ITMI941380A1 - Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter - Google Patents

Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter Download PDF

Info

Publication number
ITMI941380A1
ITMI941380A1 IT001380A ITMI941380A ITMI941380A1 IT MI941380 A1 ITMI941380 A1 IT MI941380A1 IT 001380 A IT001380 A IT 001380A IT MI941380 A ITMI941380 A IT MI941380A IT MI941380 A1 ITMI941380 A1 IT MI941380A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
hydrogen
getter material
fed
pressure
bar
Prior art date
Application number
IT001380A
Other languages
English (en)
Inventor
Corrado Carretti
Bruno Ferrario
Original Assignee
Getters Spa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Getters Spa filed Critical Getters Spa
Publication of ITMI941380A0 publication Critical patent/ITMI941380A0/it
Priority to ITMI941380A priority Critical patent/IT1269978B/it
Priority to TW084106234A priority patent/TW289203B/zh
Priority to CA002169364A priority patent/CA2169364A1/en
Priority to PCT/IT1995/000108 priority patent/WO1996001492A1/en
Priority to DE69507275T priority patent/DE69507275T2/de
Priority to RU96107197/09A priority patent/RU2133995C1/ru
Priority to EP95922720A priority patent/EP0716772B1/en
Priority to KR1019960700961A priority patent/KR100369723B1/ko
Priority to JP8503775A priority patent/JPH09502832A/ja
Priority to CN95190581A priority patent/CN1086505C/zh
Publication of ITMI941380A1 publication Critical patent/ITMI941380A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1269978B publication Critical patent/IT1269978B/it
Priority to US08/869,465 priority patent/US6100627A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H01J7/183—Composition or manufacture of getters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Description

DESCRIZIONE dell’invenzione industriale dal titolo: "METODO PER LA CREAZIONE ED IL MANTENIMENTO DI UN’ATMOSFERA CONTROLLATA IN UN DISPOSITIVO AD EMISSIONE DI CAMPO TRAMITE L’USO DI UN MATERIALE GETTER"
La presente invenzione si riferisce ad un metodo per la creazione ed il mantenimento di un’atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di materiale getter.
I dispositivi ad emissione di campo sono studiati per varie applicazioni, tra cui la realizzazione di schermi piatti, chiamati FED (dall’inglese Field Emitter Display, Schermo ad Emissione di Campo). Questi schermi, in fase di sviluppo, sono destinati alla riproduzione di immagini in generale, ed in particolare alla realizzazione di schermi televisivi piatti.
In generale,un FED è ottenuto saldando lungo il loro perimetro due parti divetro piane; la saldatura si realizza facendo fondere una pasta di vetro bassofondente, con un’operazione chiamata "frittaggio". La struttura finale è costituita da due superfici parallele a distanza di poche centinaia di micrometri. Lo spazio interno al FED è mantenuto sotto vuoto. Sulla superficie interna della parte posteriore sono ottenuti una pluralità di microcatodi appuntiti (microtips) realizzati, in materiale metallico, per esempio molibdeno, che emettono elettroni, e una pluralità di elettrodi griglia, collocati a brevissima distanza da detti catodi,così da originare un campo elettrico molto elevato;questo campo elettrico estrae elettroni dalla punta dei microtips, generando una corrente elettronica che viene accelerata verso i fosfori, disposti sulla superficie interna della parte anteriore (lo schermo vero e proprio). L’intensità di luminescenza dei fosfori così eccitati, e quindi la luminosità dello schermo, sono direttamente proporzionai i alla corrente emessa dai microtips.
Fino ad ora si riteneva che, per il buon funzionamento del FED, fosse necessario mantenere la pressione nello spazio vuoto tra i microtips ed i fosfori a valori inferiori a 10<-5 >mbar; a questo scopo varie domande di brevetto proponevano l’uso di materiali getter, come BaA14, indicato in EP-A-443865, metalli quali la, Ti, Nb o Zr indicati in EP-A-572170 , e combinazioni di polveri di Ti, Zr, Th e loro idruri con leghe a base di Zr, da impiegarsi sotto forma di strati porosi, come descritto nella domanda di brevetto italiana MI94-A-000359.
Studi recenti, tuttavia, hanno evidenziato che non tutti i gas hanno un effetto deleterio sul funzionamento dei FED. In particolare, 1’idrogeno può essere presente nel dispositivo a pressioni maggiori di 10<-5 >mbar.
Spindt et al., in IEEE Transactions on Electron Devices, voi. 38, n<‘ >10 (1991), pag. 2355-2363, e Mousa, in Vacuum, Voi. 45, N’ 2-3 (1994) pag. 235-239, misurando la corrente emessa dai microtips a voltaggio costante in funzione dell’ambiente gassoso, hanno mostrato che l’idrogeno non danneggia l'emissione elettronica anche a tempi lunghi se presente nel FED ad una pressione fino a 1,5-10 mbar. Inoltre,una introduzione di idrogeno in un FED "invecchiato", cioè la cuiemissività elettronica sia diminuita nel tempo, riporta l’emissività stessa ai valori iniziali. L’articolo di Spindt et al. citato mostra anche che i gas ossidanti, in particolare l’aria, hanno il previsto effetto negativo sull’emissione di corrente da parte dei microtps.
