ロール２、巻取りロール３、冷却ロール４、補助ロー
ル５、坩堝６、電子銃７、偏向コイル８、非酸化性ガス
供給パイプ９等からなっており、不活性ガス供給パイプ
９上の供給口（図示せず）は坩堝６と冷却ロール４との
間に配置されている。まず供給ロール２に長尺状にした
基材フィルムのロールを装着し、補助ロ−ル５、冷却ロ
ール４、補助ロール５を経由して巻取りロール３に至る
原反搬送パスを形成する。また坩堝６中には蒸着原料１
３を入れ、チャンバーの蓋（図示せず）を閉じた後、内
部を真空ポンプ１０により１０^-3Ｔｏｒｒ以下、好まし
くは１０ ^-4Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧することが好ま
しい。

【００１６】この圧力が１０^-3Ｔｏｒｒより高いとチャ
ンバー内の残留ガス（主としてＨ₂Ｏ）が多く、非酸化
性ガスによるポアの形成とその制御に支障をきたすこと
があるためである。次に電子銃７から電子線を坩堝６内
の蒸着原料に照射して原料表面を蒸気化させるととも
に、ヘリウム等の悲酸化性ガスをボンベ１１から流量調
整器１２、不活性ガス供給パイプ９を通じてチャンバー
内に供給する。また同時に基材フィルムを供給ロール２
から巻取りロール３に向かって走行させ、その上に冷却
ロール４の下部において珪素酸化物層を連続的に形成さ
せた後、巻取りロール３によって巻き上げる。

【００１７】チャンバー内に供給する非酸化性ガスの種
類と量は、目的とするポアの数（量）、大きさ、巻取り
速度および用いる真空蒸着装置等によって異なってくる
が、蒸発原料の蒸発速度に対し、非酸化性ガスの供給速
度がモル換算比で０．１５〜１．０であることが望まし
い。

【００１８】この比が０．１５より小さいと珪素酸化物
の蒸気量に対して非酸化性ガスの量が少ないために、珪
素酸化物中に有効なポアを形成出来ない場合が生じる。

【００１９】反対に１．０以上であると珪素酸化物の蒸
気量に対して非酸化性ガス量が多すぎるため、珪素酸化
物の真空蒸着層の形成に続いてＣＶＤを行った後でさ
え、得られたフィルムのガスバリア性が低くなるためで
ある。

【００２０】次に少なくとも有機珪素化合物の蒸気と酸
素ガスとを用いたＣＶＤ法によって、炭素を含有する酸
化珪素化合物を前記珪素酸化物の真空蒸着層の厚さ方向
に均一に分布させる方法について説明する。

【００２１】図３は本発明を実施する為に用いられるＣ
ＶＤ装置の一例を示したものである。ＣＶＤ装置はチャ
ンバー２１、真空ポンプ３０、および原料ガス供給部４
０とからなっており、チャンバー内には供給ロール２
２、巻取りロール２３、冷却ロール２４、補助ロール２
５、電極２６が配設され、原料ガス供給部は、酸素ガス
ボンベ４１、酸素ガス用流量調整器４２、有機珪素化合
物原料４３を入れた原料加熱装置４４、有機珪素化合物
蒸気用流量調整器４５、ガス混合器４６、およびこれら
を結ぶガスパイプ２９からなっている。電極２６には原
料ガスを電極と接地された冷却ロール２４との間の空間
に供給出来るようにガス吹き出し口（図示せず）があ
り、またこの空間内でプラズマを発生、維持するための
磁石（図示せず）が具備されている。

【００２２】上記に例示したような真空蒸着において、
微細なポアを均一に有する珪素酸化物層を設けた長尺状
のフィルムロールを、前記真空蒸着装置の巻取りロール
３からＣＶＤ装置の供給ロール２２に移し、真空蒸着の
場合と同様に、補助ロール２５、冷却ロール２４、補助
ロール２５を経由して巻取りロール２３に至る原反搬送
パスを形成した後、チャンバーの蓋（図示せず）を閉
じ、内部を真空ポンプ３０により１０^-3Ｔｏｒｒ以下、
好ましくは１０^-4Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧する。

