ITMI20022192A1 - Struttura per modificare un blocco di celle di memoria in un dispositivo di memoria flash con riduzione delle operazioni di cancellazione e di programmazione. - Google Patents
Struttura per modificare un blocco di celle di memoria in un dispositivo di memoria flash con riduzione delle operazioni di cancellazione e di programmazione.Info
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
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