Nell’articolo di Mousa citato è anche evidenziato che, a valori di pressione superiori a 2 -10<-1 >mbar l’idrogeno ha un effetto negativo sull'emissività elettronica, probabilmente dovuto all’erosione dei microtips dovuta al bombardamento di ioni di idrogeno che si verifica a queste pressioni relativamente alte.
In definitiva, sembra emergere da questi studi il fatto che un ambiente gassoso ottimale all’interno dei FED dovrebbe essere privo di gas ossidanti e contenere una piccola pressione parziale di gas riducenti, in particolare idrogeno.
Anche se, come visto, gli effetti dell’idrogeno sono noti nelle loro linee generali, non esiste al momento un metodo industrialmente utile per il dosaggio di quantità controllate di idrogeno all’interno del FED. Gli studi fin qui svolti hanno seguito modalità di laboratorio, in cui l’idrogeno viene introdotto nel FED tramite una tubulazione apposita (codetta) ricavata nella struttura del FED stesso. La procedura derivabile dalle prove di laboratorio,non applicabile in pratica ad una linea di produzione industriale, prevederebbe i seguenti passaggi:
chiusura del FED per frittaggio di una pasta di vetro bassofondente ai bordi delle due parti piane in vetro (anteriore e posteriore) che costituiscono il dispositivo stesso;
evacuazione del FED tramite la codetta di vetro posta generalmente nella parte posteriore del FED stesso;
introduzione di idrogeno in quantità misurata tramite la codetta;
chiusura della codetta per compressione a caldo ( “tip-off").
Un simile processo presenta almeno i seguenti svantaggi :
il dosaggio di basse pressioni parziali tramite idrogeno di linea è di difficile riproducibi lità;
il surriscaldamento locale che si ha durante il processo di "tip-off" potrebbe causare fughe rilevanti di idrogeno stesso.
Uno scopo della presente invenzione è quindi quello di fornire un metodo per la creazione ed il mantenimento all’interno dei FED di un ambiente gassoso ottimale per il loro funzionamento, in particolare un ambiente essenzialmente privo di gas ossidanti e con una pressione di idrogeno compresa tra circa 10<-7 >e 10<-3 >mbar, e comunque superiore alla pressione dei gas ossidanti.
Un ulteriore scopo della presente invenzione è quello di fornire un metodo per l’introduzione di idrogeno in un FED, tale che si abbia anche, durante la fase di chiusura del FED stesso per frittaggio, una sovrappressione di idrogeno che mantenga un ambiente riducente sui microtips ed aiuti l’espulsione dei gas ossidanti potenzialmente dannosi.
Questi ed altri scopi sono raggiunti secondo la presente invenzione tramite un metodo per la creazione ed il mantenimento in un FED di un’atmosfera essenzialmente priva di gas ossidanti e con una pressione di idrogeno compresa tra 10<-7 >e 10<-3 >mbar, costituito dai seguenti passaggi:
- caricare un materiale getter con idrogeno gassoso esponendolo ad una pressione di questo gas compresa tra 10<-4 >e 2 bar;
- disporre il materiale getter saturato di idrogeno all’interno del FED prima della sua sigillatura per frittaggio;
- saldare lungo il loro perimetro le due parti che costituiscono il FED per frittaggio a temperatura compresa tra 400 e 500°C di una pasta di vetro bassofondente;
- evacuare il FED, o durante la fase di sigillatura per frittaggio oppure in seguito tramite una codetta appositamente predisposta, da chiudersi ermeticamente dopo evacuazione per "tip-off".
Con il termine caricare, come usato nel testo e nelle rivendicazioni, si intende l’introduzione di idrogeno in un materiale getter che si realizza esponendo il materiale getter, ad una temperatura fissata, ad una pressione fissata di idrogeno; non necessariamente la quantità di idrogeno così introdotta nel materiale getter è quella di saturazione alla temperatura a cui si opera.
L’invenzione verrà di seguito illustrata con riferimento ai disegni e diagrammi delle Figure, in cui:
in Fig. 1 è rappresentato un FED chiuso;
in Fig. 2 è rappresentata la superficie interna della parte in vetro posteriore di un FED, cioè la superficie su cui sono disposti i microtips; in Fig. 3 è rappresentata la sezione lungo la linea I-I di un FED di Fig. 1, realizzato secondo il processo "in camera" come spiegato di seguito;
in Fig. 4 è rappresentata la sezione di un FED realizzato in modo alternativo, secondo il processo "a codetta" illustrato nel seguito.
in Fig. 5 è rappresentato in forma schematica un sistema per il trattamento di gas impiegato per caricare i materiali getter con idrogeno; in Fig. 6 è rappresentato in forma schematica un sistema per la misura delle quantità di gas assorbite o rilasciate dai materiali getter; in questo sistema è possibile simulare il processo di frittaggio impiegato per la sigillatura dei FED;
in Fig. 7 sono riportate due curve di assorbimento di CO2 per due campioni di materiale getter trattati diversamente.