【００２３】次に原料加熱装置４４によって加熱、蒸気
化した有機珪素化合物原料４３を、所定の比率で酸素ガ
スと混合し、冷却ロール２４と電極２６との間の空間に
供給するのと同時に、電極に高周波電圧を加えてプラズ
マを発生させ、原反フィルムを搬送させて連続的に有機
珪素化合物蒸気と酸素ガスとの反応生成物を付着させ
て、巻取りロール２３によって巻き上げる。

【００２４】図３には有機珪素化合物蒸気と酸素ガスの
供給系のみを示したが、この他プラズマの発生、維持を
より容易にするためのヘリウムガスやアルゴンガスを供
給したり、２種類以上の有機珪素化合物蒸気を供給する
こともあり、その場合にはそれぞれのガスや蒸気の供給
系を併設することもある。

【００２５】本発明で用いられる有機珪素化合物として
は、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキ
シシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、ノルマルプロピルトリメトキシシラン、ノルマル
ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシ
ラン、ノルマルヘキシルトリメトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサ
メチルジシロキサン等である。

【００２６】少なくとも上記のような有機珪素化合物の
蒸気と酸素ガスとを用いてＣＶＤを行う場合、そのＣＶ
Ｄ条件によって反応生成物の組成や緻密性等の性質が異
なってくる。

【００２７】本発明においては、ＣＶＤによる反応生成
物自身が重合、固化する必要は無く、また単独で膜化す
るほどの量である必要もない。

【００２８】本発明において重要なことは、反応生成物
中に炭素が残存していることと真空蒸着によって形成さ
れた酸化珪素層中のポアに反応生成物が均一に入って行
けることであり、酸化珪素の真空蒸着層等に合わせて適
切なＣＶＤ条件を選択することである。

【００２９】ここではＣＶＤとしていわゆる低温プラズ
マＣＶＤを例示し、その方法と装置について説明した
が、本発明におけるＣＶＤは、特に低温プラズマＣＶＤ
に限定されるものではない。

【００３０】出来上がった透明ガスバリア性フィルム
は、図１に示した様に、基材フィルムの上にバリア層が
積層されている構造となっている。

【００３１】上記のようにして得られた透明ガスバリア
性フィルムの評価には以下の方法を用いた。

【００３２】〔組成分析〕島津製作所製のＥＳＣＡ３２
００を用い、Ａｒイオンによるエッチングと測定とを繰
り返すことによって、得られた透明ガスバリア性フィル
ムの表面から基材フィルムとの界面の間でのＯ１Ｓ，Ｃ
１Ｓ，Ｓｉ２Ｐの比を求めた。

【００３３】〔ガスバリア性〕・酸素ガスバリア性ＭＯＣＯＮ社製のＯＸＴＲＡＮ１０／５０Ａを用い、
３０℃，７０％ＲＨの条件の下で測定した。・水蒸気バリア性ＭＯＣＯＮ社製のＰＥＲＭＡＴＲＡＮＷ６を用い、４
０℃，９０％ＲＨの条件の下で測定した。

【００３４】〔引張り耐性〕得られた透明ガスバリア性
フィルムを長さ３０ｃｍ、幅１４ｃｍに切り出し、長さ
方向に低速で所定の歪み（３％，６％）まで引張った
後、元に戻して酸素ガスバリア性と水蒸気バリア性を測
定した。

【００３５】本発明のバリア層側、基材フィルム側の少
なくとも一方に以下に示すヒートシール可能な熱可塑性
材料であるシーラント材料を必要に応じてバリアー性接
着剤を介してラミネートしてヒートシール性樹脂として
用いることができる。

【００３６】具体的には、ポリエチレン、無伸延のポリ
プロピレン等が例示できる。

【００３７】ヒートシール性樹脂の厚みとしては、用度
により最適厚みは異なるが、１０〜１００μｍの範囲で
あり、好ましくは１５〜６０μｍである。

【００３８】ヒートシール性樹脂のヒートシール温度と
しては、用いる材料により適宜選択することができる
が、１５０℃〜２３０℃の温度範囲でヒートシールでき
る。このヒートシール性樹脂をバリア層上に形成する方
法としては、特に限定するものではなく、コーターによ
るコーティングや押し出しコーティング溶融フィルムを
接着剤を介して積層する方法等が例示できる。

【００３９】支持基材層は、紙、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート
等の基材を用いる事ができる。その厚みについては１０
〜２００μｍの範囲であって特に限定するものではな
い。

【００４０】そして、印刷は直接透明ガスバリアー性フ
ィルム自体に行なってもよいが、上記支持基材層に設け
るものであってもよく、印刷は全面に行なうものでも、
一部に行なうものでも、全く行なわないものでも良い。

【００４１】

【実施例】次に具体的な実施例を示し、本発明を更に詳
細に説明する。〔実施例１〕まず基材フィルムとして厚さ１２μｍのポ
リエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）の長尺状フィルム
のロールを真空蒸着装置の供給ロールに装着した後、真
空蒸着装置のチャンバー内部を１×１０^-5Ｔｏｒｒまで
減圧した。

【００４２】次に、電子銃に１５ｋｗの電力を供給して
発生させた電子線を、偏向コイルによって坩堝内の蒸着
原料（３０〜５０ｍｍの塊状の一酸化珪素）に照射さ
せ、蒸着原料を加熱、蒸発させるとともに、ガス導入パ
イプを通じてヘリウムガスを酸化珪素の蒸発速度に対し
て０．１５の割合で導入した。

【００４３】この時の酸化珪素の蒸発速度は、ある一定
時間における蒸着前後の蒸着原料の重量変化から予め求
めていた値を用いた。次に基材のＰＥＴフィルムを２ｍ
／ｍｉｎの速度で搬送し、上記蒸着雰囲気中の曝すこと
によって、ポアを含む珪素酸化物層を形成した。

【００４４】続いて、このポアを含有する珪素酸化物層
を設けたＰＥＴフィルムロールをＣＶＤ装置の供給ロ−
ルに再装着し、ＣＶＤ装置のチャンバー内を３×１０^-5
Ｔｏｒｒまで減圧した。

【００４５】一方有機珪素化合物としてヘキサメチルジ
シロキサンを原料加熱装置によって加熱、気化させ５０
ｃｃ／ｍｉｎの流量に調整し、１０００ｃｃ／ｍｉｎの
酸素ガスとガス混合器内で混合した後、電極表面の供給
口からチャンバー内へ導入した。同時に電極に５ｋｗの
高周波電圧を印加し、電極と冷却ロールとの間の空間に
プラズマを発生させた。

【００４６】その後原反を供給ロールから１０ｍ／ｍｉ
ｎの速度で搬送させ、冷却ロール上で、ヘキサメチルジ
シロキサンと酸素との反応生成物を珪素酸化物の真空蒸
着層中に設け、巻取りロールによって巻取り、透明ガス
バリア性フィルムを得た。

【００４７】この透明ガスバリア性フィルムの組成（炭
素含有率（原子数％））を前記の方法で測定したとこ
ろ、図４に示したように、厚さ方向に約１５％の炭素が
ほぼ均一に分布していることが分かった。

【００４８】図４において、エッチング時間０ｍｉｎで
炭素量が多いのは、最表面に付着している汚染炭素（炭
化水素）によるものであり、エッチング時間９ｍｉｎ以
降で再び炭素量が多くなっているのは基材のＰＥＴフィ
ルム中に含まれている炭素の影響である。従ってこれら
の間、すなわちエッチング時間で０．５ｍｉｎから８．
５ｍｉｎまでがバリア層中の炭素量を表していることに
なる。またガスバリア性および引張り耐性の測定結果の
測定結果を表１に示した。これより、６％まで引張った
後でさえ、初期のガス遮断性が良く維持されていること
が分かる。

【００４９】〔比較例１〕実施例１の真空蒸着による珪
素酸化物層の形成において、ヘリウムガスを導入せずに
行い、その後のＣＶＤは実施例１と同様に行ったものを
比較例１とする。

【００５０】このフィルムについての炭素含有量分布も
図４に示した。実施例１と異なって、炭素は表面近く
（エッチング時間２ｍｉｎ以内）に多く存在したが、そ
れより内部には殆ど存在していないことが分かった。