In dettaglio, in Fig. 1 è rappresentato un FED finito (10), composto da una parte piana in vetro anteriore (11) ed un parte piana in vetro posteriore (12), saldate lungo il perimetro con una pasta di vetro bassofondente (13); in Fig. 1 è anche evidenziata con un tratteggio l’area (14) su cui sono disposti i fosfori sulla superficie interna della parte 11. La Fig. 2 mostra schematicamente la superficie interna (20) della parte posteriore (12) di un FED, e mette in evidenza l’area (21), opposta e corrispondente all’interno del FED all’area 14, su cui sono disposti i microtips.Questi sono reaiizzati con tecniche costruttive planari tipiche della tecnologia dei dispositivi a stato solido, e possono raggiungere una densità dell’ordine delle decine di migliaia di microtips per millimetro quadrato. L’evacuazione del FED può essere realizzata sia durante la fase di sigillatura per frittaggio della pasta di vetro 13, operando in una camera sotto vuoto (processo in camera), oppure predisponendo nel FED una codetta di vetro tramite cui si effettua il vuoto nel FED sigillato e che viene in seguito chiusa ermeticamente per ,,tip-off,‘. In Fig. 3 è rappresentata la sezione (non in scala) lungo la linea I-I di un FED di Fig. 1, che illustra la configurazione tipica che si ottiene nel caso del processo in camera. In questo processo le due parti in vetro anteriore (11) e posteriore (12) che compongono il FED vengono introdotte in una camera mantenuta sotto vuoto durante tutto il processo, giustapposte, e riscaldate fino alla temperatura di fusione della pasta 13 che realizza la saldatura. In questo processo, la disposizione più conveniente per il materiale getter risulta essere in forma di striscia (30)disposta lungo uno o più lati dell’area dove sono alloggiati i microtips; per i dettagli sui metodi di deposizione del materiale getter, che deve presentare un’elevata area superficiale e quindideve essere preferìbi lmente presente in forma porosa, si rimanda al la domanda di brevetto MI94-A-000359 a nome della Richiedente. In Fig. 3 sono anche messi in evidenza i microtips (31), costruiti su una base (32) di silicio; gli elettrodi griglia (33), separati dalla base (32) da uno strato (34) di materiale dielettrico; i fosfori (35); e lo spazio interno (36) del FED da mantenere in atmosfera controllata. Le dimensioni delle parti non sono in scala, in quanto le due parti in vetro 11 e 12 possono avere spessore di alcuni millimetri, lo spazio 36 ha uno spessore di poche centinaia di micron, mentre la struttura catodica (microtips ed elettrodi griglia) ha generalmente un’altezza di pochi micron. Nel disegno non sono mostrati i passanti elettrici di alimentazione del dispositivo.
In alternativa, il FED può essere realizzato con il processo "a codetta”, in cui le due parti in vetro vengono saldate per frittaggio in ambiente non evacuato. L’evacuazione del FED viene effettuata in un secondo passaggio, tramite una tubulazione di vetro (codetta) appositamente predisposta su una delle due parti del FED, generalmente quella posteriore. La Fig. 4, analoga alla Fig. 3, rappresenta una sezione di un FED realizzato con il processo a codetta; in questo caso il materiale getter (40) viene accomodato, generalmente in forma supportata, nella parte della codetta (41) più prossima al FED, che rimane dopo l’operazione di "tip-off".
Il processo in camera può risultare preferibile in quanto più pulito e più facilmente automatizzabile. In entrambi i processi, comunque, durante il frittaggio la pasta di vetro bassofondente rilascia una quantità non trascurabile di gas e vapori ossidanti, in particolare vapor d’acqua, che potrebbero diminuire sensibilmente l’emissività elettronica dei microtips. Durante questa fase il materiale getter rilascia parte dell’idrogeno con cui era stato precedentemente caricato,e questo idrogeno consente il mantenimento di un ambiente riducente sui microtips; inoltre, la sovrappressione di idrogeno che si genera in questa fase ha anche un effetto meccanico di espulsione dei gas ossidanti, aiutando così il mantenimento di un ambiente riducente.