【００５１】これは、真空蒸着層の形成においてヘリウ
ムガスを導入しなかったため、珪素酸化物層中にポアが
殆ど存在せず、ＣＶＤによる反応生成物がその内部に入
っていけなかったためと考えられる。

【００５２】また、このフィルムのガスバリア性と引張
り耐性の測定結果についても表１中に示した。表１よ
り、初期のガスバリア性に関しては実施例１と同様に優
れているものの、引張りによって急激にガスバリア性が
低下していることが分かる。

【００５３】

【表１】

【００５４】表１の註釈は以下の通り。 ※この表において蒸着の欄のＨｅ／ＳｉＯｘは珪素酸化
物の真空蒸着におけるＨｅガスの導入量と珪素酸化物の
蒸発量とのモル比を表している。 ※またＣＶＤの欄のＨＭＤＳＯとＯ₂ はそれぞれＣＶＤ
におけるヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と酸
素ガスの導入量（ｃｃ／ｍｉｎ）を表している。 ※ＯＴＲ、ＷＶＴＲはそれぞれ酸素ガス透過率（ｃｃ／
ｍ² ・ｄａｙ・ａｔｍ）、水蒸気透過率（ｇ／ｍ² ・ｄ
ａｙ）を表している。

【００５５】〔実施例２〜４〕実施例１において、真空
蒸着中に導入するヘリウムガス量を珪素酸化物の蒸発量
に対して０．５０としたものを実施例２、１．０とした
ものを実施例３、またＣＶＤにおいて導入するヘキサメ
チルジシロキサン量を１００ｃｃ／ｍｉｎとしたものを
実施例３とした。

【００５６】これらについての炭素含有量分布はここで
は図示していないが、実施例１の場合と同じ傾向（バリ
ア層中の炭素量が厚さ方向でほぼ均一）であった。また
これらについてのガスバリア性と引張り耐性も表１中に
示したが、初期のガスバリア性に比べて引張り後も劣化
が小さく抑えられていた。

【００５７】〔比較例２〜７〕

【００５８】実施例１において、真空蒸着中に導入する
ヘリウムガス量を珪素酸化物の蒸発量に対して２．０と
したものを比較例２、真空蒸着を行わなずに基材のＰＥ
Ｔ上に直接ＣＶＤを行ったものを比較例３、また実施例
1 、2 、および比較例1 、2においてＣＶＤを行わなか
ったものをそれぞれ比較例4 、5 、6 、7 とし、それぞ
れのガスバリア性および引張り耐性も表１中に示した。

【００５９】比較例２の炭素含有量分布は実施例に示し
たものの分布と同様であったが、初期のガスバリア性が
低かった。また比較例３のガスバリア性は、ＯＴＲ約１
５０ｃｃ／ｍ² ・ｄａｙ・ａｔｍ、ＷＶＴＲ約５５（ｇ
／ｍ² ・ｄａｙ）で基材のＰＥＴフィルム単独でのガス
バリア性とほぼ同じであり、ＣＶＤだけではガスバリア
性が殆どないことが分かった。

【００６０】比較例４〜７においてはいずれも引張りに
おいて急激にガスバリア性が低下した。

【００６１】上記した実施例および比較例から明白なよ
うに、初期のガスバリア性および引張り耐性をともに優
れたものにするためには、珪素酸化物の真空蒸着中に珪
素酸化物の蒸気量に対して０．１５〜１．０（モル比）
の不活性ガスを導入してその真空蒸着層中にポアを形成
し、続いて少なくとも有機珪素化合物蒸気と酸素ガスと
を用い、適切な条件下においてＣＶＤを行うことで、珪
素酸化物層の厚さ方向に均一に炭素が分布した透明ガス
バリア性フィルムを得ることが重要である。