Il materiale getter è presente nel FED in forma supportata, per esempio laminato su un nastro metallico o come polvere compressa all’interno di un contenitore aperto. I materiali getter che possono essere impiegaticome "serbatoio” di idrogeno possono essere i più vari, ma preferibilmente devono presentare una pressione di equilibrio di idrogeno relativamente elevata a temperatura intorno a quella ambiente (temperatura a cui si trovano i FED durante il funzionamento), per ottenere una pressione di idrogeno all’interno del FED, dopo chiusura per frittaggio, compresa tra 10<-7 >e 10<-3 >mbar. In una forma realizzativa preferita dell’invenzione, il supporto può essere riscaldato durante la vita del FED, per aumentare l’emissione di idrogeno qualora si notasse una diminuzione nel tempo di efficienza del dispositivo. L’elemento riscaldante può essere una resistenza riportata sulla faccia del supporto opposta a quella su cui è fissato il materiale getter, oppure è possibile sfruttare la resistenza stessa del materiale che costituisce il supporto. Questa forma di realizzazione preferita permette di avere un miglior controllo sulla pressione di idrogeno all’interno del FED durante la vita del dispositivo.
Materiali getter impiegabili per gli scopi dell’invenzione sono in generale le leghe Α1+χΒ2 dove:
A è scelto tra Zr e Ti
B è scelto tra V, Mn, Fe, Co e Ni, con eventuali aggiunte in quantità limitate di altri elementi di transizione come per esempio Cr
x è compreso tra 0 e 0.3.
All’interno della classe di composti sopra indicata risultano particolarmente utili le seguenti leghe:
le leghe ZrM2, dove M è un metallo di transizione scelto tra Cr, Mn, Fe, Co o Ni e loro miscele, descritte nel brevetto US 5.180.568 a nome della Richiedente;
il composto intermetal1ico Zr1MnFe1 , prodotto e venduto dalla Richiedente con il nome St 909; le leghe Zr-V-Fe descritte nel brevetto US 4.312.669 a nome della Richiedente, la cui composizione percentuale in peso riportata in un diagramma ternario di composizioni è compresa in un triangolo avente per vertici i seguenti punti:
ed in particolare la léga di composizione percentuale in peso Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4%, prodotta e venduta dalla Richiedente sotto il nome St 707;
Il composto intermetallico Zr1V1Fe1 prodotto e venduto dalla Richiedente sotto il nome St 737; le leghe Ti-Ni ;
le leghe Ti-V-Mn descritte nel brevetto US 4.457.891.
Il caricamento dell’idrogeno nelle leghe sopra elencate viene effettuato operando a temperatura ambiente in idrogeno ad una pressione compresa tra 10<-1 >e 2 bar, e richiede un tempo variabile tra circa 1 e 60 minuti.
I valori di pressione di idrogeno da impiegare dipendono dal particolare materiale getter considerato; gli intervalli indicativi per i materiali sopra elencati sono i seguenti:
All’interno di questi intervalli, il valore particolare di pressione di idrogeno nella fase di caricamento della lega dipende dall’operazione di frittaggio del FED: infatti, come detto, durante questa operazione il materiale getter viene riscaldato indirettamente e rilascia parte dell’idrogeno in esso contenuto. La quantità di idrogeno rilasciato dipende dal ciclo termico a cui il FED è sottoposto, ed in particolare dal tempo in cui rimane alla massima temperatura. La conoscenza dei dettagli del processo di frittaggio e della pressione di equilibrio dell'idrogeno sopra le varie leghe al variare della temperatura permette di dosare esattamente la quantità di idrogeno da introdurre inizialmente nel materiale getter di modo che, dopo frittaggio, la parte residua possa dare luogo ad una pressione di equilibrio nel campo di pressioni desiderate nel FED. Un esempio di determinazione delle condizioni di caricamento con idrogeno per una lega è riportato negli esempi.
Gli esempi di seguito riportati hanno uno scopo puramente illustrativo delle caratteristiche dell’invenzione e non devono in alcun modo essere considerati limitativi della portata della stessa.
ESEMPIO 1
In questo esempio si riporta una prova di caricamento con idrogeno di una lega getter.
Il sistema impiegato è riportato schematicamente in Fig. 5 e consiste di un serbatoio principale (50) di idrogeno collegato, tramite una linea (51) ed una valvola (52), ad una prima camera (53) provvista di un manometro (54). La esimerà (53) è collegata, tramite una linea (55) ed una valvola (56) ad una seconda camera (57) in cui è presente un alloggiamento (58) per il campione. La temperatura dell 'alloggiamento (58) è controllata tramite un elemento riscaldante (59) e misurata con una termocoppia (60). La camera (57) è collegata tramite la linea (61) e la valvola (62) al sistema di pompe da vuoto (63).
La prova viene condotta su un campione di lega St 707 avente la composizione precedentemente riportata. 130 mg di detta lega vengono introdotti in un contenitore ad anello e compressi. Il campione viene quindi introdotto nel sistema per il caricamento di idrogeno descritto. Dopo evacuazione e attivazione del campione a 200°C, lo stesso viene lasciato raffreddare fino a circa 50°C. A questa temperatura, l’idrogeno viene immesso nella camera (57) ad una pressione di 0,67 mbar. Il campione assorbe circa 4,3 mg di idrogeno per grammo di lega. Il materiale getter così caricato costituisce il campione 1.
ESEMPIO 2
In questo esempio si riporta una prova in cui vengono simulati il processo di frittaggio dei FED ed il rilascio di idrogeno da parte di un materiale getter caricato con questo gas. La prova viene svolta in un sistema da vuoto costituito da una camera (70) a cui sono collegati un manometro (71) e,tramite una linea (72) ed una valvola (73), un sistema di pompe da vuoto (74); la camera (70) è anche collegata, tramite la linea (75) e la valvola (76) ad un serbatoio di C02 (77) che viene impiegata in una prova successiva; il sistema è schematizzato in Fig. 6.
Il campione 1 viene introdotto nella camera 70. La camera 70 viene evacuata e degasata per una notte. Si procede poi alla simulazione del frittaggio. Il trattamento viene effettuato portando il campione a 450°C per 20 minuti; durante questa operazione, la valvola 73 viene strozzata, riducendo così la portata di gas evacuati dal sistema di pompe 74; in questo modo si simulano le condizioni di fuoriuscita di gas dal perimetro del FED durante l’operazione di sigillatura. Alla fine di questo trattamento viene chiusa la valvola 73. La pressione residua nella camera 70 risulta essere 1,3-10<-3 >mbar. Lasciando raffreddare il campione fino a temperatura ambiente, si osserva una diminuzione progressiva della pressione fino a 4-10<-6 >mbar.
ESEMPIO
Dopo la prova riportata nell'esempio 2 si effettua una prova di assorbimento d1 gas da parte del materiale getter secondo le procedure del test ASTM F 798-82. La camera 70 viene messa 1n comunicatione con un serbatoio di C02 (77), mantenendo chiusa la valvola (73) ed aprendo la valvola (76), In modo da mantenere una pressione costante in camera di C02 di 4·10<-5 >mbar. Viene registrato l'andamento della velocitàd1 assorbimento (G) di C02 (in cc al secondo) in funzione della quantità assorbita (Q) (1n cm<3>-mbar a condizioni normali). I risultati della prova sono riportati in Fig. 7 (curva a).
ESEMPIO 4 (COMPARATIVO)
Viene ripetuta la prova dell'esempio 2, sostituendo però il campione di materiale getter caricato con Idrogeno con un campione uguale per composizione, peso e dimensioni ma non caricato con idrogeno,Alla fine della prova la pressione misurata nella camera 70 risulta essere di circa 8-10<-7 >mbar. Su questo campione è stata quindi eseguita una prova d1 assorbimento come da esempio 3, i cui risultati sono riportati 1n F1g. 7 (curva b). Le due curva a) e b) appaiono sostanzialmente simili.
Il risultato di questa prova conferma che la pressione finale misurata nel corso della prova 2 è da attribuirei alla presenza di idrogeno, e che il materiale getter è in grado di sostenere il frittaggio nelle condizioni riportate.
Come si ricava dall’esame degli esempi sopra riportati, il metodo della presente invenzione permette di mantenere all'Interno di un FED un ambiente ottimale per il funzionamento del dispositivo. In particolare, la presenza di un materiale getter caricato con Idrogeno permette di ottenere una pressione diIdrogeno nell’intervallo di valori desiderato; inoltre, il caricamento dal materiale getter con idrogeno non interferisce con l’azione di assorbimento dei gas diversi dall'idrogeno, favorendo il mantenimento di un ambiente sostanzialmente privo di gas ossidanti durante la vita del F=D (esempio 3).

Claims (9)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Metodo per la creazione ed il mantenimento in un FED di un’atmosfera essenzialmente priva di gas ossidanti e con una pressione di idrogeno compresa tra 10<-7 >e 10<-3 >mbar, costituito dai seguenti passaggi: - caricare un materiale getter con idrogeno gassoso esponendolo ad una pressione di questo gas compresa tra 10<-4 >e 2 bar; - disporre il materiale getter saturato di idrogeno all’interno del FED prima della sua sigillatura per frittaggio; - saldare lungo il loro perimetro le due parti che costituiscono il FED per frittaggio a temperatura compresa tra 400 e 500°C di una pasta di vetro bassofondente; - evacuare il FED, o durante la fase di sigillatura per frittaggio oppure in seguito tramite una codetta appositamente predisposta, da chiudersi ermeticamente dopo evacuazione per "tip-off".
  2. 2. Metodo per l’introduzione di idrogeno in un FED secondo la rivendicazione 1 in cui il materiale getter ha formula generale A1+xB2, dove: - A è scelto tra Zr e Ti; - B è scelto tra V, Hn, Fe, Co e Ni, con eventuali aggiunte in quantità limitate di altri elementi di transizione come per esempio Cr; - x è compreso tra 0 e 0.3; ed il caricamento con idrogeno della lega è effettuato a temperatura ambiente ad una pressione compresa tra 10<-4 >e 2 bar in un tempo compreso tra 1 e 60 minuti.