【００６２】

【発明の効果】以上詳述したように、非酸化性ガスの存
在下、中でも分子径が小さいヘリウムガスの存在下にお
いて珪素酸化物の真空蒸着を行い、続いて少なくとも有
機珪素化合物蒸気と酸素ガスとを用いたＣＶＤを行うこ
とによって、珪素酸化物の真空蒸着層の厚さ方向に均一
に炭素を分布させることができた。またこのようにして
得られた透明ガスバリア性フィルムは初期のガスバリア
性に優れるとともに、引張り等の変形によるガスバリア
性の劣化が少ないものであった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明ガスバリア性フィルムの一例を示
す断面模式図である。

【図２】本発明の珪素酸化物層の形成に係わる真空蒸着
装置の一例を示す断面模式図である。

【図３】本発明のＣＶＤ法の実施に係わるＣＶＤ装置の
一例を示す断面模式図である。

【図４】実施例１および比較例１の透明ガスバリア性フ
ィルムのバリア層中の炭素含有率を示した組成分布図で
ある。

【符号の説明】

１真空蒸着チャンバー２供給ロール３巻取りロール４冷却ロール５補助ロール６坩堝７電子銃８偏向コイル９非酸化性ガス供給パイプ１０真空ポンプ１１不活性ガスボンベ１２流量調整器１３蒸着原料２１ＣＶＤチャンバー２２供給ロール２３巻取りロール２４冷却ロール２５補助ロール２６電極３０真空ポンプ４０原料ガス供給部４１酸素ガスボンベ４２酸素ガス用流量調整器４３有機珪素化合物原料４４原料加熱装置４５有機珪素化合物蒸気用流量調整器４６ガス混合器５１基材フィルム５２バリア層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 16/42 Ｃ２３Ｃ 16/42 Ｆターム(参考） 3E086 AA23 AC07 AD01 BA15 BA40 BB01 BB22 BB62 BB90 CA01 CA28 4F006 AA35 AB76 BA05 DA01 4F100 AA20B AA20C AA36B AA36C AK01A AK42 AL05A AR00B AR00C AR00D AR00E AT00E BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA10B BA10C BA10D BA10E BA13 CB00 EH661 EH662 GB15 JD01 JD01B JD01C JL12D JL12E JN01 JN01A 4K029 AA11 AA25 BA46 BC00 BC08 CA01 DB05 EA05 FA07 GA03 4K030 AA06 AA09 AA14 BA27 CA07 FA03 GA14 HA04 LA01 LA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な高分子樹脂組成物からなる基材フィ
ルムの少なくとも片面に、珪素酸化物を主成分とするバ
リア層を形成してなる透明ガスバリア性フィルムにおい
て、該バリア層の厚さ方向に炭素が均一に分布している
ことを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。
【請求項２】珪素酸化物を主成分とし、厚さ方向に炭素
が均一に分布してなるバリア層を有する透明ガスバリア
性フィルムの製造方法において、まず珪素酸化物の真空
蒸着層を形成し、次いで少なくとも有機珪素化合物の蒸
気と酸素ガスとを用いたＣＶＤ法によって、炭素を含有
する酸化珪素化合物を該珪素酸化物の真空蒸着層の厚さ
方向に均一に分布せしめる、といった逐次的にバリア層
を形成することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム
の製造方法。
【請求項３】請求項２に記載の透明ガスバリア性フィル
ムの製造方法において、珪素酸化物の真空蒸着層の形成
を非酸化性ガス雰囲気中で行うことを特徴とした透明ガ
スバリア性フィルムの製造方法。
【請求項４】請求項２および３に記載の透明ガスバリア
性フィルムの製造方法において、珪素酸化物の真空蒸着
層の形成を行う際の非酸化性雰囲気ガスがヘリウムガス
であることを特徴とした透明ガスバリア性フィルムの製
造方法。
【請求項５】請求項１の透明ガスバリア性フィルムのバ
リア層の上に更にヒートシール層が設けられている事を
特徴とする透明ガスバリア性フィルム。
【請求項６】請求項１または請求項５の透明ガスバリア
性フィルムのバリア層の反対側の基材フィルムに接着層
を介し、もしくは介さず支持基材層が設けられている事
を特徴とする透明ガスバリア性フィルム。
【請求項７】請求項１または請求項５または請求項６の
透明ガスバリア性フィルムを用いて製袋されて、必要に
応じて印刷が施されている事を特徴とする包装体。