  3. 3. Metodo secondo la rivendicazione 2 in cui il materiale getter è il composto intermetallico Zr1Mn1Fe1,caricato con idrogeno ad una pressione compresa 0,5 e 2 bar.
  4. 4. Metodo secondo la rivendicazione 2 in cui il materiale getter è una lega Zr-V-Fe, la cui composizione percentuale in peso è Zr 70% - V 24.6% - Fe 5.4% caricata con idrogeno ad una pressione compresa tra 10<-4 >e 0,1 bar.
  5. 5. Metodo secondo la rivendicazione 2 in cui il materiale getter è il composto intermetallico Zr1V1Fe1 caricato con idrogeno ad una pressione compresa tra 0,01 e 0,1 bar.
  6. 6. Metodo secondo la rivendicazione 2 in cui il materiale getter è una lega Ti-Ni caricata con idrogeno ad una pressione compresa tra 0,01 e 0,1 bar.
  7. 7. Metodo secondo la rivendicazione 2 in cui il materiale getter è una lega Ti-V-Mn caricata con idrogeno ad una pressione compresa tra 10<-4 >e 0,1 bar.
  8. 8. Metodo secondo la rivendicazione 1 in cui durante l’operazione di frittaggio viene generata una sovrappressione di idrogeno che mantiene un ambiente riducente sui microtips ed aiuta l’espulsione dei gas ossidanti potenzialmente dannosi.
  9. 9. Metodo secondo la rivendicazione 1 in cui il materiale getter caricato di idrogeno è introdotto nel FED supportato su un nastro o in un contenitore aperto riscaldabili per passaggio di corrente elettrica, così da poter regolare la temperatura del materiale getter e di conseguenza la sua emissione di idrogeno.
ITMI941380A 1994-07-01 1994-07-01 Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter IT1269978B (it)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI941380A IT1269978B (it) 1994-07-01 1994-07-01 Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter
TW084106234A TW289203B (it) 1994-07-01 1995-06-17
EP95922720A EP0716772B1 (en) 1994-07-01 1995-06-27 Method for creating and keeping a controlled atmosphere in a field emitter device by using a getter material
PCT/IT1995/000108 WO1996001492A1 (en) 1994-07-01 1995-06-27 Method for creating and keeping a controlled atmosphere in a field emitter device by using a getter material
DE69507275T DE69507275T2 (de) 1994-07-01 1995-06-27 Verfahren zur erzeugung und zur erhaltung einer kontrollierten atmosphäre in einem feldemissionsvorrichtung mittels eines gettermaterials
RU96107197/09A RU2133995C1 (ru) 1994-07-01 1995-06-27 Способ создания и поддержания в приборе автоэлектронного эмиттера (паээ) управляемой газовой среды и способ введения водорода в паээ
CA002169364A CA2169364A1 (en) 1994-07-01 1995-06-27 Method for creating and keeping a controlled atmosphere in a field emitter device by using a getter material
KR1019960700961A KR100369723B1 (ko) 1994-07-01 1995-06-27 게터재료를이용하여전계방출장치내에서제어된환경을생성하고유지하는방법
JP8503775A JPH09502832A (ja) 1994-07-01 1995-06-27 ゲッター物質を用いることにより電界放出デバイス内に制御された雰囲気を創生し且つ保持する方法
CN95190581A CN1086505C (zh) 1994-07-01 1995-06-27 使用吸气剂在场致发射体装置中产生与保持受控气氛的方法
US08/869,465 US6100627A (en) 1994-07-01 1997-06-05 Method for creating and maintaining a reducing atmosphere in a field emitter device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI941380A IT1269978B (it) 1994-07-01 1994-07-01 Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter

Publications (3)

Publication Number Publication Date
ITMI941380A0 ITMI941380A0 (it) 1994-07-01
ITMI941380A1 true ITMI941380A1 (it) 1996-01-01
IT1269978B IT1269978B (it) 1997-04-16

Family

ID=11369205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ITMI941380A IT1269978B (it) 1994-07-01 1994-07-01 Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6100627A (it)
EP (1) EP0716772B1 (it)
JP (1) JPH09502832A (it)
KR (1) KR100369723B1 (it)
CN (1) CN1086505C (it)
CA (1) CA2169364A1 (it)
DE (1) DE69507275T2 (it)
IT (1) IT1269978B (it)
RU (1) RU2133995C1 (it)
TW (1) TW289203B (it)
WO (1) WO1996001492A1 (it)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3222357B2 (ja) * 1994-06-09 2001-10-29 キヤノン株式会社 画像形成装置及びその製造方法
FR2747839B1 (fr) * 1996-04-18 1998-07-03 Pixtech Sa Ecran plat de visualisation a source d'hydrogene
US5688708A (en) * 1996-06-24 1997-11-18 Motorola Method of making an ultra-high vacuum field emission display
JP3745844B2 (ja) * 1996-10-14 2006-02-15 浜松ホトニクス株式会社 電子管
FR2755295B1 (fr) * 1996-10-28 1998-11-27 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif a emission de champ sous vide et appareils pour la mise en oeuvre de ce procede
KR100250408B1 (ko) * 1996-11-30 2000-04-01 김영남 실링홈을 가지는 전계 방출형 표시장치
JPH10177851A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Futaba Corp 真空容器
US6186849B1 (en) 1998-03-24 2001-02-13 Saes Getters S.P.A. Process for the production of flat-screen grids coated with non-evaporable getter materials and grids thereby obtained
JP3829482B2 (ja) * 1998-07-09 2006-10-04 双葉電子工業株式会社 電界放出素子デバイスの真空容器
TW432420B (en) * 1998-07-21 2001-05-01 Futaba Denshi Kogyo Kk Cold cathode electronic device, and field emission luminous device and cold cathode luminous device each includes same
IT1312200B1 (it) 1999-04-21 2002-04-09 Getters Spa Dispositivo e metodo per l'introduzione di idrogeno all'interno dischermi piatti.
FR2793068B1 (fr) * 1999-04-28 2001-05-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif
KR100702710B1 (ko) 1999-06-02 2007-04-02 사에스 게터스 에스.페.아. 활성화 처리와 무관하게 수소를 흡착할 수 있는 복합 물질 및 이의 제조 방법
KR100464311B1 (ko) * 1999-07-30 2004-12-31 삼성에스디아이 주식회사 환원성 다공질 필터를 장착한 전계 방출 표시 장치
AUPQ230499A0 (en) * 1999-08-18 1999-09-09 University Of Sydney, The Evacuated glass panel with getter and method of construction thereof
US6573642B1 (en) * 2000-01-26 2003-06-03 Motorola, Inc. Field emission device and method for the conditioning thereof
US6633119B1 (en) 2000-05-17 2003-10-14 Motorola, Inc. Field emission device having metal hydride hydrogen source
US6888307B2 (en) * 2001-08-21 2005-05-03 Universal Display Corporation Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures
KR100446623B1 (ko) * 2002-01-30 2004-09-04 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치 및 그 제조방법
US20050089705A1 (en) * 2002-06-03 2005-04-28 Saes Getters S.P.A. Assembly comprising at least one support with deposit of getter material for use in electroluminescent organic screens
ITMI20021201A1 (it) * 2002-06-03 2003-12-03 Getters Spa Assemblato comprendente almeno un supporto con deposito di materiale getter per l'uso in schermi organi elettroluminescenti
JP4137624B2 (ja) * 2002-12-19 2008-08-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
CN101438380B (zh) * 2004-12-21 2010-11-17 S.A.E.S.盖特斯股份有限公司 低压汞蒸气放电灯
CN100573809C (zh) 2006-03-24 2009-12-23 清华大学 场发射平面显示光源及其制造方法
CN100573777C (zh) 2006-03-31 2009-12-23 清华大学 场发射电子源及其制造方法
CN101097829B (zh) * 2006-06-30 2010-05-26 清华大学 二极型场发射像素管
KR100858811B1 (ko) * 2006-11-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시 소자의 제조 방법
TW201316825A (zh) * 2011-10-05 2013-04-16 Au Optronics Corp 場發射式顯示器之發射源的活化方法
CN103801252A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 北京有色金属研究总院 一种带有保护层的吸气剂及其制备方法
CN103055795A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 北京联创宏业真空科技有限公司 一种吸气剂及其制备方法
CN113308623B (zh) * 2020-05-18 2022-01-04 有研工程技术研究院有限公司 一种非蒸散型低温激活吸气剂

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3460974A (en) * 1966-02-17 1969-08-12 Aden J King Method of producing constant low pressure of hydrogen in cathode ray tube
NL7503825A (nl) * 1975-04-01 1976-10-05 Philips Nv Gas- en/of dampontladingslamp.
DE2744146C3 (de) * 1977-09-30 1982-03-11 Heimann Gmbh, 6200 Wiesbaden Regelbare Wasserstoffquelle mit Getterwirkung zum Einbau in Elektronenröhren, insbesondere Vidikonröhren
US4163666A (en) * 1978-01-31 1979-08-07 Dan Davidov Hydrogen charged alloys of Zr(A1-x Bx)2 and method of hydrogen storage
IT1110271B (it) * 1979-02-05 1985-12-23 Getters Spa Lega ternaria getterante non evaporabile e metodo di suo impiego per l'assorbimento di acqua,vapore d'acqua,di altri gas
DE3210381C1 (de) * 1982-03-20 1983-05-19 Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart Legierung zum Speichern von Wasserstoff
JPH063714B2 (ja) * 1985-03-25 1994-01-12 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US4567032A (en) * 1985-06-05 1986-01-28 Koppers Company, Inc. Zirconium-manganese-iron alloys
ES2026248T3 (es) * 1987-05-13 1992-04-16 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken Lampara electrica provista de un absorbente.
DE3721529A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Christiansen Jens Triggerung und isolation von pseudofunkenschaltern
JPH02270250A (ja) * 1989-04-11 1990-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子管の製造方法
US5192240A (en) * 1990-02-22 1993-03-09 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a microelectronic vacuum device
IT1248676B (it) * 1990-06-01 1995-01-26 Getters Spa Recupero di trizio e deuterio dai loro ossidi e composti intermetallici utili a questo scopo
IT1246785B (it) * 1991-04-16 1994-11-26 Getters Spa Contenitore di protezione temporanea per un materiale getter
US5283500A (en) * 1992-05-28 1994-02-01 At&T Bell Laboratories Flat panel field emission display apparatus
JP2694576B2 (ja) * 1992-06-08 1997-12-24 サエス ゲッタース ソチエタ ペル アツィオニ 熱絶縁性ジャケット，詳細にはジュワーまたは他の極低温装置のジャケットを排気するための改善されたプロセス
RU2123971C1 (ru) * 1993-04-29 1998-12-27 Саес Геттерс С.П.А. Способ удаления газообразных примесей из потока водорода и устройство для его осуществления
JP3430560B2 (ja) * 1993-07-08 2003-07-28 双葉電子工業株式会社 ゲッター装置及びゲッター装置を有する蛍光表示管
US5453659A (en) * 1994-06-10 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having integrated getter
JP3423511B2 (ja) * 1994-12-14 2003-07-07 キヤノン株式会社 画像形成装置及びゲッタ材の活性化方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW289203B (it) 1996-10-21
KR960704338A (ko) 1996-08-31
ITMI941380A0 (it) 1994-07-01
CA2169364A1 (en) 1996-01-18
IT1269978B (it) 1997-04-16
RU2133995C1 (ru) 1999-07-27
CN1129994A (zh) 1996-08-28
EP0716772A1 (en) 1996-06-19
US6100627A (en) 2000-08-08
DE69507275T2 (de) 1999-05-27
DE69507275D1 (de) 1999-02-25
JPH09502832A (ja) 1997-03-18
KR100369723B1 (ko) 2003-04-10
CN1086505C (zh) 2002-06-19
EP0716772B1 (en) 1999-01-13
WO1996001492A1 (en) 1996-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ITMI941380A1 (it) Metodo per la creazione ed il mantenimento di un&#39;atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l&#39;uso di un materiale getter
Gomer Field emission microscopy and some applications to catalysis and chemisorption
US6472819B2 (en) Nonevaporable getter system for plasma flat panel display
Wagener A method for measuring the efficiency of getters at low pressures
Young Electrical cleanup of gases in an ionization gauge
US5655886A (en) Vacuum maintenance device for high vacuum chambers
CZ298064B6 (cs) Prostredek uvolnující kyslík pro vysokotlaké výbojky
JP2003100238A (ja) ゲッターの組成物及び該ゲッターの組成物を利用した電界放出表示装置
US7871303B2 (en) System for filling and venting of run-in gas into vacuum tubes
KR100408326B1 (ko) 평판 표시장치 내로 수소를 유입하는 방법 및 장치
KR20060120196A (ko) 일체형 게터를 구비하며 냉음극에 대한 낮은 일함수를 갖는캐소드 및 이 캐소드를 제조하는 방법
US3387908A (en) Electron vacuum tube getter and method of using the same
KR100720583B1 (ko) 게터 성능 평가 장치 및 그 방법
RU2616973C1 (ru) Способ изготовления фотоэлектронного прибора
RU2660947C2 (ru) Рентгеновский визуализатор
JP2004066225A (ja) ゲッタの組成物及び該ゲッタの組成物を利用した電界放出表示装置
ITMI990534A1 (it) Dispositivo e motodo per l&#39;introduzione di idrogeno all&#39;interno di schermi piatti
TW571328B (en) Getter assembly applied in vacuum display panel
US20060006789A1 (en) Electron-beam excited light-emitting devices
Jousten Sorption pumps
Meshejian et al. A gas density detector for use in space
Lee et al. P‐56: Development of In‐line Sealing Method for Plasma Display Panel
Koller The Voltage Drop Through Phosphor Screens and Its Bearing on Performance of Cathodoluminescent Lamps
JPS6182656A (ja) 金属蒸気放電灯
Redhead The Quest for Ultrahigh Vacuum

Legal Events

Date Code Title Description
0001 Granted
TA Fee payment date (situation as of event date), data collected since 19931001

Effective date: 19970627